JP3505860B2 - 光磁気記録再生方法およびこれに用いる光磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は記録情報に応じて照
射する光の単位面積当たりのエネルギーを変調すること
によってデータの記録を行い、偏光されたレーザビーム
によって、磁気光学効果を用いて情報の読み出しを行
う、いわゆる光変調記録方式による光磁気記録再生方法
およびこれに用いる光磁気記録媒体に係わる。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えば従来のＩＳＯフォーマット
光磁気記録再生装置の分野においては、光源には波長が
６８０ｎｍ（赤色）のレーザダイオードを用いて、記録
容量を従来の４倍とするシステムの規格化が進み商品化
が間近になっているとともに、さらに高転送レート化や
高記録密度化の要望が高まっている。

【０００３】上述の要望の実現のためには、光源の波長
をさらに短くすることが最も効果的であり、このような
光源に対応した光磁気記録媒体の開発が急がれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、短波長
のレーザダイオードは原理的に波長が短くなるほど高出
力化が困難になるのに対して、光検出器の感度が短波長
化に伴い低下することから、短波長領域では検出器に入
射する光量を従来よりも大きく、すなわち出力を大きく
しないと充分なＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）を得ることができな
い。これに対応するために記録媒体は、記録感度を高く
して低出力でも記録できるようにする一方、再生信号出
力を大きくするために、性能指数を大きくしたり、ある
いは高い再生パワーでも記録が消去されないようにする
必要がある。しかしながら、これら記録感度の向上と再
生信号出力の向上とは、互いに相反するものである。

【０００５】このような状況において、これまでは再生
時の特性改善に注目し、例えばＰｔＣｏ系材料を用いる
ことにより、短波長域における磁気光学効果の増大を図
る等の検討が数多くなされてきた。

【０００６】しかし、短波長領域における記録材料の磁
気光学効果の増大だけでは、性能指数の向上は図ること
ができるが、高い記録感度と再生光による記録の書き換
えの抑制とが互いに相反する要因となって残り、システ
ム設計上充分なパワーマージンが得られないでいる。

【０００７】本発明はこのような点を考慮してなされた
もので、記録感度の向上かつ再生時の書き換えの防止を
ともに実現できる光磁気記録再生方法および光磁気記録
媒体を提案し、システム設計上充分なパワーマージンを
得ようとするものである。

【０００８】上述の課題を解決する目的で、特開平４−
４８４５０号公報および特開平４−６１０４９号等によ
り提案されているように、２層の磁性層を有し、基板側
の磁性層である第１の磁性層のキュリー点が室温におい
て他方の磁性層である第２の磁性層のキュリー点より低
く、また保磁力は逆に第１の磁性層の方が第２の磁性層
より高く、かつ室温で界面磁壁が安定に存在することが
可能な記録媒体を用いて、レーザ光の照射により高温に
なった部分の界面磁壁を消失させて記録磁区を安定化さ
せる光磁気記録方法が提案されている。

【０００９】ところが、上述のカー回転角は磁性層のキ
ュリー点が高いほど角度が大きくなり光磁気記録におけ
る再生信号が大きくなるため、このように基板側にキュ
リー点が低い磁性層を配置すると、キュリー点が高い磁
性層を基板側に配置した場合と比較して、再生信号強度
が小さくなってしまう。一方、キュリー点が高く保磁力
が小さい磁性層を基板側に配置した場合は大きな再生信
号強度が得られるが、基板と反対側のキュリー点が低い
磁性層に記録された磁区を転写しなければ記録情報の再
生ができないため、記録の直後にベリファイ（記録の確
認）を行うことが困難になる。このベリファイは記録密
度が高密度になるほど、記録におけるパワーマージンが
減少して書き込みに失敗する可能性が増大することか
ら、高密度になるほどその重要性が大きくなる。

【００１０】また、界面磁壁を安定に保持するために
は、通常の反射膜を用いる記録媒体と比較して磁性層の
膜厚をかなり厚く形成する必要がある。磁性層の膜厚が
厚くなると、レーザ光の吸収により磁性層が温度上昇す
る際に、磁性層全体が光の吸収により温度上昇するので
はなく、膜厚方向に熱伝導によって温度上昇するように
なる。このため磁性層の膜厚方向に温度勾配が生じ、レ
ーザ入射側の方が到達温度が高く温度分布も鋭くなる。
従って、レーザ光を照射することにより磁化の向きが反
転する磁性層はレーザ光の入射側に配置することが好ま
しく、再生信号強度を高くするために高キュリー点、低
保磁力の磁性層をレーザ入射側に設けてしまうのは好ま
しくない。

【００１１】本発明は、このような課題を解決した上
で、さらに前述のように記録感度の向上かつ再生時の書
き換えの防止をともに実現できる光磁気記録再生方法お
よび光磁気記録媒体を提案し、システム設計上充分なパ
ワーマージンを得ようとするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、光磁気記録媒
体に対して、光変調によって情報の記録がなされ、磁気
光学効果によって情報の読み出しがなされ、光磁気記録
媒体として基板上に垂直磁気異方性を有する少なくとも
第１および第２の磁性層が交換結合して積層された多層
膜構成を有してなり、第１の磁性層は、第２の磁性層よ
り基板側に形成され、第１の磁性層は、第２の磁性層に
比してキュリー点および保磁力がともに高く、膜厚およ
び磁化の大きさがともに小さい磁性層によって構成さ
れ、室温近傍の温度範囲で、外部磁界により第２の磁性
層の磁化のみを反転し界面磁壁を生じさせることがで
き、かつ界面磁壁が外部磁界を取り除いた状態で存在で
き、界面磁壁が存在する状態で、各磁性層のキュリー点
より低く室温近傍の温度範囲より高い温度まで昇温する
ことによって第１の磁性層の磁化のみを反転させて界面
磁壁を消失でき、室温近傍の温度範囲で、外部磁界の印
加によって第２の磁性層の磁化のみを反転して界面磁壁
を消失できるようになされた光磁気記録媒体が用いら
れ、光磁気記録媒体に対する情報の記録および消去を、
界面磁壁が存在する状態において、各磁性層のキュリー
点よりも低く、室温近傍の温度範囲より高い温度まで昇
温して第１の磁性層の磁化のみを反転させ界面磁壁を消
失させることによりなし、光磁気記録媒体に対する情報
記録の再生を、室温近傍の温度範囲において外部磁界の
印加によって第２の磁性層の磁化のみを反転して界面磁
壁を消失させた状態で行うことを特徴とする光磁気記録
再生方法である。

【００１３】また本発明は、基板上に垂直磁気異方性を
有する少なくとも第１および第２の磁性層が交換結合し
て積層された多層膜構成を有してなり、第１の磁性層
は、第２の磁性層より基板側に形成され、第１の磁性層
は、第２の磁性層に比してキュリー点および保磁力がと
もに高く、膜厚および磁化の大きさがともに小さい磁性
層によって構成され、室温近傍の温度範囲で、外部磁界
により第２の磁性層の磁化のみを反転し界面磁壁を生じ
させることができ、かつ界面磁壁が外部磁界を取り除い
た状態で存在でき、界面磁壁が存在する状態で、各磁性
層のキュリー点より低く室温近傍の温度範囲より高い温
度まで昇温することによって第１の磁性層の磁化のみを
反転させて界面磁壁を消失でき、室温近傍の温度範囲
で、外部磁界の印加によって上記第２の磁性層の磁化の
みを反転して界面磁壁を消失できるようになされた光磁
気記録媒体である。

【００１４】上述の本発明の構成によれば、基板上に垂
直磁気異方性を有する少なくとも第１および第２の磁性
層が交換結合して積層された多層膜構成を有してなり、
第１の磁性層は、第２の磁性層より基板側に形成され、
第１の磁性層は、第２の磁性層に比してキュリー点およ
び保磁力がともに高く、膜厚および磁化の大きさがとも
に小さい磁性層によって構成されることから、光磁気記
録媒体が次の（１）〜（３）に示す特性を有する。 （１）基板側の磁性層のキュリー点が高いため、前述の
ように再生信号強度が大きくなる。 （２）基板側の磁性層の保磁力が高いため、記録を行う
際にレーザ光の照射により磁化の向きが反転する磁性層
が基板側になり、転写を経ないで容易に記録直後のベリ
ファイを行うことができる。 （３）磁化Ｍｓと磁性層の膜厚ｈと界面磁壁エネルギー
σ_w から、Ｈｗ＝σ_w／２×Ｍｓ×ｈと表され、磁性層
に蓄えられたエネルギーに基づく実効的な磁界Ｈｗにつ
いて、Ｈｗは磁性層の膜厚ｈおよび磁化の大きさＭｓと
反比例する関係にある。従って、第１の磁性層が第２の
磁性層と比較して、膜厚と磁化の大きさがともに小さい
磁性層で構成することから、Ｈｗの値が相対的に第１の
磁性層は大きく、第２の磁性層は小さくなる（Ｈｗ１＞
Ｈｗ２）。このＨｗの値の大きさは、磁性層の磁化の反
転の際の実効的な保磁力を左右し、磁化の反転のしやす
さに影響するものである。すなわち第２の磁性層のＨｗ
の値を小さくすることから、後述するように第２の磁性
層が外部磁界の印加による反転が容易になる一方、外部
磁界が印加されていない状態では記録のための温度上昇
によっても第２の磁性層が反転しないようにできるもの
である。

【００１５】また、光磁気記録媒体の磁性層について、
室温近傍の温度範囲、すなわち通常の保管状態程度の温
度範囲で、外部磁界（第１の外部磁界）の印加により第
２の磁性層の磁化のみを反転し界面磁壁を生じさせるこ
とができ、かつ界面磁壁が外部磁界を取り除いても存在
できるようにしたことから、第１の外部磁界の印加によ
って第２の磁性層の磁化を反転させ、一方第１の磁性層
の磁化は保持されて界面磁壁を生じさせた状態とするこ
とができ、この状態を外部磁界を除去しても安定して存
在させることができる。

【００１６】光磁気記録媒体の磁性層間に界面磁壁が存
在する状態において、各磁性層のキュリー点より低く室
温近傍の温度範囲より高い温度まで昇温することによっ
て、第１の磁性層の磁化のみを反転させて界面磁壁を消
失させることができるようにしたことから、レーザ光を
照射してレーザ光の吸収により昇温させた部分の第１の
磁性層においてその磁化を反転させて、この部分の界面
磁壁を消失させることができる。ここでは、磁性層間に
生じている界面磁壁に蓄えられた界面磁壁エネルギーに
より、第１の磁性層が各磁性層のキュリー点より低い温
度で反転できる。

【００１７】さらに室温近傍の温度範囲において外部磁
界（先の第１の外部磁界とは別の第２の外部磁界）の印
加によって第２の記録層の磁化のみを反転させ界面磁壁
を消失させることができるようにしたことから、上述の
昇温させたことにより第１の磁性層の磁化を消失させた
部分以外の部分について、第２の外部磁界の印加により
第２の記録層の磁化のみを反転させて、界面磁壁を消失
させることができる。

【００１８】この界面磁壁が存在する状態において、各
磁性層のキュリー点よりも低く、室温より高い温度まで
昇温し、第１の磁性層の磁化のみを反転させて界面磁壁
を消失させることにより、情報の記録および消去を行え
ば、界面磁壁エネルギーを利用して、各磁性層のキュリ
ー点以下において記録や消去を行うことができる。

【００１９】情報記録の再生は、室温近傍の温度範囲に
おいて外部磁界、すなわち前述の第２の外部磁界の印加
によって第２の磁性層の磁化のみを反転して界面磁壁を
消失させた状態において行うことにより、この再生時に
おける記録磁区の反転温度は第２の磁性層のキュリー点
と等しくなる。上述のように、記録および消去時の記録
磁区の反転温度は第２の磁性層のキュリー点より低いこ
とから、再生時における記録磁区の反転温度を記録およ
び消去時の記録磁区の反転温度よりも高くすることがで
きる。これにより、再生時に温度上昇などに対する記録
磁区の安定化を図り、従来の場合より高い再生出力とす
ることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の概要について説明する。

【００２１】１．本発明による光磁気記録再生方法の要
点 本発明による光磁気記録再生方法の要点を、次の１）〜
３）に示す。

【００２２】１）界面磁壁エネルギーを利用して、光磁
気記録媒体のキュリー点よりも低い温度で記録および記
録の消去を可能とする。すなわち記録、消去の各プロセ
スが各磁性層のキュリー点以下で行われる。

【００２３】２）記録消去時以外は界面磁壁を無くし、
記録磁区が反転する温度を記録消去時の温度よりも高く
することによって、特に温度上昇に対する記録磁区の安
定化を図り、従来よりも高いレーザパワーで再生でき
る。このとき、消去開始パワー（最小消去パワー）より
高い再生パワーであってもよい。

【００２４】３）界面磁壁のある状態および界面磁壁の
ない状態は、レーザ照射位置近傍に設けられた外部磁界
発生装置によって得られる外部磁界、すなわち第１の前
述の外部磁界および第２の外部磁界の大きさおよび向き
によって制御される。レーザパワーの制御に比して、外
部磁界の制御に要する時間は一般に長くなる可能性が高
く、このために記録や消去の開始直前および記録や消去
の終了直後は、界面磁壁が存在している可能性が高い。
従って、これら記録や消去の直前直後の状態において
は、各種サーボ信号とプリピット情報が得られるものと
し、かつ消去開始パワー（最小消去パワー）よりも低い
再生パワーとする過程を設けることによって誤消去を防
止して、界面磁壁がなくなった時点で、あるいは記録さ
れたデータの再生が必要になった時点で、前述の相対的
に高い再生パワーとするという具合に、再生パワーを異
なる２値に制御する。

【００２５】２．本発明による光磁気記録媒体 次に本発明による光磁気記録媒体について説明する。

【００２６】図１は、上述の本発明による光磁気記録媒
体の一例の概略断面図を示す。本発明においては、少な
くとも交換結合した２つの磁性層を有する光磁気記録媒
体を構成する。図１において、この光磁気記録媒体１４
は、例えばポリカーボネート樹脂等よりなる透明な基板
１１に、例えばＳｉＮよりなる誘電体層１２、第１の磁
性層１、第２の磁性層２、誘電体層１２、例えばＡｌよ
りなる高熱伝導率層（ヒートシンク層）１３が積層され
た構造からなり、この第１の磁性層１と第２の磁性層２
とが交換結合した構造をなす。

【００２７】この図１に示したような光磁気記録媒体
は、前述の光磁気記録再生方法に適用するものであり、
次の１）〜８）に示す特徴を有するものとする。 １）垂直磁気異方性を有する２層以上の磁性層が交換結
合している磁性多層膜を有する。 ２）基板側の磁性層（第１の磁性層１）のキュリー点
を、基板と反対側の磁性層（第２の磁性層２）のキュリ
ー点より高くする。 ３）第１の磁性層１の保磁力を、第２の磁性層２の保磁
力より高くする。 ４）第１の磁性層１の膜厚を、第２の磁性層２の膜厚よ
り薄くする。 ５）第１の磁性層１の磁化の大きさを、第２の磁性層２
の磁化の大きさより小さくする。 ６）室温近傍の温度範囲で外部磁界により第２の磁性層
２の磁化のみを反転し界面磁壁を生じさせることが可能
で、かつ界面磁壁が外部磁界を取り除いても存在可能と
する。 ７）界面磁壁が存在する状態において、各磁性層のキュ
リー点より低く室温より高い温度まで昇温することによ
って、第１の磁性層１の磁化のみを反転させて界面磁壁
を消失させることができる。 ８）室温近傍の温度範囲において外部磁界によって第２
の磁性層２の磁化のみを反転し界面磁壁を消失させるこ
とが可能とする。

【００２８】これらをもとに、本発明による光磁気記録
再生方法およびこれに用いる光磁気記録媒体についてさ
らに詳しく説明する。

【００２９】本発明による光磁気記録再生方法を実施す
る装置は、例えば図２にその要部の模式図を示すよう
に、本発明構成の光磁気記録媒体によるディスク１５の
下にそれぞれ第１の外部磁界Ｈex１および第２の外部磁
界Ｈex２の印加を行う、第１の外部磁界発生装置１６ａ
および第２の外部磁界発生装置１６ｂが配置され、上方
にある光源からディスク１５上にレーザ光Ｌを照射し
て、信号の記録及び再生が行われる構成とされる。ディ
スク１５上のレーザ光Ｌの照射位置は、第１の外部磁界
発生装置１６ａと第２の外部磁界発生装置１６ｂとの間
に位置するように配置されている。

【００３０】第１の外部磁界発生装置１６ａおよび第２
の外部磁界発生装置１６ｂは、例えば永久磁石や電磁石
により構成し、印加する磁界の向きを反転させたり、印
加する磁界の大きさを変えられるようにする。永久磁石
で印加する磁界の大きさを変えるには、例えば光磁気媒
体との距離を可変できるようにすればよい。

【００３１】図３は、本発明の光磁気記録再生方法にお
ける光磁気記録媒体内の各記録消去過程の領域をＩ〜VI
の領域で示した模式図である。以下に、本発明の光磁気
記録再生方法における、最も特長的で重要な部分である
記録および消去の方法について、図３中のＩ〜VIの各領
域に対応した各磁性層の磁化の変化に基づいて説明す
る。

【００３２】図３において、ディスク１５は左方から右
方に回転進行するもので、Ｉ〜VIの各領域は次に示す過
程を表す。外部磁界発生装置すなわち第１の外部磁界発
生装置１６ａおよび第２の外部磁界発生装置１６ｂから
はそれぞれ第１の外部磁界Ｈex１（図３では下向き）、
第２の外部磁界Ｈex２（図３では上向き）が発生し、デ
ィスク１５に印加される。Ｉは初期化過程で、第１の外
部磁界発生装置１６ａからの第１の外部磁界Ｈex１が印
加され、記録の初期化がなされる。IIは初期化状態でＩ
の状態から第１の外部磁界Ｈex１が除去されるが、初期
化された状態はそのまま保持される。III は記録過程
で、レーザ光Ｌの照射により信号の記録がなされる。IV
は冷却化過程で、レーザ光Ｌの照射を終えて照射された
箇所が冷却される。Ｖは転写過程で、第２の外部磁界Ｈ
ex２の印加の下で、記録の転写がなされる。VIは安定化
過程で、第２の外部磁界Ｈex２が除去された状態で、記
録が保持されている。

【００３３】記録を消去する場合には、第１の外部磁界
Ｈex１の向きが記録する場合と反対になる。さらにIII
の記録過程が記録消去過程となり、レーザ光Ｌの照射に
より記録磁区を反転した後に冷却することにより、第２
の外部磁界Ｈex２の印加による転写は行わなくとも記録
の消去がなされる。

【００３４】本発明方法においては、光磁気記録媒体例
えばディスク１５の各磁性層の磁気特性の組み合わせに
よって多くの場合が考えられる。これらの組み合わせに
ついて詳しく述べるに先立ち、本発明の光磁気記録再生
方法に好ましいと思われる磁性層の磁気特性について説
明する。

【００３５】本発明による光磁気記録方法において、情
報の記録を行う際には、光磁気記録媒体の積層した磁性
層の間に界面磁壁が存在していなければならない。この
界面磁壁が存在する状態を実現することと、さらにこの
状態を室温近傍から記録温度領域までの範囲で安定化す
ることが必要である。

【００３６】さらに以下に本発明による光磁気記録媒体
に対して、上述の各過程で求められる特性について説明
する。

【００３７】初期化過程において、外部磁界Ｈex１によ
って反転する磁性層（以後初期化層（Ｎ層）とする）
は、記録時の磁化の方向の基準となる層であり、記録時
には初期化層Ｎの磁化方向が温度や周囲の磁界の変動に
よって変化しないことが必要である。

【００３８】従って、初期化層Ｎにおいては、記録温度
範囲（室温ＲＴ〜初期化層のキュリー点ＴｃＮ）では、
温度上昇に伴う初期化層Ｎの保磁力（ＨｃＮ）の減少の
度合いが少ないか、あるいは温度上昇により保磁力Ｈｃ
Ｎが増加することが必要である。

【００３９】一般に垂直磁気異方性を有する磁性層が、
遷移金属−希土類金属合金組成からなる場合には、磁性
層全体の磁化の向きおよび大きさは、合金内部の遷移金
属原子（ＴＭ）のスピンの向き・大きさと希土類金属原
子（ＲＥ）のスピンの向き・大きさとの関係で決定され
る。これらのスピンは、合金内での相互作用によって向
きが必ず逆になっている。従って、両スピンの大きさが
等しいときには合金外部に現れる磁化は０となり、両ス
ピンの大きさが異なるときには、合金外部に現れる磁化
の向きは、いずれか大きいスピンの向きに一致し、その
大きさは両スピンの大きさの差に等しい。

【００４０】この両スピンの大きさが異なるとき、室温
において強度の大きいスピンを有する方をとって、その
希土類金属のスピンが優勢な合金組成をＲＥｒｉｃｈ、
遷移金属のスピンが優勢な合金組成をＴＭｒｉｃｈと称
する。

【００４１】また、磁性層を構成する遷移金属−希土類
金属合金の組成によっては、室温とキュリー点との間
に、保磁力が無限大に増加してまた降下する特性を持つ
場合がある。この保磁力が無限大になる温度を補償温度
（Ｔcomp. ）と呼ぶ。この補償温度においては、希土類
金属および遷移金属それぞれの副格子磁化の大小関係で
決まる磁化の向きが、補償温度を境にして反転する特性
を有する。この補償温度においては上述の遷移金属元素
のスピンの大きさと重希土類元素のスピンの大きさが等
しくなり、合金外部に現れる磁化が０となっている特徴
を有する。

【００４２】そして補償温度は、合金中の希土類金属
（ＲＥ）の増加に伴い高くなるものであり、ＴＭｒｉｃ
ｈの組成においては、補償温度が室温以下となる。ＲＥ
ｒｉｃｈの組成においてはＲＥの比率により補償温度が
決まり、キュリー点より低い場合と、キュリー点より高
い場合（実際には補償温度がない場合）に分類される。

【００４３】ＴＭｒｉｃｈの組成においては、温度の上
昇に伴い保磁力が急激に減少する。一方、ＲＥｒｉｃｈ
の組成においては温度の上昇に伴う保磁力の減少が少な
く、補償温度がキュリー点より低い場合には補償温度に
近づくにつれて保磁力が増加する。

【００４４】以上のことから、初期化層Ｎについてその
安定性を考えた場合に、保磁力ＨｃＮが温度上昇によっ
ても急変しない、補償温度が室温以上である組成すなわ
ちＲＥｒｉｃｈの組成が好ましい。

【００４５】一方、初期化層（Ｎ層）と対向して設けら
れた磁性層（以後記録層（Ｒ層）という）は、初期化過
程および安定化過程の行われる温度範囲で磁化が反転し
なければ、その組成などを限定する必要はないが、初期
化過程および安定化過程では従来の光磁気記録の場合よ
り比較的大きな外部磁界が働くために、この磁界の下で
も安定に動作することを保証することが重要である。

【００４６】前述のように、初期化過程は界面磁壁が生
じる過程であり、安定化過程は界面磁壁が消失する過程
である。ここでそれぞれの過程で必要な外部磁界の大き
さＨex１およびＨex２は、界面磁壁エネルギーに相当す
る分だけ異なり、初期化過程の方がより大きい外部磁界
を必要とする。すなわちＨex１＞Ｈex２である。従っ
て、光磁気記録媒体が最も大きな外部磁界にさらされる
のは初期化過程であり、このとき記録層Ｒの反転を防止
し界面磁壁を安定化する組成が好ましい。

【００４７】ところで、前述した複数の垂直磁気異方性
を有する磁性層からなる積層膜を含有する光磁気記録媒
体においては、室温近傍から記録温度までの温度範囲に
おいて、それぞれの磁性層における磁化の方向が同じ向
きのときが安定であるパラレルタイプ（Ｐタイプ）と、
磁化の方向が互いに逆向きのときが安定であるアンチパ
ラレルタイプ（Ａタイプ）との２つのタイプがある。

【００４８】初期化過程で記録層Ｒの反転を防止し、界
面磁壁が外部磁界Ｈex１の存在下でより安定化するため
には、初期化層Ｎと記録層Ｒのそれぞれの磁化の向きが
反対であるとき、すなわち室温において初期化層Ｎと記
録層Ｒにおける希土類元素の副格子磁化と遷移金属元素
の副格子磁化との大小関係が互いに異なるときが安定で
ある、アンチパラレルタイプの記録媒体となる組成であ
ることが望ましい。アンチパラレルタイプの記録媒体と
なる組成であれば、初期化過程において初期化層Ｎの磁
化と記録層Ｒの磁化が共に外部磁界Ｈex１と同じ向きに
なった状態が界面磁壁が存在する状態になるため、外部
磁界Ｈex１の存在下で界面磁壁がより安定化する。

【００４９】従って、具体的には初期化層ＮがＲＥｒｉ
ｃｈの組成のときは記録層ＲをＴＭｒｉｃｈの組成に
し、初期化層ＮがＴＭｒｉｃｈの組成のときは記録層Ｒ
をＲＥｒｉｃｈの組成に選定することが好ましい。

【００５０】光磁気記録媒体上における記録層Ｒと初期
化層Ｎの配置は、保磁力の大きい方を記録層Ｒ、保磁力
の小さい方を初期化層Ｎとすることから、図１に示した
断面構成図において、第１の磁性層１が記録層Ｒで第２
の磁性層２が初期化層Ｎである構成となる。

【００５１】従って、第１の磁性層１と第２の磁性層２
において、希土類元素の副格子磁化と遷移金属元素の副
格子磁化との室温での大小関係が異なるアンチパラレル
タイプの光磁気記録媒体を構成するのが好ましいことに
なる。

【００５２】ところで、記録層Ｒの補償温度（ＴcompR
）については、記録層Ｒの保磁力ＨｃＲと記録層Ｒに
蓄えられたエネルギーに基づく実効的な磁界ＨｗＲに対
して、記 録温度領域でＨｃＲ−ＨｗＲ＞０が成立しな
ければならないので、この記録温度 領域で記録層Ｒの
補償温度（ＴcompR ）が存在するとＨｃＲ−ＨｗＲ＜０
となる温度が存在しやすくなることから、記録層Ｒにつ
いては、記録温度範囲に補償温度 （ＴcompR ）が存在
しないことが好ましい。

【００５３】また、前述のように初期化層ＮはＲＥｒｉ
ｃｈの組成が好ましいことから、初期化層ＮがＲＥｒｉ
ｃｈで記録層ＲがＴＭｒｉｃｈの組成という組み合わせ
がより好ましい組み合わせとなる。このとき第１の磁性
層１（記録層Ｒ）の補償温度は室温より低く（ＴcompR
＜ＲＴ）、第２の磁性層２（初期化層Ｎ）の補償温度は
室温より高くなる（ＴcompN ＞ＲＴ）。

【００５４】本発明に用いる光磁気記録媒体の構成は多
様であるが、ここでは媒体の構成の一例として、前述の
本発明に用いる光磁気記録媒体の特性に加えて、さらに
初期化層Ｎの補償温度がなく、記録層Ｒの補償温度が室
温より低い（ＴcompR ＜ＲＴ）場合について説明する。
図４Ａ〜図４Ｄにこの場合の各磁性層の磁気特性の温度
依存性のグラフを示す。また、図５Ａ〜図５Ｇにこの場
合の記録過程の模式図を示す。

【００５５】図４中において、ＨｗＮおよびＨｗＲは、
前述のようにそれぞれ初期化層と記録層に蓄えられたエ
ネルギーに基づく実効的な磁界を示し、各層の磁化の大
きさ、層の厚さ、および界面磁壁エネルギーに依存する
ものである。またＴthR は記録層の外部磁界がない状態
での反転開始温度を示す。

【００５６】このＨｗ（ＨｗＮ，ＨｗＲ）値は、磁化Ｍ
ｓと磁性層の膜厚ｈと界面磁壁エネルギーσ_w から、Ｈ
ｗ＝σ_w ／２×Ｍｓ×ｈと表され、これらの値Ｍｓ，
ｈ，σ _w および保磁力Ｈｃを制御することによって、あ
る程度反転開始温度ＴthR を制御することが可能であ
る。従って本発明により膜厚ｈと磁化Ｍｓの値を、第１
の磁性層１すなわち記録層Ｒが第２の磁性層２すなわち
初期化層Ｎより小さくなるように選定することにより、
ｈおよびＭｓと反比例するＨｗの値について、ＨｗＲ＞
ＨｗＮとなる。このように初期化層Ｎの膜厚ｈと磁化Ｍ
ｓの値を大きくすればＨｗＮを小さい値とすることがで
き、記録温度範囲においてＨｃＮ−ＨｗＮ＞０が成り立
ち、記録時に温度上昇によりＨｃＮ−ＨｗＮ＜０となっ
て初期化層Ｎの反転が生じる現象を防止することができ
る。また、ＨｃＮ＜ＨｃＲかつＨｗＮ＜ＨｗＲであるか
らＨｃＮ＋ＨｗＮが小さい値となるので、第１の外部磁
界Ｈex１および第２の外部磁界Ｈex２の印加による初期
化層Ｎの反転が行われやすくなる。

【００５７】またこの例では、記録層ＲがＴＭｒｉｃｈ
の組成、初期化層ＮがＲＥｒｉｃｈの組成である。この
場合の記録媒体について、第１の外部磁界Ｈex１が印加
される前の初期化を行う前の状態は、図５Ａに示すよう
に、記録層Ｒと初期化層Ｎとの間に界面磁壁がなく、磁
化Ｍｓの向きは互いに反対でアンチパラレルタイプの記
録媒体を構成し、遷移金属の副格子磁化の向きＭｔがそ
ろっている（図５Ａでは下向き）状態である。

【００５８】図５Ａ〜図５Ｇを用いて、この場合の記録
の方法について説明する。 Ｉ）初期化過程（図５Ａ→図５Ｂ） この過程は、室温ＲＴから記録層Ｒの反転温度、すなわ
ち記録消去開始温度（図４Ａおよび図４Ｂに示すＴthR
）までの温度範囲において行われ、第１の外部磁界Ｈe
x１が存在する。第１の外部磁界Ｈex１の印加により、
初期化層Ｎが反転し、磁化Ｍｓ、遷移金属の副格子磁化
Ｍｔが共に向きが反転して、図５Ｂに示すように記録層
Ｒとの間に界面磁壁Ｗが生じる。初期化のために印加さ
れる第１の外部磁界Ｈex１は、この温度範囲でＨｃＮ＋
ＨｗＮ＜Ｈex１を満たすように選定される。この場合
は、図５Ａに示すように、光磁気記録媒体が室温近傍に
おいて磁化の向きが反対である方が安定なアンチパラレ
ルタイプであるために、図５Ｂに示すように界面磁壁Ｗ
が存在する状態では、各磁性層の磁化Ｍｓの向きがいず
れも第１の外部磁界Ｈex１と同じ向きとなる。この状態
は非常に安定な状態であり、記録層Ｒが反転して界面磁
壁Ｗが消失することはない。

【００５９】II）初期化状態（図５Ｃ） IIの状態では、温度が室温ＲＴから記録層Ｒの反転温
度、すなわち記録消去開始温度（ＴthR ）までの温度範
囲にあり、第１の外部磁界Ｈex１が除去された状態であ
る。この状態では初期化を行った全ての領域で界面磁壁
Ｗが存在するが、図４Ａ〜図４Ｄからわかるように、Ｈ
ｃＮ−ＨｗＮ＞０、ＨｃＲ−ＨｗＲ＞０が成立するの
で、界面磁壁Ｗは安定して存在することができる。

【００６０】III ）記録過程（図５Ｃ→図５Ｄ） この過程は、記録媒体の温度が記録層Ｒの反転温度すな
わち記録消去開始温度（ＴthR ）近傍の範囲にあり、外
部磁界が存在しない。ここでは記録を行うために、記録
を行う箇所の記録媒体にレーザ光Ｌの照射が照射され、
記録媒体の温度が上昇する。記録媒体の温度の上昇に伴
って、図４Ｂに示すようにＨｃＲ−ＨｗＲの値が変化
し、ＴthR を越えるとＨｃＲ−ＨｗＲ＜０が成立し、記
録層Ｒの磁化Ｍｓの向きが反転し、記録が行われる。こ
の温度領域ではＨｃＮ−ＨｗＮは常に正の値となってい
るため、初期化層Ｎが反転して界面磁壁Ｗが消失するこ
とはない。

【００６１】IV）冷却過程（図５Ｄ→図５Ｅ） この過程では、III ）の過程でレーザー光Ｌの照射によ
ってＴthR 以上に昇温された部分の界面磁壁Ｗは消失
し、それ以外の部分は界面磁壁Ｗが存在しており、初期
化層Ｎ層の磁化Ｍｓは全て同じ向きのままとなってい
る。ここでは、II）の過程と同様に界面磁壁Ｗが存在す
る箇所においてＨｃＲ−ＨｗＲとＨｃＮ−ＨｗＮとが共
に正の値をとるので、界面磁壁Ｗが安定に存在できる。

【００６２】Ｖ）転写過程（図５Ｅ→図５Ｆ） この過程では、温度が室温近傍にあり、第２の外部磁界
Ｈex２が存在する。第２の外部磁界Ｈex２は、ＨｃＮ−
ＨｗＮ＜Ｈex２を満足し、向きは第１の外部磁界Ｈex１
と反対である。IV）の冷却化過程で界面磁壁Ｗが消失せ
ずに残存した部分の初期化層Ｎを、この第２の外部磁界
Ｈex２により反転させ、記録媒体上の全ての界面磁壁Ｗ
を消失させ、記録磁区を安定化させる。ただし、未記録
部分の記録層Ｒが反転することによって界面磁壁Ｗが消
失することを防止するように、ＨｃＲ−ＨｗＲ＝Ｈex２
となる温度ＴthR よりも低い温度でこの過程が行われる
必要がある。

【００６３】IV）安定化過程（図５Ｆ→図５Ｇ） この過程では第２の外部磁界Ｈex２が除去され、このと
き先の界面磁壁Ｗが消失した状態が保たれる。これによ
り記録磁区が安定化され、外部磁界が加えられない限
り、高い再生パワーを照射しても記録磁区の破壊が起こ
りにくくなる。

【００６４】記録の消去過程は、記録過程と反対の方向
に外部磁界Ｈex１を加えて、界面磁壁Ｗがある状態を実
現し、レーザ光Ｌを連続あるいはパルス照射することに
より記録の消去を行うもので、本質的には記録過程と同
じである。

【００６５】実際に図４および図５に示した例では、図
６Ａ〜図６Ｄに消去の過程の模式図を示すように記録の
消去を行う。まず、図６Ｂに示すように初期化過程にお
ける第１の外部磁界Ｈex１と向きが反対の第１の外部磁
界Ｈex１´を印加して、記録を消去したい領域の初期化
層Ｎを反転させて、この領域に界面磁壁Ｗを生じさせ
る。この後、図示しないが外部磁界Ｈex１´を除くが、
界面磁壁Ｗが生じた状態は保たれる。

【００６６】次に図６Ｃに示すように、この領域にレー
ザ光Ｌを照射して、界面磁壁エネルギーにより記録層Ｒ
を反転させ、界面磁壁Ｗを消失させる。この後はそのま
ま冷却すれば、図６Ｄに示すように図５Ａと同じ最初の
状態になり記録の消去が行われる。従って、消去の際に
は転写過程は必要としない。

【００６７】上述のＭｓ，Ｍｔ，Ｈex１およびＨex２の
向きは、これらの向きの組み合わせが合っていれば、図
５および図６に示した場合と全て逆方向である構成とし
てもよく、その場合も同様にして記録および消去が行わ
れる。

【００６８】上述の初期化過程から安定化過程までの各
過程において、初期化層Ｎおよび記録層Ｒの特性が満た
す関係式は、次の通りである。 Ｉ）初期化過程 II）初期化状態 ＨｃＮ＋ＨｗＮ＜Ｈex１かつＨｃＲ−ＨｗＲ＞Ｈex１ ＨｃＮ−ＨｗＮ＞０ が室温近傍で同時に成立していること。 III ）記録過程 ＨｃＲ−ＨｗＲ＜０かつＨｃＮ−ＨｗＮ＞０ がＴrthR＜Ｔ＜ＴｃＮで成立していること。 IV）冷却過程 ＨｃＲ−ＨｗＲ＞０かつＨｃＮ−ＨｗＮ＞０ がＲＴ＜Ｔ＜ＴrthRで成立していること。 Ｖ）転写過程 VI）安定化過程 ＨｃＮ−ＨｗＮ＜Ｈex２ ＨｃＲ−ＨｗＲ＞Ｈex２ ＨｃＮ＋ＨｗＮ＞Ｈex２ の関係が同時に成立していること。

【００６９】上述の例では記録層Ｒと初期化層Ｎとが図
４に示すような磁気特性を有する例であったが、各磁性
層が前述の本発明による光磁気記録媒体の特性を有し、
かつこの各磁性層の特性の条件を満たしていれば、同様
にして記録および記録消去ができる。

【００７０】レーザ光Ｌの照射は基板側すなわち記録層
Ｒ側から照射される。このときキュリー点の高い記録層
Ｒ側からレーザ光を照射するために、良好な再生信号が
得られることになる。

【００７１】ここまでの説明では、すべてＨｃ−Ｈｗで
表される反転磁界のみを用いて説明してきたが、各磁性
層の膜厚や磁化、保磁力の温度特性やそれらの大小関係
によっては、Ｈｃ−Ｈｗで表すことのできない過程を経
て磁化が反転する場合もある（T.Kobayashi et al.,Jap
anese Journal of Applied Physics,Vol.20,No.11,p208
9-2095(1981)参照）。しかし、この場合にも記録過程に
おいて初期化層Ｎの磁化が外部磁界Ｈexに対して同一方
向を向いてさえいれば、記録層Ｒの反転の過程によらず
正しい記録がなされる。ただし、このときの反転開始温
度は、先に説明した値とは多少異なることもある。

【００７２】

【実施例】次に、本発明の光磁気記録再生方法と光磁気
記録媒体の具体的な実施例について説明する。

【００７３】本実施例の光磁気記録媒体は、図１０にそ
の断面図を示すように、第１の磁性層２１、第２の磁性
層２２、第３の磁性層２３の異なる３つの磁性層からな
る。原理的には本発明の光磁気記録再生方法は、２つの
磁性層で実現可能であるが、２つの磁性層間にさらに中
間磁性層を付加することにより、界面磁壁エネルギーを
制御することが可能となり、記録特性や転写特性の向上
などが容易にできるものである。このような構成の光磁
気記録媒体は例えば、特開昭６３−１１７３５４号等に
開示されているように、光強度変調オーバーライト用の
記録媒体として知られているが、本発明においては記録
媒体を用いた記録再生方法が、これらの従来方法とは全
く異なり、光磁気記録媒体の基本構成は類似するが、磁
気特性や組成の最適な構成は異なるものである。特に本
発明においては、ＴｃＲ＞ＴｃＮかつＨｃＲ＞ＨｃＮで
あることが重要であり、この点において従来例とは全く
異なる記録媒体である。

【００７４】（実施例１）図７に光磁気記録媒体の模式
断面図を示すように、ポリカーボネート樹脂からなる基
板１１上にＳｉＮ膜からなる誘電体層１２を形成した上
に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、３層の磁性層
からなる磁性層３０を、第１の磁性層１（すなわち記録
層Ｒ）としてＧｄＴｂＦｅＣｏ膜を３０ｎｍの厚さに、
中間磁性層２２としてＧｄＦｅＣｏ膜を１０ｎｍの厚さ
に、第２の磁性層２（すなわち初期化層Ｎ）としてＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ膜を６０ｎｍの厚さにそれぞれ連続形成し
た。さらにその上にＳｉＮ膜からなる誘電体層１２、Ａ
ｌからなる高熱伝導率層１３を形成し光磁気記録媒体２
５を作製した。

【００７５】各磁性層３０の組成を、第１の磁性層１
（記録層Ｒ）のＧｄＴｂＦｅＣｏ膜は（Ｇｄ_0.25Ｔｂ
_0.75）_0.21（Ｆｅ_0.7 Ｃｏ_0.3 ）_0.79（キュリー点３７
０℃）、中間磁性層２２のＧｄＦｅＣｏ膜はＧｄ
_0.27（Ｆｅ_0.95Ｃｏ_0.05）_0.73（キュリー点２９０
℃）、第２の磁性層２（初期化層Ｎ）のＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ膜は（Ｇｄ _0.8 Ｔｂ_0.2 ）_0.25（Ｆｅ_0.85Ｃｏ_0.15）
_0.75（キュリー点２５０℃）としたとき、記録開始温度
（Ｔｒｔｈ）は１２０℃となった。このとき室温でのＨ
ｃＲ＋ＨｗＲの値は３．５ｋＯｅであり、ＨｃＲ−Ｈｗ
Ｒ＞０であった。また室温におけるＨｃＮ−ＨｗＮおよ
びＨｃＮ＋ＨｗＮは、２０ｋＯｅ以下の外部磁界Ｈexで
は測定できなかった。

【００７６】次に本発明の実施例との比較を行うため
の、光磁気記録媒体の例を示す。いずれの場合も磁性層
が単層である光磁気記録媒体の例である。

【００７７】（比較例１）図８に従来の光磁気記録媒体
の例の断面図を示すように、ポリカーボネート基板１１
上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、ＳｉＮ膜から
なる誘電体層１２、Ｔｂ_0.21Ｆｅ_0.79からなる磁性層２
７、ＳｉＮ膜からなる誘電体層１２、Ａｌ膜からなる高
熱伝導率層１３を順次形成し、光磁気記録媒体３５を作
製した。磁性層（ＴｂＦｅ層）２７の厚さは、前述の実
施例１における全磁性層３０の厚さと同一（１００ｎ
ｍ）とした。この光磁気記録媒体の記録開始温度は、１
３０℃で磁性層２７のＴｂ_0.21Ｆｅ _0.79のキュリー点と
ほぼ一致した。また室温での保磁力Ｈｃの値は、２０ｋ
Ｏｅ以上であった。

【００７８】（比較例２）この例は比較例１と同様に磁
性層を単層とした例である。図８に示す光磁気記録媒体
の断面図において、磁性層２７をＴｂ_0.21（Ｆｅ_{0. 7} Ｃ
ｏ_0.3 ）_0.79からなる磁性層とする外は実施例１と同様
にして光磁気記録媒体３５を作製した。磁性層２７の厚
さも比較例１と同じく、前述の実施例における全磁性層
３０の厚さと同一（８０ｎｍ）とした。この光磁気記録
媒体の記録開始温度は、２８０℃で磁性層２７のＴｂ
_0.21（Ｆｅ_0.7 Ｃｏ_0.3 ）_0.79のキュリー点とほぼ一致
した。また室温での保磁力Ｈｃの値は２０ｋＯｅ以上で
あった。

【００７９】上述の実施例と比較例１および比較例２の
それぞれの光磁気記録媒体について、次の手法で記録特
性の評価を行った。

【００８０】光源の波長が６８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５５
である光学系を有する光磁気記録再生装置を用い、線速
度１２．８ｍ／ｓでマーク長０．８２μｍの磁区を記録
する実験を行い、このときの記録開始パワーＰth（パル
ス幅４０ｎｓ）、消去開始パワーＰeth 、最大再生パワ
ーＰｒｍａｘを求めた。上述の実施例については記録消
去磁界の大きさを３．５ｋＯｅとし、各比較例について
は記録消去磁界の大きさを３００Ｏｅとした。またＰｒ
ｍａｘの測定においては、各比較例については外部磁界
を取り除いて、実施例については安定化過程を経た後に
それぞれ測定を行った。

【００８１】

【００８２】この測定の結果から、本発明を適用するこ
とにより、従来の光磁気記録媒体より高い記録感度と、
再生パワーに対する高い耐久性を有する光磁気記録媒体
とすることができることがわかった。

【００８３】また上述の実施例では界面磁壁が存在する
状態の消去開始パワーＰｅｔｈが非常に低いことから、
記録消去の準備段階である界面磁壁の生成の際に記録磁
区を誤って消去するおそれがあるため、記録ないしは消
去を行う直前および直後の一定時間内において、通常の
記録の再生時のパワーおよび最小消去パワーより低いパ
ワーで再生を行う過程を設ける必要がある。従って、界
面磁壁の有無に応じて再生パワーを異なる２値に制御す
ることが不可欠である。

【００８４】再生信号のキャリアレベルは、実施例では
比較例１より５ｄＢ以上大きい。これは実施例の場合、
各比較例よりも高いパワーで再生可能であり、また読み
出し側の磁性層（高保磁力層）のキュリー点が比較例の
場合より高くカー回転角が大きいことによるものであ
る。

【００８５】また比較例２のように、単層膜の磁性層２
７で実施例と同等の再生信号強度や再生パワーへの耐久
性を得るためには、記録感度を大きく犠牲にしなければ
なさないことがわかる。

【００８６】上述の実施例においては、各磁性層２１、
２２、２３の材料をＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏとしたが、磁性層を積層したことによ
る特性が所定の条件を満たしていれば、磁性層の材料は
限定されるものではなく、既知の光磁気記録材料、例え
ば希土類−遷移金属アモルファス合金やＰｔＣｏ系材料
等を用いてよい。また、耐食性や繰り返し記録消去に対
する信頼性を向上するために、Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ，
Ｃ等の元素を少量添加してもよい。特に良好な磁気特性
を得るためには、磁性層が希土類元素としてＧｄおよび
Ｔｂ、遷移金属元素としてＦｅおよびＣｏを含むことが
好ましい。

【００８７】基板の材料はポリカーボネート樹脂を用い
たが、ポリオレフィン等の樹脂やガラス等の材料や、ガ
ラスエッチング基板等を用いることもできる。

【００８８】尚、上述の実施例は本発明の一例であり、
本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取
り得る。

【００８９】

【発明の効果】上述の本発明によれば、高い記録感度お
よび消去感度が得られる。従って、記録パワーを低く抑
えることができ、これによって、光源としてより短波長
のレーザダイオードの使用が可能となる。また記録の安
定化が図られるので、大きな読み出しパワーでも記録の
消去がされないことから、再生出力の向上が図られる。
それにより、大きな光出力を得ることが困難な短波長の
レーザダイオードを用いた光磁気記録再生装置において
も充分な記録が可能となり、また再生パワーの向上が図
られパワーマージンを確保できる。

【００９０】また、記録時の線速が非常に速くデータ転
送レートが大きい光磁気記録再生装置においても、充分
なパワーマージンを確保できる。従って、従来より安定
して正確な光磁気記録および再生を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光磁気記録媒体の一実施例の概略
断面図である。

【図２】本発明による光磁気記録媒体を適用する光磁気
記録再生装置の要部の模式図である。

【図３】本発明の光磁気記録再生方法における光磁気記
録媒体内の各記録消去過程の領域を示す模式図である。

【図４】本発明による光磁気記録媒体の一例における各
磁性層の磁気特性の温度依存性のグラフである。

【図５】図４に示す場合の光磁気記録媒体に対する記録
の各過程の模式図である。

【図６】図４に示す場合の光磁気記録媒体に対する消去
の各過程の模式図である。

【図７】本発明による光磁気記録媒体の一実施例の断面
図である。

【図８】従来の光磁気記録媒体の例の断面図である。

【符号の説明】

１ 第１の磁性層 ２ 第２の磁性層 １１ 基板 １２ 誘電体層 １３ 高熱伝導率層 １４、２５、３５ 光磁気記録媒体 １５ ディスク １６ａ 第１の外部磁界発生装置 １６ｂ 第２の外部磁界発生装置 Ｌ レーザ光 ２２ 中間磁性層 ２７、３０ 磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/10 - 11/105

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光磁気記録媒体に対して、光変調によっ
   て情報の記録がなされ、磁気光学効果によって上記情報
   の読み出しがなされ、 上記光磁気記録媒体として、 基板上に、垂直磁気異方性を有する少なくとも第１およ
   び第２の磁性層が交換結合して積層された多層膜構成を
   有してなり、 上記第１の磁性層は、上記第２の磁性層より上記基板側
   に形成され、 上記第１の磁性層は、上記第２の磁性層に比してキュリ
   ー点および保磁力がともに高く、膜厚および磁化の大き
   さがともに小さい磁性層によって構成され、 室温近傍の温度範囲で、外部磁界により上記第２の磁性
   層の磁化のみを反転し界面磁壁を生じさせることがで
   き、かつ該界面磁壁が上記外部磁界を取り除いた状態で
   存在でき、 該界面磁壁が存在する状態で、上記各磁性層のキュリー
   点より低く上記室温近傍の温度範囲より高い温度まで昇
   温することによって上記第１の磁性層の磁化のみを反転
   させて上記界面磁壁を消失でき、 上記室温近傍の温度範囲で、外部磁界の印加によって上
   記第２の磁性層の磁化のみを反転して上記界面磁壁を消
   失できるようになされた光磁気記録媒体が用いられ、 該光磁気記録媒体に対する情報の記録および消去を、上
   記界面磁壁が存在する状態において、上記各磁性層のキ
   ュリー点よりも低く、上記室温近傍の温度範囲より高い
   温度まで昇温して上記第１の磁性層の磁化のみを反転さ
   せ上記界面磁壁を消失させることによりなし、 上記光磁気記録媒体に対する上記情報記録の再生を、上
   記室温近傍の温度範囲において外部磁界の印加によって
   上記第２の磁性層の磁化のみを反転して上記界面磁壁を
   消失させた状態で行うことを特徴とする光磁気記録再生
   方法。
2. 【請求項２】 上記記録消去を行う直前直後の一定時間
   内において、上記記録の再生時のレーザパワーおよび最
   小消去パワーより低いパワーで再生を行う過程を設ける
   ことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録再生方
   法。
3. 【請求項３】 基板上に、垂直磁気異方性を有する少な
   くとも第１および第２の磁性層が交換結合して積層され
   た多層膜構成を有してなり、 上記第１の磁性層は、上記第２の磁性層より上記基板側
   に形成され、 上記第１の磁性層は、上記第２の磁性層に比してキュリ
   ー点および保磁力がともに高く、膜厚および磁化の大き
   さがともに小さい磁性層によって構成され、 室温近傍の温度範囲で、外部磁界の印加により上記第２
   の磁性層の磁化のみを反転し界面磁壁を生じさせること
   が可能で、かつ該界面磁壁が上記外部磁界を取り除いた
   状態で存在可能でき、 該界面磁壁が存在する状態で、上記各磁性層のキュリー
   点より低く上記室温近傍の温度範囲より高い温度まで昇
   温することによって上記第１の磁性層の磁化のみを反転
   させて上記界面磁壁を消失でき、 上記室温近傍の温度範囲で、外部磁界の印加によって上
   記第２の磁性層の磁化のみを反転して上記界面磁壁を消
   失できるようになされたことを特徴とする光磁気記録媒
   体。
4. 【請求項４】 上記第１の磁性層と上記第２の磁性層と
   において、互いに室温における希土類元素の副格子磁化
   と遷移金属元素の副格子磁化との大小関係が異なること
   を特徴とする請求項３に記載の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 上記第１の磁性層の補償温度が室温より
   低く、かつ上記第２の磁性層の補償温度が室温より高い
   ことを特徴とする請求項４に記載の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 上記第１の磁性層および上記第２の磁性
   層がともに、少なくとも希土類元素としてガドリニウム
   およびテルビウムを含んでなり、遷移金属元素として鉄
   およびコバルトを含んでなることを特徴とする請求項４
   に記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 上記第１の磁性層および上記第２の磁性
   層がともに、少なくとも希土類元素としてガドリニウム
   およびテルビウムを含んでなり、遷移金属元素として鉄
   およびコバルトを含んでなることを特徴とする請求項５
   に記載の光磁気記録媒体。