JPH07161082A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH07161082A JPH07161082A JP30568793A JP30568793A JPH07161082A JP H07161082 A JPH07161082 A JP H07161082A JP 30568793 A JP30568793 A JP 30568793A JP 30568793 A JP30568793 A JP 30568793A JP H07161082 A JPH07161082 A JP H07161082A
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Abstract
ーバーライト媒体で、中間層が室温で面内磁気異方性と
垂直磁気異方性がほぼ等しくある温度で垂直磁気異方性
が優位となる光磁気記録媒体と、界面磁壁エネルギーと
漏洩磁界を用いて光変調オーバーライトする方法。 【効果】 上記構成とすることにより、光変調オーバー
ライトが行い易くなるという効果を奏する。
Description
生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光カード
等に用いられる光磁気記録媒体に関するものである。
らなる垂直磁化膜を形成させたものを記録媒体とし、以
下の方法で記録、再生するものである。
外部磁場等によって初期化し、磁化の方向を1方向(上
向き、または下向き)に揃えておく。その後、記録した
いエリアにレーザビームを照射して、媒体部分の温度を
キュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以上に加熱
し、その部分の保磁力(Hc)をゼロ、又はほとんどゼ
ロとした上で、初期化の磁化の方向と逆向きの外部磁場
(バイアス磁場)を印加して磁化の向きを反転させる。
レーザビームの照射を止めると、記録媒体は常温に戻る
ので反転した磁化は固定される。つまり、熱磁気的に情
報が記録される。
を記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面の回
転が磁化の向きに応じて回転する現象(磁気カー効果、
磁気ファラデー効果)を利用して光学的に情報の読み出
しを行う。光磁気記録方式は、書き換え可能な大容量記
憶素子として注目されているが、その記録媒体を再使用
(書き換え)をするためには、次のいずれかの方法を採
る必要がある。 (a)何らかの方法で初期化する。 (b)外部磁場発生装置を工夫してオーバーライト(消
去が不要な書き換え)を可能にする。 (c)記録媒体を工夫してオーバーライトを可能にす
る。
るいは、ヘッドが2個必要になるので、コスト高を招
く。また、1個のヘッドで書き換えを行おうとすると、
消去してから記録するので時間がかかる。このため、
(c)の方法が最も有力である。例えば、Jap.Jo
ur.Appl.Phys.,Vol.28(198
9)Suppl.28−3,pp.367−370に
は、記録層を交換結合2層膜にすれば、オーバーライト
可能な記録媒体を実現できる、と記載されている。
単に説明する。初期化においては、図6に示すように、
初期化磁場(Hinit)を印加することにより、第2磁性
層10の磁化のみを一方向(図では、下向き)に揃え
る。なお、初期化は常時、あるいは、記録時のみ行われ
る。第1磁性層9の保磁力H1は、図7のごとく、Hini
より大きいので、第1磁性層9の磁化の反転は生じな
い。記録は、記録磁場(Hw)を印加しながら、高レベ
ルIと低レベルIIに強度変調されたレーザ光を照射す
ることにより行う。高レベルIのレーザ光が照射される
と、第1磁性層9・第2磁性層10がともにキュリー点
T1、T2付近またはそれ以上となる温度THまで昇温
し、低レベルIIのレーザ光が照射されると、第1磁性
層9だけがキュリー点T1付近またはそれ以上となる温
度TLまで昇温するように、高レベルIおよび低レベル
IIは設定されている。従って、高レベルIのレーザ光
が照射されると、第2磁性層10の磁化は、Hwによ
り、図6に示すように、上向きに反転し、第1磁性層9
の磁化は冷却の過程で界面に作用する交換力により第2
磁性層10の向きと一致する。従って、第1磁性層9の
向きは上向きとなる。
ると、第2磁性層10の磁化は、Hwにより反転するこ
とはない。第1磁性層9の磁化は、上記と同様に、冷却
の過程で界面に作用する交換力により第2磁性層10の
磁化の向きと一致する。従って、第1磁性層9の磁化の
向きは、図6に示すように、下向きとなる。なお、上記
HwはHinitよりかなり小さく設定されている。また、
再生時のレーザ光の強度は、記録時の低レベルIIより
もかなり小さいレベルに設定されている。
構成では、第1・第2磁性層9・10間の界面結合力が
大きいので、非常に大きなHinitが必要となるという問
題点を有している。これはHinitを小さくするような第
1磁性層9と第2磁性層10の組み合わせでは、オーバ
ーライトが不可能になるためである。そこでHinitを小
さくするために、第1磁性層9と第2磁性層10の間に
中間層を設けて、3層構造とする改良がなされている。
特開昭63−239637号公報の場合、中間層に室温
で面内磁気異方性を示す材料を用いているが、特に高温
での第2磁性層10から第1磁性層9への磁気転写がう
まく行われないという問題点を有している。特開平2−
24801号公報の場合も、中間層に室温で面内磁気異
方性を示す材料を設けているが、第1磁性層9が室温で
希土類金属リッチであるため、HinitとHwの方向が異
なるという問題点および、初期化がうまく行われない等
の問題点を有している。
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、希土類
金属−遷移金属合金からなる第1磁性層、第2磁性層、
第3磁性層が順次形成されており、上記の第1磁性層
は、室温からキュリー点まで垂直磁気異方性が優位とな
る特性を示し、上記の第2磁性層は、第1磁性層、第3
磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温での保磁力が
ほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性と垂直磁気異方
性がほぼ等しく、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位
となる特性を示し、上記の第3磁性層は、室温からキュ
リー点まで垂直磁気異方性が優位となる特性を示し、第
1磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温での保磁力
が第1磁性層よりも低いことを特徴としている。
上記の課題を解決するために、請求項1の光磁気記録媒
体であって、第1磁性層は、キュリー点が100℃〜2
50℃、室温での保磁力が5kOe以上であり、第2磁
性層は、垂直磁気異方性を示す温度が80℃以上であ
り、第3磁性層は、キュリー点が150〜400℃であ
り、室温での保磁力が3kOe以下であることを特徴と
している。
上記の課題を解決するために、請求項2の光磁気記録媒
体であって、 第1磁性層の組成は、室温で遷移金属リ
ッチもしくは補償組成となるように設定されており、第
2磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチであり、補
償点が100℃〜250℃となるように設定されてお
り、第3磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチであ
り、補償点が100℃〜300℃となるように設定され
ており、第2磁性層の補償点が、第3磁性層の補償点よ
りも低いことを特徴としている。
上記の課題を解決するために、請求項1〜3の光磁気記
録媒体であって、第1磁性層はDyFeCoからなり、
第2磁性層はGdFeCoからなり、第3磁性層はGd
DyFeCoもしくはDyFeCoからなることを特徴
としている。
上記の課題を解決するために、請求項1〜3の光磁気記
録媒体であって、第1磁性層はDya(FebCo1-b)
1-aからなり、第2磁性層はGdc(FedCo1-d)1-c
からなり、第3磁性層は(GdeDy1-e)g(FefCo
1-f)1-gもしくは、Dyh(FeiCo1-i)1-hからな
り、a、b、c、d、e、f、g、h、iは、それぞ
れ、0.18≦a≦0.25、0.70≦b≦0.9
0、0.26≦c≦0.32、0.50≦d≦0.9
0、0.10≦e≦0.95、0.30≦f≦0.9
0、0.28≦g≦0.33、0.28≦h≦0.3
3、0.30≦i≦0.80を満足するように設定され
ていることを特徴としている。
上記の課題を解決するために、請求項1〜5の光磁気記
録媒体であって、第1磁性層の膜厚が20nm〜100
nm、第2磁性層の膜厚が5nm〜50nm、第3磁性
層の膜厚が20nm〜200nmであることを特徴とし
ている。
上記の課題を解決するために、請求項1〜6の光磁気記
録媒体であって、第1磁性層の、第2磁性層が形成され
ている面とは反対側の面に第0磁性層が形成されてお
り、上記の第0磁性層は、第1磁性層よりも高いキュリ
ー点を有し、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で
面内磁気異方性を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性
を示すことを特徴としている。
上記の課題を解決するために、請求項1〜7のいずれか
に記載の光磁気記録媒体を初期化磁場により初期化した
後、記録磁場を印加しながら、高レベルIと低レベルI
Iに強度変調されたレーザ光を照射することにより記録
する光磁気記録方法で、高レベルIのレーザ光が照射さ
れると、第3磁性層がキュリー点付近またはそれ以上と
なる温度THまで昇温し、低レベルのレーザ光が照射さ
れると、第1磁性層だけがキュリー点付近またはそれ以
上とな る温度TLまで昇温するように、高レベルIおよ
び低レベルIIは設定されており、高レベルIのレーザ
光が照射されると、記録磁場により第2磁性層・第3磁
性層に情報”1”(もしくは”0”)が記録され、さら
に冷却の過程で第1磁性層に、第1磁性層・第2磁性層
界面に作用する交換力と第2磁性層の漏洩磁界により情
報”1”(もしくは”0”)が記録され、低レベルII
のレーザ光が照射されると、第2磁性層・第3磁性層は
初期化された状態を保ち、情報”0”(もしくは”
1”)が記録され、さらに冷却の過程で第1磁性層に、
第1磁性層・第2磁性層界面に作用する交換力と第2磁
性層の漏洩磁界により情報”0”(もしくは”1”)が
記録されることを特徴としている。
性層よりも高いキュリー点をもち、室温で面内磁気異方
性と垂直磁気異方性がほぼ等しく、保磁力がほぼゼロで
あり、かつ、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位とな
る特性を示すので、室温では第1磁性層と第3磁性層の
磁気的結合が起こらず、記録時には第1磁性層と第3磁
性層の磁気的結合が起こるため、光変調オーバーライト
が可能となる。
直磁気異方性を示す温度が80℃以上であるので、記録
時の温度が80℃以上であれば第1磁性層と第3磁性層
の磁気的結合が起こる。第2磁性層のキュリー点が第1
磁性層のキュリー点以上であるので、第3磁性層に記録
された情報は必ず第1磁性層に転写される。さらに、第
3磁性層のキュリー点が150〜400℃であり、室温
での保磁力が3kOe以下であるので、初期化磁場は3
kOe以下になる。
償点をもつので、室温から補償点までは希土類金属支配
の磁化の向きを示し、補償点からキュリー点までは遷移
金属支配の磁化の向きを示す。即ち、記録時の高温で記
録された磁化の向きは室温で反転するので、初期化磁場
の向きと記録磁場の向きを同じにすることが可能となり
なる。さらに、第2磁性層の補償点が、第3磁性層の補
償点よりも低いので、記録時に第2磁性層の漏洩磁界を
利用することができ、光変調オーバーライトが行い易く
なる。
成比で室温の保磁力、磁化の向きを決定することが可能
となり、Fe/Coの比でキュリー点、補償点を決定す
ることが可能となる。
ことにより、適度なレーザパワー、初期化磁場、記録磁
場により記録することが可能となる上に、デジタル記録
に必要とされる再生信号品質を確保することが可能とな
る。
ことにより、適度なレーザパワー、初期化磁場、記録磁
場により記録することが可能となる上に、デジタル記録
に必要とされる再生信号品質を確保することが可能とな
る。
ーバーライト記録が可能となる上に、再生動作時に、第
0磁性層に光ビームが照射されると、照射された部位の
温度分布は、ほぼガウス分布になるので、光ビームの径
より小さい中心近傍領域のみの温度が上昇する。
化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。この時、第0
磁性層及び第1磁性層の2層間の交換結合力により、第
1磁性層の磁化の向きに第0磁性層の磁化の向きが従
う。温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行する
と、温度上昇部位のみが極カー効果を示すようになり、
該部位からの反射光に基づいて情報が再生される。
トを再生する時は、先の再生部位の温度は低下し、垂直
磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さな
くる。このことは、第1磁性層に記録された磁化が第0
磁性層の面内磁化によりマスクされて読み出されないと
いうことを意味している。これにより、雑音の原因とな
り、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの信号混
入がなくなる。以上の通り、所定温度以上の温度を有す
る領域のみを再生に関与させるので、従来より小さな記
録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上すること
になる。
3磁性層から第1磁性層に情報を転写、記録する時に第
1磁性層・第2磁性層界面に作用する交換力と第2磁性
層の漏洩磁界を利用するので、光変調オーバーライトが
行い易くなる。
基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施例の光
磁気記録媒体は、図1に示すように、透光性基板1上
に、透光性を有する誘電体層2と、磁性層3(第1磁性
層)と、磁性層4(第2磁性層)と、磁性層5(第3磁
性層)と、保護層6と、オーバーコート層7とを順次形
成した構成になっている。磁性層3〜5は、希土類金属
−遷移金属合金からなっている。磁性層3は、図2に示
すように、磁性層4・5と比較して、低いキュリー点
(Tc1)と、室温で高い保磁力(Hc1)を有しており、
室温からTc1まで垂直磁気異方性が優位となる特性を示
す。磁性層4は、磁性層3のTc1よりも高いキュリー点
(Tc2)と、室温で面内磁気異方性と垂直磁気異方性が
ほぼ等しい特性を示し、ほぼゼロの保磁力(Hc2)を有
しており、所定温度以上で垂直磁気異方性が優位となる
特性を示す。 磁性層5は、磁性層3のTc1よりも高い
キュリー点(Tc3)と、室温で磁性層3のHc1よりも低
い保磁力(Hc3)を有しており、室温からTc3まで垂直
磁気異方性が優位となる特性を示す。
ず、初期化が行われる。すなわち、図3に示すように、
下向きの初期化磁界(Hinit)を印加することにより、
磁性層5の磁化だけを一方向に揃える。なお、図3で
は、希土類金属の副格子磁化が遷移金属の副格子磁化よ
りも大きい、いわゆる希土類金属リッチの磁性層5にお
ける、遷移金属の副格子磁化が矢印で示されている。上
記初期化は常時、あるいは、記録時にのみに行われる。
磁性層3のHc1はHinitより大きく、磁性層4は面内磁
気異方性と垂直磁気異方性がほぼ等しい特性を示すた
め、磁性層5の磁化の向きが磁性層4を通して磁性層3
に転写されることはなく、磁性層3の磁化の反転は生じ
ない。記録は、Hinitよりかなり小さくHinitと同一方
向の記録磁界(Hw)を印加しながら、図4に示すよう
に、高レベルIと低レベルIIに強度変調されたレーザ
光を照射することにより行う。高レベルIのレーザ光が
照射されると、磁性層3・5がともにTc1、Tc3付近ま
たはそれ以上となる温度(TH)まで昇温し、低レベル
IIのレーザ光が照射されると、磁性層3だけがTc1付
近またはそれ以上となる温度(TL)まで昇温するよう
に、高レベルIと低レベルIIとが設定されている。従
って、高レベルIのレーザ光が照射されると、磁性層5
の磁化は、Hwにより上向きに反転し、冷却の過程で
は、磁性層4も垂直磁気異方性を示すので、界面に作用
する交換力により磁性層5の向きが磁性層4に転写さ
れ、さらに磁性層4の磁化の向きが、界面に作用する交
換力と磁性層4の漏洩磁界により、磁性層3に転写され
ることにより、磁性層3の磁化の向きと磁性層5の向き
が一致する。従って、磁性層3の向きは上向きになる。
ると、磁性層4の磁化は、Hw により反転することはな
い。冷却の過程では、磁性層4は垂直磁気異方性を示す
ので、上記と同様に、界面に作用する交換力により磁性
層5の向きが磁性層4に転写され、さらに磁性層4の磁
化の向きが、界面に作用する交換力と磁性層4の漏洩磁
界により、磁性層3に転写されることにより、磁性層3
の磁化の向きと磁性層5の向きが一致する。従って、磁
性層3の磁化の向きは下向きになる。 つまり、高レベ
ルIと低レベルIIのレーザ光でオーバーライトが可能
になる。 情報を再生する場合、記録時よりもかなり低
いレベルIIのレーザ光を照射し、その反射光における
偏光面の回転を検出している。
気ディスクのサンプルを示す。
径86mm、内径15mm、厚さ1.2mmの円盤状の
ガラスからなっている。基板1の片側の表面には、光ビ
ーム案内用の凹凸状のガイドトラックが反応性イオンエ
ッチング法により直接形成されている。トラックピッチ
は、1.6μm、グルーブ(凹部)の幅は0.8μm、
ランド(凸部)の幅は0.8μmであり、反応性イオン
エッチング法により、ガラスに直接形成された。基板1
のガイドトラック側の面上に、反応性スパッタリングに
より、膜厚80nmのAlNからなる誘電体層2と、D
y、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚50nmのDyFeCoからなる磁性層3と、G
d、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚50nmのGdFeCoからなる磁性層4と、G
d、Dy、Fe、Coターゲットの同時スパッタリング
により膜厚50nmのGdDyFeCoからなる磁性層
5と、膜厚80nmのAlNからなる保護層6とを積層
した。
件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力300Wであり、誘電体
層2及び保護層6の成膜時のスパッタリング条件は、到
達真空度2.0×10-4Pa以下、N2ガス圧3.0×
10-1Pa、放電電力800Wである。更に、保護層6
の上にアクリレート系紫外線硬化樹脂をコーティング
し、紫外線照射により硬化させてオーバーコート層7を
形成した。磁性層3は、Dy0.19(Fe0.86Co0.14)
0.81、遷移金属リッチ、TC1=170℃、室温でのHC1
=12kOe、磁性層4は、Gd0.28(Fe0.61Co
0.39)0.72、希土類金属リッチ、TC2≧300℃、T
COPM2=150℃、室温でのHC2〜0kOe、約80℃
で垂直磁気異方性が優位となる特性を示し、磁性層5
は、(Gd0.50Dy0.50)0.30(Fe0.72Co0.28)
0.70、希土類金属リッチ、TC3=250℃、TCOMP3=
210℃、室温でのHC3=1.5kOeである。
表1に示すように、Hinit=2.0kOe、記録磁界H
w=500Oe、高レベルIのレーザパワー(PH)=1
0mW、低レベルIIのレーザパワー(PL)=6m
W、レベルIIIの再生レーザパワー(PR)=1mW、記
録ビット長=0.78μmにて記録を行ったところ、消
し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音
比(C/N)=47dBが得られた。これに対し、従来
の2層の磁性層を有する光磁気記録媒体では、Hinit=
3.0kOeにする必要があった。また、磁性層4が室
温で面内磁気異方性が優位となる特性を示す光磁気記録
媒体、及び磁性層4の補償点が磁性層5の補償点よりも
高い光磁気記録媒体では、光変調オーバーライトはでき
るもののC/N=44dBしか得られなかった。
は、磁性層4を除いて、サンプル#1と同一である。サ
ンプル#2の磁性層4は、Gd0.26(Fe0.80C
o0.20)0.74、希土類金属リッチ、TC2≧300℃、T
COMP2=130℃、室温でのHC2〜0kOe、約60℃
で垂直磁気異方性を示す。サンプル#3の磁性層4は、
Gd0.27(Fe0.80Co0.20)0.73、希土類金属リッ
チ、TC2=290℃、TCOMP2=140℃、室温でのH
C2〜0kOe、約75℃で垂直磁気異方性を示す。サン
プル#4の磁性層4は、Gd0.27(Fe0.60Co0.40)
0.73、希土類金属リッチ、TC2≧300℃、TCOMP2=
140℃、室温でのHC2〜0kOe、約80℃で垂直磁
気異方性を示す。サンプル#5の磁性層4は、Gd0.28
(Fe0.80Co0.20)0.72、希土類金属リッチ、TC2=
280℃、TCOMP2=150℃、室温でのHC2〜0kO
e、約80℃で垂直磁気異方性を示す。
e0.90Co0.10)0.72、希土類金属リッチ、TC2=26
0℃、TCOMP2=150℃、室温でのHC2〜0kOe、
約80℃で垂直磁気異方性を示す。サンプル#7の磁性
層4は、Gd0.28(Fe0.65Co0.35)0.72、希土類金
属リッチ、TC2≧300℃、TCOMP2=150℃、室温
でのHC2〜0kOe、約80℃で垂直磁気異方性を示
す。サンプル#8の磁性層4は、Gd0.29(Fe0.80C
o0.20)0.71、希土類金属リッチ、TC2=280℃、T
COMP2=170℃、室温でのHC2〜0kOe、約120
℃で垂直磁気異方性を示す。上記サンプル#2〜#8の
いずれに対しても、表1に示す記録条件の下で、消し残
りのない光変調オーバーライトができた。
2は、磁性層3を除いて、サンプル#1と同一である。
サンプル#9の磁性層3は、Dy0.21(Fe0.84Co
0.16)0.79、遷移金属リッチ、TC1=170℃、室温で
のHC1=15kOeである。サンプル#10の磁性層3
は、Dy0.23(Fe0.84Co0.16)0.77、補償組成、T
C1=150℃、室温でのHC1≧20kOeである。サン
プル#11の磁性層3は、Dy0.23(Fe0.80C
o0.20)0.77、補償組成、TC1=165℃、室温でのH
C1≧20kOeである。サンプル#12の磁性層3は、
Dy0.19(Fe0.84Co0.16)0.81、遷移金属リッチ、
TC1=200℃、室温でのHC1=8kOeである。上記
サンプル#9〜#12のいずれに対しても、表1に示す
記録条件の下で、消し残りのない光変調オーバーライト
ができた。
26は、磁性層5を除いて、サンプル#1と同一であ
る。サンプル#13の磁性層5は、(Gd0.50D
y0.50)0.32(Fe0.70Co0.30)0.69、希土類金属リ
ッチ、TC3=230℃、TCOMP3=220℃、室温での
HC3=1.2kOeである。サンプル#14の磁性層5
は、(Gd0.50Dy0.50)0.30(Fe0.70Co0.30)
0.70、希土類金属リッチ、TC3=260℃、TCOMP3=
210℃、室温でのHC3=1.4kOeである。サンプ
ル#15の磁性層5は、(Gd0.50Dy0.50)0.30(F
e0.80Co0.20)0.70、希土類金属リッチ、TC3=25
0℃、TCOMP3=210℃、室温でのHC3=1.2kO
eである。サンプル#16の磁性層5は、(Gd0.50D
y0.50)0.30(Fe0.60Co0.40)0.70、希土類金属リ
ッチ、TC3=290℃、TCOMP3=210℃、室温での
HC3=1.2kOeである。
Dy0.50)0.30(Fe0.55Co0.45)0.70、希土類金属
リッチ、TC3=310℃、TCOMP3=210℃、室温で
のHC3=1.0kOeである。サンプル#18の磁性層
5は、(Gd0.60Dy0.40)0.30(Fe0.80Co0.20)
0.70、希土類金属リッチ、TC3=260℃、TCOMP3=
210℃、室温でのHC3=1.2kOeである。サンプ
ル#19の磁性層5は、(Gd0.70Dy0.30)0.30(F
e0.80Co0.20)0.70、希土類金属リッチ、TC3=28
0℃、TCOMP3=210℃、室温でのHC3=1.0kO
eとなる。サンプル#20の磁性層5は、(Gd0.80D
y0.20)0.30(Fe0.80Co0.20)0.70、希土類金属リ
ッチ、TC3=300℃、TCOMP3=210℃、室温での
HC3=0.8kOeとなる。サンプル#21の磁性層5
は、(Gd0.85Dy0.15)0.30(Fe0.80Co0.20)
0.70、希土類金属リッチ、TC3=310℃、TCOMP3=
220℃、室温でのHC3=0.5kOeとなる。サンプ
ル#22の磁性層5は、(Gd0.60Dy0.40)0.31(F
e0.70Co0.30)0.69、希土類金属リッチ、TC3=29
0℃、TCOMP3=230℃、室温でのHC3=1.2kO
eとなる。
0.28(Fe0.70Co0.30)0.72、希土類金属リッチ、T
C3=200℃、TCOMP3=180℃、室温でのHC3=
2.2kOeとなる。サンプル#24の磁性層5は、D
y0.28(Fe0.60Co0.40)0.72、希土類金属リッチ、
TC3=230℃、TCOMP3=185℃、室温でのHC3=
2.3kOeとなる。サンプル#25の磁性層5は、D
y0.29(Fe0.50Co0.50)0.69、希土類金属リッチ、
TC3=250℃、TCOMP3=190℃、室温でのHC3=
2.0kOeとなる。サンプル#26の磁性層5は、D
y0.30(Fe0.50Co0.50)0.70、希土類金属リッチ、
TC3=250℃、TCOMP3=190℃、室温でのHC3=
1.8kOeとなる。上記サンプル#13〜#26のい
ずれに対しても、表1に示す記録条件の下で、消し残り
のない光変調オーバーライトができた。
磁性層4の膜厚が30nmである点を除いて、サンプル
#1と同一である。上記サンプル#27に対しても、表
1に示す記録条件の下で、消し残りのない光変調オーバ
ーライトができた。また、磁性層4の膜厚をサンプル#
1の磁性層4の膜厚50nmより薄くしたので、記録パ
ルスのデューティーを40%にしても充分記録できた。
サンプル#1の記録パルスのデューティーが60%であ
ったことを考慮すると、サンプル#1よりも記録感度が
向上した。
いて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。本実施例の光磁気記録媒体は、図5に示すように、
誘電体層2と磁性層3との間に磁性層8(第0磁性層)
を設けた点で前記実施例と異なっている。上記の磁性層
8は、磁性層3よりも高いキュリー点(TC0)を有し、
室温での保磁力(HC0)がほぼゼロであり、室温で面内
磁気異方性を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性を示
す。
気ディスクのサンプルを示す。光磁気ディスクのサンプ
ル#28、#29は、前記サンプル#1の誘電体層2と
磁性層3との間に磁性層830nmを有しており、前記
実施例のサンプル#1の製法と同じ製法で作製された。
サンプル#28の磁性層8は、Gd0.25(Fe0.80Co
0.20)0.75、希土類金属リッチ、TC0=300℃、補償
点無し、室温でのHC0〜0kOe、約100℃で垂直磁
気異方性を示す。
0.25(Fe0.80Co0.20)0.75、希土類金属リッチ、T
C0=300℃、補償点無し、室温でのHC0〜0kOe、
約100℃で垂直磁気異方性を示す。上記サンプル#2
8、#29に対しても、表1に示す記録条件の下で、消
し残りのない光変調オーバーライトができた。サンプル
#28、#29のC/N(信号対雑音比)は49dBで
あった。サンプル#1のC/Nが47dBであることを
考慮すると、サンプル#1よりも信号品質が向上した。
これは、TC0>TC1に設定したので、カー回転角が大き
くなったためと考えられる。
ル#1ではC/Nが急激に低下したが、サンプル#2
8、#29ではC/Nがあまり低下しなかった。これ
は、磁性層8が室温で面内磁気異方性を示し、レベルII
Iの再生レーザパワーのレーザ光を照射すると垂直磁気
異方性を示すようになるので、短い記録ビットであって
も、隣接記録ビットからの影響を受けずに再生できるた
めと考えられる。
プル#1〜#29の基板1として、ガラスを用いたが、
これ以外にも、化学強化されたガラス、これらのガラス
基板上に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる2P
層付きガラス基板、ポリカーボネート(PC)、ポリメ
チルメタクリレート(PMMA)、アモルファスポリオ
レフィン(APO)、ポリスチレン(PS)、ポリ塩化
ビフェニール(PVC)、エポキシ等の基板1を使用す
ることが可能である。
0nmに限定されるものではない。透明誘電体層2の膜
厚は、光磁気ディスクを再生する際、磁性層3あるいは
磁性層8からの極カー回転角を光の干渉効果を利用して
増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメントを考慮
して決定される。再生時のC/Nをできるだけ大きくさ
せるには、極カー回転角を大きくさせることが必要であ
り、このため透明誘電体層2の膜厚は、極カー回転角が
最も大きくなるように設定される。
2の屈折率により変化する。 本実施例の場合は、AlN
の屈折率は2.0であるので、再生光の波長が780n
mの場合、透明誘電体層2のAlNの膜厚を30〜12
0nm程度にすると、カー効果エンハンスメントの効果
が大きくなる。尚、好ましくは透明誘電体層2のAlN
の膜厚は、70〜100nmであり、この範囲であれば
極カー回転角がほぼ最大になる。
上記透明誘電体層2の膜厚を半分(=400/780)
にすれば良い。更に、材料の違い、あるいは、製法によ
り透明誘電体層2の屈折率が上記とは異なる場合、屈折
率と膜厚を乗じた値(光路長)が同じになるように、透明
誘電体層2の膜厚を設定すれば良い。
層2の屈折率は大きいほど、その膜厚は少なくて済む。
また屈折率が大きいほど、極カー回転角のエンハンス効
果も大きくなる。
るArとN2の比率、ガス圧力等を変えることにより、
その屈折率が変わるが、おおむね1.8〜2.1程度と
屈折率が比較的大きな材料であり、透明誘電体層2の材
料として好適である。 また、透明誘電体層2は上記の
カー効果エンハンスメントだけでなく、保護層6ととも
に、磁性層3〜5、あるいは、磁性層8、3〜5の希土
類金属−遷移金属合金磁性層の酸化を防止する役割があ
る。
は、非常に酸化されやすく、特に希土類金属が酸化され
やすい。このため外部からの酸素、水分侵入を極力防止
しなければ、酸化によりその特性が著しく劣化してしま
う。そのため、サンプル#1〜#29においては、磁性
層3〜5、あるいは、磁性層8、3〜5の両側をAlN
で挟み込む形の構成を取っている。 AlNは、その成
分に酸素を含まない窒化膜であり、非常に耐湿性に優れ
た材料である。 更に、AlNは、Alターゲットを用
いて、N2ガスもしくはArとN2の混合ガスを導入して
反応性DC(直流電源)スパッタリングを行うことが可
能であり、RF(高周波)スパッタに比べて成膜速度が大
きい点でも有利である。
は、SiN、AlSiN、AlTaN、SiAlON、
TiN、TiON、BN、ZnS、TiO2、BaTi
O3、SrTiO3等が好適である。このうち、特に、S
iN、AlSiN、AlTaN、 TiN、BN、Zn
Sは、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気
ディスクを提供することができる。
のGdFeCoの組成、磁性層5のGdDyFeCoの
組成は、上記の組成に限定されるものではない。磁性層
3〜5の材料として、Gd、Tb、Dy、Ho、Ndか
ら選ばれた少なくとも1種の希土類金属とFe、Coか
ら選ばれた少なくとも1種の遷移金属からなる合金を使
用しても、同様の効果が得られる。
e、Ni、Ti、Pt、Rh、Cuのうち少なくとも1
種類の元素を添加すると、磁性層3〜5自体の耐環境性
が向上する。すなわち、水分、酸素侵入による磁性層3
〜5の酸化による特性の劣化を少なくし、長期信頼性に
優れた光磁気ディスクを提供することができる。 磁性
層3〜5の膜厚は、磁性層3〜5の材料、組成、膜厚と
の兼ね合いで決まるものである。磁性層3の膜厚は、2
0nm以上、より好ましくは30nm以上であり、あま
り厚すぎると磁性層5の情報が転写されなくなるので、
100nm以下が好適である。磁性層4の膜厚は、5n
m以上、より好ましくは10〜50nmであり、あまり
厚すぎると磁性層5の情報が転写されなくなるので、1
00nm以下が好適である。磁性層5の膜厚は、20n
m以上、より好ましくは30〜100nmであり、あま
り厚すぎると磁性層5の情報が転写されなくなるので、
200nm以下が好適である。
合、C/Nがデジタル記録再生で最低限必要とされてい
る45dBを下まわる。また、TC1が250℃を越える
場合、記録感度が悪くなる。このため、磁性層3のTC1
は100℃〜250℃が適当である。さらに、磁性層3
の室温でのHC1が5kOe未満の場合、Hinitにより一
部が初期化される恐れがある。このため、磁性層3の室
温でのHC1は5kOe以上が適当である。
0℃未満の場合、室温と、PRのレーザ光が照射された
ときの温度との間の温度で、磁性層5から磁性層4への
磁化の転写、、磁性層4から磁性層3への磁化の転写が
起こる。したがって、Hinitにより磁性層5だけでなく
磁性層3も初期化され、記録を行うことができない。こ
のため、磁性層4の垂直磁気異方性を示す温度は80℃
以上が適当である。
未満の場合、光変調オーバーライト時に磁化の転写がう
まく行われない。このため、磁性層4のTC2はTC1以上
が適当である。
LとPRとの差が小さくなるので、うまく光変調オーバー
ライトが行われない。また、TC3が400℃を越える場
合、記録感度が悪くなる。このため、磁性層5のTC3は
150℃〜400℃が適当である。さらに、磁性層5の
室温でのHC3が3kOeを越える場合、Hinitの発生装
置が大型になり、好ましくない。このため、磁性層5の
室温でのHC3は3kOe以下が適当である。
TCOMP3より低い場合、高レベルIのレーザ光の強度の
マージン、低レベルIIのレーザ光の強度のマージンが
大きくなり、さらに冷却の過程で磁性層5の情報が磁性
層4に転写され、さらに磁性層3に転写されるときに磁
性層4の漏洩磁界を利用できるので好ましい。
80nmとしたが、これに限定するものではない。保護
層6の膜厚の範囲としては、1〜200nmが好適であ
る。本実施例においては、磁性層3〜5あるいは、磁性
層3〜5・8を合わせた膜厚は100nm以上であり、
この膜厚になると光ピックアップから入射した光はほと
んど磁性層を透過しない。したがって、保護層6の膜厚
に特に制限はなく、磁性層の酸化を長期に渡って防止す
るに必要な膜厚であれば良い。酸化防止能力が低い材料
であれば膜厚を厚く、高ければ薄くすれば良い。
熱伝導率が、光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光はそのほとんどが、透明誘電体層2
を通過し、吸収膜である磁性層3〜5あるいは、磁性層
3〜5・8に吸収されて、熱に変わる。このとき、磁性
層3〜5あるいは、磁性層3〜5・8の熱が透明誘電体
層2、保護層6に熱伝導により移動する。従って、透明
誘電体層2、保護層6の熱伝導率および熱容量(比熱)
が記録感度に影響を及ぼす。
保護層6の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる(低いレーザパワーで記
録消去が行える)目的であれば保護層6の膜厚を薄くす
れば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため、記録感度
はある程度高い方が有利であり、保護層6の膜厚は薄い
方が良い。
れるので、保護層6として用いた場合、膜厚を薄くする
ことができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供する
ことができる。本実施例では、保護層6を透明誘電体層
2と同じAlNとすることで、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供でき、かつ保護層6と透明誘電体層2を同
じ材料で形成することで、生産性も向上させることがで
きる。
外に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘電
体層2の材料として用いられる、SiN、AlSiN、
AlTaN、SiAlON、TiN、TiON、BN、
ZnS、TiO2、BaTiO3、SrTiO3が好適で
ある。このうち特にSiN、AlSiN、AlTaN、
TiN、BN、ZnSは、その成分に酸素を含まず、
耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供することができ
る。
は、一般に片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層2、磁
性層3〜5(あるいは、磁性層3〜5・8)、保護層6
の薄膜部分を総じて記録媒体層と称することにすると、
片面タイプの光磁気ディスクは、基板1、記録媒体層、
オーバーコート層7の構造となる。これに対して、基板
1の上に記録媒体層を形成したものを2枚、記録媒体層
が対向するように接着層で接着した光磁気ディスクは、
両面タイプと呼ばれている。
系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱及び嫌気
性の3タイプの硬化機能が組み合わされたものであり、
紫外線が透過しない記録媒体の影になる部分の硬化が、
熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるという利点を持
っており、極めて高い耐湿性を有し長期安定性に極めて
優れた光磁気ディスクを提供することができる。
厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求される記録
再生装置に有利である。両面タイプは、両面再生が可能
なため、例えば大容量を要求される記録再生装置に有利
である。
光磁気ディスクを例に説明したが、光磁気テープ、光磁
気カードにも本発明を応用できる。
媒体は、以上のように、希土類金属−遷移金属合金から
なる第1磁性層、第2磁性層、第3磁性層順次形成され
ており、上記の第1磁性層は、室温からキュリー点まで
垂直磁気異方性が優位となる特性を示し、上記の第2磁
性層は、第1磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温
での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性と
垂直磁気異方性がほぼ等しく、所定温度以上で垂直磁気
異方性が優位となる特性を示し、上記の第3磁性層は、
室温からキュリー点まで垂直磁気異方性が優位となるを
示し、第1磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温で
の保磁力が第1磁性層よりも低い構成である。
層の磁気的結合が起こらず、記録時には第1磁性層と第
3磁性層の磁気的結合が起こるため、光変調オーバーラ
イトが可能となるという効果を奏する。
以上のように、請求項1の光磁気記録媒体であって、第
1磁性層は、キュリー点が100℃〜250℃、室温で
の保磁力が5kOe以上であり、第2磁性層は、垂直磁
気異方性を示す温度が80℃以上であり、第3磁性層
は、キュリー点が150〜400℃であり、室温での保
磁力が3kOe以下である構成である。
れば第1磁性層と第3磁性層の磁気的結合が起こる。第
2磁性層のキュリー点が第1磁性層のキュリー点以上で
あるので、第3磁性層に記録された情報は必ず第1磁性
層に転写される。さらに、第3磁性層のキュリー点が1
50〜400℃であり、室温での保磁力が3kOe以下
であるので、初期化磁場は3kOe以下になるという効
果を奏する。 請求項3の発明に係る光磁気記録媒体
は、以上のように、請求項2の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層の組成は、室温で遷移金属リッチもしく
は補償組成となるように設定されており、第2磁性層の
組成は、室温で希土類金属リッチであり、補償点が10
0℃〜250℃となるように設定されており、第3磁性
層の組成は、室温で希土類金属リッチであり、補償点が
100℃〜300℃となるように設定され、さらに、第
2磁性層の補償点は、第3磁性層の補償点以下であるい
る構成である。
までは希土類金属支配の磁化の向きを示し、補償点から
キュリー点までは遷移金属支配の磁化の向きを示す。即
ち、記録された磁化の向きは室温で反転するので、初期
化磁場の向きと記録磁場の向きを同じにすることが可能
となるという効果を奏する。さらに、第2磁性層の補償
点が、第3磁性層の補償点以下であるため、光変調オー
バーライトを行い易いという効果を奏する。
以上のように、請求項1〜3の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層はDyFeCoからなり、第2磁性層は
GdFeCoからなり、第3磁性層はGdDyFeCo
もしくはDyFeCoからなる構成である。
磁力、磁化の向きを決定することが可能となり、Fe/
Coの比でキュリー点、補償点を決定することが可能と
なるという効果を奏する。
以上のように、請求項1〜3の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層はDya(FebCo1-b)1-aからなり、
第2磁性層はGdc(FedCo1-d)1-cからなり、第3
磁性層は(GdeDy1-e)g(FefCo1-f)1-gもしく
は、Dyh(FeiCo1-i)1-hからなり、a、b、c、
d、e、f、g、h、iは、それぞれ、0.18≦a≦
0.25、0.70≦b≦0.90、0.26≦c≦
0.32、0.50≦d≦0.90、0.10≦e≦
0.95、0.30≦f≦0.90、0.28≦g≦
0.33、0.28≦h≦0.33、0.30≦i≦
0.80を満足するように設定されている構成である。
場、記録磁場により記録することが可能となる上に、デ
ジタル記録に必要とされる再生信号品質を確保すること
が可能となるという効果を奏する。
以上のように、請求項1〜5の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層の膜厚が20nm〜100nm、第2磁
性層の膜厚が5nm〜50nm、第3磁性層の膜厚が2
0nm〜200nmである構成である。
場、記録磁場により記録することが可能となる上に、デ
ジタル記録に必要とされる再生信号品質を確保すること
が可能となるという効果を奏する。
以上のように、請求項1〜6の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層の、第2磁性層が形成されている面とは
反対側の面に第0磁性層が形成されており、上記の第0
磁性層は、第1磁性層よりも高いキュリー点を有し、室
温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性
を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性を示す構成であ
る。
録が可能となる上に、再生動作時に、雑音の原因とな
り、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの信号混
入がなくなる。したがって、従来より小さな記録ビット
の再生が行え、記録密度は著しく向上するという効果を
奏する。
以上のように、請求項1〜7の光磁気記録媒体を初期化
磁場により初期化した後、記録磁場を印加しながら、高
レベルIと低レベルIIに強度変調されたレーザ光を照
射することにより記録する光磁気記録方法で、高レベル
Iのレーザ光が照射されると、第3磁性層がキュリー点
付近またはそれ以上となる温度THまで昇温し、低レベ
ルIIのレーザ光が照射されると、第1磁性層だけがキ
ュリー点付近またはそれ以上となる温度TLまで昇温す
るように、高レベルIおよび低レベルIIは設定されて
おり、高レベルIのレーザ光が照射されると、記録磁場
により第2磁性層・第3磁性層に情報”1”(もしく
は”0”)が記録され、さらに冷却の過程で第1磁性層
に、第1磁性層・第2磁性層界面に作用する交換力と第
2磁性層の漏洩磁界により情報”1”(もしくは”
0”)が記録され、低レベルIIのレーザ光が照射され
ると、第2磁性層・第3磁性層は初期化された状態を保
ち、情報”0”(もしくは”1”)が記録され、さらに
冷却の過程で第1磁性層に、第1磁性層・第2磁性層界
面に作用する交換力と第2磁性層の漏洩磁界により情
報”0”(もしくは”1”)が記録される構成である。
それゆえ、第2磁性層・第3磁性層から第1磁性層に
情報を転写、記録する時に第1磁性層・第2磁性層界面
に作用する交換力と第2磁性層の漏洩磁界を利用するの
で、光変調オーバーライトが行い易くなるという効果を
奏する。
は、以上のように、希土類金属−遷移金属合金からなる
第1磁性層、第2磁性層、第3磁性層順次形成されてお
り、上記の第1磁性層は、室温からキュリー点まで垂直
磁気異方性が優位となる特性を示し、上記の第2磁性層
は、第1磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温での
保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性と垂直
磁気異方性がほぼ等しく、所定温度以上で垂直磁気異方
性が優位となる特性を示し、上記の第3磁性層は、室温
からキュリー点まで垂直磁気異方性が優位となるを示
し、第1磁性層よりも高いキュリー点を有し、室温での
保磁力が第1磁性層よりも低い構成である。それゆえ、
室温では第1磁性層と第3磁性層の磁気的結合が起こら
ず、記録時には第1磁性層と第3磁性層の磁気的結合が
起こるため、光変調オーバーライトが可能となるという
効果を奏する。
以上のように、請求項1の光磁気記録媒体であって、第
1磁性層は、キュリー点が100℃〜250℃、室温で
の保磁力が5kOe以上であり、第2磁性層は、垂直磁
気異方性を示す温度が80℃以上であり、第3磁性層
は、キュリー点が150〜400℃であり、室温での保
磁力が3kOe以下である構成である。それゆえ、記録
時の温度が80℃以上であれば第1磁性層と第3磁性層
の磁気的結合が起こる。第2磁性層のキュリー点が第1
磁性層のキュリー点以上であるので、第3磁性層に記録
された情報は必ず第1磁性層に転写される。さらに、第
3磁性層のキュリー点が150〜400℃であり、室温
での保磁力が3kOe以下であるので、初期化磁場は3
kOe以下になるという効果を奏する。
以上のように、請求項2の光磁気記録媒体であって、第
1磁性層の組成は、室温で遷移金属リッチもしくは補償
組成となるように設定されており、第2磁性層の組成
は、室温で希土類金属リッチであり、補償点が100℃
〜250℃となるように設定されており、第3磁性層の
組成は、室温で希土類金属リッチであり、補償点が10
0℃〜300℃となるように設定され、さらに、第2磁
性層の補償点は、第3磁性層の補償点以下であるいる構
成である。それゆえ、第3磁性層は、室温から補償点ま
では希土類金属支配の磁化の向きを示し、補償点からキ
ュリー点までは遷移金属支配の磁化の向きを示す。即
ち、記録された磁化の向きは室温で反転するので、初期
化磁場の向きと記録磁場の向きを同じにすることが可能
となるという効果を奏する。さらに、第2磁性層の補償
点が、第3磁性層の補償点以下であるため、光変調オー
バーライトを行い易いという効果を奏する。
以上のように、請求項1〜3の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層はDyFeCoからなり、第2磁性層は
GdFeCoからなり、第3磁性層はGdDyFeCo
もしくはDyFeCoからなる構成である。それゆえ、
希土類金属の組成比で室温の保磁力、磁化の向きを決定
することが可能となり、Fe/Coの比でキュリー点、
補償点を決定することが可能となるという効果を奏す
る。
以上のように、請求項1〜3の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層はDya(FebCo1-b)1-aからなり、
第2磁性層はGdc(FedCo1-d)1-cからなり、第3
磁性層は(GdeDy1-e)g(FefCo1-f)1-gもしく
は、Dyh(FeiCo1-i)1-hからなり、a、b、c、
d、e、f、g、h、iは、それぞれ、0.18≦a≦
0.25、0.70≦b≦0.90、0.26≦c≦
0.32、0.50≦d≦0.90、0.10≦e≦
0.95、0.30≦f≦0.90、0.28≦g≦
0.33、0.28≦h≦0.33、0.30≦i≦
0.80を満足するように設定されている構成である。
それゆえ、適度なレーザパワー、初期化磁場、記録磁場
により記録することが可能となる上に、デジタル記録に
必要とされる再生信号品質を確保することが可能となる
という効果を奏する。
以上のように、請求項1〜5の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層の膜厚が20nm〜100nm、第2磁
性層の膜厚が5nm〜50nm、第3磁性層の膜厚が2
0nm〜200nmである構成である。それゆえ、適度
なレーザパワー、初期化磁場、記録磁場により記録する
ことが可能となる上に、デジタル記録に必要とされる再
生信号品質を確保することが可能となるという効果を奏
する。
以上のように、請求項1〜6の光磁気記録媒体であっ
て、第1磁性層の、第2磁性層が形成されている面とは
反対側の面に第0磁性層が形成されており、上記の第0
磁性層は、第1磁性層よりも高いキュリー点を有し、室
温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方性
を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性を示す構成であ
る。それゆえ、上記の光変調オーバーライト記録が可能
となる上に、再生動作時に、雑音の原因となり、再生の
分解能を低下させる隣接ビットからの信号混入がなくな
る。したがって、従来より小さな記録ビットの再生が行
え、記録密度は著しく向上するという効果を奏する。
以上のように、請求項1〜7の光磁気記録媒体を初期化
磁場により初期化した後、記録磁場を印加しながら、高
レベルIと低レベルIIに強度変調されたレーザ光を照
射することにより記録する光磁気記録方法で、高レベル
Iのレーザ光が照射されると、第3磁性層がキュリー点
付近またはそれ以上となる温度THまで昇温し、低レベ
ルIIのレーザ光が照射されると、第1磁性層だけがキ
ュリー点付近またはそれ以上となる温度TLまで昇温す
るように、高レベルIおよび低レベルIIは設定されて
おり、高レベルIのレーザ光が照射されると、記録磁場
により第2磁性層・第3磁性層に情報”1”(もしく
は”0”)が記録され、さらに冷却の過程で第1磁性層
に、第1磁性層・第2磁性層界面に作用する交換力と第
2磁性層の漏洩磁界により情報”1”(もしくは”
0”)が記録され、低レベルIIのレーザ光が照射され
ると、第2磁性層・第3磁性層は初期化された状態を保
ち、情報”0”(もしくは”1”)が記録され、さらに
冷却の過程で第1磁性層に、第1磁性層・第2磁性層界
面に作用する交換力と第2磁性層の漏洩磁界により情
報”0”(もしくは”1”)が記録される構成である。
それゆえ、第2磁性層・第3磁性層から第1磁性層に情
報を転写、記録する時に第1磁性層・第2磁性層界面に
作用する交換力と第2磁性層の漏洩磁界を利用するの
で、光変調オーバーライトが行い易くなるという効果を
奏する。
構成を示す断面図である。
力の温度依存性を示す説明図である。
示す説明図である。
強度を示す説明図である。
略の構成を示す断面図である。
示す説明図である。
力の温度依存性を示す説明図である。
Claims (8)
- 【請求項1】希土類金属−遷移金属合金からなる第1磁
性層、第2磁性層、第3磁性層が順次形成されており、 上記の第1磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁気
異方性が優位となる特性を示し、上記の第2磁性層は、
第1磁性層、第3磁性層よりも高いキュリー点を有し、
室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁気異方
性と垂直磁気異方性がほぼ等しく、所定温度以上で垂直
磁気異方性が優位となる特性を示し、上記の第3磁性層
は、室温からキュリー点まで垂直磁気異方性が優位とな
る特性を示し、第1磁性層よりも高いキュリー点を有
し、室温での保磁力が第1磁性層よりも低いことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項2】第1磁性層は、キュリー点が100℃〜2
50℃、室温での保磁力が5kOe以上であり、第2磁
性層は、垂直磁気異方性を示す温度が80℃以上であ
り、第3磁性層は、キュリー点が150〜400℃であ
り、室温での保磁力が3kOe以下であることを特徴と
する請求項1記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項3】第1磁性層の組成は、室温で遷移金属リッ
チもしくは補償組成となるように設定されており、第2
磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチであり、補償
点が100℃〜250℃となるように設定されており、
第3磁性層の組成は、室温で希土類金属リッチであり、
補償点が100℃〜300℃となるように設定されてお
り、第2磁性層の補償点が、第3磁性層の補償点よりも
低いことを特徴とする請求項2記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項4】第1磁性層はDyFeCoからなり、第2
磁性層はGdFeCoからなり、第3磁性層はGdDy
FeCoもしくはDyFeCoからなることを特徴とす
る請求項1、2、又は3に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項5】第1磁性層はDya(FebCo1-b)1-aか
らなり、第2磁性層はGdc(FedCo1-d)1-cからな
り、第3磁性層は(GdeDy1-e)g(FefCo1-f)
1-gもしくは、Dyh(FeiCo1-i)1-hからなり、
a、b、c、d、e、f、g、h、iは、それぞれ、
0.18≦a≦0.25、0.70≦b≦0.90、
0.26≦c≦0.32、0.50≦d≦0.90、
0.10≦e≦0.95、0.30≦f≦0.90、
0.28≦g≦0.33、0.28≦h≦0.33、
0.30≦i≦0.80を満足するように設定されてい
ることを特徴とする請求項1、2、又は3に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項6】第1磁性層の膜厚が20nm〜100n
m、第2磁性層の膜厚が5nm〜50nm、第3磁性層
の膜厚が20nm〜200nmであることを特徴とする
請求項1、2、3、4、又は5に記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項7】第1磁性層の、第2磁性層が形成されてい
る面とは反対側の面に第0磁性層が形成されており、 上記の第0磁性層は、第1磁性層よりも高いキュリー点
を有し、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内
磁気異方性を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性を示
すことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、又は6
に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項8】請求項1、2、3、4、5、6、又は7に
記載の光磁気記録媒体を初期化磁場により初期化した
後、記録磁場を印加しながら、高レベルIと低レベルI
Iに強度変調されたレーザ光を照射することにより記録
する光磁気記録方法で、 高レベルIのレーザ光が照射されると、第3磁性層がキ
ュリー点付近またはそれ以上となる温度THまで昇温
し、低レベルIIのレーザ光が照射されると、第1磁性
層だけがキュリー点付近またはそれ以上となる温度TL
まで昇温するように、高レベルIおよび低レベルIIは
設定されており、 高レベルIのレーザ光が照射されると、記録磁場により
第2磁性層・第3磁性層に情報”1”(もしくは”
0”)が記録され、さらに冷却の過程で第1磁性層に、
第1磁性層・第2磁性層界面に作用する交換力と第2磁
性層の漏洩磁界により情報”1”(もしくは”0”)が
記録され、 低レベルIIのレーザ光が照射されると、第2磁性層・
第3磁性層は初期化された状態を保ち、情報”0”(も
しくは”1”)が記録され、さらに冷却の過程で第1磁
性層に、第1磁性層・第2磁性層界面に作用する交換力
と第2磁性層の漏洩磁界により情報”0”(もしくは”
1”)が記録されることを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30568793A JP3192302B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 光磁気記録媒体及びその記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30568793A JP3192302B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 光磁気記録媒体及びその記録方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07161082A true JPH07161082A (ja) | 1995-06-23 |
JP3192302B2 JP3192302B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=17948155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30568793A Expired - Fee Related JP3192302B2 (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | 光磁気記録媒体及びその記録方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3192302B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5936916A (en) * | 1995-12-19 | 1999-08-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium with multiple magnetic layers and methods related thereto |
US5945228A (en) * | 1996-04-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and method for reproducing thereof |
US5982713A (en) * | 1995-10-23 | 1999-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
-
1993
- 1993-12-07 JP JP30568793A patent/JP3192302B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5982713A (en) * | 1995-10-23 | 1999-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
US5936916A (en) * | 1995-12-19 | 1999-08-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium with multiple magnetic layers and methods related thereto |
US5945228A (en) * | 1996-04-23 | 1999-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and method for reproducing thereof |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3192302B2 (ja) | 2001-07-23 |
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