JPH08153345A - 光磁気記録メディア - Google Patents
光磁気記録メディアInfo
- Publication number
- JPH08153345A JPH08153345A JP31929394A JP31929394A JPH08153345A JP H08153345 A JPH08153345 A JP H08153345A JP 31929394 A JP31929394 A JP 31929394A JP 31929394 A JP31929394 A JP 31929394A JP H08153345 A JPH08153345 A JP H08153345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- reproducing
- temperature
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録特性が記録層の磁気特性のみに依存し、
再生層の磁気特性には影響されない光磁気記録媒体を提
供する。 【構成】 情報を記録される記録層と該記録層の情報を
再生温度にて転写されて読み出される再生層を有する光
磁気記録メディアに於いて、前記記録層と前記再生層の
間に遮断層を設け、前記遮断層の垂直磁気異方性が失わ
れる温度Ｔ0 が記録層のキュリー温度Ｔc1より低い温度
となるように前記遮断層を設計し、前記再生温度が室温
より高く前記温度Ｔ0 より低い温度となるように再生層
を設計して成る、光磁気記録メディア。
再生層の磁気特性には影響されない光磁気記録媒体を提
供する。 【構成】 情報を記録される記録層と該記録層の情報を
再生温度にて転写されて読み出される再生層を有する光
磁気記録メディアに於いて、前記記録層と前記再生層の
間に遮断層を設け、前記遮断層の垂直磁気異方性が失わ
れる温度Ｔ0 が記録層のキュリー温度Ｔc1より低い温度
となるように前記遮断層を設計し、前記再生温度が室温
より高く前記温度Ｔ0 より低い温度となるように再生層
を設計して成る、光磁気記録メディア。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報を記録される記録
層と該記録層の情報を再生温度にて転写されて読み出さ
れる再生層を有する光磁気記録メディアに関する。
層と該記録層の情報を再生温度にて転写されて読み出さ
れる再生層を有する光磁気記録メディアに関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録メディアは、書き換え可能
で、記憶容量が大きく、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュ−タメモリ等として実用化され
始めている。しかしながら、情報量の増大と装置のダウ
ンサイジング化に伴い、より一層の高密度記録再生技術
が要請されている。高密度記録再生技術は、装置側の技
術とメディア側の技術とから成る。前者の技術として
は、レ−ザ−光の回折限界を越える集光スポットを得る
光学的超解像手法や、レ−ザ光の短波長化などがある。
後者の技術としては、メディアの狭ピッチ化や、磁気多
層膜による再生分解能の向上化（Y.Murayama,N.Iketan
i,J.Nakajima,A.Takahashi,K.Ohta,T.Ishikawa:"SUPER
RESOLUTION READOUT OF A MAGNETO-OPTICAL DISK WIT
H AN IN-PLANE MAGNETIZATION LAYER":Proceedings of
Magneto-Optical Recording International Symposium
'92,J.Magn.Soc.Jpn.,Vol.17,Supplement No.S1 (199
3),pp.201-204 参照) などの技術がある。ここで、磁気
多層膜による再生分解能の向上化技術は、レ−ザスポッ
トの温度分布が中心付近にて最高となるガウス分布を成
すことを利用して、記録層（＝垂直磁化膜）の状態を再
生層（＝室温で面内磁化膜）に選択的に転写して、該再
生層の状態を読み出すようにした技術である。
で、記憶容量が大きく、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュ−タメモリ等として実用化され
始めている。しかしながら、情報量の増大と装置のダウ
ンサイジング化に伴い、より一層の高密度記録再生技術
が要請されている。高密度記録再生技術は、装置側の技
術とメディア側の技術とから成る。前者の技術として
は、レ−ザ−光の回折限界を越える集光スポットを得る
光学的超解像手法や、レ−ザ光の短波長化などがある。
後者の技術としては、メディアの狭ピッチ化や、磁気多
層膜による再生分解能の向上化（Y.Murayama,N.Iketan
i,J.Nakajima,A.Takahashi,K.Ohta,T.Ishikawa:"SUPER
RESOLUTION READOUT OF A MAGNETO-OPTICAL DISK WIT
H AN IN-PLANE MAGNETIZATION LAYER":Proceedings of
Magneto-Optical Recording International Symposium
'92,J.Magn.Soc.Jpn.,Vol.17,Supplement No.S1 (199
3),pp.201-204 参照) などの技術がある。ここで、磁気
多層膜による再生分解能の向上化技術は、レ−ザスポッ
トの温度分布が中心付近にて最高となるガウス分布を成
すことを利用して、記録層（＝垂直磁化膜）の状態を再
生層（＝室温で面内磁化膜）に選択的に転写して、該再
生層の状態を読み出すようにした技術である。
【０００３】図２の（ｂ）は、従来の光磁気記録メディ
アの断面と記録／再生の原理を模式的に示す。図に於い
て、再生層は室温では面内磁化膜であり、再生温度以上
では垂直磁化膜になる。また、記録層は通常は垂直磁化
膜であるが、記録層のキュリー温度Ｔc1以上では磁化を
消失する。記録時には、上記光磁気記録メディアが記録
層のキュリー温度Ｔc1〜再生層のキュリー温度Ｔc2の範
囲に加熱され、これにより、再生層の磁化の方向が記録
用外部磁界Ｈx の方向を向く。次に、冷却過程に於いて
記録層のキュリー温度Ｔc1以下になると、再生層の磁化
の方向が記録層に転写される。こうして、記録用外部磁
界の方向が記録層に書き込まれる。再生時には、上記光
磁気記録メディアが記録層のキュリー温度Ｔc1より低い
再生温度に加熱され、これにより、記録層の磁化の方向
が再生層に転写される（破線矢印参照）。この状態が、
記録情報として読み出される。
アの断面と記録／再生の原理を模式的に示す。図に於い
て、再生層は室温では面内磁化膜であり、再生温度以上
では垂直磁化膜になる。また、記録層は通常は垂直磁化
膜であるが、記録層のキュリー温度Ｔc1以上では磁化を
消失する。記録時には、上記光磁気記録メディアが記録
層のキュリー温度Ｔc1〜再生層のキュリー温度Ｔc2の範
囲に加熱され、これにより、再生層の磁化の方向が記録
用外部磁界Ｈx の方向を向く。次に、冷却過程に於いて
記録層のキュリー温度Ｔc1以下になると、再生層の磁化
の方向が記録層に転写される。こうして、記録用外部磁
界の方向が記録層に書き込まれる。再生時には、上記光
磁気記録メディアが記録層のキュリー温度Ｔc1より低い
再生温度に加熱され、これにより、記録層の磁化の方向
が再生層に転写される（破線矢印参照）。この状態が、
記録情報として読み出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の原理によって記
録／再生される光磁気記録メディアでは、その記録特性
は、記録層の磁気特性よりも、むしろ、再生層の磁気特
性に依存している。このため、例えば、材料の選択の自
由度が低い等の問題がある。本発明は、記録特性が記録
層の磁気特性のみに依存し、再生層の磁気特性に左右さ
れないようにすることを目的とする。
録／再生される光磁気記録メディアでは、その記録特性
は、記録層の磁気特性よりも、むしろ、再生層の磁気特
性に依存している。このため、例えば、材料の選択の自
由度が低い等の問題がある。本発明は、記録特性が記録
層の磁気特性のみに依存し、再生層の磁気特性に左右さ
れないようにすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、情報を記録さ
れる記録層と該記録層の情報を再生温度にて転写されて
読み出される再生層を有する光磁気記録メディアに於い
て、前記記録層と前記再生層の間に遮断層を設け、前記
遮断層の垂直磁気異方性が失われる温度Ｔ0 が記録層の
キュリー温度Ｔc1より低い温度となるように前記遮断層
を設計し、前記再生温度が室温より高く前記温度Ｔ0 よ
り低い温度となるように再生層を設計して成る、光磁気
記録メディアである。上記に於いて、記録層をＴｅＦｅ
Ｃｏで、再生層をＧｄＦｅＣｏで、遮断層をＴｂＦｅＣ
ｏＡｌで、各々形成することができる。また、遮断層を
ＰｔＣｏ（Ｐｔ：Ｃｏ＝７０：３０ａｔ％）で形成し
て、１７０〜１９０℃の範囲の温度Ｔ0 で、前記遮断層
が垂直磁化膜から面内磁化膜に変化するように設計する
こともできる。
れる記録層と該記録層の情報を再生温度にて転写されて
読み出される再生層を有する光磁気記録メディアに於い
て、前記記録層と前記再生層の間に遮断層を設け、前記
遮断層の垂直磁気異方性が失われる温度Ｔ0 が記録層の
キュリー温度Ｔc1より低い温度となるように前記遮断層
を設計し、前記再生温度が室温より高く前記温度Ｔ0 よ
り低い温度となるように再生層を設計して成る、光磁気
記録メディアである。上記に於いて、記録層をＴｅＦｅ
Ｃｏで、再生層をＧｄＦｅＣｏで、遮断層をＴｂＦｅＣ
ｏＡｌで、各々形成することができる。また、遮断層を
ＰｔＣｏ（Ｐｔ：Ｃｏ＝７０：３０ａｔ％）で形成し
て、１７０〜１９０℃の範囲の温度Ｔ0 で、前記遮断層
が垂直磁化膜から面内磁化膜に変化するように設計する
こともできる。
【０００６】
【作用】図２の（ａ）のように、記録時には、本発明の
光磁気記録メディアが前記温度Ｔ0 以上に加熱され、こ
れにより、記録層の磁化の方向が記録用外部磁界Ｈx の
方向を向く。また、この時、遮断層は面内磁化膜（又は
磁化消失状態）であるため、再生層の磁化の方向は記録
層に影響しない。つまり、記録用外部磁界Ｈx のみによ
って記録層に情報が書き込まれる。また、再生時には、
本発明の光磁気記録メディアが前記温度Ｔ0 より低い再
生温度に加熱され、これにより、記録層（即ち遮断層）
の磁化の方向が再生層に転写される（破線矢印参照）。
この状態が、記録情報として読み出される。
光磁気記録メディアが前記温度Ｔ0 以上に加熱され、こ
れにより、記録層の磁化の方向が記録用外部磁界Ｈx の
方向を向く。また、この時、遮断層は面内磁化膜（又は
磁化消失状態）であるため、再生層の磁化の方向は記録
層に影響しない。つまり、記録用外部磁界Ｈx のみによ
って記録層に情報が書き込まれる。また、再生時には、
本発明の光磁気記録メディアが前記温度Ｔ0 より低い再
生温度に加熱され、これにより、記録層（即ち遮断層）
の磁化の方向が再生層に転写される（破線矢印参照）。
この状態が、記録情報として読み出される。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は実
施例の光磁気記録メディアの断面構造を模式的に示す。
図示のように、本実施例の光磁気記録メディアは、ポリ
カ−ボネ−ト製の透明基板上に、該透明基板側から順
に、８００ÅのＳｉＮから成る高屈折率層、５００Åの
ＧｄＦｅＣｏから成る再生層、３００ÅのＴｂＦｅＣｏ
Ａｌから成る遮断層、１０００ÅのＴｂＦｅＣｏから成
る記録層、１０００ÅのＳｉＮから成る酸化防止層が成
膜され、その上に、２０μｍの紫外線硬化樹脂から成る
保護層を塗布形成したものである。なお、この構造は、
従来より公知のスパッタリング法等の手法を用いて製造
することができる。
施例の光磁気記録メディアの断面構造を模式的に示す。
図示のように、本実施例の光磁気記録メディアは、ポリ
カ−ボネ−ト製の透明基板上に、該透明基板側から順
に、８００ÅのＳｉＮから成る高屈折率層、５００Åの
ＧｄＦｅＣｏから成る再生層、３００ÅのＴｂＦｅＣｏ
Ａｌから成る遮断層、１０００ÅのＴｂＦｅＣｏから成
る記録層、１０００ÅのＳｉＮから成る酸化防止層が成
膜され、その上に、２０μｍの紫外線硬化樹脂から成る
保護層を塗布形成したものである。なお、この構造は、
従来より公知のスパッタリング法等の手法を用いて製造
することができる。
【０００８】上記構造の光磁気記録メディアに対して、
透明基板側から再生パワーのレ−ザスポットを入射させ
て再生層を所定の温度（例：１３０℃程度）まで昇温さ
せると、記録層の磁化の方向が遮断層を介して再生層に
転写される。即ち、記録層の情報が再生される。上記１
３０℃という温度は、 Ｇｄ：ＦｅＣｏ＝２５：７５ａｔ％ に設計することで実現された。なお、この場合、再生層
の自発磁化の消滅する温度は４００℃以上であった。ま
た、この例では、遮断層の自発磁化が消失する温度が１
９０℃程度となるように、Ａｌの含有量を１７ａｔ％と
し、記録層の自発磁化の消失する温度が２１０℃程度と
なるように、 Ｔｂ：ＦｅＣｏ＝３２：６８ａｔ％ とした。
透明基板側から再生パワーのレ−ザスポットを入射させ
て再生層を所定の温度（例：１３０℃程度）まで昇温さ
せると、記録層の磁化の方向が遮断層を介して再生層に
転写される。即ち、記録層の情報が再生される。上記１
３０℃という温度は、 Ｇｄ：ＦｅＣｏ＝２５：７５ａｔ％ に設計することで実現された。なお、この場合、再生層
の自発磁化の消滅する温度は４００℃以上であった。ま
た、この例では、遮断層の自発磁化が消失する温度が１
９０℃程度となるように、Ａｌの含有量を１７ａｔ％と
し、記録層の自発磁化の消失する温度が２１０℃程度と
なるように、 Ｔｂ：ＦｅＣｏ＝３２：６８ａｔ％ とした。
【０００９】また、上記構造の光磁気記録メディアに対
して、透明基板側から記録パワーのレ−ザスポットを入
射させて加熱した後、冷却過程に於いて２１０℃（記録
層のキュリー温度）以下になると、記録層の磁化の方向
が記録用外部磁界Ｈx の方向を向き、情報が記録され
た。また、この時、遮断層の自発磁化は消失しているた
め、再生層の状態は記録層に影響を与えなかった。その
後、１９０℃（遮断層の垂直磁気異方性が消失する温度
Ｔ0)以下になると、記録層の磁化の方向が遮断層に転写
された。つまり、温度Ｔ0 である１９０℃以下では、遮
断層は記録層と同じように振る舞う。
して、透明基板側から記録パワーのレ−ザスポットを入
射させて加熱した後、冷却過程に於いて２１０℃（記録
層のキュリー温度）以下になると、記録層の磁化の方向
が記録用外部磁界Ｈx の方向を向き、情報が記録され
た。また、この時、遮断層の自発磁化は消失しているた
め、再生層の状態は記録層に影響を与えなかった。その
後、１９０℃（遮断層の垂直磁気異方性が消失する温度
Ｔ0)以下になると、記録層の磁化の方向が遮断層に転写
された。つまり、温度Ｔ0 である１９０℃以下では、遮
断層は記録層と同じように振る舞う。
【００１０】このように、記録時には再生層と記録層は
磁気的に遮断されているため、本光磁気記録メディアの
記録特性を設計する際には、記録層の記録特性のみを考
慮して設計すれることができる。
磁気的に遮断されているため、本光磁気記録メディアの
記録特性を設計する際には、記録層の記録特性のみを考
慮して設計すれることができる。
【００１１】上記実施例では、遮断層としてＴｂＦｅＣ
ｏＡｌを用いているが、これに代えて、例えば、ＴｂＦ
ｅＣｏＮｄ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ等を
用いても、ＴｂＦｅＣｏＡｌの場合と同様の効果を得る
ことができる。また、遮断層としては、他に、ＰｔＣｏ
（Ｐｔ：Ｃｏ＝７０：３０ａｔ％）を用いることもで
き、その場合、昇温時には１８０℃程度で垂直磁化膜か
ら面内磁化膜になり、３５０℃程度で磁化が消失する。
また、上記実施例では、遮断層の垂直磁気異方性が失わ
れる温度Ｔ0 として磁化の消滅する温度を用いたが、温
度Ｔ０で垂直磁化膜から面内磁化膜に変化する場合であ
っても同様な効果を得ることができる。
ｏＡｌを用いているが、これに代えて、例えば、ＴｂＦ
ｅＣｏＮｄ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ等を
用いても、ＴｂＦｅＣｏＡｌの場合と同様の効果を得る
ことができる。また、遮断層としては、他に、ＰｔＣｏ
（Ｐｔ：Ｃｏ＝７０：３０ａｔ％）を用いることもで
き、その場合、昇温時には１８０℃程度で垂直磁化膜か
ら面内磁化膜になり、３５０℃程度で磁化が消失する。
また、上記実施例では、遮断層の垂直磁気異方性が失わ
れる温度Ｔ0 として磁化の消滅する温度を用いたが、温
度Ｔ０で垂直磁化膜から面内磁化膜に変化する場合であ
っても同様な効果を得ることができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、記録時に於いて記録層
と再生層が磁気的に遮断され、このため、記録特性が再
生層の磁気特性の影響を受けず、記録層の磁気特性のみ
によって決まるため、材料の選択等の自由度が大きいと
いう効果がある。
と再生層が磁気的に遮断され、このため、記録特性が再
生層の磁気特性の影響を受けず、記録層の磁気特性のみ
によって決まるため、材料の選択等の自由度が大きいと
いう効果がある。
【図１】実施例の光磁気記録メディアの断面構造を示す
模式図。
模式図。
【図２】光磁気記録メディアの記録／再生原理を示す模
式図であり、（ａ）は本発明を示し、（ｂ）は従来例を
示す。
式図であり、（ａ）は本発明を示し、（ｂ）は従来例を
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 虎沢 研示 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 情報を記録される記録層と、該記録層の
情報を再生温度にて転写されて読み出される再生層を有
する光磁気記録メディアに於いて、 前記記録層と前記再生層の間に遮断層を設け、 前記遮断層の垂直磁気異方性が失われる温度Ｔ0 が記録
層のキュリー温度Ｔc1より低い温度となるように前記遮
断層を設計し、 前記再生温度が室温より高く前記温度Ｔ0 より低い温度
となるように再生層を設計して成る、 光磁気記録メディア。 - 【請求項２】 請求項１に於いて、 前記記録層はＴｅＦｅＣｏにより形成され、前記再生層
はＧｄＦｅＣｏにより形成され、前記遮断層はＴｂＦｅ
ＣｏＡｌにより形成されて成る、 光磁気記録メディア。 - 【請求項３】 請求項１に於いて、 前記遮断層はＰｔＣｏ（Ｐｔ：Ｃｏ＝７０：３０ａｔ
％）により形成され、 前記温度Ｔ0 は１７０〜１９０℃の範囲であり、該温度
Ｔ0 にて前記遮断層は垂直磁化膜から面内磁化膜に変化
する、 光磁気記録メディア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31929394A JPH08153345A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 光磁気記録メディア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31929394A JPH08153345A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 光磁気記録メディア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153345A true JPH08153345A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=18108585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31929394A Pending JPH08153345A (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 光磁気記録メディア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153345A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6400656B1 (en) | 1997-10-13 | 2002-06-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and reproducing layer |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP31929394A patent/JPH08153345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6400656B1 (en) | 1997-10-13 | 2002-06-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and reproducing layer |
| US6532196B2 (en) | 1997-10-13 | 2003-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and reproducing layer |
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