JPH0263261B2 - - Google Patents
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- JPH0263261B2 JPH0263261B2 JP14915880A JP14915880A JPH0263261B2 JP H0263261 B2 JPH0263261 B2 JP H0263261B2 JP 14915880 A JP14915880 A JP 14915880A JP 14915880 A JP14915880 A JP 14915880A JP H0263261 B2 JPH0263261 B2 JP H0263261B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。各種光メモリ装置のうちでも
特に記録材料として種々の垂直磁化膜を用いた磁
気光学記憶装置は不要になつた情報を消去し新し
い情報を再記録出来るという事から注目されてい
る。
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。各種光メモリ装置のうちでも
特に記録材料として種々の垂直磁化膜を用いた磁
気光学記憶装置は不要になつた情報を消去し新し
い情報を再記録出来るという事から注目されてい
る。
しかし上記利点を有する磁気光学記憶素子は再
生信号レベルが低いという欠点があり、特に磁気
光学記憶素子からの反射光を利用して情報の再生
を行う所謂カー効果再生方式においては、カー回
転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める
事が困難であつた。
生信号レベルが低いという欠点があり、特に磁気
光学記憶素子からの反射光を利用して情報の再生
を行う所謂カー効果再生方式においては、カー回
転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める
事が困難であつた。
従つて記録媒体である磁性材料を改良したり記
録媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成したりし
てカー回転角を高める工夫がなされてきた。後者
の例として、例えばMnBi膜上にSiO膜を形成し、
カー回転角が0.7゜から3.6゜に増大した例が報告さ
れている（J.Appl.Phys Vol 45 No8 August
1974）。しかしながらこの様な磁性体膜上への誘
電体膜の形成ではカー回転角の増大に伴つて反射
光量が減退し実質的なＳ／Ｎは約２倍程度にしか
増大していない。又SiOやSiO2等の誘電体膜を形
成しただけでは磁性体に腐蝕の恐れのある場合は
その腐蝕の実質的な防御とはなり得ず、又この磁
気記録の記録ビツト径は1μm程度と極小であるた
め同程度の小さなほこりやゴミが該誘電体膜に付
着した場合は該ビツト検出が不可能になるため実
質的な記録素子とするために厚さ0.5〜２mm程度
のガラス又は透明樹脂を使用する事が望ましい。
しかし、そうする事によりカー回転角の増大、従
つてＳ／Ｎの増大の効果も理論値程の期待はでき
なくなつた。
録媒体上にSiOやSiO2の誘電体膜を形成したりし
てカー回転角を高める工夫がなされてきた。後者
の例として、例えばMnBi膜上にSiO膜を形成し、
カー回転角が0.7゜から3.6゜に増大した例が報告さ
れている（J.Appl.Phys Vol 45 No8 August
1974）。しかしながらこの様な磁性体膜上への誘
電体膜の形成ではカー回転角の増大に伴つて反射
光量が減退し実質的なＳ／Ｎは約２倍程度にしか
増大していない。又SiOやSiO2等の誘電体膜を形
成しただけでは磁性体に腐蝕の恐れのある場合は
その腐蝕の実質的な防御とはなり得ず、又この磁
気記録の記録ビツト径は1μm程度と極小であるた
め同程度の小さなほこりやゴミが該誘電体膜に付
着した場合は該ビツト検出が不可能になるため実
質的な記録素子とするために厚さ0.5〜２mm程度
のガラス又は透明樹脂を使用する事が望ましい。
しかし、そうする事によりカー回転角の増大、従
つてＳ／Ｎの増大の効果も理論値程の期待はでき
なくなつた。
又光メモリ装置は高密度記録が基本的な条件で
あるためその記録ビツト径は上述した如く1μm程
度であり、従つて記録再生消去の過程でフオーカ
スサーボ・トラツクサーボ技術が不可欠となる。
さもないと磁気光学記録装置は複雑でかつ精巧な
ものとなり、実用には適さなくなる。特にトラツ
クサーボをかける場合にはフイリツプスMCA方
式のビデオデイスク装置の様にあらかじめ記録さ
れている情報を再生するだけの装置とは異り、磁
気光学記録装置では何等の情報のない場所に新た
に信号を記録していく必要があり、そのためには
信号の記録トラツクに隣接したサーボ用のガイド
トラツクがある事が望ましかつた。
あるためその記録ビツト径は上述した如く1μm程
度であり、従つて記録再生消去の過程でフオーカ
スサーボ・トラツクサーボ技術が不可欠となる。
さもないと磁気光学記録装置は複雑でかつ精巧な
ものとなり、実用には適さなくなる。特にトラツ
クサーボをかける場合にはフイリツプスMCA方
式のビデオデイスク装置の様にあらかじめ記録さ
れている情報を再生するだけの装置とは異り、磁
気光学記録装置では何等の情報のない場所に新た
に信号を記録していく必要があり、そのためには
信号の記録トラツクに隣接したサーボ用のガイド
トラツクがある事が望ましかつた。
本発明は上記点に鑑みなされたものであつて、
反射光量を減らす事なく磁気光学効果を増大させ
るとともにサーボ用のガイドトラツクをも得る事
を目的とするものである。
反射光量を減らす事なく磁気光学効果を増大させ
るとともにサーボ用のガイドトラツクをも得る事
を目的とするものである。
次に本発明の具体的な実施例を以下図面を参照
しながら詳説する。
しながら詳説する。
第１図は本発明の一実施例である磁気光学記憶
素子の一部拡大断面図である。
素子の一部拡大断面図である。
同図に示される様にガラス又は合成樹脂の基板
１にGdTbFe，SmTbFe，TbFe，GdDyFe，
TbCo，HoCo等の希土類と遷移金属よりなるア
モルフアスフエリ磁性体の垂直磁化薄膜を形成
し、該磁性体膜上にSiO2・SiO等の透明誘電体膜
４を形成し、更に誘電体膜４上にAl，Ag，Au等
の反射膜５を形成する。この４層構造よりなる記
録素子を支持体、たとえばガラス、合成樹脂等の
薄板７と接着層６により接着する。上記アモルフ
アス磁性体は熱によりアモルフアス状態から結晶
化状態に移ると反射率が下り透過率が上昇すると
いう性質がある。従つて第１図の記録素子の記録
トラツク３の中間を加熱により結晶化させガイド
トラツク２を形成する。結晶化温度は磁性体によ
り異るが、たとえばGdTbFeやGdDyFeの場合は
4880Åの波長のArレーザなどでガイドトラツク
部を結晶化温度（約350℃程度）以上に加熱する
と、ガイドトラツク２が形成される。GdDyFeや
GdTbFeの記録温度は約100℃から150℃であるた
め記録トラツク３に繰返し熱磁気記録を行つても
結晶化されず安定に記録を行う事ができる。しか
も各々の記録トラツク３はガイドトラツク２によ
つて挟まれているためレーザ光線が他の記録トラ
ツクに影響を及ぼすことはない。
１にGdTbFe，SmTbFe，TbFe，GdDyFe，
TbCo，HoCo等の希土類と遷移金属よりなるア
モルフアスフエリ磁性体の垂直磁化薄膜を形成
し、該磁性体膜上にSiO2・SiO等の透明誘電体膜
４を形成し、更に誘電体膜４上にAl，Ag，Au等
の反射膜５を形成する。この４層構造よりなる記
録素子を支持体、たとえばガラス、合成樹脂等の
薄板７と接着層６により接着する。上記アモルフ
アス磁性体は熱によりアモルフアス状態から結晶
化状態に移ると反射率が下り透過率が上昇すると
いう性質がある。従つて第１図の記録素子の記録
トラツク３の中間を加熱により結晶化させガイド
トラツク２を形成する。結晶化温度は磁性体によ
り異るが、たとえばGdTbFeやGdDyFeの場合は
4880Åの波長のArレーザなどでガイドトラツク
部を結晶化温度（約350℃程度）以上に加熱する
と、ガイドトラツク２が形成される。GdDyFeや
GdTbFeの記録温度は約100℃から150℃であるた
め記録トラツク３に繰返し熱磁気記録を行つても
結晶化されず安定に記録を行う事ができる。しか
も各々の記録トラツク３はガイドトラツク２によ
つて挟まれているためレーザ光線が他の記録トラ
ツクに影響を及ぼすことはない。
又記録トラツク３は充分に薄い磁性体であり、
従つて磁性体層に入射した再生光は磁性体面から
の反射によるカー効果と磁性体膜を通り抜け反射
層５で反射され再び磁性体膜を通り抜けることで
起るフアラデイ効果が合わさり単なるカー効果の
みによる回転角に比べて数倍回転角が増大し、か
つ返り光量はほとんど減少しないためＳ／Ｎが大
きく増大する。
従つて磁性体層に入射した再生光は磁性体面から
の反射によるカー効果と磁性体膜を通り抜け反射
層５で反射され再び磁性体膜を通り抜けることで
起るフアラデイ効果が合わさり単なるカー効果の
みによる回転角に比べて数倍回転角が増大し、か
つ返り光量はほとんど減少しないためＳ／Ｎが大
きく増大する。
第２図は記録トラツク３とガイドトラツク２の
一部拡大平面図である。８は記録されたビツトで
あり、９はまだ記録されていない記録用のトラツ
クである。
一部拡大平面図である。８は記録されたビツトで
あり、９はまだ記録されていない記録用のトラツ
クである。
本発明の主旨は反射層上にアモルフアス磁性体
を形成し、該アモルフアス磁性体に結晶化による
ガイドトラツクを設けることであるので、本発明
の主旨の範囲で種々の変更は可能である。
を形成し、該アモルフアス磁性体に結晶化による
ガイドトラツクを設けることであるので、本発明
の主旨の範囲で種々の変更は可能である。
たとえば第１図における誘電体膜４は記録トラ
ツク３に情報をレーザ光線により記録する場合熱
伝導により反射層５に熱が逃げるのを防ぐために
設けられているが、レーザ光線のエネルギーが充
分な場合は該誘電体膜４はなくても良い。
ツク３に情報をレーザ光線により記録する場合熱
伝導により反射層５に熱が逃げるのを防ぐために
設けられているが、レーザ光線のエネルギーが充
分な場合は該誘電体膜４はなくても良い。
更に第１図において基板７、従つて接着層６も
場合によつては不要である。たとえば、反射膜５
をAlなどの反射性基板に置き代えても良い。
場合によつては不要である。たとえば、反射膜５
をAlなどの反射性基板に置き代えても良い。
更に記録トラツク３やガイドトラツク２は第２
図のごとく必ずしも平行な帯状である必要はな
く、ガイドトラツク２にトラツク番号やトラツク
をセクターごとに分ける場合のセクター番号を入
れても良い。
図のごとく必ずしも平行な帯状である必要はな
く、ガイドトラツク２にトラツク番号やトラツク
をセクターごとに分ける場合のセクター番号を入
れても良い。
またガイドトラツクを第３図のように隣接する
ガイドトラツクと異なる周波数のビツト状で構成
しても良い。
ガイドトラツクと異なる周波数のビツト状で構成
しても良い。
さらに第１図の１から５までの構成の素子を基
板７の裏面から接着剤ではり合せ、表裏両面から
記録再生消去の可能な素子を作り記録容量を倍増
することも可能である。
板７の裏面から接着剤ではり合せ、表裏両面から
記録再生消去の可能な素子を作り記録容量を倍増
することも可能である。
以上説明したように、本発明の磁気光学記憶素
子は希土類と遷移金属の合金からなるアモルフア
ス磁性体等の光吸収性の垂直磁化薄膜と、該光吸
収性の垂直磁化薄膜の背後に配置された、情報記
録再生用の光に対して充分な反射率を有した反射
膜とを備え、前記垂直磁化薄膜の層厚を、該薄膜
に入射した再生用の光が通り抜け、前記反射膜で
反射される程度の厚さに構成すると共に、前記光
吸収性の垂直磁化薄膜に形成した記録トラツクの
ラインの隣接位置に前記記録トラツクのラインに
対し光の透過率を上昇させた個所を備えるように
構成しているため、光吸収性の垂直磁化薄膜自体
で反射した光におけるカー効果と垂直磁化薄膜を
通過し反射膜で反射した光におけるフアラデイー
効果との相乗効果を得て、見かけ上のカー回転角
の増大効果を得ることによつて、読み出しＳ／Ｎ
を非常に高くすることができ、しかもこの反射膜
の採用によりサーボ用のガイドトラツクを容易に
形成せしめることができ、更にこのサーボ用のガ
イドトラツクとして形成した光の透過率を上昇さ
せた個所の検出に際して透過率の差による光量差
を反射膜構造によつて増大させることができる。
子は希土類と遷移金属の合金からなるアモルフア
ス磁性体等の光吸収性の垂直磁化薄膜と、該光吸
収性の垂直磁化薄膜の背後に配置された、情報記
録再生用の光に対して充分な反射率を有した反射
膜とを備え、前記垂直磁化薄膜の層厚を、該薄膜
に入射した再生用の光が通り抜け、前記反射膜で
反射される程度の厚さに構成すると共に、前記光
吸収性の垂直磁化薄膜に形成した記録トラツクの
ラインの隣接位置に前記記録トラツクのラインに
対し光の透過率を上昇させた個所を備えるように
構成しているため、光吸収性の垂直磁化薄膜自体
で反射した光におけるカー効果と垂直磁化薄膜を
通過し反射膜で反射した光におけるフアラデイー
効果との相乗効果を得て、見かけ上のカー回転角
の増大効果を得ることによつて、読み出しＳ／Ｎ
を非常に高くすることができ、しかもこの反射膜
の採用によりサーボ用のガイドトラツクを容易に
形成せしめることができ、更にこのサーボ用のガ
イドトラツクとして形成した光の透過率を上昇さ
せた個所の検出に際して透過率の差による光量差
を反射膜構造によつて増大させることができる。
第１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一
実施例の一部拡大断面図、第２図はその記録面の
一部平面図、第３図は本発明に係わる磁気光学記
憶素子の他の実施例の記録面の一部平面図を示
す。 図中、１：基板、２：ガイドトラツク、３：記
録トラツク、４：透明誘電体膜、５：反射膜、
６：接着層、７：薄板。
実施例の一部拡大断面図、第２図はその記録面の
一部平面図、第３図は本発明に係わる磁気光学記
憶素子の他の実施例の記録面の一部平面図を示
す。 図中、１：基板、２：ガイドトラツク、３：記
録トラツク、４：透明誘電体膜、５：反射膜、
６：接着層、７：薄板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 希土類と遷移金属の合金からなるアモルフア
ス磁性体等の光吸収性の垂直磁化薄膜と、該光吸
収性の垂直磁化薄膜の背後に配置された、情報記
録再生用の光に対して充分な反射率を有した反射
膜とを備え、 前記垂直磁化薄膜の層厚を、該薄膜に入射した
再生用の光が通り抜け、前記反射膜で反射される
程度の厚さに構成すると共に、 前記光吸収性の垂直磁化薄膜に形成した記録ト
ラツクのラインの隣接位置に前記記録トラツクの
ラインに対し光の透過率を上昇させた個所を備
え、該光の透過率を上昇させた個所を情報の記
録・再生・消去等の為に照射したレーザ光線の前
記記録トラツクからの逸脱を防止する為のガイド
情報手段として機能せしめるように成したことを
特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14915880A JPS5774854A (en) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | Magnetic optical storing element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14915880A JPS5774854A (en) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | Magnetic optical storing element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5774854A JPS5774854A (en) | 1982-05-11 |
| JPH0263261B2 true JPH0263261B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15469052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14915880A Granted JPS5774854A (en) | 1980-10-23 | 1980-10-23 | Magnetic optical storing element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5774854A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3382791T2 (de) * | 1982-12-15 | 1995-12-07 | Sharp Kk | Magneto-optischer Speicher. |
| EP0314859B1 (en) * | 1982-12-15 | 1993-06-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optic memory device |
| JP2679079B2 (ja) * | 1988-02-18 | 1997-11-19 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JPH03242841A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気ディスク |
| EP2141698A1 (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Deutsche Thomson OHG | Compatible optical recording medium |
-
1980
- 1980-10-23 JP JP14915880A patent/JPS5774854A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5774854A (en) | 1982-05-11 |
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