JPH11120635A - 光ディスク及びその製造方法 - Google Patents
光ディスク及びその製造方法Info
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- JPH11120635A JPH11120635A JP9280824A JP28082497A JPH11120635A JP H11120635 A JPH11120635 A JP H11120635A JP 9280824 A JP9280824 A JP 9280824A JP 28082497 A JP28082497 A JP 28082497A JP H11120635 A JPH11120635 A JP H11120635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２種類の希土類−遷移金属合金膜間に所望の
交換相互作用を働かせることにより、良好な記録再生特
性を有する光ディスク及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 本発明に係る光ディスク１は、希土類元
素及び遷移元素を含有する第１の希土類−遷移金属合金
膜４と、この第１の希土類−遷移金属合金４に積層さ
れ、この第１の希土類−遷移金属合金膜４とは異なる組
成を有し、希土類元素及び遷移元素を含有する第２の希
土類−遷移金属合金膜５と、これら第１の希土類−遷移
金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の間
に形成された酸化領域とを備え、この酸化領域の酸素含
有量が２．５原子％以下であり、且つ、この酸化領域の
厚みが７ｎｍ以下とされてなることを特徴とするもので
ある。
交換相互作用を働かせることにより、良好な記録再生特
性を有する光ディスク及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 本発明に係る光ディスク１は、希土類元
素及び遷移元素を含有する第１の希土類−遷移金属合金
膜４と、この第１の希土類−遷移金属合金４に積層さ
れ、この第１の希土類−遷移金属合金膜４とは異なる組
成を有し、希土類元素及び遷移元素を含有する第２の希
土類−遷移金属合金膜５と、これら第１の希土類−遷移
金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の間
に形成された酸化領域とを備え、この酸化領域の酸素含
有量が２．５原子％以下であり、且つ、この酸化領域の
厚みが７ｎｍ以下とされてなることを特徴とするもので
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２層の異なる希土
類−遷移金属合金膜を有する光ディスク及びこの光ディ
スクを製造する光ディスクの製造方法に関する。
類−遷移金属合金膜を有する光ディスク及びこの光ディ
スクを製造する光ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】書換え可能な光ディスクとしては、光磁
気ディスクや相変化型光ディスク等を挙げることができ
る。これら光ディスクのなかでも、光磁気ディスクは、
半導体レーザ等の熱エネルギを用いて磁性薄膜に磁区を
書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して、こ
の情報を読み出すといった方式を用いている。
気ディスクや相変化型光ディスク等を挙げることができ
る。これら光ディスクのなかでも、光磁気ディスクは、
半導体レーザ等の熱エネルギを用いて磁性薄膜に磁区を
書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を利用して、こ
の情報を読み出すといった方式を用いている。
【０００３】この光磁気ディスクに使用される記録材料
としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ，Ｃ
ｏ等の遷移元素とを組み合わせた希土類−遷移金属合金
膜が代表的に用いられている。そして、このような希土
類−遷移金属合金膜を用いた光磁気ディスクとしては、
希土類−遷移金属合金膜をＳｉ3Ｎ4等の誘電体膜で挟み
込み、いずれか一方の誘電体膜上にＡｌ等からなる反射
膜を配してなる４層構造を有するものが提案されてい
る。
としては、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ，Ｃ
ｏ等の遷移元素とを組み合わせた希土類−遷移金属合金
膜が代表的に用いられている。そして、このような希土
類−遷移金属合金膜を用いた光磁気ディスクとしては、
希土類−遷移金属合金膜をＳｉ3Ｎ4等の誘電体膜で挟み
込み、いずれか一方の誘電体膜上にＡｌ等からなる反射
膜を配してなる４層構造を有するものが提案されてい
る。
【０００４】そして、従来、このように構成された光磁
気ディスクは、希土類−遷移金属合金膜としてＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ合金膜を用い、例えば、トラックピッチを約
１．６μｍとし、ピット長を約０．８３μｍとして記録
再生が行われるような記録フォーマットとされている。
気ディスクは、希土類−遷移金属合金膜としてＴｂＦｅ
ＣｏＣｒ合金膜を用い、例えば、トラックピッチを約
１．６μｍとし、ピット長を約０．８３μｍとして記録
再生が行われるような記録フォーマットとされている。
【０００５】一方、近年、更なる高密度記録が要求され
るようになり、上述したトラックピッチ及びピット長を
より短くするような記録フォーマットが提案されてい
る。例えば、上述したような光磁気ディスクにおいて、
トラックピッチを約０．９μｍとし、ピット長を約０．
４５μｍとすることにより、更なる高密度記録を図って
いる。しかしながら、上述したような光磁気ディスクに
おいて、更なる高密度記録を図る目的でトラックピッチ
及びピット長をより短くした場合、再生出力が低下して
しまい、記録再生が行えないといった問題があった。
るようになり、上述したトラックピッチ及びピット長を
より短くするような記録フォーマットが提案されてい
る。例えば、上述したような光磁気ディスクにおいて、
トラックピッチを約０．９μｍとし、ピット長を約０．
４５μｍとすることにより、更なる高密度記録を図って
いる。しかしながら、上述したような光磁気ディスクに
おいて、更なる高密度記録を図る目的でトラックピッチ
及びピット長をより短くした場合、再生出力が低下して
しまい、記録再生が行えないといった問題があった。
【０００６】そこで、ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜の磁気光
学効果を向上させることが考えられる。すなわち、この
光磁気ディスクでは、再生時に照射されるレーザに対し
て希土類−遷移金属合金膜のカー回転角を大きくすれば
よい。これを実現するには、従来の光磁気ディスクにお
いて、ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜からＣｒを無くし、すな
わち、ＴｂＦｅＣｏ合金膜を用いればよい。このよう
に、ＴｂＦｅＣｏ合金膜を記録材料として用いると、記
録層に照射されるレーザのカー回転角が大きくなり、そ
の結果、再生出力が向上することとなる。
学効果を向上させることが考えられる。すなわち、この
光磁気ディスクでは、再生時に照射されるレーザに対し
て希土類−遷移金属合金膜のカー回転角を大きくすれば
よい。これを実現するには、従来の光磁気ディスクにお
いて、ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜からＣｒを無くし、すな
わち、ＴｂＦｅＣｏ合金膜を用いればよい。このよう
に、ＴｂＦｅＣｏ合金膜を記録材料として用いると、記
録層に照射されるレーザのカー回転角が大きくなり、そ
の結果、再生出力が向上することとなる。
【０００７】しかしながら、このＴｂＦｅＣｏ合金膜
は、ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜に酸化被膜を付けたものと
比較してその磁気特性が良好でなく、低外部磁界では磁
区を良好に形成することができない。このため、ＴｂＦ
ｅＣｏ合金膜を記録材料として用いた光磁気ディスクで
は、ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜に酸化被膜を付けたものに
記録する程度の外部磁界では良好に記録することができ
ない。
は、ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜に酸化被膜を付けたものと
比較してその磁気特性が良好でなく、低外部磁界では磁
区を良好に形成することができない。このため、ＴｂＦ
ｅＣｏ合金膜を記録材料として用いた光磁気ディスクで
は、ＴｂＦｅＣｏＣｒ合金膜に酸化被膜を付けたものに
記録する程度の外部磁界では良好に記録することができ
ない。
【０００８】また、このＴｂＦｅＣｏ合金膜は、例え
ば、Ａｒガス雰囲気中にてスパッタリング法等を用いて
成膜される。このとき、ＴｂＦｅＣｏ合金膜は、酸素ガ
ス等が混入してしまうと、Ｃｒを含有していないために
Ｔｂが選択的に酸化されてしまうことになる。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金膜中でＴｂが選択的に酸化されてしまうと、磁
気特性が劣化してしまうことになる。すなわち、このＴ
ｂＦｅＣｏ合金膜では、膜厚を制御して酸化被膜を形成
することが困難であり、酸化被膜を付けようとすると過
酸化状態になってしまう。このため、光磁気ディスクと
しては、記録再生特性の悪いものとなってしまう。
ば、Ａｒガス雰囲気中にてスパッタリング法等を用いて
成膜される。このとき、ＴｂＦｅＣｏ合金膜は、酸素ガ
ス等が混入してしまうと、Ｃｒを含有していないために
Ｔｂが選択的に酸化されてしまうことになる。ＴｂＦｅ
Ｃｏ合金膜中でＴｂが選択的に酸化されてしまうと、磁
気特性が劣化してしまうことになる。すなわち、このＴ
ｂＦｅＣｏ合金膜では、膜厚を制御して酸化被膜を形成
することが困難であり、酸化被膜を付けようとすると過
酸化状態になってしまう。このため、光磁気ディスクと
しては、記録再生特性の悪いものとなってしまう。
【０００９】このような問題を解決する光磁気ディスク
としては、記録材料として、２種類の希土類−遷移金属
合金膜を有するものがある。すなわち、この光磁気ディ
スクは、ＧｄＦｅＣｏ合金膜とＴｂＦｅＣｏ合金膜とを
積層したような構成とされる。そして、この光磁気ディ
スクでは、ＧｄＦｅＣｏ合金膜とＴｂＦｅＣｏ合金膜と
の間に交換相互作用による磁気的結合力が働き、全体と
して磁気特性が向上するような構成となっている。
としては、記録材料として、２種類の希土類−遷移金属
合金膜を有するものがある。すなわち、この光磁気ディ
スクは、ＧｄＦｅＣｏ合金膜とＴｂＦｅＣｏ合金膜とを
積層したような構成とされる。そして、この光磁気ディ
スクでは、ＧｄＦｅＣｏ合金膜とＴｂＦｅＣｏ合金膜と
の間に交換相互作用による磁気的結合力が働き、全体と
して磁気特性が向上するような構成となっている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際
に、このような２種類の希土類−遷移金属合金膜を有す
る光磁気ディスクを製造すると、ＧｄＦｅＣｏ合金膜と
ＴｂＦｅＣｏ合金膜との交換相互作用が良好に働かず、
所望の磁気的結合力が発生していないといった問題点が
あった。
に、このような２種類の希土類−遷移金属合金膜を有す
る光磁気ディスクを製造すると、ＧｄＦｅＣｏ合金膜と
ＴｂＦｅＣｏ合金膜との交換相互作用が良好に働かず、
所望の磁気的結合力が発生していないといった問題点が
あった。
【００１１】そこで、本発明は、上述したような問題点
を解決し、２種類の希土類−遷移金属合金膜間に所望の
交換相互作用を働かせることにより、良好な記録再生特
性を有する光ディスクを提供することを目的とし、ま
た、２種類の希土類−遷移金属合金膜間に所望の交換相
互作用を働かせることを可能とする光磁気ディスクの製
造方法を提供することを目的としている。
を解決し、２種類の希土類−遷移金属合金膜間に所望の
交換相互作用を働かせることにより、良好な記録再生特
性を有する光ディスクを提供することを目的とし、ま
た、２種類の希土類−遷移金属合金膜間に所望の交換相
互作用を働かせることを可能とする光磁気ディスクの製
造方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した目
的を達成せんものと鋭意検討した結果、２種類の希土類
−遷移金属合金膜間に発生する交換相互作用の強さが膜
間の酸化度に依存していることを見いだした。ここで、
２種類の希土類−遷移金属合金膜間に発生する交換相互
作用とは、一方の膜における遷移金属元素と他方の膜に
おける遷移金属元素との間に最も強く働くものであり、
一方の膜における希土類元素と他方の膜における遷移金
属元素とが互いに反平行な方向のスピン状態で結合して
いることをいう。そして、本発明者は、２種類の希土類
−遷移金属合金膜間の酸化度を規定することにより、小
さい外部磁界で記録することが可能であることを見いだ
し、本発明を完成するに至った。
的を達成せんものと鋭意検討した結果、２種類の希土類
−遷移金属合金膜間に発生する交換相互作用の強さが膜
間の酸化度に依存していることを見いだした。ここで、
２種類の希土類−遷移金属合金膜間に発生する交換相互
作用とは、一方の膜における遷移金属元素と他方の膜に
おける遷移金属元素との間に最も強く働くものであり、
一方の膜における希土類元素と他方の膜における遷移金
属元素とが互いに反平行な方向のスピン状態で結合して
いることをいう。そして、本発明者は、２種類の希土類
−遷移金属合金膜間の酸化度を規定することにより、小
さい外部磁界で記録することが可能であることを見いだ
し、本発明を完成するに至った。
【００１３】すなわち、本発明に係る光ディスクは、希
土類元素及び遷移元素を含有する第１の希土類−遷移金
属合金膜と、この第１の希土類−遷移金属合金に積層さ
れ、この第１の希土類−遷移金属合金膜とは異なる組成
を有し、希土類元素及び遷移元素を含有する第２の希土
類−遷移金属合金膜とを備え、これら第１の希土類−遷
移金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜との間
の酸化領域は、酸素含有量が２．５原子％以下であり、
且つ、厚みが７ｎｍ以下とされてなることを特徴とする
ものである。
土類元素及び遷移元素を含有する第１の希土類−遷移金
属合金膜と、この第１の希土類−遷移金属合金に積層さ
れ、この第１の希土類−遷移金属合金膜とは異なる組成
を有し、希土類元素及び遷移元素を含有する第２の希土
類−遷移金属合金膜とを備え、これら第１の希土類−遷
移金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜との間
の酸化領域は、酸素含有量が２．５原子％以下であり、
且つ、厚みが７ｎｍ以下とされてなることを特徴とする
ものである。
【００１４】以上のように構成された本発明に係る光デ
ィスクは、第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希
土類−遷移金属合金膜の界面における酸化領域の厚み及
び酸素含有量を所定の値に規定している。このため、こ
の光ディスクでは、第１の希土類−遷移金属合金膜及び
第２の希土類−遷移金属合金膜の間に交換相互作用が良
好に働くことになる。したがって、この光ディスクで
は、第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希土類−
遷移金属合金膜の磁気特性が良好なものとなる。
ィスクは、第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希
土類−遷移金属合金膜の界面における酸化領域の厚み及
び酸素含有量を所定の値に規定している。このため、こ
の光ディスクでは、第１の希土類−遷移金属合金膜及び
第２の希土類−遷移金属合金膜の間に交換相互作用が良
好に働くことになる。したがって、この光ディスクで
は、第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希土類−
遷移金属合金膜の磁気特性が良好なものとなる。
【００１５】また、本発明に係る光ディスクの製造方法
は、基板上に、希土類元素及び遷移元素を含有する第１
の希土類−遷移金属合金膜を形成する工程と、この第１
の希土類−遷移金属合金膜上に、第１の希土類−遷移金
属合金膜とは異なる組成を有し、希土類元素及び遷移元
素を含有する第２の希土類−遷移金属合金膜を形成する
工程とを備え、第１の希土類−遷移金属合金膜と第２の
希土類−遷移金属合金膜との界面における酸化領域の厚
みが７ｎｍ以下となり、且つ、酸化領域の酸素含有量が
２．５原子％以下となるように、第１の希土類−遷移金
属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜を形成する
ことを特徴とするものである。
は、基板上に、希土類元素及び遷移元素を含有する第１
の希土類−遷移金属合金膜を形成する工程と、この第１
の希土類−遷移金属合金膜上に、第１の希土類−遷移金
属合金膜とは異なる組成を有し、希土類元素及び遷移元
素を含有する第２の希土類−遷移金属合金膜を形成する
工程とを備え、第１の希土類−遷移金属合金膜と第２の
希土類−遷移金属合金膜との界面における酸化領域の厚
みが７ｎｍ以下となり、且つ、酸化領域の酸素含有量が
２．５原子％以下となるように、第１の希土類−遷移金
属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜を形成する
ことを特徴とするものである。
【００１６】以上のように構成された本発明に係る光デ
ィスクの製造方法では、第１の希土類−遷移金属合金膜
と第２の希土類−遷移金属合金膜との界面の酸化領域に
おける酸素を所望の存在状態とすることができるため、
第１の希土類−遷移金属合金膜と第２の希土類−遷移金
属合金膜との間に良好な交換相互作用を発生させること
ができる。このため、この手法では、第１の希土類−遷
移金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜の磁気
特性を向上させることができる。したがって、この手法
によれば、低い記録磁界でも良好に記録することのでき
る光ディスクを製造することができる。
ィスクの製造方法では、第１の希土類−遷移金属合金膜
と第２の希土類−遷移金属合金膜との界面の酸化領域に
おける酸素を所望の存在状態とすることができるため、
第１の希土類−遷移金属合金膜と第２の希土類−遷移金
属合金膜との間に良好な交換相互作用を発生させること
ができる。このため、この手法では、第１の希土類−遷
移金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜の磁気
特性を向上させることができる。したがって、この手法
によれば、低い記録磁界でも良好に記録することのでき
る光ディスクを製造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光ディスク及
びその製造方法の実施の形態を図面を参照して詳細に説
明する。
びその製造方法の実施の形態を図面を参照して詳細に説
明する。
【００１８】先ず、実施の形態として図１に示す光ディ
スク１は、円盤状に形成された基板２と、基板２上に形
成された第１の誘電体膜３と、第１の誘電体膜３上に形
成された第１の希土類−遷移金属合金膜４と、この第１
の希土類−遷移金属合金膜４上に形成された第２の希土
類−遷移金属合金膜５と、この第２の希土類−遷移金属
合金膜５上に形成された第２の誘電体膜６と、この第２
の誘電体膜６上に形成された反射膜７とを備える。
スク１は、円盤状に形成された基板２と、基板２上に形
成された第１の誘電体膜３と、第１の誘電体膜３上に形
成された第１の希土類−遷移金属合金膜４と、この第１
の希土類−遷移金属合金膜４上に形成された第２の希土
類−遷移金属合金膜５と、この第２の希土類−遷移金属
合金膜５上に形成された第２の誘電体膜６と、この第２
の誘電体膜６上に形成された反射膜７とを備える。
【００１９】この光ディスク１において、基板２として
は、ポリカーボネイト等の合成樹脂やガラス等、従来よ
り用いられている材料を使用することができる。また、
第１の誘電体膜３及び第２の誘電体膜６としては、例え
ば、Ｓｉ3Ｎ4を使用することができる。また、反射膜７
としては、例えば、Ａｌを使用することができる。しか
しながら、本発明は、各層を構成する材料として、上述
したような材料に限定されるものではなく、従来より公
知の材料を使用することができる。
は、ポリカーボネイト等の合成樹脂やガラス等、従来よ
り用いられている材料を使用することができる。また、
第１の誘電体膜３及び第２の誘電体膜６としては、例え
ば、Ｓｉ3Ｎ4を使用することができる。また、反射膜７
としては、例えば、Ａｌを使用することができる。しか
しながら、本発明は、各層を構成する材料として、上述
したような材料に限定されるものではなく、従来より公
知の材料を使用することができる。
【００２０】また、この光ディスク１において、第１の
希土類−遷移金属合金膜４は、例えば、ＧｄＦｅＣｏ合
金膜からなり、第２の希土類−遷移金属合金膜５は、例
えば、ＴｂＦｅＣｏ合金膜からなる。しかしながら、本
発明において、これら第１の希土類−遷移金属合金膜４
及び第２の希土類−遷移金属合金膜５は、上述した材料
に限定されるものではなく、希土類元素と遷移元素とか
らなる合金を用いたものであれば、いかなる材料から構
成されてもよい。
希土類−遷移金属合金膜４は、例えば、ＧｄＦｅＣｏ合
金膜からなり、第２の希土類−遷移金属合金膜５は、例
えば、ＴｂＦｅＣｏ合金膜からなる。しかしながら、本
発明において、これら第１の希土類−遷移金属合金膜４
及び第２の希土類−遷移金属合金膜５は、上述した材料
に限定されるものではなく、希土類元素と遷移元素とか
らなる合金を用いたものであれば、いかなる材料から構
成されてもよい。
【００２１】そして、この光ディスク１では、第１の希
土類−遷移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金
膜５との界面における酸化領域が７ｎｍ以下となってお
り、且つ、この酸化領域の酸素含有量が２．５原子％以
下となっている。このような光ディスク１では、第１の
希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属
合金膜５が、詳細を後述するように、スパッタリング法
や真空蒸着法等の薄膜形成手段により形成され、酸化領
域が上述した範囲内に制御されている。
土類−遷移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金
膜５との界面における酸化領域が７ｎｍ以下となってお
り、且つ、この酸化領域の酸素含有量が２．５原子％以
下となっている。このような光ディスク１では、第１の
希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属
合金膜５が、詳細を後述するように、スパッタリング法
や真空蒸着法等の薄膜形成手段により形成され、酸化領
域が上述した範囲内に制御されている。
【００２２】具体的に、光ディスク１は、図２に示すよ
うなディスク１０を作製したようなスパッタリング装置
（図示せず。）を用いて作製することができる。すなわ
ち、このディスク１０は、シリコンウェファ１１上に、
第１の誘電体膜１２、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３及び第２
の誘電体膜１４を順次成膜してなるような構成を有す
る。このディスク１０に関して、第２の誘電体膜１４側
からＡＥＳ分析を行った結果を図３に示す。この図３に
おいては、横軸にディスク１０の深さを示し、第２の誘
電体膜１４の表面を０ｎｍとしている。また、この図３
においては、縦軸に元素の相対濃度を表している。
うなディスク１０を作製したようなスパッタリング装置
（図示せず。）を用いて作製することができる。すなわ
ち、このディスク１０は、シリコンウェファ１１上に、
第１の誘電体膜１２、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３及び第２
の誘電体膜１４を順次成膜してなるような構成を有す
る。このディスク１０に関して、第２の誘電体膜１４側
からＡＥＳ分析を行った結果を図３に示す。この図３に
おいては、横軸にディスク１０の深さを示し、第２の誘
電体膜１４の表面を０ｎｍとしている。また、この図３
においては、縦軸に元素の相対濃度を表している。
【００２３】一方、このディスク１０と比較するため
に、図４に示すように、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３と第２
の誘電体膜１４との界面に厚膜の酸化領域を有するディ
スク２０も作製した。すなわち、このディスク２０は、
シリコンウェファ１１上に、第１の誘電体膜１２及びＧ
ｄＦｅＣｏ合金膜１３が順次形成されてなる。そして、
このディスク２０は、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３上が酸化
処理されて酸化層２１が形成されており、この酸化層２
１上に第２の誘電体膜１４が形成されてなる。そして、
このディスク２０に関しても、上述したディスク１０と
同様にＡＥＳ分析を行った。その結果を図５に示す。
に、図４に示すように、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３と第２
の誘電体膜１４との界面に厚膜の酸化領域を有するディ
スク２０も作製した。すなわち、このディスク２０は、
シリコンウェファ１１上に、第１の誘電体膜１２及びＧ
ｄＦｅＣｏ合金膜１３が順次形成されてなる。そして、
このディスク２０は、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３上が酸化
処理されて酸化層２１が形成されており、この酸化層２
１上に第２の誘電体膜１４が形成されてなる。そして、
このディスク２０に関しても、上述したディスク１０と
同様にＡＥＳ分析を行った。その結果を図５に示す。
【００２４】これら図３及び図５における、第２の誘電
体膜１４とＧｄＦｅＣｏ合金膜１３との界面に相当する
部分を拡大し、酸素に関するプロファイルのみを抜き出
して示したものを図６に示す。この図６から分かるよう
に、ディスク１０では、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３と第２
の誘電体膜１４との界面における酸化領域は、その厚み
が６ｎｍ程度とされ、また、酸化領域の酸素含有量が
１．２原子％程度となっている。これに対して、ディス
ク２０では、酸化領域（すなわち、酸化層２１）の酸素
含有量が５．８原子％程度となっており、また、酸化領
域（すなわち、酸化層２１）の厚みが７ｎｍ程度となっ
ている。
体膜１４とＧｄＦｅＣｏ合金膜１３との界面に相当する
部分を拡大し、酸素に関するプロファイルのみを抜き出
して示したものを図６に示す。この図６から分かるよう
に、ディスク１０では、ＧｄＦｅＣｏ合金膜１３と第２
の誘電体膜１４との界面における酸化領域は、その厚み
が６ｎｍ程度とされ、また、酸化領域の酸素含有量が
１．２原子％程度となっている。これに対して、ディス
ク２０では、酸化領域（すなわち、酸化層２１）の酸素
含有量が５．８原子％程度となっており、また、酸化領
域（すなわち、酸化層２１）の厚みが７ｎｍ程度となっ
ている。
【００２５】なお、上述したような酸化領域の厚みは、
酸素を表すピークの半値全幅とした。また、酸化領域の
酸素含有量は、酸素を表すピークのピーク値とした。
酸素を表すピークの半値全幅とした。また、酸化領域の
酸素含有量は、酸素を表すピークのピーク値とした。
【００２６】そして、図３に示したようなディスク１０
を作製したスパッタリング装置を用いて図１に示したよ
うな光ディスク１を作製し、また、図５に示したような
ディスク２０を作製したスパッタリング装置を用いて、
図７に示すような光ディスク３０を作製した。すなわ
ち、この光ディスク３０は、第１の希土類−遷移金属合
金膜４と第２の希土類−遷移金属合金膜５との間に酸素
含有量が約５．８原子％程度とされた酸化層３１を有す
ることとなる。また、この光ディスク３０とは別に、酸
化領域の酸素含有量が３．８原子％とされた光ディスク
も作製した。
を作製したスパッタリング装置を用いて図１に示したよ
うな光ディスク１を作製し、また、図５に示したような
ディスク２０を作製したスパッタリング装置を用いて、
図７に示すような光ディスク３０を作製した。すなわ
ち、この光ディスク３０は、第１の希土類−遷移金属合
金膜４と第２の希土類−遷移金属合金膜５との間に酸素
含有量が約５．８原子％程度とされた酸化層３１を有す
ることとなる。また、この光ディスク３０とは別に、酸
化領域の酸素含有量が３．８原子％とされた光ディスク
も作製した。
【００２７】このように作製された光ディスク１及び光
ディスク３０等に関して、記録磁界とＣＮ比との関係を
調べた。その結果を図８に示す。この図８から分かるよ
うに、光ディスク１は、記録磁界が１００［Ｏｅ］程度
の低い値であっても、ＣＮ比が４０ｄＢ以上となってい
る。これに対して、光ディスク３０では、光ディスク１
よりも常に低いＣＮ比となっており、特に、高くとも３
５ｄＢ程度のＣＮ比となっている。また、酸化領域の酸
素含有量が３．８原子％である光ディスクも、光ディス
ク１より常に低いＣＮ比となっており、高くとも３８ｄ
Ｂ程度のＣＮ比となっている。
ディスク３０等に関して、記録磁界とＣＮ比との関係を
調べた。その結果を図８に示す。この図８から分かるよ
うに、光ディスク１は、記録磁界が１００［Ｏｅ］程度
の低い値であっても、ＣＮ比が４０ｄＢ以上となってい
る。これに対して、光ディスク３０では、光ディスク１
よりも常に低いＣＮ比となっており、特に、高くとも３
５ｄＢ程度のＣＮ比となっている。また、酸化領域の酸
素含有量が３．８原子％である光ディスクも、光ディス
ク１より常に低いＣＮ比となっており、高くとも３８ｄ
Ｂ程度のＣＮ比となっている。
【００２８】例えば、光ディスク１において、トラック
ピッチを約０．９μｍとし、ピット長を０．４５μｍと
したときには、１５０［Ｏｅ］の記録磁気界に対して４
０ｄＢ以上のＣＮ比を必要としており、上述した光ディ
スク１は、この条件を満足するものとなっている。これ
に対して、光ディスク３０では、記録磁界が１５０［Ｏ
ｅ］の場合に、ＣＮ比が４０ｄＢを大きく下回ってお
り、約３４ｄＢとなっている。また、酸化領域の酸素含
有量が３．８原子％である光ディスクであっても、１５
０［Ｏｅ］の記録磁界のときに４０ｄＢ以上ＣＮ比とな
るようなことはない。したがって、これら光ディスク３
０等のような場合、高密度記録を目的として、トラック
ピッチを約０．９μｍとし、且つ、ピット長を０．４５
μｍとするようなことはできない。
ピッチを約０．９μｍとし、ピット長を０．４５μｍと
したときには、１５０［Ｏｅ］の記録磁気界に対して４
０ｄＢ以上のＣＮ比を必要としており、上述した光ディ
スク１は、この条件を満足するものとなっている。これ
に対して、光ディスク３０では、記録磁界が１５０［Ｏ
ｅ］の場合に、ＣＮ比が４０ｄＢを大きく下回ってお
り、約３４ｄＢとなっている。また、酸化領域の酸素含
有量が３．８原子％である光ディスクであっても、１５
０［Ｏｅ］の記録磁界のときに４０ｄＢ以上ＣＮ比とな
るようなことはない。したがって、これら光ディスク３
０等のような場合、高密度記録を目的として、トラック
ピッチを約０．９μｍとし、且つ、ピット長を０．４５
μｍとするようなことはできない。
【００２９】このように、光ディスク１は、高密度記録
を達成するために、トラックピッチを約０．９μｍと
し、且つ、ピット長を０．４５μｍとするようなフォー
マットに対応したものとなる。これは、この光ディスク
１において、第１の希土類−遷移金属合金膜４と第２の
希土類−遷移金属合金膜５との間に交換相互作用が良好
に働き、磁気特性が向上したためである。なお、この相
互交換作用は、第１の希土類−遷移金属合金膜４におけ
る希土類元素（又は、遷移元素）と第２の希土類−遷移
金属合金膜５における遷移元素（又は、希土類元素）と
の間に働いている。そして、この交換相互作用が働いて
いる希土類元素と遷移元素との間には、交換結合が形成
されることになる。その結果、これら第１の希土類−遷
移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金膜５と
は、低い記録磁界に対しても良好に記録が行われること
となる。
を達成するために、トラックピッチを約０．９μｍと
し、且つ、ピット長を０．４５μｍとするようなフォー
マットに対応したものとなる。これは、この光ディスク
１において、第１の希土類−遷移金属合金膜４と第２の
希土類−遷移金属合金膜５との間に交換相互作用が良好
に働き、磁気特性が向上したためである。なお、この相
互交換作用は、第１の希土類−遷移金属合金膜４におけ
る希土類元素（又は、遷移元素）と第２の希土類−遷移
金属合金膜５における遷移元素（又は、希土類元素）と
の間に働いている。そして、この交換相互作用が働いて
いる希土類元素と遷移元素との間には、交換結合が形成
されることになる。その結果、これら第１の希土類−遷
移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金膜５と
は、低い記録磁界に対しても良好に記録が行われること
となる。
【００３０】これに対して、光ディスク３０では、酸化
層３１の酸素含有量が高い値となっているため、上述し
たような交換相互作用が良好に働かなくなってしまう。
このため、この光ディスク３０では、磁気特性が劣化し
てしまい、低い記録磁界に対して良好に記録することが
できない。
層３１の酸素含有量が高い値となっているため、上述し
たような交換相互作用が良好に働かなくなってしまう。
このため、この光ディスク３０では、磁気特性が劣化し
てしまい、低い記録磁界に対して良好に記録することが
できない。
【００３１】また、この光ディスク３０では、第１の希
土類−遷移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金
膜５との界面における希土類元素が選択的に酸化されて
しまうことになる。このため、第１の希土類−遷移金属
合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の界面で
は、遷移元素リッチの状態となってしまうと同時に垂直
磁気異方性エネルギー定数が低下してしまう。したがっ
て、この光ディスク３０は、磁気特性が劣化したものと
なり、低い記録磁界に対して良好に記録を行うことがで
きない。
土類−遷移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金
膜５との界面における希土類元素が選択的に酸化されて
しまうことになる。このため、第１の希土類−遷移金属
合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の界面で
は、遷移元素リッチの状態となってしまうと同時に垂直
磁気異方性エネルギー定数が低下してしまう。したがっ
て、この光ディスク３０は、磁気特性が劣化したものと
なり、低い記録磁界に対して良好に記録を行うことがで
きない。
【００３２】ところで、上述したような光ディスク１
は、記録磁界が１５０［Ｏｅ］のときにＣＮ比が４０ｄ
Ｂ以上となることが必要であるとされる。このため、上
述したような光ディスク１において、第１の希土類−遷
移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の
界面に形成される酸化領域の厚み及び酸度含有量の臨界
値を求めた。
は、記録磁界が１５０［Ｏｅ］のときにＣＮ比が４０ｄ
Ｂ以上となることが必要であるとされる。このため、上
述したような光ディスク１において、第１の希土類−遷
移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の
界面に形成される酸化領域の厚み及び酸度含有量の臨界
値を求めた。
【００３３】先ず、酸化領域の酸素含有量に関しては、
酸化領域の厚みを一定のＸｎｍとし、酸化領域の酸素含
有量を様々な値に変化させた複数の光ディスクを作製
し、それぞれの光ディスクについて記録磁界１５０［Ｏ
ｅ］におけるＣＮ比を測定することにより求めた。その
結果を図９に示す。
酸化領域の厚みを一定のＸｎｍとし、酸化領域の酸素含
有量を様々な値に変化させた複数の光ディスクを作製
し、それぞれの光ディスクについて記録磁界１５０［Ｏ
ｅ］におけるＣＮ比を測定することにより求めた。その
結果を図９に示す。
【００３４】この図９から分かるように、記録磁界１５
０［Ｏｅ］におけるＣＮ比が４０ｄＢ以上となるのは、
酸化領域の酸素含有量が２．５原子％以下のときであ
る。言い換えると、この光ディスク１においては、酸化
領域の酸素含有量を２．５原子％以下とすることによ
り、低い記録磁界でも良好に記録を行うことができる。
０［Ｏｅ］におけるＣＮ比が４０ｄＢ以上となるのは、
酸化領域の酸素含有量が２．５原子％以下のときであ
る。言い換えると、この光ディスク１においては、酸化
領域の酸素含有量を２．５原子％以下とすることによ
り、低い記録磁界でも良好に記録を行うことができる。
【００３５】次に、酸化領域の厚みに関しては、酸化領
域の酸素含有量を一定のＸ原子％とし、酸化領域の厚み
を様々な値に変化させた複数の光ディスクを作製し、そ
れぞれの光ディスクについて記録磁界１５０［Ｏｅ］に
おけるＣＮ比を測定することにより求めた。その結果を
図１０に示す。
域の酸素含有量を一定のＸ原子％とし、酸化領域の厚み
を様々な値に変化させた複数の光ディスクを作製し、そ
れぞれの光ディスクについて記録磁界１５０［Ｏｅ］に
おけるＣＮ比を測定することにより求めた。その結果を
図１０に示す。
【００３６】この図１０から分かるように、記録磁界１
５０［Ｏｅ］におけるＣＮ比が４０ｄＢ以上となるの
は、酸化領域の厚みが７ｎｍ以下のときである。言い換
えると、この光ディスク１においては、酸化領域の厚み
を７ｎｍとすることにより、低い記録磁界でも良好に記
録を行うことができる。
５０［Ｏｅ］におけるＣＮ比が４０ｄＢ以上となるの
は、酸化領域の厚みが７ｎｍ以下のときである。言い換
えると、この光ディスク１においては、酸化領域の厚み
を７ｎｍとすることにより、低い記録磁界でも良好に記
録を行うことができる。
【００３７】以上のように、この光ディスク１では、第
１の希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移
金属合金膜５の界面に形成される酸化領域の酸素含有量
を２．５原子％とし、この酸化領域の厚みを７ｎｍ以下
とすることにより、第１の希土類−遷移金属合金膜４及
び第２の希土類−遷移金属合金膜５の磁気特性を向上さ
せることができる。すなわち、この光ディスク１は、酸
化領域の酸素含有量及び厚みを所定の値に規定すること
により、低い記録磁界であっても良好に記録を行うこと
ができる。
１の希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移
金属合金膜５の界面に形成される酸化領域の酸素含有量
を２．５原子％とし、この酸化領域の厚みを７ｎｍ以下
とすることにより、第１の希土類−遷移金属合金膜４及
び第２の希土類−遷移金属合金膜５の磁気特性を向上さ
せることができる。すなわち、この光ディスク１は、酸
化領域の酸素含有量及び厚みを所定の値に規定すること
により、低い記録磁界であっても良好に記録を行うこと
ができる。
【００３８】一方、本発明に係る光ディスクの製造方法
は、上述したような光ディスク１を製造する際に適用さ
れる。
は、上述したような光ディスク１を製造する際に適用さ
れる。
【００３９】この手法では、先ず、円盤状に形成された
基板２に、Ｓｉ3Ｎ4からなる第１の誘電体膜３を成膜す
る。そして、この第１の誘電体膜３上に、第１の希土類
−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜
５を順次成膜する。その後、第２の希土類−遷移金属合
金膜５上に、第２の誘電体膜６及び反射膜７を順次成膜
することにより光ディスク１が形成される。この手法で
は、これら各層を形成するに際してスパッタリングや真
空蒸着法等の薄膜形成手段が用いられる。
基板２に、Ｓｉ3Ｎ4からなる第１の誘電体膜３を成膜す
る。そして、この第１の誘電体膜３上に、第１の希土類
−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜
５を順次成膜する。その後、第２の希土類−遷移金属合
金膜５上に、第２の誘電体膜６及び反射膜７を順次成膜
することにより光ディスク１が形成される。この手法で
は、これら各層を形成するに際してスパッタリングや真
空蒸着法等の薄膜形成手段が用いられる。
【００４０】この手法では、第１の希土類−遷移金属合
金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の界面に酸
化領域が形成される。この酸化領域は、第１の希土類−
遷移金属合金膜４を成膜する際、周囲に存在する酸素や
水が第１の希土類−遷移金属合金膜４の表面付近に混入
することにより形成される。すなわち、第１の希土類−
遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５
との界面に酸素が混入することにより、希土類元素が選
択的に酸化され酸化領域が形成される。
金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５の界面に酸
化領域が形成される。この酸化領域は、第１の希土類−
遷移金属合金膜４を成膜する際、周囲に存在する酸素や
水が第１の希土類−遷移金属合金膜４の表面付近に混入
することにより形成される。すなわち、第１の希土類−
遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５
との界面に酸素が混入することにより、希土類元素が選
択的に酸化され酸化領域が形成される。
【００４１】そして、この手法では、このように形成さ
れた酸化領域の酸素含有量が２．５原子％以下となり、
且つ、この酸化領域の厚みが７ｎｍ以下となるように、
第１の希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷
移金属合金膜５が成膜されることとなる。
れた酸化領域の酸素含有量が２．５原子％以下となり、
且つ、この酸化領域の厚みが７ｎｍ以下となるように、
第１の希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希土類−遷
移金属合金膜５が成膜されることとなる。
【００４２】具体的には、この手法では、例えば、高度
に真空状態とされたチャンバ内でスパッタリング法を用
いて、第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希土類
−遷移金属合金膜を成膜する。このとき、チャンバ内の
圧力と酸化領域の酸素含有量との関係を図１１に示す。
この図１１から分かるように、チャンバ内の圧力は、
１．０×１０-4［ｈＰａ］以下とされることが好まし
い。すなわち、チャンバ内の圧力を１．０×１０-4［ｈ
Ｐａ］以下に規定することにより、酸化領域の酸素含有
量を２．５原子％以下に制御することができる。
に真空状態とされたチャンバ内でスパッタリング法を用
いて、第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希土類
−遷移金属合金膜を成膜する。このとき、チャンバ内の
圧力と酸化領域の酸素含有量との関係を図１１に示す。
この図１１から分かるように、チャンバ内の圧力は、
１．０×１０-4［ｈＰａ］以下とされることが好まし
い。すなわち、チャンバ内の圧力を１．０×１０-4［ｈ
Ｐａ］以下に規定することにより、酸化領域の酸素含有
量を２．５原子％以下に制御することができる。
【００４３】このように、第１の希土類−遷移金属合金
膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５とを成膜する
に際して、チャンバ内の圧力を制御することにより、上
述したように、第１の希土類−遷移金属合金膜４及び第
２の希土類−遷移金属合金膜５の界面における酸化領域
を所望の状態に形成することができる。
膜４及び第２の希土類−遷移金属合金膜５とを成膜する
に際して、チャンバ内の圧力を制御することにより、上
述したように、第１の希土類−遷移金属合金膜４及び第
２の希土類−遷移金属合金膜５の界面における酸化領域
を所望の状態に形成することができる。
【００４４】以上のような本手法によれば、第１の希土
類−遷移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金膜
５との界面における酸化領域を、所望の酸素含有量及び
厚みとしているため、第１の希土類−遷移金属合金膜４
と第２の希土類−遷移金属合金膜５との間に大きな交換
相互作用を発生させることができる。このため、この手
法では、第１の希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希
土類−遷移金属合金膜５の磁気特性を良好なものとする
ことができる。このため、この手法によれば、低い記録
磁界でも良好に記録を行うことのできる光ディスクを製
造することができる。
類−遷移金属合金膜４と第２の希土類−遷移金属合金膜
５との界面における酸化領域を、所望の酸素含有量及び
厚みとしているため、第１の希土類−遷移金属合金膜４
と第２の希土類−遷移金属合金膜５との間に大きな交換
相互作用を発生させることができる。このため、この手
法では、第１の希土類−遷移金属合金膜４及び第２の希
土類−遷移金属合金膜５の磁気特性を良好なものとする
ことができる。このため、この手法によれば、低い記録
磁界でも良好に記録を行うことのできる光ディスクを製
造することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る光ディスクでは、第１の希土類−遷移金属合金膜及
び第２の希土類−遷移金属合金膜の界面における酸化領
域の酸素含有量及び厚みを所定の値に限定したため、こ
れら第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希土類−
遷移金属合金膜の間に良好な交換相互作用が発生してい
る。このため、この光ディスクは、第１の希土類−遷移
金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜の磁気特
性が良好なものとなり、低い記録磁界に対しても良好に
記録を行うことができる。
係る光ディスクでは、第１の希土類−遷移金属合金膜及
び第２の希土類−遷移金属合金膜の界面における酸化領
域の酸素含有量及び厚みを所定の値に限定したため、こ
れら第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希土類−
遷移金属合金膜の間に良好な交換相互作用が発生してい
る。このため、この光ディスクは、第１の希土類−遷移
金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜の磁気特
性が良好なものとなり、低い記録磁界に対しても良好に
記録を行うことができる。
【００４６】また、本発明に係る光ディスクの製造方法
によれば、良好な磁気特性を有する第１の希土類−遷移
金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜を形成す
ることができ、低い記録磁界でも良好に記録することの
できる光ディスクを製造することができる。
によれば、良好な磁気特性を有する第１の希土類−遷移
金属合金膜及び第２の希土類−遷移金属合金膜を形成す
ることができ、低い記録磁界でも良好に記録することの
できる光ディスクを製造することができる。
【図１】本発明に係る光ディスクの要部縦断面図であ
る。
る。
【図２】薄膜の酸化領域を有するディスクの要部縦断面
図である。
図である。
【図３】図２に示したディスクのＡＥＳ分析を示す特性
図である。
図である。
【図４】厚膜の酸化領域を有するディスクの要部縦断面
図である。
図である。
【図５】図４に示したディスクのＡＥＳ分析を示す特性
図である。
図である。
【図６】図３及び図５における酸化領域付近のＡＥＳ分
析結果を拡大して示す特性図である。
析結果を拡大して示す特性図である。
【図７】厚膜の酸化領域を有する光ディスクの要部縦断
面図で有る。
面図で有る。
【図８】記録磁界の大きさとＣＮ比との関係を示す特性
図である。
図である。
【図９】酸化領域の酸素含有量とＣＮ比との関係を示す
特性図である。
特性図である。
【図１０】酸化領域の厚みとＣＮ比との関係を示す特性
図である。
図である。
【図１１】本発明に係る光ディスクの製造方法におい
て、チャンバ内の圧力と酸化領域の酸素含有量との関係
を示す特性図である。
て、チャンバ内の圧力と酸化領域の酸素含有量との関係
を示す特性図である。
１ 光ディスク、２ 基板、３ 第１の誘電体膜、４
第１の希土類−遷移金属合金膜、５ 第２の希土類−遷
移金属合金膜、６ 第２の誘電体膜、７ 反射膜
第１の希土類−遷移金属合金膜、５ 第２の希土類−遷
移金属合金膜、６ 第２の誘電体膜、７ 反射膜
Claims (4)
- 【請求項１】 希土類元素及び遷移元素を含有する第１
の希土類−遷移金属合金膜と、 この第１の希土類−遷移金属合金に積層され、この第１
の希土類−遷移金属合金膜とは異なる組成を有し、希土
類元素及び遷移元素を含有する第２の希土類−遷移金属
合金膜とを備え、 これら第１の希土類−遷移金属合金膜及び第２の希土類
−遷移金属合金膜との間の酸化領域は、酸素含有量が
２．５原子％以下であり、且つ、厚みが７ｎｍ以下とさ
れてなることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 上記第１の希土類−遷移金属合金膜は、
ＧｄＦｅＣｏ合金膜からなり、上記第２の希土類−遷移
金属合金膜は、ＴｂＦｅＣｏ合金膜からなることを特徴
とする請求項１記載の光ディスク。 - 【請求項３】 基板上に、希土類元素及び遷移元素を含
有する第１の希土類−遷移金属合金膜を形成する工程
と、 この第１の希土類−遷移金属合金膜上に、第１の希土類
−遷移金属合金膜とは異なる組成を有し、希土類元素及
び遷移元素を含有する第２の希土類−遷移金属合金膜を
形成する工程とを備え、 第１の希土類−遷移金属合金膜と第２の希土類−遷移金
属合金膜との界面における酸化領域の厚みが７ｎｍ以下
となり、且つ、酸化領域の酸素含有量が２．５原子％以
下となるように、第１の希土類−遷移金属合金膜及び第
２の希土類−遷移金属合金膜を形成することを特徴とす
る光ディスクの製造方法。 - 【請求項４】 上記第１の希土類−遷移金属合金膜及び
上記第２の希土類−遷移金属合金膜は、１．０×１０-4
［ｈＰａ］以下の雰囲気中で形成されることを特徴とす
る請求項３記載の光ディスクの製造方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP9280824A JPH11120635A (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 光ディスク及びその製造方法 |
Publications (1)
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|---|---|
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Family
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Family Applications (1)
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