JP2521908B2 - オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 - Google Patents

オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体

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JP2521908B2 JP61095510A JP9551086A JP2521908B2 JP 2521908 B2 JP2521908 B2 JP 2521908B2 JP 61095510 A JP61095510 A JP 61095510A JP 9551086 A JP9551086 A JP 9551086A JP 2521908 B2 JP2521908 B2 JP 2521908B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録方法並びにそれに使用される光
磁気記録装置及び光磁気記録媒体に関する。特に本発明
はオーバーライト（over write）可能な光磁気記録方
法、オーバーライト可能な光磁気記録装置及びオーバー
ライト可能な記録媒体に関する。
〔従来の技術〕
最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高
い記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学
的記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置
及び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。
広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生
方法は、情報を使用した後、消去することができ、新た
な情報を記録することができるというユニークな利点の
ために、最も大きな魅力に満ちている。
この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記
録再生層として１層又は多層の垂直磁化膜（perpendicu
lar magnetic layer or layers）を有する。この磁化膜
は、例えばアモルファスのGdFeやGdCo、GdFeCo、TbFe、
TbCo、TbFeCoなどからなる。記録層は一般に同心円状又
はらせん状のトラックを成しており、このトラックの上
に情報が記録される。ここで、本明細書では、膜面に対
し「上向き（upward）」又は「下向き（downward）」の
何れか一方を、「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義
する。記録すべき情報は、予め２値化されており、この
情報が「Ａ向き」の磁化を有するビット（B1）と、「逆
Ａ向き」の磁化を有するビット（B0）の２つの信号で記
録される。これらのビットB1,B0は、デジタル信号の1,0
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般
には記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部
磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられ
る。この処理は初期化（initialize）と呼ばれる。その
上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビット（B1）
を形成する。情報は、このビット（B1）の有無及び／又
はビット長によって記録される。
ビット形成の原理： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的
時間的に素晴らしい凝集性（coherence）が有利に使用
され、レーザー光の波長によって決定される回折限界と
ほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り込まれ
る。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、記録再
生層に直径が１μｍ以下のビットを形成することにより
情報が記録される。光学的記録においては、理論的に約
108ビット/cm2までの記録密度を達成することができ
る。何故ならば、レーザビームはその波長とほとんど同
じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（concen
trate）することが出来るからである。
第１図に示すように、光磁気記録においては、レーザ
ービーム（Ｌ）を記録再生層（１）の上に絞りこみ、そ
れを加熱する。その間、初期化された向きとは反対の向
きの記録磁界（Hb）を加熱された部分に外部から印加す
る。そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Hc（co
ersivity）は減少し記録磁界（Hb）より小さくなる。そ
の結果、その部分の磁化は、記録磁界（Hb）の向きに並
ぶ。こうして逆に磁化されたビットが形成される。
フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びHcの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するHcを有し、この現象に基づいて記録が実行さ
れる。従って、Tc書込み（キュリー点書込み）と引用さ
れる。
他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度
（compensation temperature）を有しており、そこでは
磁化（Ｍ）はゼロになる。逆にこの温度付近でHcが非常
に大きくなり、その温度から外れるとHcが急激に低下す
る。この低下したHcは、比較的弱い記録磁界（Hb）によ
って打ち負かされる。つまり、記録が可能になる。この
記録プロセスはTcomp.書込み（補償点書込み）と呼ばれ
る。
もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の
近辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所
定の温度に於いて、低下したHcを有する磁性材料に対
し、その低下したHcを打ち負かせる記録磁界（Hb）を印
加すれば、記録は可能である。
再生の原理： 第２図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示
す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発
散している電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が
直線偏光（Lp）に変換され、そして記録再生層（１）に
照射されたとき、光はその表面で反射されるか又は記録
再生層（１）を透過する。このとき、偏光面は磁化
（Ｍ）の向きに従って回転する。この回転する現象は、
磁気カー（Kerr）効果又は磁気ファラデー（Faraday）
効果と呼ばれる。
例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対し
てθｋ度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対して
は−θｋ度回転する。従って、光アナライザー（偏光
子）の軸を−θｋ度傾けた面に垂直にセットしておく
と、「逆Ａ向き」に磁化されたビット（B0）から反射さ
れた光はアナライザーを透過することができない。それ
に対して「Ａ向き」に磁化されたビット（B1）から反射
された光は、（sin2θｋ）２を乗じた分がアナライザー
を透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（B1）は
「逆Ａ向き」に磁化されたビット（B0）よりも明るく見
え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させる。
このディテクターからの電気信号は、記録された情報に
従って変調されるので、情報が再生されるのである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）
媒体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ii）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（iii）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。
従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情
報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できる
オーバーライトは、不可能とされていた。
もっとも、もし記録磁界（Hb）の向きを必要に応じて
「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間に自由に変えることが
できれば、オーバーライトが可能になる。しかしなが
ら、記録磁界（Hb）の向きを、高速度で変えることは不
可能である。例えば、記録磁界（Hb）印加手段が永久磁
石である場合には、磁石の向きを機械的に反転させる必
要がある。しかし、磁石の向きを高速で反転させること
は、無理である。記録磁界（Hb）印加手段が電磁石であ
る場合にも、大容量の電流の向きをそのように高速で変
えることは不可能である。
従って、本発明の第１の目的は、記録磁界（Hb）の向
きを変えずに、光を変調することによりオーバーライト
可能な光磁気記録方法を提供することにある。
そして第２の目的は、オーバーライト可能な光磁気記
録装置を提供することにある。
第３の目的は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体
を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、第１に、光磁気記録媒体の記録再生層に対
して、情報を上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットで記録する光磁気記録方法に於いて、 その方法が、 （ａ）前記媒体として、垂直磁気異方性を有する第１層
を記録再生層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記録
補助層とする多層光磁気記録媒体を使用すること； （ｂ）前記媒体を移動させること； （ｃ）前記記録補助層の磁化のみを、記録する前に上向
き又は下向きの何れか一方に揃えておくこと； （ｄ）レーザービームを媒体に照射すること； （ｅ）前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパ
ルス状に変調すること； （ｆ）前記ビームを照射した媒体部分に記録磁界を印加
すること； （ｇ）前記ビームの強度が高レベルの時に、上向き磁化
を有するビットと下向き磁化を有するビットのいずれか
一方のビットを形成させ、ビームの強度が低レベルの時
に、他方のビットを形成させること； からなることを特徴とするオーバーライト可能な方法を
提供する。
第２に、本発明は、光磁気記録装置に於いて、この装
置が （ａ）光磁気記録媒体を移動させる手段； （ｂ）初期補助磁界印加手段； （ｃ）レーザービーム光源； （ｄ）記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、 （１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットのいずれか一方のビットを形成させるのに必要な
温度を媒体に与える高レベルと、 （２）他方のビットを形成させるのに必要な温度を媒体
に与える低レベルとにパルス状に変調する手段； （ｅ）前記初期補助磁界印加手段と兼用されることもあ
り得る記録磁界印加手段； からなることを特徴とするオーバーライト可能な装置を
提供する。
第３に、本発明は、光磁気記録装置に於いて、この装
置が （ａ）光磁気記録媒体を移動させる手段； （ｂ）レーザービーム光源； （ｃ）記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、 （１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットのいずれか一方のビットを形成させるのに必要な
温度を媒体に与える高レベルと、 （２）他方のビットを形成させるのに必要な温度を媒体
に与える低レベルとにパルス状に変調する手段； （ｄ）磁界印加手段； からなることを特徴とするオーバーライト可能な装置を
提供する。
第４に、本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を
記録再生層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録
補助層とするオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体
を提供する。
第５に、本発明は、記録再生層としての垂直磁気異方
性を有する第１層と、記録補助層としての垂直磁気異方
性を有する第２層との少なくとも２層からなり、両層は
磁気的結合をしており、第１層の磁化の向きはそのまま
に第２層の磁化のみを上向き又は下向きの何れか一方に
揃えておくことができる、オーバーライト可能な多層光
磁気記録媒体を提供する。
第６に、本発明は、光磁気記録装置に於いて、この装
置が （ａ）垂直磁気異方性を有する第１層を記録再生層と
し、垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助層とし、
第２層のキュリー点が第１層より高い多層光磁気記録媒
体を移動させる手段； （ｂ）レーザービーム光源； （ｃ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、 （１）前記媒体の温度を第２層のキュリー点近傍に高め
る高レベルと、（２）前記媒体の温度を第１層のキュリ
ー点近傍に高める低レベルとの間で、パルス変調する手
段； （ｄ）磁界印加手段； からなることを特徴とする装置を提供する。
第７に、本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を
記録再生層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録
補助層とし、第２層のキュリー点が第１層より高い多層
光磁気記録媒体があったとき、 （１）前記媒体の温度を第２層のキュリー点近傍に高め
る高レベルと、（２）前記媒体の温度を第１層のキュリ
ー点近傍に高める低レベルとの間で、レーザービーム強
度をパルス変調する変調装置を提供する。
第８に、本発明は、（１）上向き磁化を有するビット
と下向き磁化を有するビットのいずれか一方のビットを
形成させるのに必要な温度を光磁気記録媒体に与える高
レベルと、（２）他方のビットを形成させるのに必要な
温度を媒体に与える低レベルとの間で、レーザービーム
をパルス変調する方法を提供する。
第９に、本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を
記録再生層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録
補助層とし、第２層のキュリー点が第１層より高い多層
光磁気記録媒体があったとき、 （１）前記媒体の温度を第２層のキュリー点近傍に高め
る高レベルと、（２）前記媒体の温度を第１層のキュリ
ー点近傍に高める低レベルとの間で、レーザービーム強
度をパルス変調する方法を提供する。
第10に、本発明は、少なくとも記録再生層と記録補助
層との２層からなり、レーザービームが照射されたと
き、前記記録補助層の「Ａ向き」磁化によって前記記録
再生層に「Ａ向き」磁化又は「逆Ａ向き」磁化を有する
ビットが形成される記録媒体を提供する。
第11に、本発明は、少なくとも第１層とこれに積層し
た第２層からなり、 （３）TR＜Tc1＜Tc2 を満足する媒体を提供する。但し、Hc1は第１層の保磁
力、Hc2は第２層の保磁力、MS1は第１層の飽和磁気モー
メント、MS2は第２層の飽和磁気モーメント、t1は第１
層の膜厚、t2は第２層の膜厚、TRは室温、Tc1は第１層
のキュリー点、Tc2は第２層のキュリー点であり、界面
磁壁エネルギーである。
〔作用〕
本発明では、レーザービームは、記録すべき情報に従
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である。例えば、THE BELL SYSTEM TECHNICAL JOUR
NAL,Vol.62（1983）,1923-1936に詳しく記載されてい
る。
本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レベ
ルの時に、記録磁界（Hb）により記録補助層の「Ａ向
き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（reverse）させ、この
記録補助層の「逆Ａ向き」磁化によって記録再生層に
「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビッ
トを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、記録補助
層の「Ａ向き」磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁
化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットを形成す
る。
必要な高レベルと低レベルが与えられれば、前述の文
献等に記載された変調手段を部分的に修正するだけで、
ビーム強度を本発明に従い変調することは、当業者にと
って容易である。
なお、本明細書では、 ○○○〔又は△△△〕という表現は、先に〔 〕の外の
○○○を読んだときには、以下の○○○〔又は△△△〕
のときにも、〔 〕の外の○○○を読むことにする。そ
れに対して先に○○○を読まずに〔 〕内の△△△の方
を選択して読んだときには、以下の○○○〔又は△△
△〕のときにも○○○を読まずに〔 〕内の△△△を読
むものとする。
すでに知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを非常な低レベル*で点灯することがあ
る。また、レーザービームを再生に兼用するときには、
非常な低レベル*の強度でレーザービームを点灯させる
ことがある。本発明においても、レーザービームの強度
をこの非常な低レベル*にすることもある。しかし、ビ
ットを形成するときの低レベルは、この非常な低レベル
*よりも高い。従って、例えば、本発明におけるレーザ
ービームの出力波形は、次の通りになる。
なお、本発明に使用される変調手段は、ビーム強度の
高レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を
一部修正するだけで入手することができる。当業者にと
って、そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レ
ベルが与えられれば、容易であろう。
更に、本発明は、垂直磁気異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録補
助層とするオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体を
提供する。
本発明は、第１実施態様と第２実施態様とに大別され
る。いずれの実施態様においても、記録媒体は、多層構
造を有し、この構造は次のように分けられる。
第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記
録再生層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で
保磁力が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。い
ずれも垂直磁化膜からなる。なお、第１層と第２層とも
に、それ自体多層膜から構成されていてもよい。場合に
より第１層と第２層との間に第３の層が存在していても
よい。更に第１層と第２層との間に明確な境界がなく、
一方から徐々に他方に変わってもよい。
第１実施態様では、記録再生層１の保磁力をHc1、記
録補助層２のそれをHc2、記録再生層１のキュリー点をT
c1、記録補助層２のそれをTc2、室温をTR、低レベルの
レーザービームを照射した時の記録媒体の温度をTL、高
レベルのレーザービームを照射した時のそれをTH、記録
再生層１が受ける結合磁界をHD1、記録補助層２が受け
る結合磁界をHD2とした場合、記録媒体は、下記の式１
を満足し、そして室温で式２〜５を満足するものであ
る。
TR＜Tc1TL＜Tc2TH ……式１ Hc1＞Hc2＋|HD1HD2| ……式２ Hc1＞HD1 ……式３ Hc2＞HD2 ……式４ Hc2＋HD2＜|Hini.|＜Hc1±HD1 ……式５ 上記式中、符号「」は、等しいか又はほぼ等しいこ
とを表す。また上記式中、複合±，については、上段
が後述するＡ（antiparallel）タイプの媒体の場合であ
り、下段は後述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合
である。なお、フェロ磁性体及び静磁結合した媒体はＰ
タイプに属する。
つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次
の如くなる。細線は記録再生層１のそれを、太線は記録
補助層２のそれを表す。
従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（Hin
i.）を印加すると、式５によれば、記録再生層１の磁化
の向きは反転せずに記録補助層２の磁化のみが反転す
る。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界（Hini.）を
印加すると、記録補助層２のみを「Ａ向き」−ここでは
「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上向きの矢
で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢で示す−に磁化
させることができる。そして、Hini.がゼロになって
も、式４により、記録補助層２の磁化は再反転せずに
そのまま保持される。
初期補助磁界（Hini.）により記録補助層２のみが、
記録直前まで「Ａ向き」に磁化されている状態を概念
的に表すと、次のようになる。
ここで、記録再生層１における磁化の向き*は、それ
までに記録されていた情報を表わす。以下の説明におい
ては、向きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、
上記の表を簡単のために、次のように表す。
ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して
媒体温度をTHに上昇させる。すると、THはキュリー点Tc
1より高温度なので記録再生層１の磁化は消失してしま
う。更にTHはキュリー点Tc2付近なので記録補助層２の
磁化も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に応
じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Hb）を印
加する。記録磁界（Hb）は、媒体自身からの浮遊磁界で
もよい。説明を簡単にするために「逆Ａ向き」の記録磁
界（Hb）を印加したとする。媒体は移動しているので、
照射された部分は、レーザービームから直ぐに遠ざか
り、空気で冷却される。Hbの存在下で、媒体の温度が低
下すると、記録補助層２の磁化は、Hbに従い、反転され
て「逆Ａ向き」の磁化となる（状態2H）。
そして、さらに放冷が進み、媒体温度がTc1より少し
下がると、再び記録再生層１の磁化が現れる。その場
合、磁気的結合（本明細書において、磁気的結合とは、
交換結合もしくは静磁結合の両方又は一方を言う）力の
ために、記録再生層１の磁化の向きは、記録補助層２の
磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体に応じて
（Ｐタイプの媒体の場合）又は（Ａタイプの媒体の場
合）が生じる。
この高レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは高温サイクルと呼ぶことにする。
次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。TLはキュリー点Tc1付近なので記録
再生層１の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュ
リー点Tc2よりは低温であるので記録補助層２の磁化は
消失しない。
ここでは、記録磁界（Hb）は、不要であるが、高速度
（短時間）でHbをON,OFFすることは不可能である。従っ
て、止むを得ず高温サイクルのときのままになってい
る。
しかし、Hc2はまだ大きいままなので、Hbによって記
録補助層２の磁化が反転することはない。媒体は移動し
ているので、照射された部分は、レーザービームから直
ぐに遠ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び
記録再生層１の磁化が現れる。現れる磁化の向きは、磁
気的結合力のために記録補助層２の磁化の向きの影響を
受ける。その結果、媒体によって（Ｐタイプの場合）
又は（Ａタイプの場合）の磁化が出現する。この磁化
は室温でも変わらない。
この低レベルのレーザービームによる状態の変化をこ
こでは低温サイクルと呼ぶことにする。
以上、説明したように、記録再生層１の磁化の向きが
どうであれ、高温サイクルと低温サイクルとによって、
互いに反対向きの磁化又はを有するビットが形成さ
れる。つまり、レーザービームを情報に従い高レベル
（高温サイクル）と低レベル（低温サイクル）との間で
パルス状に変調することによりオーバーライトが可能と
なる。
なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、
媒体は回転される。そのため、記録された部分（ビッ
ト）は、１回転する間に再びHini.の作用を受け、その
結果、記録補助層２の磁化は元の「Ａ向き」に揃えら
れる。しかし、室温では、記録補助層２の磁化の影響が
記録再生層１に及ぶことはなく、そのため記録された情
報は保持される。
そこで、記録再生層１に直線偏光を照射すれば、その
反射光には情報が含まれているので、従来の光磁気記録
媒体と同様に情報が再生される。
このような記録再生層１及び記録補助層２を構成する
垂直磁化膜は、補償温度を有せずキュリー点を有する
フェロ磁性体及びフェリ磁性体、並びに補償温度、キ
ュリー点の双方を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結
晶質からなる群から選択される。
以上の説明は、キュリー点を利用した第１実施態様の
説明である。それに対して第２実施態様は室温より高い
所定の温度に於いて低下したHcを利用するものである。
第２実施態様は、第１実施態様に於けるTc1の代わりに
記録再生層１が記録補助層２に磁気的結合がなされる温
度TS1を使用し、Tc2の代わりに記録補助層２がHbで反転
する温度TS2を使用すれば、第１実施態様と同様に説明
される。
第２実施態様では、記録再生層１の保磁力をHc1、記
録補助層２のそれをHc2、記録再生層１が記録補助層２
に磁気的結合がなされる温度をTs1とし、記録補助層２
の磁化がHbで反転する温度をTS2、室温をTR、低レベル
のレーザービームを照射した時の媒体の温度をTL、高レ
ベルのレーザービームを照射した時のそれをTH、記録再
生層１が受ける結合磁界をHD1、記録補助層２が受ける
結合磁界をHD2とした場合、記録媒体は、下記式６を満
足し、かつ室温で式７〜10を満足するものである。
TR＜TS1TL＜TS2TH ……式６ Hc1＞Hc2＋|HD1HD2| ……式７ Hc1＞HD1 ……式８ Hc2＞HD2 ……式９ Hc2＋HD2＜|Hini.|＜Hc1±HD1 ……式10 上記式中、複合±，については、上段が後述するＡ
（antiparallel）タイプの媒体の場合であり、下段は後
述するＰ（parallel）タイプの媒体の場合である。
第１、第２実施態様ともに、記録再生層１、記録補助
層２の双方が遷移金属（例えばFe,Co）−重希土類金属
（例えばGd,Tb,Dyその他）合金組成から選択された非晶
質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。
記録再生層１と記録補助層２の双方とも、遷移金属
（transition metal）−重希土類金属（heavyrare eart
h metal）合金組成から選択された場合には、各合金と
しての外部に現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部
の遷移金属原子（以下、TMと略す）のスピン（spin）の
向き及び大きさと重希土類金属原子（以下、REと略す）
のスピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えばTM
のスピンの向き及び大きさを点線のベクトルで表わ
し、REのスピンのそれを実線のベクトル↑で表し、合金
全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のベクトルで
表す。このとき、ベクトルはベクトルとベクトル↑
との和として表わされる。ただし、合金の中ではTMスピ
ンとREスピンとの相互作用のためにベクトルとベクト
ル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って、と↑
の和或いは↓ととの和は、両者の強度が等しいとき、
合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れる磁化の大
きさはゼロ）になる。このゼロになるときの合金組成は
補償組成（compensation composition）と呼ばれる。そ
れ以外の組成のときには、合金は両スピンの強度差に等
しい強度を有し、いずれか大きい方のベクトルの向きに
等しい向きを有するベクトル（又は）を有する。こ
のベクトルの磁化が外部に現れる。例えば はとなり、 はとなる。
ある合金組成のTMスピンとREスピンの各ベクトルの強
度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、強
度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばREリ
ッチであると呼ばれる。
記録再生層１と記録補助層２の両方について、TMリッ
チな組成とREリッチな組成とに分けられる。従って、縦
軸座標に記録再生層１の組成を横軸座標に記録補助層２
の組成をとると、本発明の媒体全体としては、種類を次
の４象限に分類することができる。先に述べたＰタイプ
はＩ象限とIII象限に属するものであり、ＡタイプはII
象限とIV象限に属するものである。
〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕 一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュ
リー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦
無限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組
成がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度
（Tcomp.）と呼ばれる。補償温度は、TMリッチの合金組
成においては、室温からキュリー点の間には存在しな
い。室温より下にある補償温度は、光磁気記録において
は無意味であるので、この明細書で補償温度とは室温か
らキュリー点の間に存在するものを言うことにする。
第１層と第２層の補償温度の有無について分類する
と、媒体は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体
は、４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについ
て、「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、
次の通りになる。なお、細線は記録再生層１のそれであ
り、太線は記録補助層２のそれである。
ここで、記録再生層１と記録補助層２の両方について
REリッチかTMリッチかで分け、かつ補償温度を持つか持
たないかで分けると、記録媒体は次の９クラスに分類さ
れる。
ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ
・Ｉ象限・タイプ１）に属する特定の媒体No.1を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.1は、次式11: TR＜Tcomp.1＜Tc1TLTcomp.2＜Tc2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。なお、細線は第１層のグラフを示し、太線は第２
層のグラフを示す。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
12である。この媒体No.1は式12を満足する。式12: ただし、Hc1:記録再生層１の保磁力 Hc2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント （Saturation magnetization） MS2:2の飽和磁気モーメント t1 :1の膜厚 t2 :2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー （interface wall energy） このとき、Hini.の条件式は、式15で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式13〜
14で示される。この媒体No.1は式13〜14を満足する。
室温で式12〜14の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式15の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
Tc1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が記録補助層２のTcomp.2より少し高い温度に
なったとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、
強度の大小関係が逆転する 。そのため、層２の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態3H）。
しかし、この温度ではHc2まだ大きいので、↑Hbによ
って層２の磁化が反転されることはない。さらに温度が
上昇し、THになると、層２の温度はほぼキュリー点Tc2
となり、層２の磁化も消失する（状態4H）。
この状態4Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度がTc
2より少し下がると、層２に磁化が生じる。この場合、 の磁化が生じる（状態5H）。しかし、温度はまだTc1よ
り高いので層１には磁化は現れない。
そして、媒体の温度が更に下がり、Tcomp.2以下にな
ると、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転する 。その結果、合金全体の磁化は反転し、から「逆Ａ向
き」になる（状態6H）。
この状態6Hでは媒体の温度はTc1より高いので層１の
磁化はまだ消失したままである。また、その温度でのHc
2は大きいので層２の磁化は、 で反転することはない。
そして、更に温度が低下してTc1より少し下がると、
層１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結合力
がREピストン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃える
ように働く。そして、層１の温度はTcomp.1以上なのでT
Mスピンの方が大きく、そのため層１には つまりの磁化が出現する。この状態が状態7Hである。
媒体の温度がこの状態7Hのときの温度から更に低下し
て、Tcomp.1以下になると、層１のREスピンとTMスピン
の強度の大小関係の逆転が起こる 。その結果、の磁化が出現する（状態8H）。
そして、やがて媒体の温度は状態8Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHc1は十分に大きいので層
１の磁化は によって反転されることなく、状態8Hが保持される。こ
うして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点Tc1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
（状態2L）。
この状態2Lに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTc1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。つまり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）
を揃える力が働く。その結果、層１には、 即ちの磁化が記録磁界 に打ち勝って出現する（状態3L）。この状態の温度はTc
omp.1以上なのでTMスピンの方が大きい。
媒体温度が更にTcomp.1以下に冷えると高温サイクル
と同様に層１のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆転
する 。その結果、層１の磁化はとなる（状態4L）。
この状態4Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。
次に第１表に示したクラス２の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.2を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.2は、次式16: TR＜Tc1TLToomp.2＜Tc2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２の磁化のみが反転する条件
は、式17である。この媒体No.2は式17を満足する。式1
7: ただし、Hc1:記録再生層１の保磁力 Hc2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1 :1の膜厚 t2 :2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式20で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式18〜
19で示される。この媒体No.2は式18〜19を満足する。
室温で式17〜19の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式20の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
Tc1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
さらに照射を続けると、媒体の温度は更に上昇する。媒
体の温度が記録補助層２のTcomp.2より少し高い温度に
なったとき、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、
強度の大小関係が逆転する 。そのため、合金全体の磁化が反転し、「逆Ａ向き」
の磁化になる（状態3H）。
しかし、この温度ではHc2がまだ大きいので、 ↑Hbによって層２の磁化が反転されることはない。さら
に温度が上昇し、THになると、媒体特に層２の温度はほ
ぼキュリー点Tc2となり、層２の磁化は消失する（状態4
H）。
この状態4Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度がTc
2より少し下がると、層２に磁化が生じる。この場合、 の磁化が生じる。しかし、温度はまだTc1より高いので
層１には磁化は現れない。この状態が状態5Hである。
そして、媒体の温度が更に下がり、Tcomp.2以下になる
と、RE、TMの各スピンの方向は変わらないが、強度の大
小関係が逆転する 。その結果、合金全体の磁化は反転してから「逆Ａ向
き」になる（状態6H）。
この状態6Hでは媒体の温度はTc1より高いので層１の
磁化はまだ消失したままである。また、その温度でのHc
2は大きいので層２の磁化が で反転することはない。
そして、更に温度が低下してTc1より少し下がると、
層１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結合力
がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃えるよ
うに働く。そのため層１には つまりの磁化が出現する。この状態が状態7Hである。
そして、やがて媒体の温度は状態7Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHc1は十分に大きいので層
１の磁化は によって反転されることなく、状態7Hが保持される。こ
うして、「逆Ａ向き」のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点Tc1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失する
（状態2L）。
この状態2Lに於いてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTc1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。つまり、REスピン同士（↑）、TMスピン同士（）
を揃える力が働く。その結果、層１には、 即ちの磁化が出現する（状態3L）。
この状態3Lは媒体温度が更に低下しても変化がない。
その結果、記録再生層１には、「Ａ向き」のビットが形
成される。
次に第１表に示したクラス３の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ３）に属する特定の媒体No.3を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.3は、次式21: TR＜Tcomp.1＜Tc1TL＜Tc2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
22である。この媒体No.3は式22を満足する。式22: ただし、Hc1:記録再生層１の保磁力 Hc2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1 :1の膜厚 t2 :2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式25で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式23〜
24で示される。この媒体No.3は式23〜24を満足する。
室温で式22〜24の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式25の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
Tc1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
さらにビームの照射が続き、媒体の温度がTHとなると、
THは記録補助層２のTc2にほぼ等しいので、層２の磁化
も消失する（状態3H）。
この状態3Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度がTc
2より少し下がると、層２に磁化が生じる。この場合、 の磁化が生じる。しかし、温度はまだTc1より高いので
層１には磁化は現れない。この状態が状態4Hである。
更に、媒体温度が低下してTc1より少し下がると、層
１にも磁化が出現する。この場合、層２の磁化が交換結
合力により層１に及ぶ。その結果、REスピン同士
（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだTcomp.1以上にあるので、TMスピン
の方がREスピンより大きくなる 。その結果、層２にはの磁化が出現する（状態5H）。
この状態5Hの温度から、媒体温度が更に低下してTcomp.
1以下になると、層１のTMスピンとREスピンの強度の大
小関係が逆転する 。そのため、層１の磁化が反転し、「逆Ａ向き」の磁
化になる（状態6H）。
そして、やがて媒体の温度は状態6Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHc1は十分に大きいので層
１の磁化は、安定に保持される。こうして、「逆Ａ向
き」のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点Tc1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失す
る。しかし、この温度ではまだ層２のHc2は大きいの
で、層２の磁化は によって反転されることはない（状態2L）。
この状態2Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTc1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。つまりREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を
揃える力が働く。その結果、層１には、 即ちの磁化が出現する。この場合、温度はTcomp.1以
上なのでTMスピンの方が大きくなる（状態3L）。
媒体温度が更にTcomp.1以下に冷えると高温サイクル
と同様に層１のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆転
する 。その結果、層１の磁化は に打ち勝ってとなる（状態4L）。
この状態4Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。
次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.4を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.4は、次式26: TR＜Tc1TL＜Tc2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
27である。この媒体No.4は式27を満足する。式27: ただし、Hc1:記録再生層１の保磁力 Hc2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1 :1の膜厚 t2 :2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式30で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式28〜
29で示される。この媒体No.4は式28〜29を満足する。
室温で式27〜29の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式30の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
Tc1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しTHにな
ると、層２の温度THはキュリー点Tc2にほぼ等しので、
層２の磁化も消失する。これが状態3Hである。
この状態3Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下を始める。媒体の温度がTc
2より少し下がると、層２の磁化が出現する。この場
合、 の磁化が出現する。しかし、温度はTc1より高いので層
１には磁化が現れない。この状態が状態4Hである。
そして、媒体温度が更に下がり、Tc1より少し下がる
と、層１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結
合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そのため層１には つまりの磁化が出現する。この状態が状態5Hである。
そして、やがて媒体の温度は状態5Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHc1は十分に大きいので層
１の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向き」
のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点Tc1を越えているので、層１の磁化は消失す
る。この状態では、Hc2はまだ十分に大きいので、記録
補助層２の磁化は で反転することはない。この状態が状態2Lである。
この状態2Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTc1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。つまり交換結合力はREスピン同士（↑）、TMスピン
同士（）を揃えるように働く。その結果、層１には、 に打ち勝って出現する。この状態が状態3Lである。
この状態3Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。
次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・
II象限・タイプ３）に属する特定の媒体No.5を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.5は次式31: TR＜Tcomp.1＜Tc1TL＜Tc2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
32である。この媒体No.5は式32を満足する。式32: ただし、Hc1:記録再生層１の保磁力 Hc2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1 :1の膜厚 t2 :2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式35で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式33〜
34で示される。この媒体No.5は式33〜34を満足する。
室温で式32〜34の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式35の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
Tc1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
さらにビームの照射が続き、媒体の温度がTHとなると、
THはTc2にほぼ等しいので、層２の磁化も消失する（状
態3H）。
この状態3Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体の温度がTc
2より少し下がると、層２の磁化が出現する。この場
合、 の磁化が出現する。しかし、温度はTc1より高いので層
１には磁化が現れない。この状態が状態4Hである。
更に、媒体温度が低下してTc1より少し下がると、層
１にも磁化が出現する。この場合、層２の磁化が交換結
合力により層１に及ぶ。その結果、REスピン同士
（↑）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。この場
合、媒体温度はまだTcomp.1以上にあるので、TMスピン
の方がREスピンより大きくなる 。その結果、層２にはの磁化が出現する（状態5H）。
この状態5Hの温度から、媒体温度が更に低下してTcomp.
1以下になると、層１のTMスピンとREスピンの強度の大
小関係が逆転する 。そのため、層１の磁化が反転し、「Ａ向き」の磁化
になる（状態6H）。
そして、やがて媒体の温度は状態6Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHc1は十分に大きいので層
１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」の
ビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点Tc1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失す
る。しかし、この温度ではまだ層２のHc2は大きいの
で、層２の磁化は によって反転されることはない（状態2L）。
この状態2Lでビームの照射が終了すると、媒体温度は
降下し始める。媒体温度がTc1より少し下がると、記録
補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。つまりREスピン同士（↓）、TMスピン同士（）を
揃える力が働く。その結果、層１には、 に打ち勝って出現する。この場合、温度はTcomp.1以上
なのでTMスピンの方が大きくなる（状態3L）。
媒体温度が更にTcomp.1以下に冷えると高温サイクル
と同様に層１のREスピンとTMスピンとの大小関係が逆転
する その結果、層１の磁化はとなる（状態4L）。
この状態4Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
次に第１表に示したクラス６の記録媒体（Ａタイプ・
II象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.6を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.6は、次式36: TR＜Tc1TL＜Tc2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
37である。この媒体No.6は式37を満足する。式37: ただし、Hc1:記録再生層１の保磁力 Hc2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1 :1の膜厚 t2 :2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式40で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式38〜
39で示される。この媒体No.6は式38〜39を満足する。
室温で式37〜39の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式40の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
Tc1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しTHにな
ると、層２の温度THはTc2にほぼ等しいので、層２の磁
化も消失する。これが状態3Hである。
この状態3Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度がTc
2より少し下がると、層２の磁化が出現する。この場
合、 の磁化が出現する。しかし、温度はTc1より高いので層
１には磁化が現れない。この状態が状態4Hである。
そして、媒体温度が更に下がり、Tc1より少し下がる
と、層１に磁化が出現する。そのとき層２からの交換結
合力がREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を揃え
るように働く。そのため層１には に打ち勝って出現する。この状態が状態5Hである。
そして、やがて媒体の温度は状態5Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHc1は十分に大きいので層
１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」
のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点Tc1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失す
る。この状態では、Hc2はまだ十分に大きいので、記録
補助層２の磁化は で反転することはない。この状態が状態2Lである。
この状態2Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTc1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。交換結合力はREスピン同士（↓）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。その結果、層１には、 即ちの磁化が出現する。この状態が状態3Lである。
この状態3Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・
III象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.7を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.7は、次式41: TR＜Tc1TL＜Tc2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
42である。この媒体No.7は式42を満足する。式42: ただし、Hc1:記録再生層１の保磁力 Hc2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1 :1の膜厚 t2 :2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式45で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式43〜
44で示される。この媒体No.7は式43〜44を満足する。
室温で式42〜44の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式45の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加さる。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
TC1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しTHにな
ると、層２の温度THはキュリー点TC2にほぼ等しいの
で、層２の磁化も消失する。これが状態3Hである。
この状態3Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度がT
C2より少し下がると、層２の磁化が出現する。この場
合、 の磁化が出現する。しかし、温度はまだTC1より高いの
で層１には磁化が現れない。この状態が状態4Hである。
そして、媒体温度が更に下がり、TC1より少し下がる
と、層１に磁化が出現する。そのとき層２ からの交換結合力がREスピン同士（↑）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そのため層１には つまりの磁化が出現する。この状態が状態5Hである。
そして、やがて媒体の温度は状態5Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHC1は十分に大きいので層
１の磁化は安定に保持される。こうして、「逆Ａ向き」
のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点TC1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失す
る。この状態では、HC2はまだ十分に大きいので、記録
補助層２の磁化は ↓Hbで反転することはない。この状態が状態2Lである。
この状態2Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTC1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。交換結合力はREスピン同士（↓）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。その結果、層１には、 に打ち勝って出現する。この状態が状態3Lである。
この状態3Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「Ａ向き」のビット形成が完了する。
次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ２）に属する特定の媒体No.8を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.8は、次式46: TR＜TC1TLTcomp.2＜TC2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
47である。この媒体No.8は室温で式47を満足する。式4
7: ただし、HC1:記録再生層１の保磁力 HC2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1:1の膜厚 t2:2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式50で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式48〜
49で示される。この媒体No.8は式48〜49を満足する。
室温で式47〜49の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式50の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは、記録
磁界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
TC1にほぼ等しいので、１の磁化は消失する（状態
2H）。
さらにビームの照射が続き、媒体温度がTcomp.2より少
したかくなると、REスピン（↑）及びTMスピン（）の
向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転する 。その結果、層２の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態が状態3Hである。
しかし、この温度ではHC2がまだ大きいので、層２の
磁化は で反転されることはない。更にビームの照射が続き、そ
のため媒体温度が更に上昇してTHになったとする。する
と、THはTC2にほぼ等しいので、層２の磁化も消失する
（状態4H）。
この状態4Hにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTC2
より少し下がると、層２に磁化が生じる。この場合、 の磁化が出現する。しかし、温度はまだTC1より高いの
で、層１には磁化が現れない。この状態が状態5Hであ
る。
さらに媒体温度が低下してTcomp.2より少し下がる
と、REスピン（↓）及びTMスピン（）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係が逆転する 。その結果、層２の磁化は反転して「逆Ａ向き」とな
る。この状態では、HC2は既に相当大きくなっているの
で層２の磁化は により反転されることはない。そして、温度はまだTC1
より高いので層１の磁化はまだ現れない。この状態が状
態6Hである。
更に、媒体温度が低下してTC1より少し下がると、層
１にも磁化が出現する。この場合、層２の磁化 が交換結合力により層１に及ぶ。その結果、REスピン同
士（↓）、TMスピン同士（）を揃える力が働く。その
結果、層１には （）の磁化が出現する（状態7H）。
そして、やがて媒体の温度は状態7Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHC1は十分に大きいので層
１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」
のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点TC1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失す
る。しかし、この温度ではまだ層２のHC2は大きいの
で、層２の磁化は によって反転されることはない（状態2L）。
この状態2Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTC1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。つまりREスピン同士（↑）、TMスピン同士（）を
揃える力が働く。その結果、層１には、 即ちの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態3Lである。
この状態3Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
次に第１表に示したクラス９の記録媒体（Ａタイプ・
IV象限・タイプ４）に属する特定の媒体No.9を例にと
り、本発明の方法の原理について詳細に説明する。
この媒体No.9は、次式51: TR＜TC1TL＜TC2TH の関係を有する。この関係をグラフで示すと、次の如く
なる。
室温TRで記録再生層１の磁化が初期補助磁界Hini.に
より反転せずに記録補助層２のみが反転する条件は、式
52である。この媒体No.9は式52を満足する。式52: ただし、HC1:記録再生層１の保磁力 HC2:記録補助層２の保磁力 MS1:1の飽和磁気モーメント MS2:2の飽和磁気モーメント t1:1の膜厚 t2:2の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー このとき、Hini.の条件式は、式55で示される。Hini.
が無くなると、反転した記録補助層２の磁化は交換結合
力により記録再生層１の磁化の影響を受ける。それでも
層２の磁化が再度反転せずに保持される条件は、式53〜
54で示される。この媒体No.9は式53〜54を満足する。
室温で式52〜54の条件を満足する記録媒体の記録補助
層２の磁化は、記録の直前までに式55の条件を満足する
Hini.により例えば「Ａ向き」 に揃えられる。このとき、記録再生層１は記録状態のま
まで残る（状態１）。
この状態１は記録直前まで保持される。ここでは記録磁
界（Hb）は の向きに印加される。
−高温サイクル− そして、高レベルのレーザービームを照射して媒体温
度をTLに上昇させると、TLは記録再生層１のキュリー点
TC1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失する（状態
2H）。
ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しTHにな
ると、媒体特に層２の温度THはTC2にほぼ等しいので、
層２の磁化も消失する。これが状態3Hである。
この状態3Hにおいてレーザービームのスポット領域から
外れると、媒体の温度は低下し始める。媒体の温度がT
C2より少し下がると、層２の磁化が出現する。この場
合、 の磁化が出現する。しかし、この温度はまだTC1より高
いので層１には磁化は現れない。この状態が4Hである。
そして、媒体温度が更に下がり、TC1より少し下がる
と、層１に磁化が出現する。そのとき層２ からの交換結合力がREスピン同士（↓）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。そのため層１には つまりの磁化が に打ち勝って出現する。この状態が状態5Hである。
そして、やがて媒体の温度は状態5Hのときの温度から
室温まで低下する。室温でのHC1は十分に大きいので層
１の磁化は安定に保持される。こうして、「Ａ向き」
のビット形成が完了する。
−低温サイクル− 一方、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度
をTLに上昇させる。そうすると、TLは記録再生層１のキ
ュリー点TC1にほぼ等しいので、層１の磁化は消失す
る。この状態では、HC2はまだ十分に大きいので、記録
補助層２の磁化は ↓で反転することはない。この状態が状態2Lである。
この状態2Lにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。媒体温度がTC1
より少し下がると、記録補助層２のRE,TMスピン の影響が交換結合力により記録再生層１の各スピンに及
ぶ。交換結合力はREスピン同士（↑）、TMスピン同士
（）を揃えるように働く。その結果、層１には、 即ちの磁化が出現する。この状態が状態3Lである。
この状態3Lは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。その結果、「逆Ａ向き」のビット形成が完了す
る。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１……媒体No.1のうちの１つ） ２元の電子ビーム加熱真空蒸着装置を用い、下記第２
表に示す蒸発源を２個所に置く。
厚さ1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャン
バー内にセットする。該装置のチャンバー内を一旦１×
10-6Torr.以下の真空度に排気する。その後、真空度を
１〜２×10-6Torr.に保持しながら、蒸着速度約３Å／
秒で、蒸着を行なう。これにより基板上に、厚さ1000Å
のGd14Dy12Fe74（注：添字の数字は、原子％）の第１層
（記録再生層）を形成する。続いて、真空状態を保持し
たまま蒸発源を取り替える。そして、また蒸着を行な
い、第１層の上に厚さ2000ÅのGd24Tb3Fe73の第２層
（記録補助層）を形成する。第１及び第２層ともに垂直
磁化膜である。
こうして、クラス１（Ｐタイプ・第Ｉ象限・タイプ
１）属する２層光磁気記録媒体No.1が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第２表に示す。
この媒体は、TL＝170℃、TH＝230℃（実施例13参照）
とすれば、 式11: TR＜Tcomp.1＜TC1TLTcomp.2＜TC2TH 及び式12: を満足している。また、式15に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を600 Oeとすれば、式1
5を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式13: 及び式14: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝600 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝600 Oeの記録磁界を「Ａ向き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
（実施例２……媒体No.2のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ500ÅのTb27Fe73の
第１層（記録再生層）及びその上に厚さ2000ÅのGd24Tb
3Fe73の第２層（記録補助層）を形成する。これによ
り、クラス２（Ｐタイプ・第Ｉ象限・タイプ２）に属す
る媒体No.2が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第３表に示す。
この媒体は、TL＝150℃、TH＝230℃（実施例14参照）
とすれば、 式16: TR＜TC1TLTcomp.2＜TC2TH 及び式17: を満足している。また、式20に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を600 Oeとすれば、式2
0を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式18: 及び式19: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝600 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝600 Oeの記録磁界を「Ａ向き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
（実施例３……媒体No.3のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ500ÅのGd23Tb3Fe74
の第１層（記録再生層）及びその上に厚さ1000ÅのTb28
Fe65Co7の第２層（記録補助層）を形成する。これによ
り、クラス３（Ｐタイプ・第Ｉ象限・タイプ３）に属す
る媒体No.3が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第４表に示す。
この媒体は、TL＝170℃、TH＝220℃（実施例15参照）
とすれば、 式21: TR＜Tcomp.1＜TC1TL＜TC2TH 及び式22: を満足している。また、式25に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
25を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式23: 及び式24: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
（実施例４……媒体No.4のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ1000ÅのTb13Dy13Fe
74の第１層（記録再生層）を形成し、その上に厚さ1000
ÅのGd14Dy14Fe72の第２層（記録補助層）を形成する。
これにより、クラス４（Ｐタイプ・第Ｉ象限・タイプ
４）に属する媒体No.4が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第５表に示す。
この媒体は、TL＝120℃、TH＝160℃（実施例16参照）
とすれば、 式26: TR＜TC1TL＜TC2TH 及び式27: を満足している。また、式30に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
30を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式28: 及び式29: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
（実施例５……媒体No.5のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ500ÅのGd13Dy13Fe
74の第１層（記録再生層）及びその上に厚さ600ÅのTb
18Fe74Co8の第２層（記録補助層）を形成する。これに
より、クラス５（Ａタイプ・第II象限・タイプ３）に属
する媒体No.5が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第６表に示す。
この媒体は、TL＝165℃、TH＝210℃（実施例17参照）
とすれば、 式31: TR＜Tcomp.1＜TC1TL＜TC2TH 及び式32: を満足している。また、式35に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
35を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式33: 及び式34: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
（実施例６……媒体No.6のうちの１つ） ３元のRFマグネトロン・スパッタリング装置を用い、
下記第７表に示すターゲット:Tb,Fe,FeCo合金の３個を
置く。ターゲットは最初にTbとFeの２個（２元）を使用
し、次にTbとFeCo合金の２個（２元）を使用する。厚さ
1.2mm、直径200mmのガラス基板を該装置のチャンバー内
にセットする。
該装置のチャンバー内を一旦７×10-7Torr.以下の真
空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr.導入する。
そして、堆積（deposition）速度約２Å／秒で、スパッ
タリングを行なう。これにより基板上に、厚さ500ÅのT
b27Fe73の第１層（記録再生層）を形成する。続いて、
真空状態を保持したまま、ターゲットを変える。そし
て、またスパッタリングを行ない、第１層の上に厚さ10
00ÅのTb18Fe74Co8の第２層（記録補助層）を形成す
る。第１及び第２層ともに垂直磁化膜である。
こうして、クラス６（Ａタイプ・第II象限・タイプ
４）に属する２層光磁気記録媒体No.7が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第７表に示す。
この媒体は、TL＝155℃、TH＝220℃（実施例18参照）
とすれば、 式36: TR＜TC1TL＜TC2TH 及び式37: を満足している。また、式40に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
40を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式38: 及び式39: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
（実施例７……媒体No.7のうちの１つ） 実施例６と同様に、基板上に厚さ1000ÅのTb21Fe79の
第１層（記録再生層）及びその上に厚さ1000ÅのTb18Fe
74Co8の第２層（記録補助層）を形成する。これによ
り、クラス７（Ｐタイプ・第III象限・タイプ４）に属
する媒体No.7が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第８表に示す。
この媒体は、TL＝155℃、TH＝220℃（実施例19参照）
とすれば、 式41: TR＜TC1TL＜TC2TH 及び式42: を満足している。また、式45に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
45を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式43: 及び式44: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 ↓に印加することによりオーバーライトが可能になる。
（実施例８……媒体No.8のうちの１つ） 実施例６と同様に、基板上に厚さ500ÅのTb21Fe79の
第１層（記録再生層）及びその上に厚さ2000ÅのGd24Tb
3Fe73の第２層（記録補助層）を形成する。これによ
り、クラス８（Ａタイプ・第IV象限・タイプ２）に属す
る媒体No.8が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第９表に示す。
この媒体は、TL＝155℃、TH＝230℃（実施例20参照）
とすれば、 式46: TR＜TC1TLTcomp.2＜TC2TH 及び式47: を満足している。また、式50に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を800 Oeとすれば、式5
0を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式48: 及び式49: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝800 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝800 Oeの記録磁界を「Ａ向き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
尚、HbとHini.の大きさ及び向きが等しいので、この場
合、それぞれの印加手段を１つに兼用した記録装置を使
用することができる。
（実施例９……媒体No.9のうちの１つ） 実施例１と同様に、基板上に厚さ1000ÅのGd4Tb19Fe
77の第１層（記録再生層）及びその上に厚さ500ÅのTb
29Fe61Co10の第２層（記録補助層）を形成する。これに
より、クラス９（Ａタイプ・第IV象限・タイプ４）に属
する媒体No.9が製造された。
この媒体の製造条件及び特性を下記第10表に示す。
この媒体は、TL＝170℃、TH＝220℃（実施例21参照）
とすれば、 式51: TR＜TC1TL＜TC2TH 及び式52: を満足している。また、式55に於いて、 であるので、初期補助磁界Hini.を4000 Oeとすれば、式
55を満足する。そうすれば、記録再生層１の磁化は室温
でHini.によって反転されずに、記録補助層２の磁化の
みが反転される。
更に、式53: 及び式54: を満足しているので、Hini.が取り去られても、層１及
び層２の磁化はそれぞれ保持される。
従って、Hini.＝4000 Oeの初期補助磁界を例えば「Ａ
向き」↑に印加し、Hb＝300 Oeの記録磁界を「逆Ａ向
き」 に印加することによりオーバーライトが可能になる。
（実施例10……光磁気記録装置） この装置は記録専用であり、その全体構成を第３図
（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体20を移動させる手段の一例としての回転
手段21; （ｂ）初期補助磁界Hini.印加手段22; （ｃ）レーザービーム光源23; （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向きに磁化を有するビットと下向き磁化を有す
るビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な
媒体温度THを与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度TLを与える低レベルとに
パルス状に変調する手段24; （ｅ）記録磁界Hb印加手段25; からなる。
記録磁界Hb印加手段25は、電磁石又は好ましくは永久
磁石が一般的である。場合によっては、記録磁界Hbは記
録媒体の記録トラック以外の部分からの浮遊磁界を利用
してもよく、その場合には、印加手段25は、記録媒体20
の垂直磁化膜（第１及び第２層）のうち浮遊磁界を発生
する領域を指す。
ここでは、印加手段25として、Hb＝300 Oeで磁界の向
きが「逆Ａ向き」↓の永久磁石を使用する。この永久磁
石25は、ディスク状媒体20の半径方向の長さに相当する
長さを有する棒状のものを固定して設置する。永久磁石
25は、光源23を含む記録ヘッド（ピックアップ）と共に
移動させることはしないことにする。その方がピックア
ップが軽くなり、高速アクセスが可能になる。
また、初期補助磁界Hini.印加手段22としては、電磁
石又は好ましくは永久磁石が使用される。ここではHin
i.＝4000 Oe、磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を
使用する。この永久磁石22は、ディスク状媒体の半径方
向の長さに相当する長さを有する棒状のものを固定して
設置する。
なお、本記録装置は、再生系の装置を付加して記録再
生兼用装置に修正してもよい。
（実施例11……光磁気記録装置） この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図
（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体20を移動させる手段の一例としての回転
手段21; （ｃ）レーザービーム光源23; （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度THを与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度TLを与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段24; （b,e）初期補助磁界Hini.印加手段22と兼用された記録
磁界Hb印加手段25; からなる。
記録磁界Hbの向きと初期補助磁界Hini.の向きとが一
致するときには、記録磁界Hb印加手段25と初期補助磁界
Hini.印加手段22とを兼用させることができる場合があ
る。これは次のような場合である。仮に磁界を集中した
い記録個所（ビームの当たっているスポット領域）に記
録磁界Hbを印加手段25を設置しても、磁界を一点に集中
することは不可能である。つまり、記録個所の周囲には
必ず漏れ磁界が印加されてしまう。従って、この漏れを
磁界を利用すれば、記録の前に初期補助磁界Hini.磁界
を印加することが可能となる。そこで、本実施例の装置
では手段22と25を兼用させた。
兼用された手段22＆25は、一般に電磁石又は好ましく
は永久磁石である。ここでは、Hb＝Hini.＝600 Oeで磁
界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用する。この永
久磁石22＆25は、ディスク状記録媒体20の半径方向の長
さに相当する長さを有する棒状のものである。この磁石
22＆25は、本記録装置に固定して設置し、光源23を含む
ピックアップと共に移動させることはしないことにす
る。その方がピックアップが軽くなり、高速アクセスが
可能になる。
（実施例12……光磁気記録装置） この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図
（概念図）に示す。
この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体20を移動させる手段の一例としての回転
手段21; （ｃ）レーザービーム光源23; （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
ビットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒
体温度THを与える高レベルと、（２）他方のビットを形
成させるのに適当な媒体温度TLを与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段24; （b,e）初期補助磁界Hini.印加手段22と兼用された記録
磁界Hb印加手段25; からなる。
兼用された手段22＆25として、ここでは、Hb＝Hini.
＝800 Oeで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用
する。この永久磁石22＆25は、ディスク状記録媒体20の
半径方向の長さに相当する長さを有する棒状のものであ
る。この磁石22＆25は、本記録装置に固定して設置し、
光源23を含むピックアップと共に移動させることはしな
いことにする。
（実施例13……光磁気記録） 実施例11の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例１の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:
6.6mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数1MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、1MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は51dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数5MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝48dBで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、1MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝230℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
（実施例14……光磁気記録） 実施例11の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例２の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:
5.7mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数1MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、1MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は52dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数5MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝49dBで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、1MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝230℃、低レベル時:TL＝150℃に達する。
（実施例15……光磁気記録） 実施例10の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例３の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:8.9mW（on disk）、低レベル時:
6.6mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数5MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は51dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数2MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝54dBで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
（実施例16……光磁気記録） 実施例10の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例４の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:6.1mW（on disk）、低レベル時:
4.3mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数5MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は47dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数2MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝50dBで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝160℃、低レベル時:TL＝120℃に達する。
（実施例17……光磁気記録） 実施例10の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例５の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:8.4mW（on disk）、低レベル時:
6.4mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数5MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は48dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数4MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝49dBで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝210℃、低レベル時:TL＝165℃に達する。
（実施例18……光磁気記録） 実施例10の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例６の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:8.1mW（on disk）、低レベル時:
5.9mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数5MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は49dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数3MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝51dBで新たな状態が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
（実施例19……光磁気記録） 実施例10の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例７の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:8.9mW（on disk）、低レベル時:
5.9mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数5MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は49dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数2MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝52dBで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
（実施例20……光磁気記録） 実施例12の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例８の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:9.3mW（on disk）、低レベル時:
5.9mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数1MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数1MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、1MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は52dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数2MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝51dBで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、1MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝230℃、低レベル時:TL＝155℃に達する。
（実施例21……光磁気記録） 実施例10の記録装置（第３図参照）を使用して光磁気
記録を実施する。まず、回転手段21で実施例９の記録媒
体20を8.5m/秒の一定線速度で移動させる。その媒体20
に対し、レーザービームを照射する。このビームは、手
段24により高レベル時:8.9mW（on disk）、低レベル時:
6.6mW（on disk）の出力がでるように調整されている。
そしてビームは、手段24により情報に従いパルス状に変
調される。ここでは、記録すべき情報を周波数5MHzの信
号とした。従って、ビームを周波数5MHzで変調させなが
ら媒体20に照射した。これにより、5MHzの信号が記録さ
れたはずである。別の光磁気再生装置で再生すると、C/
N比は51dBであり、記録されていることが確かめられ
た。
次に媒体20の既に記録した領域に、今度は周波数6MHz
の信号を新たな情報として記録した。この情報を同様に
再生すると、C/N比＝49dbで新たな情報が再生された。
エラー発生率は、10-5〜10-6であった。このとき、5MHz
の信号（前の情報）は全く現れなかった。
この結果、オーバーライトが可能であることが判っ
た。
なお、この条件では、媒体の温度は、高レベル時:TH
＝220℃、低レベル時:TL＝170℃に達する。
〔発明の効果〕
以上のとおり、本発明によれば、光磁気記録におい
て、記録磁界HbをON,OFFすることなく、又はHbの向きを
変えることなく、オーバーライトが初めて可能になっ
た。
【図面の簡単な説明】
第１図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第２図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第３図は、本発明の実施例10にかかる光磁気記録装置の
全体構成を示す概念図である。 第４図は、本発明の実施例11及び12にかかる光磁気記録
装置の全体構成を示す概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ……レーザービーム Lp……直線偏光 B1……「Ａ向き」磁化を有するビット B0……「逆Ａ向き」磁化を有するビット １……記録再生層 20……光磁気記録媒体 20a……基板 21……記録媒体を移動させる手段又はその一例としての
回転手段 22……初期補助磁界Hini.印加手段 23……レーザービーム光源 24……記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）「Ａ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」
磁化を有するビットの何れか一方を形成するのに適当な
温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルとにパ
ルス状に変調する手段 25……記録磁界Hb印加手段

Claims (32)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】光磁気記録媒体の記録再生層に対して、情
    報を上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
    ットで記録する光磁気記録方法に於いて、 その方法が、 （ａ）記録再生層としての垂直磁気異方性を有する第１
    層と、記録補助層としての垂直磁気異方性を有する第２
    層との少なくとも２層からなり、両層は磁気的結合をし
    ており、第１層の磁化の向きはそのままに第２層の磁化
    を上向き又は下向きの何れか一方に揃えることができる
    オーバーライト可能な多層光磁気記録媒体であって、少
    なくともこれから記録しようとする領域において、第２
    層の磁化を上向き又は下向きの何れか一方に揃えられた
    媒体を用意すること； （ｂ）前記媒体を移動させること； （ｃ）レーザービームを媒体に照射すること； （ｄ）前記ビーム強度を記録すべき２値化情報に従いパ
    ルス状に変調すること； （ｅ）前記ビームを照射した媒体部分に記録磁界を印加
    すること； （ｆ）前記ビームの強度が高レベルの時に、上向き磁化
    を有するビットと下向き磁化を有するビットのいずれか
    一方のビットを形成させ、ビームの強度が低レベルの時
    に、他方のビットを形成させること； からなることを特徴とするオーバーライト可能な光磁気
    記録方法。
  2. 【請求項２】前記記録補助層の磁化が、上向き又は下向
    きの何れか一方である「Ａ向き」に揃えられたとすると
    き、 前記ビーム強度が高レベルの時は、記録磁界により記録
    補助層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転させ、こ
    の記録補助層の「逆Ａ向き」磁化によって記録再生層に
    「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビッ
    トを形成し、 ビーム強度が低レベルの時は、記録補助層の「Ａ向き」
    磁化によって記録再生層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ
    向き」磁化〕を有するビットを形成することを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録方法。
  3. 【請求項３】光磁気記録装置に於いて、この装置が、 （ａ）記録再生層としての垂直磁気異方性を有する第１
    層と、記録補助層としての垂直磁気異方性を有する第２
    層との少なくとも２層からなり、両層は磁気的結合をし
    ており、第１層の磁化の向きはそのままに第２層の磁化
    を上向き又は下向きの何れか一方に揃えることができる
    オーバーライト可能な多層光磁気記録媒体を移動させる
    手段； （ｂ）レーザービームを媒体に照射する前に、少なくと
    もこれから記録しようとする領域の第２層の磁化の向き
    を上向き又は下向きの何れか一方に揃える初期補助磁界
    印加手段； （ｃ）レーザービーム光源； （ｄ）記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、 （１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
    ビットの何れか一方のビットを形成させるのに必要な温
    度を媒体に与える高レベルと、 （２）他方のビットを形成させるのに必要な温度を媒体
    に与える低レベルとの間でパルス状に変調する手段； （ｅ）ビーム照射位置近傍にあって、前記初期補助磁界
    印加手段と兼用されることもあり得る磁界を変調しない
    記録磁界印加手段； からなることを特徴とするオーバーライト可能な光磁気
    記録装置。
  4. 【請求項４】光磁気記録装置に於いて、この装置が、 （ａ）記録再生層としての垂直磁気異方性を有する第１
    層と、記録補助層としての垂直磁気異方性を有する第２
    層との少なくとも２層からなり、両層は磁気的結合をし
    ており、第１層の磁化の向きはそのままに第２層の磁化
    を上向き又は下向きの何れか一方に揃えることができる
    オーバーライト可能な多層光磁気記録媒体であって、少
    なくともこれから記録しようとする領域において、第２
    層の磁化を上向き又は下向きの何れか一方に揃えられた
    媒体を移動させる手段； （ｂ）レーザービーム光源； （ｃ）記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、 （１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有する
    ビットの何れか一方のビットを形成させるのに必要な温
    度を媒体に与える高レベルと、 （２）他方のビットを形成させるのに必要な温度を媒体
    に与える低レベルとの間でにパルス状に変調する手段； （ｄ）ビーム照射位置近傍にあって、磁界を変調しない
    記録磁界印加手段； からなることを特徴とするオーバーライト可能な光磁気
    記録装置。
  5. 【請求項５】記録再生層としての垂直磁気異方性を有す
    る第１層と、記録補助層としての垂直磁気異方性を有す
    る第２層との少なくとも２層からなり、両層は磁気的結
    合をしており、第１層の磁化の向きはそのままに第２層
    の磁化を上向き又は下向きの何れか一方に揃えることが
    できる、オーバーライト可能な多層光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】高レベルのレーザービームを照射した時
    は、記録磁界により前記記録補助層の「Ａ向き」磁化を
    「逆Ａ向き」に反転させ、この「逆Ａ向き」磁化によっ
    て前記記録再生層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」
    磁化〕を有するビットが形成され、 低レベルのレーザービームを照射した時は、前記記録補
    助層の「Ａ向き」磁化によって前記記録再生層に「Ａ向
    き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するビットが形
    成されることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の
    オーバーライト可能な多層光磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】第１層が室温で保磁力が高くキュリー点が
    低い磁性薄膜であり、第２層が相対的に室温で保磁力が
    低くキュリー点が高い磁性薄膜であることを特徴とする
    特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト可能な多層
    光磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】下記１条件： TR＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、かつ室温で下記４条件： Hc1＞Hc2＋|HD1HD2| Hc1＞HD1 Hc2＞HD2 Hc2＋HD2＜|Hini.|＜Hc1±HD1 を満足する特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 HD1:第１層が受ける結合磁界 HD2:第２層が受ける結合磁界 Hini.:初期補助磁界
  9. 【請求項９】第１層が第２層に磁気結合される温度をT
    S1とし、第２層が記録磁界で反転する温度をTS2とする
    とき、第１層が室温で保磁力が高く、第２層が相対的に
    室温で保磁力が低く、かつ、TS1＜TS2であることを特徴
    とする特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト可能
    な光磁気記録媒体。
  10. 【請求項１０】下記１条件： TR＜TS1TL＜TS2TH を満足し、かつ室温で下記４条件： Hc1＞Hc2＋|HD1HD2| Hc1＞HD1 Hc2＞HD2 Hc2＋HD2＜|Hini.|＜Hc1±HD1 を満足する特許請求の範囲第９項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 TS1:第１層が第２層に磁気結合される温度 TS2:第２層が記録磁界で反転する温度 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 HD1:第１層が受ける結合磁界 HD2:第２層が受ける結合磁界 Hini.:初期補助磁界
  11. 【請求項１１】前記第１層と第２層とは、いずれも遷移
    金属−重希土類合金組成から選択したものであることを
    特徴とする特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。
  12. 【請求項１２】第１層が重希土類リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合
    金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、
    かつ次の条件式： （１）TR＜Tcomp.1＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tcomp.1:第１層の補償温度 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  13. 【請求項１３】第１層が重希土類リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合
    金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、
    かつ次の条件式： （１）TR＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  14. 【請求項１４】第１層が重希土類リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合
    金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金からな
    り、かつ次の条件式： （１）TR＜Tcomp.1＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tcomp.1:第１層の補償温度 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  15. 【請求項１５】第１層が重希土類リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合
    金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金からな
    り、かつ次の条件式： （１）TR＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  16. 【請求項１６】第１層が重希土類リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有する遷移金属−重希土類合
    金、第２層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金からな
    り、かつ次の条件式： （１）TR＜Tcomp.1＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tcomp.1:第１層の補償温度 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  17. 【請求項１７】第１層が重希土類リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合
    金、第２層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金からな
    り、かつ次の条件式： （１）TR＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  18. 【請求項１８】第１層が遷移金属リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合
    金、第２層が遷移金属リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金からな
    り、かつ次の条件式： （１）TR＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  19. 【請求項１９】第１層が遷移金属リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合
    金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有する遷移金属−重希土類合金からなり、
    かつ次の条件式： （１）TR＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  20. 【請求項２０】第１層が遷移金属リッチで室温とキュリ
    ー点との間に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合
    金、第２層が重希土類リッチで室温とキュリー点との間
    に補償温度を有しない遷移金属−重希土類合金からな
    り、かつ次の条件式： （１）TR＜Tc1TL＜Tc2TH を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第11項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 ：ほぼ等しい意味 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 TL :低レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 TH :高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒体
    の温度 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  21. 【請求項２１】室温で次の各条件式 を満足する特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー
  22. 【請求項２２】室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー
  23. 【請求項２３】次の条件式： （１）TR＜Tc1＜Tc2 を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー
  24. 【請求項２４】次の条件式： （１）TR＜Tc1＜Tc2 を満足し、そして室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー
  25. 【請求項２５】室温で次の各条件式： を満足する特許請求の範囲第５項記載のオーバーライト
    可能な光磁気記録媒体。 ただし、 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 MS1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 σW:界面磁壁エネルギー Hini.:初期補助磁界
  26. 【請求項２６】光磁気記録装置に於いて、この装置が、 （ａ）少なくとも記録再生層としての垂直磁気異方性を
    有する第１層と、記録補助層としての垂直磁気異方性を
    有する第２層の２層からなり、第２層のキュリー点が第
    １層のキュリー点より高い多層光磁気記録媒体を移動さ
    せる手段； （ｂ）レーザービーム光源； （ｃ）記録すべき２値化情報に従いビーム強度を、
    （１）媒体の温度を第２層のキュリー点近傍に高める高
    レベルと、（２）媒体の温度を第１層のキュリー点近傍
    に高める低レベルとの間でパルス変調する手段； （ｄ）ビーム照射位置近傍にあって磁界を変調しない記
    録磁界印加手段； からなることを特徴とする光磁気記録装置。
  27. 【請求項２７】垂直磁気異方性を有する第１層を記録再
    生層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助層と
    し、第２層のキュリー点が第１層より高い多層光磁気記
    録媒体があったとき、 （１）前記媒体の温度を第２層のキュリー点近傍に高め
    る高レベルと、 （２）前記媒体の温度を第１層のキュリー点近傍に高め
    る低レベルと、 の間で、レーザービーム強度をパルス変調する変調装
    置。
  28. 【請求項２８】（１）上向き磁化を有するビットと下向
    き磁化を有するビットのいずれか一方のビットを形成さ
    せるのに必要な温度を光磁気記録媒体に与える高レベル
    と、 （２）他方のビットを、記録前のビット種類によらず形
    成させるのに必要な温度を前記媒体に与える低レベル
    と、 の間でレーザービームをパルス変調する変調方法。
  29. 【請求項２９】垂直磁気異方性を有する第１層を記録再
    生層とし垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助層と
    し、第２層のキュリー点が第１層より高い多層光磁気記
    録媒体があったとき、 （１）前記媒体の温度を第２層のキュリー点近傍に高め
    る高レベルと、 （２）前記媒体の温度を第１層のキュリー点近傍に高め
    る低レベルと、 の間で、レーザービーム強度をパルス変調する変調方
    法。
  30. 【請求項３０】少なくとも第１層と第２層との２層から
    なり、両層は磁気的結合をしており、第１層の磁化の向
    きはそのままに第２層の磁化を一方向に揃えることがで
    きる光磁気記録媒体であって、前記第１層に既に情報が
    記録されている光磁気記録媒体。
  31. 【請求項３１】少なくとも第１層とこれに積層した第２
    層からなり、 （３）TR＜Tc1＜Tc2 を満足する光磁気記録媒体。 ただし、 Hc1:第１層の保磁力 Hc2:第２層の保磁力 Ms1:第１層の飽和磁気モーメント MS2:第２層の飽和磁気モーメント t1 :第１層の膜厚 t2 :第２層の膜厚 TR :室温 Tc1:第１層のキュリー点 Tc2:第２層のキュリー点 σW:第１層と第２層との間の界面磁壁エネルギー
  32. 【請求項３２】特許請求の範囲第５項記載の多層光磁気
    記録媒体において、前記磁気的結合が交換結合であるこ
    とを特徴とする光磁気記録媒体。
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