CN104658556A - 磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及磁记录介质、其制造方法、磁记录再现装置。1个实施方式的目的在于提供：例如通过对低输出的激光进行了变换所得的近场光能够有效地对磁记录介质进行加热的磁记录介质、其制造方法、磁记录再现装置。根据1个实施方式，是在热辅助磁记录方式中使用的磁记录介质，在基板上具有磁记录层和分散配置有金属微粒的金属微粒层。金属微粒层在基板的面方向上，相对于第1区域中的金属微粒的含有率而言，比第1区域靠外周侧的第2区域中的金属微粒的含有率较高。

Description

磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置

技术领域

本发明的实施方式涉及磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置。

背景技术

在采用热辅助磁记录方式的热辅助磁记录装置中，采用：仅通过记录头产生的磁场越无法磁化反转则顽磁力越大的磁记录介质。在热辅助磁记录装置中，从激光光源发出的激光在搭载于磁头的近场光产生元件中被变换为近场光，局部照射于磁记录介质的表面。磁记录介质的磁记录层通过该近场光局部加热，成为顽磁力局部下降的状态。而且，通过对磁记录层中的顽磁力下降的区域施加磁场，使得磁记录层的磁化反转，记录信息。

在热辅助磁记录装置中，当激光变换为近场光时，激光的能量的大部分变换为热。在热辅助磁记录装置中，期望通过由激光变换的近场光对磁记录介质有效地进行加热。

发明内容

本发明的1个实施方式的目的在于提供：能够有效地对磁记录介质进行加热的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再现装置。

根据本发明的1个实施方式，提供一种在热辅助磁记录方式中使用的磁记录介质，其在基板上具有磁记录层和分散配置有金属微粒的金属微粒层。金属微粒层在基板的面方向上，相对于第1区域中的金属微粒的含有率而言，比第1区域靠外周侧的第2区域中的金属微粒的含有率较高。

附图说明

图1是对第1实施方式涉及的磁记录再现装置进行部分分解而示的立体图。

图2是表示第1实施方式涉及的磁记录再现装置的磁头的周边部的构成的示意图。

图3是表示第1实施方式涉及的磁记录介质的图。

图4是从顶面看第1实施方式中的磁记录层及金属微粒层的要部俯视图。

图5是对与第1实施方式中的磁记录介质中的半径位置相关的磁性微粒和金属微粒的相对位置关系进行说明的图。

图6是表示比较例和实施例的磁记录介质中的所需激光电流和磁记录介质中的半径位置的关系的特性图。

图7是表示第1实施方式涉及的金属微粒层中的金属微粒的含有率和通过近场光进行加热时的上升温度的关系的特性图。

图8是表示第1实施方式涉及的磁记录介质的制造方法之一例的步骤的流程图。

图9—1是表示第1实施方式涉及的磁记录介质的制造方法之一例之中的形成金属微粒层的工序的剖视图。

图9—2是表示第1实施方式涉及的磁记录介质的制造方法之一例之中的形成金属微粒层的工序的剖视图。

图10是表示第2实施方式涉及的金属微粒层的制造方法的工序的剖视图。

图11—1是表示第3实施方式涉及的金属微粒层的制造方法的工序的剖视图。

图11—2是表示第3实施方式涉及的金属微粒层的制造方法的工序的剖视图。

图12是第4实施方式涉及的磁记录介质的要部剖视图。

图13是第5实施方式涉及的磁记录介质的要部剖视图。

图14是第6实施方式涉及的磁记录介质的要部剖视图。

具体实施方式

在以下参照附图，对实施方式涉及的磁记录介质及其制造方法、磁记录再现装置详细地进行说明。还有，并非通过这些实施方式限定本发明。为了理解的容易，存在各构件的比例尺与实际不同的情况。在各附图间也相同。并且，即使是俯视图，也存在用于使附图容易观看而附加影线的情况。

第1实施方式

首先，关于第1实施方式涉及的磁记录再现装置100的概要进行说明。图1是对第1实施方式涉及的磁记录再现装置100进行部分分解而示的立体图。磁记录再现装置100具有顶面开口的矩形箱状的壳体101和通过多个螺纹件在壳体101螺纹止动而闭塞壳体101的上端开口的未图示的顶盖。

在壳体101内，收置本实施方式涉及的热辅助磁记录用磁记录介质1（以下，存在称为磁记录介质1的情况）、主轴电动机102、磁头103、磁头万向架组件104、旋转轴105、音圈电动机106、电路基板107等。

主轴电动机102对磁记录介质1进行支持并使其旋转。磁头103对于磁记录介质1施加磁场并通过热辅助方式对磁记录介质1进行加热而进行磁信号的记录及再现。磁头万向架组件104具有将磁头103搭载于前端的悬架，并且使磁头103相对于磁记录介质1移动自如地对其进行支持。旋转轴105对磁头万向架组件104旋转自如地进行支持。音圈电动机106介由旋转轴105使磁头万向架组件104旋转且进行定位。电路基板107具有连接于磁头103的布线。

图2是表示磁头103的周边部的构成的示意图。在磁头103，设置激光光源111、激光导波路112、近场光产生元件113、磁场产生元件114、再现元件115。从激光光源111发出的激光通过激光导波路112，照射于近场光产生元件113。近场光产生元件113将照射的激光变换为具有宽度例如为50nm程度的展宽的近场光，使该近场光局部性地照射于磁记录介质1的表面中的一部分。通过该近场光，加热在磁记录介质1的磁记录层中用于记录信息的微小区域而顽磁力下降，使得容易记录信息。

而且，通过磁场产生元件114产生的磁场，该微小区域中的磁记录层磁化为预定的朝向，而记录信息。并且，记录于磁记录介质1的信息通过再现元件115读出。即，磁头103兼具作为对于磁记录介质1照射近场光的近场光照射单元和对于磁记录介质1施加磁场的磁场施加单元的功能。

图3是表示第1实施方式涉及的磁记录介质1的图，图3（a）是磁记录介质1的俯视图，图3（b）为图3（a）的线段A—A处的要部剖视图。磁记录介质1为记录各种信息的圆盘状（圆环状）的磁记录介质。磁记录介质1具有基板2和按顺序形成于该基板2的一面上的基底层3、磁记录层4、金属微粒层5及保护膜6。

基板2的材料能够采用玻璃、陶瓷、石英等的非磁性体。基底层3的材料作为可以控制磁记录层4的晶体取向性的材料能够采用MgO、TiN等。磁记录层4的材料能够采用以具有高磁各向异性的FePt等的合金为主原料的磁性体。磁记录层4具有FePt合金，该FePt合金具有高磁各向异性。

金属微粒层5具有金属微粒5a和金属微粒间晶界5b，金属微粒5a具有近场光的增强效应，金属微粒间晶界5b使相邻的金属微粒5a间相分离。金属微粒5a为比光的波长要小的金属纳米微粒。金属微粒5a包含：从包含金（Au）、银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及以这些金属的至少1种为主体的合金的组选择的1种以上的材料。金属微粒5a的形状并不限定，既可以是球状，也可以是存在角部的形状等。优选：金属微粒5a在金属微粒层5中以单层配置。通过使金属微粒5a为单层配置，能够缩短磁头103和磁记录层4的距离，可得到记录·再现时的良好的信号质量。金属微粒间晶界5b的材料可采用热传导性小的材料，例如可采用二氧化硅（SiO₂）等的绝缘体。

保护膜6的材料能够采用类金刚石碳（DLC：Diamond Like Carbon）等的相对于近场光为透明的非磁性体。

图4是从顶面看磁记录介质1中的磁记录层4及金属微粒层5的要部俯视图。图4（a）是表示从顶面看磁记录层4的状态之一例的图。磁记录层4具有磁性微粒4a和使相邻的磁性微粒4a间相分离的磁性微粒间晶界4b。磁性微粒间晶界4b包含非磁性体的碳（C）等。图4（b）是表示从顶面看金属微粒层5的状态之一例的图。

图4（c）是表示从顶面看磁记录层4和金属微粒层5以该顺序叠层的状态的情况下的磁性微粒4a和金属微粒5a的相对位置关系之一例的图。在图4（c）中，着眼于磁性微粒4a和金属微粒5a而表示，表示透过磁性微粒间晶界4b和金属微粒间晶界5b而看到的状态。如示于图4（c）地，金属微粒5a与磁性微粒4a的位置无关系地在磁性微粒4a之上随机地分散而配置。

图5是对与磁记录介质1中的半径位置相关的磁性微粒4a和金属微粒5a的相对位置关系进行说明的图。半径位置为离开磁记录介质中的中心的半径方向的位置。图5（a）是表示磁记录层4和金属微粒层5以该顺序叠层的状态下的磁记录介质1的整体像的图。图5（b）是表示作为基板2的面方向上的第1区域的磁记录介质1的内周侧区域11中的磁性微粒4a和金属微粒5a的相对位置关系的图。图5（c）是表示作为基板2的面方向上的第2区域的磁记录介质1的外周侧区域12中的磁性微粒4a和金属微粒5a的相对位置关系的图。在图5（b）及图5（c）中，着眼于磁性微粒4a和金属微粒5a而表示，表示透过磁性微粒间晶界4b和金属微粒间晶界5b而看到的状态。内周侧区域11为比磁记录介质1的半径方向上的最外周位置和最内周位置的中间位置C靠内周侧的区域。外周侧区域12为比磁记录介质1的半径方向上的最外周位置和最内周位置的中间位置C靠外周侧的区域。

如示于图5（c）地，在外周侧区域12的磁性微粒4a的微粒间间隙与内周侧区域11中的磁性微粒4a的微粒间间隙相等。另一方面，外周侧区域12中的金属微粒5a的微粒间间隙比内周侧区域11中的金属微粒5a的微粒间间隙狭窄。即，在金属微粒层5中，外周侧区域12中的金属微粒5a的含有率比内周侧区域11中的金属微粒5a的含有率要高。

接下来，关于磁记录介质1中的金属微粒层5的作用进行说明。若金属纳米微粒置于电场（光）之中，则金属纳米微粒内的自由电子通过光的振动电场谐振而在金属纳米微粒内感应大的极化（局域等离子体，Localized Plasmon）。其结果，金属纳米微粒的周围的电场增强。在本说明书中，将通过该局域等离子体引起的“金属纳米微粒的周围的电场的增强”记为“近场光的增强”。

电场的能量成为周围的物质的加热源。因此，若置于光之中的金属纳米微粒的周围的电场增强，则处于接受光的金属纳米微粒的周围的物质通过该增强的电场的能量被加热。

即，在磁记录介质1中，若由激光变换的近场光照射于作为金属纳米微粒的金属微粒5a，则该金属微粒5a的周围的电场增强。处于被照射过近场光的金属微粒5a的周围的磁记录层4通过该金属微粒5a的周围的增强的电场的能量局部性地被加热而温度上升，成为顽磁力下降的状态。而且，通过在磁记录层4的顽磁力下降的区域施加磁场，该区域的磁化反转，记录信息。

由此，在磁记录介质1中，能够对磁记录层4有效地进行加热，使顽磁力下降。即，在磁记录介质1中，能够降低用于将磁记录层4加热为预期的温度而必需的激光输出，能够以少的激光输出对磁记录层4的微小区域有效地进行加热。并且，因为激光输出小，所以能够使变换的近场光的点径变小，能够仅对磁记录层4中的预期的微小区域可靠地进行加热。而且，因为仅加热微小区域，所以该微小区域可在记录后迅速地冷却。并且，通过使磁记录层4处于金属微粒层5的下层，使得通过金属微粒层5加热的磁记录层4的热变得容易向下层的基板方向扩散。因此，在磁记录层4中加热的微小区域在记录后可迅速地冷却。

在此，因为在热辅助磁记录装置中使磁记录介质以一定的转速旋转，所以相应于半径位置而记录头和磁记录介质的相对速度变化。磁记录介质从近场光接受的加热能量为从激光光源发出的激光的每单位时间的输出和施加近场光的时间之积。从而，若使激光的输出成为一定，则磁记录介质的每单位面积从近场光接受的能量因半径位置而异。

即，在磁记录介质的外周侧区域，记录头和磁记录介质间的相对速度大。另一方面，在磁记录介质的内周侧区域中，记录头和磁记录介质间的相对速度小。因此，磁记录介质的外周侧区域的每单位面积接受的加热能量与磁记录介质的内周侧区域的每单位面积接受的加热能量相比，相对地要小。

针对该情况，存在：使磁记录介质的外周侧区域中的激光输出比磁记录介质的内周侧区域中的激光输出增大等的、相应于磁记录介质的半径位置对激光输出进行调整的方法。可是，在该情况下，需要对激光输出进行变更的处理和／或在对激光输出进行了变更之后等待激光输出的稳定的时间等。而且，因为激光变换为近场光的效率低，所以激光的能量的大部分变换为热。该热对记录头的寿命造成恶劣影响、使得记录头的劣化发展。因此，激光输出的增大引起记录头的劣化。

于是，在磁记录介质1中，使得金属微粒层5的外周侧区域12中的金属微粒5a的含有率相对于金属微粒层5的内周侧区域11中的金属微粒5a的含有率变高。因此，在外周侧区域12产生的近场光的增强效应比内周侧区域11要强。由此，能够不使外周侧区域12中的激光输出增大地、在信息的记录中减小在内周侧区域11和外周侧区域12中所需的激光输出的因半径位置引起的不同。即，能够进一步降低用于将磁记录层4的外周侧区域12加热为预期的温度所需要的激光输出，能够以更少的激光输出对磁记录层4有效地进行加热。

并且，在磁记录介质1中，因为能够以少的激光输出对磁记录层4有效地进行加热，所以可防止下述情况：由于起因于激光输出的增大的近场光的扩展，而对不需要加热的区域的磁记录层4进行加热。即，仅局部地加热应当记录信息的预定的微小区域，此后，迅速地冷却。由此，可防止在磁记录层4中记录有信息的磁性微粒4a和／或其周边的磁性微粒4a所记录的信息消失。

从而，在对于磁记录介质1进行的信息的记录中，能够对起因于激光输出的磁头103的寿命的劣化进行抑制而实现磁头103的长寿命化。并且，能够实现磁记录再现装置100的功耗的降低。

图6为表示除了不包括金属微粒层5以外具有与磁记录介质1相同的构成的磁记录介质（比较例）和第1实施方式涉及的磁记录介质1（实施例）中的、用于得到预定的SNR所需的激光电流和磁记录介质中的半径位置的关系的特性图。在图6中，将磁记录介质中的半径位置（mm）表示于横轴，并将激光电流（mA）表示于纵轴。激光电流为在激光光源111中用于实现预定的激光输出所需的电流。并且，在图6中，以◇标记表示比较例的结果，并以黑□标记表示实施例的结果。

如示于图6地，在实施例中与比较例相比，能够与半径位置无关地降低：由用于得到预定的SNR所需的近场光实现的加热时的激光电流。而且，实施例中，所需的激光电流相对于半径位置的依存性较小。

由此可知，通过具备金属微粒层5，能够降低所需的激光电流。并且可知：通过使金属微粒层5的外周侧区域12中的金属微粒5a的含有率比内周侧区域11中的金属微粒5a的含有率高，能够减小内周侧区域11和外周侧区域12中的所需的激光电流的因半径位置引起的不相同，能够在外周侧区域12中进一步降低所需的激光输出。

图7是表示磁记录介质1的金属微粒层5中的金属微粒5a的含有率（体积%）和通过近场光进行的磁记录介质1的加热时的上升温度（deg C）的关系的特性图。在图7中，将金属微粒层5中的金属微粒5a的含有率（体积%）表示于横轴，并将上升温度（deg C）表示于纵轴。含有率及上升温度为磁记录介质1中的特定的半径位置处的值。并且，磁记录介质1的上升温度为：将使得从磁头103按单位时间所提供的加热能量为一定的条件下的磁记录介质1的温度上升，根据通过计算机模拟进行的光解析及热解析求出的结果。

如示于图7地，通过提高金属微粒5a的含有率，使得磁记录介质1的温度的上升量变大。从而，可知：通过使金属微粒层5的外周侧区域12中的金属微粒5a的含有率比内周侧区域11高，能够降低所需的激光电流，能够减小所需的激光电流相对于半径位置的依存性。

还有，虽然在上述内容中，关于外周侧区域12的金属微粒5a的含有率比内周侧区域11的金属微粒5a的含有率高的情况而表示，但是金属微粒层5的半径方向的分割数并非限定为2个。通过将金属微粒层5在半径方向上分割为更多的区域，使得外周侧的区域与内周侧的区域相比金属微粒5a的含有率高，可得到所述的效果。

接下来，关于磁记录介质1的制造方法之一例进行说明。图8是表示磁记录介质1的制造方法之一例的步骤的流程图。图9—1及图9—2是表示磁记录介质1的制造方法之一例之中的形成金属微粒层5的工序的剖视图。在图9—1及图9—2中，表示图3（a）的线段A—A处的剖面。并且，在图9—1及图9—2中，省略基底层3及磁记录层4的记载。

首先，通过溅射法，例如在RF输出：800W、氩（Ar）气气压：1Pa、成膜时间：5秒的条件下，在圆盘状（圆环状）的基板2的一面上成膜包括膜厚为10nm的MgO膜的基底层3（步骤S10）。

接下来，通过使用FePt—碳（C）复合靶的溅射法，例如在DC输出：1000W、基板温度：500℃、氩（Ar）气气压：1Pa、成膜时间：5秒的条件下，在基底层3上成膜膜厚为6nm的磁记录层4（步骤S20）。成膜的磁记录层4包括具有颗粒结构的FePt—C颗粒薄膜，所述颗粒结构包括平均粒径为10nm程度的FePt磁性微粒4a和包括设置于相邻的磁性微粒4a间的碳（C）的磁性微粒间晶界4b。

接下来，准备以甲苯为分散剂、包含分子量为12000的聚苯乙烯和成为金属微粒5a的金（Au）纳米微粒21的分散液（第1纳米微粒分散液22）。金（Au）纳米微粒21的平均粒径为10nm。然后，使得第1纳米微粒分散液22滴落于磁记录层4上（图9—1（a）），通过旋涂法涂敷于磁记录层4上，由此得到作为单层排列有金（Au）纳米微粒21的层的第1Au单层排列21a（步骤S30，图9—1（b））。

还有，使聚苯乙烯和Au等的金属纳米微粒分散于甲苯等的有机溶剂中所得的分散液，使得在表面具有包含高分子链（聚苯乙烯）的保护基的金属纳米微粒分散于有机溶剂中。通过该保护基的存在，金属纳米微粒相对于相邻的多个金属纳米微粒能够在溶剂中维持某一定的距离。而且，某一定的距离可以通过高分子链的分子量进行调整。在使如此的分散液通过旋涂法涂敷于基板上而使金属纳米微粒排列的状态下，高分子链（保护基）残存于金属纳米微粒的周围。即，第1Au单层排列21a构成为，包含聚苯乙烯的保护基残存于金（Au）纳米微粒21的周围。

金（Au）纳米微粒21的粒径例如与磁性微粒4a同样地为10nm程度。例如在2.5英寸的磁记录介质1的情况下，记录的信号比特的最小的长度为10nm程度的尺寸。在该情况下，金属微粒5a的粒径为信号比特的最小长度程度的7nm～15nm的大小，使得1个金属微粒5a不会与前后的3个以上的信号比特相关。

通过减小金属微粒5a的粒径，可抑制金属微粒层5的面方向的金属微粒5a含有率的不均匀即分散配置的不均匀的产生。由此，可抑制起因于金属微粒层5的面方向的金属微粒5a的配置的加热效果的不均匀。还有，在金（Au）纳米微粒21（金属微粒5a）凝集的情况下，使凝集体整体的粒径成为信号比特的最小的长度程度的尺寸。

接下来，对形成有第1Au单层排列21a的磁记录层4上的半径位置为22mm以下的区域以光致抗蚀剂进行掩盖（步骤S40）。首先，在形成有第1Au单层排列21a的磁记录层4上滴落负作用型的光致抗蚀剂23a（图9—1（c）），通过旋涂法涂敷于磁记录层4上（图9—1（d））。

接下来，对于光致抗蚀剂23a中的作为基板2的内周侧区域的半径位置为22mm以下的区域进行曝光。而且，对配置于作为基板2的外周侧区域的半径位置比22mm大的区域的光致抗蚀剂23a供给甲苯等的溶剂24（图9—1（e）），溶解去除光致抗蚀剂23a和第1Au单层排列21a之中的外周侧区域（步骤S50、图9—1（f））。还有，通过溶剂24溶解去除第1Au单层排列21a之中的存在于金（Au）纳米微粒21间的包含聚苯乙烯的保护基，由此破坏金（Au）纳米微粒21的排列而将其去除。由此，在磁记录层4上，仅在内周侧区域配置光致抗蚀剂掩模23a和第1Au单层排列21a。并且，露出磁记录层4的外周侧区域。

接下来，准备以甲苯为分散剂、包含分子量为6500的聚苯乙烯和金（Au）纳米微粒21的分散液（第2纳米微粒分散液25）。金（Au）纳米微粒21的平均粒径为与第1纳米微粒分散液22的情况相同的10nm。而且，第2纳米微粒分散液25滴落于基板2的一个面上（图9—2（g）），通过旋涂法涂敷（步骤S60）。由此，在磁记录层4上在外周侧区域上和光致抗蚀剂掩模23上，得到作为单层排列有金（Au）纳米微粒21的层的第2Au单层排列21b（图9—2（h））。第2Au单层排列21b在含有率比第1Au单层排列21a高的状态下分散配置金（Au）纳米微粒21。第2Au单层排列21b构成为，在金（Au）纳米微粒21的周围残存包含聚苯乙烯的保护基。

接下来，提离磁记录层4上的半径位置为22mm以下的区域上的光致抗蚀剂掩模23，去除光致抗蚀剂掩模23及该光致抗蚀剂掩模23上的第2Au单层排列21b（步骤S70）。由此，在磁记录层4上作为内周侧的区域的半径位置为22mm以下的区域配置第1Au单层排列21a（图9—2（i））。并且，在磁记录层4上的作为外周侧的区域的半径位置比22mm大的区域上配置第2Au单层排列21b（图9—2（i））。

接下来，使用二氧化硅（SiO₂）靶，并在例如RF输出：100W、氩（Ar）气气压：1Pa、成膜时间：10秒的条件下进行溅射。由此，在第1Au单层排列21a及第2Au单层排列21b中的相邻的金（Au）纳米微粒21的粒间填充二氧化硅（SiO₂），形成金属微粒层5（步骤S80）。

然后，通过溅射法将包含类金刚石碳的保护膜6形成于金属微粒层5上（步骤S90）。通过实施以上的工序，得到磁记录介质1。

对通过第1实施方式涉及的制造方法制作的磁记录介质1的金属微粒层5以透过型电子显微镜（TEM：Transmission Electron Microscope）进行观察，求出金属微粒5a的平均微粒间间隙。其结果，半径位置为22mm以下的内周侧区域中的金属微粒5a的平均微粒间间隙为10nm，半径位置比22mm大的外周侧区域中的金属微粒5a的平均微粒间间隙为6mm。如此地，通过改变第1纳米微粒分散液22和第2纳米微粒分散液25中的聚苯乙烯的分子量，能够改变金属微粒5a间的距离。从而，通过在所述的条件下制造磁记录介质1，能够以所述值的平均微粒间间隙配置金属微粒5a。

如所述地，根据第1实施方式，磁记录介质1具备金属微粒层5。其结果，在磁记录介质1中，能够得到以少的激光输出就能够对磁记录层4有效地进行加热的效果。

并且，根据第1实施方式，金属微粒层5的外周侧区域12中的金属微粒5a的含有率比金属微粒层5的内周侧区域11中的金属微粒5a的含有率高。其结果，在磁记录介质1中，能够得到能够对磁记录层4的外周侧区域12以更少的激光输出有效地进行加热的效果。

从而，根据第1实施方式，能够得到：对起因于激光输出的磁头103的寿命的劣化进行抑制而能够实现磁头103的长寿命化的效果。并且，根据第1实施方式，能够得到：能够实现磁记录再现装置100的功耗的降低的效果。

第2实施方式

在第2实施方式中，关于金属微粒层5的制造方法的其他例进行说明。图10是表示第2实施方式涉及的金属微粒层5的制造方法的工序的剖视图。第2实施方式涉及的金属微粒层5的制造方法与第1实施方式涉及的金属微粒层5的制造方法的不同之点为：不进行通过光致抗蚀剂实现的掩模的形成地、去除形成于半径位置比22mm大的区域的第1Au单层排列21a。

首先，与第1实施方式的情况同样地，进行从基底层3的形成工序到示于图9—1（b）的第1Au单层排列21a的形成工序（图10（a）、图10（b））。

接下来，对配置于半径位置比22mm大的区域的第1Au单层排列21a上供给甲苯等的溶剂24（图10（c）），去除配置于半径位置比22mm大的区域的第1Au单层排列21a（图10（d））。由此，在磁记录层4上，仅在作为内周侧的区域的半径位置为22mm以下的区域配置第1Au单层排列21a。

接下来，准备以甲苯为分散剂的、包含分子量为6500的聚苯乙烯和金（Au）纳米微粒21的分散液（第2纳米微粒分散液25）。然后，将第2纳米微粒分散液25滴落于磁记录层4上的作为外周侧的区域的半径位置比22mm大的区域上（图10（e）），通过旋涂法涂敷。由此，在磁记录层4上在作为外周侧的区域的半径位置比22mm大的区域上得到第2Au单层排列21b（图10（f））。

通过实施以上的工序，在磁记录层4上的作为内周侧的区域的半径位置为22mm以下的区域配置第1Au单层排列21a。并且，在磁记录层4上的作为外周侧的区域的半径位置比22mm大的区域上配置第2Au单层排列21b。而且，第2Au单层排列21b中，以含有率比第1Au单层排列21a高的状态分散配置金（Au）纳米微粒21。由此，不需要形成光致抗蚀剂掩模23，能够比第1实施方式简单地形成金属微粒层5。

如所述地，根据第2实施方式，不用进行通过光致抗蚀剂实现的掩模的形成地、去除形成于半径位置比22mm大的区域的第1Au单层排列21a。其结果，能够得到能够通过简单的工序形成金属微粒层5的效果。

第3实施方式

在第3实施方式中，关于金属微粒层5的制造方法的另外的例进行说明。图11—1及图11—2是表示第3实施方式涉及的金属微粒层5的制造方法的工序的剖视图。第3实施方式涉及的金属微粒层5的制造方法与第1实施方式涉及的金属微粒层5的制造方法的不同之点为：在使第2纳米微粒分散液25附着于形成光致抗蚀剂掩模23后的基板2的一面侧的表面之后提起基板2，由此在半径位置比22mm大的区域配置第2Au单层排列21b。

首先，与第1实施方式的情况同样地，进行从基底层3的形成工序到示于图9—1（f）的光致抗蚀剂23a和第1Au单层排列21a的溶解去除工序。由此，在磁记录层4上，仅在作为内周侧区域的半径位置为22mm以下的区域配置光致抗蚀剂掩模23和第1Au单层排列21a（图11—1（a）～图11—1（f））。

接下来，使贮留于处理槽31的第2纳米微粒分散液25附着于基板2中形成有光致抗蚀剂掩模23的面，使第2纳米微粒分散液25附着于光致抗蚀剂23a的表面和露出的磁记录层4的表面。然后，通过提起基板2，使光致抗蚀剂23a的表面和磁记录层4的表面从第2纳米微粒分散液25离开（图11—2（g）、图11—2（h））。而且，在第2纳米微粒分散液25的甲苯挥发掉之后，把基板2翻过来。由此，在磁记录层4上在作为外周侧区域的半径位置比22mm大的区域上和光致抗蚀剂掩模23上得到作为金（Au）纳米微粒层的第2Au单层排列21b（图11—2（i））。第2Au单层排列21b中，以含有率比第1Au单层排列21a高的状态分散配置金（Au）纳米微粒21。

接下来，与第1实施方式的情况同样地，提离磁记录层4上的半径位置为22mm以下的区域上的光致抗蚀剂掩模23，去除光致抗蚀剂掩模23及该光致抗蚀剂掩模23上的第2Au单层排列21b（图11—2（j））。

通过实施以上的工序，在磁记录层4上的作为内周侧的区域的半径位置为22mm以下的区域配置第1Au单层排列21a。并且，在磁记录层4上的作为外周侧的区域的半径位置比22mm大的区域上配置第2Au单层排列21b。而且，第2Au单层排列21b中，以含有率比第1Au单层排列21a高的状态分散配置金（Au）纳米微粒21。由此，可简化第2Au单层排列21b的形成工序，能够比第1实施方式简单地形成金属微粒层5。

如所述地，根据第3实施方式，使第2纳米微粒分散液25附着于形成光致抗蚀剂掩模23后的基板2的一面侧的表面而形成第2Au单层排列21b。其结果，能够得到能够通过简单的工序形成金属微粒层5的效果。

第4实施方式

图12是第4实施方式涉及的磁记录介质41的要部剖视图。第4实施方式涉及的磁记录介质41与第1实施方式涉及的磁记录介质1的不同点为，在金属微粒层5之上配置磁记录层4。即，磁记录介质41在基板2的一个面上按基底层3、金属微粒层5、磁记录层4及保护膜6的顺序配置它们。

磁记录介质41，与磁头和磁记录层4的各种条件相关，因为磁头和磁记录层4的距离变得比第1实施方式涉及的磁记录介质1短，所以可得到记录·再现时的良好的信号质量。还有，在磁记录介质41中，与第1实施方式的情况同样地也可得到通过具备金属微粒层5带来的效果。

如所述地，根据第4实施方式，在金属微粒层5之上配置磁记录层4。其结果，能够得到可得到记录·再现时的良好的信号质量的效果。

第5实施方式

图13是第5实施方式涉及的磁记录介质51的要部剖视图。第5实施方式涉及的磁记录介质51与第1实施方式涉及的磁记录介质1的不同点为：在基板2和基底层3之间，设置吸热层7。即，磁记录介质51在基板2的一个面上按吸热层7、基底层3、磁记录层4、金属微粒层5及保护膜6的顺序配置它们。

在磁记录层4中，若被加热而记录了信息的磁性微粒4a在高温状态下原封不动，则记录有信息的磁性微粒4a和／或其周边的磁性微粒4a的热稳定性下降，记录了的信息有可能劣化和／或消失。

吸热层7例如以银（Ag）等的热传导率比磁记录层4的热传导率高的材料构成。吸热层7在通过磁头103进行记录后，能够迅速地吸收滞留于磁记录介质51的磁记录层4的热而进行冷却。如此的吸热层7例如能够通过溅射法形成。

磁记录介质51因为具备吸热层7，所以能够抑制面方向的热的扩散，能够防止起因于磁性微粒4a的热的磁性微粒4a的热稳定性的下降，能够防止记录了的信息的劣化和／或消失。并且，磁记录介质51与第1实施方式的情况同样地可得到通过具备金属微粒层5所带来的效果。

如所述地，根据第5实施方式，在基板2的一个面上设置吸热层7。其结果，能够得到：在记录时能够迅速地吸收滞留于磁记录介质51的磁记录层4的热而进行冷却、能够防止记录了的信息的劣化和／或消失的效果。

第6实施方式

图14是第6实施方式涉及的磁记录介质61的要部剖视图。第6实施方式涉及的磁记录介质61为第5实施方式涉及的磁记录介质51的变形例。第6实施方式涉及的磁记录介质61与第5实施方式涉及的磁记录介质51的不同点为：在基底层3与磁记录层4之间，设置热障层8。即，磁记录介质61在基板2的一个面上按吸热层7、基底层3、热障层8、磁记录层4、金属微粒层5及保护膜6的顺序配置它们。

热障层8例如以二氧化锆（ZrO₂）等的热传导率比磁记录层4的热传导率低的材料构成。热障层8能够对从磁记录层4向其下层的热扩散进行抑制、并通过记录时的近场光的照射使磁记录层4的温度高效地上升。如此的热障层8例如能够通过溅射法形成。

磁记录介质61因为具备热障层8，所以能够通过记录时的近场光等的照射使磁记录层4的温度高效地上升，能够将磁记录层4加热为更加高温。还有，即使为不具备吸热层7的构成也可得到所述效果。

如所述地，根据第6实施方式，在基底层3与磁记录层4之间设置热障层8。其结果，能够得到：通过记录时的近场光的照射能够使磁记录层4的温度高效地上升、能够将磁记录层4加热为更加高温的效果。

虽然对本发明的几个实施方式进行了说明，但是这些实施方式作为例子提出，并非用于对发明的范围进行限定。这些新的实施方式可以在其他的各种方式下实施，在不脱离发明的要旨的范围内，能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和／或其变形包括于发明的范围和／或要旨中，并包括于记载于技术方案的发明及其等同的范围中。

Claims (9)

1.一种磁记录介质，其特征在于：

其在热辅助磁记录方式中采用；

在基板上具有磁记录层和分散配置有金属微粒的金属微粒层；

所述金属微粒层在所述基板的面方向上，相对于第1区域中的所述金属微粒的含有率而言，比所述第1区域靠外周侧的第2区域中的所述金属微粒的含有率较高。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于：

所述金属微粒包含：从包含金、银、铝、铂及以这些金属的至少1种为主体的合金的组所选择的1种以上的材料。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于：

在所述基板与所述磁记录层之间，设置有包含热传导率比所述磁记录层的热传导率高的材料的吸热层。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于：

在所述基板与所述磁记录层之间，设置有包含热传导率比所述磁记录层的热传导率低的材料的热障层。

5.一种磁记录再现装置，其特征在于，具备：

权利要求1～4中的任一项所述的磁记录介质；

对于所述磁记录介质照射近场光的近场光照射单元；和

对于所述磁记录介质施加磁场的磁场施加单元。

6.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，

包括：形成磁记录层和分散配置有金属微粒的金属微粒层来作为基板的上层的工序；

在所述基板的面方向上，使得相对于第1区域的所述金属微粒层中的所述金属微粒的含有率而言，比所述第1区域靠外周侧的第2区域的所述金属微粒层中的所述金属微粒的含有率较高。

7.根据权利要求6所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，其中，形成所述磁记录层来作为所述基板的上层；

第2工序，其中，以分散配置有所述金属微粒的第1金属微粒排列、掩模层的顺序将它们形成在所述磁记录层上的所述第1区域，并使所述磁记录层上的所述第2区域露出；

第3工序，其中，在所述第2区域的所述磁记录层上及所述掩模层上形成第2金属微粒排列，该第2金属微粒排列，在所述基板的面方向上，以比所述第1金属微粒排列高的含有率分散配置有所述金属微粒；和

第4工序，其中，通过提离所述掩模层来去除所述掩模层和所述掩模层上的所述第2金属微粒排列。

8.根据权利要求7所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：

在所述第3工序中，将使聚苯乙烯和所述金属微粒分散于挥发性的分散剂而得的分散液滴落于所述第2区域的所述磁记录层上及所述掩模层上，由此形成所述第2金属微粒排列。

9.根据权利要求7所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于：

在所述第3工序中，在使所述第2区域的所述磁记录层的表面和所述掩模层的表面附着于使聚苯乙烯和所述金属微粒分散于挥发性的分散剂所得的分散液之后，通过从所述分散液离开而形成所述第2金属微粒排列。