JP3172051B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録、
再生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光カー
ド等に用いられる光磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光磁気記録媒体を含め、光メモリ
素子における記録密度を向上させる技術の開発が進めら
れている。

【０００３】一般に、光磁気記録媒体の記録密度は、記
録、再生に使用される光ビームの径の記録媒体上におけ
る大きさに依存する。つまり、記録ビットの径および記
録ビットの間隔が、光ビームの径の大きさに比べて小さ
くなると、光ビームの径内に複数の記録ビットが入るた
め、各記録ビットを分離して再生することができなくな
る。記録密度を向上させるために光ビームの径の大きさ
を小さくするには、レーザ光の波長を短くすることが有
効であるが、現在市販されている半導体レーザは６８０
ｎｍのものが最短であり、より短波長を有する半導体レ
ーザは、いまだ開発途上にある。そこで、現行の半導体
レーザを用いて、光ビームの径の大きさよりも小さい記
録ビットを再生する方法が研究されてきた。

【０００４】これに対し、本願出願人は、先に出願した
特開平５−８１７１７号において、基本的には、室温で
面内磁化、所定温度以上で垂直磁化となる特性を示す第
１磁性層と、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特
性を示す第２磁性層とから構成されている光磁気記録媒
体を提案している。

【０００５】上記の光磁気記録媒体では、記録時に、ま
ず、第１磁性層に対して、光ビームが照射される。する
と照射された部位の温度分布はガウス分布になるので、
光ビームの径より小さい領域のみが温度上昇する。温度
上昇に伴って、第１磁性層の温度上昇部位の磁化は、面
内磁化から垂直磁化に移行する。このとき、記録磁界が
印加されていると、上記照射部位は記録磁界の向きに従
う。

【０００６】そして、冷却過程において、第１磁性層お
よび第２磁性層の２層間に作用する交換結合力により、
第１磁性層の磁化の向きが第２磁性層に転写される。こ
れにより、情報を第２磁性層の所望の部位に記録でき
る。

【０００７】また、上記の光磁気記録媒体では、再生時
に、第１磁性層に光ビームが照射されると、照射された
部位の温度分布はガウス分布になるので、光ビームの径
より小さい領域のみの温度が上昇する。この温度上昇に
伴って、温度上昇部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化
に移行する。つまり、第１磁性層と第２磁性層の２層間
の交換結合力により、第２磁性層の磁化の向きが第１磁
性層に転写される。温度上昇部位が面内磁化から垂直磁
化に移行すると、温度上昇部位のみが磁気光学効果を示
すようになり、温度上昇部位からの反射光に基づいて第
２磁性層に記録された情報が再生される。

【０００８】そして、光ビームが移動して次の記録ビッ
トを再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂
直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温
度の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、第２
磁性層に記録された磁化は第１磁性層の面内磁化にマス
クされて再生されなくなる。これにより、雑音の原因で
ある隣接ビットからの信号が混入することがなくなる。
このように、所定温度以上の温度を有する領域のみを再
生に関与させるので、光ビームの径より小さい記録ビッ
トの再生が行え、記録密度は著しく向上することにな
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、光ビームの径より小さい記録ビットの再
生が行え、記録密度は著しく向上することになるもの
の、第１磁性層と第２磁性層の二層間の交換結合が強い
ので、記録に必要な記録磁界が大きくなるという問題点
を有している。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の請求項１に記載の光磁気記録媒体は、重
希土類金属−遷移金属合金系磁性材料からそれぞれなる
記録層と読み出し層とが相互に積層され、上記の記録層
は、室温からキュリー点まで垂直磁化となる特性を示す
一方、読み出し層は、室温で面内磁化、所定温度以上で
垂直磁化となる特性を示し、光ビームを照射すると共に
記録磁界を印加することで、記録層に記録磁界の向きに
応じた情報が記録される光磁気記録媒体において、上記
記録層に、非磁性希土類金属が添加されていることを特
徴としている。また、本発明の請求項２に記載の光磁気
記録媒体は、請求項１記載の光磁気記録媒体において、
上記読み出し層にも、非磁性希土類金属が添加されてい
ることを特徴としている。また、本発明の請求項３に記
載の光磁気記録媒体は、請求項１または２記載の光磁気
記録媒体において、上記非磁性希土類金属はイットリウ
ムであることを特徴としている。

【００１１】

【作用】請求項１の構成によれば、上記記録層へ非磁性
希土類金属が添加されているため、読み出し層と記録層
との間の界面磁壁エネルギーが小さくなり、上記二層間
の交換結合力が小さくなる。これにより、記録磁界を低
減することができる。請求項２の構成によれば、上記読
み出し層にも、非磁性希土類金属を添加したことによ
り、読み出し層と記録層との間の界面磁壁エネルギーが
さらに小さくなり、上記二層間の交換結合力がさらに小
さくなる。これにより、記録磁界をさらに低減すること
ができる。

【００１２】

【実施例】〔試作例１〕 本発明の各実施例を説明するための一試作例について図
１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。本試作例に係る光磁気ディスク（光磁気記録媒体）
は、図１に示すように、透光性基板１上に、透光性を有
する誘電体層２と、読み出し層３と、記録層４と、保護
層５とを順次形成した構成になっている。さらに、普通
は、光磁気ディスクの保護のために、オーバーコート層
６が形成されている。

【００１３】図２に、上記の読み出し層３の磁気状態図
を示す。縦軸は温度を示し、横軸は、合金中で希土類金
属の占める割合（図中ではＲＥと記す）を示している。
この読み出し層３は、希土類遷移金属合金からなり、希
土類金属と遷移金属の磁気モーメントが釣り合う補償温
度（Ｔ_comp）の近辺（図中、斜線で示される領域）では
垂直磁化を示し、そのキュリー温度（Ｔ_c1とする）以下
のそれ以外の領域では面内磁化を示す。

【００１４】また、希土類金属と遷移金属の磁気モーメ
ントの温度特性は異なり、高温では遷移金属の磁気モー
メントが希土類金属のそれに比べて大きくなる。このた
め、上記読み出し層３として、補償温度Ｔ_compが室温と
なるときの組成よりも希土類金属の量を多くした組成
（図中、Ｐで示される組成）の合金を用いる。この組成
の合金は、室温では希土類金属の磁気モーメントが遷移
金属の磁気モーメントよりも大きいので、面内磁化を示
し、所定温度以上になると、遷移金属の磁気モーメント
が、室温時の値よりも相対的に大きくなり、希土類金属
の磁気モーメントと釣り合うようになって、垂直磁化を
示すようになる。さらに昇温すると、遷移金属の磁気モ
ーメントが希土類金属の磁気モーメントよりも相対的に
大きくなり、面内磁化を示すようになる。すなわち、同
図において、室温からＴ₁ までの温度では面内磁化を、
Ｔ₁ からＴ₃ までの温度では垂直磁化を、Ｔ₃ からＴ_c1
までの温度では面内磁化をそれぞれ示す。

【００１５】ここで、遷移金属の磁気モーメントが希土
類金属の磁気モーメントより大きいことを遷移金属リッ
チと称し、逆に、希土類金属の磁気モーメントが遷移金
属の磁気モーメントより大きいことを希土類金属リッチ
と称する。これによれば、読み出し層３は室温からＴ₁
までの温度では希土類金属リッチであり、上記所定温度
よりさらに昇温したＴ₃ からＴ_c1までの温度では遷移金
属リッチである。

【００１６】記録層４は、希土類遷移金属合金からな
り、その希土類金属として、大量の重希土類金属および
微量の軽希土類金属を含んでいる。そして、室温から記
録層４のキュリー温度（Ｔ_c2とする）まで垂直磁化とな
る特性を示す。また、室温からＴ_c2まで遷移金属リッチ
であり、室温からＴ_c2まで飽和磁化の向きが遷移金属の
磁気モーメントと一致している。

【００１７】次に、本光磁気ディスクを用いた記録動作
について説明する。まず、読み出し層３に対して、光ビ
ームが照射される。すると照射された部位の温度分布は
ガウス分布になるので、光ビームの径より小さい領域の
みが温度上昇する。

【００１８】この温度上昇に伴って、読み出し層３の温
度上昇部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行す
る。このとき、記録磁界が印加されていると、上記照射
部位は記録磁界の向きに従う。そして、冷却過程におい
て、読み出し層３および記録層４の２層間に作用する交
換結合力により、読み出し層３の磁化の向きが記録層４
に転写される。これにより、情報を記録層の所望の部位
に記録できる。

【００１９】次に、本光磁気ディスクを用いた再生動作
について説明する。上記の構成によれば、再生動作時
に、基板１の側から集光レンズを介して再生光ビームが
読み出し層３に照射されると、再生光ビームの中心部近
傍に対応する読み出し層３の部位の温度が上昇し、Ｔ₁
に達する。これは、再生光ビームが集光レンズにより回
折限界まで絞り込まれ、その光強度分布はガウス分布と
なり、読み出し層３の温度分布もほぼガウス分布となる
ためであり、Ｔ₁ 以上の温度を有する領域は、再生光ビ
ームの径（照射範囲）よりも小さくなっている。

【００２０】このとき、例えば図１に示す磁化の向きに
記録層４が記録されているとすると、読み出し層３と記
録層４の二層間の交換結合力により、記録層４の磁化の
向きが読み出し層３に転写される。

【００２１】再生光ビームの中心部近傍に対応する読み
出し層３の温度がＴ₁ になった部位では、垂直磁化とな
り、磁気光学カー効果を示し、再生光ビームの中心部近
傍に対応する以外の読み出し層３の部位では、温度上昇
が生じず、面内磁化となり、磁気光学カー効果を殆ど示
さない。Ｔ₁ 以上の温度を有する領域のみを再生に関与
させるので、再生光ビームの径より小さい記録ビットの
再生が行え、記録密度は著しく向上することになる。

【００２２】さらに、本試作例の光磁気ディスクにおい
ては、記録層４に軽希土類金属が添加されているので、
読み出し層３と記録層４との間の界面磁壁エネルギーが
小さくなり、上記二層間の交換結合力が小さくなる。こ
れにより、記録層４に記録するのに必要な磁界である記
録磁界を低減することができる。

【００２３】以下に、本試作例の光磁気ディスクの一例
としてサンプル♯１を示す。透光性の基板１は、外径８
６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ1.２ｍｍの円盤状のガラス
からなっている。基板１の片側の表面には、図示してい
ないが、光ビーム案内用の凸凹状のガイドトラックが反
応性イオンエッチング法により直接形成されている。ト
ラックピッチは1.６μｍ、グルーブ（凹部）の幅は0.８
μｍ、ランド（凸部）の幅は0.８μｍであり、反応性イ
オンエッチング法により、ガラスに直接形成された。

【００２４】この基板１のガイドトラックが形成されて
いる側の面上に、反応性スパッタリングにより、膜厚８
０ｎｍのAlＮからなる誘電体層２と、Gd、Fe、Coターゲ
ットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのGdFeCo
からなる読み出し層３と、NdDy、Fe、Coターゲットの同
時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのNdDyFeCoからな
る記録層４と、膜厚８０ｎｍのAlＮからなる保護層５と
を積層した。

【００２５】読み出し層３と記録層４との各成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.０×１０^-4Ｐａ以
下、Arガス圧6.５×１０^-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであ
り、誘電体層２および保護層５の各成膜時のスパッタリ
ング条件は、到達真空度2.０×１０^-4Ｐａ以下、Ｎ₂ ガ
ス圧3.０×１０^-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。

【００２６】さらに、保護層５の上にアクリレート系紫
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート層６を形成した。

【００２７】読み出し層３は、希土類金属リッチ、キュ
リー温度Ｔ_c1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃
で垂直磁化となる特性を示し、記録層４は、遷移金属リ
ッチ、Ｔ_c2＝２００℃、室温での保磁力Ｈ_c2＝１２０ｋ
Ａ／ｍである。

【００２８】サンプル♯１の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定した。

【００２９】測定結果は、図３に示すように、Ｐ_r ＝２
〜3.５ｍＷの範囲でＣ／Ｎが最大となっており、このレ
ーザパワーで、読み出し層３の温度がＴ₁ 以上になり、
垂直磁化で磁気光学カー効果を示している。一方、Ｐ_r
＝２ｍＷ以下では、読み出し層３の温度がＴ₁ 以下にな
り、面内磁化で磁気光学カー効果を示しにくいことがわ
かる。

【００３０】次に、サンプル♯１の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、以下に示す比較用のサ
ンプルと比較した。

【００３１】比較用のサンプルの構成を図５に示す。透
光性の基板１、誘電体層２、保護層５、オーバーコート
層６は、サンプル♯１と同じである。読み出し層１０３
は、Gd、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングによる
膜厚５０ｎｍのGdFeCoであり、希土類金属リッチ、キュ
リー温度Ｔ_C1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃
で垂直磁化となる特性を示し、記録層１０４は、Dy、F
e、Coターゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０
ｎｍのDyFeCoであり、遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ
_C2＝２００℃、室温での保磁力（Ｈ_C2）＝１２０ｋＡ／
ｍである。

【００３２】測定結果を図４に示すが、図中、破線にて
示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和する
ときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図中、
実線にて示されるように、本試作例のサンプル♯１のＣ
／Ｎが飽和するときのＨ_W の値は３２ｋＡ／ｍである。
これにより、本試作例の光磁気ディスクにおいては、良
好なＣ／Ｎを得るのに必要な記録磁界が大きく減少して
いることがわかる。

【００３３】なお、本試作例では、読み出し層３とし
て、Gd_0.27(Fe_0.70Co_0.30)_0.73を使用し、記録層４とし
て、 (Nd_0.10Dy_0.90)_0.24(Fe_0.80Co_0.20)_0.76 を使用し
ているが、これに限るものではない。特に、記録層４に
添加する軽希土類金属は、記録磁界を低減できればよ
く、上記Ｎｄに限定されない。

【００３４】〔試作例２〕 本発明の他の試作例について、図３、図６および図７に
基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の
便宜上、前記の試作例の図面に示した部材と同一の機能
を有する部材には、同一の符号を付記してその説明を省
略する。本試作例に係る光磁気ディスク（光磁気記録媒
体）においては、図６に示すように、読み出し層２３、
記録層２４を除いては、透光性の基板１、誘電体層２、
保護層５、オーバーコート層６は、前記試作例１の場合
と同様である。

【００３５】読み出し層２３、記録層２４は、それぞれ
希土類遷移金属合金からなり、その希土類金属として、
大量の重希土類金属および微量の軽希土類金属を含んで
いる。

【００３６】読み出し層２３は室温では希土類金属リッ
チであり、面内磁化を示す。昇温すると希土類金属の磁
気モーメントと遷移金属の磁気モーメントとが釣り合
い、垂直磁化を示す。記録層２４は室温からキュリー温
度まで遷移金属リッチであり、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化となる特性を示す。

【００３７】本試作例においては、記録・再生は前記試
作例１と同様に行われる。

【００３８】本試作例の光磁気ディスクを用いて記録を
行えば、記録層２４に軽希土類金属が添加されているの
で、前記試作例１で述べたのと同じ理由により、上記二
層間の交換結合力が小さくなるので、記録磁界を低減す
ることができる。

【００３９】また、読み出し層２３は、軽希土類金属が
添加されている分だけ、加えられていない場合と比べ
て、読み出し層２３と記録層２４との間の界面磁壁エネ
ルギーがさらに小さくなり、上記二層間の交換結合力が
さらに小さくなる。これにより、記録磁界をさらに低減
することができる。

【００４０】以下、本試作例の光磁気ディスクの一例と
して、サンプル♯２を示す。読み出し層２３は、NdGd、
Fe、Coターゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０
ｎｍのNdGdFeCoであり、希土類金属リッチ、キュリー温
度Ｔ_C1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直
磁化となる特性を示し、記録層２４は、NdDy、Fe、Coタ
ーゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０ｎｍのNd
DyFeCoであり、遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C2＝２
００℃、室温での保磁力（Ｈ_C2）＝１２０ｋＡ／ｍであ
る。

【００４１】サンプル♯２の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示す
前記試作例１の場合と同様に、Ｐ_r ＝２〜3.５ｍＷの範
囲でＣ／Ｎが最大となった。

【００４２】次に、サンプル♯２の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、試作例１で述べたのと
同じ比較用のサンプルと比較した。

【００４３】測定結果を図７に示すが、図中、破線にて
示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和する
ときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図中、
実線にて示されるように、本試作例のサンプル♯２のＣ
／Ｎが飽和するときのＨ_W の値は２８ｋＡ／ｍである。
これにより、本試作例の光磁気ディスクにおいては、記
録磁界が大きく減少していることがわかる。

【００４４】なお、本試作例では、読み出し層２３とし
て、 (Nd_0.10Gd_0.90)_0.28(Fe_0.70Co_0.30)_0.72 を使用
し、記録層２４として、 (Nd_0.10Dy_0.90)_0.24(Fe_0.80Co
_0.20)_0.76 を使用しているが、これに限るものではな
い。特に、読み出し層２３および記録層２４にそれぞれ
添加する軽希土類金属は、記録磁界を低減できればよ
く、上記Ｎｄに限定されない。

【００４５】〔試作例３〕 本発明のさらに他の試作例について、図３、図８、およ
び図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。な
お、説明の便宜上、前記の試作例の図面に示した部材と
同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記してそ
の説明を省略する。本試作例に係る光磁気ディスク（光
磁気記録媒体）においては、図８に示すように、読み出
し層３３、記録層３４を除いては、透光性の基板１、誘
電体層２、保護層５、オーバーコート層６は、前記試作
例１の場合と同様である。

【００４６】読み出し層３３、記録層３４は、それぞれ
希土類遷移金属合金からなり、その希土類金属として、
大量の重希土類金属および微量の軽希土類金属を含んで
いる。

【００４７】読み出し層３３は室温では希土類金属リッ
チであり、面内磁化を示す。昇温すると希土類金属の磁
気モーメントと遷移金属の磁気モーメントとが釣り合
い、垂直磁化を示す。記録層３４は室温からキュリー温
度まで遷移金属リッチであり、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化となる特性を示す。

【００４８】また、試作例１および２では読み出し層と
記録層の膜厚が同じであったが、本試作例においては、
読み出し層３３の膜厚が記録層３４の膜厚よりも薄くな
っている。

【００４９】本試作例においては、記録・再生は前記試
作例１と同様に行われる。

【００５０】本試作例の光磁気ディスクを用いて記録を
行えば、記録層３４に軽希土類金属が添加されているの
で、前記試作例１で述べたのと同じ理由により、上記二
層間の交換結合力が小さくなるので、記録磁界を低減す
ることができる。また、読み出し層３３は、軽希土類金
属が添加されているので、前記試作例２で述べたのと同
様の理由により、上記二層間の交換結合力がさらに小さ
くなる。これにより、記録磁界をさらに低減することが
できる。

【００５１】以下、本試作例の光磁気ディスクの一例と
して、サンプル♯３を示す。読み出し層３３は、NdGd、
Fe、Coターゲットの同時スパッタリングによる膜厚４０
ｎｍのNdGdFeCoであり、希土類金属リッチ、キュリー温
度Ｔ_C1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直
磁化となる特性を示し、記録層３４は、NdDy、Fe、Coタ
ーゲットの同時スパッタリングによる膜厚６０ｎｍのNd
DyFeCoであり、遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C2＝２
００℃、室温での保磁力（Ｈ_C2）＝１２０ｋＡ／ｍであ
る。

【００５２】サンプル♯３の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示す
前記試作例１の場合と同様に、Ｐ_r ＝２〜3.５ｍＷの範
囲でＣ／Ｎが最大となった。

【００５３】次に、サンプル♯３の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、試作例１で述べたのと
同じ比較用のサンプルと比較した。

【００５４】測定結果を図９に示すが、図中、破線にて
示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和する
ときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図中、
実線にて示されるように、本試作例のサンプル♯３のＣ
／Ｎが飽和するときのＨ_W の値は２４ｋＡ／ｍである。
これにより、本試作例の光磁気ディスクにおいては、良
好なＣ／Ｎを得るのに必要な記録磁界が大きく減少して
いることがわかる。

【００５５】なお、本試作例では、読み出し層３３とし
て、 (Nd_0.10Gd_0.90)_0.28(Fe_0.70Co_0.30)_0.72 を使用
し、記録層３４として、 (Nd_0.10Dy_0.90)_0.24(Fe_0.80Co
_0.20)_0.76 を使用しているが、これに限るものではな
い。特に、読み出し層３３および記録層３４にそれぞれ
添加する軽希土類金属は、記録磁界を低減できればよ
く、上記Ｎｄに限定されない。

【００５６】〔試作例４〕 本発明のさらに他の試作例について、図３、図１０、お
よび図１１に基づいて説明すれば、以下の通りである。
なお、説明の便宜上、前記の試作例の図面に示した部材
と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記して
その説明を省略する。

【００５７】本試作例に係る光磁気ディスク（光磁気記
録媒体）においては、図１０に示すように、読み出し層
４３、記録層４４を除いては、透光性の基板１、誘電体
層２、保護層５、オーバーコート層６は、前記試作例１
の場合と同様である。

【００５８】読み出し層４３、記録層４４は、それぞれ
希土類遷移金属合金からなり、その希土類金属として、
大量の重希土類金属および微量の軽希土類金属を含んで
いる。

【００５９】読み出し層４３は室温では希土類金属リッ
チであり、面内磁化を示す。昇温すると希土類金属の磁
気モーメントと遷移金属の磁気モーメントとが釣り合
い、垂直磁化を示す。記録層４４は室温からキュリー温
度まで遷移金属リッチであり、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化となる特性を示す。

【００６０】また、本試作例においては、試作例３同
様、読み出し層４３の膜厚が記録層４４の膜厚よりも薄
くなっている。

【００６１】本試作例においては、記録・再生は前記試
作例１と同様に行われる。また、前記試作例３で述べた
のと同様の理由により、記録に必要な記録磁界を低減す
ることができる。

【００６２】以下、光磁気ディスクの一例としてサンプ
ル♯４を示す。

【００６３】読み出し層４３は、NdGd、Fe、Coターゲッ
トの同時スパッタリングによる膜厚３０ｎｍのNdGdFeCo
であり、希土類金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C1≧３００
℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直磁化となる特性
を示し、記録層４４は、NdDy、Fe、Coターゲットの同時
スパッタリングによる膜厚７０ｎｍのNdDyFeCoであり、
遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C2＝２００℃、室温で
の保磁力（Ｈ_C2）＝１２０ｋＡ／ｍである。

【００６４】サンプル♯４の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示す
前記試作例１の場合と同様に、Ｐ_r ＝２〜3.５ｍＷの範
囲でＣ／Ｎが最大となった。

【００６５】次に、サンプル♯４の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、試作例１で述べたのと
同じ比較用のサンプルと比較した。

【００６６】測定結果を図１１に示すが、図中、破線に
て示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和す
るときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図
中、実線にて示されるように、本試作例のサンプル♯４
のＣ／Ｎが飽和するときのＨ_Wの値は２０ｋＡ／ｍであ
る。これにより、本試作例の光磁気ディスクにおいては
良好なＣ／Ｎを得るのに必要な記録磁界が大きく減少し
ていることがわかる。

【００６７】さらに、試作例３の場合よりもさらに、読
み出し層の膜厚を記録層の膜厚よりも薄くすることによ
り、試作例３の場合よりもさらに記録磁界を低減できる
ことが分かる。

【００６８】なお、本試作例では、読み出し層４３とし
て、 (Nd_0.10Gd_0.90)_0.28(Fe_0.70Co_0.30)_0.72 を使用
し、記録層４４として、 (Nd_0.10Dy_0.90)_0.24(Fe_0.80Co
_0.20)_0.76 を使用しているが、これに限るものではな
い。特に、読み出し層４３および記録層４４にそれぞれ
添加する軽希土類金属は、記録磁界を低減できればよ
く、上記Ｎｄに限定されない。

【００６９】〔実施例１〕 本発明の一実施例について、図３、図１２および図１３
に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明
の便宜上、前記の試作例の図面に示した部材と同一の機
能を有する部材には、同一の符号を付記してその説明を
省略する。本実施例に係る光磁気ディスク（光磁気記録
媒体）においては、図１２に示すように、読み出し層５
３、記録層５４を除いては、透光性の基板１、誘電体層
２、保護層５、オーバーコート層６は、前記試作例１の
場合と同様である。

【００７０】読み出し層５３は、希土類遷移金属合金か
らなる。また、記録層５４は、磁性を示す希土類遷移金
属合金に、微量の非磁性希土類金属が添加されている。

【００７１】読み出し層５３は室温では希土類金属リッ
チであり、面内磁化を示す。昇温すると希土類金属の磁
気モーメントと遷移金属の磁気モーメントとが釣り合
い、垂直磁化を示す。記録層５４は室温からキュリー温
度まで遷移金属リッチであり、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化となる特性を示す。

【００７２】本実施例においては、記録・再生は前記試
作例１と同様に行われる。

【００７３】本実施例の光磁気ディスクを用いて記録を
行えば、記録層５４に非磁性希土類金属が添加されてい
るので、読み出し層５３と記録層５４との間の界面磁壁
エネルギーが小さくなり、上記二層間の交換結合力が小
さくなる。これにより、記録磁界を低減することができ
る。

【００７４】以下、本実施例の光磁気ディスクの一例と
してサンプル♯５を示す。読み出し層５３は、Gd、Fe、
Coターゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０ｎｍ
のGdFeCoであり、希土類金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C1
≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直磁化と
なる特性を示し、記録層５４は、ＹDy、Fe、Coターゲッ
トの同時スパッタリングによる膜厚５０ｎｍのＹDyFeCo
であり、遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C2＝２００
℃、室温での保磁力（Ｈ_C2）＝１００ｋＡ／ｍである。

【００７５】サンプル♯５の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示す
前記試作例１の場合と同様に、Ｐ_r ＝２〜3.５ｍＷの範
囲でＣ／Ｎが最大となった。

【００７６】次に、サンプル♯５の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、試作例１で述べたのと
同じ比較用のサンプルと比較した。

【００７７】測定結果を図１３に示すが、図中、破線に
て示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和す
るときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図
中、実線にて示されるように、本実施例のサンプル♯５
のＣ／Ｎが飽和するときのＨ_Wの値は２０ｋＡ／ｍであ
る。これにより、本実施例の光磁気ディスクにおいては
良好なＣ／Ｎを得るのに必要な記録磁界が大きく減少し
ていることがわかる。

【００７８】なお、本実施例では、読み出し層５３とし
て、Gd_0.27(Fe_0.70Co_0.30)_0.73を使用し、記録層５４と
して、 (Ｙ_0.10Dy_0.90)_0.26(Fe_0.80Co_0.20)_0.74 を使用
しているが、これに限るものではない。特に、記録層５
４に添加する非磁性希土類金属は、記録磁界を低減でき
ればよく、上記Ｙに限定されない。

【００７９】〔実施例２〕 本発明の他の実施例について、図３、図１４および図１
５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説
明の便宜上、前記の試作例や実施例の図面に示した部材
と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記して
その説明を省略する。本実施例に係る光磁気ディスク
（光磁気記録媒体）においては、図１４に示すように、
読み出し層６３、記録層６４を除いては、透光性の基板
１、誘電体層２、保護層５、オーバーコート層６は、前
記試作例１の場合と同様である。

【００８０】読み出し層６３および記録層６４は、それ
ぞれ、磁性を示す希土類遷移金属合金に微量の非磁性希
土類金属が添加されている。

【００８１】読み出し層６３は室温では希土類金属リッ
チであり、面内磁化を示す。昇温すると希土類金属の磁
気モーメントと遷移金属の磁気モーメントとが釣り合
い、垂直磁化を示す。記録層６４は室温からキュリー温
度まで遷移金属リッチであり、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化となる特性を示す。

【００８２】本実施例においては、記録・再生は前記試
作例１と同様に行われる。

【００８３】本実施例の光磁気ディスクを用いて記録を
行えば、記録層６４に非磁性希土類金属が添加されてい
るので、読み出し層６３と記録層６４との間の界面磁壁
エネルギーが小さくなり、上記二層間の交換結合力が小
さくなる。これにより、記録磁界を低減することができ
る。

【００８４】また、読み出し層６３は、非磁性希土類金
属が添加されている分だけ、加えられていない場合と比
べて、読み出し層６３と記録層６４との間の界面磁壁エ
ネルギーがさらに小さくなり、上記二層間の交換結合力
がさらに小さくなる。これにより、記録磁界をさらに低
減することができる。

【００８５】以下、本実施例の光磁気ディスクの一例と
してサンプル♯６を示す。読み出し層６３は、ＹGd、F
e、Coターゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０
ｎｍのＹGdFeCoであり、希土類金属リッチ、キュリー温
度Ｔ_C1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直
磁化となる特性を示し、記録層６４は、ＹDy、Fe、Coタ
ーゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０ｎｍのＹ
DyFeCoであり、遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C2＝２
００℃、室温での保磁力（Ｈ_C2）＝１００ｋＡ／ｍであ
る。

【００８６】サンプル♯６の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示す
前記試作例１の場合と同様に、Ｐ_r ＝２〜3.５ｍＷの範
囲でＣ／Ｎが最大となった。

【００８７】次に、サンプル♯６の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、試作例１で述べたのと
同じ比較用のサンプルと比較した。

【００８８】測定結果を図１５に示すが、図中、破線に
て示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和す
るときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図
中、実線にて示されるように、本実施例のサンプル♯６
のＣ／Ｎが飽和するときのＨ_Wの値は１６ｋＡ／ｍであ
る。これにより、本実施例の光磁気ディスクにおいては
良好なＣ／Ｎを得るのに必要な記録磁界が大きく減少し
ていることがわかる。

【００８９】なお、本実施例では、読み出し層６３とし
て、 (Ｙ_0.10Gd_0.90)_0.30(Fe_0.70Co_0.30)_0.70 を使用
し、記録層６４として、 (Ｙ_0.10Dy_0.90)_0.26(Fe_0.80Co
_0.20)_0.74 を使用しているが、これに限るものではな
い。特に、読み出し層６３および記録層６４に添加する
非磁性希土類金属は、記録磁界を低減できればよく、上
記Ｙに限定されない。

【００９０】〔実施例３〕 本発明のさらに他の実施例について、図３、図１６、お
よび図１７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
なお、説明の便宜上、前記の試作例や実施例の図面に示
した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を
付記してその説明を省略する。本実施例に係る光磁気デ
ィスク（光磁気記録媒体）においては、図１６に示すよ
うに、読み出し層７３、記録層７４を除いては、透光性
の基板１、誘電体層２、保護層５、オーバーコート層６
は、前記試作例１の場合と同様である。

【００９１】読み出し層７３は、希土類遷移金属合金か
らなり、その希土類金属として、大量の重希土類金属お
よび微量の軽希土類金属を含んでいる。記録層７４は、
磁性を示す希土類遷移金属合金に微量の非磁性希土類金
属が添加されている。

【００９２】読み出し層７３は室温では希土類金属リッ
チであり、面内磁化を示す。昇温すると希土類金属の磁
気モーメントと遷移金属の磁気モーメントとが釣り合
い、垂直磁化を示す。記録層７４は室温からキュリー温
度まで遷移金属リッチであり、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化となる特性を示す。

【００９３】本実施例においては、記録・再生は前記試
作例１と同様に行われる。

【００９４】本実施例の光磁気ディスクを用いて記録を
行えば、記録層７４に非磁性希土類金属が添加されてい
るので、読み出し層７３と記録層７４との間の界面磁壁
エネルギーが小さくなり、上記二層間の交換結合力が小
さくなる。これにより、記録磁界を低減することができ
る。

【００９５】また、読み出し層７３は、軽希土類金属が
添加されている分だけ、加えられていない場合と比べ
て、読み出し層７３と記録層７４との間の界面磁壁エネ
ルギーがさらに小さくなり、上記二層間の交換結合力が
さらに小さくなる。これにより、記録磁界をさらに低減
することができる。

【００９６】以下、本実施例の光磁気ディスクの一例と
してサンプル♯７を示す。読み出し層７３は、NdGd、F
e、Coターゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０
ｎｍのNdGdFeCoであり、希土類金属リッチ、キュリー温
度Ｔ_C1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直
磁化となる特性を示し、記録層７４は、ＹDy、Fe、Coタ
ーゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０ｎｍのＹ
DyFeCoであり、遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C2＝２
００℃、室温での保磁力（Ｈ_C2）＝１００ｋＡ／ｍであ
る。

【００９７】サンプル♯７の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示す
前記試作例１の場合と同様に、Ｐ_r ＝２〜3.５ｍＷの範
囲でＣ／Ｎが最大となった。

【００９８】次に、サンプル♯７の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、試作例１で述べたのと
同じ比較用のサンプルと比較した。

【００９９】測定結果を図１７に示すが、図中、破線に
て示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和す
るときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図中
実線にて示されるように、本実施例のサンプル♯７のＣ
／Ｎが飽和するときのＨ_W の値は１６ｋＡ／ｍである。
これにより、本実施例の光磁気ディスクにおいては、良
好なＣ／Ｎを得るのに必要な記録磁界が大きく減少して
いることがわかる。

【０１００】なお、本実施例では、読み出し層７３とし
て、 (Nd_0.10Gd_0.90)_0.28(Fe_0.70Co_0.30)_0.72 を使用
し、記録層７４として、 (Ｙ_0.10Dy_0.90)_0.26(Fe_0.80Co
_0.20)_{0 .74} を使用しているが、これに限るものではな
い。特に、読み出し層７３に添加する軽希土類金属や、
記録層７４に添加する非磁性希土類金属は、記録磁界を
低減できればよく、それぞれ、上記Nd、Ｙに限定されな
い。

【０１０１】〔試作例５〕 本発明のさらに他の試作例について、図３、図１８、お
よび図１９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
なお、説明の便宜上、前記の試作例１ないし４や実施例
の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同
一の符号を付記してその説明を省略する。本試作例に係
る光磁気ディスク（光磁気記録媒体）においては、図１
８に示すように、読み出し層８３、記録層８４を除いて
は、透光性の基板１、誘電体層２、保護層５、オーバー
コート層６は、前記試作例１の場合と同様である。

【０１０２】読み出し層８３は、磁性を示す希土類遷移
金属合金に微量の非磁性希土類金属が添加されている。
記録層８４は、希土類遷移金属合金からなり、その希土
類金属として、大量の重希土類金属および微量の軽希土
類金属を含んでいる。

【０１０３】読み出し層８３は室温では希土類金属リッ
チであり、面内磁化を示す。昇温すると希土類金属の磁
気モーメントと遷移金属の磁気モーメントとが釣り合
い、垂直磁化を示す。記録層８４は室温からキュリー温
度まで遷移金属リッチであり、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化となる特性を示す。

【０１０４】本試作例においては、記録・再生は前記試
作例１と同様に行われる。

【０１０５】本試作例の光磁気ディスクを用いて記録を
行えば、記録層８４に軽希土類金属が添加されているの
で、読み出し層８３と記録層８４との間の界面磁壁エネ
ルギーが小さくなり、上記二層間の交換結合力が小さく
なる。これにより、記録磁界を低減することができる。

【０１０６】また、読み出し層８３は、非磁性希土類金
属が添加されている分だけ、加えられていない場合と比
べて、読み出し層８３と記録層８４との間の界面磁壁エ
ネルギーがさらに小さくなり、上記二層間の交換結合力
がさらに小さくなる。これにより、記録磁界をさらに低
減することができる。

【０１０７】以下、本試作例の光磁気ディスクの一例と
してサンプル♯８を示す。読み出し層８３は、ＹGd、F
e、Coターゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０
ｎｍのＹGdFeCoであり、希土類金属リッチ、キュリー温
度Ｔ_C1≧３００℃、室温で面内磁化、約１４０℃で垂直
磁化となる特性を示し、記録層８４は、NdDy、Fe、Coタ
ーゲットの同時スパッタリングによる膜厚５０ｎｍのNd
DyFeCoであり、遷移金属リッチ、キュリー温度Ｔ_C2＝２
００℃、室温での保磁力（Ｈ_C2）＝１００ｋＡ／ｍであ
る。

【０１０８】サンプル♯８の光磁気ディスクに対して、
記録磁界（Ｈ_W ）＝４０ｋＡ／ｍ、記録レーザパワー
（Ｐ_w ）＝６ｍＷにて、記録ビット長＝0.７８μｍの記
録ビットを記録し、再生レーザパワー（Ｐ_r ）と信号対
雑音比（Ｃ／Ｎ）の関係を測定したところ、図３に示す
前記試作例１の場合と同様に、Ｐ_r ＝２〜3.５ｍＷの範
囲でＣ／Ｎが最大となった。

【０１０９】次に、サンプル♯８の光磁気ディスクに対
して、Ｐ_w ＝６ｍＷ、Ｐ_r ＝2.５ｍＷにて、記録ビット
長＝0.７８μｍの記録ビットを記録・再生し、記録磁界
Ｈ_WとＣ／Ｎとの関係を測定し、試作例１で述べたのと
同じ比較用のサンプルと比較した。

【０１１０】測定結果を図１９に示すが、図中、破線に
て示されるように、比較用のサンプルのＣ／Ｎが飽和す
るときのＨ_W の値が４８ｋＡ／ｍであるのに対し、図中
実線にて示されるように、本試作例のサンプル♯８のＣ
／Ｎが飽和するときのＨ_W の値は１６ｋＡ／ｍである。
これにより、本試作例の光磁気ディスクにおいては、良
好なＣ／Ｎを得るのに必要な記録磁界が大きく減少して
いることがわかる。

【０１１１】なお、本試作例では、読み出し層８３とし
て、 (Ｙ_0.10Gd_0.90)_0.30(Fe_0.70Co_0.30)_0.70 を使用
し、記録層８４として、 (Nd_0.10Dy_0.90)_0.24(Fe_0.80Co
_0.20)_0.76 を使用しているが、これに限るものではな
い。特に、読み出し層８３に添加する非磁性希土類金属
や、記録層８４に添加する軽希土類金属は、記録磁界を
低減できればよく、それぞれ、上記Ｙ、Ndに限定されな
い。

【０１１２】さらに、基板１、誘電体層２、保護層５、
オーバーコート層６も上記実施例に記載したものに限ら
れるものではない。

【０１１３】また、各実施例において、読み出し層が軽
希土類金属やPt、Pd等を含む合金である場合は、短波長
での磁気光学カー効果が高く、短波長再生光レーザを用
いることにより、さらに記録密度を向上させることが可
能になる。

【０１１４】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１に記載
の光磁気記録媒体は、重希土類金属−遷移金属合金系磁
性材料からそれぞれなる記録層と読み出し層とが相互に
積層され、上記の記録層は、室温からキュリー点まで垂
直磁化となる特性を示す一方、読み出し層は、室温で面
内磁化、所定温度以上で垂直磁化となる特性を示し、光
ビームを照射すると共に記録磁界を印加することで、記
録層に記録磁界の向きに応じた情報が記録される光磁気
記録媒体において、上記記録層に、非磁性希土類金属が
添加されている構成である。

【０１１５】また、本発明の請求項２に記載の光磁気記
録媒体は、請求項１記載の光磁気記録媒体において、上
記読み出し層にも、非磁性希土類金属が添加されている
構成である。また、本発明の請求項３に記載の光磁気記
録媒体は、請求項１または２記載の光磁気記録媒体にお
いて、上記非磁性希土類金属はイットリウムである構成
である。

【０１１６】上記請求項１ないし３記載の構成により、
記録磁界を低減することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一試作例の光磁気ディスクの構成およ
びこの光磁気ディスクに対して再生動作をしていること
を示す説明図である。

【図２】図１の光磁気ディスクの読み出し層の磁気状態
を示すグラフである。

【図３】図１の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録レーザパ
ワーの関係を示すグラフである。

【図４】図１の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界の関
係を示すグラフである。

【図５】比較用の光磁気ディスクの構成およびこの光磁
気ディスクに対して再生動作をしていることを示す説明
図である。

【図６】本発明の他の試作例の光磁気ディスクの構成お
よびこの光磁気ディスクに対して再生動作をしているこ
とを示す説明図である。

【図７】図６の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界の関
係を示すグラフである。

【図８】本発明のさらに他の試作例の光磁気ディスクの
構成およびこの光磁気ディスクに対して再生動作をして
いることを示す説明図である。

【図９】図８の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界の関
係を示すグラフである。

【図１０】本発明のさらに他の試作例の光磁気ディスク
の構成およびこの光磁気ディスクに対して再生動作をし
ていることを示す説明図である。

【図１１】図１０の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界
の関係を示すグラフである。

【図１２】本発明の一実施例の光磁気ディスクの構成お
よびこの光磁気ディスクに対して再生動作をしているこ
とを示す説明図である。

【図１３】図１２の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界
の関係を示すグラフである。

【図１４】本発明の他の実施例の光磁気ディスクの構成
およびこの光磁気ディスクに対して再生動作をしている
ことを示す説明図である。

【図１５】図１４の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界
の関係を示すグラフである。

【図１６】本発明のさらに他の実施例の光磁気ディスク
の構成およびこの光磁気ディスクに対して再生動作をし
ていることを示す説明図である。

【図１７】図１６の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界
の関係を示すグラフである。

【図１８】本発明のさらに他の試作例の光磁気ディスク
の構成およびこの光磁気ディスクに対して再生動作をし
ていることを示す説明図である。

【図１９】図１８の光磁気ディスクのＣ／Ｎと記録磁界
の関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 誘電体層 ３、２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３ 読み
出し層 ４、２４、３４、４４、５４、６４、７４、８４ 記録
層 ５ 保護層 ６ オーバーコート層 １０３ 読み出し層 １０４ 記録層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−259824（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−89536（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−207038（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】重希土類金属−遷移金属合金系磁性材料か
   らそれぞれなる記録層と読み出し層とが相互に積層さ
   れ、上記の記録層は、室温からキュリー点まで垂直磁化
   となる特性を示す一方、読み出し層は、室温で面内磁
   化、所定温度以上で垂直磁化となる特性を示し、光ビー
   ムを照射すると共に記録磁界を印加することで、記録層
   に記録磁界の向きに応じた情報が記録される光磁気記録
   媒体において、 上記記録層に、非磁性希土類金属が添加されていること
   を特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】上記読み出し層にも、非磁性希土類金属が
   添加されていることを特徴とする請求項１記載の光磁気
   記録媒体。
3. 【請求項３】非磁性希土類金属は、イットリウムである
   ことを特徴とする請求項１または２記載の光磁気記録媒
   体。