JPH08124229A

JPH08124229A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH08124229A
Application number: JP25386894A
Authority: JP
Inventors: Junichiro Nakayama; 純一郎中山; Michinobu Saegusa; 理伸三枝; Akira Takahashi; 明高橋
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-10-19
Filing date: 1994-10-19
Publication date: 1996-05-17

Abstract

(57)【要約】【構成】室温で面内磁化、所定温度以上で垂直磁化と
なる特性を備えた読み出し層３と、室温からキュリー点
まで垂直磁化となる特性を備えた記録層４との間に、数
原子層からなる中間層７が形成されている光磁気ディス
クである。さらに、中間層７は、希土類金属もしくは遷
移金属からなる。【効果】情報の記録時に、読み出し層３から記録層４
への磁気的影響力が減少して、記録磁界が低減される。
さらに、中間層７は、希土類金属もしくは遷移金属から
なるので、情報の記録時に磁界が低減されることに加
え、情報の再生時には記録層４から読み出し層３への磁
化の転写が円滑に行なわれて、再生特性が劣化すること
がない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディス
ク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光磁気記録媒体を含め、光メモリ
素子における記録密度を向上させる技術の開発が進めら
れている。

【０００３】一般に、光磁気記録媒体の記録密度は、記
録、再生に使用される光ビームの径の記録媒体上におけ
る大きさに依存する。つまり、記録ビットの径および記
録ビットの間隔が、光ビームの径の大きさに比べて小さ
くなると、光ビームの径内に複数の記録ビットが入るた
め、各記録ビットを分離して再生することができなくな
る。記録密度を向上させるために光ビームの径の大きさ
を小さくするには、レーザ光の波長を短くすることが有
効であるが、現在市販されている半導体レーザは６８０
ｎｍのものが最短であり、より短波長を有する半導体レ
ーザは、いまだ開発途上にある。そこで、現行の半導体
レーザを用いて、光ビームの径の大きさよりも小さい記
録ビットを再生する方法が研究されてきた。

【０００４】例えば、特開平５−８１７１７号において
は、基本的には、室温で面内磁化、所定温度以上で垂直
磁化となる特性を示す第１磁性層と、室温からキュリー
点まで垂直磁化となる特性を示す第２磁性層とから構成
されている光磁気記録媒体が記載されている。

【０００５】上記の光磁気記録媒体では、再生時に、第
１磁性層に光ビームが照射されると、照射された部位の
温度分布はガウス分布になるので、光ビームの径より小
さい領域のみの温度が上昇する。この温度上昇に伴っ
て、温度上昇部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移
行する。つまり、第１磁性層と第２磁性層の２層間の交
換結合力により、第２磁性層の磁化の向きが第１磁性層
に転写される。温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に
移行すると、温度上昇部位のみが磁気光学効果を示すよ
うになり、温度上昇部位からの反射光に基づいて第２磁
性層に記録された情報が再生される。

【０００６】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温
度の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、第２
磁性層に記録された磁化は第１磁性層の面内磁化にマス
クされて再生されなくなる。これにより、雑音の原因で
ある隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。

【０００７】以上のように、所定温度以上の温度を有す
る領域のみを再生に関与させるので、光ビームの径より
小さい記録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上
することになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、光ビームの径より小さい記録ビットの再
生が行え、記録密度は著しく向上することになるもの
の、記録磁界が大きくなるという問題点を有している。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の請求項１に記載の光磁気記録媒体は、少
なくとも、第１磁性層、第２磁性層が順次形成されてお
り、第１磁性層は、室温で面内磁化、所定温度以上で垂
直磁化となる特性を示し、第２磁性層は、室温からキュ
リー点まで垂直磁化となる特性を示す光磁気記録媒体に
おいて、上記第１磁性層と第２磁性層との間に、数原子
層からなる中間層が形成されていることを特徴としてい
る。

【００１０】また、本発明の請求項２に記載の光磁気記
録媒体は、請求項１に記載の光磁気記録媒体において、
上記中間層は希土類金属もしくは遷移金属からなること
を特徴としている。

【００１１】

【作用】請求項１の構成によれば、第１磁性層と第２磁
性層との間に、数原子層からなる中間層が形成されてい
るので、情報の記録時には第１磁性層からの磁気的影響
を受けにくく、磁界が低減される。

【００１２】請求項２の構成によれば、中間層は、希土
類金属もしくは遷移金属からなるので、情報の記録時に
磁界が低減されることに加え、情報の再生時には第２磁
性層から第１磁性層への磁化の転写が円滑に行なわれ
て、再生特性が劣化することがない。

【００１３】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例について図１ないし図
４、および図１２に基づいて説明すれば、以下の通りで
ある。

【００１４】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）は、図１に示すように、透光性の基板１上に、
透光性の誘電体層２と、読み出し層（第１磁性層）３
と、中間層７と、記録層（第２磁性層）４と、保護層５
と、オーバーコート層６とを順次形成した構成になって
いる。

【００１５】図２は、上記の読み出し層３の磁気状態を
示したものである。読み出し層３は、希土類遷移金属合
金からなり、希土類金属と遷移金属の磁気モーメントが
釣り合う補償温度（Ｔ_comp）の近辺（図中、斜線で示さ
れる領域）では垂直磁化を示し、キュリー温度（Ｔ_c）
以下のそれ以外の領域では面内磁化を示す。

【００１６】また、希土類金属と遷移金属の磁気モーメ
ントの温度特性は異なり、高温では遷移金属の磁気モー
メントが希土類金属のそれに比べて大きくなる。このた
め補償温度が室温となるときの組成よりも希土類金属の
量を多くした組成（図中、Ｐで示される組成）の合金を
用いる。この組成の合金は、室温で面内磁化を示し、所
定温度以上になると、遷移金属の磁気モーメントが相対
的に大きくなり、希土類金属の磁気モーメントと釣り合
うようになって、垂直磁化を示すようになる。そして、
更に温度が上昇すると磁気モーメントのバランスが崩れ
再び面内磁化を示すようになる。すなわち、室温からＴ
₁までの温度では面内磁化を、Ｔ₁からＴ₃までの温度
では垂直磁化を、Ｔ₃からＴ_cまでの温度では面内磁化
を示す。

【００１７】一方、記録層４は、室温からＴ_cまで垂直
磁化を示す。

【００１８】また、中間層７は、例えば希土類金属もし
くは遷移金属等を用いて、数原子層の厚さで形成された
ものである。

【００１９】上記のような特性を示す読み出し層３と、
記録層４と、中間層７とを備えた光磁気ディスクにおい
ては、記録密度を高くすることができる。すなわち、光
ビームの径よりも小さい記録ビットの再生が可能となる
ためであり、これについて、以下に説明する。

【００２０】再生動作時に、基板１の側から集光レンズ
を介して再生光ビームが読み出し層３に照射されると、
再生光ビームの中心部近傍に対応する読み出し層３の部
位の温度が上昇し、Ｔ₁に達する。これは、再生光ビー
ムが集光レンズにより回折限界まで絞り込まれて、その
光強度分布がガウス分布となり、読み出し層３上の温度
分布もほぼガウス分布となるためであり、Ｔ₁以上の温
度を有する領域は、再生光ビームよりも小さくなってい
る。

【００２１】この時、例えば図１に示す磁化の向きに記
録層４が記録されているとすると、読み出し層３と記録
層４の２層間の交換結合力により、記録層４の磁化の向
きが読み出し層３に転写される。

【００２２】再生光ビームの中心部近傍に対応する読み
出し層３の温度がＴ₁以上になった部位では、垂直磁化
となり、磁気光学カー効果を示し、一方、再生光ビーム
の中心部近傍に対応する以外の読み出し層３の部位で
は、温度上昇が生じず、面内磁化となり、磁気光学カー
効果をほとんど示さない。従って、Ｔ₁以上の温度を有
する領域のみを再生に関与させるので、再生光ビームの
径より小さい記録ビットの再生が行え、記録密度は著し
く向上することになる。

【００２３】また、記録は磁界変調により行われる。

【００２４】次に、上記光磁気ディスクの具体例を示
す。

【００２５】透光性の基板１は、外径８６ｍｍ、内径１
５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のガラスからなってい
る。基板１の片側の表面には、図示していないが、光ビ
ーム案内用の凸凹状のガイドトラックが反応性イオンエ
ッチング法により直接形成されている。トラックピッチ
は１．６μｍで、グルーブ（凹部）の幅が０．８μｍ、
ランド（凸部）の幅が０．８μｍである。

【００２６】この基板１のガイドトラックが形成されて
いる側の面上に、まず、誘電体層２として、到達真空度
２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ｎ₂ガス圧３．０×１０^-1Ｐ
ａ、放電電力８００Ｗの条件下で反応性スパッタリング
を行って、Ａ１Ｎを膜厚８０ｎｍで形成した。

【００２７】次に、この誘電体層２上に、読み出し層３
として、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ａｒガス
圧６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力３００Ｗの条件下で同
時スパッタリングを行って、希土類遷移金属合金薄膜で
あるＧｄＦｅＣｏを膜厚５０ｎｍで形成した。この読み
出し層３は、室温では希土類金属副格子磁化が遷移金属
副格子磁化よりも優勢となっており、キュリー温度３０
０°Ｃ以上、室温で面内磁化、約１４０°Ｃで垂直磁化
となる特性を示している。

【００２８】また、この読み出し層３上に、中間層７と
して、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力２００Ｗの条件下でスパ
ッタリングを行って、Ｆｅを膜厚１ｎｍ程度で形成し
た。

【００２９】さらに、この中間層７上に、記録層４とし
て、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力３００Ｗの条件下で同時
スパッタリングを行って、希土類遷移金属合金薄膜であ
るＤｙＦｅＣｏを膜厚５０ｎｍで形成した。この記録層
４は、室温では遷移金属副格子磁化が希土類金属副格子
磁化よりも優勢となっており、キュリー温度２００°
Ｃ、室温での保磁力（Ｈ_c2）＝１２０ｋＡ／ｍである。

【００３０】また、この記録層４上に、保護層５とし
て、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ｎ₂ガス圧
３．０×１０^-1Ｐａ、放電電力８００Ｗの条件下でスパ
ッタリングを行って、Ａ１Ｎを膜厚８０ｎｍで形成し
た。

【００３１】そして、この保護層５の上にアクリレート
系紫外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により
硬化させてオーバーコート層６を形成した。

【００３２】上記のようにして作製された光磁気ディス
クに対して、記録磁界（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レ
ーザパワー（Ｐ_w）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．
７８μｍの記録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ
_r）と信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定した。

【００３３】測定結果は、図３に示すように、Ｐ_r＝２
〜３．５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが最大となっており、この
レーザパワーで、読み出し層３の温度がＴ₁以上にな
り、垂直磁化で磁気光学カー効果を示している。一方、
Ｐ_r＝２ｍＷ以下では、読み出し層３の温度がＴ₁以下
になり、面内磁化で磁気光学カー効果を示しにくいこと
がわかる。

【００３４】次に、この光磁気ディスクと以下の比較例
の光磁気ディスクのそれぞれにおけるＨ_wとＣ／Ｎの関
係を測定し、比較した。

【００３５】比較例の光磁気ディスクは、図１２に示す
ように、透光性の基板１、誘電体層２、読み出し層３、
記録層４、保護層５、オーバーコート層６が順次積層さ
れた構造になっていて、中間層７を有しないという点
で、本実施例の光磁気ディスクとは異なっている。

【００３６】そして、上記の関係の測定条件として、本
実施例の光磁気ディスクと比較例の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍ
の記録ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記
録ビットを再生した。

【００３７】測定結果を図４に示すが、図中、実線にて
示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎが
飽和する大きさは３２ｋＡ／ｍである。これに対し、図
中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディスク
のＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。これ
により、本実施例の光磁気ディスクにおいては、記録磁
界が大きく減少していることがわかる。

【００３８】〔実施例２〕次に、本発明の第２の実施例
について図１、図３、図５、および図１２に基づいて説
明すれば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記
の実施例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００３９】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）の構成は、図１に示すように、透光性の基板
１、誘電体層２、読み出し層３、中間層８、記録層４、
保護層５、オーバーコート層６が、順次積層された構造
になっている。

【００４０】中間層８は、Ｃｏターゲットのスパッタリ
ングにより膜厚１ｎｍ程度のＣｏからなり、成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以
下、Ａｒガス圧６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力１００Ｗ
である。

【００４１】この光磁気ディスクに対して、記録磁界
（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー（Ｐ_w）＝
６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録ビット
を記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r）と信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示すよう
に、実施例１と同様、Ｐ_r＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ
／Ｎが最大となった。

【００４２】次に、この光磁気ディスクと実施例１で用
いられた比較例の光磁気ディスクとのそれぞれに対し、
Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録
ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記録ビッ
トを再生した。そして、その際の、Ｈ_WとＣ／Ｎの関係
を測定し、比較した。

【００４３】測定結果を図５に示すが、図中、実線にて
示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎが
飽和する大きさは３２ｋＡ／ｍである。これに対し、図
中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディスク
のＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。これ
により、本実施例の光磁気ディスクにおいては、記録磁
界が大きく減少していることがわかる。

【００４４】〔実施例３〕また、本発明の第３の実施例
について図１、図３、図６、および図１２に基づいて説
明すれば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記
の実施例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００４５】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）の構成は、図１に示すように、透光性の基板
１、誘電体層２、読み出し層３、中間層９、記録層４、
保護層５、オーバーコート層６が、順次積層された構造
になっている。

【００４６】中間層９は、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時
スパッタリングにより膜厚１ｎｍ程度のＦｅＣｏからな
り、成膜時のスパッタリング条件は、到達真空度２．０
×１０^-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０^-1Ｐａ、放
電電力３００Ｗである。

【００４７】この光磁気ディスクに対して、記録磁界
（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー（Ｐ_w）＝
６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録ビット
を記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r）と信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示すよう
に、実施例１と同様、Ｐ_r＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ
／Ｎが最大となった。

【００４８】次に、この光磁気ディスクと実施例１で用
いられた比較例の光磁気ディスクとのそれぞれに対し、
Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録
ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記録ビッ
トを再生した。そして、その際の、Ｈ_WとＣ／Ｎの関係
を測定し、比較した。

【００４９】測定結果を図６に示すが、図中、実線にて
示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎが
飽和する大きさは３２ｋＡ／ｍである。これに対し、図
中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディスク
のＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。これ
により、本実施例の光磁気ディスクにおいては、記録磁
界が大きく減少していることがわかる。

【００５０】〔実施例４〕本発明の第４の実施例につい
て図１、図３、図７、および図１２に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施
例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００５１】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）の構成は、透光性の基板１、誘電体層２、読み
出し層３、中間層１０、記録層４、保護層５、オーバー
コート層６が、順次積層された構造になっている。

【００５２】中間層１０は、Ｇｄターゲットのスパッタ
リングにより膜厚１ｎｍ程度のＧｄからなり、成膜時の
スパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ
以下、Ａｒガス圧６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力１００
Ｗである。

【００５３】この光磁気ディスクに対して、記録磁界
（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー（Ｐ_w）＝
６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録ビット
を記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r）と信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示すよう
に、実施例１と同様、Ｐ_r＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ
／Ｎが最大となった。

【００５４】次に、この光磁気ディスクと実施例１で用
いられた比較例の光磁気ディスクとのそれぞれに対し、
Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録
ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記録ビッ
トを再生した。そして、その際の、Ｈ_WとＣ／Ｎの関係
を測定し、比較した。

【００５５】測定結果を図７に示すが、図中、実線にて
示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎが
飽和する大きさは２０ｋＡ／ｍである。これに対し、図
中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディスク
のＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。これ
により、本実施例の光磁気ディスクにおいては、記録磁
界が大きく減少していることがわかる。

【００５６】〔実施例５〕本発明の第５の実施例につい
て図１、図３、図８、および図１２に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施
例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００５７】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）の構成は、透光性の基板１、誘電体層２、読み
出し層３、中間層１１、記録層４、保護層５、オーバー
コート層６が、順次積層された構造になっている。

【００５８】中間層１０は、Ｄｙターゲットのスパッタ
リングにより膜厚１ｎｍ程度のＤｙからなり、成膜時の
スパッタリング条件は、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ
以下、Ａｒガス圧６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力１００
Ｗである。

【００５９】この光磁気ディスクに対して、記録磁界
（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー（Ｐ_w）＝
６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録ビット
を記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r）と信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示すよう
に、実施例１と同様、Ｐ_r＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ
／Ｎが最大となった。

【００６０】次に、この光磁気ディスクと実施例１で用
いられた比較例の光磁気ディスクとのそれぞれに対し、
Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録
ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記録ビッ
トを再生した。そして、その際の、Ｈ_WとＣ／Ｎの関係
を測定し、比較した。

【００６１】測定結果を図８に示すが、図中、実線にて
示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎが
飽和する大きさは２０ｋＡ／ｍである。これに対し、図
中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディスク
のＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。これ
により、本実施例の光磁気ディスクにおいては、記録磁
界が大きく減少していることがわかる。

【００６２】〔実施例６〕本発明の第６の実施例につい
て図１、図３、図９、および図１２に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施
例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００６３】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）の構成は、透光性の基板１、誘電体層２、読み
出し層３、中間層１２、記録層４、保護層５、オーバー
コート層６が、順次積層された構造になっている。

【００６４】中間層１２は、Ｄｙターゲットのスパッタ
リングにより膜厚０．５ｎｍ程度のＤｙと、Ｇｄターゲ
ットのスパッタリングにより膜厚０．５ｎｍ程度のＧｄ
からなり、成膜時のスパッタリング条件は到達真空度
２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０^-1Ｐ
ａ、放電電力１００Ｗである。

【００６５】この光磁気ディスクに対して、記録磁界
（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー（Ｐ_w）＝
６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録ビット
を記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r）と信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示すよう
に、実施例１と同様、Ｐ_r＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ
／Ｎが最大となった。

【００６６】次に、この光磁気ディスクと実施例１で用
いられた比較例の光磁気ディスクとのそれぞれに対し、
Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録
ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記録ビッ
トを再生した。そして、その際の、Ｈ_WとＣ／Ｎの関係
を測定し、比較した。

【００６７】測定結果を図９に示すが、図中、実線にて
示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎが
飽和する大きさは１２ｋＡ／ｍである。これに対し、図
中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディスク
のＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。これ
により、本実施例の光磁気ディスクにおいては、記録磁
界が大きく減少していることがわかる。

【００６８】〔実施例７〕本発明の第７の実施例につい
て図１、図３、図１０、および図１２に基づいて説明す
れば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実
施例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００６９】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）の構成は、透光性の基板１、誘電体層２、読み
出し層３、中間層１３、記録層４、保護層５、オーバー
コート層６が、順次積層された構造になっている。

【００７０】中間層１３は、Ａｌターゲットのスパッタ
リングにより膜厚１．０ｎｍ程度のＡｌからなり、成膜
時のスパッタリング条件は到達真空度２．０×１０^-4Ｐ
ａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力３０
０Ｗである。

【００７１】この光磁気ディスクに対して、記録磁界
（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー（Ｐ_w）＝
６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録ビット
を記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r）と信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示すよう
に、実施例１と同様、Ｐ_r＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ
／Ｎが最大となった。

【００７２】次に、この光磁気ディスクと実施例１で用
いられた比較例の光磁気ディスクとのそれぞれに対し、
Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録
ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記録ビッ
トを再生した。そして、その際の、Ｈ_WとＣ／Ｎの関係
を測定し、比較した。

【００７３】測定結果を図１０に示すが、図中、実線に
て示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎ
が飽和する大きさは２４ｋＡ／ｍである。これに対し、
図中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディス
クのＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。こ
れにより、本実施例の光磁気ディスクにおいては、Ｃ／
Ｎ値が比較例に比べて１〜２ｄｂ減少するものの、記録
磁界が大きく減少していることがわかる。

【００７４】〔実施例８〕本発明の第８の実施例につい
て図１、図３、図１１、および図１２に基づいて説明す
れば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実
施例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００７５】本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）の構成は、透光性の基板１、誘電体層２、読み
出し層３、中間層１４、記録層４、保護層５、オーバー
コート層６が、順次積層された構造になっている。

【００７６】中間層１４は、Ｓｉターゲットのスパッタ
リングにより膜厚１．０ｎｍ程度のＳｉからなり、成膜
時のスパッタリング条件は到達真空度２．０×１０^-4Ｐ
ａ以下、Ａｒガス圧６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力３０
０Ｗである。

【００７７】この光磁気ディスクに対して、記録磁界
（Ｈ_W）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー（Ｐ_w）＝
６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録ビット
を記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r）と信号対雑音比
（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示すよう
に、実施例１と同様、Ｐ_r＝２〜３．５ｍＷの範囲でＣ
／Ｎが最大となった。

【００７８】次に、この光磁気ディスクと実施例１で用
いられた比較例の光磁気ディスクとのそれぞれに対し、
Ｐ_w＝６ｍＷにて、記録ビット長＝０．７８μｍの記録
ビットを記録し、Ｐ_r＝２．５ｍＷにて、この記録ビッ
トを再生した。そして、その際の、Ｈ_WとＣ／Ｎの関係
を測定し、比較した。

【００７９】測定結果を図１１に示すが、図中、実線に
て示されるように、本実施例の光磁気ディスクのＣ／Ｎ
が飽和する大きさは２４ｋＡ／ｍである。これに対し、
図中、破線にて示されるように、比較例の光磁気ディス
クのＣ／Ｎが飽和する大きさは４８ｋＡ／ｍである。こ
れにより、本実施例の光磁気ディスクにおいては、Ｃ／
Ｎ値が比較例に比べて１〜２ｄｂ減少するものの、記録
磁界が大きく減少していることがわかる。

【００８０】なお、本実施例１〜８では、読み出し層３
として、Ｇｄ_0.27（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0. ₃₀）_0.73を使用し、
記録層４として、Ｄｙ_0.22（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.78を
使用しているが、これに限るものではない。

【００８１】さらに、基板１、誘電体層２、保護層５、
オーバーコート層６も上記実施例に限られるものではな
い。

【００８２】また、読み出し層３が軽希土類金属やＰ
ｔ、Ｐｄ等を含む合金である場合は、短波長での磁気光
学カー効果が高く、短波長再生光レーザを用いることに
より、さらに記録密度を向上させることが可能になる。

【００８３】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１に記載
の光磁気記録媒体は、少なくとも、第１磁性層、第２磁
性層が順次形成されており、第１磁性層は、室温で面内
磁化、所定温度以上で垂直磁化となる特性を示し、第２
磁性層は、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性
を示す光磁気記録媒体において、上記第１磁性層と第２
磁性層との間に、数原子層からなる中間層が形成されて
いる構成である。

【００８４】これにより、記録磁界が低減されるという
効果を奏する。

【００８５】また、請求項２に記載の光磁気記録媒体
は、上記中間層が希土類金属もしくは遷移金属からなる
構成である。

【００８６】これにより、記録磁界が低減されると共
に、再生特性が劣化しないという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１ないし第８実施例に共通する光磁
気記録媒体、及びこの光磁気記録媒体に対して、再生動
作を行っていることを示す説明図である。

【図２】本発明の第１実施例の光磁気記録媒体の読み出
し層３の磁気状態を示す特性図である。

【図３】本発明の第１ないし第８実施例に共通する光磁
気記録媒体のＣ／Ｎと記録レーザパワーの関係を示すグ
ラフである。

【図４】本発明の第１実施例の光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
と記録磁界の関係を示すグラフである。

【図５】本発明の第２実施例の光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
と記録磁界の関係を示すグラフである。

【図６】本発明の第３実施例の光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
と記録磁界の関係を示すグラフである。

【図７】本発明の第４実施例の光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
と記録磁界の関係を示すグラフである。

【図８】本発明の第５実施例の光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
と記録磁界の関係を示すグラフである。

【図９】本発明の第６実施例の光磁気記録媒体のＣ／Ｎ
と記録磁界の関係を示すグラフである。

【図１０】本発明の第７実施例の光磁気記録媒体のＣ／
Ｎと記録磁界の関係を示すグラフである。

【図１１】本発明の第８実施例の光磁気記録媒体のＣ／
Ｎと記録磁界の関係を示すグラフである。

【図１２】本発明の第１ないし第８実施例に対する比較
例の光磁気記録媒体、及びこの光磁気記録媒体に対し
て、再生動作を行っていることを示す説明図である。

【符号の説明】

１基板３読み出し層（第１磁性層）４記録層（第２磁性層）７中間層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、第１磁性層、第２磁性層が順
次形成されており、第１磁性層は、室温で面内磁化、所
定温度以上で垂直磁化となる特性を示し、第２磁性層
は、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性を示す
光磁気記録媒体において、上記第１磁性層と第２磁性層との間に、数原子層からな
る中間層が形成されていることを特徴とする光磁気記録
媒体。
【請求項２】上記中間層は希土類金属もしくは遷移金属
からなることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録
媒体。