JP2957425B2 - 光磁気ディスクおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクとその
製造方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】大容量情報担持媒体として光ディスクが
注目されている。このなかには、磁界変調方式の光磁気
ディスクがあり、データファイル等への応用が期待され
ている。磁界変調方式では、光ヘッドからレーザー光を
ディスクの記録膜にＤＣ的に照射してその温度を上昇さ
せておき、これと同時に、変調された磁界を光ヘッドの
反対側に配置した磁気ヘッドから記録膜に印加し、記録
を行なう。従って、この方式ではオーバーライト記録が
可能である。

【０００３】最近、コンパクトディスク（ＣＤ）と同等
（１．２〜１．４ｍ／ｓ）の低い線速度で記録・再生が
可能な磁界変調方式の光磁気ディスク（ミニディスク）
が実用化されている。この光磁気ディスクは、ＣＤに準
じた規格の再生専用光ディスクと駆動装置を共用するこ
とが可能である。この光磁気ディスクの駆動装置は携帯
型としての用途も考えられているが、この場合、消費電
力を抑えることが要求される。しかし、磁界変調型の光
磁気ディスクでは光ヘッドの他に記録用磁気ヘッドが必
要であり、一般に消費電力が多くなってしまう。したが
って、低磁界で記録可能な磁界感度の高いディスクが望
まれている。低磁界で記録可能であれば消費電力が少な
くなるので、バッテリを小さくすることもできる。さら
に、磁気ヘッドのコイル巻数を少なくできるなど、磁気
ヘッドの設計上も有益である。

【０００４】しかし、従来の光磁気ディスク、例えばＩ
ＳＯ準拠の３．５インチ光磁気ディスクでは、一般に十
分なＣ／Ｎを得るためには２００ ０ｅ以上の記録磁界
が必要である。一方、上記したミニディスクでは、消費
電力を抑えるために記録磁界を１００ ０ｅ以下、好ま
しくは８０ ０ｅ以下に抑えることが望ましく、このよ
うな弱磁界強度で４６ｄＢ以上のＣ／Ｎを得る必要があ
る。さらに、将来的には、記録磁界強度６０ ０ｅで４
６ｄＢ以上のＣ／Ｎを得ることが要望されている。

【０００５】さらに、ミニディスクは、屋外での使用が
重視されているため、高温や高湿に対するいっそうの耐
性が必要である。また、一方では、ミニディスクはコン
ピュータ用のデータディスクとしても利用され始めてい
るため、データ保全性をいっそう向上させることも要求
される。

【０００６】特開平４−３１３８３５号公報では、「基
板上に少なくとも希土類−遷移金属合金薄膜と誘電体膜
とを順次成膜する光磁気記録媒体の製造方法において、
前記希土類−遷移金属合金薄膜を成膜した後、少なくと
も酸素ガスもしくは酸素を一構成元素とする化合物のガ
スを含む放電状態の雰囲気中に基板を保持する」方法を
提案しており、これにより低記録磁界下で高Ｃ／Ｎが得
られるとしている。しかし、周知のように希土類は極め
て酸化されやすい材料であり、本発明者らの実験によれ
ば、酸素を構成元素とする化合物のガス（ＣＯ_２等）を
適量に制御することが極めて難しく、目的とする特性を
安定して得るのは困難であった。また、希土類−遷移金
属合金の磁性層中に酸素を含ませた場合、信頼性に悪影
響を及ぼす可能性が大きい。

【０００７】この他、「Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｆｉｅｌ
ｄ ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ｏｆｍａｇｎｅｔｏ−ｏ
ｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋｓ ｕｓｉｎｇｖｅｒｙ ｔｈ
ｉｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ ｆｉｌｍ
ｓ」｛Ｉｃｈｉｔａｎｉ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｍａｇ
ｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．１７，Ｓｕｐｐｌｅｍ
ｅｎｔ Ｎｏ．Ｓ１（１９９３），ｐｐ．１９６−２０
０｝では、記録膜としてＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏと
の積層膜を用いることにより、磁界変調方式に好適な高
磁界感度が得られるとしているが、この方法では工数が
増加し、低コスト化が難しい。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁界感度が
高く、しかも信頼性が高い光磁気ディスクと、磁界感度
が高く、しかも再生の安定性が良好な光磁気ディスクと
を、安価に提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（４）のいずれかの構成により達成される。 （１）透明基板上に、第一の誘電体膜、希土類元素−遷
移元素合金の記録膜および第二の誘電体膜をこの順で有
し、記録膜と第二の誘電体膜との間に中間膜を有し、第
二の誘電体膜が少なくとも１種の金属元素および窒素を
含有し、中間膜がＣｏまたはＮｉを成膜したものであ
り、中間膜の厚さが１〜１８Åであり、中間膜が含む金
属元素と第二の誘電体膜が含む金属元素とが異なる光磁
気ディスク。 （２）第二の誘電体膜が金属の窒化物であるか、または
金属の窒化物に加え、金属の酸化物、炭化物および硫化
物の少なくとも１種を含む混合物である上記（１）の光
磁気ディスク。 （３）第二の誘電体膜上に反射膜を有する上記（１）ま
たは（２）の光磁気ディスク。 （４）上記（１）〜（３）のいずれかの光磁気ディスク
を製造する方法であって、中間膜を希ガス雰囲気中でス
パッタ法により形成することを特徴とする光磁気ディス
クの製造方法。

【００１０】

【作用および効果】本発明では、記録膜と第二の誘電体
膜との間に中間膜を設ける。この中間膜は所定の金属を
成膜したものであり、中間膜が含む金属元素と、隣接す
る第二の誘電体膜が含む金属元素とは異なる。

【００１１】この中間膜は、第二の誘電体膜構成元素と
記録膜構成元素との相互拡散を抑制する作用を有し、こ
の作用により、第二の誘電体膜との界面付近における記
録膜の磁気特性劣化が抑えられ、低磁界下での記録にお
けるＣ／Ｎが向上する。第二の誘電体膜との界面付近に
おける記録膜の磁気特性劣化は、第二の誘電体膜形成時
に第二の誘電体膜から記録膜中に拡散する窒素原子に起
因すると考えられる。また、第二の誘電体膜を反応性ス
パッタ法により形成する場合、反応性ガス（特に窒素ガ
ス）に由来する原子やイオンが記録膜にダメージを与
え、低磁界下での記録におけるＣ／Ｎが著しく劣化する
が、中間膜を設けることによりこのようなダメージを防
ぐことができる。

【００１２】また、中間膜がＣｏまたはＮｉを成膜した
ものであれば、再生時の安定性が良好となる。前述した
ように、ミニディスクでは省電力化が要求され、このた
めに印加磁界やレーザー光に対する感度を向上させる必
要がある。しかし、他方、ミニディスクをコンピュータ
用のデータディスクとして用いる場合には、いったん記
録された情報が外部からの磁界や加熱によって誤消去さ
れることを防ぐ必要がある。本発明において、中間膜が
ＣｏまたはＮｉを成膜したものであるので、例えば、再
生用レーザー光を照射しているときに外部から磁界が印
加された場合でも情報が消去されにくいため、安定した
再生が可能となる。

【００１３】なお、特開平５−２５８３６８号公報に
は、「基板上に、干渉層、希土類−遷移金属アモルファ
ス合金からなる記録層、膜厚が１０〜３０Åの範囲にあ
る金属または半導体からなる熱伝導層、誘電体層および
反射層が順次積層されてなることを特徴とする光磁気記
録媒体」が記載されている。この光磁気記録媒体の熱伝
導層は、金属からなる点および厚さの点で本発明におけ
る中間膜と類似しているが、同公報において熱伝導層の
具体例として挙げられているのは、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｓｉ、グラファイトであり、本発明とは異なる。
すなわち、同公報に具体的に示されている熱伝導層材料
を用いた場合には、本発明による信頼性の向上や再生の
安定性は実現しない。また、同公報には、外部磁界強度
１００ ０ｅ以下でのＣ／Ｎの具体値は記載されていな
いので、磁界感度向上効果についても例証されていると
はいえない。

【００１４】また、前述した特開平４−３１３８３５号
公報には、磁性膜が成膜された基板を、酸素ガスまたは
酸素を含む化合物ガスを１．６×１０^−５〜１×１０
^−３Ｔｏｒｒ程度含む放電状態の雰囲気中に保持するこ
とにより、磁性膜上部に酸素を含む組成の層が形成さ
れ、この層が誘電体膜に由来する元素（ＮやＮ^＋等）の
磁性膜への混入を防止すると推測される旨の記述があ
る。磁性膜への窒素の混入を防ぐという点では同公報記
載の発明は本発明と類似するが、前述したように、酸素
ガス等を含む放電状態の雰囲気中に磁性膜を保持する方
法では、目的とする特性を安定して得るのは困難であ
る。

【００１５】また、特公平５−３２８１６号公報では、
記録層形成後、記録層用ターゲットを酸素含有雰囲気中
でスパッタするか、酸化物ターゲットをスパッタするこ
とにより、３０〜１００Åの厚さを有し、０．１〜２０
原子％の酸素原子を含有する耐腐食性層を形成する提案
がなされている。この提案は記録層の腐食を防ぐことを
目的としており、同公報にはＣ／Ｎに関する記載はな
い。同公報記載の方法のように酸素含有雰囲気中でのス
パッタあるいは酸化物ターゲットを使ったスパッタによ
り記録層上に成膜する方法では、本発明の効果は実現し
ない。

【００１６】また、特開平４−２５２４４３号公報で
は、記録膜表面を酸素プラズマにより変性して、記録膜
の腐食を防ぐ提案がなされている。同公報の実施例で
は、酸素ガスを導入して反応性スパッタエッチングし、
厚さ約５０Åの変性酸化膜を形成している。同公報には
４７ｄＢのＣ／Ｎが得られた旨の記載があるが、１００
０ｅ以下の低磁界下でのＣ／Ｎ向上については記載がな
い。この方法においても本発明の効果は実現しない。

【００１７】本発明では、これら従来の方法と異なり希
ガス中でのスパッタにより中間膜を形成するので、低磁
界下で安定して高いＣ／Ｎを得ることができる。

【００１８】特開平２−２９７７３８号公報には、「通
気性を有するプラスチック成形ディスク上に、Ｓｉ
Ｏ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の酸化物もしくはＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ
_４等の窒化物から成る保護層を形成し、この保護層上に
光磁気記録膜層を形成し、さらにこの記録層の上に上記
と同じ保護層を形成して成る光磁気媒体において、前記
保護層と記録層の間にそれぞれＴｉもしくはＺｒの中間
層を形成した」情報記録用光ディスクが開示されてい
る。同公報記載の中間層は、ゲッタ作用により水蒸気お
よび酸素の透過を防ぐために設けられている。同公報に
は、透過を効果的に防止するために中間層の厚さを３０
Å以上とすることが好ましい旨が記載されており、実施
例では５０〜１００Åとしている。

【００１９】また、特開昭６１−１１５２５８号公報に
は、「ＲＥを希土類元素から選ばれた一種以上の元素と
し且つＴＭを遷移金属元素から選ばれた一種以上の元素
とし、ＲＥ−ＴＭ系合金の非晶質膜を記録層とした光磁
気記録用媒体において、Ｔｉ、ＣｒおよびＡｌから選ば
れた一種類以上の金属からなる層が前記非晶質膜上に表
面層として被着されている」光磁気記録用媒体が開示さ
れている。同公報の実施例では、厚さ１００ｎｍの金属
保護膜を表面層として設けている。同公報には、金属保
護膜の厚さの範囲は開示されていない。この金属保護膜
は、酸素のゲッタとなって記録層への酸素の侵入を防止
するものである。同公報には、表面層の上にさらに誘電
体膜を形成することは開示されていない。

【００２０】また、特開平２−９６９５１号公報には、
「保護層に少なくとも金属保護層を有する光磁気記録媒
体において、該金属保護層がＲｅ、Ｃｒ、Ｔａからなる
群より選ばれた１種以上の元素ＭとＴｉとのチタン合金
からなる」光磁気記録媒体が開示されている。同公報に
は、この金属保護層が、誘電体膜からの酸素、窒素、フ
ッ素、水分等の記録層への侵入を抑える作用をもつ旨が
記載されている。同公報の実施例では、基板側の誘電体
層と光磁気記録層との間に厚さ約１５Åのチタン合金膜
を、また、光磁気記録層の上には厚さ約５００Åのチタ
ン合金膜を形成している。また、同公報の比較例では、
光磁気記録層の上に厚さ約５００Åのチタン膜を形成し
ている。しかし、同公報には、光磁気記録層の上に形成
するチタン合金膜やチタン膜の厚さ範囲は開示されてい
ない。

【００２１】これら各公報に開示されている中間層や金
属保護層は、記録層への酸素や水分等の侵入を防ぐため
のものであり、そのために記録層上に３０〜１０００Å
の厚さに形成することが必要とされている。一方、本発
明で記録膜上に中間膜を設けるのは磁界感度を向上させ
るためであり、３０Å以上の厚さでは磁界感度向上効果
が著しく低下してしまう。

【００２２】この他、特開昭６２−４３８４８号公報に
は、「非磁性基板上に、垂直磁化膜の保磁力を増大させ
る歪異方性を誘起するような軟磁性層よりなる下地層を
介して、希土類と遷移金属を主体とする垂直磁化膜を形
成し、さらに上記、垂直磁化膜上に軟磁性膜を形成し
た」光磁気記録媒体が開示されている。同公報記載の軟
磁性膜は、垂直磁化膜から生ずる磁束を閉じさせること
により、書き込んだ磁区を安定させるものである。同公
報の実施例では、垂直磁化膜の上下に厚さ２０ÅのＦｅ
膜を形成しているが、誘電体膜は形成していない。同公
報には、垂直磁化膜上に形成される軟磁性膜の厚さ範囲
の開示はない。

【００２３】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２４】図１に、本発明の光磁気ディスクの構成例
を示す。同図において、光磁気ディスク１は、透明基板
２表面上に、第一の誘電体膜４、記録膜５、第二の誘電
体膜６、反射膜７および保護コート８を有し、記録膜５
と第二の誘電体膜６との間に中間膜９が設けられてい
る。

【００２５】本発明の光磁気ディスクに対し記録および
再生を行なう際には、光学ヘッドは透明基板２の裏面側
（図中下側）に位置し、透明基板を通してレーザー光が
照射される。透明基板には、ガラスやポリカーボネー
ト、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレン系
樹脂等の透明樹脂が用いられる。

【００２６】第一の誘電体膜４および第二の誘電体膜６
は、Ｃ／Ｎの向上および記録膜の腐食防止作用を有す
る。第一の誘電体膜の厚さは４０〜２００ｎｍ程度、第
二の誘電体膜の厚さは１０〜１００ｎｍ程度とされる。
第一の誘電体膜は、金属の窒化物、酸化物、炭化物およ
び硫化物の１種からなるか、これらの２種以上を含む混
合物であることが好ましい。第二の誘電体膜は、金属の
窒化物であるか、または金属の窒化物に加え、金属の酸
化物、炭化物および硫化物の少なくとも１種を含む混合
物であることが好ましい。この場合、金属としてはＳ
ｉ、Ａｌ、Ｚｎ、あるいはこれらにＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、
Ｙ等を加えたものが好ましい。また、ＮはＯ、Ｃ、Ｓと
の総計中３０〜１００原子％であることが好ましい。第
二の誘電体膜をこのような構成とすることにより、高磁
界感度でかつ高Ｃ／Ｎが得られ、記録膜の劣化も少なく
なる。各誘電体膜は少なくとも１種の金属元素を含有す
るが、その組み合わせは特に限定されない。第一の誘電
体膜と第二の誘電体膜とは、構成元素が同一である必要
はない。

【００２７】記録膜５には、変調された熱ビームあるい
は変調された磁界により情報が磁気的に記録され、記録
情報は磁気一光変換して再生される。本発明の光磁気デ
ィスクは、通常、磁界変調方式に適用される。記録膜５
は、希土類元素および遷移元素を含有する合金である。
希土類元素としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒお
よびＣｅから選択される少なくとも１種の元素が好まし
く、遷移元素としては、Ｆｅを必須とし、さらにＣｏが
含まれることが好ましい。各元素の具体的含有量は、要
求されるキュリー温度、保磁力、再生特性等に応じて適
宜決定すればよいが、希土類元素をＲとし原子比組成を
Ｒ_ＡＦｅ_ＢＣ_ＯＣとしたとき、通常、 であることが好ましい。また、これらの元素に加え、さ
らにＣｒやＴｉ等の各種元素が必要に応じて添加されて
いてもよいが、記録膜中におけるこれらの添加元素の含
有量は１２原子％以下とすることが好ましい。添加元素
としては特にＣｒおよび／またはＴｉが好ましく、これ
らが合計で１〜１０原子％含まれていることが好まし
い。具体的組成としては、例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
や、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｔ
ｉ、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ｄｙ−Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｎｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が挙げられる。記録
膜５の層厚は、通常、１０〜１００ｎｍ程度とする。

【００２８】中間膜９は、ＣｏまたはＮｉを成膜したも
のである。中間膜はＣｏまたはＮｉを成膜したものであ
るので、再生の安定性が優れた光磁気ディスクが得られ
る。

【００２９】中間膜の厚さの下限は、１Å、好ましくは
２Åである。また、厚さの上限は、１８Å、好ましくは
１０Å、より好ましくは９Åである。中間膜を適当な厚
さとすることにより、８０ ０ｅ以下の低磁界強度で４
６ｄＢ以上の十分なＣ／Ｎを得ることが可能となる。中
間膜が薄すぎると、低磁界下で記録したときのＣ／Ｎが
著しく低くなってしまうので、磁気ヘッドの負担が増大
して消費電力が増えてしまう。中間膜が厚すぎると、低
磁界下でのＣ／Ｎ向上効果が著しく低くなってしまう。

【００３０】なお、本明細書において、各膜の厚さはス
パッタレートとスパッタ時間とから算出する。膜厚算出
に用いるスパッタレートは、実際の成膜の際の条件と同
じ条件で長時間スパッタを行なって厚い膜を形成してそ
の厚さを実測により求め、この厚さとスパッタ時間とか
ら算出する。

【００３１】中間膜は金属を成膜したもの、例えば、後
述するように金属ターゲットをスパッタして成膜したも
のであるが、例えば、オージェ電子分光法などにより中
間膜付近の元素分析を行なった場合、誘電体膜に含まれ
る元素や記録膜に含まれる元素、あるいは、各膜を形成
するときの雰囲気中に含まれるアルゴンや酸素、窒素な
どの不純物が、通常、検出される。中間膜は極めて薄い
ため、拡散により誘電体膜から中間膜に侵入した元素の
中間膜中での比率が、他の混入元素に比べ比較的高くな
るが、本発明はこのような場合も包含する。中間膜の厚
さはスパッタレートとスパッタ時間とから算出されるも
のなので、例えば厚さが１〜２Å程度と薄いと実質的に
は膜状化していない場合もあると考えられる。しかし、
計算上、１〜２Åの厚さの膜が形成されるような成膜操
作を行なえば、実際には膜状化していない場合でもＣ／
Ｎ向上効果は十分に実現する。

【００３２】誘電体膜の形成には、スパッタ法を用いる
ことが好ましい。通常のスパッタ法を用いた場合でも反
応性スパッタ法を用いた場合でも、本発明の効果は実現
する。なお、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含む誘電体膜
（ＬａＳｉＯＮ膜）など酸素および窒素を含む誘電体膜
は、通常、スパッタ法により形成するが、酸化物ターゲ
ットを用いて、窒素を含む雰囲気中で反応性スパッタ法
により形成することもできる。膜中におけるＮ量が１５
原子％以上となる条件で第二の誘電体膜を形成したとき
に、本発明は特に効果が高い。

【００３３】中間膜の形成は希ガス雰囲気中で行ない、
真空槽中に酸素を導入しないが、通常、真空槽中には極
微量の酸素が残存している。このため、オージェ電子分
光法などにより元素分析を行なうと、誘電体膜が酸化物
を含まない場合でも中間膜付近で酸素が検出される。そ
して中間膜の形成方法によっては、中間膜と記録膜との
界面付近で酸素含有率がやや増加することがある。本発
明では、このような場合でも、前記界面付近における酸
素含有率の最大値が好ましくは２５原子％以下、より好
ましくは２０原子％以下となるようにする。酸素含有率
の最大値を低く抑えることにより、信頼性および繰り返
し耐久性が良好となり、高磁界下、高温度下での記録に
おいても安定して高Ｃ／Ｎが得られるようになる。これ
に対し酸素含有率が高すぎる場合、記録膜中の希土類元
素が選択的に酸化されて記録膜の保磁力が低くなってい
るので、高磁界下や高温度下での記録に際して、隣接ト
ラックに影響が及びやすい。なお、本発明では低磁界下
での記録において高Ｃ／Ｎを得ることを目的としている
が、記録媒体として用いる場合には、高磁界下での記録
においても高特性を保証する必要がある。

【００３４】膜中への酸素の混入を抑えるためには、真
空槽の到達圧力をできるだけ低くすることが好ましい
が、酸素含有率が上記範囲であれば十分な性能が得られ
るので、真空槽の到達圧力は１×１０^−４Ｐａ以下とす
れば十分である。

【００３５】これらの他、スパッタ条件は特に限定され
ず、公知の通常の条件で行なえばよい。

【００３６】反射膜７は必須ではないが、Ｃ／Ｎ向上の
ためには設けることが好ましい。反射膜７を構成する材
質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ等の金属、あるいはこれらの合金、あるいはこれらの
化合物であることが好ましい。反射膜７は、スパッタ法
により形成することが好ましい。反射膜７の層厚は３０
〜２００ｎｍ程度とすることが好ましい。

【００３７】保護コート８は、反射膜７までのスパッタ
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。保護コ
ート８を構成する樹脂は特に限定されないが、放射線硬
化型化合物の硬化物であることが好ましい。放射線硬化
型化合物としてはアクリル基を有するものが好ましく、
これと光重合増感剤ないし開始剤とを含有する塗膜を、
紫外線や電子線により硬化して保護コートを形成するこ
とが好ましい。保護コート８の厚さは、通常、１〜３０
μｍ、好ましくは２〜２０μｍとする。膜厚が薄すぎる
と一様な膜を形成することが困難となり、耐久性が不十
分となってくる。また、厚すぎると、硬化の際の収縮に
よりクラックが生じたり、ディスクに反りが発生しやす
くなってくる。

【００３８】なお、透明基板２の裏面側には、図示され
るように透明なハードコート３を形成してもよい。ハー
ドコートの材質および厚さは、保護コート８と同様とす
ればよい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加
などにより帯電防止性を付与することが好ましい。ハー
ドコートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外
周側面や内周側面に設けてもよい。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００４０】透明基板上に、第一の誘電体膜、記録膜、
中間膜、第二の誘電体膜、反射膜および保護コートを以
下に示す条件で順次形成して、下記の各表に示す光磁気
ディスクサンプルを作製した。

【００４１】＜透明基板＞ 透明基板には、外径６４ｍｍ、内径１１ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍのディスク状ポリカーボネート樹脂板を用いた。

【００４２】＜第一の誘電体膜＞ 真空槽内を５．０×１０^−５Ｐａ以下まで減圧した後、
ＡｒガスとＮ_２ガスとを真空槽内に流しながら、Ｓｉを
ターゲットに用いて反応性マグネトロンスパッタを行な
い、第一の誘電体膜を形成した。スパッタの際の条件
は、 投入パワー：１ｋＷ、 スパッタガス圧力：０．１Ｐａ、 Ａｒガス流量：３１ＳＣＣＭ、 Ｎ_２ガス流量：１９ＳＣＣＭ とした。第一の誘電体膜の厚さは６０ｎｍとした。

【００４３】＜記録膜＞ 第一の誘電体膜形成後、再び真空槽内を５．０×１０−
^５Ｐａ以下まで減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しなが
ら、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金をターゲットとしてマグネ
トロンスパッタを行ない、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏを主成分と
する記録膜を形成した。スパッタの際の条件は、 投入パワー：１ｋＷ、 スパッタガス圧力：０．２Ｐａ、 Ａｒガス流量：９８ＳＣＣＭ とした。記録膜の厚さは２０ｎｍとした。記録膜の組成
は、原子比でＴｂ_２０．０Ｆｅ_７０．０Ｃｏ_７．０Ｃｒ
_３．０であった。

【００４４】＜中間膜＞ 記録膜形成後、再び真空槽内を５．０×１０^−５Ｐａ以
下まで減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しながら、表１
に示すターゲットを用いてマグネトロンスパッタを行な
い、中間膜を形成した。スパッタの際の条件は、 投入パワー：４００Ｗ、 スパッタガス圧力：０．１Ｐａ、 Ａｒガス流量：４０ＳＣＣＭ とした。中間膜の厚さを各表に示す。なお、中間膜を形
成しないサンプルも作製した。

【００４５】＜第二の誘電体膜＞ 中間膜形成後、再び真空槽内を５．０×１０^−５Ｐａ以
下まで減圧した後、スパッタ法により各表に示すターゲ
ットを用いて第二の誘電体膜を形成した。各表のターゲ
ットの欄にＳｉ（Ｎ）と記載してあるものは、Ａｒガス
とＮ_２ガスとを真空槽内に流しながら、Ｓｉターゲット
を用いて反応性マグネトロンスパッタを行なったもので
ある。この反応性スパッタの際の条件は、 投入パワー：１ｋＷ、 スパッタガス圧力：０．１Ｐａ、 Ａｒガス流量：３１ＳＣＣＭ、 Ｎ_２ガス流量：１９ＳＣＣＭ とした。第二の誘電体膜の厚さは２０ｎｍとした。

【００４６】＜反射膜＞ 第二の誘電体膜形成後、再び真空槽内を５．０×１０
^−５Ｐａ以下まで減圧し、Ａｒガスを真空槽内に流しな
がら、Ａｌ合金をターゲットとしてマグネトロンスパッ
タを行なって反射膜を形成した。スパッタの際の条件
は、 投入パワー：７５０Ｗ、 スパッタガス圧力：０．１５Ｐａ、 Ａｒガス流量：１０ＳＣＣＭ とした。反射膜の厚さは６０ｎｍとした。

【００４７】＜保護コート＞ 下記の重合用組成物の塗膜をスピンコートによって形成
し、この塗膜に紫外線を照射して硬化した。硬化後の平
均厚さは約５μｍであった。

【００４８】重合用組成物 オリゴエステルアクリレート （分子量５，０００） ５０重量部 トリメチロールプロパントリアクリレート ５０重量部 アセトフェノン系光重合開始剤 ３重量部

【００４９】このようにして得られた各光磁気ディスク
サンプルに、線速度１．２８ｍ／ｓで表１に示す外部磁
界強度（Ｈｅｘ）にてＥＦＭの３Ｔ信号を記録し、ソニ
ーテクトロニクス製ＭＤ評価システムＭＪ−６１００を
使用してＣ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。

【００５０】また、再生の安定性を評価した。まず、各
サンプルに、線速度１．２８ｍ／ｓ、外部磁界強度１０
０ ０ｅにて３Ｔ信号を記録した。次に、７０℃の温度
下で２００ ０ｅの外部磁界が印加された状態で、線速
度１．２８ｍ／ｓにて１トラックだけ１×１０^６回再生
し、再生初期からのＣ／Ｎ低下量が２ｄＢ以下となる最
大再生パワーを求めた。結果を表１に示す。この最大再
生パワーが大きいほど再生時に誤消去されにくいことに
なり、データ保全性に優れていることになる。

【００５１】

【表１】

【００５２】以上の結果から、本発明の効果が明らかで
ある。前述したようにミニディスクでは１００ ０ｅ以
下、好ましくは８０ ０ｅ以下の低磁界下での記録で４
６ｄＢ以上のＣ／Ｎが望まれるが、所定の金属を所定厚
さに成膜した中間膜を有する本発明サンプルでは、８０
０ｅでいずれも４６．０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られて
おり、特に、中間膜の厚さを１０Å未満としたもので
は、極めて高いＣ／Ｎが得られている。

【００５３】そして、表１に示されるように、Ｃｏまた
はＮｉを所定厚さに成膜した中間膜をもつ本発明サンプ
ルは、Ａｌの中間膜をもつ比較サンプルに比べ、再生の
安定性が良好である。

【００５４】次に、中間膜付近の酸素含有率をオージェ
電子分光法により測定した。まず、各サンプルの保護コ
ートを除去した後、各サンプルをオージェ電子分光装置
の真空容器内に入れて２４時間排気を行なって容器内の
圧力を７．０×１０^−１０Ｔｏｒｒまで減じ、さらに排
気を続けながらオージェ電子分光法により厚さ方向に元
素分布の測定を行なった。オージェ電子分光法の条件
は、 電子銃の加速電圧：５ｋＶ、 電子銃の照射電流：５００ｎＡ、 イオン銃の加速電圧：２ｋＶ、 アルゴンイオンの入射角：５８．９度 とし、間欠エッチング（一回のエッチング時間４５秒
間）により厚さ方向にアルゴンイオンでエッチングしな
がら元素量を測定した。エッチングレートは、第二の誘
電体膜で１３．２Ａ／ｍｉｎ、記録膜で１２．２Ａ／ｍ
ｉｎであった。この結果、各サンプルの中間膜と記録膜
との界面付近には酸素のピークが認められたが、これら
のピークにおける酸素含有率は２１原子％以下であっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気ディスクの構成例を示す部分断
面図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク ２ 透明基板 ３ ハードコート ４ 第一の誘電体膜 ５ 記録膜 ６ 第二の誘電体膜 ７ 反射膜 ８ 保護コート ９ 中間膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 弘康 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−195751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−197966（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−252551（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−223422（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 11/10

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に、第一の誘電体膜、希土類
   元素−遷移元素合金の記録膜および第二の誘電体膜をこ
   の順で有し、記録膜と第二の誘電体膜との間に中間膜を
   有し、 第二の誘電体膜が少なくとも１種の金属元素および窒素
   を含有し、中間膜がＣｏまたはＮｉを成膜したものであ
   り、中間膜の厚さが１〜１８Åであり、中間膜が含む金
   属元素と第二の誘電体膜が含む金属元素とが異なる光磁
   気ディスク。
2. 【請求項２】 第二の誘電体膜が金属の窒化物である
   か、または金属の窒化物に加え、金属の酸化物、炭化物
   および硫化物の少なくとも１種を含む混合物である請求
   項１の光磁気ディスク。
3. 【請求項３】 第二の誘電体膜上に反射膜を有する請求
   項１または２の光磁気ディスク。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの光磁気ディス
   クを製造する方法であって、中間膜を希ガス雰囲気中で
   スパッタ法により形成することを特徴とする光磁気ディ
   スクの製造方法。