JP2009110644A - ワイヤアシスト磁気書き込み装置用のワイヤ及びワイヤリード設計 - Google Patents
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Abstract
【課題】媒体対向面を形成している書き込み素子先端を有する書き込み素子を含む磁気装置を提供する。
【解決手段】書き込み素子は、媒体対向面に第1の磁界を発生するために動作可能である。導体は、書き込み素子先端の近傍に位置し、第1及び第2の導電性リード線は、導体に接続し、第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために導体に電流を供給するように構成される。第1及び第2の側部素子は、媒体対向面のところでクロストラック方向の書き込み素子先端の対向面上に配置される。第1の導電性リード線の少なくとも一部は、媒体対向面に対向する側面上の第1の側部素子に隣接して配置され、第2の導電性リード線の少なくとも一部は、媒体対向面に対向する側面上の第2の側部素子に隣接して配置される。
【選択図】図3B
【解決手段】書き込み素子は、媒体対向面に第1の磁界を発生するために動作可能である。導体は、書き込み素子先端の近傍に位置し、第1及び第2の導電性リード線は、導体に接続し、第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために導体に電流を供給するように構成される。第1及び第2の側部素子は、媒体対向面のところでクロストラック方向の書き込み素子先端の対向面上に配置される。第1の導電性リード線の少なくとも一部は、媒体対向面に対向する側面上の第1の側部素子に隣接して配置され、第2の導電性リード線の少なくとも一部は、媒体対向面に対向する側面上の第2の側部素子に隣接して配置される。
【選択図】図3B
Description
本発明は、磁気装置に関し、特に、書き込み磁界を補助する磁界を発生するための通電導体を含む磁気ライタに関する。
磁気記録記憶密度は、磁気記憶装置の記憶容量を増大するために引き続き進歩を続けている。記録装置の磁化転移(すなわち、ビット)寸法及び臨界形状は、現在100nm以下になっている。ある場合には、書き込み素子の臨界寸法は、書き込み素子及び磁気媒体間の間隔よりも急速に小さくなってきている。そのため、磁界強度を効果的に低減するのがかなり難しくなっているばかりでなく、媒体での磁界プロファイルがうまく制限できない。その結果、オフトラック磁界が、隣接トラック、すなわちサイドトラック消去のような望ましくない影響を引き起こす場合がある。そのため、媒体での磁界強度をあまり劣化させないで、磁界をもっと効果的に制限することが設計上の重要な考慮事項になっている。
更に、もっと高い面積密度で、記録媒体をもっと安定なものにするには、磁気的にもっと硬磁性の(すなわち、保磁力の高い)記憶媒体材料を必要とする。磁気媒体に適用する磁界を増大するために、記録装置の磁気材料の飽和磁化値を増大することにより、磁気的により硬度の高い媒体に書き込むことができる。しかし、飽和磁化値の増大速度は、ビット面積密度の毎年の増大速度を支持するのに十分なものではない。もう1つのアプローチは、書き込み磁極の近くの磁気媒体の保磁力を低減するために、磁界を発生する書き込み磁極の先端に隣接する導体を内蔵させることによりより強力な書き込み磁界を提供する方法である。そうすることにより、書き込み磁極からのもっと弱い磁界により、保磁力の高い媒体にデータを書き込むことができる。しかし、ダウントラック方向への導体の厚さ及びその位置には限りがあるので、導体が発生する磁界は、ダウントラック磁界勾配に悪影響を及ぼす恐れがある。更に、導体に電流を供給するリード線は、リード線の材料が腐食を誘起する薬剤に曝されるために、潜在的な処理及び信頼性の問題を引き起こす場合がある。更に、ライタにサイドシールドを内蔵させると、媒体対向面、書き込み磁極及び補助装置の近くのリード線の一部は、多くの場合、通常、理想的な電気的及び熱的特性を持たない磁気材料により置換される。
本発明は、媒体対向面を形成している書き込み素子先端を有する書き込み素子を含む磁気装置に関する。書き込み素子は、媒体対向面に第1の磁界を発生するために動作可能である。導体は、書き込み素子先端の近傍に位置していて、第1及び第2の導電性リード線は、導体に接続していて、第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために導体に電流を供給するように構成される。第1及び第2の側部素子は、媒体対向面でのクロストラック方向の書き込み素子先端の対向面上に配置される。第1の導電性リード線の少なくとも一部は、第1の側部素子の媒体対向面に対向する側面上の第1の側部素子に隣接して配置されていて、第2の導電性リード線の少なくとも一部は、第2の側部素子の媒体対向面に対向する側面上の第2の側部素子に隣接して配置される。
他の態様においては、磁気装置は、書き込み素子先端を含む書き込み素子を含む。書き込み素子は、書き込み素子先端のところに第1の磁界を発生するために動作可能である。導体は、媒体対向面のところの書き込み素子先端の近傍に位置していて、最大保持電流密度jmax、媒体対向面から該媒体対向面から遠い方の導体の側面までのストライプ高さh、及びダウントラック方向に延びる厚さtを有する。最大電流がImaxである電流源は、第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために導体に電流を供給する。ストライプ高さhは、Imax/(jmax×t)にほぼ等しい。
更に別の態様においては、磁気ライタは、媒体対向面を形成している書き込み素子先端を有する書き込み素子を含む。書き込み素子は、媒体対向面に第1の磁界を発生するために動作可能である。戻り素子は、媒体対向面から遠い方の書き込み素子と磁気的に結合している。導体は、媒体対向面のところの書き込み素子先端の近傍に位置する。第1及び第2の導電性ヒートシンクは、導体と接続していて、第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために導体に電流を供給する。第1及び第2のサイドシールドは、媒体対向面のところでクロストラック方向に側部素子先端の対向側面上に配置される。第1のサイドシールドの少なくとも一部は、媒体対向面に対向する第1のサイドシールドの側面上の第1の導電性のヒートシンクに隣接して配置されていて、第2のサイドシールドの少なくとも一部は、媒体対向面に対向する第2のサイドシールドの側面上の第2の導電性のヒートシンクに隣接して配置される。
本発明の上記概要は、本発明の各開示の実施形態、又は各実施を記述するためのものではない。下記の図面及び詳細な説明は、例示としての実施形態をより詳細に列挙している。
下記の図面のうちのいくつかは、本発明の1つ又は複数の実施形態について記述しているが、説明に記載するように、他の実施形態も本発明に含まれる。いずれにせよ、本明細書に記載する本発明は、例示としてのものであって、本発明を制限するものではない。当業者であれば、本発明の原理の範囲及び精神に入る多数の種々の他の修正及び実施形態を思い付くことができることを理解されたい。また、下記の図面の縮尺は正確なものではないことも理解されたい。
図1は、磁気媒体16のトラック14上でスライダ12を位置決めするための作動システムを含むディスクドライブ10の斜視図である。ディスクドライブ10の特定の構成は、本発明の記述を容易にするためのものであって、いかなる意味でも本発明の範囲を制限するものではない。ディスクドライブ10は、軸22を中心にしてスピンドル上のアクチュエータアーム20を回転するように配置されているボイスコイルモータ(VCM)18を含む。ロードビーム24は、ヘッドマウンティングブロック26のところでアクチュエータアーム20と接続している。サスペンション28は、ロードビーム24の端部と接続していて、スライダ12は、サスペンション28に取り付けられる。VCM18は、図示していないが、当業者であれば周知のコントローラにより調節される。磁気媒体16は、軸30を中心にして回転し、そのため、空気の流れがスライダ12と衝突し、スライダは、磁気媒体16の表面から上方へ少し離れた位置に保持される。磁気媒体16の各トラック14は、データを記憶するためのデータ記憶セルのアレイと一緒にフォーマットされる。スライダ12は、磁気媒体16のトラック14上でデータを読み取り/書き込むための磁気トランスジューサ(図1に図示せず)を備える。磁気トランスジューサについては、下記の図面のところで詳細に説明するが、この説明は単に例示としてのものに過ぎない。
図2は、書き込み素子先端44を含む書き込み素子42、通電導体46、戻り素子48、及び導電性コイル50を含む磁気ライタ40の斜視図である。磁気ライタ40は、アシスト磁気ライタの概念図であり、アシスト磁気ライタの機能全体を示すためのものである。下記の全体的な動作は、本明細書に記載する種々の磁気ライタの実施形態に適用される。しかし、図の構成は、単に例示としてのものであって、下記の実施形態のいずれをも制限するものではなく、またそれを定義するためのものでもない。
導体46は、書き込み素子先端44の後縁部に隣接して位置する。書き込み素子42は、磁気スタッド54により戻り素子48と磁気的に結合している。導電性のコイル50(図はその一部)は、書き込み素子42を囲んでいて、導電性コイル50の一部は、書き込み素子42と戻り素子46の間に配置される。第1のリード線/ヒートシンク60及び第2のリード線/ヒートシンク62(仮想線で示す)は、導体46の対向クロストラックの端部のところで導体46と接続している。第1のリード線/ヒートシンク60及び第2のリード線/ヒートシンク62は、導体46に電流Iwを供給するために電流源64に接続している。
磁気ライタ40の、書き込み素子先端44、導体46及び戻り素子48が形成する媒体対向面は、磁気媒体16と向き合っている。磁気媒体16は、軟磁性下地層(SUL)70及び中間層72を含む。磁気媒体16は、磁気ライタ40の近傍に位置しているために、SUL70に対向している中間層72の表面は、書き込み素子42の方を向いている。図の磁気媒体16は、単に説明のためのものであって、磁気ライタ40と一緒に使用することができる、合成媒体、連続している/粒状結合(CGC)媒体、個々のトラック媒体、及びビットパターン形成媒体のような任意のタイプの媒体であってもよい。
磁気ライタ40は、磁気ライタ40に対して矢印76で示すように移動する磁気媒体16の表面上を移動するので、書き込み素子42は、戻り素子48の前を移動し、磁気媒体16にデータを物理的に書き込むために使用される。磁気媒体16にデータを書き込むために、導電性コイル50を通して電流Icが流れる。導電性コイル50内の起磁力は、SUL70を横切って媒体層72を通して、また第1の閉磁束経路を形成するために、戻り素子48及び磁気スタッド54を通して、垂直に書き込み素子先端44から移動するために、磁束(矢印78で示す)を発生する。磁気媒体16に書き込まれたデータの状態に関連する、書き込み素子先端44の媒体対向面のところの書き込み磁界(矢印79で示す)の方向は、第1の導電性コイル50を通して第1の電流が流れる方向に基づいて制御することができる。
図の磁気ライタ40は、単に本発明の原理により使用することができる例示としての構造を示すためのものであって、この設計は種々に変更することができる。例えば、図には後部(トレーリング)戻り素子48は1つしか示していないが、別の方法としては、書き込み素子42の前面(リーデング)及び後面(トレーリング)の両方の上に戻り素子を含む2つの戻り素子構成を使用することもできる。更に、戻り素子48から「後部(トレーリング)シールド」磁気ライタ設計の媒体対向面の近くの書き込み素子42の方向に延びるシールドを形成することができる。
高い保磁力の媒体層72にデータを書き込むために、媒体内で磁化を反転させるためにもっと強力な書き込み磁界を提供することができる。そうするために、導体46は、磁気媒体16及び書き込み素子先端44の後面の近傍に配置される。電流Iwが導体46に供給されると、補助磁界(矢印80で示す)が発生し、この磁界が書き込み素子42が発生した書き込み磁界を増大する。書き込み磁界79と導体46が発生した補助磁界80の組合わせが、磁気媒体16へのデータの制御下での書き込むができるように、媒体層78の高い保磁力に打ち勝つ。磁気媒体16は矢印76の方向に移動し、媒体層72内の磁気領域82、84、86及び88の磁化の方向は、書き込み素子先端44の近くの書き込み磁界79及び補助磁界80の影響を受ける。更に、導体46は、書き込み磁界の勾配を改善し、それにより書き込み素子先端44の近くの書き込み磁界がより強力になる。
図3Aは、媒体対向面102のところでその一部が露出しているリード線/ヒートシンク60を含む磁気ライタ100の断面斜視図である。図3Aの断面図は、リード線/ヒートシンク62を図示していない。図3Bは、磁気ライタ100の媒体対向面の図面であり、図3Cは、図3Bの3C−3C線に沿って切断した磁気ライタ100の断面図である。図3Aの断面図は、図3Bの3A−3A線に沿って切断したものである。磁気ライタ100は、書き込み素子先端44を含む書き込み素子42と、戻り素子48と、第1のリード線/ヒートシンク60と、第2のリード線/ヒートシンク62と、導体46と、非磁気ベース104と、第1のサイドシールド106と、第2のサイドシールド108と、後部(トレーリング)シールド110と、絶縁材料112とを含む。
書き込み素子42の書き込み素子先端44は、媒体対向面102のところに位置していて、非磁気ベース104に隣接している。非磁気ベース104は、書き込み素子先端44の後面上に位置している。導体46は、書き込み素子先端44に隣接していて、媒体対向面102のところの書き込み素子先端44の3つの面に沿って延びる。絶縁材料112は、媒体対向面102のところの導体46と書き込み素子先端44との間に位置していて、書き込み素子42の側面に沿って、媒体対向面102から延びる。後部シールド110は、導体46と戻り素子48との間に位置していて、絶縁材料112により、導体46及びサイドシールド106及び108から分離している。リード線/ヒートシンク60及び62は、導体46の断面積より大きい断面積を有する。
第1のサイドシールド106及び第2のサイドシールド108は、クロストラック方向に書き込み素子42の対向面上に配置される。ある実施形態の場合には、サイドシールド106及び108は、隣接する導体46及びリード線/ヒートシンク60及び62から絶縁されている。他の実施形態の場合には、リード線/ヒートシンク60及び62は、それぞれサイドシールド106及び108と電気的に接触している。後者の場合、リード線/ヒートシンク60及び62の抵抗は、通常、サイドシールド106及び108の材料の抵抗より遥かに低い抵抗を有する材料からできているので、電流Iwの大部分は、リード線/ヒートシンク60及び62を通る。更に、絶縁材料112は、リード線/ヒートシンク60及び62を相互に絶縁しているので、電流Iwは導体46を通して流れることになる。
サイドシールド106及び108及び後部シールド110は、NiFe、CoFe又はCu/CoFe多重層構造体のような軟磁性材料(soft magnetic material)から作ることができる。サイドシールド106及び108及び後部シールド110も導体46に対してヒートシンクとして機能するので、サイドシールド106及び108及び後部シールド110は、優れた熱特性を有する材料からできている。サイドシールド106及び108及び後部シールド110は、磁気ライタ100の磁界プロファイルを制限している。何故なら、軟磁性材料は、磁気ライタ100からの磁束の戻り経路として、また(磁気媒体16上の隣接するトラックからの磁界から書き込み磁極の先端44をシールドしている)磁気シールドとして機能するからである。他の実施形態の場合には、サイドシールド106及び108の代わりに、優れた熱特性及び高い耐食性を有する材料の非磁気ブロックを使用する。
リード線/ヒートシンク60及び62の大部分の材料は、媒体対向面102のところでの腐食誘起剤に対するリード線/ヒートシンク60及び62の露出を少なくするために、媒体対向面102から凹状に窪んでいる。図3Bに示すように、第1のリード線/ヒートシンク60は、媒体対向面102に対向する面上の第1のサイドシールド106に隣接していて、第2のリード線/ヒートシンク62は、媒体対向面102に対向する面上の第2のサイドシールド108に隣接している。第1のリード線/ヒートシンク60の凹部は、一方の面上の導体46と接続するために書き込み素子42と第1のシールド106との間を延びていて、第2のリード線/ヒートシンク62の凹部は、対向面上の導体46と接続するために書き込み素子42と第2のシールド108との間を延びている。
リード線/ヒートシンク60及び62の凹部は、処理限界及びシールドの厚さ要件が許す限り媒体対向面102の近くに位置している。ある実施形態の場合には、リード線/ヒートシンク60及び62は、導体46のストライプ高さhより長いか又はほぼ等しい距離だけ、媒体対向面102から凹状に窪んでいる。リード線/ヒートシンク60及び62が、ストライプ高さhにほぼ等しい距離だけ媒体対向面102から窪んでいる場合には、導体46の磁気的、電気的及び熱的性能の損失は、リード線/ヒートシンク60及び62が媒体対向面102から窪んでいない場合と比較すると、非常に少ない(<10%)。
リード線/ヒートシンク60及び62は、導体46と同じ材料から作ることができる。そうすることにより、リード線/ヒートシンク60及び62と導体46との境界のところでの電気の移動が防止できる。ある実施形態の場合には、リード線/ヒートシンク60及び62及び導体46はCuからできている。別の方法としては、媒体対向面102の方向に延びるリード線/ヒートシンク60及び62の一部を、導体46及びサイドシールド106及び108により、媒体対向面102から窪んでいるリード線/ヒートシンク60及び62の一部とは異なる材料から作ることもできる。媒体対向面102のところのリード線/ヒートシンク60の一部が、リード線/ヒートシンク60の凹部とは異なる材料からできている実施形態の場合には、リード線/ヒートシンク60及び62の凹部及び導体46をCuから作ることができ、媒体対向面102のところのリード線/ヒートシンク60の一部をAu、Al又は耐食性を有する媒体対向面102のところで使用するのに適している他の材料から作ることができる。
書き込み素子先端44の後縁部のところの導体46の寸法は、実効磁界が最大になるように、また媒体対向面102のところの磁界勾配が改善されるように設定することができる。導体46の書き込み素子先端44の後縁部のところの厚さはtであり、ストライプ高さhは、媒体対向面102から、該媒体対向面102から遠い方の導体46の縁部に延びる。導体46の寸法が変化した場合の影響を示すために、図4は、静磁気有限素子のシミュレーションに基づく、磁気ライタ100のクロストラック位置の関数としての、媒体対向面102から10nmのところのシミュレートした実効磁界Heff(すなわち、結合書き込み及び補助磁界)を示すグラフである。導体46の後面の寸法は、対称面からクロストラック方向に移動する書き込み素子42の対称面(クロストラック位置0nm)から測定する実効磁界Heffにより異なる。
ライン120は、50nmの厚さtを有し、50nmのストライプ高さhを有する(すなわち、2,500nm2の断面積を有する)導体46の実効磁界Heffを示す。ライン122は、100nmの厚さtを有し、50nmのストライプ高さhを有する(すなわち、5,000nm2の断面積を有する)導体46の実効磁界Heffを示す。ライン124は、70.71nmの厚さtを有し、70.71nmのストライプ高さhを有する(すなわち、5,000nm2の断面積を有する)導体46の実効磁界Heffを示す。ライン126は、50nmの厚さtを有し、100nmのストライプ高さhを有する(すなわち、5,000nm2の断面積を有する)導体46の実効磁界Heffを示す。2,500nm2の断面を有する導体46(ライン120)が3.0×109A/cm2の電流密度を有していたのを除けば、シミュレートした各導体46の電流密度jは、1.5×109A/cm2であった。比較のために、ライン128は、導体46を含んでいない実質的に同じ装置が発生した書き込み磁界を示す。図に示すように、後縁部のところの書き込み素子44の中心(クロストラック位置0)の最大磁界は、最も小さい断面を有する導体46(ライン120)の場合には、約1.95Tであり、最大ストライプ高さhを有する導体46(ライン126)の場合には約1.8Tであった。
同様に、導体46の寸法の影響を受ける磁界勾配は、磁気ライタ100が描く転移の鮮明さにとって重要なものである。図5は、静磁気有限素子シミュレーションに基づく磁気ライタ100が発生する実効磁界Heffのダウントラックプロファイルを示すグラフである。実効磁界Heffは、媒体対向面102から10nmのところの書き込み素子先端44の中心の対称面に沿って測定した。書き込み素子先端44の前縁部は、ダウントラック位置0nmのところに位置していて、書き込み素子先端44の後縁部は、約160nmのダウントラック位置に位置している。ライン130は、ライン120に対するダウントラック磁界プロファイル系であり、ライン132は、ライン120に対するダウントラック磁界プロファイル系であり、ライン134は、ライン124に対するダウントラック磁界プロファイル系であり、ライン136は、ライン126に対するダウントラック磁界プロファイル系である。比較のために、ライン138は、導体46を含んでいない実質的に同じ装置が発生するダウントラック磁界プロファイルを示す。書き込み磁極の先端44の後縁部の背後の磁界プロファイル(すなわち、160nmより大きなダウントラック位置)は、磁界勾配の対象となるエリアである。このエリア内の0方向への実効磁界Heffの転移が鋭角であればあるほど、磁界勾配は大きくなり、磁気媒体16に書き込まれる転移は良くなる。図に示すように、50nmの厚さtを有する導体80を含む磁気ライタ100は、最大磁界勾配を発生した。しかし、導体46及びその周囲を発熱させ、磁気ライタ100の信頼性に影響を与える抵抗損は、もっと大きな断面を有する導体46を使用することにより低減することができる。それ故、これらのシミュレートした装置の中で最も優れた性能の装置は、50nmの厚さt,及び100nmのストライプ高さhを有する導体46を含む装置であった(図4のライン126、及び図5のライン136)。媒体特性の選択により、磁界勾配の要件を緩和することができる場合には、70.71nmの厚さt及び70.71nmのストライプ高さhを有する導体46(図4のライン124及び図5のライン134)を使用することが好ましい。何故なら、そうすれば、実効磁界Heffがより大きくなるからである。
全電力消費及び磁界勾配に対する装置仕様に適合し、導体46の信頼性を確保しながら、導体46が確実に最大補助磁界を供給するようにするために、厚さt及びストライプ高さhを決定するための最適化方向を適用することができる。電源64(図2)が供給することができる最大電流Imaxが導体46を駆動する。最大電流Imaxは、電流源64のプリアンプ、記録システムの電力消費仕様、及び磁束漏洩、サイドトラック消去のような他の記録システムの性能のパラメータにより制限される。次に、厚さtをできるだけ厚く維持しながら適当な磁界勾配を入手するために厚さtが調整される。磁界勾配の最適な値も、使用する磁気媒体16のタイプのような記録システムのパラメータにより変化する。次に、導体46が高い信頼性で維持することができる最大電流密度jmaxが、導体46の材料及び抵抗に基づいて決定される。次に、最適ストライプ高さhが下記式により決定される。
h=Imax/(jmax×t) (式1)
h=Imax/(jmax×t) (式1)
図6Aは、媒体対向面102のところで露出している薄いリード線/ヒートシンク60及び62を含む磁気ライタ140の媒体対向面の図面である。図6Bは、図6Aの6B−6B線に沿って切断した磁気ライタ140の断面図である。磁気ライタ140は、書き込み素子先端44を含む書き込み素子42と、戻り素子48と、第1のリード線/ヒートシンク60と、第2のリード線/ヒートシンク62と、導体46と、非磁気ベース104と、第1のサイドシールド106と、第2のサイドシールド108と、後部シールド110と、絶縁材料112とを含む。
磁気ライタ140の構成要素及び配置は、上記磁気ライタ100のそれに類似している。この実施形態の場合には、媒体対向面102のところのリード線/ヒートシンク60及び62及び導体46の導電性材料への腐食誘起剤の影響を更に低減するために、媒体対向面102のところでのリード線/ヒートシンク60及び62の材料の露出はより少ない。図6Bに示すように、第1のリード線/ヒートシンク60は、媒体対向面102に対向する面上の第1のサイドシールド106に隣接していて、第2のリード線/ヒートシンク62は、媒体対向面102に対向する面上の第2のサイドシールド108に隣接している。第1のリード線/ヒートシンク60の凹部は、一方の面上の導体46と接続するために書き込み素子42と第1のシールド106との間を延びていて、第2のリード線/ヒートシンク62の凹部は、対向面上の導体46と接続するために書き込み素子42と第2のシールド108との間を延びている。
リード線/ヒートシンク60及び62の凹部は、処理限界及びシールドの厚さ要件が許す限り媒体対向面102の近くに位置している。ある実施形態の場合には、リード線/ヒートシンク60及び62は、導体46のストライプ高さhより長いか又はほぼ等しい距離だけ、媒体対向面102から凹状に窪んでいる。リード線/ヒートシンク60及び62が、ストライプ高さhにほぼ等しい距離だけ媒体対向面102から窪んでいる場合には、導体46の磁気的、電気的及び熱的性能の損失は、リード線/ヒートシンク60及び62が媒体対向面102から窪んでいない場合と比較すると、非常に少なくなる。
図7Aは、媒体対向面102のところで露出している薄いリード線/ヒートシンク60及び62を含む磁気ライタ150の媒体対向面の図面である。図7Bは、図7Aの7B−7B線に沿って切断した磁気ライタ140の断面図である。磁気ライタ140は、書き込み素子先端44を含む書き込み素子42と、戻り素子48と、第1のリード線/ヒートシンク60と、第2のリード線/ヒートシンク62と、導体46と、非磁気ベース104と、第1のサイドシールド106と、第2のサイドシールド108と、後部シールド110と、絶縁材料112とを含む。
磁気ライタ150の構成要素及び配置は、上記磁気ライタ100のそれに類似している。この実施形態の場合には、リード線/ヒートシンク60及び62の腐食を防止するために、リード線/ヒートシンク60及び62は媒体対向面102から完全に窪んでいる。図76Bに示すように、第1のリード線/ヒートシンク60は、媒体対向面102に対向する面上の第1のサイドシールド106に隣接していて、第2のリード線/ヒートシンク62は、媒体対向面102に対向する面上の第2のサイドシールド108に隣接している。第1のリード線/ヒートシンク60は、一方の面上の導体46と接続するために書き込み素子42と第1のシールド106との間を延びていて、第2のリード線/ヒートシンク62は、対向面上の導体46と接続するために書き込み素子42と第2のシールド108との間を延びている。
リード線/ヒートシンク60及び62は、処理限界及びシールドの厚さ要件が許す限り媒体対向面102の近くに位置している。ある実施形態の場合には、リード線/ヒートシンク60及び62は、導体46のストライプ高さhより長いか又はほぼ等しい距離だけ媒体対向面102から凹状に窪んでいる。リード線/ヒートシンク60及び62が、ストライプ高さhにほぼ等しい距離だけ媒体対向面102から窪んでいる場合には、導体46の磁気的、電気的及び熱的性能の損失は、リード線/ヒートシンク60及び62が媒体対向面102から窪んでいない場合と比較すると、非常に少なくなる。
図8は、媒体対向面に形成されている厚いリード線/ヒートシンク162及び164を含む磁気ライタ160の媒体対向面の図面である。磁気ライタ160は、書き込み素子先端44を含む書き込み素子42と、戻り素子48と、第1のリード線/ヒートシンク162と、第2のリード線/ヒートシンク164と、導体46と、非磁気ベース104と、後部シールド110と、絶縁材料112とを含む。
書き込み素子先端44の後縁部の近傍に大きな勾配を有するもっと強力でもっと焦点の合った磁界を提供するためには、媒体対向面のところ又は近くの書き込み素子先端44の近くの薄い導電性経路内に電流Iwを閉じこめることが望ましい。これらの薄い導電性経路を形成するために、トレンチ166及び168が、それぞれリード線/ヒートシンク162及び164内に形成され、絶縁材料又は導電性の低い他の材料により充填される。トレンチ166及び168内の材料も、導体46から熱を効率的に発散させるために十分な熱伝導性を提供する。トレンチ166及び168をこれらの特性を有する材料で充填すると、電流Iwは、これらの領域の周囲を流れ、書き込み素子先端44の周囲を流れ、そのため書き込み素子先端44のところの導体46の磁界強度が改善される。同時に、熱が材料の熱伝導性により発散し、それにより磁気ライタ160の信頼性が改善する。
トレンチ166及び168は、種々のレベルの熱伝導性を有する種々の材料により充填することができる。例えば、トレンチ166及び168は、例えば、Al2O3のような熱伝導性の低い優れた絶縁体で充填することができる。それにより、電流Iwはトレンチ166及び168の周囲を流れることになり、磁界は大きく増幅されるが、放熱は小さくなる。別の方法としては、トレンチ166及び168を、薄い絶縁層で充填し、次に、Au又はCrのようなヒートシンク材料(すなわち、熱伝導性の高い材料)で裏込めすることもできる。また、これにより、すべての電流Iwは、トレンチ166及び168の周囲を流れるようになり、磁界が大きく増幅され、熱の発散が改善する。もう1つの例としては、トレンチ166及び168は、非常に高い熱伝導性を有するが、絶縁材料としての働きもする薄いダイヤモンド状の炭素(DLC)膜で充填することができる。これにより、すべての電流Iwは、トレンチ166及び168の周囲を流れるようになり、磁界が大きく増幅され、熱の発散が改善する。また、トレンチ166及び168は、絶縁層を全然使用しないで、(Cuの抵抗率の5倍の抵抗率を有する)Rhのような熱伝導性の低い材料で裏込めすることもできる。この簡単な製造プロセスの場合には、電流の大部分は、トレンチ166及び168の周囲を流れるが、熱の優れた発散はそのまま維持される。他の例の場合には、トレンチ166及び168を、絶縁材料、又は電流Iwをトレンチの周囲に流すが、同時にトレンチ内の磁気材料が磁気サイドシールドとして機能する熱伝導性の低い磁気材料で充填することもできる。トレンチ166及び168は、またリード線を媒体対向面からトレンチにより凹状にすることにより、上記凹状リード線磁気ライタの設計に組み込むこともできることに留意されたい。
要するに、本発明は、媒体対向面を形成する書き込み素子先端を有する書き込み素子を含む磁気装置に関する。書き込み素子は、媒体対向面に第1の磁界を発生するために動作可能である。導体は、書き込み素子先端の近傍に位置していて、第1及び第2の導電性リード線は、導体に接続していて、第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために導体に電流を供給するように構成される。第1及び第2の側部素子は、媒体対向面のところでクロストラック方向に、書き込み素子先端の対向面上に配置される。第1の導電性リード線の少なくとも一部は、媒体対向面に対向する面上の第1の側部素子に隣接して配置されていて、第2の導電性リード線の少なくとも一部は、媒体対向面に対向する面上の第2の側部素子に隣接して配置される。媒体対向面から導電性リード線の少なくとも一部を凹状に窪ませることにより、媒体対向面でのリード線の腐食が防止される。更に、導電性リード線をできるだけ媒体対向面の近くに形成することにより、装置の性能への影響を最小限度に低減することができる。更に、導体の寸法を磁気装置の磁界勾配を最適状態に維持しながら、補助磁界が最大になるように調整することができる。
好ましい実施形態を参照しながら本発明を説明してきたが、当業者であれば本発明の精神及び範囲から逸脱することなしに、形状及び詳細を種々に変更することができることを理解することができるであろう。
10 ディスクドライブ
12 スライダ
14 トラック
16 磁気媒体
18 ボイスコイルモータ(VCM)
20 アクチュエータアーム
22 軸
24 ロードビーム
26 ヘッドマウンティングブロック
28 サスペンション
40 磁気ライタ
42 書き込み素子
44 書き込み素子先端
46 通電導体
48 戻り素子
50 導電性コイル
60 第1のリード線/ヒートシンク
62 第2のリード線/ヒートシンク
64 電流源
70 軟磁性下地層(SUL)
72 中間層
12 スライダ
14 トラック
16 磁気媒体
18 ボイスコイルモータ(VCM)
20 アクチュエータアーム
22 軸
24 ロードビーム
26 ヘッドマウンティングブロック
28 サスペンション
40 磁気ライタ
42 書き込み素子
44 書き込み素子先端
46 通電導体
48 戻り素子
50 導電性コイル
60 第1のリード線/ヒートシンク
62 第2のリード線/ヒートシンク
64 電流源
70 軟磁性下地層(SUL)
72 中間層
Claims (22)
- 媒体対向面を形成している書き込み素子先端を含む書き込み素子であって、前記媒体対向面に第1の磁界を発生するために動作可能である書き込み素子と、
前記書き込み素子先端の近傍に位置している導体と、
前記導体に接続し、前記第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために、前記導体に電流を供給するように構成される第1及び第2の導電性リード線と、
前記媒体対向面でのクロストラック方向に、前記書き込み素子先端の対向面上に配置される第1及び第2の側部素子であって、前記第1の導電性リード線の少なくとも一部が、前記第1の側部素子の前記媒体対向面に対向する側面上の前記第1の側部素子に隣接して配置され、前記第2の導電性リード線の少なくとも一部が、前記第2の側部素子の前記媒体対向面に対向する側面上の前記第2の側部素子に隣接して配置されている第1及び第2の側部素子と、
を備える磁気装置。 - 前記第1及び第2の導電性リード線及び前記導体が、同じ材料からできている、請求項1に記載の磁気装置。
- 前記第1及び第2の導電性リード線が、前記導体とは異なる材料からできている、請求項1に記載の磁気装置。
- 前記導体が、前記媒体対向面のところの前記書き込み素子先端と前記第1及び第2の側部素子との間を延びる、請求項1に記載の磁気装置。
- 前記導体が、前記媒体対向面から前記媒体対向面から遠い方の前記導体の側面へ延びるストライプ高さを有し、前記第1の導電性リード線の前記少なくとも一部及び前記第2の導電性リード線の前記少なくとも一部が、それぞれ、前記媒体対向面から前記ストライプ高さより長いか又はほぼ等しい距離のところに配置される、請求項1に記載の磁気装置。
- 前記第1及び第2の側部素子が、磁気材料からできている、請求項1に記載の磁気装置。
- 前記第1及び第2の側部素子が、非磁気材料からできている、請求項1に記載の磁気装置。
- 書き込み素子先端を含む書き込み素子であって、該書き込み素子先端のところに第1の磁界を発生するために動作可能である書き込み素子と、
媒体対向面のところの前記書き込み素子先端の近傍に位置する導体であって、最大保持可能な電流密度jmax、前記媒体対向面から前記媒体対向面から遠い方の前記導体の側面に延びるストライプ高さがh、及びダウントラック方向に延びる厚さtである導体と、
前記第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために前記導体に電流を供給する電流源であって、最大電流Imaxを供給し、前記ストライプ高さhがImax/(jmax×t)にほぼ等しい電流源と、
を備える磁気装置。 - 前記導体に接続し、前記電流源から前記導体に電流を供給するように構成される第1及び第2の導電性リード線を更に備える、請求項8に記載の磁気装置。
- 前記第1及び第2の導電性リード線及び前記導体が、同じ材料からできている、請求項9に記載の磁気装置。
- 前記第1及び第2の導電性リード線が、前記導体とは異なる材料からできている、請求項9に記載の磁気装置。
- 前記媒体対向面のところでクロストラック方向に前記書き込み素子先端の対向側面上に配置される第1及び第2の側部素子であって、前記第1の導電性リード線の少なくとも一部が、前記媒体対向面に対向する側面上の前記第1の側部素子に隣接して配置され、前記第2の導電性リード線の少なくとも一部が、前記媒体対向面に対向する側面上の前記第2の側部素子に隣接して配置される第1及び第2の側部素子を更に備える、請求項9に記載の磁気装置。
- 前記導体が、前記媒体対向面のところの前記書き込み素子先端と前記第1及び第2の側部素子との間を延びる、請求項12に記載の磁気装置。
- 前記第1のリード線の前記少なくとも一部及び前記第2のリード線の前記少なくとも一部が、それぞれ前記媒体対向面から前記ストライプ高さより長いか又はほぼ等しい距離のところに配置される、請求項12に記載の磁気装置。
- 前記第1及び第2の側部素子が、磁気材料からできている、請求項12に記載の磁気装置。
- 前記第1及び第2の側部素子が、非磁気材料からできている、請求項12に記載の磁気装置。
- 媒体対向面を形成している書き込み素子先端を含む書き込み素子であって、前記媒体対向面に第1の磁界を発生するために動作可能である書き込み素子と、
前記媒体対向面から遠い方の前記書き込み素子と磁気的に結合している戻り素子と、
前記媒体対向面に前記書き込み素子先端の近傍に位置する導体と、
前記導体に接続し、前記第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために、前記導体に電流を供給するように構成される第1及び第2の導電性ヒートシンクと、
前記媒体対向面のところでクロストラック方向に前記書き込み素子先端の対向側面上に配置される第1及び第2のサイドシールドであって、前記第1のサイドシールドの少なくとも一部が、前記媒体対向面に対向する前記第1のサイドシールドの側面上の前記第1の導電性ヒートシンクに隣接して配置され、前記第2のサイドシールドの少なくとも一部が、前記媒体対向面に対向する前記第2のサイドシールドの側面上の前記第2の導電性ヒートシンクに隣接して配置される第1及び第2のサイドシールドと、
を備える磁気ライタ。 - 前記第1の磁界を増大する第2の磁界を発生するために前記導体に電流を供給する電流源であって、前記電流源が最大電流Imaxを供給し、前記導体が、最大保持可能な電流密度jmax、前記媒体対向面から前記媒体対向面から遠い方の前記導体の側面に延びるストライプ高さh、及びダウントラック方向に延びる厚さtを有し、前記ストライプ高さhが、Imax/(jmax×t)にほぼ等しい電流源を更に備える、請求項17に記載の磁気ライタ。
- 前記第1の導電性ヒートシンクの前記少なくとも一部及び前記第2のヒートシンクの前記少なくとも一部が、それぞれ、前記媒体対向面から前記ストライプ高さhより長いか又はほぼ等しい距離のところに配置される、請求項18に記載の磁気ライタ。
- 前記第1及び第2の導電性ヒートシンク及び前記導体が、同じ材料からできている、請求項17に記載の磁気ライタ。
- 前記第1及び第2の導電性ヒートシンクが、前記導体とは異なる材料からできている、請求項17に記載の磁気ライタ。
- 前記導体が、前記媒体対向面のところの前記書き込み素子先端と前記第1及び第2のサイドシールドとの間を延びる、請求項17に記載の磁気ライタ。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090716 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100526 |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120110 |