JP2633927B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2633927B2 JP2633927B2 JP25946488A JP25946488A JP2633927B2 JP 2633927 B2 JP2633927 B2 JP 2633927B2 JP 25946488 A JP25946488 A JP 25946488A JP 25946488 A JP25946488 A JP 25946488A JP 2633927 B2 JP2633927 B2 JP 2633927B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録に係り、とくに情報の消え残り低
減に好適な光磁気記録媒体およびその製造方法に関す
る。
減に好適な光磁気記録媒体およびその製造方法に関す
る。
垂直磁気異方性を有する磁性膜を記録膜として用いる
光磁気記録媒体では、磁性膜の磁化の向きを情報の
“1",“0"に対応させるために、記録のみならず消去・
再記録が可能である。
光磁気記録媒体では、磁性膜の磁化の向きを情報の
“1",“0"に対応させるために、記録のみならず消去・
再記録が可能である。
光磁気記録媒体の構造には種々のものがあるが、磁性
膜上に直接あるいは適当な介在層を介して金属膜を設け
た光磁気記録媒体が、再生性能や耐食性が向上する点で
有利であることが特開昭61−17236あるいは特開昭59−1
52552に記載されている。
膜上に直接あるいは適当な介在層を介して金属膜を設け
た光磁気記録媒体が、再生性能や耐食性が向上する点で
有利であることが特開昭61−17236あるいは特開昭59−1
52552に記載されている。
しかしながら上記従来技術は、情報の消去を行なつた
際の消え残りに対する配慮がなされていない。消去が不
完全で消え残りがある場合には、新たに記録された情報
の再生時に読み誤りが発生するおそれがあるため、光磁
気記録媒体の信頼性を損つてしまう。
際の消え残りに対する配慮がなされていない。消去が不
完全で消え残りがある場合には、新たに記録された情報
の再生時に読み誤りが発生するおそれがあるため、光磁
気記録媒体の信頼性を損つてしまう。
消え残りが発生する場所は、レーザスポツトが本来通
過すべき位置から離れたところが多い。すなわち、いわ
ゆるオン・ランド記録の場合には、案内溝（グルーブ）
内の記録領域が、消去時のトラツキングずれのために消
え残りとなることがある。
過すべき位置から離れたところが多い。すなわち、いわ
ゆるオン・ランド記録の場合には、案内溝（グルーブ）
内の記録領域が、消去時のトラツキングずれのために消
え残りとなることがある。
本発明の目的は、消え残りという問題を大幅に低減で
きるような光磁気記録媒体とその製造方法を提供するこ
とにある。
きるような光磁気記録媒体とその製造方法を提供するこ
とにある。
なお以下の説明は全てオン・ランド記録の場合につい
て述べているが、グルーブ上に記録する場合（イン・グ
ルーブ記録）においても同様な結果が得られる。
て述べているが、グルーブ上に記録する場合（イン・グ
ルーブ記録）においても同様な結果が得られる。
上記目的は、グルーブの上部にある金属膜の膜厚を、
ランドの上部にある金属膜の膜厚よりも厚くすることに
より達成される。イン・グルーブ記録の場合には、逆に
ランドの上部にある金属膜の膜厚を、グルーブの上部に
ある金属膜の膜厚よりも厚くすることにより達成され
る。
ランドの上部にある金属膜の膜厚よりも厚くすることに
より達成される。イン・グルーブ記録の場合には、逆に
ランドの上部にある金属膜の膜厚を、グルーブの上部に
ある金属膜の膜厚よりも厚くすることにより達成され
る。
すなわち本発明においては、熱容量が、情報の書き込
みや消去が行なわれる部分において小さく、情報の書き
込みや消去が行なわれないグルーブなどの部分において
大きくなるように、適宜の金属膜などからなるヒートシ
ンクとなる膜を情報記録膜に接して設ける。
みや消去が行なわれる部分において小さく、情報の書き
込みや消去が行なわれないグルーブなどの部分において
大きくなるように、適宜の金属膜などからなるヒートシ
ンクとなる膜を情報記録膜に接して設ける。
金属膜は、レーザ光により磁性膜に照射された光が磁
性膜に与えた熱を吸収する作用、すなわち、ヒート・シ
ンクとして働く。この働きは、金属膜の膜厚が厚いほど
大きい。
性膜に与えた熱を吸収する作用、すなわち、ヒート・シ
ンクとして働く。この働きは、金属膜の膜厚が厚いほど
大きい。
グルーブ上に設けられた厚い金属膜は、レーザ光によ
る熱をより多く吸収するため、その直下にある磁性膜の
温度上昇を妨げる。これに対し、ランド上の磁性膜は、
直上にある金属膜の膜厚がグルーブ上の金属膜の膜厚よ
りも薄いため、グルーブ上の磁性膜よりもより高温にま
で熱せられる。したがつて適当なパワーのレーザ光を照
射すればランド上の磁性膜には記録磁区が形成され、グ
ルーブ上の磁性膜には記録磁区が形成されないようにす
ることが可能である。しかも、レーザ光の強度分布はガ
ウス型であるため、ランド上では強度が高く、グルーブ
上ではもともと強度が低い。このため、グルーブ上の磁
性膜には記録されないようなレーザ光強度を設定する
際、その強度マージンは充分大きく取ることが可能であ
る。つまり、グルーブ上には記録磁区を形成しないとい
うことが実現可能なレーザ光の強度マージンが存在する
ことを意味している。
る熱をより多く吸収するため、その直下にある磁性膜の
温度上昇を妨げる。これに対し、ランド上の磁性膜は、
直上にある金属膜の膜厚がグルーブ上の金属膜の膜厚よ
りも薄いため、グルーブ上の磁性膜よりもより高温にま
で熱せられる。したがつて適当なパワーのレーザ光を照
射すればランド上の磁性膜には記録磁区が形成され、グ
ルーブ上の磁性膜には記録磁区が形成されないようにす
ることが可能である。しかも、レーザ光の強度分布はガ
ウス型であるため、ランド上では強度が高く、グルーブ
上ではもともと強度が低い。このため、グルーブ上の磁
性膜には記録されないようなレーザ光強度を設定する
際、その強度マージンは充分大きく取ることが可能であ
る。つまり、グルーブ上には記録磁区を形成しないとい
うことが実現可能なレーザ光の強度マージンが存在する
ことを意味している。
以下、本発明の実施例を第１図から第４図により説明
する。
する。
第２図に示すように、射出成型により作製されたポリ
カーボネート基板１には1.6μｍのピツチでＵ字形状を
有するグルーブ７が形成されている。該ポリカーボネー
ト基板１はまず80℃の真空中に３時間保持し、基板に含
まれる水分を十分脱水処理した。この後、ポリカーボネ
ート基板１を高周波マグネトロン・スパツタ装置内に装
填し、８×10-7Torr以下に真空槽内を排気した後、Arガ
スとN2ガスとの混合ガスを導入し、SiN焼結体をターゲ
ツトとして１×10-2Torrのガス圧でスパツタし、SiN膜
２を850Åだけポリカーボネート基板１上に形成した。
次いで同様な真空排気後、Arガスを導入し、Tb−Fe−Co
−Nbからなる合金ターゲツトを５×10-3Torrのガス圧で
スパツタし、Tb−Fe−Co−Nb磁性膜３を300Åだけ形成
した。次いで再び同様な真空排気後、Arガスを導入し、
AlとSiとの合金よりなるAl−Si合金ターゲツトを２×10
-2Torrのガス圧でスパツタし、Al−Si金属膜４を900Å
形成した。
カーボネート基板１には1.6μｍのピツチでＵ字形状を
有するグルーブ７が形成されている。該ポリカーボネー
ト基板１はまず80℃の真空中に３時間保持し、基板に含
まれる水分を十分脱水処理した。この後、ポリカーボネ
ート基板１を高周波マグネトロン・スパツタ装置内に装
填し、８×10-7Torr以下に真空槽内を排気した後、Arガ
スとN2ガスとの混合ガスを導入し、SiN焼結体をターゲ
ツトとして１×10-2Torrのガス圧でスパツタし、SiN膜
２を850Åだけポリカーボネート基板１上に形成した。
次いで同様な真空排気後、Arガスを導入し、Tb−Fe−Co
−Nbからなる合金ターゲツトを５×10-3Torrのガス圧で
スパツタし、Tb−Fe−Co−Nb磁性膜３を300Åだけ形成
した。次いで再び同様な真空排気後、Arガスを導入し、
AlとSiとの合金よりなるAl−Si合金ターゲツトを２×10
-2Torrのガス圧でスパツタし、Al−Si金属膜４を900Å
形成した。
このあと、第３図に示すように、Arガスを用い、１×
10-2Torrの圧力でランド部６上のAl−Si膜の膜厚が300
Åとなるようにスパツタ・エツチを行なつた。スパツタ
エツチに際してランド部はグルーブ部に対して凸部にな
つているため、エツチングの進行速度がグルーブ部より
も速い。このため、グルーブ上のAl−Si膜の膜圧は450
Åにとどまっている。
10-2Torrの圧力でランド部６上のAl−Si膜の膜厚が300
Åとなるようにスパツタ・エツチを行なつた。スパツタ
エツチに際してランド部はグルーブ部に対して凸部にな
つているため、エツチングの進行速度がグルーブ部より
も速い。このため、グルーブ上のAl−Si膜の膜圧は450
Åにとどまっている。
該スパツタ・エツチの終了後、第１図に示すように、
前述したのと同じスパツタ条件によりSiN膜５を500Åの
厚さだけ形成した。
前述したのと同じスパツタ条件によりSiN膜５を500Åの
厚さだけ形成した。
第４図は本発明になる他の実施例である。ガラス基板
８上にはレプリカ・プロセスにより、紫外線硬化樹脂層
９が約30μｍの厚さ設けられている。該紫外線硬化樹脂
層９にはＶ字形状を有するグルーブ７と、平坦なランド
部６とが形成されている。
８上にはレプリカ・プロセスにより、紫外線硬化樹脂層
９が約30μｍの厚さ設けられている。該紫外線硬化樹脂
層９にはＶ字形状を有するグルーブ７と、平坦なランド
部６とが形成されている。
この基板８と樹脂層９を100℃の真空中で４時間脱水
処理した。このあとスパツタ装置内に装填し、８×10-7
Torr以下に真空槽内を排気した後、ArとN2とO2との混合
ガスを導入し、AlとSiとの混合焼結体をターゲツトとし
て２×10-2Torrのガス圧でスパツタし、Si−Al−Ｏ−Ｎ
膜10を800Åの厚さ形成した。
処理した。このあとスパツタ装置内に装填し、８×10-7
Torr以下に真空槽内を排気した後、ArとN2とO2との混合
ガスを導入し、AlとSiとの混合焼結体をターゲツトとし
て２×10-2Torrのガス圧でスパツタし、Si−Al−Ｏ−Ｎ
膜10を800Åの厚さ形成した。
このあと同様な真空排気後、Arガスを導入し、Fe−Co
合金の板の上にGdとTbのチツプを配置した複合ターゲツ
トを６×10-3Torrのガス圧でスパツタし、Gd−Tb−Fe−
Co膜11を250Åの厚さに形成した。
合金の板の上にGdとTbのチツプを配置した複合ターゲツ
トを６×10-3Torrのガス圧でスパツタし、Gd−Tb−Fe−
Co膜11を250Åの厚さに形成した。
次いで同様な真空排気後ArとN2とO2との混合ガスを導
入し、AlとSiとの混合焼結体をターゲツトとして２×10
-2Torrのガス圧でスパツタし、Si−Al−Ｏ−Ｎ膜12を40
0Åの厚さ形成した。このあと再び同様な真空排気を行
なつた後、Arガスを導入し、Alのターゲツトを３×10-3
Torrのガス圧でスパツタし、Al膜13を800Åの厚さだけ
形成した。
入し、AlとSiとの混合焼結体をターゲツトとして２×10
-2Torrのガス圧でスパツタし、Si−Al−Ｏ−Ｎ膜12を40
0Åの厚さ形成した。このあと再び同様な真空排気を行
なつた後、Arガスを導入し、Alのターゲツトを３×10-3
Torrのガス圧でスパツタし、Al膜13を800Åの厚さだけ
形成した。
次にO2ミリングによりAl膜13をエツチし、ランド部６
上のAl膜を300Åの厚さにした。このとき、前記実施例
で述べたと同じ理由により、グルーブ７上のAl膜の厚さ
は、Ｖ字の谷の位置から測定して400Åの厚さであつ
た。
上のAl膜を300Åの厚さにした。このとき、前記実施例
で述べたと同じ理由により、グルーブ７上のAl膜の厚さ
は、Ｖ字の谷の位置から測定して400Åの厚さであつ
た。
なお、上記実施例においては、金属膜のエツチ法とし
てArによるスパツタ・エツチとO2によるミリングとを示
したが、これら以外にも、反応性イオン・エツチプラズ
マ・エツチおよびウエツト・エツチなどの手法が可能で
ある。また光磁気記録媒体の構造は前記２つの実施例に
限らず、種種の構造を用いることができるが、金属膜が
少なくとも一層設けられている必要がある。
てArによるスパツタ・エツチとO2によるミリングとを示
したが、これら以外にも、反応性イオン・エツチプラズ
マ・エツチおよびウエツト・エツチなどの手法が可能で
ある。また光磁気記録媒体の構造は前記２つの実施例に
限らず、種種の構造を用いることができるが、金属膜が
少なくとも一層設けられている必要がある。
第５図は、グルーブ上の金属膜の膜厚（tg）とランド
上の金属膜の膜厚（tl）に対し、グルーブ上に記録磁区
が形成されない領域を示したものである。tgが大きいと
きにはグルーブ上には記録されにくい。しかしtlも大き
い場合にはランド上に磁区を形成するのに強いレーザ光
を必要とするため、より大きなtgが必要である。すなわ
ち、tg/tlの値が大きいほどグルーブ上には記録されに
くい。
上の金属膜の膜厚（tl）に対し、グルーブ上に記録磁区
が形成されない領域を示したものである。tgが大きいと
きにはグルーブ上には記録されにくい。しかしtlも大き
い場合にはランド上に磁区を形成するのに強いレーザ光
を必要とするため、より大きなtgが必要である。すなわ
ち、tg/tlの値が大きいほどグルーブ上には記録されに
くい。
グルーブ上の信号強度がランド上の信号強度よりも40
dB以上低い場合には、グルーブ上の信号による影響はほ
ぼ無視できる。これを基準にして消え残りの影響の出な
いtg/tlの範囲を求めるとtg/tlが1.1以上がより好まし
く、最も好ましくはtg/tlが1.3以上であつた。ただし、
金属膜の厚さが厚くなりすぎると記録感度の低下が著し
くなり、実用上好ましくない。そこで、tgは1000Å以下
の膜厚が好ましく、より好ましくは700Å以下、高記録
感度を得るために最も好ましくは500Å以下の厚さにす
るのがよい。
dB以上低い場合には、グルーブ上の信号による影響はほ
ぼ無視できる。これを基準にして消え残りの影響の出な
いtg/tlの範囲を求めるとtg/tlが1.1以上がより好まし
く、最も好ましくはtg/tlが1.3以上であつた。ただし、
金属膜の厚さが厚くなりすぎると記録感度の低下が著し
くなり、実用上好ましくない。そこで、tgは1000Å以下
の膜厚が好ましく、より好ましくは700Å以下、高記録
感度を得るために最も好ましくは500Å以下の厚さにす
るのがよい。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、グルー
ブ上の金属膜がランド上の金属膜の膜厚よりも厚いた
め、グルーブ上の磁性膜の記録感度が低下し、クルーブ
上には磁区が形成されないようになる。このためトラツ
キングずれが発生した場合においても磁区はランド部に
のみ記録されるため、消え残りの発生が大幅に低減され
る。
ブ上の金属膜がランド上の金属膜の膜厚よりも厚いた
め、グルーブ上の磁性膜の記録感度が低下し、クルーブ
上には磁区が形成されないようになる。このためトラツ
キングずれが発生した場合においても磁区はランド部に
のみ記録されるため、消え残りの発生が大幅に低減され
る。
第１図，第２図，第３図は本発明の実施例のデイスクの
断面図、第４図は本発明の他の実施例のデイスクの断面
図、第５図は金属膜の所要膜厚に関する説明図である。 1,8……基板、3,11……磁性膜、4,13……金属膜。
断面図、第４図は本発明の他の実施例のデイスクの断面
図、第５図は金属膜の所要膜厚に関する説明図である。 1,8……基板、3,11……磁性膜、4,13……金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 憲雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−222352（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】溝部を有する基板上に下地膜を形成し、該
下地膜上に磁性膜及び金属膜を有する光記録媒体におい
て、上記溝部の金属膜の厚さtGが、溝部と溝部の間の部
分の金属膜の厚さtLよりも厚いことを特徴とする光記録
媒体。 - 【請求項２】tG/tL≧1.1であることを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】tG/tL≧1.3であることを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】前記金属膜がAlまたはAl−Si合金であるこ
とを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の
光記録媒体。 - 【請求項５】前記金属膜がスパッタ・エッチまたはミリ
ングを施されていることを特徴とする請求項１乃至４の
うちいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項６】前記基板上に前記下地膜を被着し、該下地
膜上に前記磁性膜を被着し、該磁性膜上に前記金属膜が
被着されていることを特徴とする請求項１乃至５のうち
いずれかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25946488A JP2633927B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25946488A JP2633927B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02108254A JPH02108254A (ja) | 1990-04-20 |
| JP2633927B2 true JP2633927B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17334435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25946488A Expired - Lifetime JP2633927B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633927B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999026236A2 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | Seagate Technology, Inc. | Method for thermal crosstalk control on optical media |
| JP3090118B2 (ja) | 1998-05-08 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP25946488A patent/JP2633927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02108254A (ja) | 1990-04-20 |
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