JP3208275B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP3208275B2 JP3208275B2 JP03191195A JP3191195A JP3208275B2 JP 3208275 B2 JP3208275 B2 JP 3208275B2 JP 03191195 A JP03191195 A JP 03191195A JP 3191195 A JP3191195 A JP 3191195A JP 3208275 B2 JP3208275 B2 JP 3208275B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- room temperature
- recording
- magneto
- transition metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される、 例えば光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁
気カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
される、 例えば光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁
気カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは、書き換えが可能な光
ディスクとして研究開発が進められており、その一部は
既にコンピューター用の外部メモリとして実用化がなさ
れている。
ディスクとして研究開発が進められており、その一部は
既にコンピューター用の外部メモリとして実用化がなさ
れている。
【０００３】記録媒体として垂直磁化膜を用いる光磁気
ディスクでは、光を利用して記録再生を行うため、面内
磁化膜を用いたフロッピーディスクあるいはハードディ
スクに比べて、記録容量を大きくすることができる。と
ころが、光磁気ディスクの記録密度は、光磁気ディスク
上の光ビームスポットの大きさに制約を受ける。これ
は、記録ビット径及び記録ビットの間隔が光ビームスポ
ットの大きさに比べて小さくなると、光ビームスポット
の中に複数のビットが入るため、各記録ビットを分離し
て再生することができないためである。
ディスクでは、光を利用して記録再生を行うため、面内
磁化膜を用いたフロッピーディスクあるいはハードディ
スクに比べて、記録容量を大きくすることができる。と
ころが、光磁気ディスクの記録密度は、光磁気ディスク
上の光ビームスポットの大きさに制約を受ける。これ
は、記録ビット径及び記録ビットの間隔が光ビームスポ
ットの大きさに比べて小さくなると、光ビームスポット
の中に複数のビットが入るため、各記録ビットを分離し
て再生することができないためである。
【０００４】記録密度を向上させるためビームスポット
の大きさを小さくするには、レーザー光の波長を短くす
ることが有効であるが、現在市販されている半導体レー
ザーは６８０ｎｍの波長のものが最短であり、 より短
波長を有する半導体レーザーはいまだ開発途上にある。
したがって、現在市販されている波長のレーザーを用
いて光磁気ディスクの記録密度をさらに大きくすること
は困難である。
の大きさを小さくするには、レーザー光の波長を短くす
ることが有効であるが、現在市販されている半導体レー
ザーは６８０ｎｍの波長のものが最短であり、 より短
波長を有する半導体レーザーはいまだ開発途上にある。
したがって、現在市販されている波長のレーザーを用
いて光磁気ディスクの記録密度をさらに大きくすること
は困難である。
【０００５】これに対して、例えばＭａｇｎｅｔ−Ｏｐ
ｔｉｃａｌ ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ’９４，Ｐｏｓｔ Ｄｅａ
ｄＬｉｎｅ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔｓ，
ｐ．１４では、記録層と再生層の２つの磁性層を備えた
光磁気ディスクを用いて磁界を印加しながら再生するこ
とで、光ビームスポットより小さいビットを読み出すこ
とができ、記録密度を向上できることが示されている。
ｔｉｃａｌ ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏ
ｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ’９４，Ｐｏｓｔ Ｄｅａ
ｄＬｉｎｅ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔｓ，
ｐ．１４では、記録層と再生層の２つの磁性層を備えた
光磁気ディスクを用いて磁界を印加しながら再生するこ
とで、光ビームスポットより小さいビットを読み出すこ
とができ、記録密度を向上できることが示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
磁界を印加しながら再生する方法では、再生時に必要な
磁界が８００Ｏｅ以上と比較的大きなものであるため、
磁界発生装置に電磁石を用いた場合には消費電力が大き
くなるという問題点がある。また、消費電力を考慮して
磁界発生装置に永久磁石を用いた場合には装置が大型化
するという問題点がある。
磁界を印加しながら再生する方法では、再生時に必要な
磁界が８００Ｏｅ以上と比較的大きなものであるため、
磁界発生装置に電磁石を用いた場合には消費電力が大き
くなるという問題点がある。また、消費電力を考慮して
磁界発生装置に永久磁石を用いた場合には装置が大型化
するという問題点がある。
【０００７】本発明ではこれらの問題点に鑑み、再生時
に必要な磁界を小さくでき、消費電力が小さく、磁界発
生装置の小型化の妨げとなる永久磁石を必要としない光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
に必要な磁界を小さくでき、消費電力が小さく、磁界発
生装置の小型化の妨げとなる永久磁石を必要としない光
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明の光磁気記録媒体では、光磁気記録した情報を
読み出すための垂直磁気異方性をもち、１８０℃に補償
温度を有する希土類遷移金属合金からなる磁性層である
再生層と、情報を光磁気記録するための垂直磁気異方性
をもち、室温で遷移金属副格子磁化が希土類金属副格子
磁化より優勢である組成の希土類遷移金属合金からなる
磁性層である記録層とを含む磁気多重層を有し、前記再
生層の厚みをｈ1、室温(ｔａ)における保磁力をＨｃ
1(ｔａ)、飽和磁化をＭｓ1(ｔａ)、前記記録層の飽和磁
化をＭｓ2(ｔａ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の
磁壁エネルギをσｗ(ｔａ)、室温以上の所定温度(ｔｍ)
以上の温度(ｔ)における前記再生層の保磁力をＨｃ
1(ｔ)、飽和磁化をＭｓ1(ｔ)、前記記録層の飽和磁化を
Ｍｓ2(ｔ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エ
ネルギをσｗ(ｔ)とするとき、 Ｈｃ1(ｔａ)+σｗ(ｔａ)/２Ｍｓ1(ｔａ)ｈ1 ＜-Ｈｃ1(ｔ)+σｗ(ｔ)/２Ｍｓ1(ｔ)ｈ1 ４０ｎｍ≦ｈ1≦１２０ｎｍ １×１０-4≦σｗ(ｔａ)≦１×１０-3(Ｊ／ｍ2) ０．０６（Ｔ）≦Ｍｓ2(ｔａ)≦０．２(Ｔ) を満たすことを特徴としている。
め本発明の光磁気記録媒体では、光磁気記録した情報を
読み出すための垂直磁気異方性をもち、１８０℃に補償
温度を有する希土類遷移金属合金からなる磁性層である
再生層と、情報を光磁気記録するための垂直磁気異方性
をもち、室温で遷移金属副格子磁化が希土類金属副格子
磁化より優勢である組成の希土類遷移金属合金からなる
磁性層である記録層とを含む磁気多重層を有し、前記再
生層の厚みをｈ1、室温(ｔａ)における保磁力をＨｃ
1(ｔａ)、飽和磁化をＭｓ1(ｔａ)、前記記録層の飽和磁
化をＭｓ2(ｔａ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の
磁壁エネルギをσｗ(ｔａ)、室温以上の所定温度(ｔｍ)
以上の温度(ｔ)における前記再生層の保磁力をＨｃ
1(ｔ)、飽和磁化をＭｓ1(ｔ)、前記記録層の飽和磁化を
Ｍｓ2(ｔ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エ
ネルギをσｗ(ｔ)とするとき、 Ｈｃ1(ｔａ)+σｗ(ｔａ)/２Ｍｓ1(ｔａ)ｈ1 ＜-Ｈｃ1(ｔ)+σｗ(ｔ)/２Ｍｓ1(ｔ)ｈ1 ４０ｎｍ≦ｈ1≦１２０ｎｍ １×１０-4≦σｗ(ｔａ)≦１×１０-3(Ｊ／ｍ2) ０．０６（Ｔ）≦Ｍｓ2(ｔａ)≦０．２(Ｔ) を満たすことを特徴としている。
【０００９】
【００１０】また、光磁気記録した情報を読み出すため
の垂直磁気異方性をもち、１８０℃に補償温度を有する
希土類遷移金属合金からなる磁性層である再生層と、情
報を光磁気記録するための垂直磁気異方性をもち、室温
で遷移金属副格子磁化が希土類金属副格子磁化より優勢
である組成の希土類遷移金属合金からなる磁性層である
記録層とを含む磁気多重層を有し、前記再生層の厚みを
ｈ1、室温(ｔａ)における保磁力をＨｃ1(ｔａ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔａ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ
ａ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギ
をσｗ(ｔａ)、室温以上の所定温度(ｔｍ)以上の温度
(ｔ)における前記再生層の保磁力をＨｃ1(ｔ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ)、再
生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギをσｗ
(ｔ)とするとき、 Ｈｃ1(ｔａ)+σｗ(ｔａ)/２Ｍｓ1(ｔａ)ｈ1 ＜-Ｈｃ1(ｔ)+σｗ(ｔ)/２Ｍｓ1(ｔ)ｈ1 ４０ｎｍ≦ｈ1≦１２０ｎｍ １×１０-4≦σｗ(ｔａ)≦１×１０-3(Ｊ／ｍ2) ０．０７（Ｔ）≦Ｍｓ1(ｔａ)≦０．２(Ｔ) ０．０６（Ｔ）≦Ｍｓ2(ｔａ)≦０．２(Ｔ) を満たすことを特徴としている。
の垂直磁気異方性をもち、１８０℃に補償温度を有する
希土類遷移金属合金からなる磁性層である再生層と、情
報を光磁気記録するための垂直磁気異方性をもち、室温
で遷移金属副格子磁化が希土類金属副格子磁化より優勢
である組成の希土類遷移金属合金からなる磁性層である
記録層とを含む磁気多重層を有し、前記再生層の厚みを
ｈ1、室温(ｔａ)における保磁力をＨｃ1(ｔａ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔａ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ
ａ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギ
をσｗ(ｔａ)、室温以上の所定温度(ｔｍ)以上の温度
(ｔ)における前記再生層の保磁力をＨｃ1(ｔ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ)、再
生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギをσｗ
(ｔ)とするとき、 Ｈｃ1(ｔａ)+σｗ(ｔａ)/２Ｍｓ1(ｔａ)ｈ1 ＜-Ｈｃ1(ｔ)+σｗ(ｔ)/２Ｍｓ1(ｔ)ｈ1 ４０ｎｍ≦ｈ1≦１２０ｎｍ １×１０-4≦σｗ(ｔａ)≦１×１０-3(Ｊ／ｍ2) ０．０７（Ｔ）≦Ｍｓ1(ｔａ)≦０．２(Ｔ) ０．０６（Ｔ）≦Ｍｓ2(ｔａ)≦０．２(Ｔ) を満たすことを特徴としている。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【作用】再生時に必要な印加磁界の大きさは、再生層の
保磁力、膜厚、飽和磁化及び再生層と記録層の界面に蓄
えられる磁壁エネルギによって範囲が設定される。した
がって、本発明の光磁気記録媒体では、前述の条件をそ
れぞれ満たす構成であることから、再生時に必要な印加
磁界を小さくすることができる。
保磁力、膜厚、飽和磁化及び再生層と記録層の界面に蓄
えられる磁壁エネルギによって範囲が設定される。した
がって、本発明の光磁気記録媒体では、前述の条件をそ
れぞれ満たす構成であることから、再生時に必要な印加
磁界を小さくすることができる。
【００１４】
【実施例】・参考例１ 参考例1 の光磁気ディスク（光磁気記録媒体）は、図１
に示すように基板１、透明誘電体層２、再生層３、記録
層５、保護層６及びオーバーコート層７がこの順に積層
された構造をしており、再生光ビーム２１が対物レンズ
２２を介して再生層３を照射し、光磁気ディスクを挟ん
で対物レンズと対向する位置に磁石２３が配置される構
成となっている。ここでは、磁気２重層を有する試料と
して、ガラス基板１上にＡｌＮ誘電体膜２を７０ｎｍ、
再生層３の膜厚は種々に変化させ、記録層５を５０ｎ
ｍ、ＡｌＮ誘電体膜６を５０ｎｍ積層したものを作製し
た。再生層３にはフェリ磁性体であるＧｄＦｅＣｏ希土
類遷移金属合金を用いる。ＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金属
合金層は補償温度が１８０℃で、キュリー温度は３３０
℃である。また、上記記録層５にはフェリ磁性体である
ＤｙＦｅＣｏ希土類遷移金属合金を用いる。ＤｙＦｅＣ
ｏ希土類遷移金属合金層は補償温度が室温で、キュリー
温度は２４０℃である。
に示すように基板１、透明誘電体層２、再生層３、記録
層５、保護層６及びオーバーコート層７がこの順に積層
された構造をしており、再生光ビーム２１が対物レンズ
２２を介して再生層３を照射し、光磁気ディスクを挟ん
で対物レンズと対向する位置に磁石２３が配置される構
成となっている。ここでは、磁気２重層を有する試料と
して、ガラス基板１上にＡｌＮ誘電体膜２を７０ｎｍ、
再生層３の膜厚は種々に変化させ、記録層５を５０ｎ
ｍ、ＡｌＮ誘電体膜６を５０ｎｍ積層したものを作製し
た。再生層３にはフェリ磁性体であるＧｄＦｅＣｏ希土
類遷移金属合金を用いる。ＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金属
合金層は補償温度が１８０℃で、キュリー温度は３３０
℃である。また、上記記録層５にはフェリ磁性体である
ＤｙＦｅＣｏ希土類遷移金属合金を用いる。ＤｙＦｅＣ
ｏ希土類遷移金属合金層は補償温度が室温で、キュリー
温度は２４０℃である。
【００１５】図３及び図４は、磁気２重層を有する試料
のうち、ＧｄＦｅＣｏ再生層３の膜厚が５０ｎｍのもの
をガラス基板側より６３０ｎｍの光を照射して測定した
ときの、室温及び１６０℃でのカーヒステリシスループ
を示すものである。実線の矢印はループの軌跡が描かれ
る方向を表している。図中白抜きで示した矢印は、代表
的な磁界での上記磁気二重層中の遷移金属副格子磁化の
磁化方向を模式的に示したもので、上がＧｄＦｅＣｏ層
３の遷移金属副格子磁化、下がＤｙＦｅＣｏ層５の遷移
金属副格子磁化を示している。また、波線で示した矢印
は外部磁界の方向である。外部磁界が正のときは膜面に
垂直に、上向きに磁界が印加されることを表し、外部磁
界が負のときは下向きに磁界が印加されている。 遷移
金属副格子磁化の方向を表す白抜きの矢印は、この外部
磁界の方向に対応してその方向が示されている。外部磁
場は−１．５ｋＯｅから＋１．５ｋＯｅの範囲で変化さ
せた。図３は室温のもので、 図４は１６０℃における
結果を表している。
のうち、ＧｄＦｅＣｏ再生層３の膜厚が５０ｎｍのもの
をガラス基板側より６３０ｎｍの光を照射して測定した
ときの、室温及び１６０℃でのカーヒステリシスループ
を示すものである。実線の矢印はループの軌跡が描かれ
る方向を表している。図中白抜きで示した矢印は、代表
的な磁界での上記磁気二重層中の遷移金属副格子磁化の
磁化方向を模式的に示したもので、上がＧｄＦｅＣｏ層
３の遷移金属副格子磁化、下がＤｙＦｅＣｏ層５の遷移
金属副格子磁化を示している。また、波線で示した矢印
は外部磁界の方向である。外部磁界が正のときは膜面に
垂直に、上向きに磁界が印加されることを表し、外部磁
界が負のときは下向きに磁界が印加されている。 遷移
金属副格子磁化の方向を表す白抜きの矢印は、この外部
磁界の方向に対応してその方向が示されている。外部磁
場は−１．５ｋＯｅから＋１．５ｋＯｅの範囲で変化さ
せた。図３は室温のもので、 図４は１６０℃における
結果を表している。
【００１６】室温でＨ1以上の大きさの外部磁界を垂直
方向に印加すると、図３に示すようにＧｄＦｅＣｏ層３
の遷移金属副格子磁化は外部磁界に従った方向を向く。
図では、Ｈ1以上の磁界では外部磁界に従って下を向き
（室温ではＧｄＦｅＣｏ層３は希土類金属副格子磁化が
遷移金属副格子磁化より優勢であるため、磁化が外部磁
界に従うときは遷移金属副格子磁化は外部磁界と逆方向
を向く）、Ｈ2以下の磁界ではＤｙＦｅＣｏ層５との交
換結合力に従って上を向く。なお図において、ＤｙＦｅ
Ｃｏ層５の遷移金属副格子磁化の向きが全ての外部磁界
で同一方向（図では上向き）であるのは、ＤｙＦｅＣｏ
層５が室温に補償温度をもっており、−１．５≦Ｈ≦
１．５（ｋＯｅ）の範囲で外部磁界を変化させても磁化
反転を起こさないためである。
方向に印加すると、図３に示すようにＧｄＦｅＣｏ層３
の遷移金属副格子磁化は外部磁界に従った方向を向く。
図では、Ｈ1以上の磁界では外部磁界に従って下を向き
（室温ではＧｄＦｅＣｏ層３は希土類金属副格子磁化が
遷移金属副格子磁化より優勢であるため、磁化が外部磁
界に従うときは遷移金属副格子磁化は外部磁界と逆方向
を向く）、Ｈ2以下の磁界ではＤｙＦｅＣｏ層５との交
換結合力に従って上を向く。なお図において、ＤｙＦｅ
Ｃｏ層５の遷移金属副格子磁化の向きが全ての外部磁界
で同一方向（図では上向き）であるのは、ＤｙＦｅＣｏ
層５が室温に補償温度をもっており、−１．５≦Ｈ≦
１．５（ｋＯｅ）の範囲で外部磁界を変化させても磁化
反転を起こさないためである。
【００１７】また、１６０℃でＨ3以上の大きさの外部
磁界を垂直方向に印加すると、図４に示すようにＧｄＦ
ｅＣｏ層３の遷移金属副格子磁化は外部磁界に従って下
を向き、Ｈ4以下の磁界ではＤｙＦｅＣｏ層５との交換
結合力に従って上を向く。なお図において、ＤｙＦｅＣ
ｏ層５の遷移金属副格子磁化の向きが常に上向きである
のは、 ＤｙＦｅＣｏ層５が−１．５≦Ｈ≦１．５（ｋ
Ｏｅ）の範囲で磁化反転を起こさないためである。
磁界を垂直方向に印加すると、図４に示すようにＧｄＦ
ｅＣｏ層３の遷移金属副格子磁化は外部磁界に従って下
を向き、Ｈ4以下の磁界ではＤｙＦｅＣｏ層５との交換
結合力に従って上を向く。なお図において、ＤｙＦｅＣ
ｏ層５の遷移金属副格子磁化の向きが常に上向きである
のは、 ＤｙＦｅＣｏ層５が−１．５≦Ｈ≦１．５（ｋ
Ｏｅ）の範囲で磁化反転を起こさないためである。
【００１８】再生動作時には、図１に示す再生光ビーム
２１が、基板１側から対物レンズ２２を介して再生層３
に照射される。再生光ビーム２１が照射された再生層３
の領域は、中心近傍で温度が最も上昇し、周辺の部位よ
りも高温になる。これは、再生光ビーム２１が対物レン
ズ２２により回折限界まで絞り込まれているためその光
強度分布がガウス分布になり、光磁気ディスク上の光ビ
ーム照射部の温度分布もほぼガウス分布になるためであ
る。
２１が、基板１側から対物レンズ２２を介して再生層３
に照射される。再生光ビーム２１が照射された再生層３
の領域は、中心近傍で温度が最も上昇し、周辺の部位よ
りも高温になる。これは、再生光ビーム２１が対物レン
ズ２２により回折限界まで絞り込まれているためその光
強度分布がガウス分布になり、光磁気ディスク上の光ビ
ーム照射部の温度分布もほぼガウス分布になるためであ
る。
【００１９】中心近傍の温度が上昇し、周辺部位の温度
が室温付近になるように再生光ビーム２１の強度を設定
した場合、光ビーム径よりも小さい中心近傍の領域のみ
が再生に関与する。これは、再生層３の昇温した中心近
傍の領域は、図４に示すようにＨ3以上またはＨ4以下の
外部磁界で副格子磁化の向きが変化する特性を有する一
方、周辺部位では温度が室温に近いため、図３に示すよ
うにＨ1以上またはＨ2以下の外部磁界で副格子磁化の向
きが変化する特性を有していることによる。したがっ
て、磁石２３を用いてＨ1とＨ4の間にある外部磁界Ｈｒ
を印加した場合、再生層３の光ビーム照射部の中心近傍
の遷移金属副格子磁化は、上記外部磁界Ｈｒの強度がＨ
4よりも小さいので記録層５からの交換結合力に従った
方向を向き、周辺部位の遷移金属副格子磁化は、上記外
部磁界Ｈｒの強度がＨ1よりも大きいので磁石２３から
印加した外部磁界Ｈｒに従った方向を向くこととなる。
が室温付近になるように再生光ビーム２１の強度を設定
した場合、光ビーム径よりも小さい中心近傍の領域のみ
が再生に関与する。これは、再生層３の昇温した中心近
傍の領域は、図４に示すようにＨ3以上またはＨ4以下の
外部磁界で副格子磁化の向きが変化する特性を有する一
方、周辺部位では温度が室温に近いため、図３に示すよ
うにＨ1以上またはＨ2以下の外部磁界で副格子磁化の向
きが変化する特性を有していることによる。したがっ
て、磁石２３を用いてＨ1とＨ4の間にある外部磁界Ｈｒ
を印加した場合、再生層３の光ビーム照射部の中心近傍
の遷移金属副格子磁化は、上記外部磁界Ｈｒの強度がＨ
4よりも小さいので記録層５からの交換結合力に従った
方向を向き、周辺部位の遷移金属副格子磁化は、上記外
部磁界Ｈｒの強度がＨ1よりも大きいので磁石２３から
印加した外部磁界Ｈｒに従った方向を向くこととなる。
【００２０】本参考例で用いた磁気２重層は Ｈ1＜Ｈ4 （１） なる条件を満たしており、そこで Ｈ1＜Ｈｒ＜Ｈ4 （２） を満たす外部磁界Ｈｒを再生時に印加すれば、再生光ビ
ーム２１の中心近傍の温度上昇部のみで記録層５の情報
が再生層３に転写され、情報再生に関与する。つまり温
度上昇部以外の読み出し層３の遷移金属副格子磁化は、
記録層５の情報をマスクする働きをする。
ーム２１の中心近傍の温度上昇部のみで記録層５の情報
が再生層３に転写され、情報再生に関与する。つまり温
度上昇部以外の読み出し層３の遷移金属副格子磁化は、
記録層５の情報をマスクする働きをする。
【００２１】そして、再生光ビーム２１が移動して（実
際には光磁気ディスクが回転して）次の記録ビットを再
生する時には、先の再生部位の温度は室温近くまで下が
るため、再生層３の遷移金属副格子磁化が記録層５の遷
移金属副格子磁化に従うことはなく、周辺部位と同様に
外部磁界Ｈｒに従った方向を向くため、先の再生部位は
マスクされることになる。
際には光磁気ディスクが回転して）次の記録ビットを再
生する時には、先の再生部位の温度は室温近くまで下が
るため、再生層３の遷移金属副格子磁化が記録層５の遷
移金属副格子磁化に従うことはなく、周辺部位と同様に
外部磁界Ｈｒに従った方向を向くため、先の再生部位は
マスクされることになる。
【００２２】ここで、室温での再生層の保磁力をＨｃ1
（室温）、室温での両層界面の磁壁エネルギをσｗ（室
温）、室温での再生層の飽和磁化をＭｓ1（室温）、再
生層の膜厚をｈ1、１６０℃での再生層の保磁力をＨｃ1
(１６０℃)、１６０℃での両層界面の磁壁エネルギをσ
ｗ（１６０℃）、１６０℃での再生層の飽和磁化をＭｓ
1（１６０℃）とすると、上記Ｈ1、Ｈ4はそれぞれＨ 1 ＝Ｈｃ 1 (室温)＋σｗ（室温）/２Ｍｓ 1 (室温)ｈ 1
（３） Ｈ4＝−Ｈｃ1(１６０℃)＋σｗ(１６０℃)/２Ｍｓ1(１
６０℃)ｈ1 （４） である。（３）、（４）式を（２）式に代入すると、Ｈ
ｃ1(室温)＋σｗ(室温)/２Ｍｓ1(室温)ｈ1＜Ｈｒ ＜−Ｈｃ1(１６０℃)＋σｗ(１６０℃)/２Ｍｓ1(１６０℃)ｈ1 （５） となり、外部磁界Ｈｒの範囲が設定される。また、光磁
気ディスクに用いた２重層は（１）式より、 Ｈｃ1(室温)＋σｗ(室温)/２Ｍｓ1(室温)ｈ1 ＜−Ｈｃ1(１６０℃)＋σｗ(１６０℃)/２Ｍｓ1(１６０℃)ｈ1 （６） を満たす必要がある。
（室温）、室温での両層界面の磁壁エネルギをσｗ（室
温）、室温での再生層の飽和磁化をＭｓ1（室温）、再
生層の膜厚をｈ1、１６０℃での再生層の保磁力をＨｃ1
(１６０℃)、１６０℃での両層界面の磁壁エネルギをσ
ｗ（１６０℃）、１６０℃での再生層の飽和磁化をＭｓ
1（１６０℃）とすると、上記Ｈ1、Ｈ4はそれぞれＨ 1 ＝Ｈｃ 1 (室温)＋σｗ（室温）/２Ｍｓ 1 (室温)ｈ 1
（３） Ｈ4＝−Ｈｃ1(１６０℃)＋σｗ(１６０℃)/２Ｍｓ1(１
６０℃)ｈ1 （４） である。（３）、（４）式を（２）式に代入すると、Ｈ
ｃ1(室温)＋σｗ(室温)/２Ｍｓ1(室温)ｈ1＜Ｈｒ ＜−Ｈｃ1(１６０℃)＋σｗ(１６０℃)/２Ｍｓ1(１６０℃)ｈ1 （５） となり、外部磁界Ｈｒの範囲が設定される。また、光磁
気ディスクに用いた２重層は（１）式より、 Ｈｃ1(室温)＋σｗ(室温)/２Ｍｓ1(室温)ｈ1 ＜−Ｈｃ1(１６０℃)＋σｗ(１６０℃)/２Ｍｓ1(１６０℃)ｈ1 （６） を満たす必要がある。
【００２３】この現象を実現するために再生時に必要な
印加磁界（Ｈｒ）は、Ｈ1とＨ4の値を調べることで評価
できる。再生層の膜厚を変化させてＨ1、Ｈ4の値を測定
した結果を表１に示す。
印加磁界（Ｈｒ）は、Ｈ1とＨ4の値を調べることで評価
できる。再生層の膜厚を変化させてＨ1、Ｈ4の値を測定
した結果を表１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１より、再生層膜厚を４０ｎｍ以上とす
ることで比較的小さな印加磁界で再生を行えることがわ
かる。また、ＩＳ１００８９規格（ＩＳＯの５．２５”
書き換え型光ディスクについて定めた規格）において
は、印加される磁界は６００Ｏｅ以下であるように定め
られている。したがってこの規格を考慮すれば、再生層
膜厚として４０ｎｍ以上が必要であるといえる。
ることで比較的小さな印加磁界で再生を行えることがわ
かる。また、ＩＳ１００８９規格（ＩＳＯの５．２５”
書き換え型光ディスクについて定めた規格）において
は、印加される磁界は６００Ｏｅ以下であるように定め
られている。したがってこの規格を考慮すれば、再生層
膜厚として４０ｎｍ以上が必要であるといえる。
【００２６】また、図５のグラフは記録ビット長さと再
生信号品質（Ｃ／Ｎ）との関係を示すものである。この
実験では、ディスクの線速は５ｍ／ｓｅｃに設定し、記
録周波数を変えて記録を行い、そのＣ／Ｎを測定した。
光ピックアップの半導体レーザの波長は７８０ｎｍ、対
物レンズ開口数Ｎ．Ａ．は０．５５のものを用いた。再
生レーザパワーは２．５ｍＷとし、再生時の印加磁界は
各々のディスクで最適な値を選んだ。図中Ａで示す曲線
が従来の光磁気ディスクの測定結果で、再生レーザパワ
ーは１ｍＷ、また、再生時に磁界は印加しなかった。
生信号品質（Ｃ／Ｎ）との関係を示すものである。この
実験では、ディスクの線速は５ｍ／ｓｅｃに設定し、記
録周波数を変えて記録を行い、そのＣ／Ｎを測定した。
光ピックアップの半導体レーザの波長は７８０ｎｍ、対
物レンズ開口数Ｎ．Ａ．は０．５５のものを用いた。再
生レーザパワーは２．５ｍＷとし、再生時の印加磁界は
各々のディスクで最適な値を選んだ。図中Ａで示す曲線
が従来の光磁気ディスクの測定結果で、再生レーザパワ
ーは１ｍＷ、また、再生時に磁界は印加しなかった。
【００２７】従来の光磁気ディスクは、基板上にＡｌＮ
８０ｎｍ／ＤｙＦｅＣｏ２０ｎｍ／ＡｌＮ２５ｎｍ／Ａ
ｌＮｉ３０ｎｍをこの順に積層し、ＡｌＮｉ上にオーバ
ーコート層を設けた構成をとっている。すなわち従来の
光磁気ディスクは、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅ
Ｃｏ磁性層が１層だけあり、その両側を透明誘電体層か
つ保護層であるＡｌＮで挟み込み、最後に反射膜である
ＡｌＮｉを設けた構造である。
８０ｎｍ／ＤｙＦｅＣｏ２０ｎｍ／ＡｌＮ２５ｎｍ／Ａ
ｌＮｉ３０ｎｍをこの順に積層し、ＡｌＮｉ上にオーバ
ーコート層を設けた構成をとっている。すなわち従来の
光磁気ディスクは、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅ
Ｃｏ磁性層が１層だけあり、その両側を透明誘電体層か
つ保護層であるＡｌＮで挟み込み、最後に反射膜である
ＡｌＮｉを設けた構造である。
【００２８】この構造は反射膜構造と呼ばれ、既に市販
がなされている３．５インチサイズ単板仕様の光磁気デ
ィスクの代表的な構成である。従来の光磁気ディスクに
おいて、記録ビット長さが短い場合にＣ／Ｎが低いの
は、ビット長さが小さくなるにつれ光ビームの照射径の
中に存在するビットの数が増え、ひとつひとつのビット
を識別できなくなるからである。
がなされている３．５インチサイズ単板仕様の光磁気デ
ィスクの代表的な構成である。従来の光磁気ディスクに
おいて、記録ビット長さが短い場合にＣ／Ｎが低いの
は、ビット長さが小さくなるにつれ光ビームの照射径の
中に存在するビットの数が増え、ひとつひとつのビット
を識別できなくなるからである。
【００２９】ピックアップの光学的分解能を表す一つの
指標として、カットオフ空間周波数があり、これは光源
であるレーザの波長と対物レンズの開口数により定まる
ものである。本実験に用いた光ピックアップの波長（７
８０ｎｍ）と開口数の値（０．５）を用いてカットオフ
周波数を求め、これを記録ビット長さに換算すると、 ７８０ｎｍ/(２＊０．５５)/２＝０．３５５μｍ になる。言い換えると、本実験に用いた光ピックアップ
の光学的分解能の限界はビット長さで０．３５５μｍで
ある。上記の従来の光磁気ディスクの測定結果はこれを
反映して、０．３５μｍでのＣ／Ｎがほぼ０になってい
る。
指標として、カットオフ空間周波数があり、これは光源
であるレーザの波長と対物レンズの開口数により定まる
ものである。本実験に用いた光ピックアップの波長（７
８０ｎｍ）と開口数の値（０．５）を用いてカットオフ
周波数を求め、これを記録ビット長さに換算すると、 ７８０ｎｍ/(２＊０．５５)/２＝０．３５５μｍ になる。言い換えると、本実験に用いた光ピックアップ
の光学的分解能の限界はビット長さで０．３５５μｍで
ある。上記の従来の光磁気ディスクの測定結果はこれを
反映して、０．３５μｍでのＣ／Ｎがほぼ０になってい
る。
【００３０】一方、本参考例の光磁気ディスクは再生層
膜厚を適当な値とすれば、光学的分解能である０．３５
５μｍよりも短いビットにおいても従来の光磁気ディス
クに比べて大きなＣ／Ｎの値が得られている。図より明
らかなように再生層膜厚が４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下
のときに従来の光磁気ディスクより優れた信号品質が得
られる。再生層膜厚が４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であ
るならばさらに望ましい。
膜厚を適当な値とすれば、光学的分解能である０．３５
５μｍよりも短いビットにおいても従来の光磁気ディス
クに比べて大きなＣ／Ｎの値が得られている。図より明
らかなように再生層膜厚が４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下
のときに従来の光磁気ディスクより優れた信号品質が得
られる。再生層膜厚が４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であ
るならばさらに望ましい。
【００３１】以上より、再生層膜厚ｈ1を４０ｎｍ以上
にすることにより従来より印加磁界を小さくすることが
でき、さらに、優れた再生信号品質を得るために再生層
膜厚は４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下にする必要があるこ
とがわかる。
にすることにより従来より印加磁界を小さくすることが
でき、さらに、優れた再生信号品質を得るために再生層
膜厚は４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下にする必要があるこ
とがわかる。
【００３２】・参考例２ （５）式より、再生時に必要な印加磁界には室温での界
面の磁壁エネルギσｗの大きさが関係してくることがわ
かる。そこで磁壁エネルギσｗの影響を調べるために、
図６に示すように基板１、透明誘電体層２、再生層３、
中間層４、記録層５、保護層６、及びオーバーコート層
７がこの順に積層された構成の光磁気ディスクを作製し
た。
面の磁壁エネルギσｗの大きさが関係してくることがわ
かる。そこで磁壁エネルギσｗの影響を調べるために、
図６に示すように基板１、透明誘電体層２、再生層３、
中間層４、記録層５、保護層６、及びオーバーコート層
７がこの順に積層された構成の光磁気ディスクを作製し
た。
【００３３】再生層３には、補償温度が１８０℃、キュ
リー温度が３３０℃であるＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金属
合金層を用い、膜厚は５０ｎｍとした。記録層５には、
補償温度が室温で、キュリー温度が２４０℃であるＤｙ
ＦｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍ
とした。ＡｌＮ誘電体膜２の膜厚は７０ｎｍ、ＡｌＮ誘
電体膜６の膜厚は５０ｎｍである。中間層にはＧｄＦｅ
Ｃｏ膜を２０ｎｍ挿入し、この中間層の垂直磁気異方性
エネルギ（Ｋｕ）の大きさを変化させることで、再生層
／記録層間の磁壁エネルギσｗ（室温）を変化させたデ
ィスクを用意した。表２に磁壁エネルギσｗ（室温）の
値とビット長さ０．５μｍでのＣ／Ｎ及び再生時の最適
の印加磁界を示す。測定は、参考例１と同様の方法を用
いておこなった。
リー温度が３３０℃であるＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金属
合金層を用い、膜厚は５０ｎｍとした。記録層５には、
補償温度が室温で、キュリー温度が２４０℃であるＤｙ
ＦｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍ
とした。ＡｌＮ誘電体膜２の膜厚は７０ｎｍ、ＡｌＮ誘
電体膜６の膜厚は５０ｎｍである。中間層にはＧｄＦｅ
Ｃｏ膜を２０ｎｍ挿入し、この中間層の垂直磁気異方性
エネルギ（Ｋｕ）の大きさを変化させることで、再生層
／記録層間の磁壁エネルギσｗ（室温）を変化させたデ
ィスクを用意した。表２に磁壁エネルギσｗ（室温）の
値とビット長さ０．５μｍでのＣ／Ｎ及び再生時の最適
の印加磁界を示す。測定は、参考例１と同様の方法を用
いておこなった。
【００３４】
【表２】
【００３５】表２より、磁壁エネルギσｗが１．０×１
０-4≦σｗ(室温)≦１．０×１０-3(Ｊ/ｍ2)のとき、最
適な印加磁界が６００Ｏｅ以下と従来よりも小さくな
り、かつ通常の光磁気ディスクよりもＣ／Ｎの値が大き
く（即ち、分解能が向上した）なった。σｗ(室温)≦８
×１０-5(Ｊ/ｍ2)のときは分解能が向上せず、２×１０
-3(Ｊ/ｍ2)≦σｗ(室温)のときは最適な印加磁界が６０
０Ｏｅより大きくなる。したがって、印加する外部磁界
を小さくすることができ、かつＣ／Ｎの大きな値を得る
には、磁壁エネルギσｗが１．０×１０-4≦σｗ（室
温）≦１．０×１０-3（Ｊ／ｍ）の条件を満たす必要が
あることがわかる。
０-4≦σｗ(室温)≦１．０×１０-3(Ｊ/ｍ2)のとき、最
適な印加磁界が６００Ｏｅ以下と従来よりも小さくな
り、かつ通常の光磁気ディスクよりもＣ／Ｎの値が大き
く（即ち、分解能が向上した）なった。σｗ(室温)≦８
×１０-5(Ｊ/ｍ2)のときは分解能が向上せず、２×１０
-3(Ｊ/ｍ2)≦σｗ(室温)のときは最適な印加磁界が６０
０Ｏｅより大きくなる。したがって、印加する外部磁界
を小さくすることができ、かつＣ／Ｎの大きな値を得る
には、磁壁エネルギσｗが１．０×１０-4≦σｗ（室
温）≦１．０×１０-3（Ｊ／ｍ）の条件を満たす必要が
あることがわかる。
【００３６】・参考例３ 続いて、再生層の室温での飽和磁化が再生に必要な印加
磁界に与える影響を調べるために図６に示す構成のディ
スクを作製した。再生層３には、ＹＧｄＦｅＣｏ希土類
遷移金属合金層を用いた。ＹＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金
属合金層は補償温度が１８０℃で、膜厚は５０ｎｍであ
る。 組成はＹＧｄＦｅＣｏとし非磁性希土類金属であ
るＹを添加することで、補償温度を変化させずに室温で
の飽和磁化を変化させた。中間層４にはＧｄＦｅＣｏ膜
を２０ｎｍ挿入し、再生層／記録層間の磁壁エネルギσ
ｗ（室温）は４×１０-4(Ｊ/ｍ2)とした。記録層５には
補償温度が室温で、キュリー温度が２４０℃であるＤｙ
ＦｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍ
とした。ＡｌＮ誘電体膜２の膜厚は７０ｎｍ、ＡｌＮ誘
電体膜６の膜厚は５０ｎｍとした。図７はＹx（ＧｄＦ
ｅＣｏ）1-xの、ｘの値と室温での飽和磁化の関係をプ
ロットしたものである。表３に再生層の室温での飽和磁
化の値と、０．５μｍ長でのＣ／Ｎ及び再生時の最適の
印加磁界を示す。測定は、参考例１で述べたものと同様
の方法を用いた。
磁界に与える影響を調べるために図６に示す構成のディ
スクを作製した。再生層３には、ＹＧｄＦｅＣｏ希土類
遷移金属合金層を用いた。ＹＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金
属合金層は補償温度が１８０℃で、膜厚は５０ｎｍであ
る。 組成はＹＧｄＦｅＣｏとし非磁性希土類金属であ
るＹを添加することで、補償温度を変化させずに室温で
の飽和磁化を変化させた。中間層４にはＧｄＦｅＣｏ膜
を２０ｎｍ挿入し、再生層／記録層間の磁壁エネルギσ
ｗ（室温）は４×１０-4(Ｊ/ｍ2)とした。記録層５には
補償温度が室温で、キュリー温度が２４０℃であるＤｙ
ＦｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍ
とした。ＡｌＮ誘電体膜２の膜厚は７０ｎｍ、ＡｌＮ誘
電体膜６の膜厚は５０ｎｍとした。図７はＹx（ＧｄＦ
ｅＣｏ）1-xの、ｘの値と室温での飽和磁化の関係をプ
ロットしたものである。表３に再生層の室温での飽和磁
化の値と、０．５μｍ長でのＣ／Ｎ及び再生時の最適の
印加磁界を示す。測定は、参考例１で述べたものと同様
の方法を用いた。
【００３７】
【表３】
【００３８】表３より、再生層の室温での飽和磁化が
０．２（Ｔ）以下となると、最適な印加磁界が減少する
効果があることがわかる。Ｃ／Ｎの値が再生層の飽和磁
化の減少とともに小さくなるのはＹ添加量を多くすると
キュリー温度が下がるためである。したがって、室温に
おける再生層の飽和磁化ＭｓがＭｓ1≦０．２（Ｔ）の
条件を満たすことにより、印加する磁界をより小さくす
ることができる。
０．２（Ｔ）以下となると、最適な印加磁界が減少する
効果があることがわかる。Ｃ／Ｎの値が再生層の飽和磁
化の減少とともに小さくなるのはＹ添加量を多くすると
キュリー温度が下がるためである。したがって、室温に
おける再生層の飽和磁化ＭｓがＭｓ1≦０．２（Ｔ）の
条件を満たすことにより、印加する磁界をより小さくす
ることができる。
【００３９】・実施例１ 記録層の室温での飽和磁化が再生に必要な磁界に与える
影響を調べるために図６に示すディスクを作製した。再
生層３には、補償温度が１８０℃で、キュリー温度が３
３０℃であるＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用
い、膜厚は５０ｎｍとした。中間層４には膜厚２０ｎｍ
のＧｄＦｅＣｏ膜を挿入し、再生層／記録層間の磁壁エ
ネルギσｗ（室温）を４×１０-4（Ｊ／ｍ2）とした。
記録層５には膜厚５０ｎｍのＤｙＦｅＣｏ希土類遷移金
属合金層を用い、Ｄｙ濃度を変化させることで室温での
記録層の飽和磁化を変化させた。ＡｌＮ誘電体膜２の膜
厚は７０ｎｍ、ＡｌＮ誘電体膜６は５０ｎｍとした。
影響を調べるために図６に示すディスクを作製した。再
生層３には、補償温度が１８０℃で、キュリー温度が３
３０℃であるＧｄＦｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用
い、膜厚は５０ｎｍとした。中間層４には膜厚２０ｎｍ
のＧｄＦｅＣｏ膜を挿入し、再生層／記録層間の磁壁エ
ネルギσｗ（室温）を４×１０-4（Ｊ／ｍ2）とした。
記録層５には膜厚５０ｎｍのＤｙＦｅＣｏ希土類遷移金
属合金層を用い、Ｄｙ濃度を変化させることで室温での
記録層の飽和磁化を変化させた。ＡｌＮ誘電体膜２の膜
厚は７０ｎｍ、ＡｌＮ誘電体膜６は５０ｎｍとした。
【００４０】図８はＤｙx（ＦｅＣｏ）1-xで表されるＤ
ｙＦｅＣｏ希土類遷移金属の、ｘの値と室温での飽和磁
化の関係をプロットしたものである。図８によれば、ｘ
＞０．２３のとき希土類金属副格子磁化が遷移金属副格
子磁化に対して優勢となり、ｘ＜０．２３のとき遷移金
属副格子磁化の方が優勢となる。
ｙＦｅＣｏ希土類遷移金属の、ｘの値と室温での飽和磁
化の関係をプロットしたものである。図８によれば、ｘ
＞０．２３のとき希土類金属副格子磁化が遷移金属副格
子磁化に対して優勢となり、ｘ＜０．２３のとき遷移金
属副格子磁化の方が優勢となる。
【００４１】表４に記録層の室温での飽和磁化の値と、
優勢な副格子磁化の種類、０．５μｍ長でのＣ／Ｎの
値、及び再生時の最適の印加磁界の値を示す。測定は、
参考例１で述べたものと同様の方法を用いた。
優勢な副格子磁化の種類、０．５μｍ長でのＣ／Ｎの
値、及び再生時の最適の印加磁界の値を示す。測定は、
参考例１で述べたものと同様の方法を用いた。
【００４２】
【表４】
【００４３】表４より、室温において遷移金属副格子磁
化が希土類金属副格子磁化よりも優勢であり、かつ室温
での飽和磁化の値が０．０６（Ｔ）以上となるとき、最
適な印加磁界が減少していることがわかる。飽和磁化の
値が０．１５（Ｔ）以上でＣ／Ｎ値が小さくなるのは、
記録層のキュリー温度付近でカーヒステリシスループの
角形が劣化するためである。
化が希土類金属副格子磁化よりも優勢であり、かつ室温
での飽和磁化の値が０．０６（Ｔ）以上となるとき、最
適な印加磁界が減少していることがわかる。飽和磁化の
値が０．１５（Ｔ）以上でＣ／Ｎ値が小さくなるのは、
記録層のキュリー温度付近でカーヒステリシスループの
角形が劣化するためである。
【００４４】以上より、室温において記録層の遷移金属
副格子磁化が希土類金属副格子磁化よりも優勢となる組
成であり、かつ室温での記録層の飽和磁化が０．０６
（Ｔ）以上であるとき、印加する磁界をより小さくでき
ることがわかる。
副格子磁化が希土類金属副格子磁化よりも優勢となる組
成であり、かつ室温での記録層の飽和磁化が０．０６
（Ｔ）以上であるとき、印加する磁界をより小さくでき
ることがわかる。
【００４５】・実施例２ 参考例３、実施例１ で述べたように、記録層、再生層の
室温での飽和磁化の値は再生に必要な磁界に影響を及ぼ
す。そこで記録層、再生層の室温での飽和磁化の値を同
時に変化させたときの影響を調べるために図６に示すデ
ィスクを作製した。再生層３には補償温度が１８０℃
で、室温での飽和磁化が０．１６（Ｔ）であるＹＧｄＦ
ｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍと
した。中間層４にはＧｄＦｅＣｏ膜を２０ｎｍ挿入し、
再生層／記録層間の磁壁エネルギσｗ（室温）は４×１
０-4（Ｊ／ｍ2）とした。記録層５にはＤｙＦｅＣｏ希
土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍ、室温では
遷移金属副格子磁化が優勢で、飽和磁化は０．１１
（Ｔ）とした。ＡｌＮ誘電体膜２の膜厚は７０ｎｍ、Ａ
ｌＮ誘電体膜６の膜厚は５０ｎｍである。
室温での飽和磁化の値は再生に必要な磁界に影響を及ぼ
す。そこで記録層、再生層の室温での飽和磁化の値を同
時に変化させたときの影響を調べるために図６に示すデ
ィスクを作製した。再生層３には補償温度が１８０℃
で、室温での飽和磁化が０．１６（Ｔ）であるＹＧｄＦ
ｅＣｏ希土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍと
した。中間層４にはＧｄＦｅＣｏ膜を２０ｎｍ挿入し、
再生層／記録層間の磁壁エネルギσｗ（室温）は４×１
０-4（Ｊ／ｍ2）とした。記録層５にはＤｙＦｅＣｏ希
土類遷移金属合金層を用い、膜厚は５０ｎｍ、室温では
遷移金属副格子磁化が優勢で、飽和磁化は０．１１
（Ｔ）とした。ＡｌＮ誘電体膜２の膜厚は７０ｎｍ、Ａ
ｌＮ誘電体膜６の膜厚は５０ｎｍである。
【００４６】表５に０．５μｍ長でのＣ／Ｎの値、及び
再生時の最適の印加磁界の値を示す。測定は参考例１で
述べたものと同様の方法を用いておこなった。
再生時の最適の印加磁界の値を示す。測定は参考例１で
述べたものと同様の方法を用いておこなった。
【００４７】
【表５】
【００４８】表５より、上記の条件で最適な印加磁界は
１５０Ｏｅとなり、前述の参考例１、２、３、実施例１
と比較して最も小さなものとなった。また、Ｃ／Ｎ値も
大きな値が得られており、参考例３及び実施例１に示し
た再生層３の室温での飽和磁化及び記録層５の飽和磁化
の条件を同時に満たすことにより、さらに印加する磁界
を小さくできることがわかる。
１５０Ｏｅとなり、前述の参考例１、２、３、実施例１
と比較して最も小さなものとなった。また、Ｃ／Ｎ値も
大きな値が得られており、参考例３及び実施例１に示し
た再生層３の室温での飽和磁化及び記録層５の飽和磁化
の条件を同時に満たすことにより、さらに印加する磁界
を小さくできることがわかる。
【００４９】以上の実施例において、再生層、中間層お
よび記録層の組成、膜厚、合金の種類等は、ここに挙げ
た例に限定されるものではない。希土類遷移金属合金
は、希土類と遷移金属の比率を変えれば保磁力や磁化の
大きさ、界面での磁壁エネルギが大きく変わる材料系で
あるので、上記ＧｄＦｅＣｏ、ＹＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏの比率を変えればこれに伴って上述の補償温度、
磁壁エネルギ、飽和磁化も変化する。また、希土類遷移
金属合金は希土類と遷移金属の比率を変えれば希土類と
遷移金属の磁化が釣り合う補償温度が変わる材料である
ことから、再生層に用いたＧｄＦｅＣｏやＹＧｄＦｅＣ
ｏに替えてＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
Ｃｏ等を使用することが可能であり、また、記録層に用
いたＤｙＦｅＣｏに替えてＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦ
ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦ
ｅＣｏ等を使用することも可能である。再生層に用いた
ＹＧｄＦｅＣｏは、飽和磁化を調整するためにＹを添加
しているが、Ｙ以外の非磁性金属やＮｉもまた希土類遷
移金属合金に添加された場合飽和磁化を下げる効果があ
るので、Ｙに換えて添加することも可能である。中間層
のＧｄＦｅＣｏには、他の希土類遷移金属合金やそれに
添加元素を加えたものを使用することも可能である。
また、膜厚方向に組成を連続的に変化させて、 見かけ
上磁気２重層とした磁気多重層で界面の磁壁エネルギを
調整することも可能である。
よび記録層の組成、膜厚、合金の種類等は、ここに挙げ
た例に限定されるものではない。希土類遷移金属合金
は、希土類と遷移金属の比率を変えれば保磁力や磁化の
大きさ、界面での磁壁エネルギが大きく変わる材料系で
あるので、上記ＧｄＦｅＣｏ、ＹＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏの比率を変えればこれに伴って上述の補償温度、
磁壁エネルギ、飽和磁化も変化する。また、希土類遷移
金属合金は希土類と遷移金属の比率を変えれば希土類と
遷移金属の磁化が釣り合う補償温度が変わる材料である
ことから、再生層に用いたＧｄＦｅＣｏやＹＧｄＦｅＣ
ｏに替えてＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
Ｃｏ等を使用することが可能であり、また、記録層に用
いたＤｙＦｅＣｏに替えてＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦ
ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦ
ｅＣｏ等を使用することも可能である。再生層に用いた
ＹＧｄＦｅＣｏは、飽和磁化を調整するためにＹを添加
しているが、Ｙ以外の非磁性金属やＮｉもまた希土類遷
移金属合金に添加された場合飽和磁化を下げる効果があ
るので、Ｙに換えて添加することも可能である。中間層
のＧｄＦｅＣｏには、他の希土類遷移金属合金やそれに
添加元素を加えたものを使用することも可能である。
また、膜厚方向に組成を連続的に変化させて、 見かけ
上磁気２重層とした磁気多重層で界面の磁壁エネルギを
調整することも可能である。
【００５０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、以上のよう
に、再生時に必要な磁界の大きさを小さくすることがで
きる。これにより記録再生装置の省電力化が実現でき、
また、用いる磁界発生装置も電磁石と小型であることか
ら、装置全体の小型化も実現することができる。
に、再生時に必要な磁界の大きさを小さくすることがで
きる。これにより記録再生装置の省電力化が実現でき、
また、用いる磁界発生装置も電磁石と小型であることか
ら、装置全体の小型化も実現することができる。
【図１】参考例１の光磁気記録媒体の構成及び再生動作
を説明する模式図である。
を説明する模式図である。
【図２】参考例１で用いた試料の断面図である。
【図３】図２に示す光磁気記録媒体における磁気２重層
の再生層側からみた室温でのカーヒステリシスループを
示す図である。
の再生層側からみた室温でのカーヒステリシスループを
示す図である。
【図４】図２に示す光磁気記録媒体における磁気２重層
の再生層側からみた160℃でのカーヒステリシスループ
を示す図である。
の再生層側からみた160℃でのカーヒステリシスループ
を示す図である。
【図５】参考例１に係るＣ／Ｎ値とビット長さとの関係
を再生層の厚みを変えて測定した結果を表す図である。
を再生層の厚みを変えて測定した結果を表す図である。
【図６】参考例２、３、実施例１、２で用いた磁気三重
層を有する光磁気記録媒体の断面図である。
層を有する光磁気記録媒体の断面図である。
【図７】参考例３に係る再生層へのＹ添加量と室温での
飽和磁化の関係を表すグラフである。
飽和磁化の関係を表すグラフである。
【図８】実施例１に係る記録層の組成と室温での飽和磁
化の関係を表すグラフである。
化の関係を表すグラフである。
１ 基板 ２ 透明誘電体層 ３ 再生層 ４ 中間層 ５ 記録層 ６ 保護層 ７ オーバーコート層 ２１ 光ビーム ２２ レンズ ２３ 外部磁界発生装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−305835（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−355238（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−258372（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−259827（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (2)
- 【請求項１】 光磁気記録した情報を読み出すための垂
直磁気異方性をもち、１８０℃に補償温度を有する希土
類遷移金属合金からなる磁性層である再生層と、情報を
光磁気記録するための垂直磁気異方性をもち、室温で遷
移金属副格子磁化が希土類金属副格子磁化より優勢であ
る組成の希土類遷移金属合金からなる磁性層である記録
層とを含む磁気多重層を有し、前記再生層の厚みを
ｈ1、室温(ｔａ)における保磁力をＨｃ1(ｔａ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔａ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ
ａ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギ
をσｗ(ｔａ)、室温以上の所定温度(ｔｍ)以上の温度
(ｔ)における前記再生層の保磁力をＨｃ1(ｔ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ)、再
生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギをσｗ
(ｔ)とするとき、 Ｈｃ1(ｔａ)+σｗ(ｔａ)/２Ｍｓ1(ｔａ)ｈ1 ＜-Ｈｃ1(ｔ)+σｗ(ｔ)/２Ｍｓ1(ｔ)ｈ1 ４０ｎｍ≦ｈ1≦１２０ｎｍ １×１０-4≦σｗ(ｔａ)≦１×１０-3(Ｊ／ｍ2) ０．０６（Ｔ）≦Ｍｓ2(ｔａ)≦０．２(Ｔ) を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 光磁気記録した情報を読み出すための垂
直磁気異方性をもち、１８０℃に補償温度を有する希土
類遷移金属合金からなる磁性層である再生層と、情報を
光磁気記録するための垂直磁気異方性をもち、室温で遷
移金属副格子磁化が希土類金属副格子磁化より優勢であ
る組成の希土類遷移金属合金からなる磁性層である記録
層とを含む磁気多重層を有し、前記再生層の厚みを
ｈ1、室温(ｔａ)における保磁力をＨｃ1(ｔａ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔａ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ
ａ)、再生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギ
をσｗ(ｔａ)、室温以上の所定温度(ｔｍ)以上の温度
(ｔ)における前記再生層の保磁力をＨｃ1(ｔ)、飽和磁
化をＭｓ1(ｔ)、前記記録層の飽和磁化をＭｓ2(ｔ)、再
生層と記録層の間にできる磁壁の磁壁エネルギをσｗ
(ｔ)とするとき、 Ｈｃ1(ｔａ)+σｗ(ｔａ)/２Ｍｓ1(ｔａ)ｈ1 ＜-Ｈｃ1(ｔ)+σｗ(ｔ)/２Ｍｓ1(ｔ)ｈ1 ４０ｎｍ≦ｈ1≦１２０ｎｍ １×１０-4≦σｗ(ｔａ)≦１×１０-3(Ｊ／ｍ2) ０．０７（Ｔ）≦Ｍｓ1(ｔａ)≦０．２(Ｔ) ０．０６（Ｔ）≦Ｍｓ2(ｔａ)≦０．２(Ｔ) を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03191195A JP3208275B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 光磁気記録媒体 |
| US08/588,629 US5657299A (en) | 1995-02-21 | 1996-01-19 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03191195A JP3208275B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227540A JPH08227540A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3208275B2 true JP3208275B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=12344171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03191195A Expired - Fee Related JP3208275B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5657299A (ja) |
| JP (1) | JP3208275B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0927151A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-28 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体およびその再生方法 |
| US6144745A (en) * | 1997-04-07 | 2000-11-07 | Fujitsu Limited | Method of and apparatus for retaining and verifying of data on recording medium |
| US6579635B2 (en) | 2000-10-12 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Smoothing and stabilization of domain walls in perpendicularly polarized magnetic films |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458987A (en) * | 1985-06-11 | 1995-10-17 | Nikon Corporation | Multilayered magnetooptical recording medium |
| DE3914121A1 (de) * | 1988-04-28 | 1989-11-16 | Nikon Corp | Ueberschreibbarer magnetooptischer aufzeichnungstraeger |
| US5163031A (en) * | 1988-12-07 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording tetra-value signal on magneto-optical recording medium with plural magnetic layers |
| JP3038735B2 (ja) * | 1989-11-01 | 2000-05-08 | 株式会社ニコン | オーバライト可能な光磁気記録媒体及び前処理方法 |
| JPH06259827A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体および光磁気再生装置 |
| US5596555A (en) * | 1993-07-29 | 1997-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium having magnetic layers that satisfy predetermined coercive force relationships, and recording/reproduction method for the medium |
| JPH07169123A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Nikon Corp | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP03191195A patent/JP3208275B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-01-19 US US08/588,629 patent/US5657299A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5657299A (en) | 1997-08-12 |
| JPH08227540A (ja) | 1996-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2910250B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2986622B2 (ja) | 光磁気メモリー素子およびその記録再生方法 | |
| US5265073A (en) | Overwritable magneto-optical recording medium having two-layer magnetic films wherein one of the films contains one or more of Cu, Ag, Ti, Mn, B, Pt, Si, Ge, Cr and Al, and a method of recording on the same | |
| JP3164975B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 | |
| JP3208275B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5989705A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| EP0668585B1 (en) | Information recording method and system using a magneto-optical medium | |
| US5757734A (en) | Magneto-optical recording medium and method for reproducing from same | |
| JP3108397B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5547773A (en) | Magnetooptic recording medium | |
| JP4267323B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5529854A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| US6118736A (en) | Magneto-optical recording medium having a reading layer in which transferred recording marks are extended | |
| EP0658891B1 (en) | Magneto-optical recording medium and method of reproducing magneto-optical information using thereof | |
| JP3381960B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3243126B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2910287B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3074104B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2002170292A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH01140446A (ja) | 光磁気記憶媒体 | |
| JPH08180485A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08124229A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0836793A (ja) | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録情報の再生方法 | |
| JPH08241544A (ja) | 光磁気媒体 | |
| JPH07176089A (ja) | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録情報の再生方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |