JP3359804B2 - 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方法Info
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- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的に情報の記
録、再生、消去のうち少なくとも一つを行う、光ディス
ク、光カード等に用いられる光磁気記録媒体とその光磁
気記録方法に関するものである。
録、再生、消去のうち少なくとも一つを行う、光ディス
ク、光カード等に用いられる光磁気記録媒体とその光磁
気記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録方式とは、基板上に磁性体か
らなる垂直磁化膜を形成させたものを記録媒体とし、以
下の方法で記録、再生を行うものである。
らなる垂直磁化膜を形成させたものを記録媒体とし、以
下の方法で記録、再生を行うものである。
【０００３】記録の際には、まず記録媒体を強力な外部
磁場等によって初期化し、磁化の方向を１方向（上向
き、または下向き）に揃えておく。その後、記録したい
エリアにレーザビームを照射して、媒体部分の温度をキ
ュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以上に加熱し、
その部分の保磁力（Ｈc）をゼロ、またはほとんどゼロ
とした上で、初期化の磁化の方向と逆向きの外部磁場
（バイアス磁場）を印加して磁化の向きを反転させる。
レーザビームの照射を止めると記録媒体は常温に戻るの
で、反転した磁化は固定される。つまり、情報が熱磁気
的に記録される。
磁場等によって初期化し、磁化の方向を１方向（上向
き、または下向き）に揃えておく。その後、記録したい
エリアにレーザビームを照射して、媒体部分の温度をキ
ュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以上に加熱し、
その部分の保磁力（Ｈc）をゼロ、またはほとんどゼロ
とした上で、初期化の磁化の方向と逆向きの外部磁場
（バイアス磁場）を印加して磁化の向きを反転させる。
レーザビームの照射を止めると記録媒体は常温に戻るの
で、反転した磁化は固定される。つまり、情報が熱磁気
的に記録される。
【０００４】再生の際には、直線偏光したレーザビーム
を記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面が磁
化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁気フ
ァラデー効果）を利用して、光学的に情報の読み出しを
行う。
を記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面が磁
化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁気フ
ァラデー効果）を利用して、光学的に情報の読み出しを
行う。
【０００５】光磁気記録媒体は、書き換え可能な大容量
記憶素子として注目されているが、この記録媒体を再使
用（書き換え）する方法としては、記録層を交換結合２
層膜にし、初期化磁界（Ｈi）と記録磁界（Ｈw）を利用
して光強度を変調してオーバーライトする、いわゆる光
変調オーバーライトが提案されている。
記憶素子として注目されているが、この記録媒体を再使
用（書き換え）する方法としては、記録層を交換結合２
層膜にし、初期化磁界（Ｈi）と記録磁界（Ｈw）を利用
して光強度を変調してオーバーライトする、いわゆる光
変調オーバーライトが提案されている。
【０００６】ここでＨiを小さくし、かつ記録ビットの
安定性に優れた光磁気記録媒体とするために、図７に示
すように、第１磁性層１３と第２磁性層１５の間に中間
磁性層１４を設けて記録層３層とした、特公平５−２２
３０３号公報に記載の光磁気記録媒体のオーバーライト
の手順につき簡単に説明する。
安定性に優れた光磁気記録媒体とするために、図７に示
すように、第１磁性層１３と第２磁性層１５の間に中間
磁性層１４を設けて記録層３層とした、特公平５−２２
３０３号公報に記載の光磁気記録媒体のオーバーライト
の手順につき簡単に説明する。
【０００７】図８は、第１磁性層１３、中間磁性層１
４、第２磁性層１５の磁化状態を示し、また横軸は温度
を示す。各層は希土類遷移金属合金であるため、トータ
ル磁化と、希土類金属、遷移金属それぞれの副格子磁化
があるが、白抜き矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の
向きを示す。
４、第２磁性層１５の磁化状態を示し、また横軸は温度
を示す。各層は希土類遷移金属合金であるため、トータ
ル磁化と、希土類金属、遷移金属それぞれの副格子磁化
があるが、白抜き矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の
向きを示す。
【０００８】初期化においては、初期化磁界（Ｈi）を
印加することにより第２磁性層１５の磁化のみを一方向
（図では上向き）に揃える。Ｈiの大きさは、第１磁性
層１３の室温での保磁力より小さく、第２磁性層１５の
室温での保磁力より大きいので、この段階で第１磁性層
１３の磁化の反転は生じない。中間磁性層１４は、室温
で面内磁気異方性であるため、第１磁性層１３、第２磁
性層１５の交換力による結合を妨げる効果を有する。
印加することにより第２磁性層１５の磁化のみを一方向
（図では上向き）に揃える。Ｈiの大きさは、第１磁性
層１３の室温での保磁力より小さく、第２磁性層１５の
室温での保磁力より大きいので、この段階で第１磁性層
１３の磁化の反転は生じない。中間磁性層１４は、室温
で面内磁気異方性であるため、第１磁性層１３、第２磁
性層１５の交換力による結合を妨げる効果を有する。
【０００９】記録は、記録磁界（Ｈw）を印加しながら
ハイパワーとローパワーに強度変調されたレーザ光を照
射することにより行う。ハイパワーのレーザ光が照射さ
れると媒体は第２磁性層１５のキュリー点付近まで昇温
し、ローパワーのレーザ光が照射されると第１磁性層１
３のキュリー点付近まで昇温するように、ハイパワー、
ローパワーは設定されている。
ハイパワーとローパワーに強度変調されたレーザ光を照
射することにより行う。ハイパワーのレーザ光が照射さ
れると媒体は第２磁性層１５のキュリー点付近まで昇温
し、ローパワーのレーザ光が照射されると第１磁性層１
３のキュリー点付近まで昇温するように、ハイパワー、
ローパワーは設定されている。
【００１０】ハイパワーのレーザ光が照射されると、第
２磁性層１５の磁化はＨwにより下向きに反転し、冷却
の過程で界面に作用する交換力により垂直磁気異方性と
なっている中間磁性層１４に転写され、さらに第１磁性
層１３に転写される。従って、第１磁性層１３の向きは
下向きとなる。
２磁性層１５の磁化はＨwにより下向きに反転し、冷却
の過程で界面に作用する交換力により垂直磁気異方性と
なっている中間磁性層１４に転写され、さらに第１磁性
層１３に転写される。従って、第１磁性層１３の向きは
下向きとなる。
【００１１】一方、ローパワーのレーザ光が照射されて
も、第２磁性層１５の磁化はその保磁力がＨwより大き
いため、Ｈwにより反転することはない。第１磁性層１
３の磁化は上記と同様に、冷却の過程で界面に作用する
交換力により第２磁性層１５の磁化の向きと一致する。
従って、第１磁性層１３の向きは上向きになる。
も、第２磁性層１５の磁化はその保磁力がＨwより大き
いため、Ｈwにより反転することはない。第１磁性層１
３の磁化は上記と同様に、冷却の過程で界面に作用する
交換力により第２磁性層１５の磁化の向きと一致する。
従って、第１磁性層１３の向きは上向きになる。
【００１２】また、再生時のレーザパワーは、記録時の
ローパワーよりもかなり小さいレベルに設定されてい
る。
ローパワーよりもかなり小さいレベルに設定されてい
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では、光変
調オーバーライトが可能でＨiがある程度小さく、かつ
記録ビットが安定な光磁気記録媒体を供給することがで
きたものの、依然としてＨwよりもかなり大きいＨiが必
要であり、装置の小型化ができない、別装置とのコンパ
チビリティーがとれない等の問題点を有している。本発
明はこれらの問題点に鑑みなされたものであって、光変
調オーバーライトが可能でＨiを実質的に不要とし、か
つ記録ビットが安定である光磁気記録媒体を提供するも
のである。
調オーバーライトが可能でＨiがある程度小さく、かつ
記録ビットが安定な光磁気記録媒体を供給することがで
きたものの、依然としてＨwよりもかなり大きいＨiが必
要であり、装置の小型化ができない、別装置とのコンパ
チビリティーがとれない等の問題点を有している。本発
明はこれらの問題点に鑑みなされたものであって、光変
調オーバーライトが可能でＨiを実質的に不要とし、か
つ記録ビットが安定である光磁気記録媒体を提供するも
のである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記問題点に鑑み本発明
の請求項１に記載の光磁気記録媒体は、少なくとも、再
生磁性層、第１磁性層、第２磁性層が基板上に順次形成
されており、前記第１磁性層は、室温からキュリー点ま
で垂直磁化となる特性を示し、前記第２磁性層は、前記
第１磁性層に比べて室温で小さい保磁力と高いキュリー
点を示し、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性
を示す光磁気記録媒体において、前記第１磁性層と前記
第２磁性層の間、及び前記第１磁性層と前記再生磁性層
の間に、Ｇｄからなる界面層がそれぞれ形成されてお
り、前記第２磁性層は、希土類遷移金属合金からなり、
室温からキュリー点の間に補償点を有することを特徴と
している。
の請求項１に記載の光磁気記録媒体は、少なくとも、再
生磁性層、第１磁性層、第２磁性層が基板上に順次形成
されており、前記第１磁性層は、室温からキュリー点ま
で垂直磁化となる特性を示し、前記第２磁性層は、前記
第１磁性層に比べて室温で小さい保磁力と高いキュリー
点を示し、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性
を示す光磁気記録媒体において、前記第１磁性層と前記
第２磁性層の間、及び前記第１磁性層と前記再生磁性層
の間に、Ｇｄからなる界面層がそれぞれ形成されてお
り、前記第２磁性層は、希土類遷移金属合金からなり、
室温からキュリー点の間に補償点を有することを特徴と
している。
【００１５】
【００１６】
【００１７】また、請求項２に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再
生磁性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有
し、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性を示す
ことを特徴としている。
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再
生磁性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有
し、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性を示す
ことを特徴としている。
【００１８】また、請求項３に記載の光磁気記録媒体
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再
生磁性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有
し、室温で面内磁化を示し、所定温度以上で垂直磁化と
なる特性を示すことを特徴としている。
は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再
生磁性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有
し、室温で面内磁化を示し、所定温度以上で垂直磁化と
なる特性を示すことを特徴としている。
【００１９】
【００２０】
【００２１】また、請求項４に記載の光磁気記録方法
は、請求項１乃至請求項３に記載の光磁気記録媒体を用
いた光磁気記録方法において、前記第２磁性層のキュリ
ー点以上に加熱する高レベルのレーザ光を照射するとも
に記録磁界を印加して第２磁性層の磁化方向を設定した
後、冷却の過程において、第１磁性層と第２磁性層との
交換結合によって第１磁性層の磁化方向を設定し、その
後、記録磁界によって第２磁性層の磁化を反転させるハ
イプロセスと、前記第１磁性層のキュリー点以上に加熱
する低レベルのレーザ光を照射した後、冷却の過程にお
いて、第１磁性層と第２磁性層との交換結合によって第
１磁性層の磁化方向を設定するロープロセスとによって
前記光磁気記録媒体に光変調オーバーライト記録するこ
とを特徴としている。また、請求項５に記載の光磁気記
録媒体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、
前記第１磁性層が、室温で遷移金属リッチとなる希土類
遷移金属合金からなることを特徴としている。また、請
求項６に記載の光磁気記録媒体は、請求項１に記載の光
磁気記録媒体において、前記第２磁性層が、室温で希土
類金属リッチとなる組成を有していることを特徴として
いる。
は、請求項１乃至請求項３に記載の光磁気記録媒体を用
いた光磁気記録方法において、前記第２磁性層のキュリ
ー点以上に加熱する高レベルのレーザ光を照射するとも
に記録磁界を印加して第２磁性層の磁化方向を設定した
後、冷却の過程において、第１磁性層と第２磁性層との
交換結合によって第１磁性層の磁化方向を設定し、その
後、記録磁界によって第２磁性層の磁化を反転させるハ
イプロセスと、前記第１磁性層のキュリー点以上に加熱
する低レベルのレーザ光を照射した後、冷却の過程にお
いて、第１磁性層と第２磁性層との交換結合によって第
１磁性層の磁化方向を設定するロープロセスとによって
前記光磁気記録媒体に光変調オーバーライト記録するこ
とを特徴としている。また、請求項５に記載の光磁気記
録媒体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、
前記第１磁性層が、室温で遷移金属リッチとなる希土類
遷移金属合金からなることを特徴としている。また、請
求項６に記載の光磁気記録媒体は、請求項１に記載の光
磁気記録媒体において、前記第２磁性層が、室温で希土
類金属リッチとなる組成を有していることを特徴として
いる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の第１の参考の形態につい
て、図１〜図３に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
て、図１〜図３に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。
【００２３】本参考の形態の光磁気記録媒体は、図１に
示すように、透光性基板１上に、透光性を有する誘電体
層２、磁性層３（第１磁性層）、界面層４、磁性層５
（第２磁性層）、保護層６を順次形成した構成になって
おり、さらに図示していないが、実際にはオーバーコー
ト膜が形成されている。また磁性層３、磁性層５は、希
土類遷移金属合金からなっている。
示すように、透光性基板１上に、透光性を有する誘電体
層２、磁性層３（第１磁性層）、界面層４、磁性層５
（第２磁性層）、保護層６を順次形成した構成になって
おり、さらに図示していないが、実際にはオーバーコー
ト膜が形成されている。また磁性層３、磁性層５は、希
土類遷移金属合金からなっている。
【００２４】第１磁性層は図２に示すように、第２磁性
層と比較して低いキュリー点（Ｔc1）と、室温で高い保
磁力（Ｈc1）を有し、室温からＴc1まで垂直磁化となる
特性を示し、その組成は、室温で遷移金属リッチとなる
ように設定されている。第２磁性層は、第１磁性層のＴ
c1よりも高いキュリー点（Ｔc2）を有し、室温からＴc2
まで垂直磁化となる特性を示し、その組成は、室温で希
土類金属リッチで、室温からＴc2の間に補償点を有する
ように設定されている。界面層は、希土類金属からな
る。
層と比較して低いキュリー点（Ｔc1）と、室温で高い保
磁力（Ｈc1）を有し、室温からＴc1まで垂直磁化となる
特性を示し、その組成は、室温で遷移金属リッチとなる
ように設定されている。第２磁性層は、第１磁性層のＴ
c1よりも高いキュリー点（Ｔc2）を有し、室温からＴc2
まで垂直磁化となる特性を示し、その組成は、室温で希
土類金属リッチで、室温からＴc2の間に補償点を有する
ように設定されている。界面層は、希土類金属からな
る。
【００２５】記録過程を図３を用いて説明する。図３
は、第１磁性層、第２磁性層の磁化状態を示し、横軸は
温度を示す。各層は希土類遷移金属合金であるため、ト
ータル磁化と、希土類金属、遷移金属それぞれの副格子
磁化があるが、矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の向
きを示す。
は、第１磁性層、第２磁性層の磁化状態を示し、横軸は
温度を示す。各層は希土類遷移金属合金であるため、ト
ータル磁化と、希土類金属、遷移金属それぞれの副格子
磁化があるが、矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の向
きを示す。
【００２６】このような媒体を用いて光変調オーバーラ
イトを行う場合、Ｈwを光ビームの照射部に印加しなが
ら情報に応じて光ビームの強度を変調することにより、
光ビームの照射部の温度がＴc2付近の温度まで昇温する
ハイプロセスと、光ビームの照射部の温度がＴc1付近の
温度まで昇温するロープロセスとを繰り返し、重ね書き
による情報の書き換えを行うことができる。
イトを行う場合、Ｈwを光ビームの照射部に印加しなが
ら情報に応じて光ビームの強度を変調することにより、
光ビームの照射部の温度がＴc2付近の温度まで昇温する
ハイプロセスと、光ビームの照射部の温度がＴc1付近の
温度まで昇温するロープロセスとを繰り返し、重ね書き
による情報の書き換えを行うことができる。
【００２７】室温では、第１磁性層の副格子磁化の向き
に応じて２つの安定な状態、“０”（磁化が上向き）と
“１”（磁化が下向き）が存在する。
に応じて２つの安定な状態、“０”（磁化が上向き）と
“１”（磁化が下向き）が存在する。
【００２８】まずハイプロセスでは、ハイパワー
（Ｐh）のレーザ光を照射することによりＴc2付近まで
温度が上昇するので、第１磁性層の磁化はゼロになり、
第２磁性層の磁化の向きは、この温度付近では遷移金属
リッチであるため、記録磁界（Ｈw）により下向きに揃
えられる。光磁気ディスクの回転により光ビームの照射
部が冷却され第１磁性層の磁化が現れると、第１磁性層
の副格子磁化は界面に作用する交換力によって第２磁性
層の副格子磁化の向きに揃えられ、状態“１”（磁化が
下向き）となる。さらに冷却されると、第２磁性層の副
格子磁化は希土類金属リッチであるため、Ｈwにより上
向きに揃えられる。
（Ｐh）のレーザ光を照射することによりＴc2付近まで
温度が上昇するので、第１磁性層の磁化はゼロになり、
第２磁性層の磁化の向きは、この温度付近では遷移金属
リッチであるため、記録磁界（Ｈw）により下向きに揃
えられる。光磁気ディスクの回転により光ビームの照射
部が冷却され第１磁性層の磁化が現れると、第１磁性層
の副格子磁化は界面に作用する交換力によって第２磁性
層の副格子磁化の向きに揃えられ、状態“１”（磁化が
下向き）となる。さらに冷却されると、第２磁性層の副
格子磁化は希土類金属リッチであるため、Ｈwにより上
向きに揃えられる。
【００２９】次にロープロセスでは、ローパワー
（Ｐl）のレーザ光を照射することによりＴc1付近まで
温度が上昇するが、第２磁性層の保磁力はＨwよりも大
きいため、第２磁性層の磁化の向きがＨwによって反転
することはなく、第２磁性層の副格子磁化の向きは上向
きのままである。光磁気ディスクの回転により光ビーム
の照射部が冷却され第１磁性層の磁化が現れると、第１
磁性層の副格子磁化は界面に作用する交換力によって第
２磁性層の副格子磁化の向きに揃えられ、状態“０”
（磁化が上向き）となる。
（Ｐl）のレーザ光を照射することによりＴc1付近まで
温度が上昇するが、第２磁性層の保磁力はＨwよりも大
きいため、第２磁性層の磁化の向きがＨwによって反転
することはなく、第２磁性層の副格子磁化の向きは上向
きのままである。光磁気ディスクの回転により光ビーム
の照射部が冷却され第１磁性層の磁化が現れると、第１
磁性層の副格子磁化は界面に作用する交換力によって第
２磁性層の副格子磁化の向きに揃えられ、状態“０”
（磁化が上向き）となる。
【００３０】以上のようにハイプロセスの場合、第１磁
性層は状態“１”（磁化が下向き）に移行し、ロープロ
セスの場合、第１磁性層は状態“０”（磁化が上向き）
に移行し、光変調オーバーライトを行うことができる。
性層は状態“１”（磁化が下向き）に移行し、ロープロ
セスの場合、第１磁性層は状態“０”（磁化が上向き）
に移行し、光変調オーバーライトを行うことができる。
【００３１】情報を再生する場合、再生パワー（Ｐr）
のレーザ光を照射し、その反射光における偏光面の回転
を検出することにより再生するが、ロープロセスよりも
かなり低い温度であるので、Ｐrにより情報が消去され
ることはない。
のレーザ光を照射し、その反射光における偏光面の回転
を検出することにより再生するが、ロープロセスよりも
かなり低い温度であるので、Ｐrにより情報が消去され
ることはない。
【００３２】以下、光磁気記録媒体の一例として光磁気
ディスクのサンプルを示す。
ディスクのサンプルを示す。
【００３３】サンプル＃１、＃２では、透光性の基板１
は、外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円
盤状のガラスからなっている。基板１の片側の表面に
は、光ビーム案内用の凹凸状のガイドトラックが反応性
イオンエッチング法により直接形成されている。トラッ
クピッチは１．６μｍ、グルーブ（凹部）の幅は０．８
μｍ、ランド（凸部）の幅は０．８μｍであり、反応性
イオンエッチング法によりガラスに直接形成されてい
る。
は、外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円
盤状のガラスからなっている。基板１の片側の表面に
は、光ビーム案内用の凹凸状のガイドトラックが反応性
イオンエッチング法により直接形成されている。トラッ
クピッチは１．６μｍ、グルーブ（凹部）の幅は０．８
μｍ、ランド（凸部）の幅は０．８μｍであり、反応性
イオンエッチング法によりガラスに直接形成されてい
る。
【００３４】基板１のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる
誘電体層２と、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚４０ｎｍのＤｙＦｅＣｏからなる
第１磁性層と、Ｇｄターゲットのスパッタリングにより
膜厚１ｎｍのＧｄからなる界面層と、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆ
ｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚１
２０ｎｍのＧｄＤｙＦｅＣｏからなる第２磁性層と、膜
厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層６と、が積層されて
いる。
性スパッタリングにより膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる
誘電体層２と、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚４０ｎｍのＤｙＦｅＣｏからなる
第１磁性層と、Ｇｄターゲットのスパッタリングにより
膜厚１ｎｍのＧｄからなる界面層と、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆ
ｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚１
２０ｎｍのＧｄＤｙＦｅＣｏからなる第２磁性層と、膜
厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層６と、が積層されて
いる。
【００３５】第１磁性層、界面層、第２磁性層の成膜時
のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐ
ａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３０
０Ｗであり、誘電体層２及び保護層６の成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、
Ｎ2ガス圧３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗであ
る。
のスパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐ
ａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０-1Ｐａ、放電電力３０
０Ｗであり、誘電体層２及び保護層６の成膜時のスパッ
タリング条件は、到達真空度２．０×１０-4Ｐａ以下、
Ｎ2ガス圧３．０×１０-1Ｐａ、放電電力８００Ｗであ
る。
【００３６】さらに、保護層７の上にアクリレート系紫
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート膜を形成した。
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート膜を形成した。
【００３７】＃１の第１磁性層は、Ｄｙ0.20(Ｆｅ0.85
Ｃｏ0.15)0.80、遷移金属リッチ、Ｔc1＝１８０℃、室
温でのＨc1＝１２００ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第２
磁性層は、(Ｇｄ0.94Ｄｙ0.06)0.26(Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20)
0.74、希土類金属リッチ、Ｔc2＝２７５℃、Ｔcomp2＝
７５℃、室温でのＨc2＝３６ｋＡ／ｍとなる特性を示
す。
Ｃｏ0.15)0.80、遷移金属リッチ、Ｔc1＝１８０℃、室
温でのＨc1＝１２００ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第２
磁性層は、(Ｇｄ0.94Ｄｙ0.06)0.26(Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20)
0.74、希土類金属リッチ、Ｔc2＝２７５℃、Ｔcomp2＝
７５℃、室温でのＨc2＝３６ｋＡ／ｍとなる特性を示
す。
【００３８】＃１の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝４
０ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍ
Ｗ、記録ビット長＝０．７８μｍにて記録を行ったとこ
ろ、消し残りのない光変調オーバーライトができた。
０ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍ
Ｗ、記録ビット長＝０．７８μｍにて記録を行ったとこ
ろ、消し残りのない光変調オーバーライトができた。
【００３９】＃２の第１磁性層は、Ｄｙ0.20(Ｆｅ0.85
Ｃｏ0.15)0.80、遷移金属リッチ、Ｔc1＝１８０℃、室
温でのＨc1＝１２００ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第２
磁性層は、(Ｇｄ0.97Ｄｙ0.03)0.26(Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20)
0.74、希土類金属リッチ、Ｔc2＝２７５℃、Ｔcomp2＝
７５℃、室温でのＨc2＝２４ｋＡ／ｍとなる特性を示
す。
Ｃｏ0.15)0.80、遷移金属リッチ、Ｔc1＝１８０℃、室
温でのＨc1＝１２００ｋＡ／ｍとなる特性を示し、第２
磁性層は、(Ｇｄ0.97Ｄｙ0.03)0.26(Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20)
0.74、希土類金属リッチ、Ｔc2＝２７５℃、Ｔcomp2＝
７５℃、室温でのＨc2＝２４ｋＡ／ｍとなる特性を示
す。
【００４０】＃２の光磁気ディスクに対して、Ｈw＝３
２ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍ
Ｗ、記録ビット長＝０．７８μｍにて記録を行ったとこ
ろ、消し残りのない光変調オーバーライトができた。
２ｋＡ／ｍ、Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍ
Ｗ、記録ビット長＝０．７８μｍにて記録を行ったとこ
ろ、消し残りのない光変調オーバーライトができた。
【００４１】本発明の第２の参考の形態について、図４
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の参考形態の図面に示した部材と同一の機
能を有する部材には同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の参考形態の図面に示した部材と同一の機
能を有する部材には同一の符号を付記し、その説明を省
略する。
【００４２】本参考形態の光磁気記録媒体は図４に示す
ように、誘電体層２と第１磁性層３との間に磁性層７
（再生磁性層）を設けた点で前記参考形態と異なってい
る。この再生磁性層７は、第１磁性層よりも高いキュリ
ー点を有し、室温からキュリー点まで垂直磁気異方性を
示す。
ように、誘電体層２と第１磁性層３との間に磁性層７
（再生磁性層）を設けた点で前記参考形態と異なってい
る。この再生磁性層７は、第１磁性層よりも高いキュリ
ー点を有し、室温からキュリー点まで垂直磁気異方性を
示す。
【００４３】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
気ディスクのサンプルを示す。
【００４４】光磁気ディスクのサンプル＃３は、前記＃
１の誘電体層２と第１磁性層との間に再生磁性層を３０
ｎｍを有しており、Ｇｄ0.27(Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30)0.73、
希土類金属リッチ、Ｔc＞３００℃、補償点〜２００℃
を有する。
１の誘電体層２と第１磁性層との間に再生磁性層を３０
ｎｍを有しており、Ｇｄ0.27(Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30)0.73、
希土類金属リッチ、Ｔc＞３００℃、補償点〜２００℃
を有する。
【００４５】上記＃３に対して、Ｈw＝５０ｋＡ／ｍ、
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃１よりも信号品
質が向上した。これは、再生磁性層が第１磁性層よりも
高いキュリー点を有し、カー回転角が大きくなったため
と考えられる。
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃１よりも信号品
質が向上した。これは、再生磁性層が第１磁性層よりも
高いキュリー点を有し、カー回転角が大きくなったため
と考えられる。
【００４６】本発明の第３の参考の形態について、同じ
く図４に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の参考形態の図面に示した部材と同
一の機能を有する部材には同一の符号を付記し、その説
明を省略する。
く図４に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の参考形態の図面に示した部材と同
一の機能を有する部材には同一の符号を付記し、その説
明を省略する。
【００４７】本参考例の光磁気記録媒体は、図４に示す
ように、誘電体層２と第１磁性層との間に磁性層７（再
生磁性層）を設けた点で前記参考形態と異なっている。
この再生磁性層は、第１磁性層よりも高いキュリー点を
有し、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁
気異方性を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性を示
す。
ように、誘電体層２と第１磁性層との間に磁性層７（再
生磁性層）を設けた点で前記参考形態と異なっている。
この再生磁性層は、第１磁性層よりも高いキュリー点を
有し、室温での保磁力がほぼゼロであり、室温で面内磁
気異方性を示し、所定温度以上で垂直磁気異方性を示
す。
【００４８】以下、光磁気記録媒体の一例として、光磁
気ディスクのサンプルを示す。
気ディスクのサンプルを示す。
【００４９】光磁気ディスクのサンプル＃４は、前記＃
１の誘電体層２と第１磁性層との間に再生磁性層を３０
ｎｍを有しており、Ｇｄ0.29(Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20)0.71、
希土類金属リッチ、Ｔｃ＝３００℃、補償点無し、約１
２０℃で垂直磁気異方性を示す。
１の誘電体層２と第１磁性層との間に再生磁性層を３０
ｎｍを有しており、Ｇｄ0.29(Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20)0.71、
希土類金属リッチ、Ｔｃ＝３００℃、補償点無し、約１
２０℃で垂直磁気異方性を示す。
【００５０】上記＃４に対して、Ｈw＝５０ｋＡ／ｍ、
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．６４μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、記録ビット長が短
くなっても＃１に比べて信号品質があまり低下しなかっ
た。これは、再生磁性層が室温で面内磁気異方性を示
し、再生レーザパワーのレーザ光を照射すると垂直磁気
異方性を示すようになるので、短い記録ビットであって
も、隣接記録ビットからの影響を受けずに再生できるた
めと考えられる。
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．６４μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、記録ビット長が短
くなっても＃１に比べて信号品質があまり低下しなかっ
た。これは、再生磁性層が室温で面内磁気異方性を示
し、再生レーザパワーのレーザ光を照射すると垂直磁気
異方性を示すようになるので、短い記録ビットであって
も、隣接記録ビットからの影響を受けずに再生できるた
めと考えられる。
【００５１】本発明の第１の実施の形態について、図５
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の参考例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には同一の符号を付記し、その説明を省略
する。
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の参考例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には同一の符号を付記し、その説明を省略
する。
【００５２】本実施例の光磁気記録媒体は図５に示すよ
うに、第１磁性層と再生磁性層との間に第２界面層４’
を設けた点で前記第２参考形態と異なっている。
うに、第１磁性層と再生磁性層との間に第２界面層４’
を設けた点で前記第２参考形態と異なっている。
【００５３】以下、光磁気記録媒体の一例として光磁気
ディスクのサンプルを示す。
ディスクのサンプルを示す。
【００５４】光磁気ディスクのサンプル＃５は、前記＃
２の第１磁性層と再生磁性層との間にＧｄからなる第２
界面層を１ｎｍを有している。
２の第１磁性層と再生磁性層との間にＧｄからなる第２
界面層を１ｎｍを有している。
【００５５】上記＃５に対して、Ｈw＝４０ｋＡ／ｍ、
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃２よりも記録磁
界が低減した。これは、第１磁性層と再生磁性層との間
に第２界面層を挿入したことにより、光変調オーバーラ
イトが円滑に行われたためと考えられる。
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃２よりも記録磁
界が低減した。これは、第１磁性層と再生磁性層との間
に第２界面層を挿入したことにより、光変調オーバーラ
イトが円滑に行われたためと考えられる。
【００５６】本発明の第２の実施の形態について、図５
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の実施及び参考例の図面に示した部材と同
一の機能を有する部材には同一の符号を付記し、その説
明を省略する。
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の実施及び参考例の図面に示した部材と同
一の機能を有する部材には同一の符号を付記し、その説
明を省略する。
【００５７】本実施形態の光磁気記録媒体は図５に示す
ように、第１磁性層と再生磁性層との間に第２界面層
４’を設けた点で前記第３参考形態と異なっている。
ように、第１磁性層と再生磁性層との間に第２界面層
４’を設けた点で前記第３参考形態と異なっている。
【００５８】以下、光磁気記録媒体の一例として光磁気
ディスクのサンプルを示す。
ディスクのサンプルを示す。
【００５９】光磁気ディスクのサンプル＃６は、前記＃
３の第１磁性層と再生磁性層との間にＧｄからなる第２
界面層を１ｎｍを有している。
３の第１磁性層と再生磁性層との間にＧｄからなる第２
界面層を１ｎｍを有している。
【００６０】上記＃６に対して、Ｈw＝４０ｋＡ／ｍ、
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃３よりも記録磁
界が低減した。これは、第１磁性層と再生磁性層との間
に第２界面層を挿入したことにより、光変調オーバーラ
イトが円滑に行われたためと考えられる。
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃３よりも記録磁
界が低減した。これは、第１磁性層と再生磁性層との間
に第２界面層を挿入したことにより、光変調オーバーラ
イトが円滑に行われたためと考えられる。
【００６１】本発明の第４の参考の形態について、図６
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の実施及び参考例の図面に示した部材と同
一の機能を有する部材には同一の符号を付記し、その説
明を省略する。
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の実施及び参考例の図面に示した部材と同
一の機能を有する部材には同一の符号を付記し、その説
明を省略する。
【００６２】本参考形態の光磁気記録媒体は図６に示す
ように、第２磁性層と保護層６の間に磁性層８（補助磁
性層）を設け、第２磁性層と補助磁性層との間に第３界
面層４”を設けた点で前記第１参考形態と異なってい
る。
ように、第２磁性層と保護層６の間に磁性層８（補助磁
性層）を設け、第２磁性層と補助磁性層との間に第３界
面層４”を設けた点で前記第１参考形態と異なってい
る。
【００６３】以下、光磁気記録媒体の一例として光磁気
ディスクのサンプルを示す。
ディスクのサンプルを示す。
【００６４】光磁気ディスクのサンプル＃７は、前記＃
１の第２磁性層と保護層６の間にＣｏからなる補助磁性
層を２０ｎｍを有し、Ｇｄからなる第３界面層を１ｎｍ
を有している。さらに第２磁性層の膜厚は６０ｎｍであ
る。
１の第２磁性層と保護層６の間にＣｏからなる補助磁性
層を２０ｎｍを有し、Ｇｄからなる第３界面層を１ｎｍ
を有している。さらに第２磁性層の膜厚は６０ｎｍであ
る。
【００６５】上記＃７に対して、Ｈw＝４０ｋＡ／ｍ、
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃１よりも総膜厚
が低減した。これは、第２磁性層と保護層６の間に補助
磁性層を挿入したことにより発生磁界が増加し、光変調
オーバーライトが円滑に行われたためと考えられる。
Ｐh＝１０ｍＷ、Ｐl＝１ｍＷ、Ｐr＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行ったところ、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、＃１よりも総膜厚
が低減した。これは、第２磁性層と保護層６の間に補助
磁性層を挿入したことにより発生磁界が増加し、光変調
オーバーライトが円滑に行われたためと考えられる。
【００６６】以上の第１実施形態、第２実施形態、第１
参考形態から第４参考形態において、＃１〜＃７の基板
１としてガラスを用いたが、これ以外にも化学強化され
たガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層
を形成したいわゆる２Ｐ層付きガラス基板、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリス
チレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール（ＰＶＣ）、エ
ポキシ等の基板を使用することが可能である。
参考形態から第４参考形態において、＃１〜＃７の基板
１としてガラスを用いたが、これ以外にも化学強化され
たガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化型樹脂層
を形成したいわゆる２Ｐ層付きガラス基板、ポリカーボ
ネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリス
チレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール（ＰＶＣ）、エ
ポキシ等の基板を使用することが可能である。
【００６７】上記透明誘電体層２のＡｌＮの膜厚は、８
０ｎｍに限定されるものではない。透明誘電体層２の膜
厚は、光磁気ディスクを再生する際第１磁性層あるいは
再生磁性層からの極カー回転角を光の干渉効果を利用し
て増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメントを考
慮して決定される。再生時のＣ／Ｎをできるだけ大きく
させるには極カー回転角を大きくさせることが必要であ
り、このため透明誘電体層２の膜厚は極カー回転角が大
きくなるように設定される。
０ｎｍに限定されるものではない。透明誘電体層２の膜
厚は、光磁気ディスクを再生する際第１磁性層あるいは
再生磁性層からの極カー回転角を光の干渉効果を利用し
て増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメントを考
慮して決定される。再生時のＣ／Ｎをできるだけ大きく
させるには極カー回転角を大きくさせることが必要であ
り、このため透明誘電体層２の膜厚は極カー回転角が大
きくなるように設定される。
【００６８】また、透明誘電体層２は上記のカー効果エ
ンハンスメントだけでなく、保護層６とともに第１磁性
層、第２磁性層、あるいは再生磁性層、補助磁性層の希
土類遷移金属合金磁性層の酸化を防止する役割がある。
さらにＡｌＮは、Ａｌターゲットを用いてＮ2ガス、も
しくはＡｒとＮ2の混合ガスを導入して反応性ＤＣ（直
流電源）スパッタリングを行うことが可能であり、ＲＦ
(高周波)スパッタに比べて成膜速度が大きい点でも有利
である。
ンハンスメントだけでなく、保護層６とともに第１磁性
層、第２磁性層、あるいは再生磁性層、補助磁性層の希
土類遷移金属合金磁性層の酸化を防止する役割がある。
さらにＡｌＮは、Ａｌターゲットを用いてＮ2ガス、も
しくはＡｒとＮ2の混合ガスを導入して反応性ＤＣ（直
流電源）スパッタリングを行うことが可能であり、ＲＦ
(高周波)スパッタに比べて成膜速度が大きい点でも有利
である。
【００６９】ＡｌＮ以外の透明誘電体層２の材料として
は、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、
ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉ
Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3等が好適である。このうち、特にＳｉ
Ｎ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳ
は、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供することができる。
は、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、
ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉ
Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3等が好適である。このうち、特にＳｉ
Ｎ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳ
は、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供することができる。
【００７０】第１磁性層、第２磁性層、再生磁性層の希
土類遷移金属合金の材料・組成は、上記の材料・組成に
限定されるものではない。Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎ
ｄから選ばれた少なくとも１種の希土類金属と、Ｆｅ、
Ｃｏから選ばれた少なくとも１種の遷移金属からなる合
金を使用しても同様の効果が得られる。また、これらの
材料に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｒｈ、Ｃｕのうち少なくとも１種類の元素を添加す
ると、希土類遷移金属磁性層自体の耐環境性が向上す
る。すなわち、水分や酸素侵入による酸化による特性の
劣化を少なくし、長期信頼性に優れた光磁気ディスクを
提供することができる。
土類遷移金属合金の材料・組成は、上記の材料・組成に
限定されるものではない。Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎ
ｄから選ばれた少なくとも１種の希土類金属と、Ｆｅ、
Ｃｏから選ばれた少なくとも１種の遷移金属からなる合
金を使用しても同様の効果が得られる。また、これらの
材料に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂｅ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｒｈ、Ｃｕのうち少なくとも１種類の元素を添加す
ると、希土類遷移金属磁性層自体の耐環境性が向上す
る。すなわち、水分や酸素侵入による酸化による特性の
劣化を少なくし、長期信頼性に優れた光磁気ディスクを
提供することができる。
【００７１】第１磁性層、第２磁性層、再生磁性層の膜
厚は、その材料・組成との兼ね合いで決まるものであ
り、上記膜厚に限定されるものではない。界面層の材料
・膜厚は上記に限定されるものではなく、希土類金属で
あり、光変調オーバーライトが円滑に行われるものであ
ればよい。補助磁性層の材料・膜厚は上記に限定される
ものではなく、軟磁性材料であり、総膜厚を低減するも
のであればよい。保護層７のＡｌＮの膜厚は、本実施例
及び本参考例では８０ｎｍとしたが、これに限定される
ものではない。保護層７の膜厚の範囲としては、１〜２
００ｎｍが好適である。
厚は、その材料・組成との兼ね合いで決まるものであ
り、上記膜厚に限定されるものではない。界面層の材料
・膜厚は上記に限定されるものではなく、希土類金属で
あり、光変調オーバーライトが円滑に行われるものであ
ればよい。補助磁性層の材料・膜厚は上記に限定される
ものではなく、軟磁性材料であり、総膜厚を低減するも
のであればよい。保護層７のＡｌＮの膜厚は、本実施例
及び本参考例では８０ｎｍとしたが、これに限定される
ものではない。保護層７の膜厚の範囲としては、１〜２
００ｎｍが好適である。
【００７２】保護層７は透明誘電体層２とともに、その
熱伝導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼ
す。記録感度特性とは、記録あるいは消去に必要なレー
ザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディスク
に入射された光はそのほとんどが透明誘電体層２を通過
し、吸収膜である第１磁性層、第２磁性層、再生磁性層
あるいは補助磁性層に吸収されて熱に変わる。吸収され
た熱は、透明誘電体層２、保護層７に熱伝導により移動
する。従って、透明誘電体層２、保護層７の熱伝導率お
よび熱容量（比熱）が記録感度に影響を及ぼす。
熱伝導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及ぼ
す。記録感度特性とは、記録あるいは消去に必要なレー
ザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディスク
に入射された光はそのほとんどが透明誘電体層２を通過
し、吸収膜である第１磁性層、第２磁性層、再生磁性層
あるいは補助磁性層に吸収されて熱に変わる。吸収され
た熱は、透明誘電体層２、保護層７に熱伝導により移動
する。従って、透明誘電体層２、保護層７の熱伝導率お
よび熱容量（比熱）が記録感度に影響を及ぼす。
【００７３】このことは、光磁気ディスクの記録感度を
保護層７の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる（低いレーザパワーで記
録消去が行える）目的であれば保護層７の膜厚を薄くす
れば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため記録感度は
ある程度高い方が有利であり、保護層７の膜厚は薄い方
が良い。
保護層７の膜厚である程度制御できるということを意味
し、例えば、記録感度を上げる（低いレーザパワーで記
録消去が行える）目的であれば保護層７の膜厚を薄くす
れば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため記録感度は
ある程度高い方が有利であり、保護層７の膜厚は薄い方
が良い。
【００７４】ＡｌＮはこの意味でも好適で耐湿性に優れ
るので、保護層７として用いた場合、膜厚を薄くするこ
とができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供するこ
とができる。本実施例及び本参考例では、保護層７を透
明誘電体層２と同じＡｌＮとすることで耐湿性に優れた
光磁気ディスクを提供でき、かつ同じ材料で形成するこ
とで生産性も向上させることができる。
るので、保護層７として用いた場合、膜厚を薄くするこ
とができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供するこ
とができる。本実施例及び本参考例では、保護層７を透
明誘電体層２と同じＡｌＮとすることで耐湿性に優れた
光磁気ディスクを提供でき、かつ同じ材料で形成するこ
とで生産性も向上させることができる。
【００７５】また、保護層７の材料としては、ＡｌＮ以
外に前述の目的・効果を考慮すれば、上述の透明誘電体
層２の材料として用いられるＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、Ａｌ
ＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、Ｚｎ
Ｓ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3が好適であ
る。このうち特にＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含まず、耐湿
性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。
外に前述の目的・効果を考慮すれば、上述の透明誘電体
層２の材料として用いられるＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、Ａｌ
ＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、Ｚｎ
Ｓ、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3が好適であ
る。このうち特にＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｎＳは、その成分に酸素を含まず、耐湿
性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。
【００７６】サンプル＃１〜＃７の光磁気ディスクは、
一般に片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層、第１磁性
層、第２磁性層、再生磁性層、補助磁性層、保護層の薄
膜部分を総じて記録媒体層と称することにすると、片面
タイプの光磁気ディスクは、基板１、記録媒体層、オー
バーコート層の構造となる。
一般に片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層、第１磁性
層、第２磁性層、再生磁性層、補助磁性層、保護層の薄
膜部分を総じて記録媒体層と称することにすると、片面
タイプの光磁気ディスクは、基板１、記録媒体層、オー
バーコート層の構造となる。
【００７７】これに対して、基板１上に記録媒体層を形
成したものを２枚、記録媒体層が対向するように接着層
で接着した光磁気ディスクは両面タイプと呼ばれてい
る。
成したものを２枚、記録媒体層が対向するように接着層
で接着した光磁気ディスクは両面タイプと呼ばれてい
る。
【００７８】接着層の材料は、ポリウレタンアクリレー
ト系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱及び嫌
気性の３タイプの硬化機能が組み合わされたものであ
り、紫外線が透過しない記録媒体の影になる部分の硬化
が、熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるという利点
を持っており、極めて高い耐湿性を有し長期安定性に極
めて優れた光磁気ディスクを提供することができる。
ト系接着剤が特に良い。この接着剤は紫外線、熱及び嫌
気性の３タイプの硬化機能が組み合わされたものであ
り、紫外線が透過しない記録媒体の影になる部分の硬化
が、熱及び嫌気性硬化機能により硬化されるという利点
を持っており、極めて高い耐湿性を有し長期安定性に極
めて優れた光磁気ディスクを提供することができる。
【００７９】片面タイプは、両面タイプと比べて素子の
厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求される記録
再生装置に有利である。両面タイプは、両面再生が可能
なため、例えば大容量を要求される記録再生装置に有利
である。
厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求される記録
再生装置に有利である。両面タイプは、両面再生が可能
なため、例えば大容量を要求される記録再生装置に有利
である。
【００８０】以上の実施形態及び参考形態では、光磁気
記録媒体として光磁気ディスクを例に説明したが、光磁
気テープ、光磁気カードにも本発明を応用できる。
記録媒体として光磁気ディスクを例に説明したが、光磁
気テープ、光磁気カードにも本発明を応用できる。
【００８１】さらに、第２,３参考形態、第１,２実施形
態と第４参考形態を組み合わせた場合、製造工程として
は複雑になるが、両者の長所を備えた光磁気記録媒体と
なる。
態と第４参考形態を組み合わせた場合、製造工程として
は複雑になるが、両者の長所を備えた光磁気記録媒体と
なる。
【００８２】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明に係る光
磁気記録媒体は、少なくとも、再生磁性層、第１磁性
層、第２磁性層が基板上に順次形成されており、前記第
１磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特
性を示し、前記第２磁性層は、前記第１磁性層に比べて
室温で小さい保磁力と高いキュリー点を示し、室温から
キュリー点まで垂直磁化となる特性を示す光磁気記録媒
体において、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間、及
び前記第１磁性層と前記再生磁性層の間に、Ｇｄからな
る界面層がそれぞれ形成されており、前記第２磁性層
は、希土類遷移金属合金からなり、室温からキュリー点
の間に補償点を有する構成である。
磁気記録媒体は、少なくとも、再生磁性層、第１磁性
層、第２磁性層が基板上に順次形成されており、前記第
１磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特
性を示し、前記第２磁性層は、前記第１磁性層に比べて
室温で小さい保磁力と高いキュリー点を示し、室温から
キュリー点まで垂直磁化となる特性を示す光磁気記録媒
体において、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間、及
び前記第１磁性層と前記再生磁性層の間に、Ｇｄからな
る界面層がそれぞれ形成されており、前記第２磁性層
は、希土類遷移金属合金からなり、室温からキュリー点
の間に補償点を有する構成である。
【００８３】これにより、光変調オーバーライトが可能
で、かつ記録ビットが安定な光磁気記録媒体を供給する
ことができ、さらに第２磁性層の磁化は、ＨW程度の大
きさの磁界により記録前に一方向に揃えることが可能と
なるためＨiが実質的に不要となり、装置のコストアッ
プを防ぐことが可能であるという効果を奏する。また、
上記の再生信号特性が向上する、もしくは記録密度が向
上することになる上に、光変調オーバーライトをさらに
円滑に行うことが可能となるという効果を奏する。
で、かつ記録ビットが安定な光磁気記録媒体を供給する
ことができ、さらに第２磁性層の磁化は、ＨW程度の大
きさの磁界により記録前に一方向に揃えることが可能と
なるためＨiが実質的に不要となり、装置のコストアッ
プを防ぐことが可能であるという効果を奏する。また、
上記の再生信号特性が向上する、もしくは記録密度が向
上することになる上に、光変調オーバーライトをさらに
円滑に行うことが可能となるという効果を奏する。
【００８４】
【００８５】
【００８６】
【００８７】
【００８８】請求項２の発明に係る光磁気記録媒体は、
請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再生磁
性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有し、
室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性を示すこと
を特徴とする構成である。
請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再生磁
性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有し、
室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性を示すこと
を特徴とする構成である。
【００８９】これにより、上記の光変調オーバーライト
が可能となる上に、再生動作時に、再生磁性層のカー回
転角が大きいため再生信号特性が向上するという効果を
奏する。
が可能となる上に、再生動作時に、再生磁性層のカー回
転角が大きいため再生信号特性が向上するという効果を
奏する。
【００９０】請求項３の発明に係る光磁気記録媒体は、
請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再生磁
性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有し、
室温で面内磁化を示し、所定温度以上で垂直磁化となる
特性を示すことを特徴とする構成である。
請求項１に記載の光磁気記録媒体において、前記再生磁
性層は、前記第１磁性層よりも高いキュリー点を有し、
室温で面内磁化を示し、所定温度以上で垂直磁化となる
特性を示すことを特徴とする構成である。
【００９１】これにより、上記の光変調オーバーライト
が可能となる上に、再生動作時に、光ビームの径よりも
小さい中心近傍領域のみの温度が上昇して、再生磁性層
は面内磁化から垂直磁化に移行するため、中心近傍領域
のみが極カー効果を示すようになり、従来より小さな記
録ビットの再生が行え、記録密度が向上するという効果
を奏する。
が可能となる上に、再生動作時に、光ビームの径よりも
小さい中心近傍領域のみの温度が上昇して、再生磁性層
は面内磁化から垂直磁化に移行するため、中心近傍領域
のみが極カー効果を示すようになり、従来より小さな記
録ビットの再生が行え、記録密度が向上するという効果
を奏する。
【００９２】
【００９３】
【００９４】
【００９５】
【００９６】請求項４の発明に係る光磁気記録方法は、
請求項１乃至請求項３に記載の光磁気記録媒体を用いた
光磁気記録方法において、前記第２磁性層のキュリー点
以上に加熱する高レベルのレーザ光を照射するともに記
録磁界を印加して第２磁性層の磁化方向を設定した後、
冷却の過程において、第１磁性層と第２磁性層との交換
結合によって第１磁性層の磁化方向を設定し、その後、
記録磁界によって第２磁性層の磁化を反転させるハイプ
ロセスと、前記第１磁性層のキュリー点以上に加熱する
低レベルのレーザ光を照射した後、冷却の過程におい
て、第１磁性層と第２磁性層との交換結合によって第１
磁性層の磁化方向を設定するロープロセスとによって前
記光磁気記録媒体に光変調オーバーライト記録すること
を特徴とするものである。
請求項１乃至請求項３に記載の光磁気記録媒体を用いた
光磁気記録方法において、前記第２磁性層のキュリー点
以上に加熱する高レベルのレーザ光を照射するともに記
録磁界を印加して第２磁性層の磁化方向を設定した後、
冷却の過程において、第１磁性層と第２磁性層との交換
結合によって第１磁性層の磁化方向を設定し、その後、
記録磁界によって第２磁性層の磁化を反転させるハイプ
ロセスと、前記第１磁性層のキュリー点以上に加熱する
低レベルのレーザ光を照射した後、冷却の過程におい
て、第１磁性層と第２磁性層との交換結合によって第１
磁性層の磁化方向を設定するロープロセスとによって前
記光磁気記録媒体に光変調オーバーライト記録すること
を特徴とするものである。
【００９７】これにより、光変調オーバーライトが可能
かつ記録ビットが安定で、さらに第２磁性層の磁化がＨ
W程度の大きさの磁界により一方向に揃えることが可能
な光磁気記録媒体を記録再生することが可能になるとい
う効果を奏する。また、請求項５の発明に係る光磁気記
録媒体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、
前記第１磁性層が、室温で遷移金属リッチとなる希土類
遷移金属合金からなる構成である。また、請求項６の発
明に係る光磁気記録媒体は、請求項１に記載の光磁気記
録媒体において、前記第２磁性層が、室温で希土類金属
リッチとなる組成を有している構成である。
かつ記録ビットが安定で、さらに第２磁性層の磁化がＨ
W程度の大きさの磁界により一方向に揃えることが可能
な光磁気記録媒体を記録再生することが可能になるとい
う効果を奏する。また、請求項５の発明に係る光磁気記
録媒体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、
前記第１磁性層が、室温で遷移金属リッチとなる希土類
遷移金属合金からなる構成である。また、請求項６の発
明に係る光磁気記録媒体は、請求項１に記載の光磁気記
録媒体において、前記第２磁性層が、室温で希土類金属
リッチとなる組成を有している構成である。
【図１】本発明の光磁気記録媒体に係る第１参考形態の
概略の構成を示す断面模式図である。
概略の構成を示す断面模式図である。
【図２】図の光磁気記録媒体における第１磁性層、第２
磁性層の保磁力の温度依存性を示すグラフである。
磁性層の保磁力の温度依存性を示すグラフである。
【図３】図１の光磁気記録媒体における記録プロセスを
説明するための、第１磁性層、第２磁性層の各磁気状態
を説明する図である。
説明するための、第１磁性層、第２磁性層の各磁気状態
を説明する図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体に係る第２参考形態、
第３参考形態の概略の構成を示す断面模式図である。
第３参考形態の概略の構成を示す断面模式図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体に係る第１実施形態、
第２実施形態の概略の構成を示す断面模式図である。
第２実施形態の概略の構成を示す断面模式図である。
【図６】本発明の光磁気記録媒体に係る第４参考形態の
概略の構成を示す断面模式図である。
概略の構成を示す断面模式図である。
【図７】従来の光磁気記録媒体の概略の構成を示す断面
模式図である。
模式図である。
【図８】従来の光磁気記録媒体における記録プロセスを
説明するための、第１磁性層、第２磁性層の各磁気状態
を表す説明図である。
説明するための、第１磁性層、第２磁性層の各磁気状態
を表す説明図である。
１、１１ 基板 ２、１２ 誘電体層 ３、１３ 第１磁性層 ４、４’、４” 界面層 ５、１５ 第２磁性層 ６ 保護層 ７ 再生磁性層 ８ 補助磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８６Ｄ (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−117354（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−162589（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (6)
- 【請求項１】少なくとも、再生磁性層、第１磁性層、第
２磁性層が基板上に順次形成されており、前記第１磁性
層は、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性を示
し、前記第２磁性層は、前記第１磁性層に比べて室温で
小さい保磁力と高いキュリー点を示し、室温からキュリ
ー点まで垂直磁化となる特性を示す光磁気記録媒体にお
いて、 前記第１磁性層と前記第２磁性層の間、及び前記第１磁
性層と前記再生磁性層の間に、Ｇｄからなる界面層がそ
れぞれ形成されており、 前記第２磁性層は、希土類遷移金属合金からなり、室温
からキュリー点の間に補償点を有する ことを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、前記再生磁性層は、前記第１磁性層よりも高いキュ
リー点を有し、室温からキュリー点まで垂直磁化となる
特性を示すことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、前記再生磁性層は、前記第１磁性層よりも高いキュ
リー点を有し、室温で面内磁化を示し、所定温度以上で
垂直磁化となる特性を示すことを特徴とする光磁気記録
媒体。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載の光磁気記録
媒体を用いた光磁気記録方法において、 前記第２磁性層のキュリー点以上に加熱する高レベルの
レーザ光を照射するともに記録磁界を印加して第２磁性
層の磁化方向を設定した後、冷却の過程において、第１
磁性層と第２磁性層との交換結合によって第１磁性層の
磁化方向を設定し、その後、記録磁界によって第２磁性
層の磁化を反転させるハイプロセスと、前記第１磁性層のキュリー点以上に加熱する低レベルの
レーザ光を照射した後、冷却の過程において、第１磁性
層と第２磁性層との交換結合によって第１磁性層の磁化
方向を設定するロープロセスとによって前記光磁気記録
媒体に 光変調オーバーライト記録することを特徴とする
光磁気記録方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記第１磁性層が、室温で遷移金属リッチとなる希土類
遷移金属合金からなることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項６】請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記第２磁性層が、室温で希土類金属リッチとなる組成
を有していることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00819696A JP3359804B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方法 |
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| DE19700378A DE19700378B4 (de) | 1996-01-22 | 1997-01-08 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00819696A JP3359804B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09198730A JPH09198730A (ja) | 1997-07-31 |
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Family
ID=11686526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00819696A Expired - Fee Related JP3359804B2 (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5822282A (ja) |
| JP (1) | JP3359804B2 (ja) |
| DE (1) | DE19700378B4 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| DE19756458A1 (de) | 1997-12-18 | 1999-06-24 | Thomson Brandt Gmbh | Magneto-optisches Aufzeichnungs- oder Wiedergabegerät |
| GB2479025B (en) * | 2009-07-29 | 2012-05-02 | Subsea Asset Location Tech Ltd | Acoustic Reflectors |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2810586B2 (ja) * | 1992-04-22 | 1998-10-15 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2986622B2 (ja) * | 1992-09-02 | 1999-12-06 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリー素子およびその記録再生方法 |
| JP2938284B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 |
| JP3088619B2 (ja) * | 1994-01-17 | 2000-09-18 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| US5644566A (en) * | 1994-05-24 | 1997-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium |
-
1996
- 1996-01-22 JP JP00819696A patent/JP3359804B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-07 US US08/779,774 patent/US5822282A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-08 DE DE19700378A patent/DE19700378B4/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| DE19700378B4 (de) | 2006-04-06 |
| JPH09198730A (ja) | 1997-07-31 |
| DE19700378A1 (de) | 1997-07-24 |
| US5822282A (en) | 1998-10-13 |
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