JPH0786984B2 - 光磁気記録装置 - Google Patents

光磁気記録装置

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JPH0786984B2 JP63308808A JP30880888A JPH0786984B2 JP H0786984 B2 JPH0786984 B2 JP H0786984B2 JP 63308808 A JP63308808 A JP 63308808A JP 30880888 A JP30880888 A JP 30880888A JP H0786984 B2 JPH0786984 B2 JP H0786984B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光磁気記録装置に関し、特に複数の磁性層を
備えた媒体を用いて、情報の重ね書きが可能な光磁気記
録装置に関する。
[従来の技術] 近年、高密度・大容量のメモリとしてレーザ光を用いた
光メモリ素子の研究および開発が急ピッチで行なわれて
いる。中でも、光磁気記録媒体は書き換えが可能な光メ
モリ素子として大いに期待されている。このような光磁
気記録媒体は、従来の磁気ヘッドを使った磁気記録媒体
と比べて、高密度記録、非接触での記録・再生などが可
能であるという長所がある反面、記録前に一度記録部分
を消去しなければならない(一方向に着磁しなければな
らない)という問題点があった。
一方、上記の問題点を解決し、重ね書きを可能とした光
磁気記録媒体及びこの媒体に記録を行なう装置が、特開
昭62−175948号公報等で提案されている。このような光
磁気記録装置の一例を第11図に示す。
第11図は、重ね書き可能な光磁気記録装置の構成を示す
概略図である。図中、14は、重ね書き可能な光磁気ディ
スクを示す。このディスク14は、基板上に第1の磁性層
と、この第1の磁性層よりも高いキュリー温度及び低い
保磁力を有する第2の磁性層とを積層することによって
構成される。
ディスク14は、スピンドルモータ15によって回転され
る。そして、まず、初期化磁界発生手段17によって、第
2の磁性層の磁化方向が揃えられる。その後、バイアス
磁界発生手段18によって磁界が印加された状態で、ディ
スク14に光源16より記録情報に応じて零でない2つの値
の間で強度変調された光ビームを照射することによっ
て、記録がなされる。
ここで、初期化磁界発生手段17及びバイアス磁界発生手
段18は、異なる位置に設けても構わないが、ディスクを
内包したカートリッジにこれらの手段を挿入する場合等
を考慮すると、第11図のように、光ビームの照射位置に
兼用して設けた方が構成が簡単である。この場合には、
ディスク14に印加される磁界の強度分布は、第12図に示
すように、光ビームの操作方向、すなわちディスク回転
方向に沿って、光ビーム被照射部Pを中心とした丘状に
なる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、本来ならば、安定した記録を行なう為
に、バイアス磁界は初期化磁界よりも小さいのが望まし
い。従って、上記のようにこれらの発生手段を兼用して
装置では、バイアス磁界が大きすぎる為に、記録ビット
の周囲の記録温度に達していない部分までが磁化反転を
起こし、ビットの形状を乱して、記録ノイズを増大させ
る問題点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、簡単
な構成で、情報の安定した重ね書きが可能な光磁気記録
装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の上記目的は、低いキュリー点と高い保磁力を有
する第1層と、前記第1層に比べて高いキュリー点と低
い保磁力を有する第2層とを含む重ね書き可能な光磁気
媒体を回転させた状態で、初期化磁界発生手段により初
期化磁界を印加して前記第2層の磁化を一定方向に揃え
た後、バイアス磁界発生手段によりバイアス磁界が印加
された状態で記録情報に応じて零でない2つの値の間で
強度変調された光ビームを照射することにより、情報の
重ね書きを行う光磁気記録装置において、 前記バイアス磁界発生手段及び初期化磁界発生手段を兼
用した磁界発生手段を備え、 前記磁界発生手段により発生する磁界は、前記媒体の回
転方向に沿って光ビーム照射部よりも、そこから離れた
部分の方が高くなるような強度分布を持つことを特徴と
する光磁気記録装置によって達成される。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は、本発明の光磁気記録装置の一実施例を示す概
略図である。本実施例では、記録とともに、記録された
情報の再生も可能な構成を示した。図中、1は円盤状の
光磁気記録媒体(光磁気ディスク)、2はこのディスク
1を回転させるスピンドルモータ、3はディスク1に光
ビーム19を照射する光ヘッドである。光ヘッド3は半導
体レーザ等から成るレーザ光源4,コリメータレンズ5,ビ
ームスプリッタ6,対物レンズ7,センサーレンズ9,検光子
8及び光検出器10を内蔵し、不図示の機構によって、矢
印Rで示すディスク半径方向に移動する。また対物レン
ズ7は、光検出器によって周知の方法で検出される制御
信号に従って光軸方向及び光軸に垂直な方向に移動し、
所謂、オートトラッキング(AT)及びオートフオーカシ
ング(AF)を行なう。レーザ光源4は、不図示のレーザ
駆動回路によって駆動され、記録情報に応じて、零でな
い2つの値の間で強度変調された光ビーム19を射出す
る。
ディスク1を挟んで光ヘッド3と対向する位置には、R
方向にディスクの記録領域と同等の長さを有する磁界発
生手段11が設けられ、ディスク1の光ビーム19が照射さ
れる部分及びその近傍に磁界を印加する。
第2図は、上記磁界発生手段11のディスクの回転方向に
沿った断面図である。図中、12は、中央突出部12aとそ
の両側の側方突出部とを備えたヨークで、中央突出部12
aがディスク1の光ビーム照射位置に対向するように配
されている。そして、ディスク移動方向Dに、この中央
突出部12aの後方には、永久磁石13が設けられている。
また、この永久磁石13は、後方に行く程、厚さが厚いく
さび状に形成されている。これら中央突出部12a及び永
久磁石13の回りにはコイル14が巻かれている。
情報の記録時には、コイル14に電流が長され、磁界発生
手段11は、ディスク1に磁界を印加する。この際、発生
する磁界は永久磁石13の周辺で最も強くなる。従って、
ディスク1上における磁界強度分布は、第3図に示すよ
うに、ディスクの回転方向に沿って、ビーム照射位置P0
よりも、そこから離れた位置P1の方が高くなる。本発
明、この位置P1の磁界によって、後述するようにディス
クの第2磁性層の初期化を行なうものである。尚、第3
図において、横軸はディスクの回転方向に沿ったディス
ク上の位置、縦軸は磁束密度を表わす。
ここで、位置P1における初期化磁界HEの強度は、後述す
る第2磁性層の保磁力と該第2の磁性層が第1の磁性層
から受ける交換結合力との和よりも大きくする必要があ
ることから、1〜2K Oeとされるのが望ましい。一方、
位置P0におけるバイア磁界HBの強度は、0.1〜0.6K Oeの
範囲に設定されるのが好ましい。これは、磁界強度が、
0.1K Oe以下では、記録ビットの形成が不十分となり、
0.6K Oe以上では前述のように記録ノイズが増加するか
らである。
以下、本発明の装置による情報記録のプロセスを説明す
る。
第4図は、本発明に使用される光磁気記録媒体の構成例
を示す略断面図である。光磁気ディスク1は、ガラス或
いはプラスチック等から成る透光性の基板20上に、Si3N
4等の誘電体から成る下引き層21、第1磁性層22及び第
2磁性層23を順次積層して構成されている。また第2磁
性層23上には、更にSi3N4等の誘電体から成る保護層24
が形成され、接着層25を介して保護プレート26に張り合
されている。
第1磁性層22は低いキュリー温度(TL)と室温における
高い保持力(HH)を有し、第2磁性層23は高いキュリー
温度(TH)と室温における低い保磁力(HL)有する。ま
た第2の磁性層23はTLとTHとの間に補償温度(TCOMP
を有している。ここで、「高い」、「低い」とは、両磁
性層を比較した場合の相対的な関係を表わす。これらの
関係を図に示すと第5図のようになる。第5図におい
て、C1及びC2は夫々第1及び第2磁性層の特性を示す。
また、これらの磁性層は交換結合している。
通常は第1磁性層22のTLは70〜180℃、HHは、3〜15K O
e、第2磁性層23のTHは100〜400℃、HLは0.3〜2K Oe程
度の範囲内にするとよい。
各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且つ磁気光
学効果を呈するものが利用できるが、GoCo,GdFe,TbFe,D
yFe,GdTbFe,DbDyFe,TbFeCo,GdTbCo,GdTbFeCo等の希土類
元素と遷移金属元素との非晶質磁性合金が好ましい。
第6図は、前述の媒体を用いた記録の様子を示したもの
である。図中22が第1磁性層、23が第2磁性層を示す。
44a〜44gの各々は、両磁性層の磁化の状態を示す。記録
過程中、ビーム照射部から離れた位置で、保磁力HLの第
2磁性層を一方向に磁化するのに充分で保磁力HHの第1
磁性層の磁化の向きを反転させることのない大きさの初
期化磁界HEが下方に印加されていて、さらに、ビーム照
射部において第2磁性層への記録を助けるバイアス磁界
HBが下方に印加されている。
記録過程をその過程に従って説明する前に、その理解の
助けとなるように、まず、4a〜44gにより表わされる状
態の概要及び各状態間の移行過程の様子等について説明
しておく。
44aと44gは室温における2値の記録状態を示していて、
レーザー光による加熱によって、44b,44c,44dと温度が
上昇する。44bと44f,44cと44eはほぼ同じ温度での別の
状態を示している。図中、は温度に対して可逆的な磁
化過程を示し、→や←は非可逆的な磁化過程を示す。ま
た、44bと44c、あるいは44eと44fの間には、第2磁性層
の補償温度が存在する。第6図の例では、第1磁性層が
希土類格子磁化優勢であって、第2磁性層も希土類格子
磁化優勢の場合を示している。この場合には、両層間の
交換相互作用によって両層の磁化が平行な安定状態であ
り、反平行である44aが不安定状態であって、この不安
定状態44aでは界面磁壁が存在する。ただし、磁界零で
も不安定状態を保持することが可能であるように、第2
磁性層の保磁力を調整する必要がある。室温状態(44a,
44g)では保磁力の小さい第2磁性層の磁化は外部磁界H
Eによって常に図で下向きとなっている。
次に記録過程をその過程に従って説明する。44aの状態
から温度を上げると、第5図に示すように第1磁性層の
保磁力が低下し、第2磁性層の保磁力が大きくなる。す
ると、交換相互作用により両層の磁化が平行になろうと
するために、第1磁性層の磁化が反転し44bのように下
を向く。この状態から温度を下げると、磁化状態が変化
しないまま冷え、44gの状態に移る。44gの状態から温度
を上げ、44bの状態になった後、温度を下げてもやはり4
4gの状態に移る。即ち、44bの温度に相当するレーザー
パワーの印加によって、44aの状態も44gの状態もすべて
44gの状態に移る。
次に、44bの状態からさらに温度を上げ、第2磁性層の
補償温度TCOMPを越して44cの状態になると、第2磁性層
の磁化が可逆的に反転する。さらに温度を上げると第2
磁性層の保磁力が小さくなり、バイアス磁界HBにより44
dの如く反転する。この状態から温度を下げると磁化状
態が変化しないまま冷えTCOMPを越すと第2磁性層の磁
化が可逆的に反転する。その前後で、交換相互作用によ
り第1磁性層の磁化が上向きに生じ、そのまま室温にま
で冷え、第2磁性層が再び小さな保磁力となり、外部磁
界HEにより反転する。ただし、この際には第1磁性層の
保持力は大きいので、外部磁界HEによっては反転せず、
記録状態を保持している。即ち、44dの温度に相当する
レーザーパワーの印加によって44aの状態も44gの状態も
すべて44aの状態に移る。
従って、異なるレーザーパワーの印加によって異なる磁
化状態を取ることができ、即ちこれは重ね書きが実現し
たことになる。
第7図の例では第1磁性層が遷移金属副格子磁化優勢
で、第2磁性層が希土類副格子磁化優勢の場合を示して
いる。この場合には、両層間の交換相互作用によって、
両層の磁化が反平行な45aが安定状態であり、平行であ
る45gが不安定状態であって、この不安定状態45gでは界
面壁が存在する。第6図の場合と同様、45bの温度に相
当するレーザーパワーの印加によって、45aの状態も45g
の状態もすべて45aの状態に移り、45dの温度に相当する
レーザーパワーの印加によって、45aの状態も45gの状態
もすべて45gの状態に移る。従って、やはり異なるレー
ザーパワーの印加によって異なる磁化状態を取ることが
できる。即ち、これは重ね書きが実現したことになる。
第8図乃至第10図は、夫々本発明の装置に適用される磁
界発生手段の変形例を示す略断面図である。第8図の例
では、磁石27とディスク1との距離を、光ビーム19の操
作方向、すなわちディスクの回転方向に沿って、ビーム
照射部から離れるに従って、近づけることによって、第
3図の如き強度分布の磁界を得るものである。
一方、第9図の例では磁石28の形状をくさび形とし、ビ
ームの被照射部分からディスクの回転方向に離れるに従
って、くさびが厚くなるようにしている。また、第10図
のように、ディスクの回転方向に材質の異なる磁石29及
び30を接着剤で貼り合わせて並べ、ビーム照射部より
も、そこから離れた位置でより強い磁界がディスクに印
加されるようにしても良い。第10図の例では、これらの
磁石は光ヘッド側に配され、比較的弱い磁石29には、光
ビーム19が透過する孔が開けられている。また、前述の
説明では初期化磁界HEとバイアス磁界HBの方向は同一の
場合を示したが、これらの方向が反対の場合(第2の磁
性層がTLとTHの間に補償温度を有さない場合)には、第
10図のように磁石29及び30の磁極の向きを反対とすれば
良い。
本発明は、以上説明した実施例の他にも、種々の応用が
可能である。例えば、実施例では媒体の初期化を光ビー
ム照射位置の後方で行ったが、前方で行なう、即ち、デ
ィスクの回転方向にビーム照射部よりもその前方で高く
なるような強度分布を有する磁界を発生するように構成
するようにしても良い。また、媒体の形状もディスク状
に限らず、テープ状、カード状の媒体を扱う装置にも適
用が可能である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明は、重ね書き可能な光磁気
記録装置において、媒体の光ビームが照射される部分及
びその近傍に媒体の回転方向に沿ってビーム照射部より
も、そこから離れた部分の方が高くなるような強度分布
を有する磁界を印加する手段を設けることによって、安
定した記録が可能である。また、光ヘッドに近い位置で
媒体に近づけたり遠ざけたり出来る為、装置構成が簡単
で、特にカートリッジに内包された媒体を扱う装置に適
している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光磁気記録装置の一実施例を示す概略
図、第2図は第1図の装置における磁界発生手段の構成
を示す略断面図、 第3図は第1図の装置における磁界強度分布を示す図、 第4図は本発明に用いる光磁気記録媒体の構成例を示す
略断面図、 第5図は第4図の磁性層の温度による保磁力の変化を示
す図、 第6図及び第7図は夫々本発明の装置を用いた記録プロ
セスを説明する為の図、 第8図乃至第10図は夫々本発明の装置に適用される磁界
発生手段の変形例を示す略断面図、 第11図は従来の光磁気記録装置の構成を示す概略図、 第12図は第11図の装置における磁界強度分布を示す図で
ある。 1……光磁気ディスク、 2……スピンドルモータ、 3……光ヘッド、11……磁界発生手段、 12……ヨーク、13……永久磁石、 14……コイル、19……光ビーム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】低いキュリー点と高い保磁力を有する第1
    層と、前記第1層に比べて高いキュリー点と低い保磁力
    を有する第2層とを含む重ね書き可能な光磁気媒体を回
    転させた状態で、初期化磁界発生手段により初期化磁界
    を印加して前記第2層の磁化を一定方向に揃えた後、バ
    イアス磁界発生手段によりバイアス磁界が印加された状
    態で記録情報に応じて零でない2つの値の間で強度変調
    された光ビームを照射することにより、情報の重ね書き
    を行う光磁気記録装置において、 前記バイアス磁界発生手段及び初期化磁界発生手段を兼
    用した磁界発生手段を備え、 前記磁界発生手段により発生する磁界は、前記媒体の回
    転方向に沿って光ビーム照射部よりも、そこから離れた
    部分の方が高くなるような強度分布を持つことを特徴と
    する光磁気記録装置。
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