JP5804844B2 - 一体型ヒートシンクを有する近接場トランスデューサを備えた熱アシスト記録ヘッド - Google Patents

一体型ヒートシンクを有する近接場トランスデューサを備えた熱アシスト記録ヘッド Download PDF

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Description

本発明は、薄膜磁気書き込みヘッドの構造に関する。より具体的には、本発明は、リッジ導波管近接場光源として働く光学的開口が、空気軸受面に位置する放熱構成要素と一体化された、熱アシスト磁気記録用の薄膜書き込みヘッドの構造に関する。
例えばハードディスクドライブに使用される磁気媒体では、記憶ビットの高密度化が継続的に追求されてきたことにより、データセルのサイズ(量)は、セル寸法が磁性材料の粒子サイズによって制限されるところまで低減された。粒子サイズはさらに小さくすることもできるが、周囲温度でのランダムな熱揺らぎがデータを消去するのに十分となるため、セルに記憶されたデータがそれまでのように熱的に安定しない点が懸念される。この状態は超常磁性限界と称され、これが所与の磁気媒体についての理論上の最大記憶密度を決定する。この限界は、磁気媒体の保磁力を増加させるか、又は温度を低下させることによって引き上げることができる。ハードディスクドライブを商業用及び消費者用に設計する場合、温度の低下は実際的な選択肢ではない。保磁力の向上は実際的な解決法であるが、磁気モーメントがより大きい材料、又は垂直記録などの技術(又は双方)を用いた書き込みヘッドが必要となる。
さらにもう一つの解決法が提案されており、それは、熱を用いて磁気媒体表面上の局所領域の有効保磁力を低下させ;その加熱された領域に広い磁界でデータを書き込み;及び媒体を周囲温度に冷却することにより、データ状態を「固定」するものである。この技術は、広く「熱アシスト(磁気)記録」、TAR又はTAMRと称される。熱は、極小だが強力な光源によって磁性基板に加えられ、それにより微細粒磁気媒体の異方性が低減される。より広い磁界寸法を有するヘッドによって生じるより緩い磁界勾配を用いることができ、それにより磁界源又は書き込みヘッドの厳しい寸法要件が緩和されるという利点が、可能性としてある。これは長手記録又は垂直記録の双方のシステムに適用可能であるが、当該分野の現在の技術水準で最も高密度のストレージシステムは、おそらく垂直記録システムであろう。媒体表面の加熱は、集束レーザビーム又は近接場光源など、数多くの技法によって達成される。高密度記録に有用であるには、加熱に利用される光源は直径が約50nm以下でなければならない。これは、固体レーザなどの従来の光源の光回折限界をはるかに超えているため、近接場光源が好ましい加熱方法となっている。
近接場光を生じさせるために一般に用いられている一つの方法は、リッジ開口又は「C」字型開口である。デバイスは、導電性金属膜に設けられた矩形開口からなる。開口の中心部分まで、概して周囲金属膜の延長である導電性リッジが延在している。リッジと平行な方向に偏光した入射放射により、リッジの端部と反対側の開口境界との間の間隙に、リッジの近傍又は端部に出現する強力な近接場光パターンが生じる。
近接場光源は磁気媒体に加熱を生じさせるように位置決めされるが、一定の割合の熱が、磁気ヘッド、特にリッジ開口の周辺にも生成され得る。この加熱は、ABSにおけるヘッドの形状に作用し、ひいてはフライハイトに影響を及ぼし得る。ヘッドの加熱はまた、高温によって様々な膜及び構造の熱移動が加速され、相互拡散及び寸法上のスミアリングが引き起こされ得るため、ヘッドの信頼性及び性能にも影響を及ぼし得る。従って、適当な放熱機構を提供することで、近接場光源により発生して磁気ヘッドに放射される過剰な熱を放散させることが必要となり得る。
米国特許出願公開第2008/0149809号明細書
改良された熱アシスト記録方法が必要とされている。
本発明の目的は、近接場光源であって、上部磁極端層と;上部磁極端層に磁気的に結合された磁極リップと;空気軸受面とほぼ同一平面上に位置する外表面を有する金属層であって、上部磁極端層と磁極リップとに熱的に結合された金属層と;金属層内に設けられ、且つ一側面が磁極リップによって境界されるリッジ開口であって、金属層が、リッジ開口を画定する内側境界に第1の厚さを有し、金属層が、金属層を画定する外側境界に、第2の厚さであって、第1の厚さより大きい第2の厚さを有する、リッジ開口と、を含む近接場光源、を有する熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッドを提供することである。
本発明の別の目的は、近接場光源であって、上部磁極端層と;上部磁極端層に磁気的に結合された磁極リップと;空気軸受面とほぼ同一平面上に位置する外表面を有する第1の金属層であって、上部磁極端層と磁極リップとに接触している金属層において、磁極リップとの接触部に第1の厚さを有し、それが第1の厚さより大きい第2の厚さに移行する、第1の金属層と;空気軸受面とほぼ同一平面上に位置する外表面を有する第2の金属層であって、第1の金属層に接触している第2の金属層と;第2の金属層内に設けられ、且つ一側面が磁極リップによって境界されるリッジ開口であって、第2の金属層が、リッジ開口との境界に、第2の厚さに移行する第1の厚さを有する、リッジ開口と、を含む近接場光源、を有する熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッドを提供することである。
本発明は、以下のその詳細な説明を考察することで、より良く理解され得るであろう。かかる説明は、添付の図面を参照する。
本発明の実施形態に係る、リッジ開口近接場光源と一体型ヒートシンクとを組み込む薄膜垂直書き込みヘッド設計の部分断面図である。 本発明の実施形態に係る、図1aの細部101の部分断面拡大図である。 本発明の第1の実施形態に係る、図1aの垂直書き込みヘッドの部分空気軸受面図である。 本発明の第2の実施形態に係る、図1aの垂直書き込みヘッドの部分空気軸受面図である。 本発明の第1の実施形態に係る、図2aの断面B−Bに沿った部分平面図である。 本発明の第2の実施形態に係る、図2bの断面C−Cに沿った部分平面図である。 本発明の実施形態に係る、図3a及び図3bの構造寸法を示す部分平面図である。 本発明の第1の実施形態に係る、図2aの断面D−Dに沿った部分平面図である。 本発明の第2の実施形態に係る、図2bの断面E−Eに沿った部分平面図である。
近接場光源は、熱アシスト記録に用いられる媒体の加熱に有効である。しかしながら、強力な近接場光パターンはヘッドそれ自体に近接しているため、ヘッド温度が制御されない場合には、別の問題が生じ得る。それらの問題としては望ましくない熱膨張を挙げることができ、これはABS近傍のヘッドの形状に作用し、ひいては空力効果に起因してフライハイトに影響が及び得る。ヘッド温度が高いと、デバイスの層間熱移動にも影響が及び、ひいては電気的性能及び長期信頼性に影響が及び得る。
熱負荷の影響を低減するために用いることのできる一つの方法は、リッジ(又は「C」)開口を取り囲む金属膜に熱的に結合されたヒートシンクを組み込むことである。好ましくは、この放熱機構は、伝導性金属を使用し、且つ膜厚を増加させることにより、近接場光源から出ていく低熱伝導経路を提供する。ヒートシンク面は、好ましくは空気軸受面(ABS)又はその近傍に位置し、媒体とヘッドとの間の高圧空気層により提供される高伝導性の(拡散による)熱伝達の利点が活かされる。高圧は、媒体表面の上方をヘッドが「飛行する」ことに伴う空力効果により生じる。表面積及び横方向の伝導性を増加させると(膜厚を増加させることにより)、リッジ開口近傍の領域から出ていく熱伝達が増加する。
続いて説明する本発明の実施形態は、リッジ開口を有する近接場光源を開示する。しかしながら、当業者は、Hamannらによる(特許文献1)に記載されるものなど、単一の、及び/又は複数の近接場光パターンの双方を生成する2つ以上のリッジを有するものなどの他の幾何学的配置の近接場光を生成する開口もまた用いられ得ることを認識するであろう。
図1aは、本発明の実施形態に係る、リッジ(又は「C」)開口近接場光源と一体型ヒートシンクとを組み込む薄膜垂直書き込みヘッド設計の部分断面図100である。提示される構造を単純且つ明確にするため、間隔層、絶縁層、及び書き込みコイル層は省略している。書き込みヘッドは、下部リターン磁極層102、1つ又は複数のバックギャップ層104、上部リターン磁極層106、上部磁極端層108を含む。下部リターン磁極層102はまた、ABSに下部磁極端(図示せず)も有し得る。層110は光導波路である。クラッド層は、存在する場合にも、明確にするためこの図には含まない。層110は、バックギャップ層104の少なくとも一部分を通じて延在する。図1bに拡大図として細部101が示される。当業者は認識するであろうとおり、ABS、バックギャップ層104、下部リターン磁極層102、並びに上部境界層106及び108によって境界される層112内には、コイル層(図示せず)及び様々な関連する絶縁層及びスペーサ層(図示せず)が備わり得る。層102、104、106、及び108は、Co、Ni、及びFeを含有する好適な磁性合金又は材料から構成される。層110は、好適な光伝送材料、好ましくは五酸化タンタル及び/又は二酸化チタンから構成される。
図1bは、本発明の実施形態に係る、図1aの細部101の部分断面拡大図である。磁極リップ116は、上部磁極端層108と、任意選択の磁気ステップ層114とに磁気的に結合される。光透過層118(リッジ開口の境界内に含まれる)、リッジ金属層122、周囲金属層120、及び磁極リップ116が、光導波路110を介して光エネルギーの供給を受ける近接場開口光学源を含む。磁極リップ116及び任意の磁気ステップ層114は、Co、Fe、及びNiを含有する好適な磁性合金から構成される。金属層120及びリッジ層122は、Au又はAu合金から作製される。磁極リップ116は、50〜150nm、好ましくは75〜125nmの値の、層120とほぼ等しい公称深さ(ABSから計測したとき)を有する。
図2aは、本発明の第1の実施形態に係る、図1aの垂直書き込みヘッドの部分空気軸受面図200である。図1aは、図2aの断面A−Aに沿った図である。周囲金属層120と磁極リップ116とによってリッジ開口202が形成される。リッジ層122は、金属層120から開口内まで延在する。金属層204が、磁極端層108と磁極リップ116と金属層120とに熱的に結合される。ヘッドが動作している間の、層120、204、磁極リップ116、及び磁極端層108からABSの高圧空気膜を介した媒体への熱伝達により、放熱がもたらされる。光透過層118は、リッジ開口202を画定する周囲金属層120、122、及び116の境界内に含まれる。概して、層118は、好適な光透過性を有する誘電材料から構成される。金属層204は、典型的には、優れた熱導体であるとともにAuより硬い金属であるCr、Ir、Pt、Pd、Ru及びRhで作製される。これらの材料はまた、優れた耐食性も呈する。硬さ及び耐食性は、ABSに使用される表面にとって、ヘッドの要求される寿命及び信頼性を提供するために重要である。好ましくは、金属層204はRuから構成される。
図3aは、本発明の第1の実施形態に係る、図2aの断面B−Bに沿った部分平面図300である。金属層120の厚さ(ABSから内側に計測したとき)は、構造がリッジ開口の境界から延在するに従い漸進的に増加する。増加した厚さは100nm〜1000nmの範囲であってもよく、しかし好ましくは250〜500nmである。この形状により、金属層204及び上部磁極端層108(図示せず、図2aを参照)に至る薄層120内の伝導性熱伝達の向上が促進される。さらに、層120がABSに沿って延在すると、ABSの高圧空気膜を通じて媒体に熱を放散し得る熱伝達面積が増加する。熱伝達はまた、磁極リップ層116、金属層204、及び上部磁極端層108から媒体へも同様の形で起こる。伝導性熱伝達はまた、層120、204、116から上部磁極端層108を介してヘッドの本体内の他の構造へも起こり得るが、これは、記録媒体への伝導性/拡散性熱伝達と比較して重要ではないと予想される。
図4aは、本発明の第1の実施形態に係る、図2aの断面D−Dに沿った部分平面図400である。金属層204の厚さ(ABSから計測したとき)は、その下側の金属層120の厚さと平行している。この厚さの増加により、リッジ開口から出ていく熱の伝導が向上するのみならず、上部磁極端層108への伝導も向上する。
図2bは、本発明の第2の実施形態に係る、図1aの垂直書き込みヘッドの部分空気軸受面図201である。リッジ開口202、光透過層118、及びリッジ層122は、図2aに説明したとおりである。しかしながら、より軟質の金属層120の横方向寸法が、図2aの層120と比較して低減され、金属層206におけるより硬質の材料の部分に代えられている。金属層206は、上記の金属層204について挙げたものと同じ材料から構成される。この実施形態は、図2aの実施形態と比較して、より硬質の金属を含む層206の表面積が増加しているため、ABSにおける摩耗特性の向上を提供する。層120、206、及び磁極リップ116からABSの高圧空気膜を介した媒体への熱伝達と、それに加えて、ABSにおけるその露出した表面積を介して同様に熱を媒体に伝達する上部磁極端層108への伝導とにより、放熱がもたらされる。
図3bは、本発明の第2の実施形態に係る、図2bの断面C−Cに沿った部分平面図301である。金属層120の厚さ(ABSから内側に計測したとき)は、構造がリッジ開口の境界から延在するに従い漸進的に増加する。増加した厚さは100nm〜1000nmの範囲であってもよく、しかし好ましくは250〜500nmである。金属層120は、リッジ開口の両側で金属層206に移行する。金属層120と206とは密接に熱接触しており、リッジ開口からの熱伝達を促進する。熱伝達は、層120、磁極リップ層116、金属層206、及び上部磁極端層108からABSの高圧空気膜を介して媒体へと起こる。
図4bは、本発明の第2の実施形態に係る、図2bの断面E−Eに沿った部分平面図401である。金属層206の厚さ(ABSから計測したとき)は、その下側の金属層120及び206と平行している。
以下は、本発明の代表的な実施形態を提供する役割を果たすが、本発明の範囲、値域、及び機能を限定することを意図するものでは決してない。これらの例においては、図3cを参照されたい。図3cは、本発明の実施形態に係る図3a及び図3bの構造寸法を示す部分平面図303である。
実施例1:
本発明の第1の実施形態に係る図2a、図3a、図3c、及び図4aを参照のこと。
寸法314=約400nm
寸法318=約600nm
寸法316=約1000nm
寸法310=約575nm
寸法320=約100nm
寸法312=約310nm
寸法306=約150nm
角度304=約45度
角度308=約20度
金属層120はAuから構成され、金属層204はRuから構成される。
実施例2:
本発明の第1の実施形態に係る図2b、図3b、図3c、及び図4bを参照のこと。
寸法314=約400nm
寸法318=約600nm
寸法316=約1000nm
寸法310=約575nm
寸法320=約100nm
寸法312=約310nm
寸法306=約150nm
角度304=約45度
角度308=約20度
金属層120はAuから構成され、金属層206はRuから構成される。
前述の実施形態は薄膜垂直書き込みヘッドを開示するが、当業者は、かかる設計が、少し変更することで、同様に薄膜長手書き込みヘッドにも適用可能であることを認識するであろう。
本発明は、これまでに説明した前出の実施形態によって限定されるものではない。むしろ、本発明の範囲は、それらの説明を、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物と併せて考慮することにより定義されるべきである。
100 部分断面図
101 細部
102 下部リターン磁極層
104 バックギャップ層
106 上部リターン磁極層
108 上部磁極端層
110 光導波路
112 層
114 任意の磁気ステップ層
116 磁極リップ
118 光透過層
120 周囲金属層
122 リッジ金属層
200 部分空気軸受面図
201 部分空気軸受面図
202 リッジ開口
204 金属層
206 金属層
303 部分平面図

Claims (18)

  1. 近接場光源であって、
    上部磁極端層と、
    前記上部磁極端層に磁気的に結合された磁極リップと、
    空気軸受面とほぼ同一平面上に位置する外表面を有する金属層であって、前記上部磁極端層と前記磁極リップとに熱的に結合された金属層と、
    前記金属層に設けられ、且つ1辺が前記磁極リップによって境界されるリッジ開口であって、前記金属層が、前記リッジ開口を画定する内側境界に第1の厚さを有し、前記金属層を画定する外側境界に前記第1の厚さより大きい第2の厚さを有する、リッジ開口と、
    を含む近接場光源、
    を有し、
    前記金属層が第1の部分と第2の部分とを含む、
    熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  2. 前記金属層の内表面と接触する光導波路をさらに含み、
    前記リッジ開口が、前記光導波路と前記金属層の前記内表面との接触域に含まれる、
    請求項1に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  3. 前記リッジ開口が、前記金属層の前記第1の部分に設けられる、
    請求項に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  4. 前記金属層の前記第2の部分が、前記上部磁極端層と、前記磁極リップと、前記金属層の前記第1の部分と、に熱的に結合される、
    請求項に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  5. 前記金属層の前記第1の部分の膜厚が、前記リッジ開口の前記内側境界における前記第1の厚さから前記第2の厚さに移行する、
    請求項に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  6. 前記金属層の前記第2の部分の膜厚が、前記磁極リップにおける前記第1の厚さから前記第2の厚さに移行する、
    請求項に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  7. 前記金属層の前記第1の部分がAuを含む、
    請求項に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  8. 前記金属層の前記第2の部分が、Cr、Ir、Pt、Pd、Rh、及びRuからなる群から選択される、
    請求項に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  9. 前記金属層の前記第2の部分がRuを含む、
    請求項に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  10. 前記第1の厚さが100nm±50nmである、
    請求項1に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  11. 前記第2の厚さが300nm±50nmである、
    請求項1に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  12. 近接場光源であって、
    上部磁極端層と、
    前記上部磁極端層に磁気的に結合された磁極リップと、
    空気軸受面とほぼ同一平面上に位置する外表面を有する第1の金属層であって、前記上部磁極端層と前記磁極リップとに接触し、前記磁極リップとの接触部分に第1の厚さを有し、それが前記第1の厚さより大きい第2の厚さに移行する、第1の金属層と、
    空気軸受面とほぼ同一平面上に位置する外表面を有する第2の金属層であって、前記第1の金属層に接触している第2の金属層と、
    前記第2の金属層に設けられ、且つ1辺が前記磁極リップによって境界されるリッジ開口であって、前記第2の金属層が、前記リッジ開口との境界に前記第1の厚さを有し、前記第2の厚さに移行する、リッジ開口と、
    を含む近接場光源、
    を有する熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  13. 前記第2の金属層の内表面と接触する光導波路をさらに含み、
    前記リッジ開口が、前記光導波路と前記第2の金属層の前記内表面との接触域に含まれる、
    請求項12に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  14. 前記第2の金属層がAuを含む、
    請求項12に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  15. 前記第1の金属層が、Cr、Ir、Pt、Pd、Rh、及びRuからなる群から選択される、
    請求項12に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  16. 前記第1の金属層がRuを含む、
    請求項15に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  17. 前記第1の厚さが100nm±50nmである、
    請求項12に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
  18. 前記第2の厚さが300nm±50nmである、
    請求項12に記載の熱アシスト記録用薄膜磁気ヘッド。
JP2011180612A 2010-08-31 2011-08-22 一体型ヒートシンクを有する近接場トランスデューサを備えた熱アシスト記録ヘッド Active JP5804844B2 (ja)

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