JP3057450B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP3057450B2 JP3057450B2 JP2036140A JP3614090A JP3057450B2 JP 3057450 B2 JP3057450 B2 JP 3057450B2 JP 2036140 A JP2036140 A JP 2036140A JP 3614090 A JP3614090 A JP 3614090A JP 3057450 B2 JP3057450 B2 JP 3057450B2
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- Japan
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- recording layer
- magneto
- recording
- optical recording
- comp
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有
する光磁気記録層に対してレーザ光を照射して情報の記
録，再生及び消去を行なう光磁気記録媒体に関する。
する光磁気記録層に対してレーザ光を照射して情報の記
録，再生及び消去を行なう光磁気記録媒体に関する。
（従来の技術） 膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する光磁気
記録層に対してレーザ光を照射して加熱し、加熱部の記
録層保磁力を低下して、保磁力が低下した部分の記録層
の磁化方向を、周囲の磁化方向とは逆向き又は同向に向
けて情報の記録又は消去をし、この磁化方向を磁気光学
力−効果を利用して再生する光磁気記録方法は、書換え
可能型光メモリの記録方法として実用の或に達してい
る。記録層材料としては主に、Gd,Tb,Dy等の希土類（R
E）とFe,Co等の遷移金属（TM）とを主成分とするRE−TM
膜が用いられているが、この理由はREの副格子磁化（M
RE）とTMの副格子磁化（MTM）とが逆向きに向いている
為に、全磁化Ms（＝MRE−MTM）が比較的小さく、これに
起因して垂直磁化膜となり易く、しかるに高密度の記
録，再生が可能となる為である。Msが小さい事によるも
う１つの長所は、記録層のレーザ照射加熱領域において
磁化反転可能な温度になっている位置（rc）記録層が感
じる記録層自身の磁化に起因する自己漏洩磁界（Hs）が
比較的小さいので記録時と、消去時の外部磁界（Hex）
の大きさがほぼ等しくとも、実用に供し得る信号強度が
得られやすい点にある。しかしながらより高品質の記録
動作を実行する上では、比較的小さくはあるものの有限
な大きさを有するHsを考慮して記録時もしくは消去時に
Hex方向のみならず大きさをも制御しなければならない
という繁雑さがあった。
記録層に対してレーザ光を照射して加熱し、加熱部の記
録層保磁力を低下して、保磁力が低下した部分の記録層
の磁化方向を、周囲の磁化方向とは逆向き又は同向に向
けて情報の記録又は消去をし、この磁化方向を磁気光学
力−効果を利用して再生する光磁気記録方法は、書換え
可能型光メモリの記録方法として実用の或に達してい
る。記録層材料としては主に、Gd,Tb,Dy等の希土類（R
E）とFe,Co等の遷移金属（TM）とを主成分とするRE−TM
膜が用いられているが、この理由はREの副格子磁化（M
RE）とTMの副格子磁化（MTM）とが逆向きに向いている
為に、全磁化Ms（＝MRE−MTM）が比較的小さく、これに
起因して垂直磁化膜となり易く、しかるに高密度の記
録，再生が可能となる為である。Msが小さい事によるも
う１つの長所は、記録層のレーザ照射加熱領域において
磁化反転可能な温度になっている位置（rc）記録層が感
じる記録層自身の磁化に起因する自己漏洩磁界（Hs）が
比較的小さいので記録時と、消去時の外部磁界（Hex）
の大きさがほぼ等しくとも、実用に供し得る信号強度が
得られやすい点にある。しかしながらより高品質の記録
動作を実行する上では、比較的小さくはあるものの有限
な大きさを有するHsを考慮して記録時もしくは消去時に
Hex方向のみならず大きさをも制御しなければならない
という繁雑さがあった。
磁界変調記録方式を用いた場合にはHsの信号をなくす
目的で特に特開昭63−146259に開示される如く、DCオフ
セットバイアス磁界を印加する等の工夫を要し又、一定
のHexを印加してレーザ強度を変えて記録と消去を行な
う光変調オーバライト方式においては、Hsの影響によっ
てHexのマージンもしくはパワーマージンがせまくなる
といった問題点を発生していた。
目的で特に特開昭63−146259に開示される如く、DCオフ
セットバイアス磁界を印加する等の工夫を要し又、一定
のHexを印加してレーザ強度を変えて記録と消去を行な
う光変調オーバライト方式においては、Hsの影響によっ
てHexのマージンもしくはパワーマージンがせまくなる
といった問題点を発生していた。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は掲記した従来技術の有する課題に対してなさ
れたものであり、記録時もしくは消去時のHsを小さくす
る事によって、記録時と消去時のHexの大きさに意図的
に差をつけずとも高い信号強度が得られさらに一定のH
ex印加で記録と消去を行なう光変調オーバライト方式の
性能を向上する光磁気記録媒体を提供する事を目的とし
ている。
れたものであり、記録時もしくは消去時のHsを小さくす
る事によって、記録時と消去時のHexの大きさに意図的
に差をつけずとも高い信号強度が得られさらに一定のH
ex印加で記録と消去を行なう光変調オーバライト方式の
性能を向上する光磁気記録媒体を提供する事を目的とし
ている。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、基体と、この基体上に形成された光磁気記
録層とを具備する光磁気記録媒体において、レーザ光を
集光照射して情報の記録，再生及び消去を行なう際、レ
ーザ光の照射部の記録層温度が記録層の磁化反転温度に
なっている位置（rc）における自己漏洩磁界が消去方向
を向いていることを特徴とするものである。
録層とを具備する光磁気記録媒体において、レーザ光を
集光照射して情報の記録，再生及び消去を行なう際、レ
ーザ光の照射部の記録層温度が記録層の磁化反転温度に
なっている位置（rc）における自己漏洩磁界が消去方向
を向いていることを特徴とするものである。
本発明の好ましい実施態様としては、記録層がメモリ
保持温度以上に補償点を有することであり、記録層の厚
さが厚い時でも実効的に磁化反転可能位置におけるHsを
消去方法にする事が容易である。
保持温度以上に補償点を有することであり、記録層の厚
さが厚い時でも実効的に磁化反転可能位置におけるHsを
消去方法にする事が容易である。
rcにおいて、レーザ光照射時の記録層温度が補償点に
なっている位置（rcomp）よりも冷却している部分から
の自己漏洩磁界の大きさが、rcompよりも加熱している
部分からの自己漏洩磁界の大きさよりも大きいのがよ
い。
なっている位置（rcomp）よりも冷却している部分から
の自己漏洩磁界の大きさが、rcompよりも加熱している
部分からの自己漏洩磁界の大きさよりも大きいのがよ
い。
（作用） 本発明では、磁化反転位置において記録層が感じる記
録層自体の磁化分布に起因するHsを小さくする事ができ
るので、記録時と消去時のHexの大きさを意図的に交え
る必要がなくなる。このため、Hex印加手段を簡便にで
き、磁界変調記録方式を用いる場合にDCバイアスを印加
する必要がなくなる他、一定のHexを印加してレーザ光
強度によって記録と消去を行なう光変調オーバライト方
式におけるHexマージンとパワーマージンを拡げる事が
可能となる。
録層自体の磁化分布に起因するHsを小さくする事ができ
るので、記録時と消去時のHexの大きさを意図的に交え
る必要がなくなる。このため、Hex印加手段を簡便にで
き、磁界変調記録方式を用いる場合にDCバイアスを印加
する必要がなくなる他、一定のHexを印加してレーザ光
強度によって記録と消去を行なう光変調オーバライト方
式におけるHexマージンとパワーマージンを拡げる事が
可能となる。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。第１図は本発明の一実施例の断面構成図であり、１
は基板であり（例えばガラス）２はRE−TM膜からなる記
録層（例えば50mm厚のTb24（Fe80Co20）76膜）である。
第１図の媒体には保護層，反射層，熱拡散層等は特に示
していないが、記録層の保護や、カーエンハンスメント
等本発明とは直接関係のない目的で保護層，反射層が形
成されている媒体を用いてもかまわず、又、本発明に直
接関係する目的によって、媒体の熱応答特性を調整する
熱吸収層，熱拡散層等必要に応じて形成しても良い。又
記録層の材料もTb−Fe−Co以外に、Gd−Tb−Fe,Gd−Tb
−Co,Dy−Fe−Co,Dy−Nd−Fe−Co等、RE−TM膜全般とRE
−TM以外の垂直磁化膜が用いられてもかまわない。第１
図の媒体は、例えばTbターゲットとFe−Co合金ターゲッ
トを用いた２元同時DCマグネトロンスパッタ法による記
録層１の形成によって提供できる。第２図は第１図の媒
体の磁化（Ms）と保磁力（Hc）の膜温度（Ｔ）に対する
特性で例えばVSMによって測定できる。記録層として前
記した50mm厚のTb24（Fe80Co20）76を用いた場合には、
メモリ保持温度Ta〜25℃）においてMs〜150emu/cc,Hc＝
５ koeであり、補償点（Tcomp）がTa＜Tcomp＜Tc（キ
ュリー点）の温度範囲に依存してTcomp＝150℃，キュリ
ー点（Tc）はTc＝200℃であった。
る。第１図は本発明の一実施例の断面構成図であり、１
は基板であり（例えばガラス）２はRE−TM膜からなる記
録層（例えば50mm厚のTb24（Fe80Co20）76膜）である。
第１図の媒体には保護層，反射層，熱拡散層等は特に示
していないが、記録層の保護や、カーエンハンスメント
等本発明とは直接関係のない目的で保護層，反射層が形
成されている媒体を用いてもかまわず、又、本発明に直
接関係する目的によって、媒体の熱応答特性を調整する
熱吸収層，熱拡散層等必要に応じて形成しても良い。又
記録層の材料もTb−Fe−Co以外に、Gd−Tb−Fe,Gd−Tb
−Co,Dy−Fe−Co,Dy−Nd−Fe−Co等、RE−TM膜全般とRE
−TM以外の垂直磁化膜が用いられてもかまわない。第１
図の媒体は、例えばTbターゲットとFe−Co合金ターゲッ
トを用いた２元同時DCマグネトロンスパッタ法による記
録層１の形成によって提供できる。第２図は第１図の媒
体の磁化（Ms）と保磁力（Hc）の膜温度（Ｔ）に対する
特性で例えばVSMによって測定できる。記録層として前
記した50mm厚のTb24（Fe80Co20）76を用いた場合には、
メモリ保持温度Ta〜25℃）においてMs〜150emu/cc,Hc＝
５ koeであり、補償点（Tcomp）がTa＜Tcomp＜Tc（キ
ュリー点）の温度範囲に依存してTcomp＝150℃，キュリ
ー点（Tc）はTc＝200℃であった。
第３図（３−ａ）は、第１図の媒体をレーザ光に対し
て8m/sで移動させ8mwのレーザパワー、200nsのパルス幅
で照射した時のトラック（媒体移動方向）とは垂直な方
向の記録層１の温度分布の計算結果で、レーザポット中
心点（ｒ＝ｏ）においてＴ＝320℃、ｒ＝0.4μｍ（レー
ザスポットの半値半幅）においてＴ＝150℃となった。
第３図（３−ｂ）は、（３−ａ）の熱分布になっている
時の記録層の磁化（Ms）の空間的分布を位置ｒに対して
描いたもので、記録層が補償点に至っている位置はr
comp＝0.4μm,キュリー点に至っている位置はrc〜0.3μ
ｍである。rcompの位置ではHcは発散しrcに向って急激
に減少しているので、この場合rc及びその極く近傍でr
comp側の位置が記録層の磁化反転可能領域となってい
る。rcにおけるHsはｒ＞rcompの領域のMs（ｒ）からのH
s（ｒ＞rcomp）が下向きでrc＜ｒ＜rcompの領域のMs
（ｒ）からのHs（rc＜ｒ＜rcomp）が上向きでHs（ｒ＞r
comp）よりも小さいのでトータルのHsは−20oe（下向き
すなわち消去方向）の小さな値をとる。この媒体を用い
て8m/sの線速で移動し、8mwのレーザ光をDC照射して外
部より±300oe変調磁界を1MHzで与えて記録実験を行な
った所、再生CNRとして50dBの値を得た。また、Hex＝−
30oe（消去方向）の条件で記録パワーPW,消去パワーPE
の光強度変調でオーバライトした所10mW＞PW＞7mW、6mW
＞PE＞5mWの範囲でオーバライトができ、PO＝8.5mw,PE
＝5.5mw,の時、CNRとして30dB,消去化−30dBの値を得
た。
て8m/sで移動させ8mwのレーザパワー、200nsのパルス幅
で照射した時のトラック（媒体移動方向）とは垂直な方
向の記録層１の温度分布の計算結果で、レーザポット中
心点（ｒ＝ｏ）においてＴ＝320℃、ｒ＝0.4μｍ（レー
ザスポットの半値半幅）においてＴ＝150℃となった。
第３図（３−ｂ）は、（３−ａ）の熱分布になっている
時の記録層の磁化（Ms）の空間的分布を位置ｒに対して
描いたもので、記録層が補償点に至っている位置はr
comp＝0.4μm,キュリー点に至っている位置はrc〜0.3μ
ｍである。rcompの位置ではHcは発散しrcに向って急激
に減少しているので、この場合rc及びその極く近傍でr
comp側の位置が記録層の磁化反転可能領域となってい
る。rcにおけるHsはｒ＞rcompの領域のMs（ｒ）からのH
s（ｒ＞rcomp）が下向きでrc＜ｒ＜rcompの領域のMs
（ｒ）からのHs（rc＜ｒ＜rcomp）が上向きでHs（ｒ＞r
comp）よりも小さいのでトータルのHsは−20oe（下向き
すなわち消去方向）の小さな値をとる。この媒体を用い
て8m/sの線速で移動し、8mwのレーザ光をDC照射して外
部より±300oe変調磁界を1MHzで与えて記録実験を行な
った所、再生CNRとして50dBの値を得た。また、Hex＝−
30oe（消去方向）の条件で記録パワーPW,消去パワーPE
の光強度変調でオーバライトした所10mW＞PW＞7mW、6mW
＞PE＞5mWの範囲でオーバライトができ、PO＝8.5mw,PE
＝5.5mw,の時、CNRとして30dB,消去化−30dBの値を得
た。
＜比較例＞ 本発明の光磁気記録方式及び媒体の効果をより明らか
にする目的で従来技術に基づいて光磁気記録を試みた。
第４図は従来技術を用いて作成した媒体のMs（Ｔ）特
性，第５図は、レーザ照射部のMs（ｒ）分布の模式図で
ある。
にする目的で従来技術に基づいて光磁気記録を試みた。
第４図は従来技術を用いて作成した媒体のMs（Ｔ）特
性，第５図は、レーザ照射部のMs（ｒ）分布の模式図で
ある。
rcにおけるHsはこの場合記録方向（第５図で下向き）
に200oe印加した状態にある。これを前記した本発明の
実施例と同一の条件で磁界変調記録した所、最初のキロ
クは充分に行えたものの、書き換え時は消去が不良でノ
イズレベルが上昇しキャリアレベルが低下しCNRとして
は35dBまで、減少した。又光変調オーバライトは、Hex
が消去方向に100ve印加した範囲では記録はできるが消
去が不充分であり、一方でさらに消去方向に印加した場
合には、記録ができなくなり成立しなかった。
に200oe印加した状態にある。これを前記した本発明の
実施例と同一の条件で磁界変調記録した所、最初のキロ
クは充分に行えたものの、書き換え時は消去が不良でノ
イズレベルが上昇しキャリアレベルが低下しCNRとして
は35dBまで、減少した。又光変調オーバライトは、Hex
が消去方向に100ve印加した範囲では記録はできるが消
去が不充分であり、一方でさらに消去方向に印加した場
合には、記録ができなくなり成立しなかった。
［発明の効果］ 本発明の光磁気記録媒体を用いれば、記録もしくは消
去時に、磁化反転部分での自己漏洩磁界を低減できるの
で、直流的バイアス磁界の印加孔に安定した磁界変調記
録動作ができ、又、パワーマーシンのひろい光変調オー
バライト動作が可能となる。
去時に、磁化反転部分での自己漏洩磁界を低減できるの
で、直流的バイアス磁界の印加孔に安定した磁界変調記
録動作ができ、又、パワーマーシンのひろい光変調オー
バライト動作が可能となる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図，第３図は
本発明の一実施例の説明図、第４図，第５図は従来技術
の説明図である。 １……記録層,2……基板。
本発明の一実施例の説明図、第４図，第５図は従来技術
の説明図である。 １……記録層,2……基板。
Claims (2)
- 【請求項１】基体と、この基体上に形成された光磁気記
録層とを具備する光磁気記録媒体において、レーザ光を
集光照射して情報の記録、再生及び消去を行なう際、レ
ーザ光照射部の記録層温度が記録層の磁化反転温度にな
っている位置（rc）における記録層の自己漏洩磁界が消
去方向を向いており、レーザ光照射時の記録層温度が補
償点になっている位置をrcompとして、rc＜ｒ＜rcompの
領域の記録層の自己漏洩磁界の大きさがrcomp＜ｒの領
域の記録層の自己漏洩磁界の大きさよりも小さいことを
特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記光磁気記録層は、オーバーライト動作
可能な記録層からなることを特徴とする請求項１記載の
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036140A JP3057450B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036140A JP3057450B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241549A JPH03241549A (ja) | 1991-10-28 |
| JP3057450B2 true JP3057450B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=12461484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036140A Expired - Fee Related JP3057450B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3057450B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP2036140A patent/JP3057450B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03241549A (ja) | 1991-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |