JP4983500B2 - 情報記録媒体用基板、およびそれを用いた情報磁気記録媒体 - Google Patents
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図2に例示した製造方法にしたがって、情報記録媒体用基板を作製した。
熱酸化処理時間を変更して、主平面2、基板内周端面4および基板内周チャンファー部6のSiO2膜3の膜厚を変化させたことを除いて、実施例1の手順を繰り返して、情報記録媒体用基板を作製した。本実施例においては、基板内周端面4および基板内周チャンファー部6のSiO2膜3の膜厚を0nm(すなわち、基板内周端面4および基板内周チャンファー部6のSiO2膜3の熱酸化処理なし)から200nmまで変化させた。基板内周端面4のSiO2膜3の膜厚は、断面に対して透過電子顕微法(TEM)を適用することにより測定した。
主平面2上のSiO2膜3の膜厚を20nmとし、基板外周端面5のポリッシュ条件を変更して基板外周端面5のSiO2膜3の膜厚を変化させたことを除いて、実施例1の手順を繰り返して、情報記録媒体用基板を作製した。本実施例においては、基板外周端面5のSiO2膜3の膜厚を0nm(すなわち、基板外周端面5のSiO2膜3の完全除去)から100nmまで変化させた。基板外周端面5のSiO2膜3の膜厚は、断面に対して透過電子顕微法(TEM)を適用することにより測定した。
2 主平面
3 SiO2膜
4 基板内周端面
5 基板外周端面
6 基板内周チャンファー部
7 基板外周チャンファー部
8 中心孔
Claims (6)
- 中心孔を有する円板形状を有し、主平面と、該中心孔に隣接する基板内周端面と、該基板内周端面に対して主平面の反対側に位置する基板外周端面とを有する情報記録媒体用基板であって、シリコン単結晶支持体と、該シリコン単結晶支持体上に形成されたSiO2膜とを含み、該SiO2膜の主平面上の膜厚が10〜50nmであり、基板内周端面上のSiO2膜が50nm以上の膜厚を有し、基板外周端面上のSiO2膜が10nm以下の膜厚を有することを特徴とする、500Gbit/平方インチ〜1Tbit/平方インチの記録密度で情報記録を行うための熱アシスト方式の情報磁気記録媒体用基板。
- 少なくとも基板内周端面上のSiO2膜がシリコン単結晶支持体の熱酸化により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の情報磁気記録媒体用基板。
- 主平面および基板内周端面に隣接する基板内周チャンファー部と、主平面および基板外周端面に隣接する基板外周チャンファー部とをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の情報磁気記録媒体用基板。
- 基板内周端面および基板内周チャンファー部上のSiO2膜が50nm以上の膜厚を有することを特徴とする請求項3に記載の情報磁気記録媒体用基板。
- 少なくとも基板内周端面および基板内周チャンファー部上のSiO2膜がシリコン単結晶支持体の熱酸化により形成されていることを特徴とする請求項3または4に記載の情報磁気記録媒体用基板。
- 請求項1から5のいずれかに記載の情報磁気記録媒体用基板と、該情報磁気記録媒体用基板の上に形成された磁気記録層とを少なくとも含むことを特徴とする情報磁気記録媒体。
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