JP2001167484A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】
【課題】 媒体の再生層の放熱効果を高くし、媒体の温
度変化を急峻にすることで、再生特性を向上させた光磁
気記録媒体を提供する。 【解決手段】 光磁気記録媒体２０は、光透過性基板１
１上に、誘電体層１２、再生層１３、放熱層１４、記録
層１５、誘電体層１６、紫外線硬化樹脂１７を順次形成
した断面構造を有する。放熱層１４は再生層１３に接し
ており、放熱層１４の室温での熱伝導率は再生層１３の
室温での熱伝導率よりも大きい。
度変化を急峻にすることで、再生特性を向上させた光磁
気記録媒体を提供する。 【解決手段】 光磁気記録媒体２０は、光透過性基板１
１上に、誘電体層１２、再生層１３、放熱層１４、記録
層１５、誘電体層１６、紫外線硬化樹脂１７を順次形成
した断面構造を有する。放熱層１４は再生層１３に接し
ており、放熱層１４の室温での熱伝導率は再生層１３の
室温での熱伝導率よりも大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体の放
熱構造および特性に関し、記録もしくは再生特性の向上
に関するものである。
熱構造および特性に関し、記録もしくは再生特性の向上
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換えが可能で、リ
ムーバブルで記録容量が大きく、また、信頼性の高い記
録媒体として注目されており、コンピュータメモリ等と
して実用化され始めている。また、最近では直径１２０
ｍｍのディスクで記録容量が６Ｇバイトの光磁気記録媒
体がＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃｅｄ ＳｔｏｒａｇｅＭ
ａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ）規格として
実用化されようとしている。かかる高密度な光磁気記録
媒体からの信号の再生は、レーザ光を照射することによ
って光磁気記録媒体の記録層の磁区を再生層に転写する
と共に、転写した磁区を検出するＭＳＲ（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃａｌｌｙ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅｓｏ
ｌｕｔｉｏｎ）法によって行なわれている。
ムーバブルで記録容量が大きく、また、信頼性の高い記
録媒体として注目されており、コンピュータメモリ等と
して実用化され始めている。また、最近では直径１２０
ｍｍのディスクで記録容量が６Ｇバイトの光磁気記録媒
体がＡＳ−ＭＯ（Ａｄｖａｎｃｅｄ ＳｔｏｒａｇｅＭ
ａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ）規格として
実用化されようとしている。かかる高密度な光磁気記録
媒体からの信号の再生は、レーザ光を照射することによ
って光磁気記録媒体の記録層の磁区を再生層に転写する
と共に、転写した磁区を検出するＭＳＲ（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃａｌｌｙ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｒｅｓｏ
ｌｕｔｉｏｎ）法によって行なわれている。
【０００３】さらに、再生時に交番磁界を印加し記録層
の磁区を再生層に拡大転写するといった磁区拡大再生技
術等も開発されており、１４Ｇバイトの信号を記録もし
くは再生することができる光磁気記録媒体も提案されて
いる。また、光磁気記録媒体はレーザ光を照射すること
によって記録もしくは再生を行なうことから、その際に
発生する熱を拡散し、レーザスポットの焦点ぼけを起こ
さないことと、磁性層の酸化を防止することを目的とし
て、基板上に記録層と再生層を含む磁性層をスパッタし
た後でＡｌ等の熱拡散層を付加することが行なわれてい
る。
の磁区を再生層に拡大転写するといった磁区拡大再生技
術等も開発されており、１４Ｇバイトの信号を記録もし
くは再生することができる光磁気記録媒体も提案されて
いる。また、光磁気記録媒体はレーザ光を照射すること
によって記録もしくは再生を行なうことから、その際に
発生する熱を拡散し、レーザスポットの焦点ぼけを起こ
さないことと、磁性層の酸化を防止することを目的とし
て、基板上に記録層と再生層を含む磁性層をスパッタし
た後でＡｌ等の熱拡散層を付加することが行なわれてい
る。
【０００４】従来における静磁結合タイプの光磁気記録
媒体１０の構造を図１に示して説明する。光透過性基板
１上にＳｉＮからなる誘電体層２、ＧｄＦｅＣｏからな
る再生層３、誘電体層４、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層
５、誘電体層６、Ａｌからなる熱拡散層７が順次積層さ
れており、一般的に熱拡散層７の付加後には酸化防止と
傷などを防ぐために紫外線硬化樹脂等でコーティングし
ている。熱拡散層７は、再生層３および記録層５を含む
磁性層をスパッタした後で付加することで磁性層の酸化
を防止する役目も担うため、熱拡散層７は記録層５の
後、つまり基板１とは逆側に付加されていた。
媒体１０の構造を図１に示して説明する。光透過性基板
１上にＳｉＮからなる誘電体層２、ＧｄＦｅＣｏからな
る再生層３、誘電体層４、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層
５、誘電体層６、Ａｌからなる熱拡散層７が順次積層さ
れており、一般的に熱拡散層７の付加後には酸化防止と
傷などを防ぐために紫外線硬化樹脂等でコーティングし
ている。熱拡散層７は、再生層３および記録層５を含む
磁性層をスパッタした後で付加することで磁性層の酸化
を防止する役目も担うため、熱拡散層７は記録層５の
後、つまり基板１とは逆側に付加されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、記録密度をよ
り高密度にするために照射するレーザの波長が短くなる
に従って、従来までの磁性層では再生に重要なカー回転
角が小さくなるなどの性能の劣化が現れ、再生が困難と
なる問題が新たに生じた。さらに、記録密度がより高密
度になることから、記録もしくは再生される１つ1つの
磁区は小さくなるため、レーザ光照射による媒体温度変
化をより急峻にする必要が生じた。
り高密度にするために照射するレーザの波長が短くなる
に従って、従来までの磁性層では再生に重要なカー回転
角が小さくなるなどの性能の劣化が現れ、再生が困難と
なる問題が新たに生じた。さらに、記録密度がより高密
度になることから、記録もしくは再生される１つ1つの
磁区は小さくなるため、レーザ光照射による媒体温度変
化をより急峻にする必要が生じた。
【０００６】ところが、前記図１のような静磁結合タイ
プの光磁気記録媒体１０においては、再生層３と記録層
５の間には再生層３よりも熱伝導率の低い誘電体層４が
存在しており、従来の光磁気記録媒体の構造では、再生
層３の放熱効果が低く、再生時の媒体の温度変化を急峻
にできなかった。そこで、本発明は再生層からも好適な
放熱効果が得られ、波長の短いレーザ光を用いて記録も
しくは再生が可能な光磁気記録媒体を提供するものであ
る。
プの光磁気記録媒体１０においては、再生層３と記録層
５の間には再生層３よりも熱伝導率の低い誘電体層４が
存在しており、従来の光磁気記録媒体の構造では、再生
層３の放熱効果が低く、再生時の媒体の温度変化を急峻
にできなかった。そこで、本発明は再生層からも好適な
放熱効果が得られ、波長の短いレーザ光を用いて記録も
しくは再生が可能な光磁気記録媒体を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、光透過性基板上に少なくとも記録層と、該
記録層からの磁区が転写される再生層とを有する光磁気
記録媒体において、前記再生層及び記録層に接して、前
記記録層と再生層との交換結合を遮断する放熱層を有す
ることを特徴とする。
め本発明は、光透過性基板上に少なくとも記録層と、該
記録層からの磁区が転写される再生層とを有する光磁気
記録媒体において、前記再生層及び記録層に接して、前
記記録層と再生層との交換結合を遮断する放熱層を有す
ることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、光透過性基板上に少なく
とも記録層と、該記録層からの磁区が転写される再生層
と、該再生層に転写された磁区が静磁結合によってさら
に転写される拡大再生層とを有する光磁気記録媒体にお
いて、前記再生層及び記録層に接して、前記記録層と再
生層との交換結合を遮断する放熱層を有することを特徴
とする。
とも記録層と、該記録層からの磁区が転写される再生層
と、該再生層に転写された磁区が静磁結合によってさら
に転写される拡大再生層とを有する光磁気記録媒体にお
いて、前記再生層及び記録層に接して、前記記録層と再
生層との交換結合を遮断する放熱層を有することを特徴
とする。
【０００９】また、本発明は、光透過性基板上に少なく
とも記録層と、該記録層からの磁区が転写される再生層
とを有する光磁気記録媒体において、前記再生層に接す
る第１の放熱層及び前記記録層に接する第２の放熱層を
有することを特徴とする。また、本発明は、光透過性基
板上に少なくとも記録層と、該記録層からの磁区が転写
される再生層と、該再生層に転写された磁区が静磁結合
によってさらに転写される拡大再生層とを有する光磁気
記録媒体において、前記再生層に接する第１の放熱層及
び前記記録層に接する第２の放熱層を有することを特徴
とする。
とも記録層と、該記録層からの磁区が転写される再生層
とを有する光磁気記録媒体において、前記再生層に接す
る第１の放熱層及び前記記録層に接する第２の放熱層を
有することを特徴とする。また、本発明は、光透過性基
板上に少なくとも記録層と、該記録層からの磁区が転写
される再生層と、該再生層に転写された磁区が静磁結合
によってさらに転写される拡大再生層とを有する光磁気
記録媒体において、前記再生層に接する第１の放熱層及
び前記記録層に接する第２の放熱層を有することを特徴
とする。
【００１０】また、本発明の光磁気記録媒体は、交換結
合を遮断することが可能な膜厚のうち最低限必要な膜厚
をＴｅｘとし、前記再生層を構成する材料の中で、室温
で最も高い熱伝導率を有する材料の熱伝導率をＰｃと
し、前記放熱層に用いる材料の室温での熱伝導率をｐと
し、前記放熱層の膜厚をｔとした時に、Ｐｃ＊Ｔｅｘ／
（ｐ＊ｔ）で表される熱拡散係数が１以下であることを
特徴とする。
合を遮断することが可能な膜厚のうち最低限必要な膜厚
をＴｅｘとし、前記再生層を構成する材料の中で、室温
で最も高い熱伝導率を有する材料の熱伝導率をＰｃと
し、前記放熱層に用いる材料の室温での熱伝導率をｐと
し、前記放熱層の膜厚をｔとした時に、Ｐｃ＊Ｔｅｘ／
（ｐ＊ｔ）で表される熱拡散係数が１以下であることを
特徴とする。
【００１１】また、本発明の光磁気記録媒体は、前記放
熱層が非磁性であることを特徴とする。また、本発明の
光磁気記録媒体は、前記放熱層が磁性体から成ることを
特徴とする。
熱層が非磁性であることを特徴とする。また、本発明の
光磁気記録媒体は、前記放熱層が磁性体から成ることを
特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図２は、本願発明に係る
光磁気記録媒体２０の断面構造図である。光磁気記録媒
体２０は、光透過性基板１１と該光透過性基板１１上に
形成された誘電体層１２と、該誘電体層１２上に形成さ
れた再生層１３と、該再生層１３上に形成された放熱層
１４と、該放熱層１４上に形成された記録層１５と、該
記録層１５上に形成された誘電体層１６とを備えてい
る。また、前記誘電体層１６積層後には紫外線硬化樹脂
１７をコートしてある。
実施の形態について説明する。図２は、本願発明に係る
光磁気記録媒体２０の断面構造図である。光磁気記録媒
体２０は、光透過性基板１１と該光透過性基板１１上に
形成された誘電体層１２と、該誘電体層１２上に形成さ
れた再生層１３と、該再生層１３上に形成された放熱層
１４と、該放熱層１４上に形成された記録層１５と、該
記録層１５上に形成された誘電体層１６とを備えてい
る。また、前記誘電体層１６積層後には紫外線硬化樹脂
１７をコートしてある。
【００１３】前記光透過性基板１１は、ガラス，ポリカ
ーボネート（ＰＣ），アモルファスポリオレフィン（Ａ
ＰＯ），アクリル等の透光性材料から成り、基板表面に
はランドおよびグルーブが形成されている。また、誘電
体層１２はＳｉＮから成り、前記再生層１３はＧｄＦｅ
Ｃｏから成る。放熱層１４は非磁性であるＡｌなどから
成り、記録層１５はＴｂＦｅＣｏから成る。さらに、誘
電体層１６はＳｉＮから成る。
ーボネート（ＰＣ），アモルファスポリオレフィン（Ａ
ＰＯ），アクリル等の透光性材料から成り、基板表面に
はランドおよびグルーブが形成されている。また、誘電
体層１２はＳｉＮから成り、前記再生層１３はＧｄＦｅ
Ｃｏから成る。放熱層１４は非磁性であるＡｌなどから
成り、記録層１５はＴｂＦｅＣｏから成る。さらに、誘
電体層１６はＳｉＮから成る。
【００１４】誘電体層１２は、光透過性基板１１上にＧ
ｄＦｅＣｏ等の磁性層を直接形成すると磁性層の品質が
劣化するのでこれを防ぐためと、照射されるレーザ光の
波長に好適な厚さにすることでエンハンス効果が得られ
再生特性を向上させるために形成される。再生層１３を
構成するＧｄＦｅＣｏは、室温で面内磁化膜であり、レ
ーザ光が照射され、１５０℃以上に昇温されると垂直磁
化膜になる。
ｄＦｅＣｏ等の磁性層を直接形成すると磁性層の品質が
劣化するのでこれを防ぐためと、照射されるレーザ光の
波長に好適な厚さにすることでエンハンス効果が得られ
再生特性を向上させるために形成される。再生層１３を
構成するＧｄＦｅＣｏは、室温で面内磁化膜であり、レ
ーザ光が照射され、１５０℃以上に昇温されると垂直磁
化膜になる。
【００１５】放熱層１４を構成するＡｌは非磁性であ
り、記録層１５と再生層１３の交換結合を切断する。記
録層１５を構成するＴｂＦｅＣｏは、室温で垂直磁化膜
である。誘電体層１６は、記録層１５を含む磁性層を保
護するために設けられている。また、紫外線硬化樹脂１
７は、光磁気記録媒体２０に含まれる磁性層および金属
層等の酸化などの特性劣化や傷から守るためにコートさ
れている。
り、記録層１５と再生層１３の交換結合を切断する。記
録層１５を構成するＴｂＦｅＣｏは、室温で垂直磁化膜
である。誘電体層１６は、記録層１５を含む磁性層を保
護するために設けられている。また、紫外線硬化樹脂１
７は、光磁気記録媒体２０に含まれる磁性層および金属
層等の酸化などの特性劣化や傷から守るためにコートさ
れている。
【００１６】光磁気記録媒体２０に用いられる各材料の
室温での熱伝導率は、ＳｉＮが４．８［Ｗ／ｍ・Ｋ］、
Ｇｄが１４［Ｗ／ｍ・Ｋ］、Ｆｅが８３．５［Ｗ／ｍ・
Ｋ］、Ｃｏが１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］、Ａｌが２３５［Ｗ
／ｍ・Ｋ］、Ｔｂが１３［Ｗ／ｍ・Ｋ］である。よっ
て、ＧｄＦｅＣｏよりなる再生層１３およびＴｂＦｅＣ
ｏよりなる記録層１５の室温での熱伝導率がＣｏの熱伝
導率１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］よりも大きくなることはな
く、Ａｌであれば十分な放熱効果が得られる。また、再
生層１３および記録層１５より熱伝導率が極めて小さい
ＳｉＮが接している場合は、ＳｉＮ方向への放熱効果は
著しく小さい。
室温での熱伝導率は、ＳｉＮが４．８［Ｗ／ｍ・Ｋ］、
Ｇｄが１４［Ｗ／ｍ・Ｋ］、Ｆｅが８３．５［Ｗ／ｍ・
Ｋ］、Ｃｏが１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］、Ａｌが２３５［Ｗ
／ｍ・Ｋ］、Ｔｂが１３［Ｗ／ｍ・Ｋ］である。よっ
て、ＧｄＦｅＣｏよりなる再生層１３およびＴｂＦｅＣ
ｏよりなる記録層１５の室温での熱伝導率がＣｏの熱伝
導率１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］よりも大きくなることはな
く、Ａｌであれば十分な放熱効果が得られる。また、再
生層１３および記録層１５より熱伝導率が極めて小さい
ＳｉＮが接している場合は、ＳｉＮ方向への放熱効果は
著しく小さい。
【００１７】補足すると、再生層１３に接して積層する
放熱層１４の材料が、再生層１３を構成する材料の中で
最も熱伝導率が高い材料よりも高い熱伝導率を有する材
料であれば、膜面内方向よりも膜垂直方向への放熱効果
を得ることができる。よって、再生層１３がＧｄＦｅＣ
ｏで構成される場合、この中で一番熱伝導率が高いのは
Ｃｏであり、再生層１３の熱伝導率はＣｏの熱伝導率１
００［Ｗ／ｍ・Ｋ］を超えることはなく、放熱層１４は
このＣｏの熱伝導率１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］よりも高い熱
伝導率を有する材料であれば良い。
放熱層１４の材料が、再生層１３を構成する材料の中で
最も熱伝導率が高い材料よりも高い熱伝導率を有する材
料であれば、膜面内方向よりも膜垂直方向への放熱効果
を得ることができる。よって、再生層１３がＧｄＦｅＣ
ｏで構成される場合、この中で一番熱伝導率が高いのは
Ｃｏであり、再生層１３の熱伝導率はＣｏの熱伝導率１
００［Ｗ／ｍ・Ｋ］を超えることはなく、放熱層１４は
このＣｏの熱伝導率１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］よりも高い熱
伝導率を有する材料であれば良い。
【００１８】また、再生層にはさまざまな材料が使われ
るが、熱伝導率を考える場合、数％添加した材料の依存
度は非常に小さく、構成する材料として有効と考えるの
は少なくとも１０％以上の場合である。このことから、
再生時に再生層１３に再生層１３よりも熱伝導率の高い
放熱層１４を隣接して積層することによって、レーザ光
照射によって再生層１３に生じた熱は膜面方向よりも放
熱層１４のある膜法線方向に吸収され、再生層１３の温
度変化を急峻にすることが可能となり再生特性を向上す
ることができる。
るが、熱伝導率を考える場合、数％添加した材料の依存
度は非常に小さく、構成する材料として有効と考えるの
は少なくとも１０％以上の場合である。このことから、
再生時に再生層１３に再生層１３よりも熱伝導率の高い
放熱層１４を隣接して積層することによって、レーザ光
照射によって再生層１３に生じた熱は膜面方向よりも放
熱層１４のある膜法線方向に吸収され、再生層１３の温
度変化を急峻にすることが可能となり再生特性を向上す
ることができる。
【００１９】ところで、特開平１１−１６２０２８号公
報には、再生層と記録層の間に反射層としてＡｌやＡｇ
からなる金属層を入れることが開示されているが、これ
は、再生時のレーザ光を反射層で反射せしめることを目
的としており、熱伝導率などは全く考慮されておらず、
またエンハンス効果を高める目的で、再生層と反射層の
間に熱伝導率の低い誘電体層を挿入しており、本願とは
目的及び作用・効果が全く異なっている。
報には、再生層と記録層の間に反射層としてＡｌやＡｇ
からなる金属層を入れることが開示されているが、これ
は、再生時のレーザ光を反射層で反射せしめることを目
的としており、熱伝導率などは全く考慮されておらず、
またエンハンス効果を高める目的で、再生層と反射層の
間に熱伝導率の低い誘電体層を挿入しており、本願とは
目的及び作用・効果が全く異なっている。
【００２０】また、熱伝導率の高い放熱層１４に記録層
１５が隣接して積層することによって、再生時にレーザ
光照射によって生じた熱は放熱層１４に吸収されやす
く、記録層１５に書かれた情報を劣化させないように
し、記録時は記録層１５の温度変化を急峻にし、記録特
性を向上することができる。放熱層１４は再生時および
記録時の両方の放熱層として機能するため、構造が複雑
でなく、作製工程を単純にできる効果もある。
１５が隣接して積層することによって、再生時にレーザ
光照射によって生じた熱は放熱層１４に吸収されやす
く、記録層１５に書かれた情報を劣化させないように
し、記録時は記録層１５の温度変化を急峻にし、記録特
性を向上することができる。放熱層１４は再生時および
記録時の両方の放熱層として機能するため、構造が複雑
でなく、作製工程を単純にできる効果もある。
【００２１】さらに、放熱層１４を再生層１３と記録層
１５の間に挿入すると、放熱層１４の材料が再生温度付
近で磁性持たない場合は、放熱効果とともに再生層１３
と記録層１５の交換結合を遮断する役目も持つことがで
き、放熱層１４が透光性の材料から構成されていれば、
放熱効果と共に、再生時のエンハンス効果も得ることが
できる。
１５の間に挿入すると、放熱層１４の材料が再生温度付
近で磁性持たない場合は、放熱効果とともに再生層１３
と記録層１５の交換結合を遮断する役目も持つことがで
き、放熱層１４が透光性の材料から構成されていれば、
放熱効果と共に、再生時のエンハンス効果も得ることが
できる。
【００２２】次に、本願発明の光磁気記録媒体の温度上
昇について図３を用いて説明する。一般にレーザ光はガ
ウス分布で表される強度分布を示し、このような強度分
布を持つレーザ光が図１に示した従来の光磁気記録媒体
１０に照射されると、図３（ａ）のように温度が上昇
し、Ｗ１の領域が１５０℃以上に昇温される。即ち、再
生層３はＷ１の範囲において垂直磁化膜となる。
昇について図３を用いて説明する。一般にレーザ光はガ
ウス分布で表される強度分布を示し、このような強度分
布を持つレーザ光が図１に示した従来の光磁気記録媒体
１０に照射されると、図３（ａ）のように温度が上昇
し、Ｗ１の領域が１５０℃以上に昇温される。即ち、再
生層３はＷ１の範囲において垂直磁化膜となる。
【００２３】しかし、図３（ｂ）に示すように、同じ強
度分布を持つレーザ光を図２に示した本願発明の光磁気
記録媒体２０に照射すると、放熱層１４の効果のため、
温度の上昇と下降が急峻になり、１５０℃以上に昇温さ
れる領域Ｗ２はＷ１に比べて狭くなる。即ち、再生層１
３はＷ２の範囲において垂直磁化膜となり、従来の光磁
気記録媒体１０に比べて再生層のより狭い領域で転写さ
れた磁区を読み出すことが可能となり、記録密度を高密
度にした場合の再生特性を向上させることができる。
度分布を持つレーザ光を図２に示した本願発明の光磁気
記録媒体２０に照射すると、放熱層１４の効果のため、
温度の上昇と下降が急峻になり、１５０℃以上に昇温さ
れる領域Ｗ２はＷ１に比べて狭くなる。即ち、再生層１
３はＷ２の範囲において垂直磁化膜となり、従来の光磁
気記録媒体１０に比べて再生層のより狭い領域で転写さ
れた磁区を読み出すことが可能となり、記録密度を高密
度にした場合の再生特性を向上させることができる。
【００２４】前記誘電体層１２，再生層１３，放熱層１
４，記録層１５，誘電体層１６はいずれもスパッタリン
グ法によって形成され、各層の膜厚は、誘電体層１２が
２００〜１０００Åの範囲であり、再生層１３が１００
〜１０００Åの範囲であり、記録層１５が２００〜２０
００Åの範囲であり、誘電体層１６が５０〜１０００Å
の範囲であり、放熱層１４の膜厚は交換結合が遮断され
且つ記録層１５からの漏れ磁界が再生層１３へ届く範囲
であれば良い。典型的には、誘電体層１２が４００Åで
あり、再生層１３が５００Åであり、放熱層１４が２０
０Åであり、記録層１５が６００Åであり、誘電体層１
６が７００Åである。また、紫外線硬化樹脂１７はスピ
ンコートによって塗布され、厚さは約１０μｍである。
４，記録層１５，誘電体層１６はいずれもスパッタリン
グ法によって形成され、各層の膜厚は、誘電体層１２が
２００〜１０００Åの範囲であり、再生層１３が１００
〜１０００Åの範囲であり、記録層１５が２００〜２０
００Åの範囲であり、誘電体層１６が５０〜１０００Å
の範囲であり、放熱層１４の膜厚は交換結合が遮断され
且つ記録層１５からの漏れ磁界が再生層１３へ届く範囲
であれば良い。典型的には、誘電体層１２が４００Åで
あり、再生層１３が５００Åであり、放熱層１４が２０
０Åであり、記録層１５が６００Åであり、誘電体層１
６が７００Åである。また、紫外線硬化樹脂１７はスピ
ンコートによって塗布され、厚さは約１０μｍである。
【００２５】尚、誘電体層１２を構成するＳｉＮ、再生
層１３を構成するＧｄＦｅＣｏ、記録層を構成するＴｂ
ＦｅＣｏ、および誘電体層１６を構成するＳｉＮは周知
の条件で形成することができる。続いて、図４を参照し
て放熱層１４であるＡｌの形成条件について説明する。
前述のように、放熱層１４であるＡｌはスパッタリング
法によって形成されるが、ここでターゲットはＡｌであ
り、スパッタガスとしてのＡｒ流量は４０〜８０ｓｃｃ
ｍの範囲であり、典型的には６０ｓｃｃｍである。ま
た、反応圧力は０．４〜１．３３Ｐａの範囲であり、典
型的には０．９３Ｐａである。また、投入パワーは０．
５〜２．５Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的には１．１
３Ｗ／ｃｍ2である。また、積層時の基板温度は２０〜
８０℃の範囲であり、典型的には６０℃である。
層１３を構成するＧｄＦｅＣｏ、記録層を構成するＴｂ
ＦｅＣｏ、および誘電体層１６を構成するＳｉＮは周知
の条件で形成することができる。続いて、図４を参照し
て放熱層１４であるＡｌの形成条件について説明する。
前述のように、放熱層１４であるＡｌはスパッタリング
法によって形成されるが、ここでターゲットはＡｌであ
り、スパッタガスとしてのＡｒ流量は４０〜８０ｓｃｃ
ｍの範囲であり、典型的には６０ｓｃｃｍである。ま
た、反応圧力は０．４〜１．３３Ｐａの範囲であり、典
型的には０．９３Ｐａである。また、投入パワーは０．
５〜２．５Ｗ／ｃｍ2の範囲であり、典型的には１．１
３Ｗ／ｃｍ2である。また、積層時の基板温度は２０〜
８０℃の範囲であり、典型的には６０℃である。
【００２６】尚、放熱層１４を含む各層をスパッタ形成
する際には、膜の均一性を保つために基板を自転させな
がら、２０〜５０ｒｐｍの範囲で、典型的には３３ｒｐ
ｍで公転させている。また、放熱層１４に用いる材料は
Ａｌに限定されるものではなく、再生層１３および記録
層１５の熱伝導率よりも大きいものであればよく、Ｃｏ
の室温での熱伝導率１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］よりも高いこ
とが望ましい。これは放熱層１４の接している再生層１
３がＧｄＦｅＣｏであり、記録層１５がＴｂＦｅＣｏで
あるので、これらを構成する材料の熱伝導率のなかで最
も高いのはＣｏであるためである。そのため、Ａｌに変
わる具体的な材料として室温の熱伝導率１１９［Ｗ／ｍ
・Ｋ］であるＺｎ、同１７０［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＷ、
同１５３［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＭｇ、同２２０［Ｗ／ｍ
・Ｋ］であるＢｅ、同４０１［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＣ
ｕ、同３１８［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＡｕ、同４２８［Ｗ
／ｍ・Ｋ］であるＡｇ、そのほか、ＡｌとＡｌを含むこ
れらの内、少なくとも1つを使った合金などで良い。
する際には、膜の均一性を保つために基板を自転させな
がら、２０〜５０ｒｐｍの範囲で、典型的には３３ｒｐ
ｍで公転させている。また、放熱層１４に用いる材料は
Ａｌに限定されるものではなく、再生層１３および記録
層１５の熱伝導率よりも大きいものであればよく、Ｃｏ
の室温での熱伝導率１００［Ｗ／ｍ・Ｋ］よりも高いこ
とが望ましい。これは放熱層１４の接している再生層１
３がＧｄＦｅＣｏであり、記録層１５がＴｂＦｅＣｏで
あるので、これらを構成する材料の熱伝導率のなかで最
も高いのはＣｏであるためである。そのため、Ａｌに変
わる具体的な材料として室温の熱伝導率１１９［Ｗ／ｍ
・Ｋ］であるＺｎ、同１７０［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＷ、
同１５３［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＭｇ、同２２０［Ｗ／ｍ
・Ｋ］であるＢｅ、同４０１［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＣ
ｕ、同３１８［Ｗ／ｍ・Ｋ］であるＡｕ、同４２８［Ｗ
／ｍ・Ｋ］であるＡｇ、そのほか、ＡｌとＡｌを含むこ
れらの内、少なくとも1つを使った合金などで良い。
【００２７】また、放熱層１４は、金属膜に限定される
ものではなく、グラファイトやＳｉといった非金属でも
よく、再生層１３よりも熱伝導率の高い材料であればよ
い。Ｓｉなどの透光性材料であれば、放熱効果を有しつ
つ、再生時にエンハンス効果を得ることも可能である。
本実施例では、放熱層１４の材料としてＡｌを膜厚２０
０Åで形成しているが、放熱層１４は熱伝導率が再生層
１３よりも高い材料を用いればよく、Ａｌよりも熱伝導
率が高い材料を用いた場合には、膜厚を薄くしても同等
の放熱効果を得ることが可能となる。但し、放熱層１４
の膜厚を薄くする場合、再生層１３と記録層１５の交換
結合を遮断することができるだけの膜厚は必要である。
このことから、放熱層１４には、交換結合を遮断するこ
とが可能な膜厚Ｔｅｘ（＝２０Å）、もしくはそれ以上
の膜厚と、さらに放熱層１４の室温での熱伝導率ｐが再
生層１３の熱伝導率Ｐｃよりも高いことが必要である。
ものではなく、グラファイトやＳｉといった非金属でも
よく、再生層１３よりも熱伝導率の高い材料であればよ
い。Ｓｉなどの透光性材料であれば、放熱効果を有しつ
つ、再生時にエンハンス効果を得ることも可能である。
本実施例では、放熱層１４の材料としてＡｌを膜厚２０
０Åで形成しているが、放熱層１４は熱伝導率が再生層
１３よりも高い材料を用いればよく、Ａｌよりも熱伝導
率が高い材料を用いた場合には、膜厚を薄くしても同等
の放熱効果を得ることが可能となる。但し、放熱層１４
の膜厚を薄くする場合、再生層１３と記録層１５の交換
結合を遮断することができるだけの膜厚は必要である。
このことから、放熱層１４には、交換結合を遮断するこ
とが可能な膜厚Ｔｅｘ（＝２０Å）、もしくはそれ以上
の膜厚と、さらに放熱層１４の室温での熱伝導率ｐが再
生層１３の熱伝導率Ｐｃよりも高いことが必要である。
【００２８】ここで、再生層１３の熱伝導率Ｐｃは、再
生層１３を構成する材料の熱伝導率の内で最も高い材料
の熱伝導率を適用し、また、放熱層１４に用いる材料の
室温での熱伝導率をｐ［Ｗ／ｍ・Ｋ］、その膜厚をｔ
［Å］とした場合、Ｐｃ×Ｔｅｘ／（ｐ×ｔ）で表され
る熱拡散係数が１以下であればよい。但し、このときｔ
＞２０Åである。
生層１３を構成する材料の熱伝導率の内で最も高い材料
の熱伝導率を適用し、また、放熱層１４に用いる材料の
室温での熱伝導率をｐ［Ｗ／ｍ・Ｋ］、その膜厚をｔ
［Å］とした場合、Ｐｃ×Ｔｅｘ／（ｐ×ｔ）で表され
る熱拡散係数が１以下であればよい。但し、このときｔ
＞２０Åである。
【００２９】本願発明に係る光磁気記録媒体２０の再生
層１３の材料はＧｄＦｅＣｏに限定されるものではな
く、ＧｄＦｅＣｏに［Ｎｄ，Ｐｒ，Ｐｔ，Ｐｄ］の少な
くとも一種類の元素を含む合金、もしくはＣｏ／Ｐｔ等
の遷移金属／貴金属の積層膜であっても良い。これらの
材料で構成される再生層を用いれば短波長のレーザ光を
用いた場合、具体的には波長４００ｎｍのレーザ光を用
いた場合に、読み出しに必要なカー回転角が大きく、再
生特性を向上させることができる。
層１３の材料はＧｄＦｅＣｏに限定されるものではな
く、ＧｄＦｅＣｏに［Ｎｄ，Ｐｒ，Ｐｔ，Ｐｄ］の少な
くとも一種類の元素を含む合金、もしくはＣｏ／Ｐｔ等
の遷移金属／貴金属の積層膜であっても良い。これらの
材料で構成される再生層を用いれば短波長のレーザ光を
用いた場合、具体的には波長４００ｎｍのレーザ光を用
いた場合に、読み出しに必要なカー回転角が大きく、再
生特性を向上させることができる。
【００３０】また、本願発明に係る光磁気記録媒体の断
面構造は、前記図２に示すものに限定されるものではな
く、図２の放熱層１４と記録層１５の間に誘電体層１２
０が挿入された図５に示す断面構造であっても良い。誘
電体層１２０が挿入されたことによって、誘電体層１２
０によって記録層１５と再生層１３の交換結合を遮断す
ることができ、熱伝導率の高い材料を放熱層１４に用い
た場合に放熱層の膜厚を薄くすることが可能で、再生時
に誘電体層１２０のエンハンス効果を得ることが可能に
なり、再生特性がさらに向上する。
面構造は、前記図２に示すものに限定されるものではな
く、図２の放熱層１４と記録層１５の間に誘電体層１２
０が挿入された図５に示す断面構造であっても良い。誘
電体層１２０が挿入されたことによって、誘電体層１２
０によって記録層１５と再生層１３の交換結合を遮断す
ることができ、熱伝導率の高い材料を放熱層１４に用い
た場合に放熱層の膜厚を薄くすることが可能で、再生時
に誘電体層１２０のエンハンス効果を得ることが可能に
なり、再生特性がさらに向上する。
【００３１】また、誘電体層１２０が挿入されたことに
よって、記録層１５の放熱効果が失われるため、第２の
放熱層１４０を挿入して、記録時の放熱を行うようにす
ることが最良である。誘電体層１２０は、具体的にはＳ
ｉＮ、第２の放熱層１４０はＡｇであって良い。
よって、記録層１５の放熱効果が失われるため、第２の
放熱層１４０を挿入して、記録時の放熱を行うようにす
ることが最良である。誘電体層１２０は、具体的にはＳ
ｉＮ、第２の放熱層１４０はＡｇであって良い。
【００３２】また、放熱層１４は必ずしも非磁性である
必要はなく、再生層１３よりも熱伝導率が高く、記録層
１５から磁区を再生層１３に転写せしめる時に、交換結
合を遮断し、静磁結合によって転写するものであっても
よい。具体的に光磁気記録媒体２１０の断面構造を図６
に示す。光磁気記録媒体２１０は再生層１３に接して放
熱層１４１が形成されており、放熱層１４１に接して非
磁性層１２１が形成され、非磁性層１２１に接して記録
層１５が形成されている。
必要はなく、再生層１３よりも熱伝導率が高く、記録層
１５から磁区を再生層１３に転写せしめる時に、交換結
合を遮断し、静磁結合によって転写するものであっても
よい。具体的に光磁気記録媒体２１０の断面構造を図６
に示す。光磁気記録媒体２１０は再生層１３に接して放
熱層１４１が形成されており、放熱層１４１に接して非
磁性層１２１が形成され、非磁性層１２１に接して記録
層１５が形成されている。
【００３３】放熱層１４１は再生層１３よりも熱伝導率
が高く、磁性膜であり、具体的にはＣｏＰｔ合金であ
る。放熱層１４１の磁気特性は面内であって、磁化がな
くなるキュリー温度が１４０℃であり、そのため、１４
０℃まで記録層１５からの漏れ磁界をマスクすることが
でき、再生特性をより向上できる。非磁性層１２１は放
熱層１４１と記録層１５との交換結合を遮断するために
形成しているため、磁性をもたないＡｌ，ＳｉＮのいず
れかで良い。
が高く、磁性膜であり、具体的にはＣｏＰｔ合金であ
る。放熱層１４１の磁気特性は面内であって、磁化がな
くなるキュリー温度が１４０℃であり、そのため、１４
０℃まで記録層１５からの漏れ磁界をマスクすることが
でき、再生特性をより向上できる。非磁性層１２１は放
熱層１４１と記録層１５との交換結合を遮断するために
形成しているため、磁性をもたないＡｌ，ＳｉＮのいず
れかで良い。
【００３４】この例では、記録層１５と放熱層１４１の
間に非磁性層１２１を挿入しているが、再生温度以下に
おいて再生層１３が記録層１５からの影響を受けないの
であれば非磁性層１２１はなくても良い。非磁性層１２
１が存在しない場合は、放熱層１４１によって再生層１
３と記録層１５の交換結合を遮断すればよい。また、放
熱層１４１は必ずしも再生層１３と記録層１５の間にな
ければならない必要はなく、再生層１３に接して、基板
１１側にあってもよい。その場合、放熱層１４１は再生
層１３よりも熱伝導率が高く、記録層１５から磁区が転
写される１５０℃において垂直磁化膜になる磁性膜であ
ればよく、具体的にはＣｏＰｔ合金もしくはＣｏ／Ｐｔ
積層膜であることが好ましい。Ｃｏ／Ｐｔ積層膜の場合
は、熱伝導率の高いＰｔが再生層１４に接している方
が、膜垂直方向への放熱効果が高くなり、より好まし
い。また、ＣｏＰｔ合金やＣｏ／Ｐｔ積層膜は青色レー
ザ等の短波長のレーザを用いた場合のカー回転角が大き
く、再生特性が向上する。
間に非磁性層１２１を挿入しているが、再生温度以下に
おいて再生層１３が記録層１５からの影響を受けないの
であれば非磁性層１２１はなくても良い。非磁性層１２
１が存在しない場合は、放熱層１４１によって再生層１
３と記録層１５の交換結合を遮断すればよい。また、放
熱層１４１は必ずしも再生層１３と記録層１５の間にな
ければならない必要はなく、再生層１３に接して、基板
１１側にあってもよい。その場合、放熱層１４１は再生
層１３よりも熱伝導率が高く、記録層１５から磁区が転
写される１５０℃において垂直磁化膜になる磁性膜であ
ればよく、具体的にはＣｏＰｔ合金もしくはＣｏ／Ｐｔ
積層膜であることが好ましい。Ｃｏ／Ｐｔ積層膜の場合
は、熱伝導率の高いＰｔが再生層１４に接している方
が、膜垂直方向への放熱効果が高くなり、より好まし
い。また、ＣｏＰｔ合金やＣｏ／Ｐｔ積層膜は青色レー
ザ等の短波長のレーザを用いた場合のカー回転角が大き
く、再生特性が向上する。
【００３５】本願発明に係る光磁気記録媒体は、ＭＳＲ
法によって信号再生を行う光磁気記録媒体のみならず、
磁区拡大によって信号再生を行う光磁気記録媒体として
も使用可能である。その場合の再生層１３には拡大再生
層を用いるか、もしくは、ＭＳＲ再生可能な再生層１３
上に非磁性層を介して、拡大再生層を新たに設けた図７
の光磁気記録媒体３００のような断面構造であってもよ
い。
法によって信号再生を行う光磁気記録媒体のみならず、
磁区拡大によって信号再生を行う光磁気記録媒体として
も使用可能である。その場合の再生層１３には拡大再生
層を用いるか、もしくは、ＭＳＲ再生可能な再生層１３
上に非磁性層を介して、拡大再生層を新たに設けた図７
の光磁気記録媒体３００のような断面構造であってもよ
い。
【００３６】即ち、光磁気記録媒体３００は基板１１上
に誘電体層１２が形成され、誘電体層１２上に拡大再生
層１３０が形成されており、拡大再生層１３０上に誘電
体層２２０が形成され、誘電体層２２０上に再生層１３
が形成され、再生層１３上に放熱層１４が形成され、放
熱層１４上には記録層１５が形成され、記録層１５上に
は誘電体層１６が形成され、誘電体層１６上には紫外線
硬化樹脂１７が硬化されている断面構造を有している。
に誘電体層１２が形成され、誘電体層１２上に拡大再生
層１３０が形成されており、拡大再生層１３０上に誘電
体層２２０が形成され、誘電体層２２０上に再生層１３
が形成され、再生層１３上に放熱層１４が形成され、放
熱層１４上には記録層１５が形成され、記録層１５上に
は誘電体層１６が形成され、誘電体層１６上には紫外線
硬化樹脂１７が硬化されている断面構造を有している。
【００３７】拡大再生層１３０は、具体的にはＧｄＦｅ
Ｃｏから成り、誘電体層２２０はＳｉＮから成る。熱伝
導率は誘電体層２２０に比べて拡大再生層１３０の方が
大きい。次に光磁気記録媒体３００の放熱を図８の模式
図を使って説明する。拡大再生層１３０は誘電体層２２
０の熱伝導率に比べて大きいため、光磁気記録媒体３０
０に照射されたレーザ光による熱は拡大再生層１３０に
膜面内方向に拡散され、再生層１３に伝わった熱は放熱
層１４に拡散され、領域１３０１、１３０２が１５０℃
以上に昇温され、磁区が転写されやすくなる。即ち、領
域１３０１の方が領域１３０２よりも広く昇温されるた
め、記録層１５の磁化１５０１を持つ磁区１５００は領
域１３０２に磁化１５０２を持つ磁区として転写され、
さらに領域１３０１の磁化１５０３を持つ磁区に拡大転
写される。よって、記録層１５に記録された情報を拡大
再生層１３０に拡大して再生することが可能になり、再
生特性を向上させることができる。また、拡大された磁
区１５０３に交番磁界を印加することによってさらに再
生特性を向上させることが可能である。
Ｃｏから成り、誘電体層２２０はＳｉＮから成る。熱伝
導率は誘電体層２２０に比べて拡大再生層１３０の方が
大きい。次に光磁気記録媒体３００の放熱を図８の模式
図を使って説明する。拡大再生層１３０は誘電体層２２
０の熱伝導率に比べて大きいため、光磁気記録媒体３０
０に照射されたレーザ光による熱は拡大再生層１３０に
膜面内方向に拡散され、再生層１３に伝わった熱は放熱
層１４に拡散され、領域１３０１、１３０２が１５０℃
以上に昇温され、磁区が転写されやすくなる。即ち、領
域１３０１の方が領域１３０２よりも広く昇温されるた
め、記録層１５の磁化１５０１を持つ磁区１５００は領
域１３０２に磁化１５０２を持つ磁区として転写され、
さらに領域１３０１の磁化１５０３を持つ磁区に拡大転
写される。よって、記録層１５に記録された情報を拡大
再生層１３０に拡大して再生することが可能になり、再
生特性を向上させることができる。また、拡大された磁
区１５０３に交番磁界を印加することによってさらに再
生特性を向上させることが可能である。
【００３８】この例で、再生時には再生層１３は記録層
１５の磁区を正確に転写し、さらに拡大再生層１３０に
渡す役割をし、実際の再生信号を読み出すのは拡大再生
層１３０になる。つまり、拡大再生層１３０の上に誘電
体層２２０を積層し、再生層１３に放熱構造が付加され
た状態で積層されていれば、拡大再生層１３０に記録層
１５の磁区をより正確に転写する転写層の役目をし、転
写された磁区をもう一度拡大再生層に転写することで再
生することが可能となり、放熱層１４の効果によって記
録層１５の磁区よりも拡大して再生することによって再
生特性が向上する。
１５の磁区を正確に転写し、さらに拡大再生層１３０に
渡す役割をし、実際の再生信号を読み出すのは拡大再生
層１３０になる。つまり、拡大再生層１３０の上に誘電
体層２２０を積層し、再生層１３に放熱構造が付加され
た状態で積層されていれば、拡大再生層１３０に記録層
１５の磁区をより正確に転写する転写層の役目をし、転
写された磁区をもう一度拡大再生層に転写することで再
生することが可能となり、放熱層１４の効果によって記
録層１５の磁区よりも拡大して再生することによって再
生特性が向上する。
【００３９】
【発明の効果】以上、詳述した如く本発明に依れば、再
生層から効果的に放熱することができ、再生時の再生層
の温度変化を急峻にすることが可能になり、そのこと
で、より小さい磁区を読み出すことが可能になり、波長
の短いレーザ光を用いた再生において、再生特性を向上
することができる。
生層から効果的に放熱することができ、再生時の再生層
の温度変化を急峻にすることが可能になり、そのこと
で、より小さい磁区を読み出すことが可能になり、波長
の短いレーザ光を用いた再生において、再生特性を向上
することができる。
【００４０】また、本発明に依れば、放熱層の熱伝導率
を再生層の熱伝導率よりも大きくすることで、熱を膜法
線方向に放熱しやすい構造にし、膜面内方向への熱の拡
散を少なくすることができ、再生時の再生層の温度変化
を急峻にすることが可能になり、そのことで、より小さ
い磁区を読み出すことが可能になり、波長の短いレーザ
光を用いた再生において、再生特性を向上することがで
きる。
を再生層の熱伝導率よりも大きくすることで、熱を膜法
線方向に放熱しやすい構造にし、膜面内方向への熱の拡
散を少なくすることができ、再生時の再生層の温度変化
を急峻にすることが可能になり、そのことで、より小さ
い磁区を読み出すことが可能になり、波長の短いレーザ
光を用いた再生において、再生特性を向上することがで
きる。
【００４１】また、放熱層が再生層と記録層の両方に接
していることから、再生層と記録層の両方の放熱が可能
となり、構造が簡単で、再生時の再生層の温度変化を急
峻にすることが可能になり、そのことで、より小さい磁
区を読み出すことが可能になり、波長の短いレーザ光を
用いた再生において、再生特性を向上することができ
る。
していることから、再生層と記録層の両方の放熱が可能
となり、構造が簡単で、再生時の再生層の温度変化を急
峻にすることが可能になり、そのことで、より小さい磁
区を読み出すことが可能になり、波長の短いレーザ光を
用いた再生において、再生特性を向上することができ
る。
【００４２】また、記録時には記録層の温度変化を急峻
にすることが可能となり、記録特性も向上することがで
きる。さらに、放熱層が記録層と再生層の交換結合を遮
断する役目も持つことができる。
にすることが可能となり、記録特性も向上することがで
きる。さらに、放熱層が記録層と再生層の交換結合を遮
断する役目も持つことができる。
【図１】従来の光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図２】本願発明に係る光磁気記録媒体の断面構造図で
ある。
ある。
【図３】レーザ強度分布と、１５０℃以上に昇温される
領域の関係を示す図である。
領域の関係を示す図である。
【図４】図２に示す光磁気記録媒体の放熱層の形成条件
である。
である。
【図５】本願発明に係る光磁気記録媒体の他の断面構造
図である。
図である。
【図６】本願発明に係る光磁気記録媒体のもう１つの断
面構造図である。
面構造図である。
【図７】光磁気記録媒体の拡大再生層を用いた断面構造
図である。
図である。
【図８】昇温される領域の模式図である。
１、１１ 光透過性基板 ６、１２、１６、１２０、２２０ 誘電体層 ３、１３ 再生層 ５、１５ 記録層 ７ 熱拡散層 １０、２０、２００、２１０、３００ 光磁気記録媒体 １４ 放熱層 １７ 紫外線硬化樹脂 １２１ 非磁性層 １３０ 拡大再生層 １４０ 第２の放熱層 １４１ 磁性膜である放熱層 １３０１、１３０２ １５０℃以上に昇温される領域 １５００ 記録されている磁区 １５０１，１５０２，１５０３ 磁化
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５３１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５３１Ｖ
Claims (7)
- 【請求項１】 光透過性基板上に少なくとも記録層と、
該記録層からの磁区が転写される再生層とを有する光磁
気記録媒体において、 前記再生層及び記録層に接して、前記記録層と再生層と
の交換結合を遮断する放熱層を有することを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 光透過性基板上に少なくとも記録層と、
該記録層からの磁区が転写される再生層と、該再生層に
転写された磁区が静磁結合によってさらに転写される拡
大再生層とを有する光磁気記録媒体において、 前記再生層及び記録層に接して、前記記録層と再生層と
の交換結合を遮断する放熱層を有することを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 光透過性基板上に少なくとも記録層と、
該記録層からの磁区が転写される再生層とを有する光磁
気記録媒体において、 前記再生層に接する第１の放熱層及び前記記録層に接す
る第２の放熱層を有することを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 光透過性基板上に少なくとも記録層と、
該記録層からの磁区が転写される再生層と、該再生層に
転写された磁区が静磁結合によってさらに転写される拡
大再生層とを有する光磁気記録媒体において、 前記再生層に接する第１の放熱層及び前記記録層に接す
る第２の放熱層を有することを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 さらに、交換結合を遮断することが可能
な膜厚のうち最低限必要な膜厚をＴｅｘとし、前記再生
層を構成する材料の中で、室温で最も高い熱伝導率を有
する材料の熱伝導率をＰｃとし、前記放熱層に用いる材
料の室温での熱伝導率をｐとし、前記放熱層の膜厚をｔ
とした時に、Ｐｃ＊Ｔｅｘ／（ｐ＊ｔ）で表される熱拡
散係数が１以下であることを特徴とする請求項１乃至請
求項４記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記放熱層が非磁性であることを特徴と
する請求項１乃至請求項５記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記放熱層が磁性体から成ることを特徴
とする請求項１乃至請求項５記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000279374A JP2001167484A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-14 | 光磁気記録媒体 |
| US09/670,612 US6483784B1 (en) | 1999-09-30 | 2000-09-27 | Magneto-optical recording medium having a heat-sink layer |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-278777 | 1999-09-30 | ||
| JP27877799 | 1999-09-30 | ||
| JP2000279374A JP2001167484A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001167484A true JP2001167484A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=26553039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000279374A Pending JP2001167484A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6483784B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001167484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6928033B2 (en) * | 2001-05-23 | 2005-08-09 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium having a plurality of heat-radiation films |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7161755B1 (en) * | 2002-04-08 | 2007-01-09 | Maxtor Corporation | Increasing areal density in magnetic recording media |
| US7308008B2 (en) * | 2002-11-08 | 2007-12-11 | Finisar Corporation | Magnetically controlled heat sink |
| JP2005243186A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Tdk Corp | 磁気記録再生装置及び磁気記録媒体 |
| JP2009223976A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Tdk Corp | 磁気記録装置及び磁気記録媒体 |
| US8264788B2 (en) | 2009-02-23 | 2012-09-11 | Seagate Technology Llc | Discrete track media (DTM) design and fabrication for heat assisted magnetic recording (HAMR) |
| JP5655658B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-01-21 | ソニー株式会社 | 半導体記録メディア記録及び／又は再生装置 |
| US8771850B2 (en) | 2012-03-16 | 2014-07-08 | Seagate Technology Llc | Carbon-deuterium protective overcoat layer |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233575A (en) * | 1989-11-10 | 1993-08-03 | Mitsubishi Kasei Corporation | Magneto-optical recording medium |
| JPH06180885A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-06-28 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体の記録方法及び記録装置 |
| JPH06139637A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH06139621A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP3332750B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 磁気記録媒体、記録方法、再生方法、及び、磁性記録媒体の製造方法 |
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| JP3649964B2 (ja) | 1998-09-10 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000279374A patent/JP2001167484A/ja active Pending
- 2000-09-27 US US09/670,612 patent/US6483784B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6483784B1 (en) | 2002-11-19 |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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