JPH11213468A - 光磁気記録媒体及びその再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその再生方法Info
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- JPH11213468A JPH11213468A JP1223298A JP1223298A JPH11213468A JP H11213468 A JPH11213468 A JP H11213468A JP 1223298 A JP1223298 A JP 1223298A JP 1223298 A JP1223298 A JP 1223298A JP H11213468 A JPH11213468 A JP H11213468A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生信号特性が高く、さらに光ビーム径より
小さい微小記録磁区の拡大再生が確実に行える、高密度
記録に適した光磁気記録媒体及びその再生方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板1上に、少なくとも再生時の加
熱により垂直磁化状態となる第1磁性層3、非磁性材料
からなる第1中間層4と、第3磁性層6とがこの順に形
成されている。第2磁性層5は、第1中間層4と第3磁
性層4との間に配され、第3磁性層4の低温部分から第
1磁性層4への磁束の漏洩を抑制する。第3磁性層6に
おける記録磁区の最小単位は略円形状または略楕円形状
に形成されており、かつ、第2磁性層5は第3磁性層6
の磁束を漏洩させる領域が略円形状または略楕円形状と
なるよう形成されてなる。
小さい微小記録磁区の拡大再生が確実に行える、高密度
記録に適した光磁気記録媒体及びその再生方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板1上に、少なくとも再生時の加
熱により垂直磁化状態となる第1磁性層3、非磁性材料
からなる第1中間層4と、第3磁性層6とがこの順に形
成されている。第2磁性層5は、第1中間層4と第3磁
性層4との間に配され、第3磁性層4の低温部分から第
1磁性層4への磁束の漏洩を抑制する。第3磁性層6に
おける記録磁区の最小単位は略円形状または略楕円形状
に形成されており、かつ、第2磁性層5は第3磁性層6
の磁束を漏洩させる領域が略円形状または略楕円形状と
なるよう形成されてなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光および/または
磁界を変調して情報の記録再生を行なう光磁気記録媒体
及びその再生方法に関するものである。
磁界を変調して情報の記録再生を行なう光磁気記録媒体
及びその再生方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】繰り返し書き換え可能な大容量の情報記
録媒体として、磁気光学効果を用いた光磁気記録につい
ての研究、検討がなされている。記録密度向上はその中
でも特に重要な問題であり数多くの研究がなされてい
る。
録媒体として、磁気光学効果を用いた光磁気記録につい
ての研究、検討がなされている。記録密度向上はその中
でも特に重要な問題であり数多くの研究がなされてい
る。
【0003】以下、記録媒体に関する高密度化技術につ
いて説明する。光磁気記録媒体では、媒体上に集光され
た光ビームのビーム径に対して、記録用磁区である記録
磁区径および記録磁区間隔が小さくなってくると、再生
特性が劣化してくるという欠点がある。この理由はビー
ムスポット内に複数の記録磁区が入った場合にひとつひ
とつの記録磁区を判別できなくなることが原因である。
いて説明する。光磁気記録媒体では、媒体上に集光され
た光ビームのビーム径に対して、記録用磁区である記録
磁区径および記録磁区間隔が小さくなってくると、再生
特性が劣化してくるという欠点がある。この理由はビー
ムスポット内に複数の記録磁区が入った場合にひとつひ
とつの記録磁区を判別できなくなることが原因である。
【0004】これらの再生特性を改善する手段として、
磁気的超解像再生、磁区拡大再生などの各種再生方式が
提案されている。すでに磁気的超解像と光変調オーバー
ライトを組み合わせた発明が特開平5−298768号
公報、特開平5−342677号公報、特開平6−11
9669号公報、特開平7−240039号公報などに
報告されている。
磁気的超解像再生、磁区拡大再生などの各種再生方式が
提案されている。すでに磁気的超解像と光変調オーバー
ライトを組み合わせた発明が特開平5−298768号
公報、特開平5−342677号公報、特開平6−11
9669号公報、特開平7−240039号公報などに
報告されている。
【0005】しかしながら、磁気的超解像再生方式を用
いた場合では、記録磁区長が0.3mm以下となった場
合急激に信号特性は劣化する。そこでそれ以上の高密度
化をめざして記録磁区を拡大転写して再生する方式が提
案されている。第20回日本応用磁気学会講演概要集
(1996),22pE−4、「磁区拡大再生による超
高密度光磁気ディスク」には、記録層と再生層の間に非
磁性の中間層を挟んだ構成において、記録層から発生す
る磁界により、再生層に、記録層の磁区よりも大きな磁
区を形成しながら転写して再生する磁区拡大方式が発表
されている。記録磁区を再生層に拡大転写させて再生す
る方式はこのほかにも特開平1−143041号公報、
特開平6−259823号公報、特開平6−29049
6号公報、特開平8−7350号公報などにも示されて
おり、次世代の光磁気記録の高密度化に向けて有力な手
段と目されている。
いた場合では、記録磁区長が0.3mm以下となった場
合急激に信号特性は劣化する。そこでそれ以上の高密度
化をめざして記録磁区を拡大転写して再生する方式が提
案されている。第20回日本応用磁気学会講演概要集
(1996),22pE−4、「磁区拡大再生による超
高密度光磁気ディスク」には、記録層と再生層の間に非
磁性の中間層を挟んだ構成において、記録層から発生す
る磁界により、再生層に、記録層の磁区よりも大きな磁
区を形成しながら転写して再生する磁区拡大方式が発表
されている。記録磁区を再生層に拡大転写させて再生す
る方式はこのほかにも特開平1−143041号公報、
特開平6−259823号公報、特開平6−29049
6号公報、特開平8−7350号公報などにも示されて
おり、次世代の光磁気記録の高密度化に向けて有力な手
段と目されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような磁区拡大
再生方式では、0.3mm以下、0.1mm程度までの
微小記録磁区を再生層に拡大転写して再生することによ
って高い信号特性を得ることができた。その磁区拡大転
写の模式図を図20に示す。この図に示すように、再生
層51と記録層50は中間層52を介して設けられてお
り、再生時におけるレーザビーム照射により温度上昇し
た記録層50の記録磁区を、再生層51に拡大転写す
る。
再生方式では、0.3mm以下、0.1mm程度までの
微小記録磁区を再生層に拡大転写して再生することによ
って高い信号特性を得ることができた。その磁区拡大転
写の模式図を図20に示す。この図に示すように、再生
層51と記録層50は中間層52を介して設けられてお
り、再生時におけるレーザビーム照射により温度上昇し
た記録層50の記録磁区を、再生層51に拡大転写す
る。
【0007】このような磁区拡大転写に基づく再生は、
記録層50の記録磁区の間隔がビーム径に対して十分あ
り、ビームスポット内にひとつの記録磁区しか入ってい
ない状態においては実現可能である。しかしながら、記
録磁区の間隔が狭くなってビームスポット内に複数の記
録磁区が入った模式図を図21に示す。この時、従来と
同じように磁区を再生層51に拡大転写しようとする
と、隣接の記録磁区の影響を受けてしまい、ひとつの記
録磁区のみを選択して拡大転写することは不可能であっ
た。すなわち、記録磁区がランダムに配列している場
合、微小記録磁区をうまく磁区拡大再生することは不可
能であった。
記録層50の記録磁区の間隔がビーム径に対して十分あ
り、ビームスポット内にひとつの記録磁区しか入ってい
ない状態においては実現可能である。しかしながら、記
録磁区の間隔が狭くなってビームスポット内に複数の記
録磁区が入った模式図を図21に示す。この時、従来と
同じように磁区を再生層51に拡大転写しようとする
と、隣接の記録磁区の影響を受けてしまい、ひとつの記
録磁区のみを選択して拡大転写することは不可能であっ
た。すなわち、記録磁区がランダムに配列している場
合、微小記録磁区をうまく磁区拡大再生することは不可
能であった。
【0008】そこで、本願出願人は先に、図22に示す
ような、記録層50と再生層51との間に磁気マスク層
53を設けた光磁気記録媒体について提案した(特願平
9−51372号)。以下、このような光磁気記録媒体
の再生時における動作について説明する。なお、図22
においては、磁気マスク層53は室温からキュリー温度
まで面内磁化状態となる磁性層としている。
ような、記録層50と再生層51との間に磁気マスク層
53を設けた光磁気記録媒体について提案した(特願平
9−51372号)。以下、このような光磁気記録媒体
の再生時における動作について説明する。なお、図22
においては、磁気マスク層53は室温からキュリー温度
まで面内磁化状態となる磁性層としている。
【0009】再生動作時に基板1側から集光レンズを介
して再生光ビームが再生層51に照射されると、温度分
布は既述のようにほぼビームスポット中心部分を最高温
度とするガウス分布を示す。磁気マスク層53において
も同様の温度分布を示す。
して再生光ビームが再生層51に照射されると、温度分
布は既述のようにほぼビームスポット中心部分を最高温
度とするガウス分布を示す。磁気マスク層53において
も同様の温度分布を示す。
【0010】ここで、磁気マスク層53のキュリー温度
TCは予め磁気マスク層53の最高到達温度付近に調整
してあるため、温度がTC以下の領域では、記録層50
の磁化と磁気マスク層53の面内磁化で磁化ループを形
成するので、磁気マスク層53は記録層50の記録磁区
からの磁束を遮断することができる。これに対しTC2
以上に熱せられた領域では、磁気マスク層53は磁化を
持たないため、その領域に相当する記録層50の記録磁
区からの漏洩磁束を通すことができる。すなわち、磁気
マスク層53のキュリー点TCをうまく調節することに
よって、記録層50の所望の記録磁区からの漏洩磁束の
みを再生層51に選択的に通すことが可能となる。これ
により、記録層50の記録磁区が光ビームの回折限界に
比べて非常に小さくなって複数個入った場合でも、所望
の記録磁区からの漏洩磁束のみを選択して再生層51に
拡大転写することが可能となる。
TCは予め磁気マスク層53の最高到達温度付近に調整
してあるため、温度がTC以下の領域では、記録層50
の磁化と磁気マスク層53の面内磁化で磁化ループを形
成するので、磁気マスク層53は記録層50の記録磁区
からの磁束を遮断することができる。これに対しTC2
以上に熱せられた領域では、磁気マスク層53は磁化を
持たないため、その領域に相当する記録層50の記録磁
区からの漏洩磁束を通すことができる。すなわち、磁気
マスク層53のキュリー点TCをうまく調節することに
よって、記録層50の所望の記録磁区からの漏洩磁束の
みを再生層51に選択的に通すことが可能となる。これ
により、記録層50の記録磁区が光ビームの回折限界に
比べて非常に小さくなって複数個入った場合でも、所望
の記録磁区からの漏洩磁束のみを選択して再生層51に
拡大転写することが可能となる。
【0011】上述のように、本願出願人が先に提案した
光磁気記録媒体によれば、微小記録磁区を再生層に拡大
転写することができ、再生信号品質を向上させることが
できる。
光磁気記録媒体によれば、微小記録磁区を再生層に拡大
転写することができ、再生信号品質を向上させることが
できる。
【0012】ところで、上記の光磁気記録媒体では、磁
気マスク層53に形成される磁束を通す部分(以下、ア
パーチャーと記す)の形状は光磁気記録媒体における温
度分布に対応しているため略円形状あるいは略楕円形状
となる。一方、記録層50に形成される記録磁区の形状
は磁界変調記録で一般に知られているように矢羽根形状
となる。このように、磁束を発生させる記録層50の記
録磁区の形状がアパーチャーの形状と異なる場合に所望
の記録磁区からの磁束のみを漏洩させようとすると、図
23に示すように、アパーチャー55を小さくして所望
の記録磁区の一部からの磁束のみを再生層53に漏洩さ
せる必要がある。このため、再生層53に十分な磁束を
作用させることができず、磁区拡大再生の能力を十分に
発揮することができない。
気マスク層53に形成される磁束を通す部分(以下、ア
パーチャーと記す)の形状は光磁気記録媒体における温
度分布に対応しているため略円形状あるいは略楕円形状
となる。一方、記録層50に形成される記録磁区の形状
は磁界変調記録で一般に知られているように矢羽根形状
となる。このように、磁束を発生させる記録層50の記
録磁区の形状がアパーチャーの形状と異なる場合に所望
の記録磁区からの磁束のみを漏洩させようとすると、図
23に示すように、アパーチャー55を小さくして所望
の記録磁区の一部からの磁束のみを再生層53に漏洩さ
せる必要がある。このため、再生層53に十分な磁束を
作用させることができず、磁区拡大再生の能力を十分に
発揮することができない。
【0013】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、従来であれば再
生できなかった小さい記録磁区を拡大再生可能な光磁気
記録媒体及びその再生方法を提供することにある。
めになされたものであり、その目的は、従来であれば再
生できなかった小さい記録磁区を拡大再生可能な光磁気
記録媒体及びその再生方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1にかかる光磁気
記録媒体は、少なくとも所定温度以上において垂直磁化
状態となる再生層、非磁性材料からなる中間層、垂直磁
化膜からなる記録層と、をこの順に有するとともに、前
記中間層と前記記録層との間に配され、室温において前
記記録層から前記再生層への磁束の漏洩を抑制し、前記
所定温度近傍において前記記録層から前記再生層へ磁束
を漏洩させ前記再生層に前記記録層の情報を転写する磁
気マスク層を有してなる光磁気記録媒体であって、前記
記録層における記録磁区の最小単位は略円形状または略
楕円形状に形成されており、かつ、前記磁気マスク層は
前記記録層の磁束を漏洩させる領域が略円形状または略
楕円形状となるよう形成されてなるものである。
記録媒体は、少なくとも所定温度以上において垂直磁化
状態となる再生層、非磁性材料からなる中間層、垂直磁
化膜からなる記録層と、をこの順に有するとともに、前
記中間層と前記記録層との間に配され、室温において前
記記録層から前記再生層への磁束の漏洩を抑制し、前記
所定温度近傍において前記記録層から前記再生層へ磁束
を漏洩させ前記再生層に前記記録層の情報を転写する磁
気マスク層を有してなる光磁気記録媒体であって、前記
記録層における記録磁区の最小単位は略円形状または略
楕円形状に形成されており、かつ、前記磁気マスク層は
前記記録層の磁束を漏洩させる領域が略円形状または略
楕円形状となるよう形成されてなるものである。
【0015】また、請求項2にかかる光磁気記録媒体
は、請求項1に記載の光磁気記録媒体において、前記記
録層に対して前記再生層とは反対側に、前記記録層に光
変調により情報をオーバライト記録するための1層また
は複数層の光変調層を有してなるものである。
は、請求項1に記載の光磁気記録媒体において、前記記
録層に対して前記再生層とは反対側に、前記記録層に光
変調により情報をオーバライト記録するための1層また
は複数層の光変調層を有してなるものである。
【0016】請求項3にかかる光磁気記録媒体は、少な
くとも所定温度以上において垂直磁化状態となる再生
層、非磁性材料からなる中間層、垂直磁化膜からなる記
録層と、をこの順に有するとともに、前記中間層と前記
記録層との間に配され、室温において前記記録層から前
記再生層への磁束の漏洩を抑制し、前記所定温度近傍に
おいて前記記録層から前記再生層へ磁束を漏洩させ前記
再生層に前記記録層の情報を転写する磁気マスク層を有
してなる光磁気記録媒体の再生方法であって、前記記録
層に形成された略円形状または略楕円形状の記録磁区の
情報を、同じく略円形状または略楕円形状の磁束の漏洩
領域を有する前記磁気マスク層で選択して、前記再生層
に転写するものである。
くとも所定温度以上において垂直磁化状態となる再生
層、非磁性材料からなる中間層、垂直磁化膜からなる記
録層と、をこの順に有するとともに、前記中間層と前記
記録層との間に配され、室温において前記記録層から前
記再生層への磁束の漏洩を抑制し、前記所定温度近傍に
おいて前記記録層から前記再生層へ磁束を漏洩させ前記
再生層に前記記録層の情報を転写する磁気マスク層を有
してなる光磁気記録媒体の再生方法であって、前記記録
層に形成された略円形状または略楕円形状の記録磁区の
情報を、同じく略円形状または略楕円形状の磁束の漏洩
領域を有する前記磁気マスク層で選択して、前記再生層
に転写するものである。
【0017】請求項4にかかる光磁気記録媒体の再生方
法は、請求項3に記載の光磁気記録媒体の再生方法にお
いて、再生時に、前記磁気マスク層における前記記録層
の磁束を漏洩させる領域を、前記記録層における記録磁
区の最小単位と略同一の大きさとするものである。
法は、請求項3に記載の光磁気記録媒体の再生方法にお
いて、再生時に、前記磁気マスク層における前記記録層
の磁束を漏洩させる領域を、前記記録層における記録磁
区の最小単位と略同一の大きさとするものである。
【0018】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下に、本発明
を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
【0019】図1は、本発明の第1の実施の形態に係る
光磁気記録媒体の構成を説明する模式図である。この図
に示すように、透光性基板1上に透光性を有する誘電体
層2、第1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第
3磁性層6、第4磁性層7、保護層8とが順次形成され
た構成になっている。さらに光磁気記録媒体保護のため
に、オーバーコート層9が形成されている。ここで、第
1磁性層3は再生層、第2磁性層5は上記した磁気マス
ク層、第3磁性層6は記録層を構成しており、また、第
4磁性層7は第3磁性層6に光変調オーバライト記録を
行うための記録補助層である。
光磁気記録媒体の構成を説明する模式図である。この図
に示すように、透光性基板1上に透光性を有する誘電体
層2、第1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第
3磁性層6、第4磁性層7、保護層8とが順次形成され
た構成になっている。さらに光磁気記録媒体保護のため
に、オーバーコート層9が形成されている。ここで、第
1磁性層3は再生層、第2磁性層5は上記した磁気マス
ク層、第3磁性層6は記録層を構成しており、また、第
4磁性層7は第3磁性層6に光変調オーバライト記録を
行うための記録補助層である。
【0020】図2は、第1磁性層3の磁気状態を示して
いる。第1磁性層3は、希土類遷移金属合金からなり、
希土類金属と遷移金属の磁気モーメントが釣り合う補償
温度(Tcomp1)の近辺(図中、斜線で示される領域)
では垂直磁化を示し、キュリー温度(TC1)以下のそれ
以外の領域では面内磁化を示す。また、希土類金属と遷
移金属の磁気モーメントの温度特性は異なり、高温では
遷移金属の磁気モーメントが希土類金属のそれに比べて
大きくなる。
いる。第1磁性層3は、希土類遷移金属合金からなり、
希土類金属と遷移金属の磁気モーメントが釣り合う補償
温度(Tcomp1)の近辺(図中、斜線で示される領域)
では垂直磁化を示し、キュリー温度(TC1)以下のそれ
以外の領域では面内磁化を示す。また、希土類金属と遷
移金属の磁気モーメントの温度特性は異なり、高温では
遷移金属の磁気モーメントが希土類金属のそれに比べて
大きくなる。
【0021】このため、Tcomp1が室温となる組成より
も希土類金属の量を多くした組成(図中、Pで示される
組成)の合金を用いる。この組成の合金は、室温で面内
磁化を示し、所定温度以上になると遷移金属の磁気モー
メントが相対的に大きくなり、希土類金属の磁気モーメ
ントと釣り合うようになって垂直磁化を示すようにな
る。すなわち、室温から温度T1aまでの温度では面内磁
化を、温度T1aから温度T1cまでの温度では垂直磁化
を、温度T1cからTC1までの温度では面内磁化を示す。
も希土類金属の量を多くした組成(図中、Pで示される
組成)の合金を用いる。この組成の合金は、室温で面内
磁化を示し、所定温度以上になると遷移金属の磁気モー
メントが相対的に大きくなり、希土類金属の磁気モーメ
ントと釣り合うようになって垂直磁化を示すようにな
る。すなわち、室温から温度T1aまでの温度では面内磁
化を、温度T1aから温度T1cまでの温度では垂直磁化
を、温度T1cからTC1までの温度では面内磁化を示す。
【0022】上記の構成において、再生動作時に基板1
側から集光レンズを介して再生光ビームが第1磁性層3
に照射されると、再生光ビームの中心部近傍に対応する
第1磁性層3の部位の温度が上昇しT1aに達する。これ
は、再生光ビームが集光レンズにより回折限界にまで絞
り込まれ、その光強度分布がガウス分布となり、第1磁
性層3の温度分布もほぼガウス分布となるためであり、
T1a以上の温度を有する領域は、再生光ビーム径よりも
小さくなっている。第1磁性層3のうち、再生光ビーム
の中心部近傍に対応し温度がT1a以上になった部位は垂
直磁化となり、磁気光学カー効果を示すが、それ以外の
部位では温度上昇が十分でないので面内磁化のままであ
り、磁気光学カー効果をほとんど示さない。
側から集光レンズを介して再生光ビームが第1磁性層3
に照射されると、再生光ビームの中心部近傍に対応する
第1磁性層3の部位の温度が上昇しT1aに達する。これ
は、再生光ビームが集光レンズにより回折限界にまで絞
り込まれ、その光強度分布がガウス分布となり、第1磁
性層3の温度分布もほぼガウス分布となるためであり、
T1a以上の温度を有する領域は、再生光ビーム径よりも
小さくなっている。第1磁性層3のうち、再生光ビーム
の中心部近傍に対応し温度がT1a以上になった部位は垂
直磁化となり、磁気光学カー効果を示すが、それ以外の
部位では温度上昇が十分でないので面内磁化のままであ
り、磁気光学カー効果をほとんど示さない。
【0023】このとき、例えば情報が図1の第3磁性層
6に示すように記録されていると、第3磁性層6から発
生する磁界を利用して、第1磁性層3のT1a以上の温度
を有する領域に情報が拡大転写される。高密度記録を実
現するため、第3磁性層6に記録された記録磁区の最小
単位は従来の値に比べて非常に小さく、記録磁区長0.
3mm以下とすることが可能である。従来の再生方式で
あればこのような微少な記録磁区からえられる信号強度
は小さく、実用化には問題があった。本形態の第1磁性
層3のT1a以上の温度を有する領域は、前記第3磁性層
6の微小記録磁区の面積よりも大きく設定してあるの
で、外部からの磁界および/または光強度をうまく調整
することによって第1磁性層3に拡大転写することが可
能である。
6に示すように記録されていると、第3磁性層6から発
生する磁界を利用して、第1磁性層3のT1a以上の温度
を有する領域に情報が拡大転写される。高密度記録を実
現するため、第3磁性層6に記録された記録磁区の最小
単位は従来の値に比べて非常に小さく、記録磁区長0.
3mm以下とすることが可能である。従来の再生方式で
あればこのような微少な記録磁区からえられる信号強度
は小さく、実用化には問題があった。本形態の第1磁性
層3のT1a以上の温度を有する領域は、前記第3磁性層
6の微小記録磁区の面積よりも大きく設定してあるの
で、外部からの磁界および/または光強度をうまく調整
することによって第1磁性層3に拡大転写することが可
能である。
【0024】しかしながら、第3磁性層6の微小記録磁
区を第1磁性層3へ拡大転写することが可能となって
も、記録磁区がランダムに配列している場合、すでに図
21に示したように隣接する記録磁区の影響を受けてし
まって正しく読み取ることができない。そこで第3磁性
層6の目的の記録磁区からの漏洩磁束を選択的に受ける
ために、第2磁性層5が設けてある。本形態の第2磁性
層5は信号再生時の最高到達温度付近にキュリー温度T
C2を持ち、室温からキュリー温度まで常に面内磁化状態
を維持する。
区を第1磁性層3へ拡大転写することが可能となって
も、記録磁区がランダムに配列している場合、すでに図
21に示したように隣接する記録磁区の影響を受けてし
まって正しく読み取ることができない。そこで第3磁性
層6の目的の記録磁区からの漏洩磁束を選択的に受ける
ために、第2磁性層5が設けてある。本形態の第2磁性
層5は信号再生時の最高到達温度付近にキュリー温度T
C2を持ち、室温からキュリー温度まで常に面内磁化状態
を維持する。
【0025】この第2磁性層5は、図22を用いて説明
した磁気マスク層に対応しており、再生時にアパーチャ
ーを構成し、第3磁性層6の所望とする記録磁区以外か
らの磁束を遮断する。これにより、第3磁性層6の記録
磁区が光ビームの回折限界に比べて非常に小さくなって
複数個入った場合でも、所望の記録磁区からの漏洩磁束
のみを選択して第1磁性層3に拡大転写することが可能
となる。
した磁気マスク層に対応しており、再生時にアパーチャ
ーを構成し、第3磁性層6の所望とする記録磁区以外か
らの磁束を遮断する。これにより、第3磁性層6の記録
磁区が光ビームの回折限界に比べて非常に小さくなって
複数個入った場合でも、所望の記録磁区からの漏洩磁束
のみを選択して第1磁性層3に拡大転写することが可能
となる。
【0026】本実施の形態では、第3磁性層6における
単一の記録磁区(記録磁区の最小単位)の形状は、第1
磁性層3に再生時に形成するアパーチャー(第1磁性層
3に有効に作用するだけの磁束が漏洩する領域)と略同
一、すなわち略円形あるいは略楕円形となるが、上記第
2磁性層5は、単一の記録磁区の大きさが上記アパーチ
ャーの大きさと略同一の大きさとなるように組成調整さ
れている。
単一の記録磁区(記録磁区の最小単位)の形状は、第1
磁性層3に再生時に形成するアパーチャー(第1磁性層
3に有効に作用するだけの磁束が漏洩する領域)と略同
一、すなわち略円形あるいは略楕円形となるが、上記第
2磁性層5は、単一の記録磁区の大きさが上記アパーチ
ャーの大きさと略同一の大きさとなるように組成調整さ
れている。
【0027】第4磁性層6は第3磁性層6に対して光変
調オーバライト記録を行うための記録補助層である。
調オーバライト記録を行うための記録補助層である。
【0028】以下、上記構成の本実施の形態の光磁気記
録媒体における記録動作について図3,4を用いて説明
する。図3は、第3磁性層6および第4磁性層7の温度
と保磁力の関係を示している。なお、ここでは第1磁性
層3,第2磁性層5の磁気特性を示していないが、これ
は、第1磁性層3は第3磁性層6に静磁結合するもので
あり、また、第2磁性層5はキュリー温度TC2が再生温
度よりも低いものであるため、ともにオーバーライト記
録動作には関係しないからである。また、図4は、第1
磁性層3、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7
の磁化状態を示し、横軸は温度を示している。各層は希
土類遷移金属合金であるため、トータル磁化と希土類金
属、遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各
層の遷移金属の副格子磁化の向きを示す。
録媒体における記録動作について図3,4を用いて説明
する。図3は、第3磁性層6および第4磁性層7の温度
と保磁力の関係を示している。なお、ここでは第1磁性
層3,第2磁性層5の磁気特性を示していないが、これ
は、第1磁性層3は第3磁性層6に静磁結合するもので
あり、また、第2磁性層5はキュリー温度TC2が再生温
度よりも低いものであるため、ともにオーバーライト記
録動作には関係しないからである。また、図4は、第1
磁性層3、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7
の磁化状態を示し、横軸は温度を示している。各層は希
土類遷移金属合金であるため、トータル磁化と希土類金
属、遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、矢印は各
層の遷移金属の副格子磁化の向きを示す。
【0029】室温では、第3磁性層6の磁化の向きが上
向き(“0”)(図4(イ))か下向き(“1”)(図
4(リ))かにより情報が記録されている。初期化にお
いては、図4に示すように下向きにHiを印加すること
により、室温で希土類の優勢な第4磁性層7の磁化を一
方向(図では、上向き)に揃える(図4(イ),
(ホ))。Hiの大きさは、第3磁性層6の室温での保
磁力より小さく、第4磁性層7の室温での保磁力より大
きいので、第3磁性層6の磁化の反転は生じない。第1
磁性層3、第2磁性層5はともに室温で面内磁化状態な
ので初期化磁界Hiには関係しない。
向き(“0”)(図4(イ))か下向き(“1”)(図
4(リ))かにより情報が記録されている。初期化にお
いては、図4に示すように下向きにHiを印加すること
により、室温で希土類の優勢な第4磁性層7の磁化を一
方向(図では、上向き)に揃える(図4(イ),
(ホ))。Hiの大きさは、第3磁性層6の室温での保
磁力より小さく、第4磁性層7の室温での保磁力より大
きいので、第3磁性層6の磁化の反転は生じない。第1
磁性層3、第2磁性層5はともに室温で面内磁化状態な
ので初期化磁界Hiには関係しない。
【0030】記録はHwを印加しながら、ハイパワー
(Ph)とローパワー(Pl)に強度変調されたレーザ
光を照射することにより行う。Phのレーザ光が照射さ
れると媒体は、図4(イ)からは(ロ),(ハ),
(ニ)、(ホ)からは(ヘ),(ト),(ニ)の過程を
経て第4磁性層7のキュリー点付近まで昇温し(図4
(チ))、Plのレーザ光が照射されると、図4(ホ)
からは(ヘ),(ト)、(イ)からは(ロ),(ハ)の
過程を経て第3磁性層6のキュリー点付近まで昇温する
(図4(ニ))ように、Ph、Plはそれぞれ設定され
ている。
(Ph)とローパワー(Pl)に強度変調されたレーザ
光を照射することにより行う。Phのレーザ光が照射さ
れると媒体は、図4(イ)からは(ロ),(ハ),
(ニ)、(ホ)からは(ヘ),(ト),(ニ)の過程を
経て第4磁性層7のキュリー点付近まで昇温し(図4
(チ))、Plのレーザ光が照射されると、図4(ホ)
からは(ヘ),(ト)、(イ)からは(ロ),(ハ)の
過程を経て第3磁性層6のキュリー点付近まで昇温する
(図4(ニ))ように、Ph、Plはそれぞれ設定され
ている。
【0031】従って、Phのレーザ光が照射されると、
キュリー温度近傍で遷移金属が優勢な第4磁性層7の磁
化は図4(ヲ)に示すように下向きの記録磁界Hwによ
り下向きに反転し、冷却の過程で界面に作用する交換力
により、第3磁性層6に転写される(図4(ル),
(ヌ)、(リ))。すなわち、第3磁性層6の向きは下
向き(“1”)となる。
キュリー温度近傍で遷移金属が優勢な第4磁性層7の磁
化は図4(ヲ)に示すように下向きの記録磁界Hwによ
り下向きに反転し、冷却の過程で界面に作用する交換力
により、第3磁性層6に転写される(図4(ル),
(ヌ)、(リ))。すなわち、第3磁性層6の向きは下
向き(“1”)となる。
【0032】一方、Plのレーザ光が照射されても、第
4磁性層7の磁化はその保磁力がHwより大きいため、
Hwにより反転することはない(図4(ニ))。第3磁
性層6の磁化は、上記と同様に冷却の過程で界面に作用
する交換力により第4磁性層7の磁化の向きと一致する
(図4(ハ),(ロ),(イ))。従って、第3磁性層
6の向きは、図4に示すように上向き(“0”)とな
る。
4磁性層7の磁化はその保磁力がHwより大きいため、
Hwにより反転することはない(図4(ニ))。第3磁
性層6の磁化は、上記と同様に冷却の過程で界面に作用
する交換力により第4磁性層7の磁化の向きと一致する
(図4(ハ),(ロ),(イ))。従って、第3磁性層
6の向きは、図4に示すように上向き(“0”)とな
る。
【0033】また、第1磁性層3、第1中間層4、第2
磁性層5が形成されているが、光変調オーバーライト動
作に支障を与えるものではない。第1磁性層3は第1中
間層4によって第3磁性層6との交換結合を断ち切られ
ているため、記録動作には影響を与えない。第2磁性層
5は再生温度以上では磁気秩序をなくしているため、同
じく記録動作には影響を与えない。すなわち円滑な光変
調オーバーライト記録が実現できる。
磁性層5が形成されているが、光変調オーバーライト動
作に支障を与えるものではない。第1磁性層3は第1中
間層4によって第3磁性層6との交換結合を断ち切られ
ているため、記録動作には影響を与えない。第2磁性層
5は再生温度以上では磁気秩序をなくしているため、同
じく記録動作には影響を与えない。すなわち円滑な光変
調オーバーライト記録が実現できる。
【0034】このように、本実施の形態に係る光磁気記
録媒体は、高密度記録状態での磁区拡大再生を円滑に行
うための第2磁性層5と、光変調記録を行うための第4
磁性層7を有し、且つ、第2磁性層5により形成される
アパーチャーの形状を光変調記録により生成される第3
磁性層6における単一記録磁区(記録磁区の最小単位)
と略同様のものとしているため、磁区拡大再生において
第3磁性層6における所望の記録磁区から第1磁性層3
へ漏洩させる磁束を最大とすることができる。よって、
第1磁性層3に形成する再生磁区の大きさを大きくする
ことができ、再生信号光量を増大させてその品質を向上
させることができる。
録媒体は、高密度記録状態での磁区拡大再生を円滑に行
うための第2磁性層5と、光変調記録を行うための第4
磁性層7を有し、且つ、第2磁性層5により形成される
アパーチャーの形状を光変調記録により生成される第3
磁性層6における単一記録磁区(記録磁区の最小単位)
と略同様のものとしているため、磁区拡大再生において
第3磁性層6における所望の記録磁区から第1磁性層3
へ漏洩させる磁束を最大とすることができる。よって、
第1磁性層3に形成する再生磁区の大きさを大きくする
ことができ、再生信号光量を増大させてその品質を向上
させることができる。
【0035】また、光変調オーバーライト記録により、
高速記録転送レートを確保することができる。特に、S
IL(solid immersion lens)を
用いたニア・フィールド記録では高速変調の不能な空芯
コイルを用いなければならず、光変調オーバーライト記
録はこの点においても高速記録転送レートを実現するた
めに有用である。さらに、貼り合わせディスクを使用す
ることが可能なので、両面記録による記録容量を2倍化
及び貼り合わせによる強度補強を実現できる。
高速記録転送レートを確保することができる。特に、S
IL(solid immersion lens)を
用いたニア・フィールド記録では高速変調の不能な空芯
コイルを用いなければならず、光変調オーバーライト記
録はこの点においても高速記録転送レートを実現するた
めに有用である。さらに、貼り合わせディスクを使用す
ることが可能なので、両面記録による記録容量を2倍化
及び貼り合わせによる強度補強を実現できる。
【0036】次に、このような光磁気記録媒体の具体例
について説明する。
について説明する。
【0037】<サンプル#1>まず、光磁気ディスクの
サンプル#1について説明する。このサンプル#1の透
光性基板1は、外径86mm、内径15mm、厚さ1.
2mmの円盤状のガラスからなっている。基板1の片側
の表面には、光ビーム案内用の凹凸状のガイドトラック
が反応性イオンエッチング方により直接形成されてい
る。トラックピッチは1.6mm、グルーブ(凹部)の
幅は0.8mm、ランド(凸部)の値は0.8mmであ
る。
サンプル#1について説明する。このサンプル#1の透
光性基板1は、外径86mm、内径15mm、厚さ1.
2mmの円盤状のガラスからなっている。基板1の片側
の表面には、光ビーム案内用の凹凸状のガイドトラック
が反応性イオンエッチング方により直接形成されてい
る。トラックピッチは1.6mm、グルーブ(凹部)の
幅は0.8mm、ランド(凸部)の値は0.8mmであ
る。
【0038】基板1のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより膜厚65nmのAlNからなる
誘電体層2と、Gd,Fe,Coターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚20nmのGdFeCoからなる
第1磁性層3と、反応性スパッタリングにより膜厚5n
mのAlNからなる第1中間層4と、Gd,Feターゲ
ットの同時スパッタリングにより膜厚20nmのGdF
eからなる第2磁性層5と、Tb,Fe,Coターゲッ
トの同時スパッタリングにより膜厚50nmのTbFe
Coからなる第3磁性層6と、Tb,Fe,Coターゲ
ットの同時スパッタリングにより膜厚100nmのTb
FeCoからなる第4磁性層7と、膜厚30nmのAl
Nからなる保護層8とを積層した。
性スパッタリングにより膜厚65nmのAlNからなる
誘電体層2と、Gd,Fe,Coターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚20nmのGdFeCoからなる
第1磁性層3と、反応性スパッタリングにより膜厚5n
mのAlNからなる第1中間層4と、Gd,Feターゲ
ットの同時スパッタリングにより膜厚20nmのGdF
eからなる第2磁性層5と、Tb,Fe,Coターゲッ
トの同時スパッタリングにより膜厚50nmのTbFe
Coからなる第3磁性層6と、Tb,Fe,Coターゲ
ットの同時スパッタリングにより膜厚100nmのTb
FeCoからなる第4磁性層7と、膜厚30nmのAl
Nからなる保護層8とを積層した。
【0039】第1磁性層3,第2磁性層5,第3磁性層
6,第4磁性層7の成膜時のスパッタリング条件は、到
達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧6.5×
10-1Pa、放電電力300Wであり、誘電体層2、第
1中間層4、保護層8の成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、N2ガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力700Wである。
6,第4磁性層7の成膜時のスパッタリング条件は、到
達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧6.5×
10-1Pa、放電電力300Wであり、誘電体層2、第
1中間層4、保護層8の成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、N2ガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力700Wである。
【0040】さらに、保護層8の上にアクリレート系紫
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート層9を形成した。
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート層9を形成した。
【0041】第1磁性層3は、希土類金属リッチ、TC1
>300℃、室温で面内磁化、約100℃で垂直磁化と
なる特性を示し、第2磁性層5は遷移金属リッチ、TC2
=140℃、第3磁性層6は、遷移金属リッチ、TC3=
230℃、室温での保磁力(HC3)=1200kA/m
となる特性を示し、第4磁性層7は、希土類金属リッ
チ、TC4=280℃、Tcomp4=230℃、室温での保
磁力(HC4)=160kA/mとなる特性を示す。
>300℃、室温で面内磁化、約100℃で垂直磁化と
なる特性を示し、第2磁性層5は遷移金属リッチ、TC2
=140℃、第3磁性層6は、遷移金属リッチ、TC3=
230℃、室温での保磁力(HC3)=1200kA/m
となる特性を示し、第4磁性層7は、希土類金属リッ
チ、TC4=280℃、Tcomp4=230℃、室温での保
磁力(HC4)=160kA/mとなる特性を示す。
【0042】サンプル#1の光磁気ディスクに対して、
Hi=240kA/m、Hw=32kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、再生レーザパワ
ー(Pr)と信号対雑音比(C/N)の関係を測定し
た。なお、測定は波長680nmの半導体レーザ、開口
率NAが0.55の対物レンズを用いた光ピックアップ
で行なった。この条件では、ビームスポット径は1.1
mmとなる。
Hi=240kA/m、Hw=32kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、再生レーザパワ
ー(Pr)と信号対雑音比(C/N)の関係を測定し
た。なお、測定は波長680nmの半導体レーザ、開口
率NAが0.55の対物レンズを用いた光ピックアップ
で行なった。この条件では、ビームスポット径は1.1
mmとなる。
【0043】Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nが4
0dB以上となった。このレーザパワーで、第1磁性層
3の温度はT1a以上になり、垂直磁化で磁気光学カー効
果を示していることがわかる。40dBという良好な信
号特性を得られていることから、第3磁性層6の0.2
mm以下という微少な記録磁区を第1磁性層3に拡大転
写し、良好な磁区拡大再生が実現していることが明らか
になった。また、高温高湿テストを行ったところ、信頼
性に関しても問題無いことがわかった。
0dB以上となった。このレーザパワーで、第1磁性層
3の温度はT1a以上になり、垂直磁化で磁気光学カー効
果を示していることがわかる。40dBという良好な信
号特性を得られていることから、第3磁性層6の0.2
mm以下という微少な記録磁区を第1磁性層3に拡大転
写し、良好な磁区拡大再生が実現していることが明らか
になった。また、高温高湿テストを行ったところ、信頼
性に関しても問題無いことがわかった。
【0044】次に、図20に示したサンプルに対して、
Hi=240kA/m、Hw=40kA/m、Ph=1
0mW、Pl=6mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、PrとC/Nの関係を測定した。その
結果、サンプル#1に比べてHw、Plともに感度が悪
く、さらにPr=2〜3.5mWの範囲でもC/Nは3
0dB未満となり、高密度記録に適さないことがわかっ
た。
Hi=240kA/m、Hw=40kA/m、Ph=1
0mW、Pl=6mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、PrとC/Nの関係を測定した。その
結果、サンプル#1に比べてHw、Plともに感度が悪
く、さらにPr=2〜3.5mWの範囲でもC/Nは3
0dB未満となり、高密度記録に適さないことがわかっ
た。
【0045】<サンプル#2>サンプル#2の光磁気記
録媒体の構成は、第1中間層4を除きサンプル#1と同
様である。つまり、透光性基板1、誘電体層2、第1磁
性層3、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、
保護層8、オーバーコート層9は、サンプル#1と同じ
である。
録媒体の構成は、第1中間層4を除きサンプル#1と同
様である。つまり、透光性基板1、誘電体層2、第1磁
性層3、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、
保護層8、オーバーコート層9は、サンプル#1と同じ
である。
【0046】第1中間層4は、Alターゲットのスパッ
タリングにより膜厚5nmのAlからなり、成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以
下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300W
である。
タリングにより膜厚5nmのAlからなり、成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以
下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300W
である。
【0047】サンプル#2の光磁気ディスクに対して、
Hi=240kA/m、Hw=32kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの
関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲で
C/Nは40dB以上となった。また、サンプル#1に
比べると、第1中間層4の形成時間が約1/6となり、
生産効率が向上した。
Hi=240kA/m、Hw=32kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの
関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲で
C/Nは40dB以上となった。また、サンプル#1に
比べると、第1中間層4の形成時間が約1/6となり、
生産効率が向上した。
【0048】(実施の形態2)次に、本発明の実施の形
態2について説明する。図5は本実施の形態の光磁気記
録媒体の構成を示す断面模式図である。この図に示す通
り、本光磁気記録媒体は実施の形態1の光磁気記録媒体
の第3磁性層6と第4磁性層7との間に第5磁性層10
を設けたものである。
態2について説明する。図5は本実施の形態の光磁気記
録媒体の構成を示す断面模式図である。この図に示す通
り、本光磁気記録媒体は実施の形態1の光磁気記録媒体
の第3磁性層6と第4磁性層7との間に第5磁性層10
を設けたものである。
【0049】本実施の形態では、第1の実施の形態とは
異なり、第5磁性層10が設けられているため以下のよ
うに記録が行われる。
異なり、第5磁性層10が設けられているため以下のよ
うに記録が行われる。
【0050】Phのレーザ光が照射されると、第4磁性
層7の磁化は実施の形態1と同じように磁化が消失す
る。このとき第5磁性層10のキュリー温度の方が高
く、しかも保持力は小さいので、すでに小さな記録磁界
Hwで下向きに反転している。第4磁性層7と第5磁性
層10はともにハイプロセスにおける記録温度では遷移
金属リッチとなっているので極性は等しい。よって、第
4磁性層7は、キュリー温度よりも冷却された時、すで
に下向きに反転している第5磁性層からの交換力と下向
きの記録磁界Hwとの両方により下向きに反転する。さ
らに冷却されると下向き磁化は第3磁性層6に転写され
るので、第3磁性層6の向きは図4(リ)のように下向
き(“1”)となる。
層7の磁化は実施の形態1と同じように磁化が消失す
る。このとき第5磁性層10のキュリー温度の方が高
く、しかも保持力は小さいので、すでに小さな記録磁界
Hwで下向きに反転している。第4磁性層7と第5磁性
層10はともにハイプロセスにおける記録温度では遷移
金属リッチとなっているので極性は等しい。よって、第
4磁性層7は、キュリー温度よりも冷却された時、すで
に下向きに反転している第5磁性層からの交換力と下向
きの記録磁界Hwとの両方により下向きに反転する。さ
らに冷却されると下向き磁化は第3磁性層6に転写され
るので、第3磁性層6の向きは図4(リ)のように下向
き(“1”)となる。
【0051】一方、Plのレーザ光が照射されたとき
は、第5磁性層10は第4磁性層7からの交換力に従っ
て磁化が同方向を向き、さらに第3磁性層6は第5磁性
層10からの交換力によって同方向を向く。結果的に第
3磁性層6は第4磁性層7の磁化の向きと一致する。従
って、第3磁性層6の向きは、図4(イ)のように上向
き(“0”)となる。
は、第5磁性層10は第4磁性層7からの交換力に従っ
て磁化が同方向を向き、さらに第3磁性層6は第5磁性
層10からの交換力によって同方向を向く。結果的に第
3磁性層6は第4磁性層7の磁化の向きと一致する。従
って、第3磁性層6の向きは、図4(イ)のように上向
き(“0”)となる。
【0052】以上のように、本実施の形態によればハイ
プロセスにおける第4磁性層の磁界を反転する際に、第
5磁性層からの交換力による補助を受けることができる
ので、結果として記録磁界Hwを低減することが可能と
なる。
プロセスにおける第4磁性層の磁界を反転する際に、第
5磁性層からの交換力による補助を受けることができる
ので、結果として記録磁界Hwを低減することが可能と
なる。
【0053】<サンプル#3>次に、本実施の形態の光
磁気記録媒体の具体例についてサンプル#3を用いて説
明する。サンプル#3は、第5磁性層10を有すること
を除いてはサンプル#1と同様である。つまり、透光性
基板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層4、第
2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護層8、
オーバーコート層9は、サンプル#1と同じである。
磁気記録媒体の具体例についてサンプル#3を用いて説
明する。サンプル#3は、第5磁性層10を有すること
を除いてはサンプル#1と同様である。つまり、透光性
基板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層4、第
2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護層8、
オーバーコート層9は、サンプル#1と同じである。
【0054】ここで、第5磁性層10はGd、Fe、C
oターゲットの同時スパッタリングにより膜厚50nm
のGdFeCoからなり、成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力300Wである。第5磁
性層10は、希土類金属リッチ、TC5>300℃、T
comp5=150℃、室温でのHC5=24kA/mとなる
特性を示す。
oターゲットの同時スパッタリングにより膜厚50nm
のGdFeCoからなり、成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力300Wである。第5磁
性層10は、希土類金属リッチ、TC5>300℃、T
comp5=150℃、室温でのHC5=24kA/mとなる
特性を示す。
【0055】サンプル#3の光磁気ディスクに対して、
Hi=240kA/m、Hw=24kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの
関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲で
C/Nは40dB以上となった。また、サンプル#1、
#2に比べると、Hwを低減することができた。
Hi=240kA/m、Hw=24kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの
関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲で
C/Nは40dB以上となった。また、サンプル#1、
#2に比べると、Hwを低減することができた。
【0056】(実施の形態3)次に本発明の実施の形態
3の光磁気記録媒体について説明する。本実施の形態の
光磁気記録媒体は、図6に示すように、実施の形態1の
光磁気記録媒体における第3磁性層6と第4磁性層7と
の間に第6磁性層11を有しているものである。この第
6磁性層11は室温から再生温度まで面内磁化となる磁
性特性を有する。
3の光磁気記録媒体について説明する。本実施の形態の
光磁気記録媒体は、図6に示すように、実施の形態1の
光磁気記録媒体における第3磁性層6と第4磁性層7と
の間に第6磁性層11を有しているものである。この第
6磁性層11は室温から再生温度まで面内磁化となる磁
性特性を有する。
【0057】本実施の形態では第6の磁性層11を設け
ているため、室温において第4磁性層7を初期化する
際、面内磁化状態の第6磁性層11によって第3磁性層
6と第4磁性層7との交換結合を断ち切ることができ、
初期化磁界を低減することが可能となる。また、記録に
おいては上記実施の形態3と同様に記録磁界を低減でき
る。
ているため、室温において第4磁性層7を初期化する
際、面内磁化状態の第6磁性層11によって第3磁性層
6と第4磁性層7との交換結合を断ち切ることができ、
初期化磁界を低減することが可能となる。また、記録に
おいては上記実施の形態3と同様に記録磁界を低減でき
る。
【0058】以下、この光磁気記録媒体の具体例につい
てサンプル#4を挙げて説明する。
てサンプル#4を挙げて説明する。
【0059】<サンプル#4>サンプル#4の係る光磁
気記録媒体の構成は、第6磁性層11を除いてはサンプ
ル#1と同じである。つまり、透光性基板1、誘電体層
2、第1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第3
磁性層6、第4磁性層7、保護層8、オーバーコート層
9は、サンプル#1と同じである。
気記録媒体の構成は、第6磁性層11を除いてはサンプ
ル#1と同じである。つまり、透光性基板1、誘電体層
2、第1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第3
磁性層6、第4磁性層7、保護層8、オーバーコート層
9は、サンプル#1と同じである。
【0060】第6磁性層11は、Gd、Fe、Coター
ゲットの同時スパッタリングにより膜厚50nmのGd
FeCoからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到
達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧6.5×
10-1Pa、放電電力300Wである。第6間層11
は、希土類金属リッチ、TC6>300℃、Tcomp6=2
50℃、室温で面内磁化となる特性を示す。
ゲットの同時スパッタリングにより膜厚50nmのGd
FeCoからなり、成膜時のスパッタリング条件は、到
達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧6.5×
10-1Pa、放電電力300Wである。第6間層11
は、希土類金属リッチ、TC6>300℃、Tcomp6=2
50℃、室温で面内磁化となる特性を示す。
【0061】サンプル#4の光磁気ディスクに対して、
Hi=200kA/m、Hw=24kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの
関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲で
C/Nが40dB以上となった。また、サンプル#1、
#2に比べると、HiおよびHwを低減することができ
た。
Hi=200kA/m、Hw=24kA/m、Ph=1
0mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mmの記
録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの
関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲で
C/Nが40dB以上となった。また、サンプル#1、
#2に比べると、HiおよびHwを低減することができ
た。
【0062】(実施の形態4)次に本発明の実施の形態
4の光磁気記録媒体について説明する。本実施の形態の
光磁気記録媒体は、図7に示すように、実施の形態1の
光磁気記録媒体における第3磁性層6と第4磁性層7と
の間に第2中間層12を有するものである。
4の光磁気記録媒体について説明する。本実施の形態の
光磁気記録媒体は、図7に示すように、実施の形態1の
光磁気記録媒体における第3磁性層6と第4磁性層7と
の間に第2中間層12を有するものである。
【0063】本実施の形態では、第4磁性層7から第3
磁性層6への磁化の転写が静磁結合力によって行われて
いる。そのため、磁性層界面に生じる磁壁エネルギーや
交換結合力によって各磁性層の磁化反転が妨げられるこ
とがなくなるので、より低い温度で同様の動作を実現す
ることができる。すなわち、必要なレーザパワーを低減
することができる。かつ、交換結合力が働かないので磁
化反転が容易となり、記録磁界を低減することができ
る。以下、この光磁気記録媒体の具体例についてサンプ
ル#5を挙げて説明する。
磁性層6への磁化の転写が静磁結合力によって行われて
いる。そのため、磁性層界面に生じる磁壁エネルギーや
交換結合力によって各磁性層の磁化反転が妨げられるこ
とがなくなるので、より低い温度で同様の動作を実現す
ることができる。すなわち、必要なレーザパワーを低減
することができる。かつ、交換結合力が働かないので磁
化反転が容易となり、記録磁界を低減することができ
る。以下、この光磁気記録媒体の具体例についてサンプ
ル#5を挙げて説明する。
【0064】<サンプル#5>サンプル#5の光磁気記
録媒体の構成は、第2中間層12を除いては、透光性基
板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層4、第2
磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護層8、オ
ーバーコート層9は、サンプル#1と同じである。
録媒体の構成は、第2中間層12を除いては、透光性基
板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層4、第2
磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護層8、オ
ーバーコート層9は、サンプル#1と同じである。
【0065】第2中間層12は、反応性スパッタリング
により膜厚10nmのAlNからなり、成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、
N2ガス圧3.0×10-1Pa、放電電力700Wであ
る。
により膜厚10nmのAlNからなり、成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、
N2ガス圧3.0×10-1Pa、放電電力700Wであ
る。
【0066】サンプル#5の光磁気ディスクに対して、
Hi=240kA/m、Hw=24kA/m、Ph=9
mW、Pl=4mWにて、記録磁区長0.2mmの記録
磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの関
係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC
/Nが40dB以上となった。また、サンプル#1、#
2に比べると、Hwおよびレーザパワーを低減すること
ができた。
Hi=240kA/m、Hw=24kA/m、Ph=9
mW、Pl=4mWにて、記録磁区長0.2mmの記録
磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの関
係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC
/Nが40dB以上となった。また、サンプル#1、#
2に比べると、Hwおよびレーザパワーを低減すること
ができた。
【0067】(実施の形態5)次に本発明の実施の形態
5の光磁気記録媒体について説明する。本実施の形態の
光磁気記録媒体は、図8に示すように、実施の形態1の
光磁気記録媒体における第3磁性層6と第4磁性層7と
の間に界面層13を有するものである。
5の光磁気記録媒体について説明する。本実施の形態の
光磁気記録媒体は、図8に示すように、実施の形態1の
光磁気記録媒体における第3磁性層6と第4磁性層7と
の間に界面層13を有するものである。
【0068】本実施の形態では、界面層13を設けてい
るため、第4磁性層7から第3磁性層6への交換結合力
が界面層13によって適度に調整される。したがって、
レーザーパワー、記録磁界が低減できる。以下、この光
磁気記録媒体の具体例についてサンプル#6を挙げて説
明する。
るため、第4磁性層7から第3磁性層6への交換結合力
が界面層13によって適度に調整される。したがって、
レーザーパワー、記録磁界が低減できる。以下、この光
磁気記録媒体の具体例についてサンプル#6を挙げて説
明する。
【0069】<サンプル#6>サンプル#6の構成は、
界面層13を除いては、透光性基板1、誘電体層2、第
1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第3磁性層
6、第4磁性層7、保護層8、オーバーコート層9は、
サンプル#1と同じである。
界面層13を除いては、透光性基板1、誘電体層2、第
1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第3磁性層
6、第4磁性層7、保護層8、オーバーコート層9は、
サンプル#1と同じである。
【0070】界面層13は、GdターゲットもしくはF
eターゲットのスパッタリングにより膜厚1nmのGd
もしくはFeからなり、成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力300Wである。
eターゲットのスパッタリングにより膜厚1nmのGd
もしくはFeからなり、成膜時のスパッタリング条件
は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、Arガス圧
6.5×10-1Pa、放電電力300Wである。
【0071】サンプル#6の光磁気ディスクに対して、
Hi=240kA/m、Hw=24kA/m、Ph=9
mW、Pl=4mWにて、記録磁区長0.2mmの記録
磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの関
係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC
/Nが40dB以上となった。また、サンプル#1、#
2に比べると、Hwおよびレーザパワーを低減すること
ができた。
Hi=240kA/m、Hw=24kA/m、Ph=9
mW、Pl=4mWにて、記録磁区長0.2mmの記録
磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/Nの関
係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC
/Nが40dB以上となった。また、サンプル#1、#
2に比べると、Hwおよびレーザパワーを低減すること
ができた。
【0072】(実施の形態6)次に、本発明の実施の形
態6について、図9乃至図11に基づいて説明すれば以
下の通りである。
態6について、図9乃至図11に基づいて説明すれば以
下の通りである。
【0073】本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、図9に示すように、第7磁性層14、第8磁性層1
5を第4磁性層7の保護層8側に有している。他は、透
光性基板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層
4、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護
層8、オーバーコート層9は、サンプル#1と同じであ
る。図10は第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層
7、第7磁性層14および第8磁性層15の温度と保磁
力との関係を示し、また図11は、記録プロセスを説明
する図であり、各磁性層の磁気状態を表している。
は、図9に示すように、第7磁性層14、第8磁性層1
5を第4磁性層7の保護層8側に有している。他は、透
光性基板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層
4、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護
層8、オーバーコート層9は、サンプル#1と同じであ
る。図10は第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層
7、第7磁性層14および第8磁性層15の温度と保磁
力との関係を示し、また図11は、記録プロセスを説明
する図であり、各磁性層の磁気状態を表している。
【0074】この光磁気記録媒体における記録動作は、
Hwを利用し、PhとPlに強度変調されたレーザ光を
照射することにより行うものであり、実施の形態1の場
合と同じであるので詳細な説明は省略するが、第4磁性
層7の磁化は、図11(イ),(リ)のように記録する
前に第7磁性層14を通して第8磁性層15の磁化と同
じ方向に揃えられている。すなわち、第8磁性層15が
上述のHiの働きをするため、Hiは必要なくなる。以
下、この光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスク
のサンプル#7を示す。
Hwを利用し、PhとPlに強度変調されたレーザ光を
照射することにより行うものであり、実施の形態1の場
合と同じであるので詳細な説明は省略するが、第4磁性
層7の磁化は、図11(イ),(リ)のように記録する
前に第7磁性層14を通して第8磁性層15の磁化と同
じ方向に揃えられている。すなわち、第8磁性層15が
上述のHiの働きをするため、Hiは必要なくなる。以
下、この光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスク
のサンプル#7を示す。
【0075】<サンプル#7>第7磁性層14は、T
b、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚20nmのTbFeCoからなり、第8磁性層15
は、Tb、Fe、Coターゲットの同時スパッタリング
により膜厚60nmのTbFeCoからなる。成膜時の
スパッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa
以下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300
Wである。
b、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚20nmのTbFeCoからなり、第8磁性層15
は、Tb、Fe、Coターゲットの同時スパッタリング
により膜厚60nmのTbFeCoからなる。成膜時の
スパッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa
以下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300
Wである。
【0076】第7磁性層14は、遷移金属リッチ、TC7
=160℃、室温でのHC7=160kA/mとなる特性
を示し、第8磁性層15は、希土類金属リッチ、TC8>
300℃、Tcomp8=280℃、室温でのHC8=320
kA/mとなる特性を示す。
=160℃、室温でのHC7=160kA/mとなる特性
を示し、第8磁性層15は、希土類金属リッチ、TC8>
300℃、Tcomp8=280℃、室温でのHC8=320
kA/mとなる特性を示す。
【0077】サンプル#7の光磁気ディスクに対して、
Hw=32kA/m、Ph=10mW、Pl=5mWに
て、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区拡
大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したところ、
Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以上と
なった。また、サンプル#1、#2に比べると、Hiを
省略することができた。
Hw=32kA/m、Ph=10mW、Pl=5mWに
て、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区拡
大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したところ、
Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以上と
なった。また、サンプル#1、#2に比べると、Hiを
省略することができた。
【0078】(実施の形態7)次に、本発明の第7の実
施の形態について、図9、図12および図13に基づい
て説明すれば以下の通りである。
施の形態について、図9、図12および図13に基づい
て説明すれば以下の通りである。
【0079】本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、図9に示すように、第7磁性層14、第8磁性層1
5を第4磁性層7の保護層8側に有している。他は、透
光性基板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層
4、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護
層8、オーバーコート層9は、実施の形態1と同じであ
る。図12は第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層
7、第7磁性層14および第8磁性層15の温度と保磁
力との関係を示し、また図13は、記録プロセスを説明
する図であり、各磁性層の磁気状態を表している。
は、図9に示すように、第7磁性層14、第8磁性層1
5を第4磁性層7の保護層8側に有している。他は、透
光性基板1、誘電体層2、第1磁性層3、第1中間層
4、第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層7、保護
層8、オーバーコート層9は、実施の形態1と同じであ
る。図12は第2磁性層5、第3磁性層6、第4磁性層
7、第7磁性層14および第8磁性層15の温度と保磁
力との関係を示し、また図13は、記録プロセスを説明
する図であり、各磁性層の磁気状態を表している。
【0080】記録方法は、Hwを利用し、PhとPlに
強度変調されたレーザ光を照射することにより行うもの
であり、第1の実施の形態の場合と同じであるので詳細
な説明は省略するが、第4磁性層7の磁化は、記録する
前に第7磁性層14を通して第8磁性層15の磁化と同
じ方向に揃えられている(図13(イ),(リ))。す
なわち、第8磁性層15が上述のHiの働きをするた
め、Hiは必要なくなる。以下、光磁気記録媒体の一例
として、光磁気ディスクのサンプル#8を示す。
強度変調されたレーザ光を照射することにより行うもの
であり、第1の実施の形態の場合と同じであるので詳細
な説明は省略するが、第4磁性層7の磁化は、記録する
前に第7磁性層14を通して第8磁性層15の磁化と同
じ方向に揃えられている(図13(イ),(リ))。す
なわち、第8磁性層15が上述のHiの働きをするた
め、Hiは必要なくなる。以下、光磁気記録媒体の一例
として、光磁気ディスクのサンプル#8を示す。
【0081】<サンプル8>第7中間層14は、Dy、
Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより膜厚
20nmのDyFeCoからなり、第8中間層15は、
Dy、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングによ
り膜厚60nmのDyFeCoからなる。成膜時のスパ
ッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以
下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300W
である。
Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより膜厚
20nmのDyFeCoからなり、第8中間層15は、
Dy、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングによ
り膜厚60nmのDyFeCoからなる。成膜時のスパ
ッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以
下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300W
である。
【0082】第7磁性層14は、遷移金属リッチ、TC7
=100℃、室温でのHC7=160kA/mとなる特性
を示し、第8磁性層15は、希土類金属リッチ、TC8=
150℃、室温でのHC8=240kA/mとなる特性を
示す。
=100℃、室温でのHC7=160kA/mとなる特性
を示し、第8磁性層15は、希土類金属リッチ、TC8=
150℃、室温でのHC8=240kA/mとなる特性を
示す。
【0083】サンプル#8の光磁気ディスクに対して、
Hw=32kA/m、Ph=10mW、Pl=5mWに
て、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区拡
大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したところ、
Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以上と
なった。また、サンプル#7に比べると、第8磁性層1
5はそのTC8が低いためHwにより初期化され、第8磁
性層15を初期化しておく必要がなくなった。
Hw=32kA/m、Ph=10mW、Pl=5mWに
て、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区拡
大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したところ、
Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以上と
なった。また、サンプル#7に比べると、第8磁性層1
5はそのTC8が低いためHwにより初期化され、第8磁
性層15を初期化しておく必要がなくなった。
【0084】(実施の形態8)次に、本発明の実施の形
態8について、図14に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、
第5磁性層10を除いては、実施の形態6,7の光磁気
記録媒体と同様であり、透光性基板1、誘電体層2、第
1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第3磁性層
6、第4磁性層7、第7磁性層14、第8磁性層15、
保護層8、オーバーコート層9を有している。以下、光
磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル
#9を示す。
態8について、図14に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、
第5磁性層10を除いては、実施の形態6,7の光磁気
記録媒体と同様であり、透光性基板1、誘電体層2、第
1磁性層3、第1中間層4、第2磁性層5、第3磁性層
6、第4磁性層7、第7磁性層14、第8磁性層15、
保護層8、オーバーコート層9を有している。以下、光
磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプル
#9を示す。
【0085】<サンプル#9>第5磁性層10は、G
d、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚50nmのGdFeCoからなり、成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、
Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300Wであ
る。第5磁性層10は、希土類金属リッチ、TC5>30
0℃、Tcomp5=150℃、室温でのHC5=24kA/
mとなる特性を示す。
d、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚50nmのGdFeCoからなり、成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、
Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300Wであ
る。第5磁性層10は、希土類金属リッチ、TC5>30
0℃、Tcomp5=150℃、室温でのHC5=24kA/
mとなる特性を示す。
【0086】サンプル#9の光磁気ディスクに対して、
Hw=24kA/m、Ph=10mW、Pl=5mWに
て、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区拡
大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したところ、
Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以上と
なった。また、サンプル#7、#8に比べると、Hwを
低減することができた。
Hw=24kA/m、Ph=10mW、Pl=5mWに
て、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区拡
大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したところ、
Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以上と
なった。また、サンプル#7、#8に比べると、Hwを
低減することができた。
【0087】(実施の形態9)本発明の実施の形態につ
いて、図15に基づいて説明すれば以下の通りである。
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第6磁性
層11を除いては、実施の形態6もしくは7と同じであ
る。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディス
クのサンプル#10を示す。
いて、図15に基づいて説明すれば以下の通りである。
本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成は、第6磁性
層11を除いては、実施の形態6もしくは7と同じであ
る。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディス
クのサンプル#10を示す。
【0088】<サンプル#10>第6磁性層11は、G
d、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚50nmのGdFeCoからなり、成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、
Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300Wであ
る。第6磁性層11は、希土類金属リッチ、TC6>30
0℃、Tcomp6=250℃、室温で面内磁化となる特性
を示す。
d、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚50nmのGdFeCoからなり、成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以下、
Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300Wであ
る。第6磁性層11は、希土類金属リッチ、TC6>30
0℃、Tcomp6=250℃、室温で面内磁化となる特性
を示す。
【0089】サンプル#10の光磁気ディスクに対し
て、Hw=24kA/m、Ph=10mW、Pl=5m
Wにて、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁
区拡大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したとこ
ろ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以
上となった。また、サンプル#7、#8に比べると、H
wを低減することができた。
て、Hw=24kA/m、Ph=10mW、Pl=5m
Wにて、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁
区拡大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したとこ
ろ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以
上となった。また、サンプル#7、#8に比べると、H
wを低減することができた。
【0090】(実施の形態10)次に、本発明の実施の
形態10について、図16に基づいて説明すれば以下の
通りである。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、第2中間層12を除いては実施の形態6,7と同様
である。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気デ
ィスクのサンプル#11を示す。
形態10について、図16に基づいて説明すれば以下の
通りである。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、第2中間層12を除いては実施の形態6,7と同様
である。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気デ
ィスクのサンプル#11を示す。
【0091】<サンプル#11>第2中間層12は、反
応性スパッタリングにより膜厚10nmのAlNからな
り、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度2.0
×10-4Pa以下、N2ガス圧3.0×10-1Pa、放
電電力700Wである。
応性スパッタリングにより膜厚10nmのAlNからな
り、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度2.0
×10-4Pa以下、N2ガス圧3.0×10-1Pa、放
電電力700Wである。
【0092】サンプル#11の光磁気ディスクに対し
て、Hw=24kA/m、Ph=9mW、Pl=4mW
にて、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区
拡大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したとこ
ろ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以
上となった。また、サンプル#7、#8に比べると、H
wおよびレーザパワーを低減することができた。
て、Hw=24kA/m、Ph=9mW、Pl=4mW
にて、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区
拡大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したとこ
ろ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nは40dB以
上となった。また、サンプル#7、#8に比べると、H
wおよびレーザパワーを低減することができた。
【0093】(実施の形態11)次に、本発明の実施の
形態11について、図17に基づいて説明すれば以下の
通りである。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、界面層13を除いては実施の形態6もしくは7と同
じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気
ディスクのサンプル#12を示す。
形態11について、図17に基づいて説明すれば以下の
通りである。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、界面層13を除いては実施の形態6もしくは7と同
じである。以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁気
ディスクのサンプル#12を示す。
【0094】<サンプル#12>界面層13は、Gdタ
ーゲットもしくはFeターゲットのスパッタリングによ
り膜厚1nmのGdもしくはFeからなり、成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以
下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300W
である。
ーゲットもしくはFeターゲットのスパッタリングによ
り膜厚1nmのGdもしくはFeからなり、成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.0×10-4Pa以
下、Arガス圧6.5×10-1Pa、放電電力300W
である。
【0095】サンプル#12の光磁気ディスクに対し
て、Hw=24kA/m、Ph=9mW、Pl=4mW
にて、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区
拡大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したとこ
ろ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nが40dB以
上となった。また、サンプル#7、#8に比べると、H
wおよびレーザパワーを低減することができた。
て、Hw=24kA/m、Ph=9mW、Pl=4mW
にて、記録磁区長0.2mmの記録磁区を記録し、磁区
拡大再生を行い、PrとC/Nの関係を測定したとこ
ろ、Pr=2〜3.5mWの範囲でC/Nが40dB以
上となった。また、サンプル#7、#8に比べると、H
wおよびレーザパワーを低減することができた。
【0096】(実施の形態12)次に、本発明の実施の
形態12について、図18に基づいて説明すれば以下の
通りである。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、第3中間層16を除いては実施の形態1と同じであ
る。
形態12について、図18に基づいて説明すれば以下の
通りである。本実施の形態に係る光磁気記録媒体の構成
は、第3中間層16を除いては実施の形態1と同じであ
る。
【0097】本実施の形態の光磁気記録媒体は、第2磁
性層5と第3磁性層6とが静磁結合する。このようにす
ることで、第2磁性層5と第3磁性層6の成膜時におけ
る磁気特性の制御が容易となる。以下、本光磁気記録媒
体の一例として、光磁気ディスクのサンプル#13を示
す。
性層5と第3磁性層6とが静磁結合する。このようにす
ることで、第2磁性層5と第3磁性層6の成膜時におけ
る磁気特性の制御が容易となる。以下、本光磁気記録媒
体の一例として、光磁気ディスクのサンプル#13を示
す。
【0098】<サンプル#13>第3中間層16は、反
応性スパッタリングにより膜厚3nmのAlNからな
り、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度2.0
×10-4Pa以下、N2ガス圧3.0×10-1Pa、放
電電力700Wである。
応性スパッタリングにより膜厚3nmのAlNからな
り、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度2.0
×10-4Pa以下、N2ガス圧3.0×10-1Pa、放
電電力700Wである。
【0099】サンプル#13の光磁気ディスクに対し
て、Hi=240kA/m、Hw=30kA/m、Ph
=10mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mm
の記録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/
Nの関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範
囲でC/Nは40dB以上となった。また、サンプル#
1に比べると、Hwを低減することができ記録磁界感度
が上昇した。さらにC/Nも上昇した。
て、Hi=240kA/m、Hw=30kA/m、Ph
=10mW、Pl=5mWにて、記録磁区長0.2mm
の記録磁区を記録し、磁区拡大再生を行い、PrとC/
Nの関係を測定したところ、Pr=2〜3.5mWの範
囲でC/Nは40dB以上となった。また、サンプル#
1に比べると、Hwを低減することができ記録磁界感度
が上昇した。さらにC/Nも上昇した。
【0100】これは第2磁性層5と第3磁性層6との間
に第3中間層16を設けることによって、前記磁性層間
に働く交換力を断ち切りることができる。これにより、
記録時に第2磁性層5(面内磁化状態)からの交換力を
受けることがなくなったため記録磁界感度が上昇したも
のと考えられる。さらに再生時は第3磁性層6から第2
磁性層5への交換結合力がないため、第2磁性層5の面
内磁化は一切傾くことなく理想的に面平行な磁化とな
り、不要な記録磁区からの漏洩磁界を確実に遮断するこ
とができる。これによりサンプル#1よりも高いC/N
が得られたものと考えられる。
に第3中間層16を設けることによって、前記磁性層間
に働く交換力を断ち切りることができる。これにより、
記録時に第2磁性層5(面内磁化状態)からの交換力を
受けることがなくなったため記録磁界感度が上昇したも
のと考えられる。さらに再生時は第3磁性層6から第2
磁性層5への交換結合力がないため、第2磁性層5の面
内磁化は一切傾くことなく理想的に面平行な磁化とな
り、不要な記録磁区からの漏洩磁界を確実に遮断するこ
とができる。これによりサンプル#1よりも高いC/N
が得られたものと考えられる。
【0101】<変形例>以下、以上説明した光磁気記録
媒体の変形例について説明する。以上の実施の形態にお
いては透光性基板1としてはガラスを用いたが、これ以
外にも、化学強化されたガラス、これらのガラス基板上
に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる2P層付き
ガラス基板、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメ
タクリレート(PMMA)、アモルファスポリオレフィ
ン(APO)、ポリスチレン(PS)、ポリ塩化ビフェ
ニール(PVC)、エポキシなどを基板1として使用す
ることが可能である。
媒体の変形例について説明する。以上の実施の形態にお
いては透光性基板1としてはガラスを用いたが、これ以
外にも、化学強化されたガラス、これらのガラス基板上
に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる2P層付き
ガラス基板、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメ
タクリレート(PMMA)、アモルファスポリオレフィ
ン(APO)、ポリスチレン(PS)、ポリ塩化ビフェ
ニール(PVC)、エポキシなどを基板1として使用す
ることが可能である。
【0102】第2磁性層5については、再生時の最高到
達温度付近にキュリー温度TC2を持ち、TC2以下領域で
は面内磁化によって第3磁性層6からの磁束をマスク
し、TC2以上領域でのみ漏洩磁束を通すGdFeを用い
た。実際にはある臨界温度以下では上記磁束をマスク
し、前記臨界温度以上では漏洩磁束を通す性質の磁性層
であればいずれの材料を用いても構わない。例えば、図
19に示すように、ある臨界温度以下では面内磁化状態
となって上記磁束をマスクし、前記臨界温度以上では垂
直磁化状態となって漏洩磁束を通す性質の磁性層をもち
いても構わない。この時垂直磁化領域で、トータル磁化
(希土類と遷移金属の磁化の合計)の方向が第2磁性層
5と第3磁性層6それぞれにおいて同じであれば、この
二層の磁気モーメント合計が大きくなるので、第1磁性
層3への転写磁界が大きくなって望ましい。
達温度付近にキュリー温度TC2を持ち、TC2以下領域で
は面内磁化によって第3磁性層6からの磁束をマスク
し、TC2以上領域でのみ漏洩磁束を通すGdFeを用い
た。実際にはある臨界温度以下では上記磁束をマスク
し、前記臨界温度以上では漏洩磁束を通す性質の磁性層
であればいずれの材料を用いても構わない。例えば、図
19に示すように、ある臨界温度以下では面内磁化状態
となって上記磁束をマスクし、前記臨界温度以上では垂
直磁化状態となって漏洩磁束を通す性質の磁性層をもち
いても構わない。この時垂直磁化領域で、トータル磁化
(希土類と遷移金属の磁化の合計)の方向が第2磁性層
5と第3磁性層6それぞれにおいて同じであれば、この
二層の磁気モーメント合計が大きくなるので、第1磁性
層3への転写磁界が大きくなって望ましい。
【0103】上記第1中間層(誘電体層)2のAlNの
膜厚は、65nmに限定されるものではない。誘電体層
2の膜厚は、光磁気ディスクを再生する際に第1磁性層
あるいは再生磁性層からの極カー回転角を光の干渉効果
を利用して増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメ
ントを考慮して決定される。つまり再生時のC/Nをで
きるだけ大きくするには、極カー回転角をできるだけ大
きくすることが必要であり、このため誘電体層2の膜厚
は、極カー回転角が大きくなるように設定される。
膜厚は、65nmに限定されるものではない。誘電体層
2の膜厚は、光磁気ディスクを再生する際に第1磁性層
あるいは再生磁性層からの極カー回転角を光の干渉効果
を利用して増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメ
ントを考慮して決定される。つまり再生時のC/Nをで
きるだけ大きくするには、極カー回転角をできるだけ大
きくすることが必要であり、このため誘電体層2の膜厚
は、極カー回転角が大きくなるように設定される。
【0104】また、誘電体層2は上記のカー効果エンハ
ンスメントだけでなく、保護層8とともに希土類金属−
遷移金属合金磁性層の酸化を防止する役割がある。さら
にAlNは、Alターゲットを用いて、N2ガスもしく
はArとN2の混合ガスを導入して反応性DC(直流電
源)スパッタリングを行うことが可能であり、RF(高
周波)スパッタリングに比べて成膜速度が大きい点でも
有利である。
ンスメントだけでなく、保護層8とともに希土類金属−
遷移金属合金磁性層の酸化を防止する役割がある。さら
にAlNは、Alターゲットを用いて、N2ガスもしく
はArとN2の混合ガスを導入して反応性DC(直流電
源)スパッタリングを行うことが可能であり、RF(高
周波)スパッタリングに比べて成膜速度が大きい点でも
有利である。
【0105】AlN以外の誘電体層2の材料としては、
SiN、AlSiN、AlTaN、SiAlON、Ti
N、TiON、BN、ZnS、TiO2、BaTiO3、
SrTiO3などが好適である。このうち、特にSi
N、AlSiN、AlTaN、TiN、BN、ZnS
は、その成分に酸素を含まないので磁性層が酸化しにく
く、また、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供するこ
とができる。
SiN、AlSiN、AlTaN、SiAlON、Ti
N、TiON、BN、ZnS、TiO2、BaTiO3、
SrTiO3などが好適である。このうち、特にSi
N、AlSiN、AlTaN、TiN、BN、ZnS
は、その成分に酸素を含まないので磁性層が酸化しにく
く、また、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供するこ
とができる。
【0106】各磁性層の希土類金属−遷移金属合金の材
料、組成は、上記の材料、組成に限定されるものではな
い。各磁性層の材料として、Gd、Tb、Dy、Ho、
Ndから選ばれた少なくとも1種の希土類金属と、F
e、Coから選ばれた少なくとも1種の遷移金属からな
る合金を使用しても、同様の効果がえられる。また上記
材料に、Cr、V、Nb、Mn、Be、Ni、Ti、P
t、Rh、Cuのうち少なくとも1種類の元素を添加す
ると、各磁性層自体の耐環境性が向上する。すなわち、
水分、酸素進入による酸化による特性の劣化を少なく
し、長期信頼性に優れた光磁気ディスクを提供すること
ができる。
料、組成は、上記の材料、組成に限定されるものではな
い。各磁性層の材料として、Gd、Tb、Dy、Ho、
Ndから選ばれた少なくとも1種の希土類金属と、F
e、Coから選ばれた少なくとも1種の遷移金属からな
る合金を使用しても、同様の効果がえられる。また上記
材料に、Cr、V、Nb、Mn、Be、Ni、Ti、P
t、Rh、Cuのうち少なくとも1種類の元素を添加す
ると、各磁性層自体の耐環境性が向上する。すなわち、
水分、酸素進入による酸化による特性の劣化を少なく
し、長期信頼性に優れた光磁気ディスクを提供すること
ができる。
【0107】各磁性層の膜厚は、その材料、組成との兼
ね合いで決まるものであり、上記膜厚に限定されるもの
ではない。上記実施の形態では、保護層8のAlNの膜
厚は30nmとしたが、これに限定されるものではな
い。保護層8の膜厚の範囲としては、1〜200nmが
好適である。
ね合いで決まるものであり、上記膜厚に限定されるもの
ではない。上記実施の形態では、保護層8のAlNの膜
厚は30nmとしたが、これに限定されるものではな
い。保護層8の膜厚の範囲としては、1〜200nmが
好適である。
【0108】保護層8は、誘電体層2とともにその熱伝
導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼす。
このことは、光磁気ディスクの記録感度を保護層8の膜
厚である程度制御できることを意味し、たとえば記録感
度を上げる(=低いレーザパワーで記録消去が行える)
目的であれば、保護層8の膜厚を薄くすればよい。通常
は、レーザ寿命をのばすために記録感度がある程度高い
方が有利であり、保護層8の膜厚は薄い方がよい。Al
Nはこの意味でも好適で、耐湿性に優れるので、保護層
8として用いた場合、膜厚を薄くすることができ、記録
感度の高い光磁気ディスクを提供することができる。上
記実施の形態では、保護層8を誘電体2と同じAlNと
することで、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供で
き、かつ保護層8と誘電体層2を同じ材料で形成するこ
とで、生産性も向上させることができる。
導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼす。
このことは、光磁気ディスクの記録感度を保護層8の膜
厚である程度制御できることを意味し、たとえば記録感
度を上げる(=低いレーザパワーで記録消去が行える)
目的であれば、保護層8の膜厚を薄くすればよい。通常
は、レーザ寿命をのばすために記録感度がある程度高い
方が有利であり、保護層8の膜厚は薄い方がよい。Al
Nはこの意味でも好適で、耐湿性に優れるので、保護層
8として用いた場合、膜厚を薄くすることができ、記録
感度の高い光磁気ディスクを提供することができる。上
記実施の形態では、保護層8を誘電体2と同じAlNと
することで、耐湿性に優れた光磁気ディスクを提供で
き、かつ保護層8と誘電体層2を同じ材料で形成するこ
とで、生産性も向上させることができる。
【0109】また、保護層7の材料としては、AlN以
外にも前述の目的、効果を考慮すれば、上述の誘電体層
2の材料として用いられるSiN、AlSiN、AlT
aN、SiAlON、TiN、TiON、BN、Zn
S、TiO2、BaTiO3、SrTiO3が好適であ
る。このうち、特にSiN、AlSiN、AlTaN、
TiN、BN、ZnSは、その成分に酸素を含まないの
で磁性層が酸化しにくく、耐湿性に優れた光磁気ディス
クを提供することができる。
外にも前述の目的、効果を考慮すれば、上述の誘電体層
2の材料として用いられるSiN、AlSiN、AlT
aN、SiAlON、TiN、TiON、BN、Zn
S、TiO2、BaTiO3、SrTiO3が好適であ
る。このうち、特にSiN、AlSiN、AlTaN、
TiN、BN、ZnSは、その成分に酸素を含まないの
で磁性層が酸化しにくく、耐湿性に優れた光磁気ディス
クを提供することができる。
【0110】上記実施の形態で説明した光磁気ディスク
は、一般に片面タイプと呼ばれる。第1中間層2〜保護
膜8の薄膜部分を総じて記録媒体層と称することにする
と、片面タイプの光磁気ディスクは、基板1、記録媒体
層、オーバーコート層の構造となる。これに対して、基
板1の上に記録媒体層を形成したもの2枚を、記録媒体
層が対向するように接着層で接着した光磁気ディスク
は、両面タイプと呼ばれている。
は、一般に片面タイプと呼ばれる。第1中間層2〜保護
膜8の薄膜部分を総じて記録媒体層と称することにする
と、片面タイプの光磁気ディスクは、基板1、記録媒体
層、オーバーコート層の構造となる。これに対して、基
板1の上に記録媒体層を形成したもの2枚を、記録媒体
層が対向するように接着層で接着した光磁気ディスク
は、両面タイプと呼ばれている。
【0111】接着層の材料は、ポリウレタンアクリレー
ト系接着剤が特によい。この接着剤は、紫外線、熱およ
び嫌気性の3タイプの硬化樹脂機能が組み合わされたも
のであり、紫外線が透過しない記録媒体の影になる部分
の硬化が熱および嫌気性硬化機能により硬化されるとい
う利点を持っており、極めて高い耐湿性を有し、長期安
定性に極めて優れた光磁気ディスクを提供することがで
きる。
ト系接着剤が特によい。この接着剤は、紫外線、熱およ
び嫌気性の3タイプの硬化樹脂機能が組み合わされたも
のであり、紫外線が透過しない記録媒体の影になる部分
の硬化が熱および嫌気性硬化機能により硬化されるとい
う利点を持っており、極めて高い耐湿性を有し、長期安
定性に極めて優れた光磁気ディスクを提供することがで
きる。
【0112】片面タイプは、両面タイプと比べて素子の
厚みが半分ですむため、たとえば小型化が要求される記
録再生装置において有利である。
厚みが半分ですむため、たとえば小型化が要求される記
録再生装置において有利である。
【0113】両面タイプは、両面再生が可能なため、た
とえば大容量を要求される記録再生装置において有利で
ある。また、磁界変調オーバーライト方式を用いないの
で両面タイプが使用できる。高密度記録のための薄型基
板においても、両面タイプにすることによって機械強度
をあげることができ、ディスクのそりを低減することが
でき記録再生の信頼性が向上する。
とえば大容量を要求される記録再生装置において有利で
ある。また、磁界変調オーバーライト方式を用いないの
で両面タイプが使用できる。高密度記録のための薄型基
板においても、両面タイプにすることによって機械強度
をあげることができ、ディスクのそりを低減することが
でき記録再生の信頼性が向上する。
【0114】なお、以上の実施の形態では、第3磁性層
5に光変調オーバライト記録する例について示したが、
これに限るものではなく、第3磁性層5における記録磁
区の最小単位と、第2磁性層3の再生時におけるアパー
チャー(磁束漏洩領域:第1磁性層に有効に磁束を漏洩
させる領域)の形状がともに略円形あるいは略楕円形で
あればよい。このとき、その再生時におけるアパーチャ
ーの大きさが上記記録磁区の最小単位の大きさと略同一
であれば、第3磁性層5の余計な部分からの磁束の漏洩
を効果的に抑制できる。よって、高密度記録を実現でき
る。
5に光変調オーバライト記録する例について示したが、
これに限るものではなく、第3磁性層5における記録磁
区の最小単位と、第2磁性層3の再生時におけるアパー
チャー(磁束漏洩領域:第1磁性層に有効に磁束を漏洩
させる領域)の形状がともに略円形あるいは略楕円形で
あればよい。このとき、その再生時におけるアパーチャ
ーの大きさが上記記録磁区の最小単位の大きさと略同一
であれば、第3磁性層5の余計な部分からの磁束の漏洩
を効果的に抑制できる。よって、高密度記録を実現でき
る。
【0115】<本発明の実施の形態の効果>以下に上記
光磁気記録媒体及びその再生方法の効果を説明する。 (1)光変調オーバーライトが可能で、かつ再生信号特
性が高く、さらに光ビームの径より小さい微小記録磁区
の拡大再生が確実に行え、高密度記録に適した光磁気記
録媒体を供給することができるという効果を奏する。
光磁気記録媒体及びその再生方法の効果を説明する。 (1)光変調オーバーライトが可能で、かつ再生信号特
性が高く、さらに光ビームの径より小さい微小記録磁区
の拡大再生が確実に行え、高密度記録に適した光磁気記
録媒体を供給することができるという効果を奏する。
【0116】(2)磁区拡大再生により、従来再生する
ことのできなかった微小記録磁区を再生することが可能
となり、大幅な記録密度の向上が実現できるという効果
を奏する。
ことのできなかった微小記録磁区を再生することが可能
となり、大幅な記録密度の向上が実現できるという効果
を奏する。
【0117】(3)第1磁性層(再生層)を室温で面内
磁化状態であり、温度上昇につれて垂直磁化状態となる
磁性層とすることにより、ビームスポット領域におい
て、磁区が転写される部分以外はつねに面内磁化状態と
できる。この場合、極カー効果を与えないので、信号ノ
イズを低減することができるという効果を奏する。
磁化状態であり、温度上昇につれて垂直磁化状態となる
磁性層とすることにより、ビームスポット領域におい
て、磁区が転写される部分以外はつねに面内磁化状態と
できる。この場合、極カー効果を与えないので、信号ノ
イズを低減することができるという効果を奏する。
【0118】(4)第2磁性層(磁化マスク層)を再生
時の加熱により磁化の消失(または減少)する磁性層と
することで、熱せられて磁化の減少した(あるいはなく
なった)領域においてのみ第3磁性層(記録層)の記録
磁区からの漏洩磁束を通過させることができる。これに
より目的の記録磁区のみを拡大することができ、より確
実な信号再生が可能となり、記録密度の向上が実現でき
るという効果を奏する。
時の加熱により磁化の消失(または減少)する磁性層と
することで、熱せられて磁化の減少した(あるいはなく
なった)領域においてのみ第3磁性層(記録層)の記録
磁区からの漏洩磁束を通過させることができる。これに
より目的の記録磁区のみを拡大することができ、より確
実な信号再生が可能となり、記録密度の向上が実現でき
るという効果を奏する。
【0119】(5)第2磁性層を室温で面内磁化状態で
あり、再生時の加熱により垂直磁化状態となる磁性層と
することで、熱せられて垂直磁化状態になった領域にお
いてのみ第3磁性層の記録磁区からの漏洩磁束を通過さ
せることができる。これにより目的の記録磁区のみを拡
大することができ、より確実な信号再生が可能となり、
記録密度の向上が実現できるという効果を奏する。
あり、再生時の加熱により垂直磁化状態となる磁性層と
することで、熱せられて垂直磁化状態になった領域にお
いてのみ第3磁性層の記録磁区からの漏洩磁束を通過さ
せることができる。これにより目的の記録磁区のみを拡
大することができ、より確実な信号再生が可能となり、
記録密度の向上が実現できるという効果を奏する。
【0120】(6)第1中間層を透光性誘電体とするこ
とで、光ビームの径より小さい微小記録磁区の再生を行
うことができ、さらに信頼性を改善できるという効果を
奏する。
とで、光ビームの径より小さい微小記録磁区の再生を行
うことができ、さらに信頼性を改善できるという効果を
奏する。
【0121】(7)第1中間層を光反射性金属(Al
等)とすることで、光ビームの径より小さい微小記録磁
区の再生を行うことができ、さらに生産効率を改善でき
るという効果を奏する。
等)とすることで、光ビームの径より小さい微小記録磁
区の再生を行うことができ、さらに生産効率を改善でき
るという効果を奏する。
【0122】(8)第3磁性層と第4磁性層との間に、
第4磁性層のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有
する第5磁性層を設けることで、光変調オーバーライト
の記録磁界を低減できるという効果を奏する。
第4磁性層のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有
する第5磁性層を設けることで、光変調オーバーライト
の記録磁界を低減できるという効果を奏する。
【0123】(9)第3磁性層と第4磁性層との間に、
室温において面内磁化状態であり、温度上昇に伴い垂直
磁化となる第6磁性層を設けることで、光変調オーバー
ライトの初期化磁界と記録磁界を低減できるという効果
を奏する。
室温において面内磁化状態であり、温度上昇に伴い垂直
磁化となる第6磁性層を設けることで、光変調オーバー
ライトの初期化磁界と記録磁界を低減できるという効果
を奏する。
【0124】(10)第3磁性層と第4磁性層との間
に、非磁性材料からなる第2中間層を設けることによ
り、光変調オーバーライトの記録磁界とレーザパワーを
低減できるという効果を奏する。
に、非磁性材料からなる第2中間層を設けることによ
り、光変調オーバーライトの記録磁界とレーザパワーを
低減できるという効果を奏する。
【0125】(11)第3磁性層と第4磁性層との間
に、遷移金属もしくは希土類金属からなる界面層を設け
ることにより、光変調オーバーライトの記録磁界とレー
ザパワーを低減できるという効果を奏する。
に、遷移金属もしくは希土類金属からなる界面層を設け
ることにより、光変調オーバーライトの記録磁界とレー
ザパワーを低減できるという効果を奏する。
【0126】(12)第2磁性層と第3磁性層との間に
非磁性材料からなる第3中間層を設けることにより、光
変調オーバーライトの記録磁界を低減でき、信号特性も
向上するという効果を奏する。
非磁性材料からなる第3中間層を設けることにより、光
変調オーバーライトの記録磁界を低減でき、信号特性も
向上するという効果を奏する。
【0127】(13)第4磁性層の第3磁性層が形成さ
れていない側に第7磁性層及び第8磁性層を設け、第7
磁性層のキュリー点を第8磁性層のキュリー点よりも低
くすることにより、光変調オーバーライトの初期化磁界
をなくすことができるという効果を奏する。
れていない側に第7磁性層及び第8磁性層を設け、第7
磁性層のキュリー点を第8磁性層のキュリー点よりも低
くすることにより、光変調オーバーライトの初期化磁界
をなくすことができるという効果を奏する。
【0128】
【発明の効果】本発明では、第3磁性層(記録層)に形
成される記録磁区の最小単位の形状と、第2磁性層(磁
気マスク)におけるアパーチャーの形状を共に略円形若
しくは略楕円形するため、上記アパーチャーと上記記録
磁区との重なりの面積を拡大でき、第3磁性層から第1
磁性層(再生層)へと漏洩させる磁束の大きさを向上で
きる。これにより、第1磁性層(再生層)に大きく拡大
した磁区を形成することが可能となり、再生信号品質を
向上できる。
成される記録磁区の最小単位の形状と、第2磁性層(磁
気マスク)におけるアパーチャーの形状を共に略円形若
しくは略楕円形するため、上記アパーチャーと上記記録
磁区との重なりの面積を拡大でき、第3磁性層から第1
磁性層(再生層)へと漏洩させる磁束の大きさを向上で
きる。これにより、第1磁性層(再生層)に大きく拡大
した磁区を形成することが可能となり、再生信号品質を
向上できる。
【図1】実施の形態1に係る光磁気記録媒体の構成及び
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
【図2】図1の光磁気記録媒体における第1磁性層3の
組成とキュリー温度、補償温度の関係を示す図である。
組成とキュリー温度、補償温度の関係を示す図である。
【図3】図1の光磁気記録媒体における第3磁性層6、
第4磁性層7の温度と保磁力の関係を示す図である。
第4磁性層7の温度と保磁力の関係を示す図である。
【図4】図1の光磁気記録媒体における記録プロセスを
説明する図である。
説明する図である。
【図5】実施の形態2に係る光磁気記録媒体の構成及び
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
【図6】実施の形態3に係る光磁気記録媒体の構成及び
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
【図7】実施の形態4に係る光磁気記録媒体の構成及び
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
【図8】実施の形態5に係る光磁気記録媒体の構成及び
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
【図9】実施の形態6,7に係る光磁気記録媒体の構成
及び各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
及び各層の磁化状態を説明する断面模式図である。
【図10】実施の形態6に係る光磁気記録媒体の各層の
温度と保磁力の関係を示す図である。
温度と保磁力の関係を示す図である。
【図11】実施の形態6に係る光磁気記録媒体の記録プ
ロセスを説明する図である。
ロセスを説明する図である。
【図12】実施の形態7に係る光磁気記録媒体の各層の
温度と保磁力の関係を示す図である。
温度と保磁力の関係を示す図である。
【図13】実施の形態7に係る光磁気記録媒体の記録プ
ロセスを説明する図である。
ロセスを説明する図である。
【図14】実施の形態8に係る光磁気記録媒体の構成及
び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
【図15】実施の形態9に係る光磁気記録媒体の構成及
び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
【図16】実施の形態10に係る光磁気記録媒体の記録
プロセスを説明する図である。
プロセスを説明する図である。
【図17】実施の形態11に係る光磁気記録媒体の構成
及び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
及び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
【図18】実施の形態12に係る光磁気記録媒体の構成
及び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
及び各層の磁化状態を示す断面模式図である。
【図19】磁気マスク層の一例を説明する断面模式図で
ある。
ある。
【図20】従来の光磁気ディスクにおける磁区拡大再生
の原理を示す断面模式図である。
の原理を示す断面模式図である。
【図21】従来の光磁気ディスクにおける磁区拡大再生
の問題点を示す断面模式図である。
の問題点を示す断面模式図である。
【図22】磁気マスク層の一例を説明する断面模式図で
ある。
ある。
【図23】磁区拡大再生における磁界変調記録の問題点
を説明する図である。
を説明する図である。
1 基板 2 誘電体層 3 第1磁性層(再生層) 4 第1中間層(誘電体層) 5 第2磁性層(磁気マスク層) 6 第3磁性層(記録層) 7 第4磁性層 8 保護層 9 オーバーコート層 10 第5磁性層 11 第6磁性層 12 第2中間層 13 界面層 14 第7磁性層 15 第8磁性層 16 第3中間層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 純一郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 少なくとも所定温度以上において垂直磁
化状態となる再生層、非磁性材料からなる中間層、垂直
磁化膜からなる記録層と、をこの順に有するとともに、 前記中間層と前記記録層との間に配され、室温において
前記記録層から前記再生層への磁束の漏洩を抑制し、前
記所定温度近傍において前記記録層から前記再生層へ磁
束を漏洩させ前記再生層に前記記録層の情報を転写する
磁気マスク層を有してなる光磁気記録媒体であって、 前記記録層における記録磁区の最小単位は略円形状また
は略楕円形状に形成されており、かつ、前記磁気マスク
層は前記記録層の磁束を漏洩させる領域が略円形状また
は略楕円形状となるよう形成されてなることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - 【請求項2】 請求項1に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記記録層に対して前記再生層とは反対側に、前記記録
層に光変調により情報をオーバライト記録するための1
層または複数層の光変調層を有してなることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - 【請求項3】 少なくとも所定温度以上において垂直磁
化状態となる再生層、非磁性材料からなる中間層、垂直
磁化膜からなる記録層と、をこの順に有するとともに、 前記中間層と前記記録層との間に配され、室温において
前記記録層から前記再生層への磁束の漏洩を抑制し、前
記所定温度近傍において前記記録層から前記再生層へ磁
束を漏洩させ前記再生層に前記記録層の情報を転写する
磁気マスク層を有してなる光磁気記録媒体の再生方法で
あって、 前記記録層に形成された略円形状または略楕円形状の記
録磁区の情報を、同じく略円形状または略楕円形状の磁
束の漏洩領域を有する前記磁気マスク層で選択して、前
記再生層に転写することを特徴とする光磁気記録媒体の
再生方法。 - 【請求項4】 請求項3に記載の光磁気記録媒体の再生
方法において、 再生時に、前記磁気マスク層における前記記録層の磁束
を漏洩させる領域を、前記記録層における記録磁区の最
小単位と略同一の大きさとすることを特徴とする光磁気
記録媒体の再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1223298A JPH11213468A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1223298A JPH11213468A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11213468A true JPH11213468A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11799637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1223298A Pending JPH11213468A (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11213468A (ja) |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP1223298A patent/JPH11213468A/ja active Pending
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