JPS6227458B2 - - Google Patents
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- JPS6227458B2 JPS6227458B2 JP56054070A JP5407081A JPS6227458B2 JP S6227458 B2 JPS6227458 B2 JP S6227458B2 JP 56054070 A JP56054070 A JP 56054070A JP 5407081 A JP5407081 A JP 5407081A JP S6227458 B2 JPS6227458 B2 JP S6227458B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
そして既に実用化に達したものとして、記憶デ
イスクに微細ピツト列を形成し各ピツト部におけ
る光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る
装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生
信号を得る装置がある。しかしながらこれら装置
は再生専用であるか又は再生及び情報の追加記憶
が可能なものに留まり、不要な情報を消去し再記
憶までも可能なものについては未だ研究開発段階
にある。
イスクに微細ピツト列を形成し各ピツト部におけ
る光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る
装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生
信号を得る装置がある。しかしながらこれら装置
は再生専用であるか又は再生及び情報の追加記憶
が可能なものに留まり、不要な情報を消去し再記
憶までも可能なものについては未だ研究開発段階
にある。
本発明は上記した情報を消去し新しい情報を再
記録出来る装置として期待される、記憶材料とし
て垂直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置に関する
ものである。
記録出来る装置として期待される、記憶材料とし
て垂直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置に関する
ものである。
次に磁気光学記憶装置の従来問題点について説
明する。
明する。
磁気光学記憶装置は上記の利点を有する一方で
再生信号レベルが低いという欠点がある。特に磁
気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の再
生を行う所謂カー効果再生方式においてはカー回
転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める
事が困難であつた。その為従来では記録媒体であ
る磁性材料を改良したり或いは記録媒体上にSiO
やSiO2の誘電体薄膜を形成したりしてカー回転
角を高める工夫がなされていた。後者の例として
MnBi磁性体膜上にSiO膜を形成することによつ
てカー回転角が0.7度から3.6度に増大した例が報
告されている（J.Appl.Phys.Vo145 no8 august
1974）。しかしながら上記SiOやSiO2の誘電体薄
膜では、磁性体に腐蝕の恐れのある場合はその腐
蝕の実質的な防御とはなり得なく、又１μｍ程度
の小さなほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した
場合は記録ビツト径が１μｍ程度であるためピツ
ト検出が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の
誘電体薄膜を形成することは実用に適さなかつ
た。そして前記腐蝕の防御及びほこりやゴミに対
する対策の為には0.5〜２mm程度のガラス又は透
明樹脂に磁性体を被覆することが望ましいとされ
ている。しかしこの被覆材では当然ながらカー回
転角の増大は難しく従つてＳ／Ｎの増大の効果を
得ることも困難である。
再生信号レベルが低いという欠点がある。特に磁
気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の再
生を行う所謂カー効果再生方式においてはカー回
転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める
事が困難であつた。その為従来では記録媒体であ
る磁性材料を改良したり或いは記録媒体上にSiO
やSiO2の誘電体薄膜を形成したりしてカー回転
角を高める工夫がなされていた。後者の例として
MnBi磁性体膜上にSiO膜を形成することによつ
てカー回転角が0.7度から3.6度に増大した例が報
告されている（J.Appl.Phys.Vo145 no8 august
1974）。しかしながら上記SiOやSiO2の誘電体薄
膜では、磁性体に腐蝕の恐れのある場合はその腐
蝕の実質的な防御とはなり得なく、又１μｍ程度
の小さなほこりやゴミが該誘電体薄膜に付着した
場合は記録ビツト径が１μｍ程度であるためピツ
ト検出が不可能になり、よつて上記SiO、SiO2の
誘電体薄膜を形成することは実用に適さなかつ
た。そして前記腐蝕の防御及びほこりやゴミに対
する対策の為には0.5〜２mm程度のガラス又は透
明樹脂に磁性体を被覆することが望ましいとされ
ている。しかしこの被覆材では当然ながらカー回
転角の増大は難しく従つてＳ／Ｎの増大の効果を
得ることも困難である。
本発明は以上の従来点に鑑みなされたものであ
り、カー回転角を増大せしめしかも充分に実用に
適する手段を提供することを目的とする。
り、カー回転角を増大せしめしかも充分に実用に
適する手段を提供することを目的とする。
以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実
施例を図面を用いて詳細に説明する。
施例を図面を用いて詳細に説明する。
図面は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実
施例の側面断面図である。
施例の側面断面図である。
図で、１はガラス、アクリル樹脂等の透明基板
で厚さは0.5〜２mm程度である。２はSi3N4（窒化
シリコン）からなる透明薄膜である。３は
MnBi、TbDyFe、GdTbFe等の膜面に垂直な磁化
容易軸を有する磁性体薄膜である。磁性体薄膜３
は接着層４により支持基板５に接着される。上記
基板１の屈折率は1.5、Si3N4からなる透明薄膜２
の屈折率は2.0である為基板１より入射した光は
Si3N4からなる透明薄膜２の中で干渉し、それに
よつてカー効果は増大する。従つてＳ／Ｎ比は向
上する。尚、上記透明薄膜２の材質であるSi3N4
は単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導性が良
いためＳ／Ｎ比の向上に寄与するものである。
で厚さは0.5〜２mm程度である。２はSi3N4（窒化
シリコン）からなる透明薄膜である。３は
MnBi、TbDyFe、GdTbFe等の膜面に垂直な磁化
容易軸を有する磁性体薄膜である。磁性体薄膜３
は接着層４により支持基板５に接着される。上記
基板１の屈折率は1.5、Si3N4からなる透明薄膜２
の屈折率は2.0である為基板１より入射した光は
Si3N4からなる透明薄膜２の中で干渉し、それに
よつてカー効果は増大する。従つてＳ／Ｎ比は向
上する。尚、上記透明薄膜２の材質であるSi3N4
は単に屈折率が大きいだけでなく、熱伝導性が良
いためＳ／Ｎ比の向上に寄与するものである。
即ち、磁気光学記憶素子において、Ｓ／Ｎ比は
Θ＊√（Θｋはカー回転角、Ｒは反射光量）に
比例するものであり、Θｋだけ高めても反射光量
が少なくては所定のＳ／Ｎ比を得ることが出来な
い。しかし、上記磁性体薄膜３に熱伝導性の悪い
物質が被覆される場合、照射光によつて上記磁性
体薄膜３は容易に温度上昇し、記録情報が乱され
てしまう恐れがある。即ち、上記磁性体薄膜３は
外部磁場の供給が無くとも、特定部分の温度が上
昇すればその周囲に存在する磁性体薄膜自身の磁
場によつて磁化の反転が生ずることが有るのであ
る。よつて照射光量を多くできずその為反射光量
を充分に得ることが出来ない。
Θ＊√（Θｋはカー回転角、Ｒは反射光量）に
比例するものであり、Θｋだけ高めても反射光量
が少なくては所定のＳ／Ｎ比を得ることが出来な
い。しかし、上記磁性体薄膜３に熱伝導性の悪い
物質が被覆される場合、照射光によつて上記磁性
体薄膜３は容易に温度上昇し、記録情報が乱され
てしまう恐れがある。即ち、上記磁性体薄膜３は
外部磁場の供給が無くとも、特定部分の温度が上
昇すればその周囲に存在する磁性体薄膜自身の磁
場によつて磁化の反転が生ずることが有るのであ
る。よつて照射光量を多くできずその為反射光量
を充分に得ることが出来ない。
一方、本発明に係るSi3N4は熱伝導率が良い
（実験によればSiOが1.5J／ｍ・ｓ・ｋに対して
Si3N4は10〜20J／ｍ・ｓ・ｋ程度の熱伝導率が得
られる。）為、磁性体薄膜３に対して供給する光
量を多くしてもSi3N4から熱が伝搬するため上記
の反射光量Ｒを大きくでき、その結果Ｓ／Ｎ比を
向上することが出来るものである。
（実験によればSiOが1.5J／ｍ・ｓ・ｋに対して
Si3N4は10〜20J／ｍ・ｓ・ｋ程度の熱伝導率が得
られる。）為、磁性体薄膜３に対して供給する光
量を多くしてもSi3N4から熱が伝搬するため上記
の反射光量Ｒを大きくでき、その結果Ｓ／Ｎ比を
向上することが出来るものである。
以上の実施例に留まらず本発明の好適な実施の
形態として次のものが挙げられる。
形態として次のものが挙げられる。
(1) 図面の構成に加え磁性体薄膜３と接着層４の
間にAl、Au、Ag、Cu等の反射膜層を設ける。
間にAl、Au、Ag、Cu等の反射膜層を設ける。
(2) (1)の構成に加え反射膜と磁性体薄膜３の間に
SiO2、SiO、Si3N4等の断熱層を設ける。
SiO2、SiO、Si3N4等の断熱層を設ける。
(3) 基板１に凹凸状のガイドトラツクを形成す
る。
る。
(4) 磁性体薄膜３を非晶質磁性体にて形成し、そ
の一部を結晶化せしめガイドトラツクとなす。
の一部を結晶化せしめガイドトラツクとなす。
(5) 支持基板５に対して両側面に図面の構成を設
け両面仕様とする。
け両面仕様とする。
以上の(1)〜(5)の形態は互いに組み合わせること
も可能である。
も可能である。
以上説明した如く本発明によれば、カー回転角
を増大せしめることができ、しかも磁性体の腐蝕
及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能なも
のであり、極めて実用的な構成にてカー回転角の
増大化が達成できるものである。更に、透明基板
上に、該透明基板の屈折率より充分屈折率の値が
大きい透明薄膜の材質として熱伝導率の良い窒化
シリコンを用いているので、磁性体薄膜に対して
十分な光の量を供給でき、その結果として良好な
Ｓ／Ｎ比を得ることができるものである。
を増大せしめることができ、しかも磁性体の腐蝕
及びほこりやゴミに対しても充分対応が可能なも
のであり、極めて実用的な構成にてカー回転角の
増大化が達成できるものである。更に、透明基板
上に、該透明基板の屈折率より充分屈折率の値が
大きい透明薄膜の材質として熱伝導率の良い窒化
シリコンを用いているので、磁性体薄膜に対して
十分な光の量を供給でき、その結果として良好な
Ｓ／Ｎ比を得ることができるものである。
図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実施
例の側面断面図を示す。 図中、１：基板、２：透明薄板、３：磁性体薄
膜、４：接着層、５：支持基板。
例の側面断面図を示す。 図中、１：基板、２：透明薄板、３：磁性体薄
膜、４：接着層、５：支持基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に、該透明基板の屈折率より充分
屈折率の値が大きい窒化シリコンからなる透明薄
膜と、膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性体薄
膜とを、この順に配置し、 前記透明基板より前記磁性体薄膜に光を入射す
る構成としたことを特徴とする磁気光学記憶素
子。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5407081A JPS57169996A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Magnetooptic storage element |
| CA000393547A CA1185013A (en) | 1981-01-14 | 1982-01-04 | Magneto-optic memory medium |
| US06/337,132 US4390600A (en) | 1981-01-14 | 1982-01-05 | Magneto-optic memory medium |
| GB8200314A GB2094540B (en) | 1981-01-14 | 1982-01-06 | Magnetic-optical memory medium |
| IT1905782A IT1149434B (it) | 1981-01-14 | 1982-01-12 | Supporto per una memoria di tipo magneto-ottico |
| DE3200661A DE3200661C2 (de) | 1981-01-14 | 1982-01-12 | Magneto-optischer Speicher |
| FR8200451A FR2497994B1 (fr) | 1981-01-14 | 1982-01-13 | Support de memoire magneto-optique |
| US06/476,345 US4489139A (en) | 1981-01-14 | 1983-03-17 | Magneto-optic memory medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5407081A JPS57169996A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | Magnetooptic storage element |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14889089A Division JPH038155A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57169996A JPS57169996A (en) | 1982-10-19 |
| JPS6227458B2 true JPS6227458B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=12960353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5407081A Granted JPS57169996A (en) | 1981-01-14 | 1981-04-09 | Magnetooptic storage element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57169996A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284118A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-26 | Hitachi Reinetsu Kk | ロックウール裁培装置 |
| JPH02111255U (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 |
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| JPS6063747A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60163247A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Ulvac Corp | 光磁気記録体 |
| US4939023A (en) * | 1984-08-13 | 1990-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Opto-magnetic recording medium |
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