JPH04228133A - 熱磁気記録方法 - Google Patents
熱磁気記録方法Info
- Publication number
- JPH04228133A JPH04228133A JP12372891A JP12372891A JPH04228133A JP H04228133 A JPH04228133 A JP H04228133A JP 12372891 A JP12372891 A JP 12372891A JP 12372891 A JP12372891 A JP 12372891A JP H04228133 A JPH04228133 A JP H04228133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- coercive force
- information
- force layer
- curie point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- -1 lanthanide transition metal Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度記録が可能な垂直
熱磁気記録方式に用いられる記録担体、および該記録担
体に情報の書き込みを行なう記録方式に関するものであ
る。
熱磁気記録方式に用いられる記録担体、および該記録担
体に情報の書き込みを行なう記録方式に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】垂直熱磁気記録方式とはガラス、セラミ
ックス、プラスチックス等の非磁気体からなる基材上に
金属磁性体からなる垂直磁化可能な記録担体層を形成せ
しめ、該記録担体層表面にレ−ザーからの光を照射して
照射部分をキュリー点近傍、もしくは補償点近傍に加熱
し、この部分を含む該記録坦体層領域にバイアス磁界を
かけることによってこの部分の磁化を他の部分とは逆の
方向に配向せしめることにより熱磁気的に情報の書き込
みを行ない、該情報の読み出しには別の直線偏光したレ
ーザー光線を該記録担体層表面にあて、該表面からの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。
ックス、プラスチックス等の非磁気体からなる基材上に
金属磁性体からなる垂直磁化可能な記録担体層を形成せ
しめ、該記録担体層表面にレ−ザーからの光を照射して
照射部分をキュリー点近傍、もしくは補償点近傍に加熱
し、この部分を含む該記録坦体層領域にバイアス磁界を
かけることによってこの部分の磁化を他の部分とは逆の
方向に配向せしめることにより熱磁気的に情報の書き込
みを行ない、該情報の読み出しには別の直線偏光したレ
ーザー光線を該記録担体層表面にあて、該表面からの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。
【０００３】従来からこの種の記録担体に用いられる磁
性体としては鉄、コバルト、クロム、マンガン、ガドリ
ニウム、テルビウム、ビスマス等の金属の二種以上の合
金、あるいは酸化鉄、希土類鉄ガーネット等の金属酸化
物がある。
性体としては鉄、コバルト、クロム、マンガン、ガドリ
ニウム、テルビウム、ビスマス等の金属の二種以上の合
金、あるいは酸化鉄、希土類鉄ガーネット等の金属酸化
物がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれら金属磁性
体の単層からなる記録担体にあっては次に述べるような
欠点がある。 １．キュリー点近傍による書き込みの揚合、レ一ザーを
小型なものにして書き込みパワーを下げたり書き込み速
度（Ｂｉｔ Ｒａｔｅ）を大とすると記録担体層は高温
に加熱しにくいから記録担体として低いキュリー点を有
する材料を用いなければならない。しかし低キュリ一点
の材料にあっては常温においても配向された磁化に乱れ
が起り易いため、読み出される信号が小さいものとなる
。また読み出し時に記録担体層表面に照射する光量を大
きくすれば照射面の温度が著るしく上昇して情報が消失
してしまうおそれがあり、光量はある程度制限する必要
があるがＳＮ比は該光量の平方根に比例する。以上二つ
の理由によってＳＮ比が劣化する。 ２．補償点近傍による書き込みの場合、高保磁力を得る
ための書き込み温度範囲、記録担体の組成範囲が非常に
狭く、記録担体を作製する際に組成についてのマージン
が大きくとれず厳密さを要求され手間がかゝり、また温
度特性が悪くなる。更には記録された情報が外部磁揚の
影響を受け易く、記録密度も低下する。
体の単層からなる記録担体にあっては次に述べるような
欠点がある。 １．キュリー点近傍による書き込みの揚合、レ一ザーを
小型なものにして書き込みパワーを下げたり書き込み速
度（Ｂｉｔ Ｒａｔｅ）を大とすると記録担体層は高温
に加熱しにくいから記録担体として低いキュリー点を有
する材料を用いなければならない。しかし低キュリ一点
の材料にあっては常温においても配向された磁化に乱れ
が起り易いため、読み出される信号が小さいものとなる
。また読み出し時に記録担体層表面に照射する光量を大
きくすれば照射面の温度が著るしく上昇して情報が消失
してしまうおそれがあり、光量はある程度制限する必要
があるがＳＮ比は該光量の平方根に比例する。以上二つ
の理由によってＳＮ比が劣化する。 ２．補償点近傍による書き込みの場合、高保磁力を得る
ための書き込み温度範囲、記録担体の組成範囲が非常に
狭く、記録担体を作製する際に組成についてのマージン
が大きくとれず厳密さを要求され手間がかゝり、また温
度特性が悪くなる。更には記録された情報が外部磁揚の
影響を受け易く、記録密度も低下する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
を改良して書き込みパワーを下げてもＳＮ比が劣化ぜず
、かつ広い温度範囲、組成範囲にわたって高保磁力が得
られ外部磁場に対しても記録された情報が安定であるよ
うな記録担体を提供することを目的とし、しかして本発
明は一面に垂直磁化可能な低キュリ一点を有する合金か
ら成る高保磁力層が形成され、他面には高キュリー点を
有する合金から成る低保磁力層が形成され、該高保磁力
層と該低保磁力層とは交換結合されていることを骨子と
するものである。
を改良して書き込みパワーを下げてもＳＮ比が劣化ぜず
、かつ広い温度範囲、組成範囲にわたって高保磁力が得
られ外部磁場に対しても記録された情報が安定であるよ
うな記録担体を提供することを目的とし、しかして本発
明は一面に垂直磁化可能な低キュリ一点を有する合金か
ら成る高保磁力層が形成され、他面には高キュリー点を
有する合金から成る低保磁力層が形成され、該高保磁力
層と該低保磁力層とは交換結合されていることを骨子と
するものである。
【０００６】
【実施例】本発明を以下に詳細に説明する。
【０００７】図１は本発明にかかる記録担体の一実施例
を示すものであり、記録体１０において１は基材であり
、２は垂直磁化可能な低キュリー点を有する高保磁力層
であり、３は高キュリ一点を有する低保磁力層であり、
４は透明保護層である。
を示すものであり、記録体１０において１は基材であり
、２は垂直磁化可能な低キュリー点を有する高保磁力層
であり、３は高キュリ一点を有する低保磁力層であり、
４は透明保護層である。
【０００８】基材１としては前記したようにガラス、セ
ラミックス、プラスチックス等の非磁性体が材料として
用いられる。
ラミックス、プラスチックス等の非磁性体が材料として
用いられる。
【０００９】高保磁力層２および低保磁力層３としては
クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル等の遷移金
属、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロジウム等のラ
ンタニド金属、アンチモン、ビスマス等のアンチモン族
金属の二種以上の合金であって垂直磁化可能な材料が用
いられ、常温雰囲気内の使用では高保磁力層２としては
望ましくはキュリー点が ２００℃以下５０℃以上、更
に望ましくは １５０℃以下 １００℃以上のもの、低
保磁力層３としては望ましくはキュリー点が ２００℃
以上のものを用いる。更に上記合金は高密度に情報を記
録し、かつ該情報の読み出し時のＳＮ比を大きくするた
めに非晶質であるか、もしくは単結晶であるか、あるい
は多結晶であれば微結晶質であることが望ましい。高保
磁力層２に望ましい合金としてはＴｂ−Ｆｅ非晶質合金
、Ｄｙ−Ｆｅ非晶質合金等が例示され、低保磁力層３に
望ましい合金としてはＧｄ−Ｆｅ非晶質合金、Ｇｄ−Ｃ
ｏ非晶質合金、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ非晶質合金等が例示さ
れる。
クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル等の遷移金
属、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロジウム等のラ
ンタニド金属、アンチモン、ビスマス等のアンチモン族
金属の二種以上の合金であって垂直磁化可能な材料が用
いられ、常温雰囲気内の使用では高保磁力層２としては
望ましくはキュリー点が ２００℃以下５０℃以上、更
に望ましくは １５０℃以下 １００℃以上のもの、低
保磁力層３としては望ましくはキュリー点が ２００℃
以上のものを用いる。更に上記合金は高密度に情報を記
録し、かつ該情報の読み出し時のＳＮ比を大きくするた
めに非晶質であるか、もしくは単結晶であるか、あるい
は多結晶であれば微結晶質であることが望ましい。高保
磁力層２に望ましい合金としてはＴｂ−Ｆｅ非晶質合金
、Ｄｙ−Ｆｅ非晶質合金等が例示され、低保磁力層３に
望ましい合金としてはＧｄ−Ｆｅ非晶質合金、Ｇｄ−Ｃ
ｏ非晶質合金、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ非晶質合金等が例示さ
れる。
【００１０】基材１上に高保磁力層２および低保磁力層
３を形成するには蒸着法、スパッタリング法等の一般的
な方法が用いられる。
３を形成するには蒸着法、スパッタリング法等の一般的
な方法が用いられる。
【００１１】透明保護層４としては酸化珪素、酸化錫、
ガラス等の耐熱性透明非磁性体が材料として用いられる
。
ガラス等の耐熱性透明非磁性体が材料として用いられる
。
【００１２】本発明の記録担体が適用された上記記録体
１０においては高保磁力層２の厚みは １００Å程度以
上、低保磁力層３の厚みは １００〜５００Å程度とす
る。そして高保磁力層２と低保磁力層３とを交換結合せ
しめ、且つ、低保磁力層で得られる磁気光学効果が充分
であるためには、低保磁力層の磁壁幅δＷと低保磁力層
の光の透過厚１／α（αは光の吸収係数）を考慮して低
保磁力層の材料を選択する。
１０においては高保磁力層２の厚みは １００Å程度以
上、低保磁力層３の厚みは １００〜５００Å程度とす
る。そして高保磁力層２と低保磁力層３とを交換結合せ
しめ、且つ、低保磁力層で得られる磁気光学効果が充分
であるためには、低保磁力層の磁壁幅δＷと低保磁力層
の光の透過厚１／α（αは光の吸収係数）を考慮して低
保磁力層の材料を選択する。
【００１３】透明保護層４の厚みは一般的に ５００〜
５０００Å程度とする。
５０００Å程度とする。
【００１４】上記実施例以外に高保磁力層２と低保磁力
層３とは明確な二層に分ける必要はなく、高保磁力層２
から低保磁力層３にわたって違続的に組成を変化させて
もよい。また基材１が透明な場合には高保磁力層２を上
層に低保磁力層３を下層に位置せしめてもよい。
層３とは明確な二層に分ける必要はなく、高保磁力層２
から低保磁力層３にわたって違続的に組成を変化させて
もよい。また基材１が透明な場合には高保磁力層２を上
層に低保磁力層３を下層に位置せしめてもよい。
【００１５】本発明の記録担体に情報の書き込みを行な
うには如何なる熱磁気的手段をもとられ得るが以下に説
明する手段が最っとも望ましい。
うには如何なる熱磁気的手段をもとられ得るが以下に説
明する手段が最っとも望ましい。
【００１６】図２において例えば気体レ一ザー、半導体
レーザー等から出力 １〜 １００ｍＷで近赤外ないし
は可視領域の波長の光を発振せしめ、該光は対物レンズ
５を通して記録体１０表面にスポットを結像し、高保磁
力層２を局部的に高保磁力層２のキュリ一点近傍に加熱
する。 該加熱点を含む領域に磁界発生コイル６によって５０〜
１５０Ｏｅ程度のバイアス磁界をかければ加熱点の高保
磁力層２は該バイアス磁界および／または周辺の磁化か
らの漏れ磁界によって他の部分とは反対方向に磁化され
る。 かくして上記スポットを除去すれば高保磁力層２には情
報が書き込まれる。高保磁力層２と低保磁力層３とは交
換結合せられているから高保磁力層２に書き込まれた情
報は同時に低保磁力層３にも書込まれる。
レーザー等から出力 １〜 １００ｍＷで近赤外ないし
は可視領域の波長の光を発振せしめ、該光は対物レンズ
５を通して記録体１０表面にスポットを結像し、高保磁
力層２を局部的に高保磁力層２のキュリ一点近傍に加熱
する。 該加熱点を含む領域に磁界発生コイル６によって５０〜
１５０Ｏｅ程度のバイアス磁界をかければ加熱点の高保
磁力層２は該バイアス磁界および／または周辺の磁化か
らの漏れ磁界によって他の部分とは反対方向に磁化され
る。 かくして上記スポットを除去すれば高保磁力層２には情
報が書き込まれる。高保磁力層２と低保磁力層３とは交
換結合せられているから高保磁力層２に書き込まれた情
報は同時に低保磁力層３にも書込まれる。
【００１７】図３において例えば別のレーザーから直線
偏光した光をハーフミラー７を介し、対物レンズ５を通
して記録体１０表面にスポットとして結像せしめ、その
反射光は対物レンズ５を通しハーフミラー７を介して検
光子８を通してフォトダイオード９で検出する。該光は
情報が転写されている低保磁力層３の情報転写位置にお
いてカー効果によって偏光面が回転するのを検出するこ
とになる。
偏光した光をハーフミラー７を介し、対物レンズ５を通
して記録体１０表面にスポットとして結像せしめ、その
反射光は対物レンズ５を通しハーフミラー７を介して検
光子８を通してフォトダイオード９で検出する。該光は
情報が転写されている低保磁力層３の情報転写位置にお
いてカー効果によって偏光面が回転するのを検出するこ
とになる。
【００１８】更に低保磁力層３にもレ一ザースポットに
よって局部的に補償点近傍に加熱し、高保磁力層２とと
もに低保磁力層３に情報の書き込みを行なってもよい。 低保磁力層３に書き込まれた情報は低保磁力層３と交換
結合している高保磁力層２に保持される。情報読み出し
時には該情報は高保磁力層２からの交換力によって保持
された低保磁力層３から読み出される。
よって局部的に補償点近傍に加熱し、高保磁力層２とと
もに低保磁力層３に情報の書き込みを行なってもよい。 低保磁力層３に書き込まれた情報は低保磁力層３と交換
結合している高保磁力層２に保持される。情報読み出し
時には該情報は高保磁力層２からの交換力によって保持
された低保磁力層３から読み出される。
【００１９】以下に本発明を更に具体的に説明するため
の実施例について述べる。
の実施例について述べる。
【００２０】実施例
次の記録体１０を構成する。
基材１……１ｍｍ厚ガラス板
高保磁力層２……Ｔｂ−Ｆｅ非晶質合金、膜厚 ５００
Å、保磁力Ｈｃ≒１０ＫＯｅ、キュリー点 １２０〜
１３０℃、低保磁力層３……Ｇｄ−Ｆｅ非晶質合金、膜
厚 ３００Å、保磁力Ｈｃ＜ ０．５ＫＯｅ、カー回転
力θｋ≒３６′（６３２８ Å） 、キュリ−点 ２１
０〜 ２２０℃ 透明保護層４……酸化珪素 上記高保磁力層２および低保磁力層３は蒸着によって形
成される。
Å、保磁力Ｈｃ≒１０ＫＯｅ、キュリー点 １２０〜
１３０℃、低保磁力層３……Ｇｄ−Ｆｅ非晶質合金、膜
厚 ３００Å、保磁力Ｈｃ＜ ０．５ＫＯｅ、カー回転
力θｋ≒３６′（６３２８ Å） 、キュリ−点 ２１
０〜 ２２０℃ 透明保護層４……酸化珪素 上記高保磁力層２および低保磁力層３は蒸着によって形
成される。
【００２１】上記構成の記録体１０には出力 ５ｍＷＨ
ｅ−Ｎｅ気体レ一ザーを使用してバイアス磁界 １００
Ｏｅにて情報書き込みを行なう。図４に示すように光照
射時間 １μ秒で２μｍ径の Ｂｉｔ記録、 ０．５μ
秒で １μｍ径の Ｂｉｔ記録が行われる。図５に示す
ように記録体１０に記録された情報は １ＫＯｅの外部
磁界のもとでは約 １２０℃まで安定であった。
ｅ−Ｎｅ気体レ一ザーを使用してバイアス磁界 １００
Ｏｅにて情報書き込みを行なう。図４に示すように光照
射時間 １μ秒で２μｍ径の Ｂｉｔ記録、 ０．５μ
秒で １μｍ径の Ｂｉｔ記録が行われる。図５に示す
ように記録体１０に記録された情報は １ＫＯｅの外部
磁界のもとでは約 １２０℃まで安定であった。
【００２２】上記構成の記録体１０における低保磁力層
３の反転磁Ｈｅを測定したところ、約 ５ＫＯｅとなり
低保磁力層３単層膜の保磁力 ０．５ＫＯｅ以下に比し
て一桁ほど保磁力が増大している。
３の反転磁Ｈｅを測定したところ、約 ５ＫＯｅとなり
低保磁力層３単層膜の保磁力 ０．５ＫＯｅ以下に比し
て一桁ほど保磁力が増大している。
【００２３】比較例
上記構成の記録体１０の高保磁力層２と低保磁力層３と
の間に １００Åの酸化珪素層を介在させた記録体を作
成した。該記録体においては酸化珪素層の介在により高
保磁力層２と低保磁力層３とは静磁結合している。該記
録体について実施例と同様な記録を行なったが、室温に
おいて２５Ｏｅの外部磁界のもとで既に不安定であった
。
の間に １００Åの酸化珪素層を介在させた記録体を作
成した。該記録体においては酸化珪素層の介在により高
保磁力層２と低保磁力層３とは静磁結合している。該記
録体について実施例と同様な記録を行なったが、室温に
おいて２５Ｏｅの外部磁界のもとで既に不安定であった
。
【００２４】
【発明の効果】本発明の記録担体はかくして次のような
利点を有するものである。 １．低キュリー点を有する高保磁力層の存在により小さ
な書き込みパワーが適用出来る。更に書き込み速度（Ｂ
ｉｔ Ｒａｔｅ）が速くなる。また低保磁力層との交換
結合によって低保磁力層の実効保磁力を増大せしめるこ
とにより、外部磁界および温度変化に対して書き込まれ
た情報が安定であり、かつ記録担体の組成についてのマ
ージンが大きくとれる。更に垂直磁化であることにより
光ディスク程度までの高密度の記録が可能である。 ２．上記高保磁力層と交換結合している高キュリ一点を
有する低保磁力層の存在により、情報読み出しが低保磁
力層において行われ、読み出し時のＳＮ比は良好なもの
が得られる。
利点を有するものである。 １．低キュリー点を有する高保磁力層の存在により小さ
な書き込みパワーが適用出来る。更に書き込み速度（Ｂ
ｉｔ Ｒａｔｅ）が速くなる。また低保磁力層との交換
結合によって低保磁力層の実効保磁力を増大せしめるこ
とにより、外部磁界および温度変化に対して書き込まれ
た情報が安定であり、かつ記録担体の組成についてのマ
ージンが大きくとれる。更に垂直磁化であることにより
光ディスク程度までの高密度の記録が可能である。 ２．上記高保磁力層と交換結合している高キュリ一点を
有する低保磁力層の存在により、情報読み出しが低保磁
力層において行われ、読み出し時のＳＮ比は良好なもの
が得られる。
【図１】本発明の熱磁気記録担体を用いた記録体の一実
施例の部分側断面図。
施例の部分側断面図。
【図２】情報書き込みの際の一実施例の概略図。
【図３】情報読み出しの際の一実施例の概略図。
【図４】実施例における光照射時間と記録された Ｂｉ
ｔ径との関係を示し、縦軸に Ｂｉｔ径（μｍ）、横軸
に光照射時間（ｓｅｃ） をとる。
ｔ径との関係を示し、縦軸に Ｂｉｔ径（μｍ）、横軸
に光照射時間（ｓｅｃ） をとる。
【図５】情報が消去される消去外部磁場と温度との関係
を示し、縦軸に消去外部磁場（ＫＯｅ）、横軸に温度（
℃）をとる。
を示し、縦軸に消去外部磁場（ＫＯｅ）、横軸に温度（
℃）をとる。
２ 高保磁力層
３ 低保磁力層
図４及び図５のグラフにおいて黒丸はＧｄ−Ｆｅ層、白
抜き丸はＴｂ−Ｆｅ層を示す。
抜き丸はＴｂ−Ｆｅ層を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 集束したレーザー光によってキュリー
点近傍に第１の層を加熱して情報の書き込みを行ない、
集束したレーザー光を第２の層に照射することによって
情報の読み出しを行なうようにした前記第１の層と第２
の層とを基板上に設けてなる熱磁気記録担体であって、
前記第１の層はランタニド−遷移金属より構成される低
キュリー点で且つ高保磁力を有し、前記第２の層はラン
タニド−遷移金属より構成され高キュリー点で且つ低保
磁力を有し、前記第１の層と第２の層とは交換結合され
ていて、前記第１の層と第２の層とで構成される記録層
の上に保護層を設けたことを特徴とする熱磁気記録担体
。 - 【請求項２】 特許請求の範囲請求項１に記載される
熱磁気記録担体に、集束したレーザー光によってキュリ
ー点近傍に前記第１の層を加熱して情報の書き込みを行
ない、集束したレーザー光を前記第２の層に照射するこ
とによって情報の読み出しを行なう事を特徴とする熱磁
気記録再生方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12372891A JPH04228133A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 熱磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12372891A JPH04228133A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 熱磁気記録方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55154291A Division JPS5778652A (en) | 1980-11-01 | 1980-11-01 | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04228133A true JPH04228133A (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=14867889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12372891A Pending JPH04228133A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 熱磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04228133A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112530465A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 株式会社东芝 | 磁盘装置以及写处理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154291A (en) * | 1979-05-14 | 1980-12-01 | Tokyo Tatsuno Kk | Oil feeder |
| JPS56153546A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Ricoh Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP12372891A patent/JPH04228133A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154291A (en) * | 1979-05-14 | 1980-12-01 | Tokyo Tatsuno Kk | Oil feeder |
| JPS56153546A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Ricoh Co Ltd | Magnetic recording medium |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112530465A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 株式会社东芝 | 磁盘装置以及写处理方法 |
| CN112530465B (zh) * | 2019-09-19 | 2022-05-31 | 株式会社东芝 | 磁盘装置以及写处理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4799114A (en) | Thermomagnetic recording carrier and a method for thermomagnetic recording | |
| US20060286411A1 (en) | Magneto-optical recording medium, manufacturing method thereof and magneto-optical data recording and playback device | |
| JP2986622B2 (ja) | 光磁気メモリー素子およびその記録再生方法 | |
| JPH05225627A (ja) | 高密度光磁気ディスク | |
| JPH07105082B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0698881A1 (en) | Magnetooptical recording medium and method for reproducing information from the medium | |
| JPH0341906B2 (ja) | ||
| EP0668585B1 (en) | Information recording method and system using a magneto-optical medium | |
| JPH0348582B2 (ja) | ||
| US6017620A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| EP0510757A2 (en) | Erasable magneto-optical recording medium and method of simultaneously erasing existing information and recording new information | |
| JPH04228133A (ja) | 熱磁気記録方法 | |
| JPS63179435A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPH02267754A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPH0325854B2 (ja) | ||
| JPH06195784A (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報記録方法 | |
| JP3570922B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2809100B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS59208706A (ja) | 熱磁気記録材料 | |
| JP3570921B2 (ja) | 光磁気記録媒体を用いた情報の記録方法 | |
| JP2817505B2 (ja) | 光磁気記録用単板光ディスクとその記録再生方法 | |
| JPS6098539A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JP3505860B2 (ja) | 光磁気記録再生方法およびこれに用いる光磁気記録媒体 | |
| JPH05334747A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPH11126384A (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |