JP3538718B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高密度記録、再生が
可能な光磁気記録媒体、特に磁気超解像再生に用いられ
る光磁気記録媒体に関する。
可能な光磁気記録媒体、特に磁気超解像再生に用いられ
る光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクに代表される光磁気記録
媒体は、近年急速に発展するマルチメディアの中で増加
するデータを格納するメモリの中心的存在に位置づけら
れ、既に商品化されつつあるが、記録容量は１２８ＭＢ
又は２３０ＭＢ程度であってその大容量化が要望されて
いる。光磁気ディスクの高密度記録方法としては記録マ
ーク長を短くする方法が考えられるが、再生光のスポッ
ト領域の縮小に限界があるために、記録マークの大きさ
は再生光即ちレーザビームのスポット径によって決定さ
れていた。
媒体は、近年急速に発展するマルチメディアの中で増加
するデータを格納するメモリの中心的存在に位置づけら
れ、既に商品化されつつあるが、記録容量は１２８ＭＢ
又は２３０ＭＢ程度であってその大容量化が要望されて
いる。光磁気ディスクの高密度記録方法としては記録マ
ーク長を短くする方法が考えられるが、再生光のスポッ
ト領域の縮小に限界があるために、記録マークの大きさ
は再生光即ちレーザビームのスポット径によって決定さ
れていた。
【０００３】そこで、高密度記録化を達成するために、
磁気超解像媒体（Magnetically Induced Superresoluti
on媒体, 以下ＭＳＲ媒体という）が考案されている。こ
のＭＳＲ媒体を用いた記録再生方式では、温度によって
磁気特性が異なる複数の磁性膜を積層したディスクを用
いて、レーザビームのスポット内の高温領域又は低温領
域のみから記録マークを再生することにより、レーザビ
ームのスポット径で決まる大きさよりも小さな記録マー
クを読出すことができる。このような記録再生方式の１
タイプであるＦＡＤ (Front Aperture Detection) 方式
について、以下に説明する。
磁気超解像媒体（Magnetically Induced Superresoluti
on媒体, 以下ＭＳＲ媒体という）が考案されている。こ
のＭＳＲ媒体を用いた記録再生方式では、温度によって
磁気特性が異なる複数の磁性膜を積層したディスクを用
いて、レーザビームのスポット内の高温領域又は低温領
域のみから記録マークを再生することにより、レーザビ
ームのスポット径で決まる大きさよりも小さな記録マー
クを読出すことができる。このような記録再生方式の１
タイプであるＦＡＤ (Front Aperture Detection) 方式
について、以下に説明する。
【０００４】図８は従来のＭＳＲ媒体の膜構成を示す模
式的断面図であり、図９は、このＭＳＲ媒体の膜構成と
記録トラックにおける記録マーク及びレーザビームのス
ポットの位置関係とを示す図である。図８に示すよう
に、ＭＳＲ媒体の記録膜は基板１上に設けられており、
基板１側から、ＳｉＮ膜である誘電体層２、Ｇｄ25Ｆｅ
58Ｃｏ17膜である再生層３、Ｔｂ20Ｆｅ80膜である中間
層４、Ｔｂ20Ｆｅ65Ｃｏ 15膜である記録層５及びＳｉＮ
膜である保護層６を積層して構成されている。中間層４
は記録層５と再生層３との間の交換結合力を制御するた
めに設けられている。これら磁性層には通常、希土類−
遷移金属アモルファス合金膜が用いられる。
式的断面図であり、図９は、このＭＳＲ媒体の膜構成と
記録トラックにおける記録マーク及びレーザビームのス
ポットの位置関係とを示す図である。図８に示すよう
に、ＭＳＲ媒体の記録膜は基板１上に設けられており、
基板１側から、ＳｉＮ膜である誘電体層２、Ｇｄ25Ｆｅ
58Ｃｏ17膜である再生層３、Ｔｂ20Ｆｅ80膜である中間
層４、Ｔｂ20Ｆｅ65Ｃｏ 15膜である記録層５及びＳｉＮ
膜である保護層６を積層して構成されている。中間層４
は記録層５と再生層３との間の交換結合力を制御するた
めに設けられている。これら磁性層には通常、希土類−
遷移金属アモルファス合金膜が用いられる。
【０００５】図９では記録膜を記録層５、中間層４及び
再生層３のみに省略して示している。図９に示すよう
に、記録層５には磁化の向きでデータが記録され、照射
するレーザビームのスポット径より狭いピッチで記録ト
ラック７に記録マーク８，８，…が形成されている。記
録用のレーザビームのパワーを制御することにより、記
録層５のキュリー温度（Ｔｃ）以上になる領域をスポッ
ト径よりも小さくすることが可能であるため、この記録
マークは容易に形成することができる。
再生層３のみに省略して示している。図９に示すよう
に、記録層５には磁化の向きでデータが記録され、照射
するレーザビームのスポット径より狭いピッチで記録ト
ラック７に記録マーク８，８，…が形成されている。記
録用のレーザビームのパワーを制御することにより、記
録層５のキュリー温度（Ｔｃ）以上になる領域をスポッ
ト径よりも小さくすることが可能であるため、この記録
マークは容易に形成することができる。
【０００６】このようなＭＳＲ媒体から記録データを再
生する場合には、再生用のレーザビームを照射すると共
に再生層３に所定方向の再生磁界を印加する。このと
き、記録トラック７の室温領域（低温領域）では、中間
層４を介した交換結合力によって再生層３の磁化の向き
が記録層５と同方向になっている。ところが、再生用の
レーザビームの照射によって温度が上昇し、中間層４の
キュリー温度Ｔｃを超えた部分（高温領域）では磁化が
消滅して記録層５からの交換結合力が切れる。このため
に、その部分の再生層３は外部から印加する再生磁界の
向きに揃い、その結果、この高温領域は記録マーク８を
隠すマスク部Ｍとなり、低温領域の開口部Ｒから記録層
５のデータを読出す。このようにして、再生用のレーザ
ビームのスポット径よりも小さな領域から記録マークを
読出すことができる。
生する場合には、再生用のレーザビームを照射すると共
に再生層３に所定方向の再生磁界を印加する。このと
き、記録トラック７の室温領域（低温領域）では、中間
層４を介した交換結合力によって再生層３の磁化の向き
が記録層５と同方向になっている。ところが、再生用の
レーザビームの照射によって温度が上昇し、中間層４の
キュリー温度Ｔｃを超えた部分（高温領域）では磁化が
消滅して記録層５からの交換結合力が切れる。このため
に、その部分の再生層３は外部から印加する再生磁界の
向きに揃い、その結果、この高温領域は記録マーク８を
隠すマスク部Ｍとなり、低温領域の開口部Ｒから記録層
５のデータを読出す。このようにして、再生用のレーザ
ビームのスポット径よりも小さな領域から記録マークを
読出すことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上の如きＦＡＤ方式
のＭＳＲ媒体において、再生層３のマスク部Ｍと開口部
Ｒとの境界部分には磁化方向が明瞭には定まらない遷移
領域が存在する。図１０は図９のマスク部Ｍ及び開口部
Ｒの領域の拡大図である。再生時の高温領域にて中間層
４の磁化が消滅する。このとき、図に示すように中間層
４の磁化消滅領域と磁化残存領域との境界では磁化が完
全に消滅せず、磁壁を含み磁化方向が明瞭には定まらな
い遷移領域９１が形成される。この遷移領域９１が中間
層４の交換結合力により再生層３に遷移領域９２を形成
する。このように、再生層３のマスク部Ｍと開口部Ｒと
の境界に形成された遷移領域９２の存在が、再生信号の
ノイズの増大及びＣ／Ｎ低下をもたらす要因であるとい
う問題があった。
のＭＳＲ媒体において、再生層３のマスク部Ｍと開口部
Ｒとの境界部分には磁化方向が明瞭には定まらない遷移
領域が存在する。図１０は図９のマスク部Ｍ及び開口部
Ｒの領域の拡大図である。再生時の高温領域にて中間層
４の磁化が消滅する。このとき、図に示すように中間層
４の磁化消滅領域と磁化残存領域との境界では磁化が完
全に消滅せず、磁壁を含み磁化方向が明瞭には定まらな
い遷移領域９１が形成される。この遷移領域９１が中間
層４の交換結合力により再生層３に遷移領域９２を形成
する。このように、再生層３のマスク部Ｍと開口部Ｒと
の境界に形成された遷移領域９２の存在が、再生信号の
ノイズの増大及びＣ／Ｎ低下をもたらす要因であるとい
う問題があった。
【０００８】また、このような遷移領域９１，９２を生
ぜしめずに、再生層３のマスク部Ｍと開口部Ｒとの境界
の磁化を明瞭にするためには、中間層４の交換結合力を
利用して再生層３及び中間層４の磁化を一緒に反転させ
る方法が考えられる。図１１は従来のＭＳＲ媒体の中間
層の磁化を反転させた場合のマスク部Ｍ及び開口部Ｒの
拡大図である。マスク部Ｍにおける記録トラックの温度
が中間層４のキュリー温度Ｔｃより僅かに低い温度であ
るときに、中間層４と再生層３との間の交換結合力は弱
く、中間層４の磁化の向きは再生層３の磁化の向き、即
ち再生磁界の磁化の向きと同方向に揃う。これにより、
中間層４には磁化消滅領域が存在せず、上述したような
遷移領域は生じない。しかしながら、実際には中間層４
は記録層５とも交換結合しているので、記録層５に記録
されたマークが再生層３又は中間層４の磁化と同じ向き
に揃い、消去されてしまうという問題があった。
ぜしめずに、再生層３のマスク部Ｍと開口部Ｒとの境界
の磁化を明瞭にするためには、中間層４の交換結合力を
利用して再生層３及び中間層４の磁化を一緒に反転させ
る方法が考えられる。図１１は従来のＭＳＲ媒体の中間
層の磁化を反転させた場合のマスク部Ｍ及び開口部Ｒの
拡大図である。マスク部Ｍにおける記録トラックの温度
が中間層４のキュリー温度Ｔｃより僅かに低い温度であ
るときに、中間層４と再生層３との間の交換結合力は弱
く、中間層４の磁化の向きは再生層３の磁化の向き、即
ち再生磁界の磁化の向きと同方向に揃う。これにより、
中間層４には磁化消滅領域が存在せず、上述したような
遷移領域は生じない。しかしながら、実際には中間層４
は記録層５とも交換結合しているので、記録層５に記録
されたマークが再生層３又は中間層４の磁化と同じ向き
に揃い、消去されてしまうという問題があった。
【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、中間層を複数層構造にして夫々の中間層が有
するキュリー温度の大小関係を定めることにより、再生
層のマスク部と開口部との境界の磁化状態を明瞭にし、
再生信号のノイズを低減してＣ／Ｎ低下を抑制し、再生
信号の品質向上を実現できる光磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
のであり、中間層を複数層構造にして夫々の中間層が有
するキュリー温度の大小関係を定めることにより、再生
層のマスク部と開口部との境界の磁化状態を明瞭にし、
再生信号のノイズを低減してＣ／Ｎ低下を抑制し、再生
信号の品質向上を実現できる光磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気記
録媒体は、記録層と再生層と両層間に交換結合可能に介
在する中間層とを積層しており、再生光ビームの照射に
よってそのスポット内の所定温度以上になった部分で前
記中間層の磁化を消滅せしめ、再生磁界を印加して前記
記録層に記録された信号を再生する光磁気記録媒体にお
いて、前記中間層は複数層を有し、前記再生層に近い第
１の中間層は前記記録層に近い第２の中間層よりも高い
キュリー温度を有し、第１の中間層と第２の中間層との
キュリー温度の差は２０℃以下であり、前記再生層は第
１の中間層よりも高いキュリー温度を有して、前記第２
の中間層が有するキュリー温度近傍において、前記第１
の中間層と前記再生層との交換結合により、前記第１の
中間層の磁化の向きは前記再生層の磁化の方向である前
記再生磁界の方向に揃い、前記第１の中間層の保磁力は
前記再生層の保持力に揃う構成としてあることを特徴と
する。記録トラックの温度が第１の中間層のキュリー温
度と第２の中間層のキュリー温度との間にある領域で
は、第２の中間層の磁化が消滅して記録層との交換結合
力が働かず、第１の中間層と再生層とがマスク部を形成
する。このとき、磁化方向が明瞭には定まらないためノ
イズの原因となる遷移領域が、信号を読出す開口部付近
においては第２の中間層にだけ形成される。第２の中間
層と再生層との間に第１の中間層が介在しているため
に、第２の中間層に形成された遷移領域は信号再生に影
響しない。また、前記第１の中間層と前記第２の中間層
とのキュリー温度の差が２０℃以下であることから、第
２の中間層のキュリー温度付近で、第１の中間層が有す
る保磁力と再生層が有する保磁力とが同程度に揃うこと
になり、再生磁界の印加により第１の中間層と再生層と
は一緒に磁化反転を起こす。これにより高性能のマスク
部が形成され、再生信号の品質が向上する。
録媒体は、記録層と再生層と両層間に交換結合可能に介
在する中間層とを積層しており、再生光ビームの照射に
よってそのスポット内の所定温度以上になった部分で前
記中間層の磁化を消滅せしめ、再生磁界を印加して前記
記録層に記録された信号を再生する光磁気記録媒体にお
いて、前記中間層は複数層を有し、前記再生層に近い第
１の中間層は前記記録層に近い第２の中間層よりも高い
キュリー温度を有し、第１の中間層と第２の中間層との
キュリー温度の差は２０℃以下であり、前記再生層は第
１の中間層よりも高いキュリー温度を有して、前記第２
の中間層が有するキュリー温度近傍において、前記第１
の中間層と前記再生層との交換結合により、前記第１の
中間層の磁化の向きは前記再生層の磁化の方向である前
記再生磁界の方向に揃い、前記第１の中間層の保磁力は
前記再生層の保持力に揃う構成としてあることを特徴と
する。記録トラックの温度が第１の中間層のキュリー温
度と第２の中間層のキュリー温度との間にある領域で
は、第２の中間層の磁化が消滅して記録層との交換結合
力が働かず、第１の中間層と再生層とがマスク部を形成
する。このとき、磁化方向が明瞭には定まらないためノ
イズの原因となる遷移領域が、信号を読出す開口部付近
においては第２の中間層にだけ形成される。第２の中間
層と再生層との間に第１の中間層が介在しているため
に、第２の中間層に形成された遷移領域は信号再生に影
響しない。また、前記第１の中間層と前記第２の中間層
とのキュリー温度の差が２０℃以下であることから、第
２の中間層のキュリー温度付近で、第１の中間層が有す
る保磁力と再生層が有する保磁力とが同程度に揃うこと
になり、再生磁界の印加により第１の中間層と再生層と
は一緒に磁化反転を起こす。これにより高性能のマスク
部が形成され、再生信号の品質が向上する。
【００１１】第２発明に係る光磁気記録媒体は、第１発
明において、前記再生層のキュリー温度は３００℃以上
であることを特徴とする。これにより再生信号の品質を
向上したＦＡＤ方式のＭＳＲ媒体を提供できる。
明において、前記再生層のキュリー温度は３００℃以上
であることを特徴とする。これにより再生信号の品質を
向上したＦＡＤ方式のＭＳＲ媒体を提供できる。
【００１２】
【００１３】第３発明に係る光磁気記録媒体は、第１又
は第２発明において、前記記録層、複数の前記中間層及
び前記再生層は希土類−遷移金属アモルファス合金であ
り、前記再生層は前記第２の中間層が有するキュリー温
度以上で遷移金属磁化優勢となる組成を有することを特
徴とする。この場合には再生層の補償温度が第２の中間
層のキュリー温度よりも低く、第２の中間層のキュリー
温度以上で再生層が有する保磁力と第１の中間層が有す
る保磁力とが同程度になり、再生磁界の印加により両層
が一緒に反転し易くなる。これにより高性能のマスク部
が形成され、再生信号の品質が向上する。
は第２発明において、前記記録層、複数の前記中間層及
び前記再生層は希土類−遷移金属アモルファス合金であ
り、前記再生層は前記第２の中間層が有するキュリー温
度以上で遷移金属磁化優勢となる組成を有することを特
徴とする。この場合には再生層の補償温度が第２の中間
層のキュリー温度よりも低く、第２の中間層のキュリー
温度以上で再生層が有する保磁力と第１の中間層が有す
る保磁力とが同程度になり、再生磁界の印加により両層
が一緒に反転し易くなる。これにより高性能のマスク部
が形成され、再生信号の品質が向上する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施例を示す
図面に基づき具体的に説明する。 実施例１．図１は、本発明の実施例１のＭＳＲ媒体の膜
構成を示す模式的断面図である。ＭＳＲ媒体の記録膜は
案内溝付きのポリカーボネート製基板１上に設けられて
おり、基板１側から、ＳｉＮ膜である誘電体層２、Ｇｄ
25Ｆｅ60Ｃｏ15膜である再生層３、Ｔｂ20Ｆｅ78.5Ｃｏ
1.5 膜である第１の中間層４１、Ｔｂ20Ｆｅ80膜である
第２の中間層４２、Ｔｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15膜である記録層
５及びＳｉＮ膜である保護層６を積層して構成されてい
る。再生層３は膜厚30nm, キュリー温度ＴCRが 300℃よ
り高く、第１の中間層４１は膜厚7nm, キュリー温度Ｔ
C1が略 145℃であり、第２の中間層４２は膜厚7nm,キュ
リー温度ＴC2が略 130℃であり、記録層５は膜厚40nm,
キュリー温度ＴCWが略 250℃である。誘電体層２及び保
護層６は夫々膜厚90nmである。
図面に基づき具体的に説明する。 実施例１．図１は、本発明の実施例１のＭＳＲ媒体の膜
構成を示す模式的断面図である。ＭＳＲ媒体の記録膜は
案内溝付きのポリカーボネート製基板１上に設けられて
おり、基板１側から、ＳｉＮ膜である誘電体層２、Ｇｄ
25Ｆｅ60Ｃｏ15膜である再生層３、Ｔｂ20Ｆｅ78.5Ｃｏ
1.5 膜である第１の中間層４１、Ｔｂ20Ｆｅ80膜である
第２の中間層４２、Ｔｂ20Ｆｅ65Ｃｏ15膜である記録層
５及びＳｉＮ膜である保護層６を積層して構成されてい
る。再生層３は膜厚30nm, キュリー温度ＴCRが 300℃よ
り高く、第１の中間層４１は膜厚7nm, キュリー温度Ｔ
C1が略 145℃であり、第２の中間層４２は膜厚7nm,キュ
リー温度ＴC2が略 130℃であり、記録層５は膜厚40nm,
キュリー温度ＴCWが略 250℃である。誘電体層２及び保
護層６は夫々膜厚90nmである。
【００１５】このようなＭＳＲ媒体を以下の如く製造す
る。基板１をスパッタチャンバー内に装入し、膜形成以
前のチャンバー内の到達真空度を５×10-5Ｐａ以下に設
定した。膜形成Ａｒガス圧を 0.5Ｐａ、膜形成電力を
0.5ｋＷに設定してＤＣマグネトロンスパッタにより各
層を形成した。なお、誘電体層２及び保護層６について
は、Ｓｉターゲットを用いてＡｒ及びＮ2 の反応性スパ
ッタにより膜形成した。なお、これら各層の形成は、本
実施例ではＤＣマグネトロンスパッタを用いているが、
例えばＲＦスパッタ、マグネトロンスパッタ、対向スパ
ッタ等のような他のスパッタを用いても良いし、真空蒸
着又はイオンプレーティング等の成膜法を用いても良
い。また、基板１はポリカーボネート製の他に、ポリオ
レフィン樹脂製、ガラス製又はフォトポリマーガラス製
のものを用いても良い。
る。基板１をスパッタチャンバー内に装入し、膜形成以
前のチャンバー内の到達真空度を５×10-5Ｐａ以下に設
定した。膜形成Ａｒガス圧を 0.5Ｐａ、膜形成電力を
0.5ｋＷに設定してＤＣマグネトロンスパッタにより各
層を形成した。なお、誘電体層２及び保護層６について
は、Ｓｉターゲットを用いてＡｒ及びＮ2 の反応性スパ
ッタにより膜形成した。なお、これら各層の形成は、本
実施例ではＤＣマグネトロンスパッタを用いているが、
例えばＲＦスパッタ、マグネトロンスパッタ、対向スパ
ッタ等のような他のスパッタを用いても良いし、真空蒸
着又はイオンプレーティング等の成膜法を用いても良
い。また、基板１はポリカーボネート製の他に、ポリオ
レフィン樹脂製、ガラス製又はフォトポリマーガラス製
のものを用いても良い。
【００１６】以上の如き本実施例のＭＳＲ媒体へのデー
タの記録，再生方法について以下に説明する。図２は、
図１に示すＭＳＲ媒体の膜構成と記録トラックにおける
記録マーク及びレーザビームのスポットの位置関係とを
示す図である。図２では記録膜を記録層５、中間層４及
び再生層３のみに省略して示している。図に示すよう
に、記録層５には磁化の向きでデータが記録され、照射
するレーザビームのスポット径より狭いピッチで記録ト
ラック７に記録マーク８，８，…が形成されている。記
録用のレーザビームのパワーを制御することにより、記
録層５のキュリー温度ＴCW以上になる領域をスポット径
よりも小さくすることが可能であるため、このような狭
いピッチの記録マークを容易に形成することができる。
タの記録，再生方法について以下に説明する。図２は、
図１に示すＭＳＲ媒体の膜構成と記録トラックにおける
記録マーク及びレーザビームのスポットの位置関係とを
示す図である。図２では記録膜を記録層５、中間層４及
び再生層３のみに省略して示している。図に示すよう
に、記録層５には磁化の向きでデータが記録され、照射
するレーザビームのスポット径より狭いピッチで記録ト
ラック７に記録マーク８，８，…が形成されている。記
録用のレーザビームのパワーを制御することにより、記
録層５のキュリー温度ＴCW以上になる領域をスポット径
よりも小さくすることが可能であるため、このような狭
いピッチの記録マークを容易に形成することができる。
【００１７】このＭＳＲ媒体から記録データを再生する
場合には、再生用のレーザビームを照射すると共に再生
層３に所定方向の外部磁界（以下再生磁界という）を印
加する。このとき、記録トラック７の低温領域、即ち開
口部Ｒでは第１及び第２の中間層４１，４２を介した交
換結合力によって再生層３の磁化の向きが記録層５と同
方向になっている。
場合には、再生用のレーザビームを照射すると共に再生
層３に所定方向の外部磁界（以下再生磁界という）を印
加する。このとき、記録トラック７の低温領域、即ち開
口部Ｒでは第１及び第２の中間層４１，４２を介した交
換結合力によって再生層３の磁化の向きが記録層５と同
方向になっている。
【００１８】そして、再生用のレーザビームの照射によ
って温度が上昇し、第２中間層４２のキュリー温度ＴC2
と第１中間層４１のキュリー温度ＴC1との間の温度を有
する部分、即ち第１マスク部Ｍ1 では、ＴC1＞ＴC2のた
めに第２中間層４２の磁化が消滅して第１中間層４１の
磁化が残る。再生層３は再生磁界と同方向に磁化され
る。このとき、第１中間層４１は、再生層３との交換結
合力を有しているために再生層３と同方向に磁化され、
第２中間層４２は磁化が消滅して記録層５との交換結合
力が切れる。そして、遷移領域９３が第２中間層４２の
開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界に形成される。
って温度が上昇し、第２中間層４２のキュリー温度ＴC2
と第１中間層４１のキュリー温度ＴC1との間の温度を有
する部分、即ち第１マスク部Ｍ1 では、ＴC1＞ＴC2のた
めに第２中間層４２の磁化が消滅して第１中間層４１の
磁化が残る。再生層３は再生磁界と同方向に磁化され
る。このとき、第１中間層４１は、再生層３との交換結
合力を有しているために再生層３と同方向に磁化され、
第２中間層４２は磁化が消滅して記録層５との交換結合
力が切れる。そして、遷移領域９３が第２中間層４２の
開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界に形成される。
【００１９】記録トラック７の温度がさらに上昇し、第
１中間層４１のキュリー温度ＴC1を超えた部分、即ち第
２マスク部Ｍ2 では、第１中間層４１及び第２中間層４
２の磁化が消滅して、再生層３と第１中間層４１との交
換結合力交換結合力が切れる。そして、遷移領域９４が
第１中間層４１の第１マスク部Ｍ1 と第２マスク部Ｍ 2
との境界に形成される。第１マスク部Ｍ1 及び第２マス
ク部Ｍ2 の領域では記録マーク８がマスクされ、低温領
域の開口部Ｒから記録層５のデータが読出される。
１中間層４１のキュリー温度ＴC1を超えた部分、即ち第
２マスク部Ｍ2 では、第１中間層４１及び第２中間層４
２の磁化が消滅して、再生層３と第１中間層４１との交
換結合力交換結合力が切れる。そして、遷移領域９４が
第１中間層４１の第１マスク部Ｍ1 と第２マスク部Ｍ 2
との境界に形成される。第１マスク部Ｍ1 及び第２マス
ク部Ｍ2 の領域では記録マーク８がマスクされ、低温領
域の開口部Ｒから記録層５のデータが読出される。
【００２０】このようなＭＳＲ媒体の磁性層の磁化状態
は、図３に示すグラフからも説明される。図３は、実施
例１のＭＳＲ媒体が備える各磁性層が有する保磁力の温
度特性を示すグラフである。横軸は温度Ｔ（℃）を示
し、縦軸は各磁性層の保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）を示してい
る。グラフ中、‘○−○’は記録層５、‘△−△’は第
１中間層４１、‘□−□’は第２中間層、‘×−×’は
再生層３のＨｃ+ （再生層の保磁力Ｈｃ＋再生層のルー
プシフトＨｓ）、‘××−××’は再生層３のＨｃ
- （Ｈｃ−Ｈｓ）夫々の保磁力を表している。グラフか
ら判るように、第２中間層４２のキュリー温度ＴC2であ
る 130℃を超えた辺りでは、再生層３及び第１中間層４
１の保磁力は何れも２５０Ｏｅ程度を有し、これは再生
磁界（３００Ｏｅ）よりも小さい。これにより、第２中
間層４２のキュリー温度ＴC2を超えた辺りで、第１中間
層４１は再生層３と一緒にその磁化を再生磁界方向に揃
わせることが判る。また、第１中間層４１のキュリー温
度ＴC1である 145℃を超えた辺りでは、第１中間層４１
の保磁力が消滅していることが判る。
は、図３に示すグラフからも説明される。図３は、実施
例１のＭＳＲ媒体が備える各磁性層が有する保磁力の温
度特性を示すグラフである。横軸は温度Ｔ（℃）を示
し、縦軸は各磁性層の保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）を示してい
る。グラフ中、‘○−○’は記録層５、‘△−△’は第
１中間層４１、‘□−□’は第２中間層、‘×−×’は
再生層３のＨｃ+ （再生層の保磁力Ｈｃ＋再生層のルー
プシフトＨｓ）、‘××−××’は再生層３のＨｃ
- （Ｈｃ−Ｈｓ）夫々の保磁力を表している。グラフか
ら判るように、第２中間層４２のキュリー温度ＴC2であ
る 130℃を超えた辺りでは、再生層３及び第１中間層４
１の保磁力は何れも２５０Ｏｅ程度を有し、これは再生
磁界（３００Ｏｅ）よりも小さい。これにより、第２中
間層４２のキュリー温度ＴC2を超えた辺りで、第１中間
層４１は再生層３と一緒にその磁化を再生磁界方向に揃
わせることが判る。また、第１中間層４１のキュリー温
度ＴC1である 145℃を超えた辺りでは、第１中間層４１
の保磁力が消滅していることが判る。
【００２１】本実施例の如きＭＳＲ媒体にあっては、図
２に示すように、開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界
に形成される遷移領域９３が第２中間層４２に形成され
ているので、遷移領域９３が再生信号に影響することは
ない。また、第１中間層４１に形成された遷移領域９４
は、開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界に形成された
ものではないので、同様に再生信号に影響することはな
い。
２に示すように、開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界
に形成される遷移領域９３が第２中間層４２に形成され
ているので、遷移領域９３が再生信号に影響することは
ない。また、第１中間層４１に形成された遷移領域９４
は、開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界に形成された
ものではないので、同様に再生信号に影響することはな
い。
【００２２】図４及び図５は、上述した実施例１のＭＳ
Ｒ媒体の信号品質の再生パワー特性の測定結果を示した
グラフであり、従来例と共に示している。図４では縦軸
はＣ／Ｎを示し、横軸は再生パワーを示している。図５
では、縦軸はキャリア及びノイズ夫々のレベルを示し、
横軸は再生パワーを示している。記録パワーが１０ｍ
Ｗ，記録磁界が３００Ｏｅの記録条件で 0.4μｍのマー
ク長にて信号を記録し、再生時には再生磁界を消去方向
に３００Ｏｅだけ印加し、１〜４ｍＷの範囲の再生パワ
ーでレーザビームを照射してキャリアＣ，ノイズＮを測
定した。記録時及び再生時のＭＳＲ媒体の周速は１０m/
s である。グラフ中、‘○−○’は実施例１を示し、
‘△−△’は従来例を示している。なお、ここで従来例
とは再生層と記録層との間に第２の中間層Ｔｂ20Ｆｅ80
のみを介在させ、他は実施例１と同様の膜構成を有する
ＭＳＲ媒体である。
Ｒ媒体の信号品質の再生パワー特性の測定結果を示した
グラフであり、従来例と共に示している。図４では縦軸
はＣ／Ｎを示し、横軸は再生パワーを示している。図５
では、縦軸はキャリア及びノイズ夫々のレベルを示し、
横軸は再生パワーを示している。記録パワーが１０ｍ
Ｗ，記録磁界が３００Ｏｅの記録条件で 0.4μｍのマー
ク長にて信号を記録し、再生時には再生磁界を消去方向
に３００Ｏｅだけ印加し、１〜４ｍＷの範囲の再生パワ
ーでレーザビームを照射してキャリアＣ，ノイズＮを測
定した。記録時及び再生時のＭＳＲ媒体の周速は１０m/
s である。グラフ中、‘○−○’は実施例１を示し、
‘△−△’は従来例を示している。なお、ここで従来例
とは再生層と記録層との間に第２の中間層Ｔｂ20Ｆｅ80
のみを介在させ、他は実施例１と同様の膜構成を有する
ＭＳＲ媒体である。
【００２３】グラフから明らかなように、マスク部が形
成される再生パワーＰrmは略2.0 ｍＷであり、実施例１
も従来例も同じであるが、実施例１の方が従来例よりも
再生ノイズが小さい。Ｃ／Ｎ最大値は実施例１では４８
ｄＢであり、従来例のＣ／Ｎ最大値４５ｄＢよりも大き
いことが判る。このように、実施例１のＭＳＲ媒体は、
再生層３の開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界の磁化
状態が明瞭であるので、ノイズを低減せしめて、再生用
のレーザビームのスポット径よりも小さな領域から記録
マークを読出せることが判る。
成される再生パワーＰrmは略2.0 ｍＷであり、実施例１
も従来例も同じであるが、実施例１の方が従来例よりも
再生ノイズが小さい。Ｃ／Ｎ最大値は実施例１では４８
ｄＢであり、従来例のＣ／Ｎ最大値４５ｄＢよりも大き
いことが判る。このように、実施例１のＭＳＲ媒体は、
再生層３の開口部Ｒと第１マスク部Ｍ1 との境界の磁化
状態が明瞭であるので、ノイズを低減せしめて、再生用
のレーザビームのスポット径よりも小さな領域から記録
マークを読出せることが判る。
【００２４】実施例２．次に、本発明に係る実施例２の
ＭＳＲ媒体について説明する。実施例２のＭＳＲ媒体は
第１中間層にキュリー温度が異なる３種類のＴｂＦｅＣ
ｏ膜を用い、夫々の記録膜をＤＣマグネトロンスパッタ
により形成する。３種類のＴｂＦｅＣｏ膜は、キュリー
温度ＴC1が第２の中間層のキュリー温度ＴC2と比較して
ＴC1＞Ｔ C2となるような組成のものを用いる。その他の
膜構成及び膜形成工程は実施例１（図１参照）と同様で
あり、その説明を省略する。第１中間層であるＴｂＦｅ
Ｃｏ膜の組成、膜厚及びキュリー温度を表１に示す。
ＭＳＲ媒体について説明する。実施例２のＭＳＲ媒体は
第１中間層にキュリー温度が異なる３種類のＴｂＦｅＣ
ｏ膜を用い、夫々の記録膜をＤＣマグネトロンスパッタ
により形成する。３種類のＴｂＦｅＣｏ膜は、キュリー
温度ＴC1が第２の中間層のキュリー温度ＴC2と比較して
ＴC1＞Ｔ C2となるような組成のものを用いる。その他の
膜構成及び膜形成工程は実施例１（図１参照）と同様で
あり、その説明を省略する。第１中間層であるＴｂＦｅ
Ｃｏ膜の組成、膜厚及びキュリー温度を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】また、これらの第１中間層を形成したＭＳ
Ｒ媒体について信号品質とマスク部が形成される再生パ
ワーＰrmとを測定した。いずれのＭＳＲ媒体も記録パワ
ーが１０ｍＷ，記録磁界が３００Ｏｅの記録条件で 0.4
μｍのマーク長にて信号を記録し、再生時には再生磁界
を消去方向に３００Ｏｅだけ印加してＣ，Ｎを測定し
た。記録時及び再生時のＭＳＲ媒体の周速は１０ｍ／ｓ
である。結果を表２に示す。
Ｒ媒体について信号品質とマスク部が形成される再生パ
ワーＰrmとを測定した。いずれのＭＳＲ媒体も記録パワ
ーが１０ｍＷ，記録磁界が３００Ｏｅの記録条件で 0.4
μｍのマーク長にて信号を記録し、再生時には再生磁界
を消去方向に３００Ｏｅだけ印加してＣ，Ｎを測定し
た。記録時及び再生時のＭＳＲ媒体の周速は１０ｍ／ｓ
である。結果を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表１及び表２から判るように、第１中間層
と第２中間層とのキュリー温度の差が２０℃の場合は、
即ち第１中間層にＴｂ20Ｆｅ77.5Ｃｏ2.5 膜を用いた場
合は、キュリー温度の差が１０℃，３０℃の場合と比較
してＣ／Ｎが大きい。また、第１中間層と第２中間層と
のキュリー温度の差が３０℃の場合は、即ち第１中間層
がＴｂ20Ｆｅ76Ｃｏ4 膜である場合は、キュリー温度の
差が１０℃，２０℃の場合と比較してマスク部が形成さ
れる再生パワーＰrmが大きく、Ｃ／Ｎが低い。このこと
を、図６に示すＴｂ20Ｆｅ76Ｃｏ4 膜の保磁力の温度特
性に基づいて説明する。第２中間層のキュリー温度ＴC2
（130 ℃) 付近で第１の中間層の保磁力が１ｋＯｅ以上
を有するために、交換結合力により再生層の保磁力が大
きくなり、３００Ｏｅ程度の再生磁界では再生層の磁化
が反転しない。その結果マスク部を形成するためには、
他のＴｂＦｅＣｏ膜より高温度が必要となり、Ｃ／Ｎが
低くなる。グラフ中、縦軸は保磁力を示し、横軸は温度
を示している。‘○−○’は記録層、‘△−△’は第１
の中間層、‘□−□’は第２の中間層、‘×−×’は再
生層Ｈｃ+ 夫々の保磁力を示している。
と第２中間層とのキュリー温度の差が２０℃の場合は、
即ち第１中間層にＴｂ20Ｆｅ77.5Ｃｏ2.5 膜を用いた場
合は、キュリー温度の差が１０℃，３０℃の場合と比較
してＣ／Ｎが大きい。また、第１中間層と第２中間層と
のキュリー温度の差が３０℃の場合は、即ち第１中間層
がＴｂ20Ｆｅ76Ｃｏ4 膜である場合は、キュリー温度の
差が１０℃，２０℃の場合と比較してマスク部が形成さ
れる再生パワーＰrmが大きく、Ｃ／Ｎが低い。このこと
を、図６に示すＴｂ20Ｆｅ76Ｃｏ4 膜の保磁力の温度特
性に基づいて説明する。第２中間層のキュリー温度ＴC2
（130 ℃) 付近で第１の中間層の保磁力が１ｋＯｅ以上
を有するために、交換結合力により再生層の保磁力が大
きくなり、３００Ｏｅ程度の再生磁界では再生層の磁化
が反転しない。その結果マスク部を形成するためには、
他のＴｂＦｅＣｏ膜より高温度が必要となり、Ｃ／Ｎが
低くなる。グラフ中、縦軸は保磁力を示し、横軸は温度
を示している。‘○−○’は記録層、‘△−△’は第１
の中間層、‘□−□’は第２の中間層、‘×−×’は再
生層Ｈｃ+ 夫々の保磁力を示している。
【００２９】このように実施例２のＭＳＲ媒体にあって
は、第１中間層及び第２中間層がＴ C1＞ＴC2の組成であ
ることから、実施例１と同様に、再生層に遷移領域を形
成しないことから遷移領域に起因するノイズの増大を生
ぜしめることなく、再生用のレーザビームのスポット径
よりも小さな領域から記録マークを読出せる。また、第
１中間層と第２中間層とのキュリー温度の差が少しでも
有意差を有する温度以上であり、２０℃以下である場合
にさらに高い信号品質で記録信号を再生することができ
る。
は、第１中間層及び第２中間層がＴ C1＞ＴC2の組成であ
ることから、実施例１と同様に、再生層に遷移領域を形
成しないことから遷移領域に起因するノイズの増大を生
ぜしめることなく、再生用のレーザビームのスポット径
よりも小さな領域から記録マークを読出せる。また、第
１中間層と第２中間層とのキュリー温度の差が少しでも
有意差を有する温度以上であり、２０℃以下である場合
にさらに高い信号品質で記録信号を再生することができ
る。
【００３０】実施例３．次に、本発明に係る実施例３の
ＭＳＲ媒体について説明する。実施例３のＭＳＲ媒体は
再生層に補償温度が異なる３種類のＧｄＦｅＣｏ膜を用
い、夫々の記録膜をＤＣマグネトロンスパッタにより形
成する。その他の膜構成及び膜形成工程は実施例１（図
１参照）と同様であり、その説明を省略する。再生層で
あるＧｄＦｅＣｏ膜の組成、膜厚及び補償温度を表３に
示す。なお、３種類の再生層のキュリー温度は何れも 4
00℃程度である。
ＭＳＲ媒体について説明する。実施例３のＭＳＲ媒体は
再生層に補償温度が異なる３種類のＧｄＦｅＣｏ膜を用
い、夫々の記録膜をＤＣマグネトロンスパッタにより形
成する。その他の膜構成及び膜形成工程は実施例１（図
１参照）と同様であり、その説明を省略する。再生層で
あるＧｄＦｅＣｏ膜の組成、膜厚及び補償温度を表３に
示す。なお、３種類の再生層のキュリー温度は何れも 4
00℃程度である。
【００３１】
【表３】
【００３２】また、これらの再生層を形成したＭＳＲ媒
体について信号品質とマスク部が形成される再生パワー
Ｐrmとを測定した。いずれのＭＳＲ媒体も記録パワーが
１０ｍＷ，記録磁界が３００Ｏｅの記録条件で 0.4μｍ
のマーク長にて信号を記録し、再生時には再生磁界を消
去方向に３００Ｏｅだけ印加してＣ，Ｎを測定した。記
録時及び再生時のＭＳＲ媒体の周速は１０ｍ／ｓであ
る。結果を表４に示す。
体について信号品質とマスク部が形成される再生パワー
Ｐrmとを測定した。いずれのＭＳＲ媒体も記録パワーが
１０ｍＷ，記録磁界が３００Ｏｅの記録条件で 0.4μｍ
のマーク長にて信号を記録し、再生時には再生磁界を消
去方向に３００Ｏｅだけ印加してＣ，Ｎを測定した。記
録時及び再生時のＭＳＲ媒体の周速は１０ｍ／ｓであ
る。結果を表４に示す。
【００３３】
【表４】
【００３４】表３及び表４から判るように、再生層にＧ
ｄ29Ｆｅ56Ｃｏ15膜を用いたＭＳＲ媒体はＧｄ25Ｆｅ60
Ｃｏ15又はＧｄ27Ｆｅ58Ｃｏ15を用いた場合と比較して
Ｃ／Ｎが低い。Ｇｄ29Ｆｅ56Ｃｏ15膜の再生層は、補償
温度が第２の中間層のキュリー温度ＴC2よりも高いため
に、キュリー温度ＴC2以上の温度で希土類金属磁化優勢
（以下ＲＥリッチという）である。対して第１の中間層
は遷移金属磁化優勢（以下ＴＭリッチという）である。
これにより第１の中間層は、再生磁界が印加された際に
再生層の磁化方向と同方向に揃えることが困難になり、
これが原因でＣ／Ｎが低くなることが考えられる。
ｄ29Ｆｅ56Ｃｏ15膜を用いたＭＳＲ媒体はＧｄ25Ｆｅ60
Ｃｏ15又はＧｄ27Ｆｅ58Ｃｏ15を用いた場合と比較して
Ｃ／Ｎが低い。Ｇｄ29Ｆｅ56Ｃｏ15膜の再生層は、補償
温度が第２の中間層のキュリー温度ＴC2よりも高いため
に、キュリー温度ＴC2以上の温度で希土類金属磁化優勢
（以下ＲＥリッチという）である。対して第１の中間層
は遷移金属磁化優勢（以下ＴＭリッチという）である。
これにより第１の中間層は、再生磁界が印加された際に
再生層の磁化方向と同方向に揃えることが困難になり、
これが原因でＣ／Ｎが低くなることが考えられる。
【００３５】これは、図７に示すＧｄ29Ｆｅ56Ｃｏ15膜
の保磁力の温度特性からもうかがえる。グラフから、第
１と第２との中間層のキュリー温度の間で、再生層のＨ
ｃ+（Ｈｃ＋Ｈｓ）と第１の中間層とは保磁力の値を大
きく異ならせており、再生層と第１の中間層とが再生磁
界印加時に同様のふるまいを示し難いことが判る。グラ
フ中、縦軸は保磁力を示し、横軸は温度を示している。
‘○−○’は記録層、‘△−△’は第１の中間層、‘□
−□’は第２の中間層、‘×−×’は再生層Ｈｃ+ 、
‘××−××’は再生層Ｈｃ- 夫々の保磁力を示してい
る。
の保磁力の温度特性からもうかがえる。グラフから、第
１と第２との中間層のキュリー温度の間で、再生層のＨ
ｃ+（Ｈｃ＋Ｈｓ）と第１の中間層とは保磁力の値を大
きく異ならせており、再生層と第１の中間層とが再生磁
界印加時に同様のふるまいを示し難いことが判る。グラ
フ中、縦軸は保磁力を示し、横軸は温度を示している。
‘○−○’は記録層、‘△−△’は第１の中間層、‘□
−□’は第２の中間層、‘×−×’は再生層Ｈｃ+ 、
‘××−××’は再生層Ｈｃ- 夫々の保磁力を示してい
る。
【００３６】このように実施例３のＭＳＲ媒体にあって
は、第１中間層及び第２中間層がＴ C1＞ＴC2の組成であ
ることから、実施例１と同様に、再生層に遷移領域を形
成しないことから遷移領域に起因するノイズの増大を生
ぜしめることなく、再生用のレーザビームのスポット径
よりも小さな領域から記録マークを読出せる。また、第
２の中間層のキュリー温度以上で、再生層が第１の中間
層と同じＴＭリッチである方が、再生磁界印加時に両層
一緒の磁化反転が行い易くなり、さらに高い信号品質で
記録信号を再生することができる。
は、第１中間層及び第２中間層がＴ C1＞ＴC2の組成であ
ることから、実施例１と同様に、再生層に遷移領域を形
成しないことから遷移領域に起因するノイズの増大を生
ぜしめることなく、再生用のレーザビームのスポット径
よりも小さな領域から記録マークを読出せる。また、第
２の中間層のキュリー温度以上で、再生層が第１の中間
層と同じＴＭリッチである方が、再生磁界印加時に両層
一緒の磁化反転が行い易くなり、さらに高い信号品質で
記録信号を再生することができる。
【００３７】なお、上述した実施例では中間層を２層で
構成した場合を説明しているが、これに限るものではな
く、３層以上の複数層であっても良い。このとき、前記
第１中間層は前記第２中間層よりも記録層に近く、前記
第２中間層は前記第１中間層よりも再生層に近くなるよ
うに形成される。
構成した場合を説明しているが、これに限るものではな
く、３層以上の複数層であっても良い。このとき、前記
第１中間層は前記第２中間層よりも記録層に近く、前記
第２中間層は前記第１中間層よりも再生層に近くなるよ
うに形成される。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、記録
層と再生層との交換結合を制御する中間層を複数層に形
成し、再生層に近い第１中間層のキュリー温度を、記録
層に近い第２の中間層のキュリー温度よりも高くするこ
とによって、ＦＡＤ方式の磁気超解像再生における開口
部とマスク部との境界の磁化状態がより明瞭になり、こ
れによりノイズが低減され、再生信号の品質を向上する
ことができる。また、信号再生領域との境界となる高温
部分の温度、即ち第２の中間層のキュリー温度におい
て、再生層と第１の中間層との交換結合力をより強める
ことにより、本発明の効果をさらに顕著にする等、本発
明は優れた効果を奏するものである。
層と再生層との交換結合を制御する中間層を複数層に形
成し、再生層に近い第１中間層のキュリー温度を、記録
層に近い第２の中間層のキュリー温度よりも高くするこ
とによって、ＦＡＤ方式の磁気超解像再生における開口
部とマスク部との境界の磁化状態がより明瞭になり、こ
れによりノイズが低減され、再生信号の品質を向上する
ことができる。また、信号再生領域との境界となる高温
部分の温度、即ち第２の中間層のキュリー温度におい
て、再生層と第１の中間層との交換結合力をより強める
ことにより、本発明の効果をさらに顕著にする等、本発
明は優れた効果を奏するものである。
【図１】実施例１のＭＳＲ媒体の膜構成を示す模式的断
面図である。
面図である。
【図２】実施例１のＭＳＲ媒体の膜構成と記録トラック
における記録マーク及びレーザビームのスポットの位置
関係とを示す図である。
における記録マーク及びレーザビームのスポットの位置
関係とを示す図である。
【図３】実施例１の各磁性層が有する保磁力の温度特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】実施例１及び従来例のＣ／Ｎの再生パワー特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】実施例１及び従来例のＣ，Ｎの再生パワー特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】実施例２の第１中間層Tb20Fe76Co4 が有する保
磁力の温度特性を示すグラフである。
磁力の温度特性を示すグラフである。
【図７】実施例３の再生層Gd29Fe56Co15が有する保磁力
の温度特性を示すグラフである。
の温度特性を示すグラフである。
【図８】従来のＭＳＲ媒体の膜構成を示す模式的断面図
である。
である。
【図９】従来のＭＳＲ媒体の膜構成と記録トラックにお
ける記録マーク及びレーザビームのスポットの位置関係
とを示す図である。
ける記録マーク及びレーザビームのスポットの位置関係
とを示す図である。
【図１０】図９に示したＭＳＲ媒体のマスク部及び開口
部の拡大図である。
部の拡大図である。
【図１１】他の従来例のマスク部及び開口部の拡大図で
ある。
ある。
１ 基板
２ 誘電体層
３ 再生層
４１ 第１の中間層
４２ 第２の中間層
５ 記録層
６ 保護層
７ 記録トラック
８ 記録マーク
９３，９４ 遷移領域
Claims (3)
- 【請求項１】 記録層と再生層と両層間に交換結合可能
に介在する中間層とを積層しており、再生光ビームの照
射によってそのスポット内の所定温度以上になった部分
で前記中間層の磁化を消滅せしめ、再生磁界を印加して
前記記録層に記録された信号を再生する光磁気記録媒体
において、 前記中間層は複数層を有し、前記再生層に近い第１の中
間層は前記記録層に近い第２の中間層よりも高いキュリ
ー温度を有し、第１の中間層と第２の中間層とのキュリ
ー温度の差は２０℃以下であり、前記再生層は第１の中
間層よりも高いキュリー温度を有して、前記第２の中間
層が有するキュリー温度近傍において、前記第１の中間
層と前記再生層との交換結合により、前記第１の中間層
の磁化の向きは前記再生層の磁化の方向である前記再生
磁界の方向に揃い、前記第１の中間層の保磁力は前記再
生層の保持力に揃う構成としてあることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記再生層のキュリー温度は３００℃以
上である請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記記録層、複数の前記中間層及び前記
再生層は希土類−遷移金属アモルファス合金であり、前
記再生層は前記第２の中間層が有するキュリー温度以上
で遷移金属磁化優勢となる組成を有する請求項１又は２
記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22682895A JP3538718B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22682895A JP3538718B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973674A JPH0973674A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3538718B2 true JP3538718B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=16851222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22682895A Expired - Fee Related JP3538718B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3538718B2 (ja) |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP22682895A patent/JP3538718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0973674A (ja) | 1997-03-18 |
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