JPH08147776A - 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法 - Google Patents

光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法

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JPH08147776A
JPH08147776A JP6291621A JP29162194A JPH08147776A JP H08147776 A JPH08147776 A JP H08147776A JP 6291621 A JP6291621 A JP 6291621A JP 29162194 A JP29162194 A JP 29162194A JP H08147776 A JPH08147776 A JP H08147776A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 光磁気ディスクは再生層、中間層、記録層を
有する。外部から磁界を印加しながら、高低２つの光強
度の光ビームを照射し、高い光強度の場合には再生層の
副格子磁気モーメントを反転させることにより、記録層
の磁化の向きを情報に従って変化させる。中間層は、上
記照射時には垂直磁化を示し、室温に戻ると面内磁化を
示す。 【効果】 記録のたびに初期化のための磁界を印加する
必要がないので記録再生装置を小型化できる。また、再
生層の磁化方向を外部からの磁界で容易に制御すること
ができ、光変調オーバーライト特性を安定化することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体とそれを用いた光磁気記録再生方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な光ディスクメモリとし
て、光磁気ディスクメモリが実用化されているが、この
光磁気ディスクメモリは、すでに記録された部分に再記
録しようとすると、前に記録されていた情報をあらかじ
め消去した後に記録する必要があり、再記録の際に時間
がかかるという欠点があった。
【０００３】この欠点を解消するため、再記録前に消去
することなく記録するオーバーライトを行う方法とし
て、磁界変調オーバーライトが行われている。
【０００４】しかし、この方法は、加える磁界の大きさ
を変調してオーバーライトを行うものであり、十分な大
きさの磁界を得るために、磁界発生機構を光磁気ディス
クに近接しなければならないという欠点があり、さら
に、高速で磁界を変調することができないため、記録に
時間がかかるという欠点をも有している。
【０００５】そこで、上記の欠点を解消すべく、特開昭
６２−１７５９４８号公報において、ともに垂直磁化膜
である記録層と記録補助層からなる２層構造の光磁気記
録媒体を使用して、光ビームのレーザパワーのみを変調
してオーバーライトを行うことが可能な光変調オーバー
ライト方式が提案されている。
【０００６】しかしながら、上記特開昭６２−１７５９
４８号公報において提案されている内容においては、光
変調オーバーライトが可能になるが、オーバーライトを
行う際、記録補助層の磁化方向も変わってしまうため、
オーバーライト前に、あらかじめ記録補助層の磁化方向
を揃えておく初期化が毎回必要になる。そのため、記録
磁界発生機構のほかに初期化磁界発生機構が必要にな
る。この結果、装置の大型化を招くとともに、コストア
ップにもつながるという欠点があった。
【０００７】また、従来の光磁気ディスクメモリの別の
欠点として、集光された半導体レーザの光ビーム径に比
べて記録ビット径および記録ビット間隔が小さくなって
ると、再生特性が劣化してくるという欠点がある。これ
は、集光されたレーザビームのなかに、隣接する記録ビ
ットが入ってくるため、一つ一つの記録ビットを分離し
て再生することができなくなってしまうためである。
【０００８】このような欠点を解消すべく、特開平５−
８１７１７号公報においては、室温では面内磁化膜であ
り、温度上昇に伴い垂直磁化膜となる読み出し層と、垂
直磁化膜である記録層とを有する２層構造の光磁気記録
媒体を使用する技術が開示されている。そこでは、レー
ザビーム径より小さい記録ビットでも、一つ一つの記録
ビットを分離して再生し、さらに、初期化磁界を必要と
しない光変調オーバーライト方式が提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平５−８１７１７号公報において提案されている内容
においては、記録層と再生層との間に直接接しているこ
とによる両層間の磁気的交換結合力が強く働くため、再
生層の磁化方向を記録磁界で容易に制御することができ
ない。そのため、光変調オーバーライト特性が不安定で
あるという問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の光磁気記録媒体は、情報が光磁気記
録される磁性体からなる記録層と、記録層の上に形成さ
れた、光ビームを照射することによって記録層に記録さ
れた情報の読み出しが行われる希土類遷移金属合金の磁
性体からなる再生層とを備えた光磁気記録媒体におい
て、記録層が室温Ｔ１からキュリー温度Ｔc3まで垂直磁
化を示し、再生層が補償温度Ｔcomp1 を有し、室温から
温度Ｔr2まで垂直磁化を示し、上記記録層と再生層との
間に、磁性体からなり、補償温度Ｔcomp2 を有し、Ｔc3
を含む温度範囲Ｔi1以上Ｔi2以下のみで垂直磁化を示
し、室温から上記Ｔi1まで面内磁化を示す中間層が形成
され、Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、Ｔcomp2 以下の温度を
Ｔ３とし、Ｔc3以上、Ｔcomp1以上、Ｔcomp2 以上、Ｔr
2以下の所定の温度をＴ４とし、再生層および記録層の
保磁力をそれぞれＨｃ１、Ｈｃ３とするとき、所定の磁
界Ｈｗに対し、温度がＴ１のときＨｃ１＜Ｈｗ、Ｈｗ＜
Ｈｃ３、温度がＴ３のときＨｃ３＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ
１、温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗであることを特徴と
している。
【００１１】また、請求項２記載の光磁気記録媒体は、
請求項１記載の光磁気記録媒体において、再生層、中間
層および記録層の組成をそれぞれＧｄ0.28( ＦｅX Ｃｏ
1-X)0.72 、Ｇｄ0.28( ＦｅY Ｃｏ1-Y )0.72 、Ｄｙ
0.20( Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.80としたとき、４５％＜Ｙ
＜６５％であることを特徴としている。
【００１２】また、請求項３記載の光磁気記録媒体は、
情報が光磁気記録される磁性体からなる記録層と、記録
層の上に形成された、光ビームを照射することによって
記録層に記録された情報の読み出しが行われる希土類遷
移金属合金の磁性体からなる再生層とを備えた光磁気記
録媒体において、記録層が室温Ｔ１からキュリー温度Ｔ
c3まで垂直磁化を示し、再生層が補償温度Ｔcomp1 を有
し、温度Ｔr1以上温度Ｔr2以下のみで垂直磁化を示し、
室温から上記Ｔr1まで面内磁化を示し、上記記録層と再
生層との間に、磁性体からなり、補償温度Ｔcomp2 を有
し、Ｔc3を含む温度範囲Ｔi1以上Ｔi2以下のみで垂直磁
化を示し、上記Ｔi1以下で面内磁化を示す中間層が形成
され、Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、Ｔcomp2 以下の温度を
Ｔ３とし、Ｔc3以上、Ｔcomp1 以上、Ｔcomp2 以上、Ｔ
r2以下の所定の温度をＴ４とし、再生層および記録層の
保磁力をそれぞれＨｃ１、Ｈｃ３とするとき、所定の磁
界Ｈｗに対し、Ｔr1＜Ｔi1であり、温度がＴ１のときＨ
ｃ１＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ３、温度がＴ３のときＨｃ３＜
Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ１、温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗで
あることを特徴としている。
【００１３】また、上記の課題を解決するため、請求項
４記載の光磁気記録再生方法は、請求項１または２記載
の光磁気記録媒体を用いて、記録時には、上記磁界Ｈｗ
を上記光磁気記録媒体に印加し、（ａ）上記光磁気記録
媒体に対して低い光強度の光ビームＩを記録信号に従っ
て照射して、再生層の希土類金属の副格子磁気モーメン
トを磁界Ｈｗの方向に向け、再生層からの交換結合力に
より記録層の磁化方向を所定の方向へ向け、（ｂ）上記
光磁気記録媒体に対して高い光強度の光ビームIIを記録
信号に従って照射して、再生層の希土類金属の副格子磁
気モーメントを磁界Ｈｗと逆の方向に向け、再生層から
の交換結合力により記録層の磁化方向を、光ビームＩを
照射したときとは逆の方向へ向けることによって記録を
行う一方、再生時には、上記光磁気記録媒体に対して、
上記光ビームＩより低い光強度の光ビームIII を照射し
て、再生層の副格子磁化を、記録層の副格子磁化に対し
て安定な方向に揃えることによって、記録層に記録され
た磁化を情報として再生することを特徴としている。
【００１４】また、請求項５記載の光磁気記録再生方法
は、請求項３記載の光磁気記録媒体を用いて、記録時に
は、上記磁界Ｈｗを上記光磁気記録媒体に印加し、
（ａ）上記光磁気記録媒体に対して低い光強度の光ビー
ムＩを記録信号に従って照射して、再生層の希土類金属
の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗの方向に向け、再生
層からの交換結合力により記録層の磁化方向を所定の方
向へ向け、（ｂ）上記光磁気記録媒体に対して高い光強
度の光ビームIIを記録信号に従って照射して、再生層の
希土類金属の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗと逆の方
向に向け、再生層からの交換結合力により記録層の磁化
方向を、光ビームＩを照射したときとは逆の方向へ向け
ることによって記録を行う一方、再生時には、上記光磁
気記録媒体に対して、上記光ビームＩより低い光強度を
有し、光ビームの中心のほうが周囲よりも高い光強度分
布を有する光ビームIII を照射して、再生層の副格子磁
化を、記録層の副格子磁化に対して安定な方向に揃える
ことによって、記録層に記録された磁化を情報として再
生することを特徴としている。
【００１５】
【作用】上記請求項１記載の構成により、記録時に、請
求項４記載の光磁気記録再生方法のように、上記磁界Ｈ
ｗが上記光磁気記録媒体の光ビーム照射部位に印加され
る。なお、ここで、各磁性層の組成を例えば請求項２記
載のように構成することができる。このとき、室温では
Ｈｃ１がＨｗより小さいため、再生層の磁化（Ｍ１とす
る）はＨｗの向きを向いている。また、記録層の磁化
（Ｍ３とする）は、記録された情報に従って所定の方向
（上または下）を向いているが、中間層が面内磁化のた
め、Ｍ３が再生層に転写されることはない。
【００１６】ここで、請求項４記載の光磁気記録再生方
法のように、（ａ）低い光強度の光ビームＩが照射さ
れ、各磁性層がＴ３にまで昇温されると、中間層が垂直
磁化になる。したがって、再生層と記録層との間に交換
結合力が働く。一方、Ｈｃ１はＨｗより大きく、Ｈｃ３
はＨｗより小さい。そのため、上記交換結合力により再
生層から中間層を経て記録層へ磁化が転写され、Ｍ３が
所定の方向α（上または下）を向く。
【００１７】光ビームＩの照射が終了され、Ｔ１へ降温
すると、Ｈｃ３がＨｗより大きいので、Ｍ３はＨｗにか
かわらず、そのままの向きαを向く。一方、中間層が面
内磁化になる。したがって、再生層と記録層との間に交
換結合力が働かなくなるので、Ｍ１はＭ３にかかわら
ず、そのままＨｗの向き（初期化の向き）を向く。これ
により、Ｍ３に向きαが記録されたことになる。
【００１８】（ｂ）上記低い光強度の光ビームＩの代わ
りに、高い光強度の光ビームIIが照射され、各磁性層が
Ｔ４にまで昇温されると、Ｈｃ１がＨｗより小さくな
る。また、Ｔcomp1 以上となるので、再生層の遷移金属
の副格子磁気モーメントが大きくなり、ＴＭrichとな
る。したがって、再生層の希土類金属の副格子磁気モー
メントＲ１がＨｗと逆の向きを向き、Ｍ１はＨｗの向き
を向く。
【００１９】中間層の磁化は、面内磁化を示すか（Ｔ４
がＴi2以上Ｔr2以下の場合）、再生層と同じ状態になる
（Ｔ４がＴcomp2 以上Ｔi2以下の場合）。一方、記録層
はキュリー温度Ｔc1以上なので磁化が消失する。
【００２０】光ビームIIの照射が終了されてＴ３へ降温
する過程で、Ｔcomp1 以下になるので、再生層の遷移金
属の副格子磁気モーメントが小さくなり、再びＲＥrich
になる。一方、中間層の磁化は、上記のように面内磁化
か、再生層と同じ状態である。また、記録層はキュリー
温度Ｔc1以上なので磁化が消失している。そのため、Ｒ
１はそのままＨｗと逆の向きを向き、Ｍ１はＲ１の向き
と同一（Ｈｗと逆の向き）を向く。
【００２１】Ｔ３にまで降温すると、Ｈｃ１がＨｗより
大きいので、Ｒ１、Ｍ１は上記の向きに固定される。一
方、中間層は垂直磁化になるので、再生層と記録層との
間に交換結合力が働く。そのため、再生層３から中間層
を経て記録層へ磁化の向きが転写され、記録層の磁化が
αとは逆の所定の方向β（下または上）を向く。
【００２２】Ｔ１へ降温すると、Ｈｃ３がＨｗより大き
いので、Ｍ３はＨｗにかかわらず、そのままの向きβを
維持した状態となって安定する。一方、中間層が面内磁
化になるので、再生層と記録層との間に交換結合力が働
かなくなるかあるいは弱くなり、かつ、Ｈｃ１がＨｗよ
り小さくなるため、Ｍ１はＨｗの向きに初期化される。
これにより、Ｍ３に向きβが記録されたことになる。
【００２３】すなわち、上記のように中間層を設けたこ
とによって、再生層から記録層へ磁化を転写するときに
は交換結合力を強めて転写を補助し、再生層の磁化の向
きが初期化されたときには交換結合力を弱め、記録層の
磁化が再生層へ転写されないようにする。
【００２４】このように、記録層と再生層との間の磁気
的な交換結合力を中間層が調節するため、再生層の磁化
方向を外部からの磁界で容易に制御することができ、光
変調オーバーライト特性を安定化することができる。
【００２５】また、再生時には、上記光磁気記録媒体に
対して、上記光ビームＩより低い光強度の光ビームIII
を照射し、Ｔ２まで昇温する。
【００２６】したがって、Ｍ１は垂直磁化を示すように
なるが、このときには磁界Ｈｗ等のような外部磁界は印
加されていないので、Ｍ１の向きは、記録層から働く磁
気的な交換結合力によって決定される。またこのとき、
中間層は面内磁化状態であるが、垂直磁化状態である再
生層と記録層とに挟み込まれることにより、ある程度の
垂直磁化成分を有することとなる。したがって、記録層
から中間層を介して再生層へ交換結合力が働く。これに
より、Ｍ１の向きが確実に決定される。
【００２７】このようにして、記録層に記録された磁化
が再生層に転写され、情報として読みだされる。光ビー
ムIII の照射が終了すれば、再生層は面内磁化に戻る。
記録層の磁化状態は維持されたままである。
【００２８】また、上記請求項３記載の構成により、記
録時に、請求項５記載の光磁気記録再生方法のように、
上記磁界Ｈｗが上記光磁気記録媒体に印加される。この
とき、室温では再生層の磁化（Ｍ１とする）は面内磁化
状態となっている。また、記録層の磁化（Ｍ３とする）
は、記録された情報に従って所定の方向（上または下）
を向いているが、中間層が面内磁化のため、Ｍ３が再生
層に転写されることはない。
【００２９】ここで、請求項５記載の光磁気記録再生方
法のように、低い光強度の光ビームＩまたは高い光強度
の光ビームIIが照射される。
【００３０】この光ビームの照射によってＴr1の近傍の
温度Ｔ２まで昇温された時点についてみれば、Ｈｃ１が
Ｈｗより小さいため、Ｍ１はＨｗの向きを向く。また、
上記同様、Ｍ３は上記と同じ所定の方向を向いており、
中間層が面内磁化のため、Ｍ３が再生層に転写されるこ
とはない。
【００３１】この後、請求項４記載の方法と同様にして
情報が記録される。ただし、請求項４の場合と異なり、
Ｔ１へ降温すると、再生層が面内磁化に戻る点が異な
る。
【００３２】すなわち、上記のように中間層を設けたこ
とによって、請求項１同様、記録層と再生層との間の磁
気的な交換結合力を中間層が調節するため、再生層の磁
化方向を外部からの磁界で容易に制御することができ、
光変調オーバーライト特性を安定化することができる。
【００３３】また、再生時には、上記光磁気記録媒体に
対して、上記光ビームＩより低い光強度の光ビームIII
を照射し、Ｔ２まで昇温する。
【００３４】ここで、請求項４とほぼ同様にして記録層
に記録された情報として読みだされる。ただし、光ビー
ムIII の光強度分布が、光ビームの中心のほうが周囲よ
りも高い分布となっているため、光ビームIII が照射さ
れると、再生層の照射部位の中心部近傍が周囲の温度よ
りも高くなる。したがって、再生層において上記中心部
近傍のみがＴ２以上になって面内磁化状態から垂直磁化
状態に移行する。そして、上記中心部近傍のみにおいて
記録層から再生層へ磁化が転写される。
【００３５】したがって、光ビームIII が照射された再
生層の中心部近傍のみの情報を読みだすことができるた
め、雑音の原因である隣接ビットからの信号混入がなく
なり、光ビームのスポット径よりも小さいピッチで記録
した記録ビットの再生が確実に行え、記録密度を著しく
高めることができる。
【００３６】
【実施例】
〔実施例１〕本発明の一実施例について図１ないし図４
に基づいて説明すれば、以下の通りである。図２に示す
ように、本実施例の光磁気ディスク１０（光磁気記録媒
体）は、基板１、透明誘電体層２、再生層３、中間層
４、記録層５、保護層６、バックコート層７が順に積層
されており、レーザ光８（光ビーム）が集光レンズ９で
再生層３に集光されて記録再生が行われるようになって
いる。
【００３７】基板１は、直径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍの円盤状のガラス基板で、図示していな
いが、片側の表面には、光ビーム案内用の凹凸状のガイ
ドトラックが、１．６μm ピッチ、グルーブ（凹部）の
幅が０．８μm 、ランド（凸部）の幅が０．８μm で形
成されている。また、透明誘電体層２は、光干渉作用に
より、再生特性を改善する目的で設けられているもので
あり、基板１のガイドトラックがある面側に、ＡｌＮが
厚さ８０ｎｍで形成されたものである。
【００３８】再生層３、中間層４、記録層５は、それぞ
れ希土類遷移金属合金からなる非晶質膜であり、希土類
金属と遷移金属との副格子磁気モーメントが反平行とな
るフェリ磁性体である。
【００３９】再生層３として、希土類遷移金属合金薄膜
であるＧｄＦｅＣｏを厚さ４０ｎｍで形成した。再生層
３の組成は、Ｇｄ0.28( Ｆｅ0.65Ｃｏ0.35)0.72 であ
り、その補償温度は２５０℃で、室温で垂直磁化状態で
あり、約３８５℃以上の温度で面内磁化状態を示す。
【００４０】また、中間層４として、希土類遷移金属合
金薄膜であるＧｄＦｅＣｏを厚さ２０ｎｍで形成した。
再生層３の組成は、Ｇｄ0.28( Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50)0.72
であり、その補償温度は２４０℃で、室温から２００℃
まで面内磁化状態であり、２００℃以上の温度で垂直磁
化状態を示し、３００℃以上の温度で面内磁化状態を示
す。
【００４１】また、記録層５として、希土類遷移金属合
金薄膜であるＤｙＦｅＣｏを厚さ４０ｎｍで形成した。
記録層５の組成は、Ｄｙ0.20（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.80
であり、キュリー温度は約２５０℃である。
【００４２】保護層６は、磁性層を酸化・腐食から保護
する目的で設けられているものであり、ＡｌＮが厚さ２
０ｎｍで形成されたものである。また、バックコート層
７は、磁性層を酸化・腐食・破損から保護する目的で設
けられているものであり、ポリウレタンアクリレート系
の紫外線硬化型樹脂が厚さ５μm で形成されたものであ
る。
【００４３】基板１表面のガイドトラックは、反応性イ
オンエッチング法により、ガラス表面に直接形成した。
また、透明誘電体層２、再生層３、中間層４、記録層５
および保護層６は、いずれもスパッタ法により、同じス
パッタ装置内で、真空を破らずに形成した。
【００４４】透明誘電体層２および保護層６のＡｌＮ
は、ＡｌターゲットをＮ2 ガス雰囲気中でスパッタする
反応性スパッタ法により形成した。
【００４５】再生層３、中間層４および記録層５は、Ｆ
ｅＣｏ合金ターゲット上にＧｄあるいはＤｙのチップを
並べた、いわゆる複合ターゲット、もしくは、ＧｄＦｅ
ＣｏおよびＤｙＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用い
て、Ａｒガスでスパッタすることにより形成した。
【００４６】オーバーコート層７は、スピンコータによ
り樹脂を塗布した後、紫外線照射層値で紫外線を当て、
硬化することで形成した。
【００４７】次に、上記の各層を備えた本光磁気ディス
ク１０の磁気特性を概念的に図１に示す。記録層５は、
ほぼ室温に補償温度を有し、温度Ｔc3にキュリー温度を
有している。再生層３は、室温Ｔ１で垂直磁化状態であ
り、記録層３のキュリー温度Ｔc3の近傍に補償温度Ｔco
mp1 を有し、温度Ｔr2にキュリー温度を有するか、ある
いは温度Ｔr2以上の温度で面内磁化状態となる。また、
中間層４は、室温で面内磁化状態であり、Ｔi1以上の温
度で垂直磁化状態となる。さらに、記録層３のキュリー
温度Ｔc3の近傍に補償温度Ｔcomp2 を有し、Ｔi2以上の
温度で面内磁化状態となる。
【００４８】さらに、Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、Ｔcomp
2 以下の温度をＴ３とし、Ｔc3以上、Ｔcomp1 以上、Ｔ
comp2 以上、Ｔr2以下の所定の温度をＴ４とし、記録時
に外部から加えられる磁界である記録磁界をＨｗとし、
再生層３および記録層５の保磁力をそれぞれＨｃ１、Ｈ
ｃ３とするとき、温度がＴ１のときＨｃ１＜Ｈｗ、Ｈｗ
＜Ｈｃ３、温度がＴ３のときＨｃ３＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ
１、温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗとなっている。
【００４９】次に、図３を用いて、本光磁気ディスク１
０の光変調オーバーライトによる記録過程を説明する。
図中、Ｔ１、Ｔ３、Ｔ４は上記した温度であり、４つの
温度Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４は、この順に高くなる。ま
た、図中に示した各状態をＡ１、Ａ２、・・・、Ｂ１、
Ｂ２、・・・と称する。各状態において、図中上から順
に再生層３、中間層４、記録層５の状態を示しており、
各層においては、希土類金属の副格子磁気モーメントの
向きを黒字の矢印で示し、トータル磁化の向きを白抜き
の矢印で示す。
【００５０】希土類金属の副格子磁気モーメントが遷移
金属の副格子磁気モーメントより大きくなっている状態
をＲＥrichと言い、遷移金属の副格子磁気モーメントが
希土類金属の副格子磁気モーメントより大きくなってい
る状態をＴＭrichと言う。ＲＥrichの場合、希土類金属
の副格子磁気モーメントとトータルの磁化の向きとは平
行となり、ＴＭrichの場合、希土類金属の副格子磁気モ
ーメントとトータルの磁化の向きとは反平行となる。本
光磁気ディスク１０においては、室温において、再生層
３および中間層４はＲＥrich、記録層５はＴＭrichであ
る。
【００５１】まず、室温においては、記録された情報に
よって２つの状態Ａ１およびＡ２が存在する。すなわ
ち、記録された情報に従って記録層５の磁化（Ｍ３とす
る）が状態Ａ１では下、状態Ａ２では上を向いている。
【００５２】上記状態Ａ１およびＡ２において、本光磁
気ディスク１０の外部の図示しない磁界発生装置から、
図中下向きの記録磁界Ｈｗが上記光磁気ディスク１０の
光ビーム照射部位に印加される。このとき、室温ではＨ
ｃ１がＨｗより小さいため、再生層３の磁化（Ｍ１とす
る）はＨｗの向きを向いている（図中下向き）。また、
Ｍ３は、上記のように、記録された情報に従って所定の
方向（上または下）を向いているが、中間層４が面内磁
化のため、Ｍ３が再生層３に転写されることはない。
【００５３】ここで、Ｔ３またはＴ４にまで昇温するパ
ワーを有する、低い光強度の光ビームＩまたは高い光強
度の光ビームIIが照射される。上記昇温過程において各
磁性層がＴ２（状態Ｂ１またはＢ２）にまで昇温された
時点では、状態Ａ１およびＡ２と同様である。すなわ
ち、中間層４は面内磁化状態のままである。また、Ｈｃ
３はまだ十分大きいため、状態Ａ１またはＡ２の磁化の
方向を維持している。また、再生層３と記録層５との交
換結合力が、間に面内磁化状態である中間層４が存在す
るために弱いので、再生層３の磁化はＨｗと同一方向を
向いている。
【００５４】次いで、（ａ）低い光強度の光ビームＩが
引き続き照射され、各磁性層がＴ３にまで昇温されると
（状態Ｃ１）、記録層５がＴc3かそれ以上に昇温してい
るため、Ｍ３が極めて小さくなっている。また、中間層
４が垂直磁化になる。したがって、再生層３と記録層５
との間に極めて強い交換結合力が働く。一方、Ｈｃ１は
Ｈｗより大きく、Ｈｃ３はＨｗより小さい。そのため、
上記交換結合力により再生層３から中間層４を経て記録
層５へ磁化が転写され、記録層５の副格子磁気モーメン
トが再生層３の副格子磁気モーメントと平行になり、Ｍ
３が所定の方向αを向く。すなわち、記録層５の希土類
金属の副格子磁気モーメント（Ｒ３とする）が再生層３
の希土類金属の副格子磁気モーメント（Ｒ１とする）と
平行つまり図中下向きになり、また、ここでは記録層５
がＴＭrichになっているため、Ｍ３が図中上向きにな
る。
【００５５】光ビームＩの照射によっては、これ以上昇
温されない。光ビームＩの照射が終了され、Ｔ２（状態
Ｂ２）を経てＴ１へ降温すると（状態Ａ２）、Ｈｃ３が
Ｈｗより大きいので、Ｍ３はＨｗにかかわらず、そのま
まの向きαを維持した状態となって安定する。一方、中
間層４が面内磁化になる。したがって、再生層３と記録
層５との間に交換結合力が働かなくなるので、Ｍ１はＭ
３にかかわらず、そのままＨｗの向き（初期化の向き）
を向く。これにより、Ｍ３に向きαが記録されたことに
なる。
【００５６】（ｂ）上記状態Ｃ１において、上記の低い
光強度の光ビームＩの代わりに高い光強度の光ビームII
が照射されると、各磁性層がＴ４にまで昇温される（状
態Ｄ１）。すると、Ｈｃ１がＨｗより小さくなる。ま
た、Ｔcomp1 以上となるので、再生層３の遷移金属の副
格子磁気モーメントが大きくなり、ＴＭrichとなる。し
たがって、再生層３の希土類金属の副格子磁気モーメン
トＲ１がＨｗと逆の向き（図中上向き）を向いて、Ｍ１
はＨｗの向きを向く。
【００５７】中間層４の磁化は、本実施例のようにＴ４
がＴi2以上Ｔr2以下の場合は、図示したように面内磁化
を示す。
【００５８】一方、Ｔ４がＴcomp2 以上Ｔi2以下となる
場合は、再生層３と同じ状態になる。すなわち、Ｔcomp
2 以上となるので、中間層４の遷移金属の副格子磁気モ
ーメントが大きくなり、ＴＭrichとなる。したがって、
中間層４の希土類金属の副格子磁気モーメントがＨｗと
逆の向き（図中上向き）を向いて、中間層４の磁化はＨ
ｗの向きを向く。
【００５９】一方、記録層５は、キュリー温度Ｔc1以上
なので磁化が消失する。
【００６０】光ビームIIの照射が終了されてＴ３へ降温
する過程で、Ｔcomp1 以下になるので、再生層３の遷移
金属の副格子磁気モーメントが小さくなり、再びＲＥri
chになる。一方、中間層４の磁化は、上記のように面内
磁化か、再生層３と同じ状態である。また、記録層５は
キュリー温度Ｔc1以上なので磁化が消失している。その
ため、Ｒ１はそのままＨｗと逆の向きを向き、Ｍ１はＲ
１の向きと同一（Ｈｗと逆の向き）を向く。
【００６１】Ｔ３にまで降温すると（状態Ｃ２）、Ｈｃ
１がＨｗより大きいので、Ｒ１、Ｍ１は上記の向きに固
定される。このため、状態Ｃ２から状態Ｃ１への変化は
起こらない。一方、中間層４は垂直磁化になるので、再
生層３と記録層５との間に交換結合力が働く。そのた
め、再生層３から中間層４を経て記録層５へ磁化の向き
が転写され、記録層５の副格子磁気モーメントが再生層
３の副格子磁気モーメントと平行になり、Ｍ３がαとは
逆の所定の方向β（図中下向き）を向く。すなわち、記
録層５の希土類金属の副格子磁気モーメントＲ３が、再
生層３の希土類金属の副格子磁気モーメントＲ１と平行
つまり図中上向きになり、また、ここでは記録層５がＴ
Ｍrichになっているため、Ｍ３が図中下向きになる。
【００６２】Ｔ２（状態Ｂ１）を経てＴ１へ降温すると
（状態Ａ１）、Ｈｃ３がＨｗより大きいので、Ｍ３はＨ
ｗにかかわらず、そのままの向きβを維持した状態とな
って安定する。一方、中間層４が面内磁化になるので、
再生層３と記録層５との間に交換結合力が働かなくなる
かあるいは弱くなり、かつ、Ｈｃ１がＨｗより小さくな
るため、Ｍ１はＨｗの向きに初期化される。これによ
り、Ｍ３に向きβが記録されたことになる。
【００６３】以上のように、比較的低い光強度の光ビー
ムＩ照射によって、初期状態がＡ１かＡ２であるかにか
かわらず、図中に示す経路ａ１、ａ２に従って昇温し、
ｂ１、ｂ２に従って降温し、状態Ａ２のように変化し、
情報が記録される。一方、比較的高い光強度の光ビーム
II照射によって、初期状態がＡ１かＡ２であるかにかか
わらず、図中に示す経路ａ１、ａ２、ａ３に従って昇温
し、ｃ１、ｃ２、ｃ３に従って降温し、状態Ａ１のよう
に変化し、情報が記録される。
【００６４】すなわち、上記のように中間層４を設けた
ことによって、再生層３から記録層５へ磁化を転写する
ときには交換結合力を強めて転写を補助し、再生層３の
磁化の向きが初期化されたときには交換結合力を弱め、
記録層５の磁化が再生層３へ転写されないようにする。
【００６５】このように、記録層５と再生層３との間の
磁気的な交換結合力を中間層４が調節するため、再生層
３の磁化方向を記録磁界Ｈｗで容易に制御することがで
き、光変調オーバーライト特性を安定化することができ
る。
【００６６】次に、図４を用いて情報の再生過程を説明
する。矢印等の凡例は図３のものと同様である。再生の
場合には、記録の場合と異なり、記録磁界Ｈｗ等のよう
な外部磁界は印加しない。そして、上記光磁気ディスク
１０に対して、上記光ビームＩより低い光強度の光ビー
ムIII を照射し、Ｔ２まで昇温する。
【００６７】したがって、Ｍ１は垂直磁化を示すように
なるが、このときには記録磁界Ｈｗ等のような外部磁界
は印加されていないので、Ｍ１の向きは、記録層５から
働く磁気的な交換結合力によって決定される。またこの
とき、中間層４は面内磁化状態であるが、垂直磁化状態
である再生層３と記録層５とに挟み込まれることによ
り、ある程度の垂直磁化成分を有することとなる。した
がって、記録層５から中間層４を介して再生層３へ交換
結合力が働く。これにより、再生層３の副格子磁気モー
メントが、記録層５の副格子磁気モーメントに対して平
行な方向に確実に揃えられ、Ｍ１の向きが確実に決定さ
れる。すなわち、再生層３の希土類金属の副格子磁気モ
ーメントＲ１が、記録層５の希土類金属の副格子磁気モ
ーメントＲ３と平行（状態Ａ１の場合は上向き、状態Ａ
２の場合は下向き）になり、また、再生層３がＴＭrich
なので、Ｍ１がＲ１と同一の方向（状態Ａ１の場合は上
向き、状態Ａ２の場合は下向き）を向く。
【００６８】このようにして、記録層５に記録された磁
化が再生層３に転写され、情報として読みだされる。光
ビームIII の照射が終了すれば、再生層３は面内磁化に
戻る。記録層５の磁化状態は維持されたままである。
【００６９】次に、上記のような過程に従い実際に情報
を記録再生したときの各種測定結果について説明する。
すなわち、上記光磁気ディスク１０を用いて記録再生を
行ったところ、レーザビーム照射位置において、光磁気
ディスク１０の線速度が１０ｍ／ｓとなるように回転さ
せ、２０ｋＡ／ｍの記録磁界Ｈｗを印加した状態で、第
１（光ビームＩ）のレーザパワーを６ｍＷ、第２（光ビ
ームII）のレーザパワーを１０ｍＷとして、２．５ＭＨ
ｚの周波数でレーザパワーを変調して記録を行った。す
ると、記録層５に、４μm 周期で、長さ２μm の反転磁
区を形成することができた。
【００７０】また、レーザパワーを２ｍＷとして情報の
再生を行ったところ、記録層５に形成された反転磁区に
従って、２．５ＭＨｚの光磁気信号を再生層３から得る
ことができ、Ｃ／Ｎ比４８．５ｄＢの良好な再生信号を
得ることができた。
【００７１】次に、２．５ＭＨｚで形成されている反転
磁区上に、５ＭＨｚの周波数でレーザパワーを変調して
オーバーライトを行ったところ、２．５ＭＨｚで形成さ
れていた反転磁区はなくなり、記録層５には、新たに２
μm 周期で、長さ１μm の反転磁区を形成することがで
きた。
【００７２】また、レーザパワーを２ｍＷとして情報の
再生を行ったところ、記録層５に形成された反転磁区に
従って、５ＭＨｚ、Ｃ／Ｎ比４７．２ｄＢの光磁気信号
を再生層３から得ることができた。すなわち、もともと
記録されていた２．５ＭＨｚの信号成分は８．５ｄＢの
レベルまで低下し、消去比−４０ｄＢの良好な光変調オ
ーバーライトが行われていることが確認された。
【００７３】次に、再生層３および中間層４の組成を変
えて上記の測定を行った結果を表１に示す。すなわち、
それぞれ再生層３および中間層４の組成をそれぞれＧｄ
0.28( ＦｅX Ｃｏ1-X )0.72 、Ｇｄ0.28( ＦｅY Ｃｏ
1-Y )0.72 とし、記録層をＤｙ0.20( Ｆｅ0.78Ｃ
ｏ0.22)0.80 とした場合の、Ｔcomp1 、Ｔr2、Ｔcomp2
、Ｔi1、Ｔi2の数値、２．５ＭＨｚでのＣ／Ｎ比、
２．５ＭＨｚでの記録パターン上に５ＭＨｚの記録パタ
ーンを光変調オーバーライトした際の消去比を示す。な
お、単位はそれぞれ、Ｘ、Ｙは％、Ｔcomp1 、Ｔr2、Ｔ
comp2 、Ｔi1、Ｔi2は℃、Ｃ／Ｎ比および消去比はｄＢ
である。
【００７４】
【表１】
【００７５】この表から分かるように、Ｙ＝６５％の場
合、中間層４が室温において垂直磁化状態となってしま
い、良好な光変調オーバーライト特性が得られず、消去
比が−１０ｄＢと悪くなっている。また、Ｙ＝４５％と
すると、中間層４が垂直磁化状態となる温度領域が存在
しなくなり、記録層５と再生層３との間の交換結合が不
十分となり、良好な光変調オーバーライト特性が得られ
ず、消去比が−１０ｄＢと悪くなっている。逆に、４５
％＜Ｙ＜６５％の範囲にある中間層４を設けたことによ
って、消去比が−３５ないし−４２ｄＢと良好な値が得
られ、安定で良好な光変調オーバーライト特性が得られ
ることが分かる。したがって、４５％＜Ｙ＜６５％とす
ることが必要である。
【００７６】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図５ないし図８に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した
部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記
してその説明を省略する。
【００７７】本実施例の光磁気ディスク２０（光磁気記
録媒体）は、実施例１とほぼ同様の構成を有している。
ただし、再生層３の代わりに以下のような再生層２３が
設けられている。すなわち、再生層２３は、希土類遷移
金属合金からなる非晶質膜であり、希土類金属と遷移金
属との副格子磁気モーメントが反平行となるフェリ磁性
体である。この再生層２３として、希土類遷移金属合金
薄膜であるＧｄＦｅＣｏを厚さ４０ｎｍで形成した。再
生層２３の組成は、Ｇｄ0.28( Ｆｅ0.60Ｃｏ0. 40)0.72
であり、その補償温度は２５０℃で、室温で面内磁化状
態であり、約８０℃以上の温度で垂直磁化状態になり、
約３５０℃以上の温度で面内磁化状態を示す。
【００７８】また、上記光磁気ディスク２０は、前記実
施例１と同様の方法により作製された。
【００７９】次に、上記の各層を備えた本光磁気ディス
ク２０の磁気特性を概念的に図５に示す。再生層２３
は、室温Ｔ１で面内磁化状態であり、温度Ｔr1以上の温
度で垂直磁化状態となる。さらに、記録層５のキュリー
温度Ｔc3の近傍に補償温度Ｔcomp1を有し、温度Ｔr2に
キュリー温度を有するか、あるいは温度Ｔr2以上の温度
で面内磁化状態となる。また、中間層４および記録層５
については実施例１と同様である。
【００８０】さらに、Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、Ｔcomp
2 以下の温度をＴ３とし、Ｔc3以上、Ｔcomp1 以上、Ｔ
comp2 以上、Ｔr2以下の所定の温度をＴ４とし、記録時
に外部から加えられる磁界である記録磁界をＨｗとし、
再生層および記録層の保磁力をそれぞれＨｃ１、Ｈｃ３
とするとき、Ｔr1＜Ｔi1であり、温度がＴ１のときＨｃ
１＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ３、温度がＴ３のときＨｃ３＜Ｈ
ｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ１、温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗとな
っている。
【００８１】次に、図６を用いて、本光磁気ディスク２
０の光変調オーバーライトによる記録過程を説明する。
図中、Ｔ１、Ｔ３、Ｔ４は上記した温度であり、温度Ｔ
２はＴr1とＴi1との間の任意の温度であり、４つの温度
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４は、この順に高くなる。また、
図中に示した各状態をそれぞれＡ１、Ａ２、・・・、Ｂ
１、Ｂ２、・・・と称する。各状態において、図中上か
ら順に再生層２３、中間層４、記録層５の状態を示して
おり、各層においては、希土類金属の副格子磁気モーメ
ントの向きを黒字の矢印で示し、トータルの磁化の向き
を白抜きの矢印で示す。本光磁気ディスク２０において
は、室温において再生層２３および中間層４はＲＥric
h、記録層５はＴＭrichである。
【００８２】まず、室温においては、記録された情報に
よって２つの状態Ａ１およびＡ２が存在する。すなわ
ち、記録された情報に従って記録層５の磁化（Ｍ３とす
る）が状態Ａ１では下、状態Ａ２では上を向いている。
【００８３】上記状態Ａ１およびＡ２において、本光磁
気ディスク２０の外部の図示しない磁界発生装置から、
図中下向きの記録磁界Ｈｗが上記光磁気ディスク２０の
光ビーム照射部位に印加される。このとき、室温では再
生層２３の磁化（Ｍ１とする）は面内磁化状態となって
いる。また、記録層５の磁化（Ｍ３とする）は、記録さ
れた情報に従って所定の方向（上または下）を向いてい
るが、中間層４が面内磁化のため、Ｍ３が再生層に転写
されることはない。
【００８４】ここで、Ｔ３またはＴ４にまで昇温するパ
ワーを有する、低い光強度の光ビームＩまたは高い光強
度の光ビームIIが照射される。上記昇温過程において各
磁性層がＴ２（状態Ｂ１またはＢ２）にまで昇温された
時点では、Ｈｃ１がＨｗより小さいため、Ｍ１はＨｗの
向きを向く。また、上記同様、Ｍ３は上記と同じ所定の
方向を向いており、中間層４が面内磁化のため、Ｍ３が
再生層２３に転写されることはない。
【００８５】この後、実施例１と同様にして情報が記録
される。ただし、実施例１の場合と異なり、Ｔ１へ降温
すると（状態Ａ１およびＡ２）、再生層２３が面内磁化
に戻る点が異なる。
【００８６】上記のように中間層４を設けたことによっ
て、実施例１同様、記録層５と再生層２３との間の磁気
的な交換結合力を中間層４が調節するため、再生層２３
の磁化方向を記録磁界Ｈｗで容易に制御することがで
き、光変調オーバーライト特性を安定化することができ
る。
【００８７】次に、図７および図８を用いて情報の再生
過程を説明する。矢印等の凡例は図６のものと同様であ
る。再生時には、上記光磁気ディスク２０に対して、上
記光ビームＩより低い光強度の光ビームIII を照射し、
Ｔ２まで昇温する。
【００８８】ここで、実施例１とほぼ同様にして記録層
に記録された情報として読みだされる。ただし、レーザ
光８が集光レンズ９により絞り込まれているため、その
光強度分布がガウス分布となり、光ビームIII の中心部
の光強度が、周囲の光強度よりも高くなっているため、
光ビームIII が照射されると、再生層２３の照射部位の
中心部近傍が周囲の温度よりも高くなる。したがって、
実施例１と異なり、再生層２３において上記中心部近傍
のみがＴ２以上になって面内磁化状態から垂直磁化状態
に移行する。そして、上記中心部近傍のみにおいて記録
層５から再生層２３へ磁化が転写される。
【００８９】したがって、光ビームIII が照射された再
生層２３の中心部近傍のみの情報を読みだすことができ
るため、雑音の原因である隣接ビットからの信号混入が
なくなり、光ビームのスポット径よりも小さいピッチで
記録した記録ビットの再生が確実に行え、記録密度を著
しく高めることができる。
【００９０】次に、上記のような過程に従い実際に情報
を記録再生したときの各種測定結果について説明する。
すなわち、上記光磁気ディスク２０を用いて記録再生を
行ったところ、レーザビーム照射位置において、光磁気
ディスク２０の線速度が１０ｍ／ｓとなるように回転さ
せ、２０ｋＡ／ｍの記録磁界Ｈｗを印加した状態で、第
１（光ビームＩ）のレーザパワーを６ｍＷ、第２（光ビ
ームII）のレーザパワーを１０ｍＷとして、５ＭＨｚの
周波数でレーザパワーを変調して記録を行った。する
と、記録層５に、２μm 周期で、長さ１μm の反転磁区
を形成することができた。
【００９１】また、レーザパワーを２．５ｍＷとして情
報の再生を行ったところ、記録層５に形成された反転磁
区に従って、５ＭＨｚの光磁気信号を再生層３から得る
ことができ、Ｃ／Ｎ比４８．５ｄＢの良好な再生信号を
得ることができた。
【００９２】次に、５ＭＨｚで形成されている反転磁区
上に、１０ＭＨｚの周波数でレーザパワーを変調してオ
ーバーライトを行ったところ、５ＭＨｚで形成されてい
た反転磁区はなくなり、記録層５には、新たに１μm 周
期で、長さ０．５μm の反転磁区を形成することができ
た。
【００９３】また、レーザパワーを２．５ｍＷとして情
報の再生を行ったところ、記録層５に形成された反転磁
区に従って、１０ＭＨｚ、Ｃ／Ｎ比４７．８ｄＢの光磁
気信号を再生層３から得ることができた。すなわち、も
ともと記録されていた５ＭＨｚの信号成分は８．５ｄＢ
のレベルまで低下し、消去比−４０ｄＢの良好な光変調
オーバーライトが行われていることが確認された。
【００９４】次に、再生層２３および中間層４の組成を
変えて上記の測定を行った結果を表２に示す。すなわ
ち、それぞれ再生層２３および中間層４の組成をそれぞ
れＧｄ0.28( ＦｅX Ｃｏ1-X )0.72 、Ｇｄ0.28( ＦｅY
Ｃｏ1-Y )0.72 とし、記録層をＤｙ0.20( Ｆｅ0.78Ｃｏ
0.22)0.80 とした場合の、Ｔcomp1 、Ｔr2、Ｔcomp2 、
Ｔi1、Ｔi2の数値、１０ＭＨｚでのＣ／Ｎ比、５ＭＨｚ
での記録パターン上に１０ＭＨｚの記録パターンを光変
調オーバーライトした際の消去比を示す。なお、単位は
それぞれ、Ｘ、Ｙは％、Ｔcomp1 、Ｔr2、Ｔcomp2 、Ｔ
i1、Ｔi2は℃、Ｃ／Ｎ比および消去比はｄＢである。
【００９５】
【表２】
【００９６】この表から分かるように、Ｙ＝６０％の場
合は、中間層４が垂直磁化状態となる温度Ｔi1が再生層
２３が垂直磁化状態となる温度Ｔr1以下になってしま
い、良好な光変調オーバーライト特性が得られず、消去
比が−９ｄＢと悪くなっている。また、Ｙ＝４５％とす
ると、中間層４が垂直磁化状態となる温度領域が存在し
なくなり、記録層５と再生層２３との間の交換結合が不
十分となり、良好な光変調オーバーライト特性が得られ
ず、消去比が−１０ｄＢと悪くなっている。逆に、４５
％＜Ｙ＜６５％の範囲にある中間層４を設けたことによ
って、消去比が−３５ないし−４２ｄＢと良好な値が得
られ、安定で良好な光変調オーバーライト特性が得られ
ることが分かる。したがって、４５％＜Ｙ＜６０％とす
ることが必要である。
【００９７】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の光磁気記
録媒体は、情報が光磁気記録される磁性体からなる記録
層と、記録層の上に形成された、光ビームを照射するこ
とによって記録層に記録された情報の読み出しが行われ
る希土類遷移金属合金の磁性体からなる再生層とを備え
た光磁気記録媒体において、記録層が室温Ｔ１からキュ
リー温度Ｔc3まで垂直磁化を示し、再生層が補償温度Ｔ
comp1 を有し、室温から温度Ｔr2まで垂直磁化を示し、
上記記録層と再生層との間に、磁性体からなり、補償温
度Ｔcomp2 を有し、Ｔc3を含む温度範囲Ｔi1以上Ｔi2以
下のみで垂直磁化を示し、室温から上記Ｔi1まで面内磁
化を示す中間層が形成され、Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、
Ｔcomp2 以下の温度をＴ３とし、Ｔc3以上、Ｔcomp1 以
上、Ｔcomp2 以上、Ｔr2以下の所定の温度をＴ４とし、
再生層および記録層の保磁力をそれぞれＨｃ１、Ｈｃ３
とするとき、所定の磁界Ｈｗに対し、温度がＴ１のとき
Ｈｃ１＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ３、温度がＴ３のときＨｃ３
＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ１、温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗ
である構成である。
【００９８】また、請求項２記載の光磁気記録媒体は、
請求項１記載の光磁気記録媒体において、再生層、中間
層および記録層の組成をそれぞれＧｄ0.28( ＦｅX Ｃｏ
1-X)0.72 、Ｇｄ0.28( ＦｅY Ｃｏ1-Y )0.72 、Ｄｙ
0.20( Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.80としたとき、４５％＜Ｙ
＜６５％である構成である。
【００９９】それゆえ、再生層の磁化方向を外部からの
磁界で容易に制御することができ、光変調オーバーライ
ト特性を安定化することができるという効果を奏する。
【０１００】また、請求項３記載の光磁気記録媒体は、
情報が光磁気記録される磁性体からなる記録層と、記録
層の上に形成された、光ビームを照射することによって
記録層に記録された情報の読み出しが行われる希土類遷
移金属合金の磁性体からなる再生層とを備えた光磁気記
録媒体において、記録層が室温Ｔ１からキュリー温度Ｔ
c3まで垂直磁化を示し、再生層が補償温度Ｔcomp1 を有
し、温度Ｔr1以上温度Ｔr2以下のみで垂直磁化を示し、
室温から上記Ｔr1まで面内磁化を示し、上記記録層と再
生層との間に、磁性体からなり、補償温度Ｔcomp2 を有
し、Ｔc3を含む温度範囲Ｔi1以上Ｔi2以下のみで垂直磁
化を示し、上記Ｔi1以下で面内磁化を示す中間層が形成
され、Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、Ｔcomp2 以下の温度を
Ｔ３とし、Ｔc3以上、Ｔcomp1 以上、Ｔcomp2 以上、Ｔ
r2以下の所定の温度をＴ４とし、再生層および記録層の
保磁力をそれぞれＨｃ１、Ｈｃ３とするとき、所定の磁
界Ｈｗに対し、Ｔr1＜Ｔi1であり、温度がＴ１のときＨ
ｃ１＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ３、温度がＴ３のときＨｃ３＜
Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ１、温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗで
ある構成である。
【０１０１】それゆえ、再生層の磁化方向を外部からの
磁界で容易に制御することができ、光変調オーバーライ
ト特性を安定化することができるという効果を奏する。
【０１０２】また、雑音の原因である隣接ビットからの
信号混入がなくなり、光ビームのスポット径よりも小さ
いピッチで記録した記録ビットの再生が確実に行え、記
録密度を著しく高めることができるという効果を奏す
る。
【０１０３】また、請求項４記載の光磁気記録再生方法
は、請求項１または２記載の光磁気記録媒体を用いて、
記録時には、上記磁界Ｈｗを上記光磁気記録媒体に印加
し、（ａ）上記光磁気記録媒体に対して低い光強度の光
ビームＩを記録信号に従って照射して、再生層の希土類
金属の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗの方向に向け、
再生層からの交換結合力により記録層の磁化方向を所定
の方向へ向け、（ｂ）上記光磁気記録媒体に対して高い
光強度の光ビームIIを記録信号に従って照射して、再生
層の希土類金属の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗと逆
の方向に向け、再生層からの交換結合力により記録層の
磁化方向を、光ビームＩを照射したときとは逆の方向へ
向けることによって記録を行う一方、再生時には、上記
光磁気記録媒体に対して、上記光ビームＩより低い光強
度の光ビームIII を照射して、再生層の副格子磁化を、
記録層の副格子磁化に対して安定な方向に揃えることに
よって、記録層に記録された磁化を情報として再生する
方法である。
【０１０４】それゆえ、再生層の磁化方向を外部からの
磁界で容易に制御することができ、光変調オーバーライ
ト特性を安定化することができるという効果を奏する。
【０１０５】また、請求項５記載の光磁気記録再生方法
は、請求項３記載の光磁気記録媒体を用いて、記録時に
は、上記磁界Ｈｗを上記光磁気記録媒体に印加し、
（ａ）上記光磁気記録媒体に対して低い光強度の光ビー
ムＩを記録信号に従って照射して、再生層の希土類金属
の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗの方向に向け、再生
層からの交換結合力により記録層の磁化方向を所定の方
向へ向け、（ｂ）上記光磁気記録媒体に対して高い光強
度の光ビームIIを記録信号に従って照射して、再生層の
希土類金属の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗと逆の方
向に向け、再生層からの交換結合力により記録層の磁化
方向を、光ビームＩを照射したときとは逆の方向へ向け
ることによって記録を行う一方、再生時には、上記光磁
気記録媒体に対して、上記光ビームＩより低い光強度を
有し、光ビームの中心のほうが周囲よりも高い光強度分
布を有する光ビームIII を照射して、再生層の副格子磁
化を、記録層の副格子磁化に対して安定な方向に揃える
ことによって、記録層に記録された磁化を情報として再
生する方法である。
【０１０６】それゆえ、再生層の磁化方向を外部からの
磁界で容易に制御することができ、光変調オーバーライ
ト特性を安定化することができるという効果を奏する。
【０１０７】また、雑音の原因である隣接ビットからの
信号混入がなくなり、光ビームのスポット径よりも小さ
いピッチで記録した記録ビットの再生が確実に行え、記
録密度を著しく高めることができるという効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の光磁気ディスクの各磁性層
の磁気特性の温度依存性を示すグラフである。
【図２】図１の光磁気ディスクの構成を示す説明図であ
る。
【図３】図１の光磁気ディスクにおける記録過程を示す
説明図である。
【図４】図１の光磁気ディスクにおける再生過程を示す
説明図である。
【図５】本発明の他の実施例の光磁気ディスクの各磁性
層の磁気特性の温度依存性を示すグラフである。
【図６】図５の光磁気ディスクにおける記録過程を示す
説明図である。
【図７】図５の光磁気ディスクにおける再生過程を示す
説明図である。
【図８】図５の光磁気ディスクの再生時の状態を示す説
明図である。
【符号の説明】
３ 再生層 ４ 中間層 ５ 記録層 ８ レーザ光（光ビーム） １０ 光磁気ディスク（光磁気記録媒体） ２０ 光磁気ディスク（光磁気記録媒体） ２３ 再生層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】情報が光磁気記録される磁性体からなる記
    録層と、記録層の上に形成された、光ビームの照射を受
    けることによって記録層に記録された情報の読み出しが
    行われる希土類遷移金属合金の磁性体からなる再生層と
    を備えた光磁気記録媒体において、 記録層が室温Ｔ１からキュリー温度Ｔc3まで垂直磁化を
    示し、 再生層が補償温度Ｔcomp1 を有し、室温から温度Ｔr2ま
    で垂直磁化を示し、 上記記録層と再生層との間に、磁性体からなり、補償温
    度Ｔcomp2 を有し、Ｔc3を含む温度範囲Ｔi1以上Ｔi2以
    下のみで垂直磁化を示し、室温から上記Ｔi1まで面内磁
    化を示す中間層が形成され、 Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、Ｔcomp2 以下の温度をＴ３と
    し、Ｔc3以上、Ｔcomp1 以上、Ｔcomp2 以上、Ｔr2以下
    の温度をＴ４とし、再生層および記録層の保磁力をそれ
    ぞれＨｃ１、Ｈｃ３とするとき、所定の磁界Ｈｗに対
    し、 温度がＴ１のときＨｃ１＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ３、 温度がＴ３のときＨｃ３＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ１、 温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗであることを特徴とする
    光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】再生層、中間層および記録層の組成をそれ
    ぞれＧｄ0.28( ＦｅX Ｃｏ1-X )0.7 2 、Ｇｄ0.28( Ｆｅ
    Y Ｃｏ1-Y )0.72 、Ｄｙ0.20( Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.80
    としたとき、４５％＜Ｙ＜６５％であることを特徴とす
    る請求項１記載の光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】情報が光磁気記録される磁性体からなる記
    録層と、記録層の上に形成された、光ビームを照射する
    ことによって記録層に記録された情報の読み出しが行わ
    れる希土類遷移金属合金の磁性体からなる再生層とを備
    えた光磁気記録媒体において、 記録層が室温Ｔ１からキュリー温度Ｔc3まで垂直磁化を
    示し、 再生層が補償温度Ｔcomp1 を有し、温度Ｔr1以上温度Ｔ
    r2以下のみで垂直磁化を示し、室温から上記Ｔr1まで面
    内磁化を示し、 上記記録層と再生層との間に、磁性体からなり、補償温
    度Ｔcomp2 を有し、Ｔc3を含む温度範囲Ｔi1以上Ｔi2以
    下のみで垂直磁化を示し、上記Ｔi1以下で面内磁化を示
    す中間層が形成され、 Ｔi1以上、Ｔcomp1 以下、Ｔcomp2 以下の温度をＴ３と
    し、Ｔc3以上、Ｔcomp1 以上、Ｔcomp2 以上、Ｔr2以下
    の所定の温度をＴ４とし、再生層および記録層の保磁力
    をそれぞれＨｃ１、Ｈｃ３とするとき、所定の磁界Ｈｗ
    に対し、 Ｔr1＜Ｔi1であり、 温度がＴ１のときＨｃ１＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ３、 温度がＴ３のときＨｃ３＜Ｈｗ、Ｈｗ＜Ｈｃ１、 温度がＴ４のときＨｃ１＜Ｈｗであることを特徴とする
    光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】請求項１または２記載の光磁気記録媒体を
    用いて、 記録時には、上記磁界Ｈｗを上記光磁気記録媒体に印加
    し、 （ａ）上記光磁気記録媒体に対して低い光強度の光ビー
    ムＩを記録信号に従って照射し、再生層の希土類金属の
    副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗの方向に向け、再生層
    からの交換結合力により記録層の磁化方向を所定の方向
    へ向け、 （ｂ）上記光磁気記録媒体に対して高い光強度の光ビー
    ムIIを記録信号に従って照射して、再生層の希土類金属
    の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗと逆の方向に向け、
    再生層からの交換結合力により記録層の磁化方向を、光
    ビームＩを照射したときとは逆の方向へ向けることによ
    って記録を行う一方、 再生時には、上記光磁気記録媒体に対して、上記光ビー
    ムＩより低い光強度の光ビームIII を照射して、再生層
    の副格子磁化を、記録層の副格子磁化に対して安定な方
    向に揃えることによって、記録層に記録された磁化を情
    報として再生することを特徴とする光磁気記録再生方
    法。
  5. 【請求項５】請求項３記載の光磁気記録媒体を用いて、 記録時には、上記磁界Ｈｗを上記光磁気記録媒体に印加
    し、 （ａ）上記光磁気記録媒体に対して低い光強度の光ビー
    ムＩを記録信号に従って照射し、再生層の希土類金属の
    副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗの方向に向け、再生層
    からの交換結合力により記録層の磁化方向を所定の方向
    へ向け、 （ｂ）上記光磁気記録媒体に対して高い光強度の光ビー
    ムIIを記録信号に従って照射して、再生層の希土類金属
    の副格子磁気モーメントを磁界Ｈｗと逆の方向に向け、
    再生層からの交換結合力により記録層の磁化方向を、光
    ビームＩを照射したときとは逆の方向へ向けることによ
    って記録を行う一方、 再生時には、上記光磁気記録媒体に対して、上記光ビー
    ムＩより低い光強度を有し、光ビームの中心のほうが周
    囲よりも高い光強度分布を有する光ビームIIIを照射し
    て、再生層の副格子磁化を、記録層の副格子磁化に対し
    て安定な方向に揃えることによって、記録層に記録され
    た磁化を情報として再生することを特徴とする光磁気記
    録再生方法。
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