CN112530465B - 磁盘装置以及写处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。

Description

磁盘装置以及写处理方法
本申请享受以日本专利申请2019－170318号(申请日：2019年9月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及写处理方法。
背景技术
为了实现磁盘装置的高记录密度化以及高记录容量化，开发出了高频辅助(Microwave Assisted Magnetic Recording(微波辅助磁记录)：MAMR)记录型式以及热辅助磁记录(Thermally Assisted Magnetic Recording:TAMR)型式等。高频辅助记录型式是如下技术：使用具有通过被施加记录电流而励磁产生记录磁场的记录磁极(主磁极)和高频振荡器的磁头，向盘施加通过对高频振荡器通电而产生的高频磁场，由此使施加了高频磁场的盘的部分的顽磁力降低。热辅助磁记录型式是如下技术：使用具有向盘进行照射光的照射的光照射元件的磁头，从光照射元件的前端对盘进行照射光的照射来对盘局部地进行加热，由此使被加热了的盘的部分的顽磁力降低。当前，正在考虑具有多个辅助元件的高频辅助记录型式以及热辅助磁记录型式的磁盘装置。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。
本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置的第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示实施方式涉及的头相对于盘的配置的一例的示意图。
图3是表示实施方式涉及的写入头的构成例的示意图。
图4是表示在中周区域中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件的辅助能量的一例的示意图。
图5是表示在中周区域中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件的辅助能量的一例的示意图。
图6是表示在中周区域中在内方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件的辅助能量的一例的示意图。
图7是表示在内周区域中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件的辅助能量的一例的示意图。
图8是表示在内周区域中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件的辅助能量的一例的示意图。
图9是表示在外周区域中在内方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件的辅助能量的一例的示意图。
图10是表示在外周区域中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件的辅助能量的一例的示意图。
图11是表示实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一例，并非限定发明的范围。
(实施方式)
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90、作为一芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。
HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载了头15的臂13、音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动而旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15也可以设置有两个以上的数量。
盘10对其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需要的信息的系统区10b。以下，将盘10的与半径方向正交的方向称为圆周方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置以及圆周位置一并简称为位置。
头15将滑块作为主体而具备实际装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R对写于盘10的数据进行读取。此外，既有时将写入头15W简称为头15，也有时将读取头15R简称为头15，还有时将写入头15W以及读取头15R一并称为头15。也有时将头15的中心部称为头15，将写入头15W的中心部称为写入头15W，将读取头15R的中心部称为读取头15R。“磁道”以在盘10的半径方向上划分出的多个区域中的一个区域、在盘10的圆周方向上延长的数据、写于磁道的数据、其他各种含义来使用。磁道具有多个扇区。“扇区”以将磁道在圆周方向上划分出的多个区域中的一个区域、在盘10的预定位置写入的数据、写于扇区的数据、其他各种含义来使用。将磁道的半径方向上的宽度称为磁道宽度，将磁道宽度的中心位置称为磁道中央。
图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一例的示意图。如图2所示，在半径方向上，将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，如图2所示，在圆周方向上，将对于盘10的右转(顺时针)方向称为右方向，将与右转方向相反的(逆时针)方向称为左方向。在圆周方向上，将盘10旋转的方向称为旋转方向。在图2中，旋转方向是左方向。此外，旋转方向也可以是相反方向(右方向)。在图2中，用户数据区域10a被划分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR、位于内周区域IR和外周区域OR之间的中周区域MR。在图2中示出磁道TRn的磁道中央TRCn。磁道中央TRCn位于中周区域MR。此外，磁道中央TRCn既可以位于内周区域IR，也可以位于外周区域OR。磁道中央TRCn例如位于与盘10呈同心圆状的位置。此外，磁道中央TRCn也可以不是圆状。磁道中央TRCn也可以不是与盘10呈同心圆状。
盘10具有多个伺服数据区域SV。以下，有时也将伺服数据区域SV称为伺服图案SV。多个伺服数据区域SV跨多条磁道而在盘10的半径方向上呈放射状延伸，在圆周方向上空开预定间隔而离散地配置。伺服数据区域SV具有多个伺服扇区。伺服扇区包括用于将头15定位于盘10的预定的半径位置、例如预定磁道的伺服数据。在圆周方向上连续地排列的两个伺服数据区域SV之间配置有进行用户数据等的写入的区域。此外，伺服数据区域SV也可以从盘10的内周到外周为一条喷雾状的图案。
在将头15定位在了磁道中央TRCn的情况下，偏斜角例如成为0°。以下，有时也将在定位了头15时偏斜角成为0°的半径位置称为基准位置。随着头15在半径方向上从基准位置(磁道中央TRCn)向外方向移动，偏斜角的绝对值增大。另外，随着头15在半径方向上从基准位置(磁道中央TRCn)向内方向移动，偏斜角的绝对值增大。
图3是表示本实施方式涉及的写入头15W的构成例的示意图。图3示意性地示出与盘10相对向的写入头15W的一部分。
写入头15W具备主磁极MPL、尾屏蔽件(写屏蔽件)SHL、多个辅助元件AST、例如辅助元件AST1以及AST2。此外，写入头15W也可以具备3个以上的辅助元件AST。
主磁极MPL由具有高饱和磁通量密度的软磁性体形成。主磁极MPL为了使盘10磁化而相对于盘10的表面产生垂直方向的记录磁场。以下，有时也将主磁极MPL称为记录磁极。
写屏蔽件SHL与主磁极MPL空开间隙GP相对向。写屏蔽件SHL由具有高饱和磁通量密度的软磁性体形成。写屏蔽件SHL是为了使磁路经由主磁极MPL正下的盘10而高效地闭合所设置的。主磁极MPL和写屏蔽件SHL电绝缘，且形成磁回路。通过从头放大器IC30对设置为卷绕于包括主磁极MPL和写屏蔽件SHL的磁回路的记录线圈供给预定大小的电流(有时也称为记录电流、写电流或者记录能力)，主磁极MPL和写屏蔽件SHL被激励记录磁场。此外，有时也将主磁极MPL和写屏蔽件SHL称为记录磁极。
多个辅助元件AST(AST1、AST2)设置在主磁极MPL与写屏蔽件SHL之间。在图3所示的例子中，辅助元件AST1以及AST2设置于间隙GP。多个辅助元件AST在与从主磁极MPL朝向写屏蔽件SHL的方向(以下有时也称为对向方向)交叉的方向上排列。此外，也可以将从写屏蔽件SHL朝向主磁极MPL的方向称为对向方向。也就是说，对向方向相当于写屏蔽件SHL和主磁极MPL排列的方向。对向方向不限于与圆周方向平行。另外，对向方向不限于与半径方向垂直地交叉。例如，多个辅助元件AST在与对向方向交叉的方向上排列设置。在图3所示的例子中，辅助元件AST1以及AST2在与对向方向交叉的方向上排列设置。在图3所示的例子中，辅助元件AST1相对于辅助元件AST2位于内方向的位置。辅助元件AST2相对于辅助元件AST1位于外方向的位置。
例如，多个辅助元件AST的特性也可以不同。在一例中，多个辅助元件AST也可以分别由不同的材料形成。另外，在其他例子中，多个辅助元件AST各自的对向方向上的厚度也可以不同。由于各辅助元件AST的特性不同，从各辅助元件AST在盘10产生的能量(以下有时也称为辅助能量)、例如高频磁场、近场光成为最大的情况下的施加于各辅助元件AST的电流(以下有时也称为辅助电流)或者电压(以下有时也称为辅助电压)可能不同。在此，辅助能量相当于用于对朝向盘10的顽磁力产生影响而提高通过写入头15W实现的向盘10的写入性能的能量。
辅助元件AST例如是用于执行高频辅助记录的高频辅助元件。高频辅助元件包括自旋力矩振荡器。自旋力矩振荡器例如具有在主磁极MPL与写屏蔽件SHL之间依次层叠由非磁性导电层形成的基底层、自旋注入层、中间层、振荡层、由非磁性导电层形成的间隙层而得到的构造。自旋力矩振荡器利用通过被施加预定的辅助电压或者预定的辅助电流而在写间隙内产生的间隙磁场，磁化均匀地进行旋转(自旋的岁差运动)，向盘10产生频率与记录信号的频率相比足够高的高频磁场(微波)。自旋力矩振荡器通过向盘10的磁记录层施加高频磁场，降低磁记录层的顽磁力。
在本实施例中，在设置有多个高频辅助元件的情况下，例如高频辅助元件AST1和高频辅助元件AST2也可以具备具有不同的磁特性的磁性膜。或者，AST1和AST2也可以具有不同的层膜厚和/或不同的截面积。在该情况下，AST1和AST2成为即使设定某电流值，进行振荡的频率和/或微波强度也会不同的状态。即，即使对AST1和AST2同时施加相同的辅助电流，也能够将在那时从AST1和AST2施加于盘10的微波所实现的磁记录层的顽磁力效果调整为不同的水平。或者，作为其他的高频辅助头构成，也可以相对于具有相同的膜构成的高频辅助元件AST1和AST2分别具有独立的辅助电流电路。在该情况下，能够对AST1和AST2分别施加不同的辅助电流，因此，两个辅助元件能够实现不同的辅助效果。
在其他例子中，辅助元件AST例如是用于执行热辅助磁记录的热辅助元件。热辅助元件包括光产生元件(例如激光二极管)、导波路以及近场光照射元件(等离子体发生器、近场变换器)等。光产生元件是(激光)光源，设置在头15的滑块的上部或者万向架。光产生元件通过被从头放大器IC30施加辅助电流或者辅助电压等而向导波路供给光。此外，光产生元件也可以设置在头15的滑块或者万向架以外的部位。例如，光产生元件也可以设置在臂13以及头15的外部。导波路将光产生元件产生的光传播到近场光照射元件。近场光照射元件设置在与盘10相对向的头15的滑块的下端部。近场光照射元件在对盘10写入数据时，从经由导波路传播的激光光产生近场光，并对盘10照射近场光。被照射到盘10的近场光对盘10的记录层进行加热，使盘10的记录层的顽磁力降低。近场光照射元件包括金属部件。此外，也可以代替近场光照射元件，具备将从光产生元件传播的光聚光到盘10的透镜。这样，通过将从近场光照射元件产生的近场光照射到盘10，磁盘装置1能够在作为高顽磁力介质的盘10进行高密度的磁记录。
在本实施例中，在设置有多个热辅助元件的情况下，例如热辅助元件AST1和热辅助元件AST2也可以分别具有不同的光产生元件、导波路。在该情况下，各个热辅助元件能够实现各自不同的辅助效果。
驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12以及VCM14的驱动进行控制。
头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器以及写驱动器。读放大器将从盘10读出的读信号放大，并输出给系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道50)。写驱动器向头15供给与从R/W通道50输出的写数据相应的记录电流。例如，写驱动器按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，向记录线圈供给记录电流。此外，写驱动器也可以与各辅助元件AST电连接，按照系统控制器130(MPU60)的控制，向各辅助元件AST施加预定的辅助电流或者辅助电压。
易失性存储器70是当电力供给被切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。
非易失性存储器80是即使电力供给被切断、也保持所记录的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。
缓冲存储器90是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器90例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。
系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括硬盘控制器(HDC)40、读/写(R/W)通道50、微处理器(MPU)60。HDC40、R/W通道50以及MPU60分别相互电连接。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC60、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。
HDC40按照来自后述的MPU60的指示，对主机100与R/W通道50之间的数据传输进行控制。HDC40例如与易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。
R/W通道50按照来自MPU60的指示，执行读数据以及写数据的信号处理。R/W通道50例如与头放大器IC30等电连接。R/W通道50具有对写数据进行调制的电路或者功能。另外，R/W通道50具备测定读数据的信号品质的电路或者功能。
MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行头15的定位。MPU60对向盘10写入数据的写动作进行控制，并且，选择从主机100传送的写数据的保存目的地。另外，MPU60对从盘10读取数据的读动作进行控制，并且，对从盘10向主机100传送的读数据的处理进行控制。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、HDC40以及R/W通道50等电连接。
MPU60具备读/写控制部610以及辅助元件控制部620。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部610以及辅助元件控制部620等的处理。此外，MPU60也可以作为电路而具备各部、例如读/写控制部610以及辅助元件控制部620等。
读/写控制部610按照来自主机100的命令，对数据的读处理以及写处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC20控制VCM14，将头15定位于盘10的预定位置，进行数据的读取或者写入。读/写控制部610能够在半径方向上对已经写入的数据的一部分覆写数据。例如，读/写控制部610在通过自伺服写入(SSW)对盘10写入放射状的伺服图案(产品伺服图案或者最终伺服图案)时，在半径方向上对已经写入的伺服数据的一部分覆写伺服数据。另外，例如读/写控制部610在向盘10写入用户数据时，执行在半径方向上对已经进行了写入的磁道的一部分覆写接下来要进行写入的磁道的处理(瓦记录(Shingled write MagneticRecording(瓦写磁记录)：SMR或者Shingled Write Recording(瓦写记录)：SWR))。以下，有时也将在半径方向上对已经写入的数据的一部分覆写数据的方向称为覆写方向。此外，读/写控制部610也可以在半径方向上从已经写入的数据空开预定的间隔来进行数据的写入。有时也将在半径方向上从已经写入的数据空开预定的间隔来进行数据的写入称为通常记录或者通常写。例如，读/写控制部610从盘10的内周向外周对一条螺旋伺服图案进行通常记录。另外，读/写控制部610在向盘10写入用户数据时，在半径方向上从预定磁道空开间隔来进行其他的磁道的通常记录。
辅助元件控制部620对从各辅助元件AST对盘10产生的辅助能量进行控制。例如，辅助元件控制部620对施加于各辅助元件AST的辅助电流或者辅助电压进行控制，来对从各辅助元件AST对盘10产生的辅助能量进行控制。在一例中，辅助元件控制部620通过对各辅助元件AST施加不同的辅助电流或者辅助电压，能够使得从各辅助元件AST对盘10产生不同的辅助能量。此外，在各辅助元件AST的特性不同的情况下，辅助元件控制部620通过对各辅助元件AST施加相同的辅助电流或者辅助电压，能够使得从各辅助元件AST对盘10产生不同的辅助能量。在此，“相同”、“同一”、“一致”以及“同等”等包含完全相同，当然也包含在实质上可视为相同的程度上的不同。另外，辅助元件控制部620也能够通过对各辅助元件AST施加相同的辅助电流或者辅助电压，使得从各辅助元件AST对盘10产生相同的辅助能量。例如，辅助元件控制部620在从盘10的内周向外周写入一条螺旋伺服图案时，对各辅助元件AST施加相同的辅助电流或者辅助电压，使得从各辅助元件AST对盘10产生相同的辅助能量。
辅助元件控制部620与覆写方向相应地对从多个辅助元件对盘10产生的辅助能量进行控制。换言之，辅助元件控制部620通过根据覆写方向来对从多个辅助元件对盘10产生的辅助能量进行控制，从而控制写于盘10的数据。
例如，在外方向上进行数据的覆写的情况下，辅助元件控制部620使从辅助元件AST1对盘10产生的辅助能量比从辅助元件AST2对盘10产生的辅助能量小。换言之，在外方向上进行数据的覆写的情况下，辅助元件控制部620使从辅助元件AST2对盘10产生的辅助能量比从辅助元件AST1对盘10产生的辅助能量大。在一例中，在外方向上进行数据的覆写的情况下，辅助元件控制部620使施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压小。换言之，在外方向上进行数据的覆写的情况下，辅助元件控制部620使施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压大。
例如，辅助元件控制部620在外方向上进行数据的覆写时，通过使从辅助元件AST1对盘10产生的辅助能量比从辅助元件AST2对盘10产生的辅助能量小，从而使得在通过写入头15W进行了写入的数据的内方向上产生的因来自写入头15W的记录磁场的泄漏(以下称为外沿(fringing)、边缘(fringe)、或者边沿(side fringe))而受到影响的数据(以下有时也称为边缘数据)的半径方向的大小(或者宽度)比在通过写入头15W进行了写入的数据的外方向上产生的边缘数据的半径方向的大小小。例如，边缘数据相当于在用写入头15W进行了写入的数据中磁化连续地变弱的部分(数据)。
辅助元件控制部620例如在内方向上进行数据的覆写的情况下，使从辅助元件AST2对盘10产生的辅助能量比从辅助元件AST1对盘10产生的辅助能量小。换言之，在内方向上进行数据的覆写的情况下，辅助元件控制部620使从辅助元件AST1对盘10产生的辅助能量比从辅助元件AST2对盘10产生的辅助能量大。在一例中，在内方向上进行数据的覆写的情况下，辅助元件控制部620使施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压小。换言之，在内方向上进行数据的覆写的情况下，辅助元件控制部620使施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压大。
例如，辅助元件控制部620在内方向上进行数据的覆写时，通过使从辅助元件AST2对盘10产生的辅助能量比从辅助元件AST1对盘10产生的辅助能量小，从而使得在通过写入头15W进行了写入的数据的外方向上产生的边缘数据的半径方向的大小比在通过写入头15W进行了写入的数据的外方向上产生的边缘数据的半径方向的大小小。
辅助元件控制部620根据偏斜角、盘10的特性、头15的特性、记录频率以及磁道间距等条件(以下有时也称为诸条件)，设定使得从各辅助元件AST向盘10产生的辅助能量的大小。换言之，辅助元件控制部620根据诸条件，设定施加于各辅助元件AST的辅助电流或者辅助电压。例如，辅助元件控制部620根据诸条件，通过写入头15W进行了写入的数据的边缘数据的半径方向的位置和/或大小会不同。在一例中，辅助元件控制部620根据偏斜角(反半径位置)，通过写入头15W进行了写入的数据的边缘数据的半径方向的位置和/或大小会不同。辅助元件控制部620也可以根据诸条件，将使得从各辅助元件AST向盘10产生的辅助能量的大小作为表记录于预定的记录区域、例如盘10的系统区10b、易失性存储器70或者非易失性存储器80等。
以下，参照图4～图10对相对于覆写方向的从各多个辅助元件AST产生的各辅助能量进行说明。
图4是表示在中周区域MR中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件AST的辅助能量的一例的示意图。在图4中示出在圆周方向上延伸的数据MD1和在圆周方向延伸并在数据MD1的外方向上相邻的数据MD2。数据MD2对数据MD1的外方向的一部分覆写。也就是说，在图4中，覆写方向是外方向。数据MD1和MD2既可以是伺服数据，也可以是用户数据(磁道)。数据MD1具有边缘数据IMF1以及OMF1。边缘数据IMF1位于数据MD1的内方向的端部，边缘数据OMF1位于数据MD1的外方向的端部。数据MD2具有边缘数据IMF2以及OMF2。边缘数据IMF2位于数据MD2的内方向的端部，边缘数据OMF2位于数据MD2的外方向的端部。图4所示的写入头15W的实线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中实际上对盘10产生记录磁场的部分。在图4中示出来自写入头15W的边缘MHF1。另外，在图4中示出从辅助元件AST1产生的辅助能量给予影响的范围(以下有时也称为辅助范围)MAR1和辅助元件AST2的辅助范围MAR2。
在图4所示的例子中，MPU60在中周区域MR中以偏斜角为0°来将数据MD1以及MD2覆写于盘10。MPU60使得从辅助元件AST1和AST2产生相同的辅助能量，在数据MD1的外方向进行数据MD2的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1和AST2施加相同的辅助电流或者辅助电压，在数据MD1的外方向上进行数据MD2的覆写。例如，在将辅助元件AST1的辅助能量的大小设为1的情况下，MPU60使辅助元件AST2的辅助能量的大小为1来在数据MD1的外方向上进行数据MD2的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，对辅助元件AST2施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，在数据MD1的外方向上进行数据MD2的覆写。MPU60根据诸条件，设定使得从辅助元件AST1和AST2向盘10产生的辅助能量的大小。例如，MPU60根据诸条件，设定分别施加于辅助元件AST1和AST2的辅助电流或者辅助电压。在图4所示的例子中，因写入头15W的边缘MHF1，在数据MD1的半径方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据IMF1以及OMF1。另外，因写入头15W的边缘MHF1，在数据MD2的半径方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据IMF2以及OMF2。
图5是表示在中周区域MR中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件AST的辅助能量的一例的示意图。在图5中示出在圆周方向上延伸的数据MD3和在圆周方向上延伸并在数据MD3的外方向上相邻的数据MD4。数据MD4对数据MD3的外方向的一部分覆写。也就是说，在图5中，覆写方向是外方向。数据MD3和MD4既可以是伺服数据，也可以是用户数据(磁道)。数据MD3具有边缘数据OMF3。边缘数据OMF3位于数据MD3的外方向的端部。数据MD4具有边缘数据OMF4。边缘数据OMF4位于数据MD4的外方向的端部。图5所示的写入头15W的实线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生实效的记录磁场的部分。图5所示的写入头15W的虚线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生非实效的记录磁场的部分。在图5中示出来自写入头15W的边缘MHF2。另外，在图5中示出辅助元件AST2的辅助范围MAR3。
在图5所示的例子中，MPU60在中周区域MR中以偏斜角为0°来将数据MD3和MD4覆写于盘10。MPU60使从AST1产生的辅助能量比从辅助元件AST2产生的辅助能量小，在数据MD3的外方向上进行数据MD4的覆写。例如，MPU60使施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压小，在数据MD3的外方向上进行数据MD4的覆写。例如，在将辅助元件AST1的辅助能量的大小设为1的情况下，MPU60使辅助元件AST2的辅助能量的大小为9，在数据MD3的外方向上进行数据MD4的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，对辅助元件AST2施加大小为9的辅助电流或者辅助电压，在数据MD3的外方向上进行数据MD4的覆写。MPU60根据诸条件，设定使得从辅助元件AST1以及AST2向盘10产生的辅助能量的大小。例如，MPU60根据诸条件，设定分别施加于辅助元件AST1以及AST2的辅助电流或者辅助电压。另外，例如，MPU60使辅助元件AST1的辅助能量的大小为0，在数据MD3的外方向上进行数据MD4的覆写。换言之，MPU60使辅助元件AST1为非工作(OFF)、且使辅助元件AST2为工作(ON)，在数据MD3的外方向上进行数据MD4的覆写。例如，MPU60不对辅助元件AST1施加辅助电流或者辅助电压，在数据MD3的外方向上进行数据MD4的覆写。在图5所示的例中，因写入头15W的边缘MHF2，在数据MD3产生了边缘数据OMF3。由于写入头15W的内方向的边缘MHF2小，因此，在数据MD3的内方向不产生边缘数据。另外，因写入头15W的边缘MHF2，在数据MD4的外方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据OMF4。由于写入头15W的内方向的边缘MHF2小，因此，在数据MD4的内方向不产生边缘数据。此外，在图5所示的例子中，也可以产生半径方向的大小比边缘数据OMF4的半径方向的大小小的边缘数据。在边缘数据OMF3以及OMF4覆盖接下来的数据。因此，在图5所示的例子中，能够减轻在数据产生边缘数据，因此，能够提高数据品质。
图6是表示在中周区域MR中在内方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件AST的辅助能量的一例的示意图。在图6中示出在圆周方向上延伸的数据MD5和在圆周方向上延伸并在数据MD5的内方向上相邻的数据MD6。数据MD6对数据MD5的内方向的一部分覆写。也就是说，在图6中，覆写方向是内方向。数据MD5和MD6既可以是伺服数据，也可以是用户数据(磁道)。数据MD5具有边缘数据IMF5。边缘数据IMF5位于数据MD5的内方向的端部。数据MD6具有边缘数据IMF6。边缘数据IMF6位于数据MD6的内方向的端部。图6所示的写入头15W的实线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中实际上对盘10产生记录磁场的部分。图6所示的写入头15W的虚线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生非实效的记录磁场的部分。在图6中示出来自写入头15W的边缘MHF3。另外，在图6中示出辅助元件AST1的辅助范围MAR4。
在图6所示的例子中，MPU60在中周区域MR中以偏斜角为0°来将数据MD5和MD6覆写于盘10。MPU60使从AST2产生的辅助能量比从辅助元件AST1产生的辅助能量小，在数据MD5的内方向上进行数据MD6的覆写。例如，MPU60使施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压小，在数据MD5的内方向上进行数据MD6的覆写。例如，在将辅助元件AST2的辅助能量的大小设为1的情况下，MPU60使辅助元件AST1的辅助能量的大小为9，在数据MD5的外方向上进行数据MD6的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST2施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，对辅助元件AST1施加大小为9的辅助电流或者辅助电压，在数据MD5的外方向上进行数据MD6的覆写。
MPU60根据诸条件，设定使得从辅助元件AST1以及AST2向盘10产生的辅助能量的大小。例如，MPU60根据诸条件，设定分别施加于辅助元件AST1以及AST2的辅助电流或者辅助电压。另外，例如，MPU60使辅助元件AST2的辅助能量的大小为0，在数据MD5的内方向上进行数据MD6的覆写。换言之，MPU60使辅助元件AST2为非工作(OFF)、且使辅助元件AST1为工作(ON)，在数据MD5的内方向上进行数据MD6的覆写。例如，MPU60不对辅助元件AST2施加辅助电流或者辅助电压，在数据MD5的外方向上进行数据MD6的覆写。
在图6所示的例子中，因写入头15W的边缘MHF3，在数据MD5产生了边缘数据IMF3。由于写入头15W的外方向的边缘MHF3小，因此，在数据MD5的外方向上不产生边缘数据。另外，因写入头15W的边缘MHF3，在数据MD6的内方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据IMF6。由于写入头15W的外方向的边缘MHF3小，因此，在数据MD6的外方向上不产生边缘数据。此外，在图6所示的例子中，也可以产生半径方向的大小比边缘数据IMF4的半径方向的大小小的边缘数据。在边缘数据IMF5以及IMF6覆盖接下来的数据。因此，在图6所示的例子中，能够减轻在数据产生边缘数据，因此，能够提高数据品质。
图7是表示在内周区域IR中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件AST的辅助能量的一例的示意图。在图7中示出在圆周方向上延伸的数据ID1和在圆周方向上延伸并在数据ID1的外方向上相邻的数据ID2。数据ID2对数据ID1的外方向的一部分覆写。也就是说，在图7中，覆写方向是外方向。数据ID1和ID2既可以是伺服数据，也可以是用户数据(磁道)。数据ID1具有边缘数据IIF1及OIF1。边缘数据IIF1位于数据ID1的内方向的端部，边缘数据OIF1位于数据ID1的外方向的端部。数据ID2具有边缘数据IIF2及OIF2。边缘数据IIF2位于数据ID2的内方向的端部，边缘数据OIF2位于数据ID2的外方向的端部。图7所示的写入头15W的实线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生实效的记录磁场的部分。在图7中示出来自写入头15W的边缘IHF1。另外，图7中示出辅助元件AST1的辅助范围IAR1和辅助元件AST2的辅助范围IAR2。
在图7所示的例子中，MPU60在内周区域IR中以预定的偏斜角向内方向倾斜地将数据ID1和ID2写到盘10。MPU60使得从辅助元件AST1以及AST2产生相同的辅助能量，在数据ID1的外方向上进行数据ID2的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1和AST2施加相同的辅助电流或者辅助电压，在数据ID1的外方向上进行数据ID2的覆写。例如，在将辅助元件AST1的辅助能量的大小设为了1的情况下，MPU60使辅助元件AST2的辅助能量的大小为1，在数据ID1的外方向进行数据ID2的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，对辅助元件AST2施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，在数据ID1的外方向进行数据ID2的覆写。MPU60根据诸条件，设定使得从辅助元件AST1和AST2向盘10产生的辅助能量的大小。例如，MPU60根据诸条件，设定分别对辅助元件AST1以及AST2施加的辅助电流或者辅助电压。在图7所示的例子中，因写入头15W的边缘IHF1，在数据ID1的半径方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据IIF1以及OIF1。另外，因写入头15W的边缘IHF1，在数据ID2的半径方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据IIF2以及OIF2。
图8是表示在内周区域IR中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件AST的辅助能量的一例的示意图。在图8中示出在圆周方向上延伸的数据ID3和在圆周方向上延伸并在数据ID3的外方向上相邻的数据ID4。数据ID4对数据ID3的外方向的一部分覆写。也就是说，在图8中，覆写方向是外方向。数据ID3和ID4既可以是伺服数据，也可以是用户数据(磁道)。数据ID3具有边缘数据OIF3。边缘数据OIF3位于数据ID3的外方向的端部。数据ID4具有边缘数据OIF4。边缘数据OIF4位于数据ID4的外方向的端部。图8所示的写入头15W的实线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生实效的记录磁场的部分。图8所示的写入头15W的虚线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生非实效的记录磁场的部分。在图8中示出来自写入头15W的边缘IHF2。另外，在图8中示出辅助元件AST2的辅助范围IAR3。
在图8所示的例子中，MPU60在内周区域IR中以预定的偏斜角向内方向倾斜地将数据ID3和ID4覆写到盘10。MPU60使从AST1产生的辅助能量比从辅助元件AST2产生的辅助能量小，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。例如，MPU60使施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压小，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。例如，在将辅助元件AST1的辅助能量的大小设为了1的情况下，MPU60使辅助元件AST2的辅助能量的大小为9，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，对辅助元件AST2施加大小为9的辅助电流或者辅助电压，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。
MPU60根据诸条件，设定使得从辅助元件AST1以及AST2向盘10产生的辅助能量的大小。例如，MPU60根据诸条件，设定分别施加于辅助元件AST1以及AST2的辅助电流或者辅助电压。另外，例如，MPU60使辅助元件AST1的辅助能量的大小为0，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。换言之，MPU60使辅助元件AST1为非工作(OFF)、且使辅助元件AST2为工作(ON)，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。例如，MPU60不对辅助元件AST1施加辅助电流或者辅助电压，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。
在图8所示的例子中，因写入头15W的边缘IHF2，在数据ID3产生了边缘数据OIF3。由于写入头15W的内方向的边缘IHF2小，在数据ID3的内方向上不产生边缘数据。另外，因写入头15W的边缘IHF2，在数据ID4的外方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据OIF4。由于写入头15W的内方向的边缘IHF2小，因此，在数据ID4的内方向上不产生边缘数据。此外，在图8所示的例子中，也可以产生半径方向上的大小比边缘数据OIF4的半径方向上的大小小的边缘数据。在边缘数据OIF3以及OIF4覆盖接下来的数据。因此，在图8所示的例子中，能够减轻在数据产生边缘数据，因此，能够提高数据品质。
在图8中示出了在内周区域IR中以预定的偏斜角向内方向倾斜地在数据ID3的外方向上进行ID4的覆写的例子，但也可以在内周区域IR中以预定的偏斜角向内方向倾斜地在数据ID3的内方向上进行ID4的覆写。在该情况下，MPU60使施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压小，在数据ID3的外方向上进行数据ID4的覆写。
图9是表示在外周区域OR中在内方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件AST的辅助能量的一例的示意图。在图9中示出在圆周方向上延伸的数据OD1和在圆周方向上延伸并在数据OD1的内方向上相邻的数据OD2。数据OD2对数据OD1的外方向的一部分覆写。也就是说，在图9中，覆写方向是内方向。数据OD1和OD2既可以是伺服数据，也可以是用户数据(磁道)。数据OD1具有边缘数据IOF1以及OOF1。边缘数据IOF1位于数据OD1的内方向的端部，边缘数据OOF1位于数据OD1的外方向的端部。数据OD2具有边缘数据IOF2以及OOF2。边缘数据IOF2位于数据OD2的内方向的端部，边缘数据OOF2位于数据OD2的外方向的端部。图9所示的写入头15W的实线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生实效的记录磁场的部分。在图9中示出来自写入头15W的边缘OHF1。另外，在图9示出辅助元件AST1的辅助范围OAR1和辅助元件AST2的辅助范围OAR2。
在图9所示的例子中，MPU60在外周区域OR中以预定的偏斜角向内方向倾斜地将数据OD1和OD2覆写到盘10。MPU60使得从辅助元件AST1以及AST2产生相同的辅助能量，在数据OD1的外方向上进行数据OD2的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1和AST2施加相同的辅助电流或者辅助电压，在数据OD1的外方向上进行数据OD2的覆写。例如，在将辅助元件AST1的辅助能量的大小设为了1的情况下，MPU60使辅助元件AST2的辅助能量的大小为1，在数据OD1的外方向上进行数据OD2的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST1施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，对辅助元件AST2施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，在数据OD1的外方向上进行数据OD2的覆写。MPU60根据诸条件，设定使得从辅助元件AST1以及AST2向盘10产生的辅助能量的大小。例如，MPU60根据诸条件，设定分别施加于辅助元件AST1以及AST2的辅助电流或者辅助电压。在图9所示的例子中，因写入头15W的边缘OHF1，在数据OD1的半径方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据IOF1以及OOF1。另外，因写入头15W的边缘OHF1，在数据OD2的半径方向上产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据IOF2以及OOF2。
图10是表示在外周区域OR中在外方向上进行覆写的情况下的多个辅助元件AST的辅助能量的一例的示意图。在图10中示出在圆周方向上延伸的数据OD3和在圆周方向上延伸并在数据OD3的外方向上相邻的数据OD4。数据OD4对数据OD3的外方向的一部分覆写。也就是说，在图10中，覆写方向是内方向。数据OD3和OD4既可以伺服数据，也可以是用户数据(磁道)。数据OD3具有边缘数据OOF3。边缘数据OOF3位于数据OD3的内方向的端部。数据OD4具有边缘数据OOF4。边缘数据OOF4位于数据OD4的内方向的端部。图10所示的写入头15W的实线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生实效的记录磁场的部分。图10所示的写入头15W的虚线部分例如相当于在图3所示的写入头15W中对盘10产生非实效的记录磁场的部分。在图10中示出来自写入头15W的边缘OHF2。另外，在图10示出辅助元件AST2的辅助范围OAR3。
在图10所示的例子中，MPU60在外周区域OR中以预定的偏斜角向外方向倾斜地将数据OD3和OD4覆写到盘10。MPU60使从AST2产生的辅助能量比从辅助元件AST1产生的辅助能量小，在数据OD3的内方向上进行数据OD4的覆写。例如，MPU60使施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压小，在数据OD3的内方向上进行数据OD4的覆写。例如，在将辅助元件AST2的辅助能量的大小设为了1的情况下，MPU60使辅助元件AST1的辅助能量的大小为9，在数据OD3的内方向上进行数据OD4的覆写。例如，MPU60对辅助元件AST2施加大小为1的辅助电流或者辅助电压，对辅助元件AST1施加大小为9的辅助电流或者辅助电压，在数据OD3的外方向上进行数据OD4的覆写。
MPU60根据诸条件，设定使得从辅助元件AST1以及AST2向盘10产生的辅助能量的大小。例如，MPU60根据诸条件，设定分别施加于辅助元件AST1以及AST2的辅助电流或者辅助电压。另外，例如，MPU60使辅助元件AST2的辅助能量的大小为0，在数据OD3的内方向上进行数据OD4的覆写。换言之，MPU60使辅助元件AST2为非工作(OFF)、且使辅助元件AST1为工作(ON)，在数据OD3的内方向上进行数据OD4的覆写。例如，MPU60不对辅助元件AST1施加辅助电流或者辅助电压，在数据OD3的外方向上进行数据OD4的覆写。
在图10所示的例子中，因写入头15W的边缘OHF2，在数据OD3产生了边缘数据OOF3。由于写入头15W的内方向的边缘OHF2小，因此，在数据OD3的内方向不产生边缘数据。另外，因写入头15W的边缘OHF2，在数据OD4的内方向产生了预定的半径方向上的大小的边缘数据OOF4。由于写入头15W的内方向的边缘OHF2小，因此，在数据OD4的内方向不边缘数据。此外，在图10所示的例子中，也可以产生半径方向上的大小比边缘数据OOF4的半径方向上的大小小的边缘数据。在边缘数据OOF3以及OOF4覆盖接下来的数据。因此，在图10所示的例子中，能够减轻在数据产生边缘数据，因此，能够提高数据品质。
在图10中示出在外周区域OR中以预定的偏斜角向外方向倾斜地在数据OD3的内方向进行OD4的覆写的例子，但也可以在外周区域OR中以预定的偏斜角向外方向倾斜地在数据OD3的内方向上进行OD4的覆写。在该情况下，MPU60使施加于辅助元件AST1的辅助电流或者辅助电压比施加于辅助元件AST2的辅助电流或者辅助电压小，在数据OD3的外方向上进行数据OD4的覆写。
图11是表示本实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。
MPU60判定是对覆写方向进行变更、还是不对覆写方向进行变更(B1101)。在判定为不变更覆写方向的情况下(B1101：否)，MPU60维持覆写方向为外方向(B1102)，进入B1104的处理。在判定为对覆写方向进行变更的情况下(B1101：是)，MPU60对覆写方向进行变更(B1103)，取得盘10的特性、头15的特性、记录频率、磁道间距以及记录频率等诸条件(B1104)。MPU60根据偏斜角、盘10的特性、头15的特性、记录频率以及磁道间距等诸条件和覆写方向，设定使得从各辅助元件AST对盘10产生的辅助能量(的大小)(B1105)。例如，MPU60根据偏斜角、盘10的特性、头15的特性、记录频率以及磁道间距等诸条件和覆写方向，设定施加于各辅助元件AST的辅助电流或者辅助电压。MPU60使得从各多个辅助元件AST对盘10产生辅助能量，在覆写方向上进行数据的覆写(B1106)。例如，MPU60对多个辅助元件AST分别施加辅助电流或者辅助电压，在覆写方向上进行数据的覆写。MPU60判定写处理已完成、还是未完成(B1107)。在判定为写处理未完成的情况下(B1107：否)，MPU60进入B1101的处理。在判定为写处理已完成的情况下(B1107：是)，MPU60结束处理。
根据本实施方式，磁盘装置1具备具有多个辅助元件AST的写入头15W。磁盘装置1根据覆写方向，对使得各辅助元件AST对盘10产生的辅助能量进行控制。例如，磁盘装置1根据覆写方向，对施加于各辅助元件AST的辅助电流或者辅助电压进行控制。磁盘装置1使从多个辅助元件AST中的位于内方向的辅助元件AST产生的辅助能量比从多个辅助元件AST中的位于外方向的辅助元件AST产生的辅助能量小。例如，磁盘装置1在外方向上进行数据的覆写的情况下，使对多个辅助元件AST中的位于内方向的辅助元件AST施加的辅助电流或者辅助电压比对多个辅助元件AST中的位于外方向的辅助元件AST施加的辅助电流或者辅助电压小。另外，磁盘装置1在内方向上进行数据的覆写的情况下，使从多个辅助元件AST中的位于外方向的辅助元件AST产生的辅助能量比多个辅助元件AST中的位于内方向的辅助元件AST产生的辅助能量小。例如，磁盘装置1在内方向上进行数据的覆写的情况下，使对多个辅助元件AST中的位于外方向的辅助元件AST施加的辅助电流或者辅助电压比对多个辅助元件AST中的位于内方向的辅助元件AST施加的辅助电流或者辅助电压小。因此，磁盘装置1能够减轻来自写入头15W的边缘对写到盘10中的数据的影响。因此，磁盘装置1能够提高数据品质。
以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，并非意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (9)

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置的第2辅助元件；以及
控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量，
所述控制器根据在所述盘的半径方向上对第1数据覆写第2数据的覆写方向来使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的所述辅助能量。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1数据的所述半径方向上的第3方向进行所述第2数据的覆写的情况下，使从所述第1辅助元件对所述盘产生的第1辅助能量比从所述第2辅助元件对所述盘产生的第2辅助能量小。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1数据的所述第3方向进行所述第2数据的覆写的情况下，使施加于所述第1辅助元件的第1电流比施加于所述第2辅助元件的第2电流小。
4.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1数据的与所述第3方向相反的第2方向进行所述第2数据的覆写的情况下，使所述第2辅助能量比所述第1辅助能量小。
5.根据权利要求4所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1数据的所述第2方向进行所述第2数据的覆写的情况下，使施加于所述第2辅助元件的第2电流比施加于所述第1辅助元件的第1电流小。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器对所述第1辅助元件以及所述第2辅助元件分别施加不同的电流。
7.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1辅助元件以及所述第2辅助元件是对所述盘产生高频磁场来作为所述辅助能量的高频辅助元件、或者对所述盘照射近场光来作为所述辅助能量的热辅助元件。
8.一种写处理方法，应用于磁盘装置，所述磁盘装置具备盘和头，所述头具有主磁极、与所述主磁极空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中位于所述第1辅助元件的所述盘的半径方向上的第1方向的位置的第2辅助元件，
所述写处理方法包括：
使所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量；以及
根据在所述盘的半径方向上对第1数据覆写第2数据的覆写方向来使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的所述辅助能量。
9.一种磁盘装置，具备：
盘；和
头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置的第2辅助元件，
所述头定位于所述盘的第1半径位置来写入第1数据，在所述盘中定位于与所述第1半径位置不同的第2半径位置来写入第2数据，
因所述头的边缘而受到影响的所述第1数据的所述盘的半径方向上的第1区域的大小与因所述头的边缘而受到影响的所述第2数据的所述半径方向上的第2区域的大小不同，
根据在所述盘的半径方向上对所述第1数据覆写所述第2数据的覆写方向来使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的辅助能量。
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