JPH06187628A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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- JPH06187628A JPH06187628A JP33832492A JP33832492A JPH06187628A JP H06187628 A JPH06187628 A JP H06187628A JP 33832492 A JP33832492 A JP 33832492A JP 33832492 A JP33832492 A JP 33832492A JP H06187628 A JPH06187628 A JP H06187628A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】熱酸化Ｓｉ単結晶基板１を用い、六方晶系の磁
性合金膜を情報記録層とした面内薄膜媒体、あるいは垂
直二層膜媒体を用い、面内薄膜媒体は、インダクティブ
薄膜ヘッドで記録，磁気抵抗効果型ヘッドで再生、垂直
二層膜媒体は、単磁極ヘッドで記録，磁気抵抗効果型ヘ
ッドで再生する。 【効果】優れた表面平滑性に加え、良好なアモルファス
性表面が実現できる。結晶配向性の優れた磁気記録媒体
を実現でき、かつ磁気ヘッドの浮上量を極めて小さくで
きるため、１平方インチ当たり１ギガビット以上の面記
録密度でも高いＳ／Ｎを得ることができる。
性合金膜を情報記録層とした面内薄膜媒体、あるいは垂
直二層膜媒体を用い、面内薄膜媒体は、インダクティブ
薄膜ヘッドで記録，磁気抵抗効果型ヘッドで再生、垂直
二層膜媒体は、単磁極ヘッドで記録，磁気抵抗効果型ヘ
ッドで再生する。 【効果】優れた表面平滑性に加え、良好なアモルファス
性表面が実現できる。結晶配向性の優れた磁気記録媒体
を実現でき、かつ磁気ヘッドの浮上量を極めて小さくで
きるため、１平方インチ当たり１ギガビット以上の面記
録密度でも高いＳ／Ｎを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク，磁気カ
ードその他の情報記録用磁気媒体、特に、高密度の情報
記録に適した磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
ードその他の情報記録用磁気媒体、特に、高密度の情報
記録に適した磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リジッドディスク用磁気記録媒
体には、Ｎｉ−ＰメッキしたＡｌ−Ｍｇ合金基板上にＣ
ｒ下地膜を介してＣｏ基合金磁性膜が形成される。しか
し、ヘッドの浮上量を０.１μｍ 以下に下げて記録密度
を向上させる観点から、より表面が平滑な基板が求めら
れている。さらに、基板加熱温度を上げてＣｏ基合金磁
性膜の結晶配向性を向上して、記録密度特性を高める観
点から、３００℃以上の耐熱性のある基板が要求されて
いる。
体には、Ｎｉ−ＰメッキしたＡｌ−Ｍｇ合金基板上にＣ
ｒ下地膜を介してＣｏ基合金磁性膜が形成される。しか
し、ヘッドの浮上量を０.１μｍ 以下に下げて記録密度
を向上させる観点から、より表面が平滑な基板が求めら
れている。さらに、基板加熱温度を上げてＣｏ基合金磁
性膜の結晶配向性を向上して、記録密度特性を高める観
点から、３００℃以上の耐熱性のある基板が要求されて
いる。
【０００３】前者に対しては、Ｎｉ−ＰメッキＡｌ−Ｍ
ｇ合金基板においても研磨技術を改良することでかなり
解決されるが、基板は３００℃以上に加熱するとＮｉが
析出し強磁性を持つようになり媒体の磁気特性を悪化さ
せるため、特に耐熱性に問題がある。また、表面平滑
性，耐熱性共に優れた基板としてガラス基板が採用され
つつあるが、ガラス基板を加熱すると基板上に堆積する
下地膜、或いは、磁性膜中にアルカリイオンが拡散し、
下地膜の結晶性や磁性膜の磁気特性を悪化させたり、ガ
ラス基板表面から出る水分が媒体を酸化させる原因にな
ったりする。
ｇ合金基板においても研磨技術を改良することでかなり
解決されるが、基板は３００℃以上に加熱するとＮｉが
析出し強磁性を持つようになり媒体の磁気特性を悪化さ
せるため、特に耐熱性に問題がある。また、表面平滑
性，耐熱性共に優れた基板としてガラス基板が採用され
つつあるが、ガラス基板を加熱すると基板上に堆積する
下地膜、或いは、磁性膜中にアルカリイオンが拡散し、
下地膜の結晶性や磁性膜の磁気特性を悪化させたり、ガ
ラス基板表面から出る水分が媒体を酸化させる原因にな
ったりする。
【０００４】そこで、特開昭59−96539 号公報に記載の
ように表面平滑性及び耐熱性に優れたＳｉ単結晶平板を
磁気記録媒体用基板に用いることが提案されている。し
かし、Ｓｉ単結晶基板上に薄膜を形成する場合は、基板
表面の結晶面の原子配列に影響を受けて自由核形成が抑
制されたり、反応してシリサイドを作りやすいため、結
晶性の制御が難しいという問題がある。また、特開昭59
−8141号公報では、反応性スパッタとこれに続く熱処理
によって形成されたフェライト磁性膜から成る磁気ディ
スク媒体用の基板として単結晶Ｓｉウエハの表面に酸化
膜を形成した基板を用いることが提案されている。
ように表面平滑性及び耐熱性に優れたＳｉ単結晶平板を
磁気記録媒体用基板に用いることが提案されている。し
かし、Ｓｉ単結晶基板上に薄膜を形成する場合は、基板
表面の結晶面の原子配列に影響を受けて自由核形成が抑
制されたり、反応してシリサイドを作りやすいため、結
晶性の制御が難しいという問題がある。また、特開昭59
−8141号公報では、反応性スパッタとこれに続く熱処理
によって形成されたフェライト磁性膜から成る磁気ディ
スク媒体用の基板として単結晶Ｓｉウエハの表面に酸化
膜を形成した基板を用いることが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、表面平滑性に優れ、かつ３００℃以上の高温でも化
学的に安定でさらに基板表面のアモルファス性の良好な
基板を適用することで、磁気ヘッドと媒体の情報記録層
表面との間の距離を０.０４μｍ 以下と極めて狭めるこ
とにより、従来の面内薄膜媒体と、インダクティブ記録
と磁気抵抗効果型再生による記録再生分離型薄膜ヘッド
の組合せで面記録密度が１平方インチ当り１ギガビット
以上である磁気記録装置を提供することにある。
は、表面平滑性に優れ、かつ３００℃以上の高温でも化
学的に安定でさらに基板表面のアモルファス性の良好な
基板を適用することで、磁気ヘッドと媒体の情報記録層
表面との間の距離を０.０４μｍ 以下と極めて狭めるこ
とにより、従来の面内薄膜媒体と、インダクティブ記録
と磁気抵抗効果型再生による記録再生分離型薄膜ヘッド
の組合せで面記録密度が１平方インチ当り１ギガビット
以上である磁気記録装置を提供することにある。
【０００６】また、本発明の別の目的は、表面平滑性に
優れ、かつ３００℃以上の高温でも化学的に安定でさら
に基板表面のアモルファス性の良好な基板を適用するこ
とで、磁気ヘッドと媒体の情報記録層表面との間の距離
を０.０４μｍ 以下と極めて狭めることにより、垂直磁
気記録方式を用いることで面記録密度が１平方インチ当
り１０ギガビット以上である磁気記録装置を提供するこ
とにある。
優れ、かつ３００℃以上の高温でも化学的に安定でさら
に基板表面のアモルファス性の良好な基板を適用するこ
とで、磁気ヘッドと媒体の情報記録層表面との間の距離
を０.０４μｍ 以下と極めて狭めることにより、垂直磁
気記録方式を用いることで面記録密度が１平方インチ当
り１０ギガビット以上である磁気記録装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の主たる目的は、
以下の手段により達成される。Ｓｉ単結晶平板上に、熱
酸化膜を形成した基板上に、非磁性下地膜を介しもしく
は直接、六方晶系の磁性合金から成る面内磁化膜を形成
した磁気記録媒体を用いる。前記Ｓｉ単結晶平板は（１
００）面が基板面に平行であることが望ましい。さら
に、情報記録再生用磁気ヘッドと対向する情報記録層表
面と、前記磁気ヘッドの媒体対向面との間の距離が、
０.０４μｍ 以下である磁気記憶装置を構成する。
以下の手段により達成される。Ｓｉ単結晶平板上に、熱
酸化膜を形成した基板上に、非磁性下地膜を介しもしく
は直接、六方晶系の磁性合金から成る面内磁化膜を形成
した磁気記録媒体を用いる。前記Ｓｉ単結晶平板は（１
００）面が基板面に平行であることが望ましい。さら
に、情報記録再生用磁気ヘッドと対向する情報記録層表
面と、前記磁気ヘッドの媒体対向面との間の距離が、
０.０４μｍ 以下である磁気記憶装置を構成する。
【０００８】また、本発明の他の目的は、以下の手段に
より達成される。上記のＳｉ単結晶上に熱酸化膜を形成
した基板上に非磁性下地膜を介しもしくは直接、高透磁
率磁性膜を形成した上に、六方晶系の磁性合金から成る
垂直磁化膜を形成した磁気記録媒体を用いる。前記磁気
記録媒体に対し、垂直磁気記録用単磁極ヘッドにより情
報を記録し、磁気抵抗効果型ヘッドにより該情報を再生
する。さらに、情報記録再生用磁気ヘッドと対向する情
報記録層表面と、前記磁気ヘッドの媒体対向面との間の
距離が、０.０４μｍ 以下である磁気記憶装置を構成す
る。
より達成される。上記のＳｉ単結晶上に熱酸化膜を形成
した基板上に非磁性下地膜を介しもしくは直接、高透磁
率磁性膜を形成した上に、六方晶系の磁性合金から成る
垂直磁化膜を形成した磁気記録媒体を用いる。前記磁気
記録媒体に対し、垂直磁気記録用単磁極ヘッドにより情
報を記録し、磁気抵抗効果型ヘッドにより該情報を再生
する。さらに、情報記録再生用磁気ヘッドと対向する情
報記録層表面と、前記磁気ヘッドの媒体対向面との間の
距離が、０.０４μｍ 以下である磁気記憶装置を構成す
る。
【０００９】
【作用】熱酸化処理を施した単結晶Ｓｉウエハは、半導
体分野における基幹材料であり、簡単な機械加工だけで
磁気記録媒体用基板に適用できる。そのため大量生産が
容易であり、安価にできる。さらに、単結晶Ｓｉウエハ
基板の表面粗さは中心線平均面粗さ（Ｒa ）が０.３ｎ
ｍ程度，最大面粗さ（Ｒmax）が３ｎｍ程度の極めて平
滑な面が容易に得られる。面方位が（１００）であるＳ
ｉ単結晶ウエハは、最も容易に入手可能な量産品である
と同時に、基板表面が微視的には単原子オーダの平滑性
が実現されるため、ＲaやＲmaxが同程度のガラス基板や
Ｎｉ−ＰメッキしたＡｌ−Ｍｇ合金基板の表面に比べて
微視的にはより平滑である。ところで、単結晶Ｓｉウエ
ハの表面には大気中に放置するだけで数ｎｍの自然酸化
膜ができるが、この程度の厚さの酸化膜ではＳｉ結晶表
面と格子整合性の無い結晶構造をもつ薄膜は、薄膜形成
プロセスにおける成長初期過程で、Ｓｉ結晶格子のポテ
ンシャルによりａｄ−ａｔｏｍの表面自由拡散が抑制さ
れるため、結晶構造及び結晶組織の分散が大きくなる。
これは、記録分解能の劣化や媒体ノイズの増大を導く原
因になる。しかし、単結晶Ｓｉウエハにアモルファスの
熱酸化膜を形成することで、該問題を容易に解決でき
る。さらに、熱酸化膜を形成することにより、Ｓｉ単結
晶表面にできるステップや欠陥等による局所的な急峻な
段差を滑らかにすることで、耐摺動性も向上する。ま
た、耐熱性に関しても、１０００℃程度まで安定であ
り、スパッタ成膜する際、記録膜として良好な磁気特性
を得るために３００℃以上の基板温度が必要な場合でも
十分安定である。
体分野における基幹材料であり、簡単な機械加工だけで
磁気記録媒体用基板に適用できる。そのため大量生産が
容易であり、安価にできる。さらに、単結晶Ｓｉウエハ
基板の表面粗さは中心線平均面粗さ（Ｒa ）が０.３ｎ
ｍ程度，最大面粗さ（Ｒmax）が３ｎｍ程度の極めて平
滑な面が容易に得られる。面方位が（１００）であるＳ
ｉ単結晶ウエハは、最も容易に入手可能な量産品である
と同時に、基板表面が微視的には単原子オーダの平滑性
が実現されるため、ＲaやＲmaxが同程度のガラス基板や
Ｎｉ−ＰメッキしたＡｌ−Ｍｇ合金基板の表面に比べて
微視的にはより平滑である。ところで、単結晶Ｓｉウエ
ハの表面には大気中に放置するだけで数ｎｍの自然酸化
膜ができるが、この程度の厚さの酸化膜ではＳｉ結晶表
面と格子整合性の無い結晶構造をもつ薄膜は、薄膜形成
プロセスにおける成長初期過程で、Ｓｉ結晶格子のポテ
ンシャルによりａｄ−ａｔｏｍの表面自由拡散が抑制さ
れるため、結晶構造及び結晶組織の分散が大きくなる。
これは、記録分解能の劣化や媒体ノイズの増大を導く原
因になる。しかし、単結晶Ｓｉウエハにアモルファスの
熱酸化膜を形成することで、該問題を容易に解決でき
る。さらに、熱酸化膜を形成することにより、Ｓｉ単結
晶表面にできるステップや欠陥等による局所的な急峻な
段差を滑らかにすることで、耐摺動性も向上する。ま
た、耐熱性に関しても、１０００℃程度まで安定であ
り、スパッタ成膜する際、記録膜として良好な磁気特性
を得るために３００℃以上の基板温度が必要な場合でも
十分安定である。
【００１０】このような優れた表面平滑性、かつ熱的安
定性を有する熱酸化Ｓｉ単結晶基板を磁気ディスクに用
いることにより、媒体表面と磁気ヘッド間の距離を０.
０４μｍ以下にすることができ、面内薄膜媒体と、イン
ダクティブ記録と磁気抵抗効果型再生による記録再生分
離型薄膜ヘッドの組合せで面記録密度が１平方インチ当
り１ギガビット以上である磁気記録装置を実現するため
に必要なＳ／Ｎを得ることができる。さらに、軟磁性裏
打ち層を有する垂直記録媒体に対し、リターンパスを有
する垂直磁気記録用単磁極ヘッドにより情報を記録し、
磁気抵抗効果型ヘッドにより該情報を再生することによ
り、面記録密度が１平方インチ当り１０ギガビット以上
である磁気記録装置を実現するために必要なＳ／Ｎを得
ることもできる。
定性を有する熱酸化Ｓｉ単結晶基板を磁気ディスクに用
いることにより、媒体表面と磁気ヘッド間の距離を０.
０４μｍ以下にすることができ、面内薄膜媒体と、イン
ダクティブ記録と磁気抵抗効果型再生による記録再生分
離型薄膜ヘッドの組合せで面記録密度が１平方インチ当
り１ギガビット以上である磁気記録装置を実現するため
に必要なＳ／Ｎを得ることができる。さらに、軟磁性裏
打ち層を有する垂直記録媒体に対し、リターンパスを有
する垂直磁気記録用単磁極ヘッドにより情報を記録し、
磁気抵抗効果型ヘッドにより該情報を再生することによ
り、面記録密度が１平方インチ当り１０ギガビット以上
である磁気記録装置を実現するために必要なＳ／Ｎを得
ることもできる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、説明の便宜上、以下の記載では、合金材料
の組成を簡略表示するために例えばＭ1−ａＭ2−ｂＭ3
の記号を使用することとする。ただし、Ｍ1 は主成分金
属元素、Ｍ2及びＭ3は添加金属元素、ａ及びｂは添加金
属元素の含有率（原子％）を示す。
する。なお、説明の便宜上、以下の記載では、合金材料
の組成を簡略表示するために例えばＭ1−ａＭ2−ｂＭ3
の記号を使用することとする。ただし、Ｍ1 は主成分金
属元素、Ｍ2及びＭ3は添加金属元素、ａ及びｂは添加金
属元素の含有率（原子％）を示す。
【００１２】《実施例１》面内薄膜媒体の断面を示す図
１を参照しながら実施例１を説明する。厚さ0.6mm，３
インチφの面方位が（１００）の単結晶Ｓｉウエハを
２.５ インチの磁気ディスク基板の標準仕様，形状に機
械加工した後、両面を鏡面研磨し、中心線平均面粗さ
（Ｒa ）が０.３ｎｍ，最大面粗さ（Ｒmax）が３ｎｍに
仕上げる。さらに通常の半導体プロセスで熱酸化膜を３
００ｎｍ形成し、これを熱酸化Ｓｉ単結晶基板１とす
る。直流マグネトロンスパッタ装置を使用し、先ず、基
板１の両面にＣｒ下地層２，２′を１００ｎｍの厚さで
形成した後、その上にＣｏ−１４Ｃｒ−８Ｐｔ磁性層
３，３′を３０ｎｍの厚さで形成し、更にその上にカー
ボン保護潤滑膜４，４′を１０ｎｍの厚さで形成して磁
気ディスクを作製した。非磁性下地層２，２′，六方晶
系磁性合金層３，３′，保護潤滑層４，４′の形成期間
中、基板温度，アルゴンガス圧及び投入電力をそれぞれ
３５０℃，０.７Ｐａ及び１.５ｋＷ（ターゲットは６イ
ンチφ）とした。
１を参照しながら実施例１を説明する。厚さ0.6mm，３
インチφの面方位が（１００）の単結晶Ｓｉウエハを
２.５ インチの磁気ディスク基板の標準仕様，形状に機
械加工した後、両面を鏡面研磨し、中心線平均面粗さ
（Ｒa ）が０.３ｎｍ，最大面粗さ（Ｒmax）が３ｎｍに
仕上げる。さらに通常の半導体プロセスで熱酸化膜を３
００ｎｍ形成し、これを熱酸化Ｓｉ単結晶基板１とす
る。直流マグネトロンスパッタ装置を使用し、先ず、基
板１の両面にＣｒ下地層２，２′を１００ｎｍの厚さで
形成した後、その上にＣｏ−１４Ｃｒ−８Ｐｔ磁性層
３，３′を３０ｎｍの厚さで形成し、更にその上にカー
ボン保護潤滑膜４，４′を１０ｎｍの厚さで形成して磁
気ディスクを作製した。非磁性下地層２，２′，六方晶
系磁性合金層３，３′，保護潤滑層４，４′の形成期間
中、基板温度，アルゴンガス圧及び投入電力をそれぞれ
３５０℃，０.７Ｐａ及び１.５ｋＷ（ターゲットは６イ
ンチφ）とした。
【００１３】《比較例１》実施例１の熱酸化Ｓｉ単結晶
基板１の代わりに、熱酸化工程を省いたＳｉ単結晶基板
を用いた以外は、実施例１と全く同様な方法により、別
の磁気ディスクを作製した。
基板１の代わりに、熱酸化工程を省いたＳｉ単結晶基板
を用いた以外は、実施例１と全く同様な方法により、別
の磁気ディスクを作製した。
【００１４】実施例１及び比較例１による磁気ディスク
と、ピエゾ素子を被着した、全長３０mmの通常型スライ
ダを用いて浮上特性を評価すると、実施例１，比較例１
の磁気ディスクに対してそれぞれ同程度の安定極低浮上
を実現できた。表１に実施例１及び比較例１の磁気ディ
スクのそれぞれについて、記録再生特性と磁気特性を示
す。記録再生特性は、薄膜ヘッドと磁気抵抗効果型ヘッ
ドを組合せ、それぞれで記録，再生を行う記録再生分離
型ヘッドを用いて測定した。薄膜ヘッドのトラック幅は
１μｍ、ギャップ長は０.４μｍ とし、磁気抵抗効果型
ヘッドのトラック幅に対応した電極間隔は０.８μｍ，
シールド間隔０.３μｍのシャントバイアス方式を用い
た。磁気特性は実施例１及び比較例２の磁気ディスクの
半径２０mmの１点を中心に直径７mmの円板状に試料を切
り出した後、片面、すなわち、保護潤滑層４′，六方晶
系磁性合金層３′，非磁性下地層２′を取り除いて測定
した。磁気特性のばらつきは、同心円上の４個所につい
て測定したところ、ほとんど無かった。すべての試料で
ディスクの面内方向では異方性がなかった。
と、ピエゾ素子を被着した、全長３０mmの通常型スライ
ダを用いて浮上特性を評価すると、実施例１，比較例１
の磁気ディスクに対してそれぞれ同程度の安定極低浮上
を実現できた。表１に実施例１及び比較例１の磁気ディ
スクのそれぞれについて、記録再生特性と磁気特性を示
す。記録再生特性は、薄膜ヘッドと磁気抵抗効果型ヘッ
ドを組合せ、それぞれで記録，再生を行う記録再生分離
型ヘッドを用いて測定した。薄膜ヘッドのトラック幅は
１μｍ、ギャップ長は０.４μｍ とし、磁気抵抗効果型
ヘッドのトラック幅に対応した電極間隔は０.８μｍ，
シールド間隔０.３μｍのシャントバイアス方式を用い
た。磁気特性は実施例１及び比較例２の磁気ディスクの
半径２０mmの１点を中心に直径７mmの円板状に試料を切
り出した後、片面、すなわち、保護潤滑層４′，六方晶
系磁性合金層３′，非磁性下地層２′を取り除いて測定
した。磁気特性のばらつきは、同心円上の４個所につい
て測定したところ、ほとんど無かった。すべての試料で
ディスクの面内方向では異方性がなかった。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１により、実施例１の磁気特性及び記録
再生特性は、比較例１に対して明らかに優れている。ま
た、実施例１において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性膜３，
３′はＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｗ，Ｃｏ−Ｓｍ等の材料を用いても同様の効果があっ
た。
再生特性は、比較例１に対して明らかに優れている。ま
た、実施例１において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性膜３，
３′はＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｗ，Ｃｏ−Ｓｍ等の材料を用いても同様の効果があっ
た。
【００１７】《実施例２》垂直記録媒体の断面を示す図
２を参照しながら実施例２を説明する。厚さ0.5mm，２
インチφの１００方位の単結晶Ｓｉウエハを１.８ イン
チの磁気ディスク基板の標準仕様，形状に機械加工した
後、両面を鏡面研磨し、中心線平均面粗さ（Ｒa ）が
０.３ｎｍ以下，最大面粗さ（Ｒmax）が３ｎｍ以下に仕
上げる。さらに通常の半導体プロセスで熱酸化膜を３０
０ｎｍ形成し、これを熱酸化単結晶基板１とする。直流
マグネトロンスパッタ装置を使用し、先ず、基板１の両
面にＭｏ−Ｃｕ−パーマロイ高透磁率磁性層５，５′を
７００ｎｍの厚さで形成した後、その上にＣｏ−１５Ｃ
ｒ−４Ｔａ磁性層３，３′を１００ｎｍの厚さで形成
し、更に、その上にカーボン保護潤滑層４，４′を１０
ｎｍの厚さで形成して磁気ディスクを作製した。高透磁
率磁性層５，５′，磁性合金層３，３′，保護潤滑層
４，４′の形成期間中、基板温度，アルゴンガス圧及び
投入電力をそれぞれ２２０℃，０.２７Ｐａ及び１ｋＷ
（ターゲットは４インチφ）とした。
２を参照しながら実施例２を説明する。厚さ0.5mm，２
インチφの１００方位の単結晶Ｓｉウエハを１.８ イン
チの磁気ディスク基板の標準仕様，形状に機械加工した
後、両面を鏡面研磨し、中心線平均面粗さ（Ｒa ）が
０.３ｎｍ以下，最大面粗さ（Ｒmax）が３ｎｍ以下に仕
上げる。さらに通常の半導体プロセスで熱酸化膜を３０
０ｎｍ形成し、これを熱酸化単結晶基板１とする。直流
マグネトロンスパッタ装置を使用し、先ず、基板１の両
面にＭｏ−Ｃｕ−パーマロイ高透磁率磁性層５，５′を
７００ｎｍの厚さで形成した後、その上にＣｏ−１５Ｃ
ｒ−４Ｔａ磁性層３，３′を１００ｎｍの厚さで形成
し、更に、その上にカーボン保護潤滑層４，４′を１０
ｎｍの厚さで形成して磁気ディスクを作製した。高透磁
率磁性層５，５′，磁性合金層３，３′，保護潤滑層
４，４′の形成期間中、基板温度，アルゴンガス圧及び
投入電力をそれぞれ２２０℃，０.２７Ｐａ及び１ｋＷ
（ターゲットは４インチφ）とした。
【００１８】《比較例２》実施例２の熱酸化Ｓｉ単結晶
基板１の代わりに、熱酸化工程を省いたＳｉ単結晶基板
１を用いた以外は、実施例２と全く同様な方法により、
別の磁気ディスクを作製した。
基板１の代わりに、熱酸化工程を省いたＳｉ単結晶基板
１を用いた以外は、実施例２と全く同様な方法により、
別の磁気ディスクを作製した。
【００１９】実施例２及び比較例２による磁気ディスク
と、ピエゾ素子を被着した、全長３０mmの通常型スライ
ダを用いて浮上特性を評価すると、実施例２，比較例２
の磁気ディスクに対してそれぞれ同程度の安定極低浮上
を実現できている。表２に、実施例２及び比較例２の磁
気ディスクのそれぞれについて、記録再生特性，磁気特
性及び結晶配向性を示す。記録再生特性は、垂直記録用
単磁極ヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドを組合せ、それぞ
れで記録，再生を行う記録再生分離型ヘッドを用いて測
定した。単磁極ヘッドの主磁極幅は０.５μｍ、主磁極
厚は０.３μｍとし、磁気抵抗効果型ヘッドのトラック
幅に対応した電極間隔は０.３μｍ ，シールド間隔０.
２μｍ のシャントバイアス方式を用いた。磁気特性
は、実施例２及び比較例２の磁気ディスクの半径１５mm
の１点を中心に直径７mmの円板状に試料を切り出した
後、片面、すなわち、保護潤滑層４′，六方晶系磁性合
金層３′，高透磁率磁性層５′を取り除いて測定した。
表２に示した磁気特性は、予め別の試料で高透磁率磁性
層５のみの磁気特性を測定し、これを差し引くことによ
って得た、磁性層３によるものである。
と、ピエゾ素子を被着した、全長３０mmの通常型スライ
ダを用いて浮上特性を評価すると、実施例２，比較例２
の磁気ディスクに対してそれぞれ同程度の安定極低浮上
を実現できている。表２に、実施例２及び比較例２の磁
気ディスクのそれぞれについて、記録再生特性，磁気特
性及び結晶配向性を示す。記録再生特性は、垂直記録用
単磁極ヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドを組合せ、それぞ
れで記録，再生を行う記録再生分離型ヘッドを用いて測
定した。単磁極ヘッドの主磁極幅は０.５μｍ、主磁極
厚は０.３μｍとし、磁気抵抗効果型ヘッドのトラック
幅に対応した電極間隔は０.３μｍ ，シールド間隔０.
２μｍ のシャントバイアス方式を用いた。磁気特性
は、実施例２及び比較例２の磁気ディスクの半径１５mm
の１点を中心に直径７mmの円板状に試料を切り出した
後、片面、すなわち、保護潤滑層４′，六方晶系磁性合
金層３′，高透磁率磁性層５′を取り除いて測定した。
表２に示した磁気特性は、予め別の試料で高透磁率磁性
層５のみの磁気特性を測定し、これを差し引くことによ
って得た、磁性層３によるものである。
【００２０】
【表２】
【００２１】磁気特性のばらつきは、同心円上の４個所
について測定したところ、ほとんど無かった。また、結
晶配向性は、実施例２及び比較例２の媒体についてそれ
ぞれＸ線回折測定を行い、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性層３の
ｃ軸配向性分散を００２反射のロッキング曲線の半値幅
（Δθ50）で評価した。
について測定したところ、ほとんど無かった。また、結
晶配向性は、実施例２及び比較例２の媒体についてそれ
ぞれＸ線回折測定を行い、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性層３の
ｃ軸配向性分散を００２反射のロッキング曲線の半値幅
（Δθ50）で評価した。
【００２２】表２により、実施例２の磁気特性，結晶配
向性及び記録再生特性は、比較例２に対して明らかに優
れている。また、実施例２において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
磁性層３，３′はＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｗ，Ｃｏ−Ｓｍ等の材料を、高透磁率磁性層
５，５′はパーマロイ，Ｎｂ−パーマロイ，Ｍｏ−パー
マロイ等の材料を用いても実施例２の場合と同様な効果
がある。また、実施例２で、熱酸化Ｓｉ単結晶基板１と
高透磁率磁性層５，５′の間にＴｉ下地膜あるいはＴｉ
−Ｔａ，Ｔｉ−Ｎｂ，Ｔｉ−Ｃｒ等のＴｉ基合金下地膜
を形成すれば、高透磁率磁性層５，５′および六方晶系
磁性合金層３，３′の結晶配向性や磁気特性が改善され
るのでより望ましい。
向性及び記録再生特性は、比較例２に対して明らかに優
れている。また、実施例２において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
磁性層３，３′はＣｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｗ，Ｃｏ−Ｓｍ等の材料を、高透磁率磁性層
５，５′はパーマロイ，Ｎｂ−パーマロイ，Ｍｏ−パー
マロイ等の材料を用いても実施例２の場合と同様な効果
がある。また、実施例２で、熱酸化Ｓｉ単結晶基板１と
高透磁率磁性層５，５′の間にＴｉ下地膜あるいはＴｉ
−Ｔａ，Ｔｉ−Ｎｂ，Ｔｉ−Ｃｒ等のＴｉ基合金下地膜
を形成すれば、高透磁率磁性層５，５′および六方晶系
磁性合金層３，３′の結晶配向性や磁気特性が改善され
るのでより望ましい。
【００２３】
【発明の効果】本発明による熱酸化Ｓｉ単結晶基板を用
いた磁気記録媒体によれば、従来の単結晶Ｓｉ基板の優
れた表面平滑性に加え、良好なアモルファス性表面が実
現できる。結晶配向性の優れた磁気記録媒体を実現で
き、かつ、磁気ヘッドの浮上量を極めて小さくできるた
め、１平方インチ当たり１ギガビット以上の面記録密度
でも高いＳ／Ｎを得ることができる。
いた磁気記録媒体によれば、従来の単結晶Ｓｉ基板の優
れた表面平滑性に加え、良好なアモルファス性表面が実
現できる。結晶配向性の優れた磁気記録媒体を実現で
き、かつ、磁気ヘッドの浮上量を極めて小さくできるた
め、１平方インチ当たり１ギガビット以上の面記録密度
でも高いＳ／Ｎを得ることができる。
【図１】本発明による面内磁気記録媒体の断面図。
【図２】本発明による垂直磁気記録媒体の断面図。
１…熱酸化Ｓｉ単結晶基板、２，２′…非磁性下地層、
３，３′…六方晶系の磁性合金層、４，４′…保護潤滑
層、５，５′…高透磁率磁性層。
３，３′…六方晶系の磁性合金層、４，４′…保護潤滑
層、５，５′…高透磁率磁性層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】Ｓｉ単結晶平板の表面に熱酸化膜を形成し
た基板を用い、情報記録層が六方晶系の磁性合金膜であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１において、前記Ｓｉ単結晶平板の
（１００）面が前記基板面に平行である磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記基板上に
非磁性下地膜を介しもしくは直接、情報記録層として面
内磁化膜を形成した磁気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１または２において、前記基板上に
非磁性下地膜を介しもしくは直接、高透磁率磁性層を形
成した上に、情報記録層として垂直磁化膜を形成した磁
気記録媒体。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、情報
記録再生用磁気ヘッドと対向する前記情報記録層の表面
と、前記磁気ヘッドの媒体対向面との間の距離が、情報
の記録再生時に０.０４μｍ 以下である磁気記憶装置。 - 【請求項６】請求項４または５において、前記磁気記録
媒体に対し、垂直磁気記録用単磁極ヘッドにより情報を
記録し、磁気抵抗効果型ヘッドにより該情報を再生する
磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33832492A JPH06187628A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33832492A JPH06187628A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187628A true JPH06187628A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18317075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33832492A Pending JPH06187628A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06187628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774783A (en) * | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| JP2009070464A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 情報記録媒体用基板、およびそれを用いた情報磁気記録媒体 |
| CN114067848A (zh) * | 2020-08-03 | 2022-02-18 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质用基板、磁记录介质及磁存储装置 |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP33832492A patent/JPH06187628A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774783A (en) * | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| USRE38587E1 (en) | 1995-03-17 | 2004-09-14 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| JP2009070464A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 情報記録媒体用基板、およびそれを用いた情報磁気記録媒体 |
| CN114067848A (zh) * | 2020-08-03 | 2022-02-18 | 昭和电工株式会社 | 磁记录介质用基板、磁记录介质及磁存储装置 |
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