JP3272539B2

JP3272539B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP3272539B2
Application number: JP10994894A
Authority: JP
Inventors: 純一郎中山; 理伸三枝; 博之片山; 順司広兼; 明高橋; 賢司太田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-05-24
Filing date: 1994-05-24
Publication date: 2002-04-08
Anticipated expiration: 2017-04-08
Also published as: JPH07320315A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディス
ク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁性体からなる垂直磁化膜が情報の記録
層として基板上に設けられた光磁気ディスクでは、以下
の方法で情報の記録・再生が行われる。記録の際には、
まず、強力な外部磁場によって記録層の磁化の方向を一
方向（上向き、または下向き）に揃えて初期化した後、
記録したいエリアにレーザ光を照射し、照射部分の温度
を記録層のキュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以
上の温度まで昇温させる。これにより、その部分の保磁
力をゼロ、または、ほとんどゼロとした上で、初期化時
とは逆向きの外部磁場（バイアス磁場）を印加して磁化
の向きを反転させる。レーザ光の照射を止めると記録層
の温度は常温に戻るので、反転した磁化が固定される。
このようにして、情報が熱磁気的に記録される。

【０００３】再生の際には、直線偏光したレーザ光をデ
ィスクに照射し、その反射光や透過光の偏光面が記録層
の磁化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁
気ファラデー効果）を利用して、光学的な情報の読み出
しが行われる。

【０００４】一方、上記のような光磁気記録方式で情報
の記録が行われる光磁気ディスクは、書き換え可能な大
容量記憶素子としても注目されているが、この場合に、
比較的強度の小さな初期化磁界により初期化を行った
後、記録磁界を印加しながら光強度を変調して情報の書
き換えを行い得る光磁気ディスク、いわゆる光変調オー
バーライト可能な光磁気ディスクとして、記録層を交換
結合二層膜で構成したものが従来提案されている。

【０００５】さらに、特公平５−２２３０３号公報に
は、初期化磁界をより小さくし、かつ、記録ビットの安
定性を向上するために、図８に示すように、第１〜第３
磁性層１１・１２・１３の三層の磁性層を設けて構成し
た光磁気ディスクが開示されている。記録層としての第
１磁性層１１、および、記録補助層としての第３磁性層
１３は、それぞれ室温から各キュリー点まで垂直磁化を
示す一方、両層１１・１３間に設けられた中間層として
の第２磁性層１２は、室温で面内磁化を示すと共に温度
の上昇に伴って垂直磁化を示す特性を備えている。ま
た、図９に示すように、第３磁性層１３は、その室温で
の保磁力Ｈ_Lが第１磁性層１１の保磁力Ｈ_Hよりも小さ
く、キュリー点Ｔ_Hは、第１磁性層１１のキュリー点Ｔ
_Lよりも高いものが選定されている。なお、図示しては
いないが、第２磁性層１２は、そのキュリー点Ｔ_Mが、
第１・第３磁性層１１・１３の各キュリー点Ｔ_L・Ｔ_H
の間のものが選定されている。

【０００６】上記構成の光磁気ディスクにおけるオーバ
ーライトの手順につき簡単に説明すると、図８に示すよ
うに、まず、室温状態で、第１・第３磁性層１１・１３
の各室温での保磁力Ｈ_H・Ｈ_Lの間の大きさの初期化磁
界Ｈ_initが印加される。これにより、第１磁性層１１は
それまでの磁化方向のまま保持され、第３磁性層１３の
磁化のみが初期化磁界Ｈ_initに沿って一方向に揃えられ
る。なお、同図において、各磁性層１１〜１３中の矢印
は、各磁性層１１〜１３における遷移金属副格子磁化の
方向を示している。

【０００７】このとき、第２磁性層１２は室温で面内磁
化を示すため、第１磁性層１１と第３磁性層１３との磁
気的結合力（交換力）による結合を妨げ、これにより、
初期化磁界Ｈ_initの大きさをより小さくして、上記のよ
うに第３磁性層１３の磁化方向のみを一方向に揃えるこ
とが可能となっている。

【０００８】次いで、初期化磁界Ｈ_initよりも小さく、
かつ、方向が反対の記録磁界Ｈ_wを印加しながら、記録
しようとする情報に応じて高レベルＩと低レベルIIに強
度変調されたレーザ光が照射される。

【０００９】高レベルＩのレーザ光が照射されると、照
射部分は、第１・第２磁性層１１・１２のキュリー点Ｔ
_L・Ｔ_Mを超え、第３磁性層１３のキュリー点Ｔ_H付近
となる温度まで上昇する。これにより、第３磁性層１３
の磁化は、記録磁界Ｈ_wに沿って反転し、そして、室温
へと降温する過程で、垂直磁化を示す第２磁性層１２
に、第３磁性層１３の磁化方向が界面に作用する交換力
により転写され、さらに第１磁性層１１に転写される。

【００１０】一方、低レベルIIのレーザ光が照射される
と、照射部分は第１磁性層１１のキュリー点Ｔ_L付近の
温度までしか昇温せず、このとき、第３磁性層１３は、
その保磁力が記録磁界Ｈ_wより大きいために、その磁化
方向の反転は生じず、初期化時の磁化方向で保持され
る。そして、室温へと降温する過程で、上記と同様に、
界面に作用する交換力により、第３磁性層１３の磁化の
方向が、第２磁性層１２を介して第１磁性層１１に転写
される。

【００１１】このような手順にて、強度変調されたレー
ザ光に応じた新たな記録情報が、第１磁性層１１に書き
込まれる。なお、記録情報の再生は、上記した低レベル
IIよりもさらに小さいレベルに強度設定されたレーザ光
を照射することによって行われる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
光磁気ディスクは、温度の上昇に伴って面内磁化から垂
直磁化を示す第２磁性層１２のキュリー点Ｔ_Mと、第１
・第３磁性層１１・１３の各キュリー点Ｔ_L・Ｔ_Hと
が、Ｔ_L＜Ｔ_M＜Ｔ_Hとなる関係を有するように構成さ
れているために、Ｔ_MをＴ_Hに近づけて構成した場合、
円滑な光変調オーバーライトができなくなるという問題
を有している。

【００１３】つまり、再生時に直線偏光したレーザ光を
照射した場合のカー回転角等がより大きくなるようにし
て再生信号特性を向上するためには、第１磁性層１１と
してそのキュリー点Ｔ_Lの高いものを選定することが有
効である。このとき、上記の関係を満足するような第２
磁性層１２を選定すると、そのキュリー点Ｔ_Mが第３磁
性層１３のキュリー点Ｔ_Hに近づいたものとなる。実
際、上記公報記載の光磁気ディスクでは、例えば第３磁
性層１３のキュリー点Ｔ_H＝１８０℃に対し、第２磁性
層１２のキュリー点Ｔ_M＝１７０℃とした構成が例示さ
れている（特公平５−２２３０３号公報第９欄第４２行
〜第１０欄第１２行参照）。

【００１４】このようにＴ_HとＴ_Mとが互いに接近して
いる構成では、Ｔ_H付近となる温度まで上昇させようと
して前記高レベルＩのレーザ光を照射したときに、例え
ば雰囲気温度の変化等に応じた昇温温度のばらつきによ
り、第２磁性層１２のキュリー点Ｔ_M以下の温度状態
で、第３磁性層１３の磁化を記録磁界Ｈ_wに沿って反転
させることが必要な状態となる。このとき、第２磁性層
１２は垂直磁化を示すので、この第２磁性層１２からの
交換力が第３磁性層１３に作用し、このため、第３磁性
層１３における保磁力のみを見込んで設定した記録磁界
Ｈ_wでは、第３磁性層１３の磁化方向の反転が確実には
生じないおそれがある。この結果、上記したように、光
変調オーバーライトが円滑には行われないものとなって
しまう。

【００１５】本発明は、上記した従来の問題点に鑑みな
されたものであり、その目的は、光変調オーバーライト
をより円滑に行うことが可能であり、また、再生信号特
性を向上することができると共に、さらに、作製の容易
な光磁気記録媒体を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１記載の光磁気記録媒体は、室温
からキュリー点まで垂直磁化を示す記録層と、室温から
キュリー点まで垂直磁化を示すと共に室温での保磁力が
記録層よりも小さく、かつ、キュリー点が記録層よりも
高い記録補助層との間に、記録層の保磁力が記録補助層
の保磁力よりも小さくなる温度領域で垂直磁化を示すと
共に、この温度領域よりも室温側、およびこの温度領域
よりも高温側で面内磁化を示す中間層が設けられている
ことを特徴としている。

【００１７】請求項２記載の光磁気記録媒体は、請求項
１記載の光磁気記録媒体において、上記中間層が、GdFe
Co系の希土類金属−遷移金属合金薄膜から成っているこ
とを特徴としている。

【００１８】

【作用】請求項１記載の光磁気記録媒体においては、従
来同様の手順にて、光変調オーバーライトを行うことが
できる。すなわち、まず室温状態で、記録層と記録補助
層との各保磁力の間の大きさの初期化磁界を印加し、記
録補助層の磁化方向のみを初期化磁界の方向に揃える。
このとき、室温で面内磁化を示す中間層が間に設けられ
ているので、記録層と記録補助層との交換力による結合
が妨げられ、より小さな初期化磁界で上記の初期化を行
わせることができる。

【００１９】次いで、記録磁界を印加しながら、強度変
調されたレーザ光を照射する。高レベルのレーザ光が照
射され、照射部が記録層のキュリー点を超えて記録補助
層近傍の温度まで昇温すると、この記録補助層の磁化方
向は記録磁界の方向に沿って反転する。その後、室温ま
で温度が低下するが、この降温の過程における記録層の
キュリー点近傍の温度域では、記録層の保磁力が記録補
助層の保磁力よりも小さく、このような温度領域で中間
層が垂直磁化を示すようになっている。このため、この
中間層を介して、記録補助層の磁化方向が、界面に作用
する交換力により記録層に転写される。

【００２０】一方、低レベルのレーザ光が照射され、照
射部が記録層のキュリー点近傍の温度に昇温する場合に
は、記録補助層の磁化方向は初期化時の方向で維持され
ると共に、記録層の保磁力が低下するので、このとき
も、上記同様に、記録補助層の磁化方向が中間層を介し
て記録層に転写されることになる。このように、強度変
調されたレーザ光に応じて記録層に新たな情報の書き込
みが行われる。

【００２１】そして、上記では、中間層が、上記した温
度領域、すなわち、記録層のキュリー点近傍の温度領域
を超えると面内磁化を示すようになっているので、高レ
ベルのレーザ光照射時における中間層と記録補助層との
交換力による結合も従来同様に生じず、これによって、
このときの記録補助層の保磁力に応じた記録磁界を印加
しておくことで、上記した磁化方向の反転を安定して行
わせることができる。しかも、この場合には、中間層の
キュリー点に対し、これを従来のように記録層と記録補
助層との間に設定する必要はなく、例えば中間層を、そ
のキュリー点が記録補助層よりも高くした構成とするこ
とも可能である。

【００２２】したがって、高レベルのレーザ光照射時の
昇温温度にばらつきが生じる場合でも、中間層と記録補
助層との交換力による結合が確実に抑制されるので、光
変調オーバーライトを安定して行わせることが可能にな
る。

【００２３】また、中間層のキュリー点を記録層と記録
補助層との間に設定する必要がないため、記録層を、そ
のキュリー点が従来よりも高いもので構成することが可
能ともなり、これにより、再生時におけるレーザ光照射
時のカー回転角等がより大きくなるようにすることがで
きるので、再生信号特性が向上する。

【００２４】請求項２記載の光磁気記録媒体は、室温で
面内磁化を示し、温度の上昇と共に一旦垂直磁化を示し
た後、再度面内磁化となる特性を示す中間層が、GdFeCo
系の希土類金属−遷移金属合金から成っている。この材
料は、図７（ａ）に示すように、補償温度Ｔ_compを示す
曲線が、組成の変化に対して緩やかに変化する。したが
って、補償温度Ｔ_compの曲線を挟んで両側の垂直磁化に
なる範囲も、組成の変化に対して緩やかに変化する材料
であり、ある組成Ｘを定めて中間層を実際に作製する場
合、その組成変動に対する許容範囲がより広くなる。こ
の結果、上記の磁気特性を備えた中間層の作製が容易に
なる。

【００２５】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の具体的な実施例について図１ない
し図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実
施例における光磁気記録媒体としての光磁気ディスク
は、図２に示すように、透光性の基板１上に、誘電体層
２と、記録層としての第１磁性層３と、中間層としての
第２磁性層４と、記録補助層としての第３磁性層５と、
保護層６と、オーバーコート層７とを順次積層して構成
されている。

【００２６】基板１は、例えば外径８６ｍｍ、内径１５
ｍｍ、厚さ1.２ｍｍの円盤状のガラス板からなってお
り、この基板１の片側の面（図において下側の面）に
は、図示してはいないが、光ビーム案内用の凹凸状のガ
イドトラックが反応性イオンエッチング法により形成さ
れている。トラックピッチは1.６μｍ、グルーブ（凹
部）の幅は0.８μｍ、ランド（凸部）の幅は0.８μｍで
ある。この基板１のガイドトラック形成面上に、膜厚８
０ｎｍのAlＮからなる透光性を有する誘電体層２が、反
応性スパッタリングにより形成されている。

【００２７】誘電体層２上の第１磁性層３は、希土類金
属−遷移金属合金であるDyFeCoからなっており、Dy、F
e、Coターゲットの同時スパッタリングによって膜厚５
０ｎｍで形成されている。その組成はDy_0.21(Fe_0.81Co
_0.19)_0.79で、遷移金属リッチである。また、図３に示
すように、後述する第２・第３磁性層４・５と比較し
て、室温で高い保磁力Ｈ_C1（＝１２００ｋＡ／ｍ）と、
低いキュリー点Ｔ_C1（＝１８０℃）とを有しており、室
温からＴ_C1まで垂直磁化を示す特性を備えている。

【００２８】上記の第１磁性層３上に設けられている前
記第２磁性層４は、希土類金属−遷移金属合金であるGd
FeCoからなっており、Gd、Fe、Coターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚５０ｎｍで形成されている。その
組成はGd_0.27(Fe_0.60Co_0.40)_0.73で、希土類金属リッチ
であり、キュリー点Ｔ_C2は第１磁性層３のキュリー点Ｔ
_C1よりも高く、３００℃以上である。また、補償温度Ｔ
_comp2は１２０℃であり、室温での保磁力Ｈ_C2はほぼゼ
ロである。室温では面内磁化となる特性を示し、温度の
上昇に伴って、約８０℃で垂直磁化となり、さらに約１
６０℃で面内磁化となる特性を備えている。なお、図３
では、この面内磁化となる範囲を破線で示している。

【００２９】第２磁性層４上の前記第３磁性層５は、希
土類金属−遷移金属合金であるGdDyFeCoからなり、Gd、
Dy、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより膜厚
５０ｎｍで形成されている。その組成は(Gd_0.40Dy_0.60)
_0.27(Fe_0.70Co_0.30)_0.73で、希土類金属リッチである。
キュリー点Ｔ_C3は、第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1より
も高く、２５０℃である。また、補償温度Ｔ_COMP3は２
００℃であり、室温での保磁力Ｈ_C3は、第１磁性層３の
保磁力Ｈ_C1よりも小さく、６４ｋＡ／ｍである。この第
３磁性層５は、室温からＴ_C3まで垂直磁化を示す特性を
備えている。

【００３０】なお、前記第２磁性層４は、第１磁性層３
のキュリー点Ｔ_C1近傍の温度領域で垂直磁化を示すよう
になっている。すなわち、この垂直磁化を示す温度範囲
は、少なくとも、温度の上昇と共に低下する第１磁性層
３の保磁力を示す特性曲線と、第３磁性層５の保磁力の
特性曲線とが交差するときの温度をやや超えた温度か
ら、第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1までを含む範囲であ
り、第１磁性層３の保磁力が第３磁性層５の保磁力より
も大きな室温側の温度領域、および第３磁性層５におけ
る補償温度Ｔ_COMP3近傍の温度よりも高温側の温度領域
で、それぞれ面内磁化を示すようになっている。

【００３１】上記第３磁性層５上に、AlＮからなる前記
保護層６が膜厚８０ｎｍで形成されている。さらにこの
保護層６上に、アクリレート系紫外線硬化樹脂をコーテ
ィングし、紫外線照射により硬化させることによって前
記オーバーコート層７が形成されて、図２に示す断面構
造の光磁気ディスクが構成されている。

【００３２】なお、第１〜第３磁性層３〜５の各成膜時
のスパッタリング条件は、到達真空度2.０×１０^-4Ｐａ
以下、Arガス圧6.５×１０^-1Ｐａ、放電電力３００Ｗで
ある。また、誘電体層２および保護層６の各成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.０×１０^-4Ｐａ以
下、N₂ガス圧3.０×１０^-1Ｐａ、放電電力８００Ｗであ
る。

【００３３】上記構成の光磁気ディスクを用いて情報の
記録を行う場合、図４に示すように、まず、例えば図の
ように上向きの初期化磁界Ｈ_initが印加され、初期化が
行われる。その後、初期化磁界Ｈ_initと同一方向で、か
つ、Ｈ_initより充分に小さな記録磁界Ｈ_wを印加しなが
ら、図５に示すように、高レベルＩと低レベルIIに強度
変調されたレーザ光を照射することによって、情報の記
録が行われる。

【００３４】このような情報記録時の各磁性層３〜５の
磁化状態の変化について、図１を参照して説明する。同
図において横軸は温度を示し、この温度が室温状態で初
期化磁界Ｈ_initが印加されたときと、記録磁界Ｈ_wを印
加しながら高レベルＩおよび低レベルIIのレーザ光が各
々照射されて温度上昇を生じたときの各磁性層３〜５の
各磁化状態の変化を示している。なお、各磁性層３〜５
はそれぞれ希土類遷移金属合金からなっており、この場
合、トータル磁化と、希土類金属副格子磁化および遷移
金属副格子磁化とのいずれかで、各磁性層３〜５の磁化
方向を示すことが可能であるが、図中、各磁性層３〜５
の矢印は、それぞれ遷移金属副格子磁化の向きを示して
いる。

【００３５】まず、室温状態で前記の初期化磁界Ｈ_init
が印加されると、各磁性層３〜５の磁化方向は、図中Ｓ
１とＳ２との二つの安定な状態のいずれかとなる。ここ
で、初期化磁界Ｈ_initは、第１磁性層３と第３磁性層５
との各室温での保磁力Ｈ_C1（＝１２００ｋＡ／ｍ）・Ｈ
_C3（＝６４ｋＡ／ｍ）の間の値、例えば８０ｋＡ／ｍに
設定されている。このため、この初期化によって、第３
磁性層５の磁化だけが、初期化磁界Ｈ_initに沿って一方
向に揃えられる。すなわち、初期化磁界Ｈ_initが例えば
図のように上向きに印加され、第３磁性層５におけるト
ータル磁化が初期化磁界Ｈ_initの方向に向くと、この第
３磁性層５は希土類金属リッチであるので、その遷移金
属副格子磁化の方向は、初期化磁界Ｈ_initの方向とは逆
に下向きに揃えられる。

【００３６】このとき、第１磁性層３の保磁力Ｈ_C1はＨ
_initよりも充分に大きく、また、第２磁性層４は室温で
面内磁化を示すため、第３磁性層５の磁化の向きが第２
磁性層４を通して第１磁性層３に転写されることはな
く、第１磁性層３の磁化の反転は生じない。したがっ
て、この第１磁性層３の磁化方向は、それまでの記録状
態に応じた向きで維持され、この向きに応じて、上記し
たＳ１とＳ２とのいずれかの状態となる。

【００３７】なお、このような初期化は、記録再生装置
に永久磁石を組み込んでこの磁石により初期化磁界Ｈ
_initを印加する構成では、光磁気ディスクの回転駆動中
に常時行われることになる。また、例えば電磁石で初期
化磁界Ｈ_initを印加するようにした装置では、記録時に
のみ行われるように構成される。

【００３８】上記のように初期化を行った後、前記した
ように、記録磁界Ｈ_w（例えば１６ｋＡ／ｍ）を印加し
ながら、新たに記録しようとする情報に応じて、高レベ
ルＩと低レベルIIに強度変調されたレーザ光が照射され
る。

【００３９】高レベルＩのレーザ光は、これが照射され
た領域を、第１磁性層３のキュリー点Ｔc₁を超え、さら
に、第３磁性層５のキュリー点Ｔ_c3（＝２５０℃）付
近、またはそれ以上の温度まで昇温させるようなレーザ
パワーに設定されている。一方、低レベルIIのレーザ光
は、その照射領域を、第１磁性層３のキュリー点Ｔc
₁（＝１８０℃）近傍まで昇温させるようなレーザパワ
ーに設定されている。

【００４０】したがって、まず、高レベルＩのレーザ光
が照射され、その照射領域が上記のように昇温する過程
で、前記の状態Ｓ１・Ｓ２は、図中Ｓ３およびＳ４を経
て、Ｓ５の状態となる。すなわち、Ｓ３は、昇温の過程
で第２磁性層４が一旦垂直磁化を示すことにより、この
第２磁性層４を介して第１磁性層３に第３磁性層５から
の磁気的結合力（交換力）が作用し、これにより、第１
磁性層３の磁化方向が第３磁性層５の方向に一致した状
態を示している。このＳ３の状態を一旦経由して、第１
磁性層３は、そのキュリー点Ｔc₁を超えるまで温度が上
昇することにより、Ｓ４およびＳ５に示すように、磁化
がゼロになる。

【００４１】一方、第２磁性層４の磁化は、上記の昇温
の過程で、面内磁化から、Ｓ３に示すように、一旦垂直
磁化に移行した後、Ｓ４およびＳ５に示すように、面内
磁化に移行する。

【００４２】そして、第３磁性層５の磁化は、昇温の過
程でのＳ３の状態では、前記初期化により強制的に揃え
られた磁化方向を維持したまま、キュリー点Ｔ_c3付近ま
で温度上昇を生じた段階で、その保磁力が低下し、これ
によって、Ｓ４からＳ５への変化状態で示すように、こ
のときに印加されている記録磁界Ｈ_wにより、この記録
磁界Ｈ_wに沿う方向に反転する。

【００４３】なお、上記のような温度上昇に伴い、第３
磁性層５は、Ｓ３からＳ４に移行する過程で、その補償
温度Ｔ_comp3（＝２００℃）を超える。この時点で、第
３磁性層５における希土類金属と遷移金属との各副格子
磁化の大小関係が逆転する。このため、Ｓ４およびＳ５
の状態では、第３磁性層５の遷移金属副格子磁化の方向
は、室温状態のときとは逆に、トータル磁化の方向と一
致するものとなっている。したがって、図のように、前
記初期化磁界Ｈ_initと同方向の記録磁界Ｈ_wによって、
第３磁性層５の遷移金属副格子磁化の方向が、Ｓ４から
Ｓ５に示すように反転する。

【００４４】また、このような反転が生じる際、第２磁
性層４は面内磁化であるため、この第２磁性層４からの
交換力が第３磁性層５には作用せず、これによって、第
３磁性層５に反転を生じさせるための記録磁界Ｈ_wをよ
り小さくして行うことが可能となる。

【００４５】上記のように、第３磁性層５の磁化方向が
記録磁界Ｈ_wに沿って反転した後、光磁気ディスクの回
転によってレーザ光の照射部が移行すると、上記のレー
ザ光照射部の温度は室温へと降温する。この冷却の過程
で、第２磁性層４は一旦垂直磁化になり、このとき、そ
の磁化方向は、第３磁性層５との界面に作用する交換力
によって、Ｓ６に示すように、第３磁性層５の磁化の向
きに揃う。さらに、第１磁性層３と第２磁性層４との界
面に作用する交換力によって、第１磁性層３の磁化方向
も、第２磁性層４の磁化方向に沿うものとなる。

【００４６】その後、室温まで冷却されると、Ｓ７に示
すように、第２磁性層４は再び面内磁化に移行し、第１
磁性層３と第３磁性層５の間には交換力は作用しなくな
る。この状態では、光磁気ディスクが回転して室温で初
期化磁界Ｈ_initが印加されても、保磁力が大きい第１磁
性層３の磁化方向は変化せず、保磁力が小さい第３磁性
層５の磁化方向のみが、前記同様に反転し、状態Ｓ７は
状態Ｓ２に移行する。これによって、第１磁性層３に
は、初期化時の磁化方向を反転させた情報、すなわち、
高レベルＩに変調されたレーザ光に応じて新たに書き込
まれた情報が保持されることになる。

【００４７】次に、前記した初期化後、記録磁界Ｈ_wを
印加しながら低レベルIIのレーザ光が照射されたときの
各磁性層３〜５の各磁化状態の変化について説明する。

【００４８】このとき、上記のレーザ光照射部は、第１
磁性層３のキュリー点Ｔ_c1付近までしか温度の上昇を生
じない。この温度は、第３磁性層５の補償温度Ｔ_comp3
よりも低く、また、この温度状態での第３磁性層５の保
磁力は記録磁界Ｈ_Wよりも大きいため、第３磁性層５の
磁化の向きは、Ｓ３に示すように、記録磁界Ｈ_Wによっ
て反転することはない。そして、この温度近傍で、第２
磁性層４が垂直磁化を示すため、第１磁性層３の磁化方
向は、前記と同様に、第３磁性層５の磁化方向に沿うも
のとなる。つまり、初期化後の状態Ｓ１、Ｓ２は、いず
れも状態Ｓ３に移行する。

【００４９】その後、光磁気ディスクの回転によってレ
ーザ光の照射部が移行し、室温まで降温すると、第２磁
性層４は面内磁化に移行し、第１磁性層３と第３磁性層
５の間に交換力は作用しなくなり、状態Ｓ３は状態Ｓ１
に移行する。これにより、第１磁性層３には、初期化時
の磁化の方向がそのまま維持される。すなわち、低レベ
ルIIに変調されたレーザ光に応じた新たな記録情報が保
持される。

【００５０】なお、上記のように第１磁性層３に記録さ
れた情報は、図５に示すように、記録時よりもさらに低
いレベルIII のレーザ光を照射し、その反射光における
偏光面の回転を検出することにより再生される。

【００５１】このような再生動作特性についての測定結
果について、さらに、具体的な数値例を挙げて以下に説
明する。まず、初期化磁界Ｈ_init＝８０ｋＡ／ｍ、記録
磁界Ｈ_w＝１６ｋＡ／ｍ、高レベルＩのレーザパワー
（Ｐ_H）＝８ｍＷ、低レベルIIのレーザパワー（Ｐ_L）
＝４ｍＷ、記録ビット長＝0.７８μｍに設定して記録を
行った。その結果、消し残りのない光変調オーバーライ
トを行うことができた。そして、レベルIII の再生レー
ザパワー（Ｐ_R）＝１ｍＷで再生を行ったところ、信号
対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４７ｄＢが得られた。

【００５２】なお、本実施例のような中間層４が設けら
れていない従来の交換結合二層膜を有する光磁気ディス
クでは、初期化磁界Ｈ_initを２４０ｋＡ／ｍにすること
が必要であった。したがって、この場合には、より大き
な初期化磁界の発生装置が必要であり、装置全体の小型
化や省電力化を充分には図れないものとなっている。

【００５３】また、この従来の光磁気ディスクでは、記
録時の高レベルＩのレーザパワーＰ_Hとして１０ｍＷ以
上に設定した上で、記録磁界Ｈ_wを１６〜４０ｋＡ／ｍ
とすることが必要であったのに対し、本実施例では、上
記のように、Ｐ_H＝８ｍＷの設定で、記録磁界Ｈ_w１６
〜４０ｋＡ／ｍの条件下で光変調オーバーライトが可能
であった。すなわち、本実施例では、高レベルＩのレー
ザ光の照射により高温状態となったとき、第２磁性層４
が面内磁化であることから、記録磁界Ｈ_wによる第３磁
性層５の磁化の反転が、第２磁性層４からの交換力が作
用しない状態で生じるものとなる。

【００５４】このため、記録磁界Ｈ_wとしては、第２磁
性層４からの交換力を考慮することなく、第３磁性層５
における高レベルＩのレーザ光照射時の高温状態での保
磁力よりも大きければ、高レベルＩのレーザパワーをよ
り小さく設定しても、或いは、記録磁界Ｈ_wの大きさを
より小さくしても、第３磁性層５における上記のような
磁化の反転を確実に生じさせることができるものとなっ
ている。

【００５５】なお、上記した光磁気ディスク（以下、サ
ンプル＃１と称する）における第１〜第３磁性層３〜５
の組成や膜厚はこれらに限定されるものではなく、種々
異ならせて構成することが可能である。以下には、この
ように組成等を異ならせて作製した２６種の光磁気ディ
スク（以下、サンプル＃２〜＃２７と称する）につい
て、表１〜表４にサンプル＃１とは相違する磁性層の組
成と磁気特性を、また、表４に、サンプル＃２〜＃２７
における再生動作特性の測定結果をそれぞれ示す。な
お、これらの表１〜４には、サンプル＃１についての前
述の説明の中から、それぞれ該当事項を選んで再掲して
いる。

【００５６】サンプル＃２〜＃８は、サンプル＃１に対
し、第２磁性層４の組成が異なるのみで、他の構成はサ
ンプル＃１と同一である。それらの第２磁性層４の組成
および磁気特性は表１に示す通りである。これらサンプ
ル＃２〜＃８における第２磁性層４は、サンプル＃１と
同様に、いずれも希土類金属リッチであり、また、室温
での保磁力Ｈ_C2はほぼゼロである。

【００５７】

【表１】

【００５８】サンプル＃９〜＃１２は、サンプル＃１に
対し、第１磁性層３の組成が異なるのみであり、それら
の第１磁性層３の組成および磁気特性は表２に示す通り
である。これらサンプル＃９〜＃１２の第１磁性層３
は、サンプル＃１と同様に、いずれも室温からキュリー
点Ｔ_C1まで垂直磁気異方性を示し、また、サンプル＃９
および＃１２は、サンプル＃１と同様に遷移金属リッ
チ、サンプル＃１０および＃１１は補償組成である。

【００５９】

【表２】

【００６０】サンプル＃１３〜＃２６は、サンプル＃１
に対し、第３磁性層５の組成が異なるのみであり、それ
らの第３磁性層５の組成および磁気特性は表３に示す通
りである。これらサンプル＃１３〜＃２６の第３磁性層
５は、サンプル＃１と同様に、いずれも希土類金属リッ
チであり、室温からキュリー点Ｔ_C3まで垂直磁気異方性
を示す。

【００６１】

【表３】

【００６２】サンプル＃２７は、サンプル＃１での第２
磁性層４の膜厚が５０ｎｍであるのに対し、これが３０
ｎｍである点のみが異なっている。

【００６３】

【表４】

【００６４】表４に示すように、サンプル＃２〜＃２６
のいずれに対しても、同表中に示す記録条件の下で、消
し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音
比（Ｃ／Ｎ）＝４７ｄＢが得られた。

【００６５】一方、第２磁性層４の膜厚をサンプル＃１
よりも薄くしたサンプル＃２７では、同表中に示す記録
条件の下で消し残りのない光変調オーバーライトを行え
ると共に、さらに、記録パルスのデューティーを４０％
にしても充分に記録を行うことが可能であった。サンプ
ル＃１の記録パルスのデューティーが６０％であったこ
とを考慮すると、サンプル＃１よりも記録感度の向上し
た光磁気ディスクを得ることができた。

【００６６】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の実施例の図面に示したものと同一
の機能を有する部分には同一の符号を付記し、その説明
を省略する。

【００６７】本実施例に係る光磁気記録媒体としての光
磁気ディスクは、図６に示すように、誘電体層２と第１
磁性層３との間に、さらに第４磁性層８を設けた点で前
記実施例と異なっている。

【００６８】上記の第４磁性層８は、希土類金属−遷移
金属合金であるGdFeCoからなっており、Gd、Fe、Coター
ゲットの同時スパッタリングにより膜厚３０ｎｍで形成
されている。その組成はGd_0.25(Fe_0.80Co_0.20)_0.75で、
希土類金属リッチであり、補償点なしで、キュリー点
（Ｔ_C4）は第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1よりも高く、
３００℃である。また、室温での保磁力（Ｈ_C4）はほぼ
ゼロであり、室温で面内磁化を示し、約１００℃で垂直
磁化を示す特性を有している。

【００６９】上記の第４磁性層８を備えた光磁気ディス
ク（以下、サンプル＃２８と称する）に対し、表５に示
す記録条件の下で、消し残りのない光変調オーバーライ
トができた。なお、同表には、比較のため、前記サンプ
ル＃１での記録条件も再掲している。

【００７０】

【表５】

【００７１】サンプル＃１でのＣ／Ｎ（信号対雑音比）
が４７ｄＢであるのに対し、本実施例でのＣ／Ｎは４９
ｄＢであり、信号品質が向上した。これは、Ｔ_C4＞Ｔ_C1
に設定したので、カー回転角が大きくなったためと考え
られる。

【００７２】また、記録ビット長が短くなると、サンプ
ル＃１ではＣ／Ｎが急激に低下したが、サンプル＃２８
ではＣ／Ｎがあまり低下しなかった。これは、第４磁性
層８が室温で面内磁化を示し、レベルIII の再生レーザ
パワーのレーザ光を照射すると垂直磁化を示すようにな
るので、短い記録ビットであっても、隣接記録ビットか
らの影響を受けずに再生できたためである。

【００７３】すなわち、第４磁性層８に再生用のレーザ
光が照射されると、照射された部位の温度分布はほぼガ
ウス分布になる。このとき、スポット径よりも小さい中
心近傍領域の昇温温度が、第４磁性層８における垂直磁
化を示す温度を超えるようにレーザ光の強度が設定され
ている。このとき、第４磁性層８における上記中心近傍
領域のみの磁化が、面内磁化から垂直磁化に移行する。
この垂直磁化に移行した部分の第４磁性層８および第１
磁性層３の二層間の交換力により、第４磁性層８の磁化
の向きが第１磁性層３の磁化の向きに従う。

【００７４】これにより、レーザ光照射部位の中心近傍
のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射
光に基づいて情報が再生される。

【００７５】そして、レーザ光照射部が移動して次の記
録ビットを再生するときは、先の再生部位の温度は低下
し、垂直磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果
を示さなくなる。このことは、第１磁性層３に記録され
た磁化が第４磁性層８の面内磁化によりマスクされて読
み出されないということを意味している。これにより、
雑音の原因となり、再生の分解能を低下させる隣接ビッ
トからの信号混入がなくなる。こうして、レーザ光のス
ポット径よりも小さな領域のみを再生に関与させる読み
出しを行えるので、従来より小さな記録ビットの再生が
行え、記録密度を向上し得るようになっている。

【００７６】以上の説明のように、上記各実施例の光磁
気ディスクにおいては、記録層としての第１磁性層３と
記録補助層としての第３磁性層５との間に、室温でほぼ
面内磁化を示し、室温以上の温度で面内磁化から垂直磁
化に移行し、さらに高温で面内磁化を示す第２磁性層４
が設けられているので、初期化後に記録磁界Ｈ_Wを印加
しながら、高レベルＩと低レベルIIとに強度変調された
レーザ光を照射することにより、重ね書きによる情報の
書き換え、すなわち、光変調オーバーライトを行うこと
が可能である。

【００７７】しかも、上記では、第２磁性層４が、室温
時と共に、高レベルＩのレーザ光を照射して第３磁性層
５の磁化方向を初期化時の方向から反転させるときの温
度状態時にも、面内磁化を示すようになっているので、
初期化磁界Ｈ_initを低減することが可能であると共に、
さらに、記録時のレーザ光のパワーの低減、或いは、記
録磁界Ｈ_Wの低減が可能であり、ひいては、安定した光
変調オーバーライトを行うことが可能となっている。

【００７８】さらに、上記各実施例では、第３磁性層５
が室温とキュリー点Ｔ_c3の間に補償温度Ｔ_comp3を有す
るので、初期化磁界Ｈ_initと記録磁界Ｈ_Wとを互いに同
一方向に設定することができる。このため、例えば両磁
界の発生部を互いに近接させて装置内に設けたり、或い
は両発生部による磁界の組合わせで初期化磁界Ｈ
_ｉｎｉｔと記録磁界Ｈ_Ｗとを設定すること等が可能に
なるので、装置の小型化や省電力化を図ることができ
る。

【００７９】なお、上記各実施例は本発明を限定するも
のではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能であ
る。例えば第１〜第４磁性層３〜５・８の材料や組成
は、上記の各実施例に挙げたもの以外のものとすること
が可能である。例えば、上記各磁性層３〜５・８の材料
として、Gd、Tb、Dy、Ho、Ndから選ばれた少なくとも１
種の希土類金属と、Fe、Coから選ばれた少なくとも１種
の遷移金属からなる合金を使用しても、同様の効果が得
られる。

【００８０】但し、室温で面内磁化を示し、温度の上昇
と共に一旦垂直磁化を示した後、再度面内磁化となる特
性を示す第２磁性層４を構成する材料としては、上記各
実施例で挙げたように、GdFeCoが好適である。この材料
と、例えばGdTbFeとの各磁気状態図とを、それぞれ図７
に示している。同図（ａ）に示すように、GdFeCoの補償
温度（Ｔ_comp2)を示す曲線の方が、同図（ｂ）に示すGd
TbFe等のそれに比べて、組成の変化に対して緩やかに変
化している。

【００８１】したがって、補償温度Ｔ_comp2 の曲線を挟
んで両側の垂直磁化となる範囲も、組成の変化に対して
緩やかに変化する。このため、図７（ａ）中、破線で示
すように、ある組成Ｘが定められ、その組成Ｘに合わせ
て作製される第２磁性層４の実際の組成が変動する場合
でも、その許容範囲がより広くなる。この結果、上記の
磁気特性を備えた第２磁性層４の作製が容易になり、ひ
いては、上記磁気特性を有する第２磁性層４をより確実
に作製することができるので、前記した記録条件での記
録の安定性が向上する。

【００８２】一方、第１〜第４磁性層３〜５・８の材料
に、さらに、Cr、Ｖ、Nb、Mn、Be、Ni、Ti、Pt、Rh、Cu
のうち、少なくとも１種類の元素を添加すると、第１〜
第３磁性層３〜５自体の耐環境性を向上させることがで
きる。すなわち、水分や酸素侵入による酸化による特性
の劣化が少なくなり、長期信頼性に優れた光磁気ディス
クとして提供することができる。

【００８３】なお、第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1が１
００℃未満の場合、Ｃ／Ｎがディジタル記録再生で最低
限必要とされている４５ｄＢを下まわる。また、キュリ
ー点Ｔ_C1が２５０℃を超える場合、記録感度が悪くな
る。このため、第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1は１００
〜２５０℃が適当である。さらに、第１磁性層３の室温
での保磁力Ｈ_C1が４００ｋＡ／ｍ未満の場合、初期化磁
界Ｈ_initにより一部が初期化される恐れがある。このた
め、第１磁性層３の室温での保磁力Ｈ_C1は４００ｋＡ／
ｍ以上が適当である。

【００８４】一方、第２磁性層４の垂直磁化を示す温度
が８０℃未満の場合、室温と、レベルIII の再生レーザ
パワーＰ_Rのレーザ光が照射されたときの温度との間の
温度で、第３磁性層５から第２磁性層４への磁化の転
写、第２磁性層４から第１磁性層３への磁化の転写を生
じるおそれがある。この場合、初期化磁界Ｈ_initにより
第３磁性層５だけでなく第１磁性層３も初期化される結
果となるので、第１磁性層３に記録された情報が保持さ
れなくなる。このため、第２磁性層４の垂直磁気異方性
を示す温度は８０℃以上が適当である。

【００８５】また、第３磁性層５のキュリー点Ｔ_C3が１
５０℃未満の場合、低レベルIIのレーザパワーＰ_Lと再
生レーザパワーＰ_Rとの差が小さくなるので、うまく光
変調オーバーライトが行われない。一方、キュリー点Ｔ
_C3が４００℃を超える場合には記録感度が悪くなる。こ
のため、第３磁性層５のキュリー点Ｔ_C3は１５０〜４０
０℃が適当である。

【００８６】また、第３磁性層５の室温での保磁力Ｈ_C3
が２４０ｋＡ／ｍを超える場合、初期化磁界Ｈ_initの発
生装置が大型になり、好ましくない。このため、第３磁
性層５の室温での保磁力Ｈ_C3は２４０ｋＡ／ｍ以下が適
当である。

【００８７】一方、第１〜第３磁性層３〜５の膜厚は、
第１〜第３磁性層３〜５の材料や組成との兼ね合いで決
まるものである。第１磁性層３の膜厚は、２０ｎｍ以
上、より好ましくは３０ｎｍ以上であり、あまり厚すぎ
ると第３磁性層５の情報が転写されなくなるので、１０
０ｎｍ以下が好適である。第２磁性層４の膜厚は、５ｎ
ｍ以上、より好ましくは１０〜５０ｎｍであり、あまり
厚すぎると第３磁性層５の情報が転写されなくなるの
で、１００ｎｍ以下が好適である。第３磁性層５の膜厚
は、２０ｎｍ以上、より好ましくは３０〜１００ｎｍで
あり、あまり厚すぎると記録感度が悪くなるので、２０
０ｎｍ以下が好適である。

【００８８】また、上記の各実施例においては、基板１
として通常の板ガラスを用いたが、これ以外にも、化学
強化されたガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化
型樹脂層を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラス基板、
ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール
（ＰＶＣ）、エポキシ等の基板を使用することが可能で
ある。

【００８９】一方、透明な誘電体層２としてのAlＮの膜
厚は、上記各実施例における８０ｎｍに限定されるもの
ではない。この誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスクを
再生する際、第１磁性層３あるいは第４磁性層８からの
極カー回転角を光の干渉効果を利用して増大させる、い
わゆるカー効果エンハンスメントを考慮して決定され
る。再生時のＣ／Ｎをできるだけ大きくさせるには、極
カー回転角を大きくさせることが必要であり、このた
め、誘電体層２の膜厚は、極カー回転角が最も大きくな
るように設定される。

【００９０】この極カー回転角は、再生光の波長、誘電
体層２の屈折率により変化する。上記各実施例の場合の
AlＮの屈折率は2.０であるので、再生光の波長が７８０
ｎｍの場合、誘電体層２のAlＮの膜厚を３０〜１２０ｎ
ｍ程度にすると、カー効果エンハンスメントの効果が大
きくなる。なお、好ましくは、誘電体層２のAlＮの膜厚
は、７０〜１００ｎｍであり、この範囲であれば極カー
回転角がほぼ最大になる。

【００９１】また、再生光の波長が４００ｎｍの場合、
上記誘電体層２の膜厚を半分（＝４００／７８０）にす
れば良い。さらに、材料の違い、あるいは、製法により
誘電体層２の屈折率が上記とは異なる場合、屈折率と膜
厚を乗じた値（光路長）が同じになるように、誘電体層
２の膜厚を設定すれば良い。

【００９２】なお、誘電体層２の屈折率は大きいほど、
その膜厚は少なくて済む。また、屈折率が大きいほど、
極カー回転角のエンハンス効果も大きくなる。AlＮは、
スパッタ時のスパッタガスであるArとN₂の比率、ガス圧
力等を変えることにより、その屈折率が変わるが、おお
むね、1.８〜2.１程度と屈折率が比較的大きな材料であ
り、誘電体層２の材料として好適である。

【００９３】また、誘電体層２は、上記のカー効果エン
ハンスメントだけでなく、保護層６と共に、第１〜第３
磁性層３〜５、あるいは、第１〜第４磁性層３〜５・８
の希土類金属−遷移金属合金磁性層の酸化を防止する役
割がある。

【００９４】希土類金属−遷移金属合金からなる磁性膜
は非常に酸化されやすく、特に、希土類金属が酸化され
やすい。このため外部からの酸素、水分侵入を極力防止
しなければ、酸化によりその特性が著しく劣化してしま
う。

【００９５】そのため、前記各実施例では、第１〜第３
磁性層３〜５、あるいは、第１〜第４磁性層３〜５・８
の両側をAlＮで挟み込む形の構成を採っている。AlＮ
は、その成分に酸素を含まない窒化膜であり、非常に耐
湿性に優れた材料である。さらに、AlＮは、Alターゲッ
トを用いて、N₂ガス、もしくはArとN₂との混合ガスを導
入して反応性ＤＣ（直流電流）スパッタリングを行うこ
とが可能であり、ＲＦ（高周波）スパッタに比べて成膜
速度が大きい点でも有利である。

【００９６】AlＮ以外の誘電体層２の材料として、Si
Ｎ、AlSiＮ、AlTaＮ、SiAlＯＮ、TiＮ、TiＯＮ、ＢＮ、
ZnＳ、TiO₂、BaTiO₃、SrTiO₃等が好適である。このう
ち、特に、SiＮ、AlSiＮ、AlTaＮ、TiＮ、ＢＮ、ZnＳ
は、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供することができる。

【００９７】一方、保護層６のAlＮの膜厚は、上記各実
施例では８０ｎｍとしたが、これに限定されるものでは
ない。保護層６の膜厚の範囲としては、１〜２００ｎｍ
が好適である。

【００９８】上記各実施例においては、第１〜第３磁性
層３〜５、あるいは、第１〜第４磁性層３〜５・８を合
わせた膜厚は１００ｎｍ以上であり、この膜厚になると
光ピックアップから入射した光はほとんど磁性層を透過
しない。したがって、保護層６の膜厚に特に制限はな
く、磁性層の酸化を長期にわたって防止するに必要な膜
厚であれば良い。酸化防止能力が低い材料であれば膜厚
を厚く、高ければ薄くすれば良い。

【００９９】保護層６は、透明誘導体層２とともに、そ
の熱伝導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光は、そのほとんどが、透明誘導体層
２を通過し、吸収膜である第１〜第３磁性層３〜５、あ
るいは、第１〜第４磁性層３〜５・８に吸収されて熱に
変わる。このとき、第１〜第３磁性層３〜５、あるい
は、第１〜第４磁性層３〜５・８の熱が透明誘導体層
２、保護層６に熱伝導により移動する。したがって、透
明誘導体層２、保護層６の熱伝導率および熱容量（比
熱) が記録感度に影響を及ぼす。

【０１００】このことは、光磁気ディスクの記録感度を
保護層６の膜厚で、ある程度制御できるということを意
味し、例えば、記録感度を上げる( 低いレーザパワーで
記録消去を行える) 目的であれば保護層６の膜厚を薄く
すれば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため、記録感
度はある程度高い方が有利であり、保護層６の膜厚は薄
い方が良い。

【０１０１】AlＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優れ
るので、保護層６として用いた場合、膜厚を薄くするこ
とができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供するこ
とができる。

【０１０２】上記各実施例では、保護層６を透明誘導体
層２と同じAlＮとすることで、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供でき、かつ保護層６と透明誘導体層２とを
同じ材料で形成することで、生産性も向上する。

【０１０３】また、保護層６の材料としては、AlＮ以外
に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘導体
層２の材料として用いられるSiＮ、AlSiＮ、AlTaＮ、Si
AlＯＮ、TiＮ、TiＯＮ、ＢＮ、ZnＳ、TiO₂、BaTiO₃、Sr
TiO₃が好適である。このうち特に、SiＮ、AlSiＮ、AlTa
Ｎ、TiＮ、ＢＮ、ZnＳは、その成分に酸素を含まず、耐
湿性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。

【０１０４】なお、前記各実施例で例示した光磁気ディ
スクは、一般には片面タイプと呼ばれる。誘電体層２、
第１〜第３磁性層３〜５（あるいは、第１〜第４磁性層
３〜５・８）、保護層６の薄膜部分を総じて記録媒体層
と称することにすると、片面タイプの光磁気ディスク
は、基板１、記録媒体層、オーバーコート層７の構造と
なる。これに対して、基板１の上に記録媒体層を形成し
たものを二枚、記録媒体層が対向するように接着層で接
着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれている。

【０１０５】この場合の接着層の材料は、ポリウレタン
アクリレート系接着剤が特に良い。この接着剤は、紫外
線、熱及び嫌気性の３タイプの硬化機能が組み合わされ
たものであり、紫外線が透過しない記録媒体層の影にな
る部分の硬化が、熱および嫌気性硬化機能により硬化さ
れるという利点を持っており、極めて高い耐湿性を有
し、長期安定性に極めて優れた両面タイプの光磁気ディ
スクを提供することができる。

【０１０６】なお、片面タイプは、両面タイプと比べて
素子の厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求され
る記録再生装置に有利である。両面タイプは、両面再生
が可能なため、例えば大容量を要求される記録再生装置
に有利である。

【０１０７】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
光磁気記録媒体は、室温からキュリー点まで垂直磁化を
示す記録層と、室温からキュリー点まで垂直磁化を示す
と共に室温での保磁力が記録層よりも小さく、かつ、キ
ュリー点が記録層よりも高い記録補助層との間に、記録
層の保磁力が記録補助層の保磁力よりも小さくなる温度
領域で垂直磁化を示すと共に、この温度領域よりも室温
側、およびこの温度領域よりも高温側で面内磁化を示す
中間層が設けられている構成である。

【０１０８】これにより、従来同様に、初期化を行った
後、記録磁界を印加しながら、強度が高レベルと低レベ
ルとに強度変調されたレーザ光を照射することにより、
記録層に新たな情報の書き込みを行うことができる。こ
のとき、中間層が高温側で面内磁化を示すようになって
いるので、高レベルのレーザ光照射時の昇温温度にばら
つきが生じる場合でも、中間層と記録補助層との交換力
による結合を確実に抑制することができ、これによっ
て、光変調オーバーライトを安定して行わせることが可
能になる。

【０１０９】また、中間層のキュリー点を記録層と記録
補助層との間に設定する必要がないため、記録層を、そ
のキュリー点が従来よりも高いもので構成することが可
能ともなり、これにより、再生時におけるレーザ光照射
時のカー回転角等がより大きくなるようにすることがで
きるので、再生信号特性を向上することができるという
効果を奏する。

【０１１０】請求項２記載の光磁気記録媒体は、上記中
間層が、GdFeCo系の希土類金属−遷移金属合金薄膜から
成っている構成である。

【０１１１】これにより、中間層として、ある組成を定
めて実際に作製する場合、その組成が定められた組成に
対して変動する場合でも、その許容範囲がより広くな
る。この結果、室温で面内磁化を示し、温度の上昇に伴
って一旦垂直磁化を示した後、再度面内磁化を示すとい
う特性を備えた中間層の作製が容易になるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における光磁気記録媒体での
記録動作時の磁化状態の変化を示す説明図である。

【図２】上記光磁気記録媒体の概略の構成を示す断面模
式図である。

【図３】上記光磁気記録媒体における第１〜第３磁性層
の保磁力の温度依存性を示すグラフである。

【図４】上記光磁気記録媒体における記録プロセスを示
す説明図である。

【図５】上記光磁気記録媒体に照射されるレーザ光の強
度を示す説明図である。

【図６】本発明の他の実施例における光磁気記録媒体の
概略の構成を示す断面模式図である。

【図７】希土類金属−遷移金属合金における組成、およ
び温度変化に対する磁気状態を示すものであって、同図
（ａ）はGdFeCo系希土類金属−遷移金属合金の磁気状態
図、同図（ｂ）はGdTbFe系希土類金属−遷移金属合金の
磁気状態図である。

【図８】従来の光磁気記録媒体の構成および記録プロセ
スを示す説明図である。

【図９】図８の光磁気記録媒体における各磁性層の保磁
力の温度依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板２誘電体層３第１磁性層（記録層）４第２磁性層（中間層）５第３磁性層（記録補助層）６保護層７オーバーコート層８第４磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者広兼順司大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者高橋明大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者太田賢司大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開平５−298757（ＪＰ，Ａ) 特開平５−12732（ＪＰ，Ａ) 特開平４−188449（ＪＰ，Ａ) 特開平３−86950（ＪＰ，Ａ) 特公平５−22303（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】室温からキュリー点まで垂直磁化を示す記
録層と、室温からキュリー点まで垂直磁化を示すと共に
室温での保磁力が記録層よりも小さく、かつ、キュリー
点が記録層よりも高い記録補助層との間に、記録層の保
磁力が記録補助層の保磁力よりも小さくなる温度領域で
垂直磁化を示すと共に、この温度領域よりも室温側、お
よびこの温度領域よりも高温側で面内磁化を示す中間層
が設けられていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】上記中間層が、GdFeCo系の希土類金属−遷
移金属合金薄膜から成っていることを特徴とする請求項
１記載の光磁気記録媒体。