JPH0644626A - 磁性薄膜記録媒体 - Google Patents
磁性薄膜記録媒体Info
- Publication number
- JPH0644626A JPH0644626A JP22872292A JP22872292A JPH0644626A JP H0644626 A JPH0644626 A JP H0644626A JP 22872292 A JP22872292 A JP 22872292A JP 22872292 A JP22872292 A JP 22872292A JP H0644626 A JPH0644626 A JP H0644626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coercive force
- force layer
- recording medium
- thin film
- magnetic thin
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きなSN比で情報の読み出しができ、しか
も長期間にわたって保存されても磁気記録特性の変化が
生じない磁性薄膜記録媒体を得る。 【構成】 磁性薄膜を交換結合された高保磁力層と低保
磁力層とから構成し、高保磁力層に相接する保護膜を非
酸化性材料で形成した。
も長期間にわたって保存されても磁気記録特性の変化が
生じない磁性薄膜記録媒体を得る。 【構成】 磁性薄膜を交換結合された高保磁力層と低保
磁力層とから構成し、高保磁力層に相接する保護膜を非
酸化性材料で形成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は主として垂直熱磁気記録
方式に用いられる磁性薄膜記録媒体に関するものであ
る。
方式に用いられる磁性薄膜記録媒体に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】垂直熱磁気記録方式とはガラス,セラミ
ックス,プラスチック等の非磁性体からなる基材上に磁
性薄膜からなる垂直磁化可能な記録媒体を形成せしめ、
該記録媒体表面にレーザ光線を照射して照射部分をキュ
リー点近傍、もしくは補償点近傍に加熱し、この部分を
含む該記録媒体領域にバイアス磁界をかけることによっ
てこの部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめ
ることにより熱磁気的に情報の書き込みを行い、該情報
の読み出しには別の直線偏光したレーザ光線を該記録媒
体表面にあて、該表面からの反射光を検光子を介して光
学的に検出することによる。即ち該レーザ光線は情報が
書き込まれている該記録媒体位置においてカー効果によ
って偏光面が回転するので、読み出しの際は上記偏光面
の回転を検出することになる。上記偏光面の回転角をカ
ー回転角Θk と言う。
ックス,プラスチック等の非磁性体からなる基材上に磁
性薄膜からなる垂直磁化可能な記録媒体を形成せしめ、
該記録媒体表面にレーザ光線を照射して照射部分をキュ
リー点近傍、もしくは補償点近傍に加熱し、この部分を
含む該記録媒体領域にバイアス磁界をかけることによっ
てこの部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せしめ
ることにより熱磁気的に情報の書き込みを行い、該情報
の読み出しには別の直線偏光したレーザ光線を該記録媒
体表面にあて、該表面からの反射光を検光子を介して光
学的に検出することによる。即ち該レーザ光線は情報が
書き込まれている該記録媒体位置においてカー効果によ
って偏光面が回転するので、読み出しの際は上記偏光面
の回転を検出することになる。上記偏光面の回転角をカ
ー回転角Θk と言う。
【0003】従来から、上記記録媒体を構成する磁性薄
膜の材料としてはTb−Fe非晶質合金、Dy−Fe非
晶質合金、Gd−Fe非晶質合金、Gd−Co非晶質合
金等がある。そして該磁性薄膜表面は通常SiO2 ,S
nO2 等の透明な金属酸化物等からなる酸化物保護膜に
よって被覆保護されている。
膜の材料としてはTb−Fe非晶質合金、Dy−Fe非
晶質合金、Gd−Fe非晶質合金、Gd−Co非晶質合
金等がある。そして該磁性薄膜表面は通常SiO2 ,S
nO2 等の透明な金属酸化物等からなる酸化物保護膜に
よって被覆保護されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような非晶質合金は、長期間にわたる上記酸化物保護膜
との接触によって酸化され、保磁力が低下して、記録媒
体の磁気記録特性が変化すると言う問題があった。
ような非晶質合金は、長期間にわたる上記酸化物保護膜
との接触によって酸化され、保磁力が低下して、記録媒
体の磁気記録特性が変化すると言う問題があった。
【0005】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、大きなSN比で情報の読み出しができ、しかも
長期間にわたって保存されても磁気記録特性の変化が生
じない磁性薄膜記録媒体を提供することにある。
解決し、大きなSN比で情報の読み出しができ、しかも
長期間にわたって保存されても磁気記録特性の変化が生
じない磁性薄膜記録媒体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、非
磁性体からなる透明基材と、該基材上に設けられた垂直
磁化可能な高キュリー点を有する非晶質合金から成る低
保磁力層と、該低保磁力層上に設けられた低キュリー点
を有する非晶質合金から成る高保磁力層と、該高保磁力
層上に相接して設けられた保護膜とから構成され、前記
低保磁力層と高保磁力層は交換結合された磁性薄膜記録
媒体において、前記保護膜が非酸化性材料から形成され
たことを特徴とする磁性薄膜記録媒体によって達成され
る。
磁性体からなる透明基材と、該基材上に設けられた垂直
磁化可能な高キュリー点を有する非晶質合金から成る低
保磁力層と、該低保磁力層上に設けられた低キュリー点
を有する非晶質合金から成る高保磁力層と、該高保磁力
層上に相接して設けられた保護膜とから構成され、前記
低保磁力層と高保磁力層は交換結合された磁性薄膜記録
媒体において、前記保護膜が非酸化性材料から形成され
たことを特徴とする磁性薄膜記録媒体によって達成され
る。
【0007】保護膜を形成する非酸化性材料としては、
例えばAlN,TiN,VN,NbN,TaN等の金属
窒化物、TiC,TaC,ZrC,WC,MoC等の金
属炭化物が用いられる。また、本発明の非晶質合金層と
しては通常Tb−Fe非晶質合金,Dy−Fe非晶質合
金,Gd−Fe非晶質合金,Gd−Co非晶質合金,G
d−Fe−Co非晶質合金,Gd−Fe−Bi非晶質合
金等が用いられる。
例えばAlN,TiN,VN,NbN,TaN等の金属
窒化物、TiC,TaC,ZrC,WC,MoC等の金
属炭化物が用いられる。また、本発明の非晶質合金層と
しては通常Tb−Fe非晶質合金,Dy−Fe非晶質合
金,Gd−Fe非晶質合金,Gd−Co非晶質合金,G
d−Fe−Co非晶質合金,Gd−Fe−Bi非晶質合
金等が用いられる。
【0008】非晶質合金層は書込みパワーを小さくし、
書込み速度を大とするため、及び良好なSN比を得るた
めに、相互に交換結合している低キュリー点を有する高
保磁力層と高キュリー点を有する低保磁力層とからなる
二層構造とされる。
書込み速度を大とするため、及び良好なSN比を得るた
めに、相互に交換結合している低キュリー点を有する高
保磁力層と高キュリー点を有する低保磁力層とからなる
二層構造とされる。
【0009】
【実施例】上記二層構造の非晶質合金層を有する記録媒
体の一実施例を図1に示す。図に示す記録媒体10にお
いて、1は前記したようなガラス,セラミックス、ある
いはポリメチルメタクリレート等のプラスチック等の主
として透明な非磁性体からなる基材であり本実施例では
厚さ1.2mmのガラスを用いた。2は垂直磁化可能な
高キュリー点を有する低保磁力層であり、3は低キュリ
ー点を有する高保磁力層であり、4は厚さ1000Åの
TiNからなる保護膜である。そして高保磁力層3とし
ては厚さ300ÅのTb0.23Fe0.77非晶質合金を用
い、低保磁力層2としては厚さ300ÅのGd0.20Fe
0.80非晶質合金を材料として用いた。なお低保磁力層2
と高保磁力層3とは交換結合されている。また一般的に
は膜厚としては、基材1は1.0〜1.5mm程度、高
保磁力層3は200〜400Å程度、低保磁力層2は4
00〜600Å程度、酸化物保護膜4は800〜120
0Å程度のものが用いられる。
体の一実施例を図1に示す。図に示す記録媒体10にお
いて、1は前記したようなガラス,セラミックス、ある
いはポリメチルメタクリレート等のプラスチック等の主
として透明な非磁性体からなる基材であり本実施例では
厚さ1.2mmのガラスを用いた。2は垂直磁化可能な
高キュリー点を有する低保磁力層であり、3は低キュリ
ー点を有する高保磁力層であり、4は厚さ1000Åの
TiNからなる保護膜である。そして高保磁力層3とし
ては厚さ300ÅのTb0.23Fe0.77非晶質合金を用
い、低保磁力層2としては厚さ300ÅのGd0.20Fe
0.80非晶質合金を材料として用いた。なお低保磁力層2
と高保磁力層3とは交換結合されている。また一般的に
は膜厚としては、基材1は1.0〜1.5mm程度、高
保磁力層3は200〜400Å程度、低保磁力層2は4
00〜600Å程度、酸化物保護膜4は800〜120
0Å程度のものが用いられる。
【0010】図2において例えば気体レーザ,半導体レ
ーザ等から出力1〜100mWで近赤外ないしは可視領
域の波長の光を発振せしめ、該光は対物レンズ5を通し
て記録媒体10表面にスポットを結像し、該記録媒体1
0を局部的に高保磁力層3のキュリー点近傍に加熱す
る。該加熱点を含む領域に磁界発生コイル6によって5
0〜500Oe程度のバイアス磁界をかければ、加熱点
の高保磁力層3は該バイアス磁界および/または周辺の
磁化からの漏れ磁界によって他の部分とは反対方向に磁
化される。かくして上記スポットを除去すれば高保磁力
層3には情報が書き込まれ、同時に高保磁力層3に交換
結合している低保磁力層2にも情報が書き込まれる。
ーザ等から出力1〜100mWで近赤外ないしは可視領
域の波長の光を発振せしめ、該光は対物レンズ5を通し
て記録媒体10表面にスポットを結像し、該記録媒体1
0を局部的に高保磁力層3のキュリー点近傍に加熱す
る。該加熱点を含む領域に磁界発生コイル6によって5
0〜500Oe程度のバイアス磁界をかければ、加熱点
の高保磁力層3は該バイアス磁界および/または周辺の
磁化からの漏れ磁界によって他の部分とは反対方向に磁
化される。かくして上記スポットを除去すれば高保磁力
層3には情報が書き込まれ、同時に高保磁力層3に交換
結合している低保磁力層2にも情報が書き込まれる。
【0011】図3において、例えば別のレーザから直線
偏光した光をハーフミラー7を介し、対物レンズ5を通
して記録媒体10の基材1側からスポットとして結像せ
しめ、その反射光は対物レンズ5を通しハーフミラー7
を介して検光子8を通してフォトダイオード9で検出す
る。読み出しは情報が書き込まれている低保磁力層2の
情報書き込み位置において、前記したようにカー効果に
よって該光の偏光面が回転するのを検出することによっ
て行われる。
偏光した光をハーフミラー7を介し、対物レンズ5を通
して記録媒体10の基材1側からスポットとして結像せ
しめ、その反射光は対物レンズ5を通しハーフミラー7
を介して検光子8を通してフォトダイオード9で検出す
る。読み出しは情報が書き込まれている低保磁力層2の
情報書き込み位置において、前記したようにカー効果に
よって該光の偏光面が回転するのを検出することによっ
て行われる。
【0012】本発明の保護層は上記したように非酸化性
材料からなるので非晶質合金層を酸化せず、磁気記録特
性は長期にわたって安定である。該安定性は、図4にお
いて示される。図4に関する実験は、上記図1に示す実
施例の磁性薄膜記録媒体10および比較例として該記録
媒体10の保護膜を厚さ1000ÅのSiとし、他は図
1に示す構成からなる記録媒体について行われ、保護膜
4と接触する高保磁力層3の保磁力HC の経時的変化を
測定した。
材料からなるので非晶質合金層を酸化せず、磁気記録特
性は長期にわたって安定である。該安定性は、図4にお
いて示される。図4に関する実験は、上記図1に示す実
施例の磁性薄膜記録媒体10および比較例として該記録
媒体10の保護膜を厚さ1000ÅのSiとし、他は図
1に示す構成からなる記録媒体について行われ、保護膜
4と接触する高保磁力層3の保磁力HC の経時的変化を
測定した。
【0013】図4にみられるように、点線で示す比較
例、即ち従来の構成では保磁力HC は経時とともに急激
に低下するが、実線で示す本発明の実施例ではHC の経
時変化は殆んどない。
例、即ち従来の構成では保磁力HC は経時とともに急激
に低下するが、実線で示す本発明の実施例ではHC の経
時変化は殆んどない。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁性薄膜
記録媒体は、磁性薄膜を交換結合された高保磁力層と低
保磁力層とから構成し、高保磁力層に相接する保護膜を
非酸化性材料で形成したので、大きなSN比で情報の読
み出しができ、しかも長期間にわたって保存されても磁
気記録特性の変化が生じないという効果が得られた。
記録媒体は、磁性薄膜を交換結合された高保磁力層と低
保磁力層とから構成し、高保磁力層に相接する保護膜を
非酸化性材料で形成したので、大きなSN比で情報の読
み出しができ、しかも長期間にわたって保存されても磁
気記録特性の変化が生じないという効果が得られた。
【図1】本発明の磁性薄膜記録媒体の一実施例の断面図
である。
である。
【図2】情報書き込み時の説明図である。
【図3】情報読み出し時の説明図である。
【図4】保磁力HC (KOe)の経時変化(month) を示
すグラフである。
すグラフである。
1 基板 2 低保磁力層 3 高保磁力層 4 保護膜
Claims (1)
- 【請求項1】 非磁性体からなる透明基材と、該基材上
に設けられた垂直磁化可能な高キュリー点を有する非晶
質合金から成る低保磁力層と、該低保磁力層上に設けら
れた低キュリー点を有する非晶質合金から成る高保磁力
層と、該高保磁力層上に相接して設けられた保護膜とか
ら構成され、前記低保磁力層と高保磁力層は交換結合さ
れた磁性薄膜記録媒体において、前記保護膜が非酸化性
材料から形成されたことを特徴とする磁性薄膜記録媒
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22872292A JPH0644626A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 磁性薄膜記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22872292A JPH0644626A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 磁性薄膜記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58209290A Division JPH0756691B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 磁性薄膜記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0644626A true JPH0644626A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16880793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22872292A Pending JPH0644626A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 磁性薄膜記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0644626A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56105344A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP22872292A patent/JPH0644626A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56105344A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
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