JPH0877544A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0877544A JPH0877544A JP6315032A JP31503294A JPH0877544A JP H0877544 A JPH0877544 A JP H0877544A JP 6315032 A JP6315032 A JP 6315032A JP 31503294 A JP31503294 A JP 31503294A JP H0877544 A JPH0877544 A JP H0877544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- layer
- recording medium
- hard
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 521
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 483
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 136
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- -1 CoNiCrTa Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 abstract 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 6
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/736—Non-magnetic layer under a soft magnetic layer, e.g. between a substrate and a soft magnetic underlayer [SUL] or a keeper layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力且つ高角形比を実現した磁気記録媒
体を提供すること。 【構成】 磁気記録媒体は、Ａｌ合金の非磁性基板１上
にＮｉ−Ｐメッキの非磁性層２を施してテクスチャー処
理を行って得た非磁性基体１１上に、Ｃｒの非磁性下地
層３、ＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層４ａ、ＣｒＺｒＮｂ
の軟磁性層４ｂ、カーボンの保護層６、液体潤滑剤の潤
滑層７を順次積層した層構成である。磁性層４は硬磁性
層４ａと軟磁性層４ｂとの２層積層構造である。軟磁性
層４ｂの存在によって交換相互作用が優勢化し、角形比
が向上する。これによって高い線記録密度を有し、オー
バーライト特性が良好で、ある程度低ノイズを維持しつ
つ、良好な電磁変換特性の磁気記録媒体が得られた。ま
た高い角形比Ｓ* を容易に得ることができるため、磁気
記録媒体の量産性も高くなった。
体を提供すること。 【構成】 磁気記録媒体は、Ａｌ合金の非磁性基板１上
にＮｉ−Ｐメッキの非磁性層２を施してテクスチャー処
理を行って得た非磁性基体１１上に、Ｃｒの非磁性下地
層３、ＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層４ａ、ＣｒＺｒＮｂ
の軟磁性層４ｂ、カーボンの保護層６、液体潤滑剤の潤
滑層７を順次積層した層構成である。磁性層４は硬磁性
層４ａと軟磁性層４ｂとの２層積層構造である。軟磁性
層４ｂの存在によって交換相互作用が優勢化し、角形比
が向上する。これによって高い線記録密度を有し、オー
バーライト特性が良好で、ある程度低ノイズを維持しつ
つ、良好な電磁変換特性の磁気記録媒体が得られた。ま
た高い角形比Ｓ* を容易に得ることができるため、磁気
記録媒体の量産性も高くなった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固定磁気ディスク装置
等の磁気記録媒体及びその製造方法に関し、特に、磁性
層の構造，材質及びその形成法に関するものである。
等の磁気記録媒体及びその製造方法に関し、特に、磁性
層の構造，材質及びその形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的な金属薄膜磁気記録ディスク（媒
体）の断面構造は、図１４に示すように、非磁性基板１
上に非磁性層２が形成された基体１１の上に、非磁性金
属下地層３、単層の硬磁性層４（例えばＣｏＣｒＴａ又
はＣｏＣｒＰｔＴａ等）、Ｃ（カーボン）を主とする保
護層６が順次積層されており、更にその上に、液体潤滑
剤からなる潤滑層７が形成されているものである。
体）の断面構造は、図１４に示すように、非磁性基板１
上に非磁性層２が形成された基体１１の上に、非磁性金
属下地層３、単層の硬磁性層４（例えばＣｏＣｒＴａ又
はＣｏＣｒＰｔＴａ等）、Ｃ（カーボン）を主とする保
護層６が順次積層されており、更にその上に、液体潤滑
剤からなる潤滑層７が形成されているものである。
【０００３】このような磁気記録媒体においては、例え
ばＡｌ合金又はガラス材料からなる所要の平行度，平面
度及び表面粗さに仕上げ加工された非磁性基板１の表面
に、無電解めっき等の湿式成膜工程又はスパッタ，蒸着
等のようなドライ工程によりＮｉ−Ｐ又はＣｒ，Ａｌ層
からなる非磁性層２を形成して非磁性基体１１とする。
この後、非磁性基体１１の表面を機械加工等により平面
度及び表面粗さを再度仕上げ加工する場合もある。この
非磁性基体１１を約３００°Ｃに加熱し、かつ非磁性基
体１１に直流バイアスを−３５０Ｖ印加しながら、表面
にＣｒからなる膜厚１００ｎｍの非磁性金属下地層３、
Ｃｏを主とするＣｏＣｒＰｔＴａ等のような膜厚５０ｎ
ｍの硬磁性層４及びＣを主とする膜厚１０ｎｍの保護層
６を順次スパッタ成膜した後、保護層６上にフロロカー
ボン系の液体潤滑剤を膜厚２ｎｍ塗布して液体潤滑層７
とすることによって磁気記録媒体が作製される。このよ
うに作製された磁気記録媒体は、強度，寸法精度等の機
械特性は実用上支障なく良好であり、磁気特性も保磁力
（Ｈｃ）が約２０００Ｏｅ程度で、残留磁束密度Ｂｒと
膜厚δの積（Ｂｒ・δ）が２００Ｇμｍ程度と良好であ
る。磁化曲線のＨｃ近傍の傾きを示す指標である保磁力
角形比Ｓ* も０．９３程度と良好である。
ばＡｌ合金又はガラス材料からなる所要の平行度，平面
度及び表面粗さに仕上げ加工された非磁性基板１の表面
に、無電解めっき等の湿式成膜工程又はスパッタ，蒸着
等のようなドライ工程によりＮｉ−Ｐ又はＣｒ，Ａｌ層
からなる非磁性層２を形成して非磁性基体１１とする。
この後、非磁性基体１１の表面を機械加工等により平面
度及び表面粗さを再度仕上げ加工する場合もある。この
非磁性基体１１を約３００°Ｃに加熱し、かつ非磁性基
体１１に直流バイアスを−３５０Ｖ印加しながら、表面
にＣｒからなる膜厚１００ｎｍの非磁性金属下地層３、
Ｃｏを主とするＣｏＣｒＰｔＴａ等のような膜厚５０ｎ
ｍの硬磁性層４及びＣを主とする膜厚１０ｎｍの保護層
６を順次スパッタ成膜した後、保護層６上にフロロカー
ボン系の液体潤滑剤を膜厚２ｎｍ塗布して液体潤滑層７
とすることによって磁気記録媒体が作製される。このよ
うに作製された磁気記録媒体は、強度，寸法精度等の機
械特性は実用上支障なく良好であり、磁気特性も保磁力
（Ｈｃ）が約２０００Ｏｅ程度で、残留磁束密度Ｂｒと
膜厚δの積（Ｂｒ・δ）が２００Ｇμｍ程度と良好であ
る。磁化曲線のＨｃ近傍の傾きを示す指標である保磁力
角形比Ｓ* も０．９３程度と良好である。
【０００４】このような媒体を用いて電磁変換特性を評
価した場合、線記録密度の高さを示す指標である半値反
転密度Ｄ50（周波数に対する最大出力値が１／２になる
周波数を密度に換算した値）は７８ｋＦＣＩ（但しＦＣ
Ｉはフラックス・チェンジ・パー・インチ）、記録分解
能Ｒｅｓが６７％、孤立波の出力強度ＴＡＡ（トラック
・アベレージ・アンプリチュード）が０．６３ｍＶ、既
に存在する記録上に新たな情報を記録する特性（オーバ
ーライト特性Ｏ／Ｗ）が−３１ｄＢ、ノイズが６．６μ
Ｖであり、磁気記録再生特性の良好な結果が得られてい
る。
価した場合、線記録密度の高さを示す指標である半値反
転密度Ｄ50（周波数に対する最大出力値が１／２になる
周波数を密度に換算した値）は７８ｋＦＣＩ（但しＦＣ
Ｉはフラックス・チェンジ・パー・インチ）、記録分解
能Ｒｅｓが６７％、孤立波の出力強度ＴＡＡ（トラック
・アベレージ・アンプリチュード）が０．６３ｍＶ、既
に存在する記録上に新たな情報を記録する特性（オーバ
ーライト特性Ｏ／Ｗ）が−３１ｄＢ、ノイズが６．６μ
Ｖであり、磁気記録再生特性の良好な結果が得られてい
る。
【０００５】他方、磁気記録媒体において、硬磁性層４
を２層以上の複層の硬磁性層で形成した構造も既に報告
されている（日立 インターマグ’９１）。更に、２層
以上の複層の磁性層の間にＣｒ等の非磁性中間層を挟ん
だ構造も既に報告されている（例えば第１３回日本応用
磁気学会講演概要集１３，１１（１９８９））。また、
垂直磁気記録の分野において、自発磁化を膜面に対して
垂直に立たせるためにＮｉＦｅ膜等の軟磁性層をＣｏを
主とする硬磁性層の下側に、磁気ヘッドからの磁束を閉
じる目的で、裏打ち層として用いる場合が報告されてい
る（例えば第１３回日本応用磁気学会講演概要集１３，
４４２（１９８９））。
を２層以上の複層の硬磁性層で形成した構造も既に報告
されている（日立 インターマグ’９１）。更に、２層
以上の複層の磁性層の間にＣｒ等の非磁性中間層を挟ん
だ構造も既に報告されている（例えば第１３回日本応用
磁気学会講演概要集１３，１１（１９８９））。また、
垂直磁気記録の分野において、自発磁化を膜面に対して
垂直に立たせるためにＮｉＦｅ膜等の軟磁性層をＣｏを
主とする硬磁性層の下側に、磁気ヘッドからの磁束を閉
じる目的で、裏打ち層として用いる場合が報告されてい
る（例えば第１３回日本応用磁気学会講演概要集１３，
４４２（１９８９））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近情
報の多量化，多様化が急速に進み、情報の大量処理の必
要性から固定磁気ディスク装置の高記録密度化，大容量
化が強く望まれている。
報の多量化，多様化が急速に進み、情報の大量処理の必
要性から固定磁気ディスク装置の高記録密度化，大容量
化が強く望まれている。
【０００７】そのため、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）
及び保磁力角形比Ｓ* を更に高めることにより、線記録
密度が高く、オーバーライト特性が向上し、ノイズレベ
ル（Ｎ）を小さくし、良好な電磁変換特性を得る必要が
ある。更に、磁気記録媒体は大量に生産し１個あたりの
値段を安くするために、良品率（歩留り）を大きくする
必要がある。
及び保磁力角形比Ｓ* を更に高めることにより、線記録
密度が高く、オーバーライト特性が向上し、ノイズレベ
ル（Ｎ）を小さくし、良好な電磁変換特性を得る必要が
ある。更に、磁気記録媒体は大量に生産し１個あたりの
値段を安くするために、良品率（歩留り）を大きくする
必要がある。
【０００８】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、従来に比して高保磁力且つ高保磁力角形比を実現し
た磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにあ
る。
は、従来に比して高保磁力且つ高保磁力角形比を実現し
た磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、非磁性基板上に、非磁性金属下地層，強
磁性合金薄膜磁性層及び保護層を順次積層してなる磁気
記録媒体において、上記強磁性合金薄膜磁性層を硬磁性
層と軟磁性層からなる硬軟の２層積層構造としたことを
特徴とする。かかる硬軟の２層積層構造においては、硬
磁性層を第１層とし、この上に軟磁性層を第２層として
形成した構造でも良いし、また軟磁性層を第１層とし、
この上に硬磁性層を第２層として形成した構造でも良
い。
に、本発明は、非磁性基板上に、非磁性金属下地層，強
磁性合金薄膜磁性層及び保護層を順次積層してなる磁気
記録媒体において、上記強磁性合金薄膜磁性層を硬磁性
層と軟磁性層からなる硬軟の２層積層構造としたことを
特徴とする。かかる硬軟の２層積層構造においては、硬
磁性層を第１層とし、この上に軟磁性層を第２層として
形成した構造でも良いし、また軟磁性層を第１層とし、
この上に硬磁性層を第２層として形成した構造でも良
い。
【００１０】ここで、上記記軟磁性層としてはＣｏＺｒ
Ｎｂアモルファス軟磁性層やＮｉＦｅの微細な結晶から
成る軟磁性層とすることができる。そして、硬磁性層の
膜厚をｄｈ、軟磁性層の膜厚をｄｓとすると、膜厚比ｄ
＝〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕が０．５〜１．０の範囲で
あることが望ましい。更に、膜厚比ｄが０．７〜０．９
の範囲であることがより望ましい。
Ｎｂアモルファス軟磁性層やＮｉＦｅの微細な結晶から
成る軟磁性層とすることができる。そして、硬磁性層の
膜厚をｄｈ、軟磁性層の膜厚をｄｓとすると、膜厚比ｄ
＝〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕が０．５〜１．０の範囲で
あることが望ましい。更に、膜厚比ｄが０．７〜０．９
の範囲であることがより望ましい。
【００１１】また、上記硬磁性層としては、ＣｏＣｒＰ
ｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＴａ，ＣｏＮｉＣ
ｒから成る群から選ばれた合金材料を用いることができ
る。
ｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＴａ，ＣｏＮｉＣ
ｒから成る群から選ばれた合金材料を用いることができ
る。
【００１２】他方、上述の磁性層２層構造を有する磁気
記録媒体の製造方法において、上記非磁性金属下地層を
スパッタ形成後、１５秒以内に上記硬磁性層のスパッタ
成膜を開始して成膜し、しかる後、チャンバーを大気開
放しないで引続き上記軟磁性層をスパッタ成膜すること
を特徴とする。
記録媒体の製造方法において、上記非磁性金属下地層を
スパッタ形成後、１５秒以内に上記硬磁性層のスパッタ
成膜を開始して成膜し、しかる後、チャンバーを大気開
放しないで引続き上記軟磁性層をスパッタ成膜すること
を特徴とする。
【００１３】このように、磁性層が硬軟の２層積層構造
である場合、硬磁性層自体としては単層に限らず、２層
積層構造としても良い。即ち、非磁性金属下地層の上に
第１硬磁性層，第２硬磁性層及び軟磁性層を積層した３
層構造の磁性層であっても良い。ここで、第１硬磁性層
と第２硬磁性層の総膜厚をｄ１２、軟磁性層の膜厚をｄ
３とすると、上記の関係からも、膜厚比Ｄ＝〔ｄ１２／
（ｄ１２＋ｄ３）〕は０．５≦Ｄ＜１の範囲であること
が望ましい。特に、膜厚比Ｄは０．７≦Ｄ≦０．９の範
囲にあることがより望ましい。
である場合、硬磁性層自体としては単層に限らず、２層
積層構造としても良い。即ち、非磁性金属下地層の上に
第１硬磁性層，第２硬磁性層及び軟磁性層を積層した３
層構造の磁性層であっても良い。ここで、第１硬磁性層
と第２硬磁性層の総膜厚をｄ１２、軟磁性層の膜厚をｄ
３とすると、上記の関係からも、膜厚比Ｄ＝〔ｄ１２／
（ｄ１２＋ｄ３）〕は０．５≦Ｄ＜１の範囲であること
が望ましい。特に、膜厚比Ｄは０．７≦Ｄ≦０．９の範
囲にあることがより望ましい。
【００１４】そして、第１硬磁性層（下層）の保磁力を
Ｈｃ１、第２硬磁性層（上層）の保磁力をＨｃ２とする
と、第１硬磁性層と第２硬磁性層がＨｃ１＜Ｈｃ２を満
たすＣｏ系強磁性層であり、第１硬磁性層の膜厚をｄ
１、第２硬磁性層の膜厚をｄ２とすると、膜厚比Ｄ′＝
〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ２）〕は０．７≦Ｄ′＜１．０の範
囲であることが望ましい。
Ｈｃ１、第２硬磁性層（上層）の保磁力をＨｃ２とする
と、第１硬磁性層と第２硬磁性層がＨｃ１＜Ｈｃ２を満
たすＣｏ系強磁性層であり、第１硬磁性層の膜厚をｄ
１、第２硬磁性層の膜厚をｄ２とすると、膜厚比Ｄ′＝
〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ２）〕は０．７≦Ｄ′＜１．０の範
囲であることが望ましい。
【００１５】具体的には、第１硬磁性層をＣｏＣｒＴａ
強磁性層、第２硬磁性層をＣｏＣｒＰｔＴａ強磁性層、
軟磁性層をＣｏＺｒＮｂアモルファス軟磁性層とするこ
とができ、また、第１硬磁性層をＣｏＣｒＴａ強磁性
層、第２硬磁性層をＣｏＣｒＰｔＴａ強磁性層、軟磁性
層をＮｉＦｅの微細な結晶から成る軟磁性層とすること
ができる。
強磁性層、第２硬磁性層をＣｏＣｒＰｔＴａ強磁性層、
軟磁性層をＣｏＺｒＮｂアモルファス軟磁性層とするこ
とができ、また、第１硬磁性層をＣｏＣｒＴａ強磁性
層、第２硬磁性層をＣｏＣｒＰｔＴａ強磁性層、軟磁性
層をＮｉＦｅの微細な結晶から成る軟磁性層とすること
ができる。
【００１６】また、２層の硬磁性層と軟磁性層とから成
る３層積層構造の磁性層を備えた磁気記録媒体の製造方
法において、非磁性金属下地層のスパッタ形成後、１５
秒以内に第１硬磁性層のスパッタ成膜を開始して成膜
し、更に第１硬磁性層の形成後、１０秒以内に第２硬磁
性層のスパッタ成膜を開始して成膜し、更に第２硬磁性
層の形成後、チャンバーを大気開放しないで引続き軟磁
性層をスパッタ成膜することを特徴とする。
る３層積層構造の磁性層を備えた磁気記録媒体の製造方
法において、非磁性金属下地層のスパッタ形成後、１５
秒以内に第１硬磁性層のスパッタ成膜を開始して成膜
し、更に第１硬磁性層の形成後、１０秒以内に第２硬磁
性層のスパッタ成膜を開始して成膜し、更に第２硬磁性
層の形成後、チャンバーを大気開放しないで引続き軟磁
性層をスパッタ成膜することを特徴とする。
【００１７】
【作用】このように、強磁性合金薄膜磁性層を硬磁性層
の単層とするのではなく、硬磁性層と軟磁性層との複層
構造とすることにより、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）
と角形比Ｓ* が共に高くなることが見出された。軟磁性
層の存在によって交換相互作用が優勢化し、角形比が向
上するものである。これによって高い線記録密度を有
し、オーバーライト特性が良好で、ある程度低ノイズを
維持しつつ、良好な電磁変換特性の磁気記録媒体が得ら
れた。また高い角形比Ｓ* を容易に得ることができるた
め、磁気記録媒体の量産性も高くなった。
の単層とするのではなく、硬磁性層と軟磁性層との複層
構造とすることにより、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）
と角形比Ｓ* が共に高くなることが見出された。軟磁性
層の存在によって交換相互作用が優勢化し、角形比が向
上するものである。これによって高い線記録密度を有
し、オーバーライト特性が良好で、ある程度低ノイズを
維持しつつ、良好な電磁変換特性の磁気記録媒体が得ら
れた。また高い角形比Ｓ* を容易に得ることができるた
め、磁気記録媒体の量産性も高くなった。
【００１８】このような硬磁性層と軟磁性層の２層積層
構造においては、実験によると、どちらを下層又は上層
としても構わないことが判明した。
構造においては、実験によると、どちらを下層又は上層
としても構わないことが判明した。
【００１９】上記軟磁性層としては結晶ＮｉＦｅやＣｏ
ＺｒＮｂアモルファス軟磁性層とすることができる。そ
して、硬磁性層の膜厚をｄｈ、軟磁性層の膜厚をｄｓと
すると、膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕が０．５〜
１．０の範囲であることが望ましい。かかる場合、ガラ
ス基板を用いるときでも、保磁力Ｈｃは５００（Ｏｅ）
以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８２以上である。更
に、膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕が０．７〜０．９
の範囲であることがより望ましい。かかる場合、ガラス
基板を用いるときでも、保磁力Ｈｃは１０００（Ｏｅ）
以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８５以上である。
ＺｒＮｂアモルファス軟磁性層とすることができる。そ
して、硬磁性層の膜厚をｄｈ、軟磁性層の膜厚をｄｓと
すると、膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕が０．５〜
１．０の範囲であることが望ましい。かかる場合、ガラ
ス基板を用いるときでも、保磁力Ｈｃは５００（Ｏｅ）
以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８２以上である。更
に、膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕が０．７〜０．９
の範囲であることがより望ましい。かかる場合、ガラス
基板を用いるときでも、保磁力Ｈｃは１０００（Ｏｅ）
以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８５以上である。
【００２０】他方、上述のような硬磁性層と軟磁性層の
２層積層構造において、硬磁性層と軟磁性層の交換結合
を切らずに成膜する必要があるため、非磁性金属下地層
をスパッタ形成後、１５秒以内に上記硬磁性層のスパッ
タ成膜を開始して成膜し、チャンバーを大気開放しない
で引続き軟磁性層をスパッタ成膜するものである。硬磁
性層と軟磁性層を大気に開放せずに真空中で連続成膜す
るため、酸化膜等が生成されず、静磁気相互作用が優勢
にならずに済み、交換相互作用を優勢化でき、角形比Ｓ
* を向上させることができる。
２層積層構造において、硬磁性層と軟磁性層の交換結合
を切らずに成膜する必要があるため、非磁性金属下地層
をスパッタ形成後、１５秒以内に上記硬磁性層のスパッ
タ成膜を開始して成膜し、チャンバーを大気開放しない
で引続き軟磁性層をスパッタ成膜するものである。硬磁
性層と軟磁性層を大気に開放せずに真空中で連続成膜す
るため、酸化膜等が生成されず、静磁気相互作用が優勢
にならずに済み、交換相互作用を優勢化でき、角形比Ｓ
* を向上させることができる。
【００２１】上記磁気記録媒体の磁性層は硬磁性層の単
層構造となっている。このため、軟磁性層の膜厚比率の
増加に伴って保磁力Ｈｃは減少するので、軟磁性層の膜
厚比率の大きな領域で安定した高保磁力を得ることが難
しい。そこで本発明は、硬磁性層と軟磁性層の２層積層
構造において硬磁性層自体を複層構造（２層積層構造）
としていること特徴とする。軟磁性層を積層することに
より磁性層全体の交換結合力が増加し、保磁力角形比Ｓ
* が向上することは勿論のこと、硬磁性層を２層積層構
造とすることにより高角形比を維持しつつ硬磁性層単層
の場合に比して高保磁力を実現できる。
層構造となっている。このため、軟磁性層の膜厚比率の
増加に伴って保磁力Ｈｃは減少するので、軟磁性層の膜
厚比率の大きな領域で安定した高保磁力を得ることが難
しい。そこで本発明は、硬磁性層と軟磁性層の２層積層
構造において硬磁性層自体を複層構造（２層積層構造）
としていること特徴とする。軟磁性層を積層することに
より磁性層全体の交換結合力が増加し、保磁力角形比Ｓ
* が向上することは勿論のこと、硬磁性層を２層積層構
造とすることにより高角形比を維持しつつ硬磁性層単層
の場合に比して高保磁力を実現できる。
【００２２】特に、第１硬磁性層の保磁力をＨｃ１、第
２硬磁性層の保磁力をＨｃ２とすると、第１硬磁性層及
び前記第２硬磁性層が、Ｈｃ１＜Ｈｃ２を満たすＣｏ系
強磁性層であって、第１硬磁性層の膜厚をｄ１、第２硬
磁性層の膜厚をｄ２とすると、膜厚比Ｄ′＝〔ｄ２／
（ｄ１＋ｄ２）〕が、０．７≦Ｄ′＜１．０の範囲であ
る場合には、更に一層の高保磁力の媒体を得ることがで
きる。
２硬磁性層の保磁力をＨｃ２とすると、第１硬磁性層及
び前記第２硬磁性層が、Ｈｃ１＜Ｈｃ２を満たすＣｏ系
強磁性層であって、第１硬磁性層の膜厚をｄ１、第２硬
磁性層の膜厚をｄ２とすると、膜厚比Ｄ′＝〔ｄ２／
（ｄ１＋ｄ２）〕が、０．７≦Ｄ′＜１．０の範囲であ
る場合には、更に一層の高保磁力の媒体を得ることがで
きる。
【００２３】そして、このような３層積層構造の磁性層
を備えた磁気記録媒体の製造方法においても、非磁性金
属下地層のスパッタ形成後、１５秒以内に前記第１硬磁
性層のスパッタ成膜を開始して成膜し、更に第１硬磁性
層の形成後、１０秒以内に第２硬磁性層のスパッタ成膜
を開始して成膜し、更に第２硬磁性層の形成後、チャン
バーを大気開放しないで引続き軟磁性層をスパッタ成膜
する方法を採用すると、酸化膜等が生成されず、硬磁性
層と軟磁性層の交換結合を切らずに、高角形比の媒体を
得ることができる。
を備えた磁気記録媒体の製造方法においても、非磁性金
属下地層のスパッタ形成後、１５秒以内に前記第１硬磁
性層のスパッタ成膜を開始して成膜し、更に第１硬磁性
層の形成後、１０秒以内に第２硬磁性層のスパッタ成膜
を開始して成膜し、更に第２硬磁性層の形成後、チャン
バーを大気開放しないで引続き軟磁性層をスパッタ成膜
する方法を採用すると、酸化膜等が生成されず、硬磁性
層と軟磁性層の交換結合を切らずに、高角形比の媒体を
得ることができる。
【００２４】
【実施例】次に添付図面を参照して本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００２５】〔第１実施例〕図１は本発明の第１実施例
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例の磁気記録媒体は、Ａｌ合金の非磁性基板１上
にＮｉ−Ｐメッキの非磁性層２を施してテクスチャー処
理を行って得た非磁性基体１１上に、Ｃｒの非磁性下地
層３、ＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層４ａ、ＣｒＺｒＮｂ
の軟磁性層４ｂ、カーボンの保護層６、液体潤滑剤の潤
滑層７を順次積層した層構成である。
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例の磁気記録媒体は、Ａｌ合金の非磁性基板１上
にＮｉ−Ｐメッキの非磁性層２を施してテクスチャー処
理を行って得た非磁性基体１１上に、Ｃｒの非磁性下地
層３、ＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層４ａ、ＣｒＺｒＮｂ
の軟磁性層４ｂ、カーボンの保護層６、液体潤滑剤の潤
滑層７を順次積層した層構成である。
【００２６】ここで強磁性合金薄膜の磁性層４は硬磁性
層４ａと軟磁性層４ｂとの２層積層構造である。
層４ａと軟磁性層４ｂとの２層積層構造である。
【００２７】本例の磁気記録媒体は、内外径加工及び面
切削を施したＡｌ合金からなるディスク上の基板１の表
面に、無電解メッキによりＮｉ−Ｐからなる非磁性金属
層２を形成する。そして、この非磁性金属層２の表面を
超精密平面研磨して、表面粗さを中心線平均粗さＲａで
約６０Åとし、更にテクスチャ加工を施し、精密洗浄し
て所要の表面形状を有する基体１１を作製する。この基
体１１をホルダーにセットした後、インライン方式のマ
グネトロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込む。そし
て、この仕込み室を５×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度ま
で排気し、基体１１の温度を３００°Ｃまで加熱する。
続いて、基体１１のセットされたホルダーを成膜室へ搬
送してセットし、この成膜室を圧力が０．７ＰａのＡｒ
ガス雰囲気下とする。次に、この成膜室において、基体
１１に−３５０Ｖの直流バイアスを印加しながら、Ｃｒ
スパッタ成膜を施し膜厚が１００ｎｍの非磁性下地層３
を形成し、同一成膜室で引続きＣｏ78Ｃｒ14Ｐｔ6 Ｔａ
2 合金からなる膜厚ｄｈの硬磁性層４ａをスパッタ成膜
し、更に、同一成膜室でＣｏ90Ｚｒ3.5 Ｎｂ6.5 合金か
らなる膜厚ｄｓの軟磁性層４ａをスパッタ成膜した後、
１５ｎｍのカーボン保護層６をスパッタ成膜する。ここ
で、非磁性金属下地層３をスパッタ形成後、１５秒以内
に硬磁性層４ａのスパッタ成膜を開始して成膜し、チャ
ンバーを大気開放しないで引続き軟磁性層４ｂをスパッ
タ成膜する。硬磁性層と軟磁性層の交換結合を切らずに
成膜する必要があるため、真空中で硬磁性層４ａを成膜
後、引続き軟磁性層４ｂを大気に開放せずに成膜する。
酸化膜等が生成されず、後述するように、静磁気相互作
用が優勢にならずに済み、交換相互作用を優勢化でき、
保磁力角形比Ｓ* が向上する。なお、基板１に強化ガラ
スを用いる場合には、非磁性金属層２は膜厚として５０
ｎｍのＣｒ層を成膜して基体１１とする。その後の成膜
工程はＡｌ基板の場合と同様である。これらの成膜が全
て終了した後、ホルダーを取り外し室に搬送し、大気圧
下において成膜された基体をホルダーより外す。そし
て、カーボン保護層６の表面に、フロロカーボン系の液
体潤滑剤を塗布して膜厚２０Åの潤滑層７を形成し、磁
気記録媒体とする。
切削を施したＡｌ合金からなるディスク上の基板１の表
面に、無電解メッキによりＮｉ−Ｐからなる非磁性金属
層２を形成する。そして、この非磁性金属層２の表面を
超精密平面研磨して、表面粗さを中心線平均粗さＲａで
約６０Åとし、更にテクスチャ加工を施し、精密洗浄し
て所要の表面形状を有する基体１１を作製する。この基
体１１をホルダーにセットした後、インライン方式のマ
グネトロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込む。そし
て、この仕込み室を５×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度ま
で排気し、基体１１の温度を３００°Ｃまで加熱する。
続いて、基体１１のセットされたホルダーを成膜室へ搬
送してセットし、この成膜室を圧力が０．７ＰａのＡｒ
ガス雰囲気下とする。次に、この成膜室において、基体
１１に−３５０Ｖの直流バイアスを印加しながら、Ｃｒ
スパッタ成膜を施し膜厚が１００ｎｍの非磁性下地層３
を形成し、同一成膜室で引続きＣｏ78Ｃｒ14Ｐｔ6 Ｔａ
2 合金からなる膜厚ｄｈの硬磁性層４ａをスパッタ成膜
し、更に、同一成膜室でＣｏ90Ｚｒ3.5 Ｎｂ6.5 合金か
らなる膜厚ｄｓの軟磁性層４ａをスパッタ成膜した後、
１５ｎｍのカーボン保護層６をスパッタ成膜する。ここ
で、非磁性金属下地層３をスパッタ形成後、１５秒以内
に硬磁性層４ａのスパッタ成膜を開始して成膜し、チャ
ンバーを大気開放しないで引続き軟磁性層４ｂをスパッ
タ成膜する。硬磁性層と軟磁性層の交換結合を切らずに
成膜する必要があるため、真空中で硬磁性層４ａを成膜
後、引続き軟磁性層４ｂを大気に開放せずに成膜する。
酸化膜等が生成されず、後述するように、静磁気相互作
用が優勢にならずに済み、交換相互作用を優勢化でき、
保磁力角形比Ｓ* が向上する。なお、基板１に強化ガラ
スを用いる場合には、非磁性金属層２は膜厚として５０
ｎｍのＣｒ層を成膜して基体１１とする。その後の成膜
工程はＡｌ基板の場合と同様である。これらの成膜が全
て終了した後、ホルダーを取り外し室に搬送し、大気圧
下において成膜された基体をホルダーより外す。そし
て、カーボン保護層６の表面に、フロロカーボン系の液
体潤滑剤を塗布して膜厚２０Åの潤滑層７を形成し、磁
気記録媒体とする。
【００２８】図２（ａ）はＡｌ基板の場合の硬磁性層の
膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）
に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図２
（ｂ）はＡｌ基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性
層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力角
形比Ｓ* の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ＋ｄ
ｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録媒
体について測定している。
膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）
に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図２
（ｂ）はＡｌ基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性
層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力角
形比Ｓ* の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ＋ｄ
ｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録媒
体について測定している。
【００２９】図２（ａ）から判るように、保磁力Ｈｃは
硬磁性層４ｂの膜厚ｄｈの増加に伴って増加するが、逆
に、保磁力角形比Ｓ* は軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓの増加
に伴って増加する傾向を示すものの、Ａｌ基板では保磁
力角形比Ｓ* は０．９６以上で最高で殆ど１に近い０．
９９である。これは、軟磁性膜４ｂの積層により磁性層
４の全体的な交換結合力が増加したものと考えられる。
硬磁性層４ｂの膜厚ｄｈの増加に伴って増加するが、逆
に、保磁力角形比Ｓ* は軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓの増加
に伴って増加する傾向を示すものの、Ａｌ基板では保磁
力角形比Ｓ* は０．９６以上で最高で殆ど１に近い０．
９９である。これは、軟磁性膜４ｂの積層により磁性層
４の全体的な交換結合力が増加したものと考えられる。
【００３０】図３（ａ）はガラス基板の場合の硬磁性層
の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比
率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図３
（ｂ）はガラス基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁
性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力
角形比Ｓ* の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ＋
ｄｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録
媒体について測定している。ガラス基板の場合も、保磁
力Ｈｃは硬磁性層４ｂの膜厚ｄｈの増加に伴って増加
し、逆に、保磁力角形比Ｓ* は軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓ
の増加に伴って増加する。高角形比の得にくいガラス基
板においても角形比Ｓ* の最高は０．９２と従来に比較
して大変高い角形比が得られた。これは、軟磁性膜４ｂ
の積層により磁性層４の全体的な交換結合力が増加した
ものと考えられる。
の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比
率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図３
（ｂ）はガラス基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁
性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力
角形比Ｓ* の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ＋
ｄｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録
媒体について測定している。ガラス基板の場合も、保磁
力Ｈｃは硬磁性層４ｂの膜厚ｄｈの増加に伴って増加
し、逆に、保磁力角形比Ｓ* は軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓ
の増加に伴って増加する。高角形比の得にくいガラス基
板においても角形比Ｓ* の最高は０．９２と従来に比較
して大変高い角形比が得られた。これは、軟磁性膜４ｂ
の積層により磁性層４の全体的な交換結合力が増加した
ものと考えられる。
【００３１】磁性層比率に対する保磁力Ｈｃの依存性と
磁性層比率に対する角形比Ｓ* の依存性は逆特性である
ので、高保磁力且つ高角形比を満足する磁性層比率の適
性範囲が存在する。図２のＡｌ基板の場合、磁性層比率
（ｄｈ：ｄｓ）が（５：５）〜（１０：０）の範囲であ
れば、即ち０．５≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕＜
１の範囲では、保磁力Ｈｃは８００（Ｏｅ）以上で、保
磁力角形比Ｓ* は０．９６以上である。磁性層比率（ｄ
ｈ：ｄｓ）が（７：３）〜（９：１）の範囲であれば、
即ち０．７≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕≦０．９
の範囲では、保磁力Ｈｃは１４００（Ｏｅ）以上で、保
磁力角形比Ｓ* は０．９８以上である。
磁性層比率に対する角形比Ｓ* の依存性は逆特性である
ので、高保磁力且つ高角形比を満足する磁性層比率の適
性範囲が存在する。図２のＡｌ基板の場合、磁性層比率
（ｄｈ：ｄｓ）が（５：５）〜（１０：０）の範囲であ
れば、即ち０．５≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕＜
１の範囲では、保磁力Ｈｃは８００（Ｏｅ）以上で、保
磁力角形比Ｓ* は０．９６以上である。磁性層比率（ｄ
ｈ：ｄｓ）が（７：３）〜（９：１）の範囲であれば、
即ち０．７≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕≦０．９
の範囲では、保磁力Ｈｃは１４００（Ｏｅ）以上で、保
磁力角形比Ｓ* は０．９８以上である。
【００３２】他方、図３のガラス基板の場合、磁性層比
率（ｄｈ：ｄｓ）が（５：５）〜（１０：０）の範囲で
あれば、即ち０．５≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕
＜１の範囲では、保磁力Ｈｃは５００（Ｏｅ）以上で、
保磁力角形比Ｓ* は０．８２以上である。磁性層比率
（ｄｈ：ｄｓ）が（７：３）〜（９：１）の範囲であれ
ば、即ち０．７≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕≦
０．９の範囲では、保磁力Ｈｃは１０００（Ｏｅ）以上
で、保磁力角形比Ｓ* は０．８５以上である。
率（ｄｈ：ｄｓ）が（５：５）〜（１０：０）の範囲で
あれば、即ち０．５≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕
＜１の範囲では、保磁力Ｈｃは５００（Ｏｅ）以上で、
保磁力角形比Ｓ* は０．８２以上である。磁性層比率
（ｄｈ：ｄｓ）が（７：３）〜（９：１）の範囲であれ
ば、即ち０．７≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕≦
０．９の範囲では、保磁力Ｈｃは１０００（Ｏｅ）以上
で、保磁力角形比Ｓ* は０．８５以上である。
【００３３】図４にＡｌ基板を用いた磁気記録媒体にお
いて保磁力Ｈｃと外部磁場Ｈｅｘの比に対するδＭ解析
結果を示す。図中のｔは〔硬磁性層の膜厚ｄｈ／（硬磁
性層の膜厚ｄｈ＋軟磁性層の膜厚ｄｓ）〕を示してお
り、ｔ＝１．０はＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層のみの単
層の場合である。δＭ解析は、膜中の粒子間に働く磁気
相互作用が交換相互作用又は静磁気的相互作用のいずれ
が大きいかを判定するもので、δＭ値が正ならば交換相
互作用が優勢で、δＭ値が負ならば静磁気的相互作用が
優勢であることを表す。図４から判るように、軟磁性層
の膜厚ｄｓの増加に伴って（膜厚比ｔの減少に伴っ
て）、δＭの値が正側に増加しており、これは交換相互
作用がより支配的になっていることを示唆している。こ
のように、本例では磁性層４を硬磁性層４ａと軟磁性層
４ｂとの２層構造とすることにより、軟磁性層４ｂの存
在により交換相互作用を優勢化して角形比Ｓ* を向上さ
せるようにしている。
いて保磁力Ｈｃと外部磁場Ｈｅｘの比に対するδＭ解析
結果を示す。図中のｔは〔硬磁性層の膜厚ｄｈ／（硬磁
性層の膜厚ｄｈ＋軟磁性層の膜厚ｄｓ）〕を示してお
り、ｔ＝１．０はＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層のみの単
層の場合である。δＭ解析は、膜中の粒子間に働く磁気
相互作用が交換相互作用又は静磁気的相互作用のいずれ
が大きいかを判定するもので、δＭ値が正ならば交換相
互作用が優勢で、δＭ値が負ならば静磁気的相互作用が
優勢であることを表す。図４から判るように、軟磁性層
の膜厚ｄｓの増加に伴って（膜厚比ｔの減少に伴っ
て）、δＭの値が正側に増加しており、これは交換相互
作用がより支配的になっていることを示唆している。こ
のように、本例では磁性層４を硬磁性層４ａと軟磁性層
４ｂとの２層構造とすることにより、軟磁性層４ｂの存
在により交換相互作用を優勢化して角形比Ｓ* を向上さ
せるようにしている。
【００３４】次に、本例の層構成でリード・ライト（Ｒ
／Ｗ）特性を評価した結果を表１に示す。但し、TAA −
ISO(mVP-P ) は孤立波の出力強度(mV)である。磁気記録
媒体上の隣接磁化の間隔がある程度以上に長くなると、
ひとつひとつの磁化反転は孤立的な振る舞いを示すよう
になり、このような孤立磁化反転での時間に対する出力
波形を孤立波と言う。孤立波の出力強度TAA （トラック
・アベレーション・アンプリチュード）の単位は電圧(m
V)で、TAA とは波形がモジュレーションを起こしている
とき、モジュレーションの１周期分の平均強度のことで
ある。Res.( ％) は分解能で、〔TAA −ＨＦ（高周波
数）〕／〔TAA −ＬＦ（低周波数）〕のことで、単位は
％である。Ｏ／Ｗはオーバーライト特性で、先に書き込
んだある周波数での出力を１ｆ、次の重ね書きして消し
残った出力を１ｆ′としたとき、（１ｆ−１ｆ′）で表
され、単位はｄＢである。Ｐｗ５０は孤立波の半値幅
で、単位は（ｎsec ）である。Ｄ50は線記録密度の高さ
を示す指標である半値反転密度（周波数に対する最大出
力値が１／２になる周波数を密度に換算した値）で、単
位はＦＣＩ（フラックス・チェンジ・パー・インチ）で
ある。Noise は周波数に対する出力のシグナルピークを
除いたバックグラウンドノイズ(Nw)のことで、回路によ
るノイズ分(Nc)を差し引いた面積である。ＳＮＲとは、
２０log10 〔（TAA ／２）／Noise 〕で表され、単位は
ｄＢである。
／Ｗ）特性を評価した結果を表１に示す。但し、TAA −
ISO(mVP-P ) は孤立波の出力強度(mV)である。磁気記録
媒体上の隣接磁化の間隔がある程度以上に長くなると、
ひとつひとつの磁化反転は孤立的な振る舞いを示すよう
になり、このような孤立磁化反転での時間に対する出力
波形を孤立波と言う。孤立波の出力強度TAA （トラック
・アベレーション・アンプリチュード）の単位は電圧(m
V)で、TAA とは波形がモジュレーションを起こしている
とき、モジュレーションの１周期分の平均強度のことで
ある。Res.( ％) は分解能で、〔TAA −ＨＦ（高周波
数）〕／〔TAA −ＬＦ（低周波数）〕のことで、単位は
％である。Ｏ／Ｗはオーバーライト特性で、先に書き込
んだある周波数での出力を１ｆ、次の重ね書きして消し
残った出力を１ｆ′としたとき、（１ｆ−１ｆ′）で表
され、単位はｄＢである。Ｐｗ５０は孤立波の半値幅
で、単位は（ｎsec ）である。Ｄ50は線記録密度の高さ
を示す指標である半値反転密度（周波数に対する最大出
力値が１／２になる周波数を密度に換算した値）で、単
位はＦＣＩ（フラックス・チェンジ・パー・インチ）で
ある。Noise は周波数に対する出力のシグナルピークを
除いたバックグラウンドノイズ(Nw)のことで、回路によ
るノイズ分(Nc)を差し引いた面積である。ＳＮＲとは、
２０log10 〔（TAA ／２）／Noise 〕で表され、単位は
ｄＢである。
【００３５】表１の磁気記録媒体の設定磁気特性（Ｈ
ｃ）は２４００（Ｏｅ），残留磁束密度と膜厚の積（Ｂ
ｒ・δ）は１００（Ｇμｍ）である。比較としてＣｏＣ
ｒＰｔ単層硬磁性層の媒体の特性も示す。本例の磁性層
２構造の磁気記録媒体は、分解能Res.、オーバーライト
特性Ｏ／Ｗ、孤立波半値幅Ｐｗ５０、半値反転密度Ｄ５
０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮＲがＣｏＣｒＰｔ単層の場合に比
して優れている。このRes.、Ｏ／Ｗ、Ｐｗ５０、Ｄ５０
の特性向上は角形比Ｓ* の増加からも予想されることで
ある。
ｃ）は２４００（Ｏｅ），残留磁束密度と膜厚の積（Ｂ
ｒ・δ）は１００（Ｇμｍ）である。比較としてＣｏＣ
ｒＰｔ単層硬磁性層の媒体の特性も示す。本例の磁性層
２構造の磁気記録媒体は、分解能Res.、オーバーライト
特性Ｏ／Ｗ、孤立波半値幅Ｐｗ５０、半値反転密度Ｄ５
０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮＲがＣｏＣｒＰｔ単層の場合に比
して優れている。このRes.、Ｏ／Ｗ、Ｐｗ５０、Ｄ５０
の特性向上は角形比Ｓ* の増加からも予想されることで
ある。
【００３６】
【表１】
【００３７】〔第２実施例〕図５は本発明の第２実施例
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例の層構成は、図１に示すＣｏＺｒＮｂの軟磁性
層の代わりに、ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂを成膜したもの
である。
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例の層構成は、図１に示すＣｏＺｒＮｂの軟磁性
層の代わりに、ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂを成膜したもの
である。
【００３８】図６（ａ）はＡｌ基板の場合の硬磁性層の
膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）
に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図６
（ｂ）はＡｌ基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性
層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力角
形比Ｓ* の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ＋ｄ
ｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録媒
体について測定している。
膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）
に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図６
（ｂ）はＡｌ基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性
層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力角
形比Ｓ* の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ＋ｄ
ｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録媒
体について測定している。
【００３９】図６（ａ）の保磁力Ｈｃの磁性層比率に対
する依存性は第１実施例の図２（ａ）の場合と略同等で
ある。保磁力Ｈｃは硬磁性層４ａの膜厚ｄｈの増加に伴
って増加するが、この硬磁性層４ａはＣｏＣｒＰｔＴａ
で第１実施例のもの等しいからである。ところが、本例
の軟磁性層４ｂはＮｉＦｅであり、保磁力角形比Ｓ＊は
軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓの増加に伴って増加する傾向を
示し、Ａｌ基板では最高で殆ど１に近い０．９８であ
る。本例の場合も、軟磁性膜４ｂの積層により磁性層４
の全体的な交換結合力が増加したものと考えられる。
する依存性は第１実施例の図２（ａ）の場合と略同等で
ある。保磁力Ｈｃは硬磁性層４ａの膜厚ｄｈの増加に伴
って増加するが、この硬磁性層４ａはＣｏＣｒＰｔＴａ
で第１実施例のもの等しいからである。ところが、本例
の軟磁性層４ｂはＮｉＦｅであり、保磁力角形比Ｓ＊は
軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓの増加に伴って増加する傾向を
示し、Ａｌ基板では最高で殆ど１に近い０．９８であ
る。本例の場合も、軟磁性膜４ｂの積層により磁性層４
の全体的な交換結合力が増加したものと考えられる。
【００４０】図７（ａ）はガラス基板の場合の硬磁性層
の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比
率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図７
（ｂ）はガラス基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁
性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力
角形比Ｓ＊ の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ
＋ｄｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記
録媒体について測定している。ガラス基板の場合も、保
磁力Ｈｃは硬磁性層４ｂの膜厚ｄｈの増加に伴って増加
し、図３（ａ）と同等な特性を示した。逆に、保磁力角
形比Ｓ* は軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓの増加に伴って増加
する。高角形比の得にくいガラス基板においても角形比
Ｓ* の最高は０．９０と従来に比較して大変高い角形比
が得られた。
の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比
率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフで、図７
（ｂ）はガラス基板の場合の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁
性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層比率）に対する保磁力
角形比Ｓ＊ の依存性を示すグラフである。なお、ｄｈ
＋ｄｓ＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記
録媒体について測定している。ガラス基板の場合も、保
磁力Ｈｃは硬磁性層４ｂの膜厚ｄｈの増加に伴って増加
し、図３（ａ）と同等な特性を示した。逆に、保磁力角
形比Ｓ* は軟磁性層４ｂの膜厚ｄｓの増加に伴って増加
する。高角形比の得にくいガラス基板においても角形比
Ｓ* の最高は０．９０と従来に比較して大変高い角形比
が得られた。
【００４１】本例の場合も、軟磁性膜４ｂの積層により
磁性層４の全体的な交換結合力が増加したものと考えら
れる。
磁性層４の全体的な交換結合力が増加したものと考えら
れる。
【００４２】磁性層比率に対する保磁力の依存性と磁性
層比率に対する角形比の依存性は逆特性であるので、高
保磁力且つ高角形比を満足する磁性層比率の範囲が存在
する。図６のＡｌ基板の場合、磁性層比率（ｄｈ：ｄ
ｓ）が（５：５）〜（１０：０）の範囲であれば、即ち
０．５≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕＜１の範囲で
は、保磁力Ｈｃは８００（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比
Ｓ* は０．９６以上である。磁性層比率（ｄｈ：ｄｓ）
が（７：３）〜（９：１）の範囲であれば、即ち０．７
≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕≦０．９の範囲で
は、保磁力Ｈｃは１４００（Ｏｅ）以上で、保磁力角形
比Ｓ* は０．９７以上である。他方、図７のガラス基板
の場合、磁性層比率（ｄｈ：ｄｓ）が（５：５）〜（１
０：０）の範囲であれば、即ち０．５≦膜厚比〔ｄｈ／
（ｄｈ＋ｄｓ）〕＜１の範囲では、保磁力Ｈｃは６００
（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８２以上であ
る。磁性層比率（ｄｈ：ｄｓ）が（７：３）〜（９：
１）の範囲であれば、即ち０．７≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄ
ｈ＋ｄｓ）〕≦０．９の範囲では、保磁力Ｈｃは１００
０（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８５以上で
ある。従って、軟磁性層４ｂとしてＣｏＺｒＮｂの場合
もＮｉＦｅの場合も膜厚比は同等の条件で良いと言え
る。
層比率に対する角形比の依存性は逆特性であるので、高
保磁力且つ高角形比を満足する磁性層比率の範囲が存在
する。図６のＡｌ基板の場合、磁性層比率（ｄｈ：ｄ
ｓ）が（５：５）〜（１０：０）の範囲であれば、即ち
０．５≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕＜１の範囲で
は、保磁力Ｈｃは８００（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比
Ｓ* は０．９６以上である。磁性層比率（ｄｈ：ｄｓ）
が（７：３）〜（９：１）の範囲であれば、即ち０．７
≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕≦０．９の範囲で
は、保磁力Ｈｃは１４００（Ｏｅ）以上で、保磁力角形
比Ｓ* は０．９７以上である。他方、図７のガラス基板
の場合、磁性層比率（ｄｈ：ｄｓ）が（５：５）〜（１
０：０）の範囲であれば、即ち０．５≦膜厚比〔ｄｈ／
（ｄｈ＋ｄｓ）〕＜１の範囲では、保磁力Ｈｃは６００
（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８２以上であ
る。磁性層比率（ｄｈ：ｄｓ）が（７：３）〜（９：
１）の範囲であれば、即ち０．７≦膜厚比〔ｄｈ／（ｄ
ｈ＋ｄｓ）〕≦０．９の範囲では、保磁力Ｈｃは１００
０（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比Ｓ* は０．８５以上で
ある。従って、軟磁性層４ｂとしてＣｏＺｒＮｂの場合
もＮｉＦｅの場合も膜厚比は同等の条件で良いと言え
る。
【００４３】次に、本例のＲ／Ｗ特性を表２に示す。
【００４４】
【表２】
【００４５】この磁気記録媒体は、分解能Res.、オーバ
ーライト特性Ｏ／Ｗ、孤立波半値幅Ｐｗ５０、半値反転
密度Ｄ５０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮＲがＣｏＣｒＰｔ単層の
場合に比して優れている。ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂでも
交換相互作用を優勢化しており、リード・ライト特性が
改善される。
ーライト特性Ｏ／Ｗ、孤立波半値幅Ｐｗ５０、半値反転
密度Ｄ５０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮＲがＣｏＣｒＰｔ単層の
場合に比して優れている。ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂでも
交換相互作用を優勢化しており、リード・ライト特性が
改善される。
【００４６】〔第３実施例〕図８は本発明の第３実施例
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例における磁性層４の層構成として、第１実施例
の層構成とは逆構成で、ＣｏＺｒＮｂの軟磁性層４ｂの
上にＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層４ａを積層したもので
ある。本例のＲ／Ｗ特性を表３に示す。
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例における磁性層４の層構成として、第１実施例
の層構成とは逆構成で、ＣｏＺｒＮｂの軟磁性層４ｂの
上にＣｏＣｒＰｔＴａの硬磁性層４ａを積層したもので
ある。本例のＲ／Ｗ特性を表３に示す。
【００４７】
【表３】
【００４８】この磁気記録媒体は、分解能Res.、オーバ
ーライト特性Ｏ／Ｗ、孤立波半値幅Ｐｗ５０、半値反転
密度Ｄ５０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮＲがＣｏＣｒＰｔ単層の
場合に比して優れている。このような軟磁性層４ｂの上
に硬磁性層４ａを積層した構造でも、軟磁性層４ｂでも
交換相互作用を優勢化しており、高保磁力と高角形比が
実現され、リード・ライト特性が改善されている。
ーライト特性Ｏ／Ｗ、孤立波半値幅Ｐｗ５０、半値反転
密度Ｄ５０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮＲがＣｏＣｒＰｔ単層の
場合に比して優れている。このような軟磁性層４ｂの上
に硬磁性層４ａを積層した構造でも、軟磁性層４ｂでも
交換相互作用を優勢化しており、高保磁力と高角形比が
実現され、リード・ライト特性が改善されている。
【００４９】〔第４実施例〕図９は本発明の第４実施例
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例の層構成は、図８に示すＣｏＺｒＮｂの軟磁性
層の代わりに、ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂを成膜したもの
である。本例のＲ／Ｗ特性を表４に示す。
に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図であ
る。本例の層構成は、図８に示すＣｏＺｒＮｂの軟磁性
層の代わりに、ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂを成膜したもの
である。本例のＲ／Ｗ特性を表４に示す。
【００５０】
【表４】
【００５１】この磁気記録媒体は、孤立波の出力強度TA
A 、分解能Res.、オーバーライト特性Ｏ／Ｗ、孤立波半
値幅Ｐｗ５０、半値反転密度Ｄ５０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮ
ＲのすべてがＣｏＣｒＰｔ単層の場合に比して優れてい
る。ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂでも交換相互作用を優勢化
しており、角形比が向上するため、高保磁力且つ高角形
比の磁気記録媒体が実現し、リード・ライト特性が改善
される。
A 、分解能Res.、オーバーライト特性Ｏ／Ｗ、孤立波半
値幅Ｐｗ５０、半値反転密度Ｄ５０，Ｎｏｉｓｅ、ＳＮ
ＲのすべてがＣｏＣｒＰｔ単層の場合に比して優れてい
る。ＮｉＦｅの軟磁性層４ｂでも交換相互作用を優勢化
しており、角形比が向上するため、高保磁力且つ高角形
比の磁気記録媒体が実現し、リード・ライト特性が改善
される。
【００５２】なお、上記各実施例における硬磁性層とし
てＣｏＣｒＰｔＴａ合金を用いてあるが、これに限ら
ず、例えばＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＴａ，又はＣｏ
ＮｉＣｒの合金材料を用いることもできる。
てＣｏＣｒＰｔＴａ合金を用いてあるが、これに限ら
ず、例えばＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＴａ，又はＣｏ
ＮｉＣｒの合金材料を用いることもできる。
【００５３】〔第５実施例〕図１０は本発明の第５実施
例に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図で
ある。本例の磁気記録媒体は、Ａｌ合金の非磁性基板１
上にＮｉ−Ｐメッキの非磁性層２を施してテクスチャー
処理を行って得た非磁性基体１１又はガラスからなる非
磁性基体１１の上に、Ｃｒの非磁性下地層３、ＣｏＣｒ
Ｔａの第１硬磁性層８ａ、ＣｏＣｒＰｔＴａの第２硬磁
性層８ｂ、ＣｒＺｒＮｂの軟磁性層８ｃ、カーボンの保
護層６、液体潤滑剤の潤滑層７を順次積層した層構成で
ある。
例に係る磁気記録媒体の断面構造を示す模式的断面図で
ある。本例の磁気記録媒体は、Ａｌ合金の非磁性基板１
上にＮｉ−Ｐメッキの非磁性層２を施してテクスチャー
処理を行って得た非磁性基体１１又はガラスからなる非
磁性基体１１の上に、Ｃｒの非磁性下地層３、ＣｏＣｒ
Ｔａの第１硬磁性層８ａ、ＣｏＣｒＰｔＴａの第２硬磁
性層８ｂ、ＣｒＺｒＮｂの軟磁性層８ｃ、カーボンの保
護層６、液体潤滑剤の潤滑層７を順次積層した層構成で
ある。
【００５４】本例の磁性層８は３層積層構造であり、第
１層はＣｏＣｒＴａの第１硬磁性層８ａ、第２層はＣｏ
ＣｒＰｔＴａの第２硬磁性層８ｂ、第３層はＣｒＺｒＮ
ｂの軟磁性層８ｃである。
１層はＣｏＣｒＴａの第１硬磁性層８ａ、第２層はＣｏ
ＣｒＰｔＴａの第２硬磁性層８ｂ、第３層はＣｒＺｒＮ
ｂの軟磁性層８ｃである。
【００５５】本例の磁気記録媒体は、内外径加工及び面
切削を施したＡｌ合金からなるディスク上の基板１の表
面に、無電解メッキによりＮｉ−Ｐからなる非磁性金属
層２を形成する。そして、この非磁性金属層２の表面を
超精密平面研磨して、表面粗さを中心線平均粗さＲａで
約６０Åとし、更にテクスチャ加工を施し、所要の表面
形状を有する基体１１を作製する。この基体１１を精密
洗浄し、ホルダーにセットした後、インライン方式のマ
グネトロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込む。そし
て、この仕込み室を５×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度ま
で排気し、基体１１の温度を３００°Ｃまで加熱する。
続いて、基体１１のセットされたホルダーを成膜室へ搬
送してセットし、この成膜室を圧力が０．７ＰａのＡｒ
ガス雰囲気下とする。次に、この成膜室において、基体
１１に−３５０Ｖの直流バイアスを印加しながら、Ｃｒ
からなり膜厚が１００ｎｍの非磁性下地層３を形成し、
同一成膜室で引続きＣｏ86Ｃｒ12Ｔａ2 合金からなる膜
厚ｄ１の第１硬磁性層８ａ、Ｃｏ78Ｃｒ14Ｐｔ6 Ｔａ2
合金からなる膜厚ｄ２の第２硬磁性層８ｂをスパッタ成
膜し、更に、同一成膜室でＣｏ90Ｚｒ3.5 Ｎｂ6.5 合金
からなる膜厚ｄ３の軟磁性層８ｃをスパッタ成膜した
後、１０ｎｍのカーボン保護層６を順次ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法でスパッタ成膜する。ここで、非磁性金属
下地層３をスパッタ形成後、約１５秒以内に第１硬磁性
層８ａのスパッタ成膜を開始し、第１硬磁性層８ａのス
パッタ形成後、約１０秒以内に第２硬磁性層８ｂのスパ
ッタ成膜を開始し、しかる後、チャンバーを大気開放し
ないで引続き軟磁性層８ｃをスパッタ成膜する。硬磁性
層（８ａ，８ｂ）と軟磁性層８ｃの交換結合を切らずに
成膜する必要があるため、真空中で硬磁性層８ａを成膜
後、引続き軟磁性層８ｃを大気に開放せずに成膜する。
酸化膜等が生成されず、後述するように、静磁気相互作
用が優勢にならずに済み、交換相互作用を優勢化でき、
角形比Ｓ* が向上する。なお、基板１に強化ガラスを用
いる場合には、非磁性金属層２は膜厚として５０ｎｍの
Ｃｒ層を成膜して基体１１とする。その後の成膜工程は
Ａｌ基板の場合と同様である。これらの成膜が全て終了
した後、ホルダーを取り外し室に搬送し、大気圧下にお
いて成膜された基体をホルダーより外す。そして、カー
ボン保護層６の表面に、フロロカーボン系の液体潤滑剤
を塗布して膜厚２０Åの潤滑層７を形成し、磁気記録媒
体とする。
切削を施したＡｌ合金からなるディスク上の基板１の表
面に、無電解メッキによりＮｉ−Ｐからなる非磁性金属
層２を形成する。そして、この非磁性金属層２の表面を
超精密平面研磨して、表面粗さを中心線平均粗さＲａで
約６０Åとし、更にテクスチャ加工を施し、所要の表面
形状を有する基体１１を作製する。この基体１１を精密
洗浄し、ホルダーにセットした後、インライン方式のマ
グネトロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込む。そし
て、この仕込み室を５×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度ま
で排気し、基体１１の温度を３００°Ｃまで加熱する。
続いて、基体１１のセットされたホルダーを成膜室へ搬
送してセットし、この成膜室を圧力が０．７ＰａのＡｒ
ガス雰囲気下とする。次に、この成膜室において、基体
１１に−３５０Ｖの直流バイアスを印加しながら、Ｃｒ
からなり膜厚が１００ｎｍの非磁性下地層３を形成し、
同一成膜室で引続きＣｏ86Ｃｒ12Ｔａ2 合金からなる膜
厚ｄ１の第１硬磁性層８ａ、Ｃｏ78Ｃｒ14Ｐｔ6 Ｔａ2
合金からなる膜厚ｄ２の第２硬磁性層８ｂをスパッタ成
膜し、更に、同一成膜室でＣｏ90Ｚｒ3.5 Ｎｂ6.5 合金
からなる膜厚ｄ３の軟磁性層８ｃをスパッタ成膜した
後、１０ｎｍのカーボン保護層６を順次ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法でスパッタ成膜する。ここで、非磁性金属
下地層３をスパッタ形成後、約１５秒以内に第１硬磁性
層８ａのスパッタ成膜を開始し、第１硬磁性層８ａのス
パッタ形成後、約１０秒以内に第２硬磁性層８ｂのスパ
ッタ成膜を開始し、しかる後、チャンバーを大気開放し
ないで引続き軟磁性層８ｃをスパッタ成膜する。硬磁性
層（８ａ，８ｂ）と軟磁性層８ｃの交換結合を切らずに
成膜する必要があるため、真空中で硬磁性層８ａを成膜
後、引続き軟磁性層８ｃを大気に開放せずに成膜する。
酸化膜等が生成されず、後述するように、静磁気相互作
用が優勢にならずに済み、交換相互作用を優勢化でき、
角形比Ｓ* が向上する。なお、基板１に強化ガラスを用
いる場合には、非磁性金属層２は膜厚として５０ｎｍの
Ｃｒ層を成膜して基体１１とする。その後の成膜工程は
Ａｌ基板の場合と同様である。これらの成膜が全て終了
した後、ホルダーを取り外し室に搬送し、大気圧下にお
いて成膜された基体をホルダーより外す。そして、カー
ボン保護層６の表面に、フロロカーボン系の液体潤滑剤
を塗布して膜厚２０Åの潤滑層７を形成し、磁気記録媒
体とする。
【００５６】図１１に、硬磁性層８ａ，８ｂを共にＣｏ
ＣｒＰｔＴａ層とし、軟磁性層８ｃをＣｏＺｒＮｂとし
た場合における硬磁性層の膜厚（第１硬磁性層８ａと第
２硬磁性層８ｂの膜厚の総和ｄ１＋ｄ２）ｄ１２，軟磁
性層の膜厚ｄ３の磁性層膜厚比率Ｄ＝〔ｄ１２／（ｄ１
２＋ｄ３）〕に対して磁気特性を測定した結果を示す。
図１１（ａ）はＡｌ基板の場合の磁性層膜厚比率〔ｄ１
２／（ｄ１２＋ｄ３）〕に対する保磁力Ｈｃの関係を示
すグラフで、図１１（ｂ）はＡｌ基板の場合の磁性層膜
厚比率〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ３）〕に対する保磁力角
形比Ｓ* の関係を示すグラフである。なお、ｄ１２＋ｄ
３＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録媒
体について測定している。
ＣｒＰｔＴａ層とし、軟磁性層８ｃをＣｏＺｒＮｂとし
た場合における硬磁性層の膜厚（第１硬磁性層８ａと第
２硬磁性層８ｂの膜厚の総和ｄ１＋ｄ２）ｄ１２，軟磁
性層の膜厚ｄ３の磁性層膜厚比率Ｄ＝〔ｄ１２／（ｄ１
２＋ｄ３）〕に対して磁気特性を測定した結果を示す。
図１１（ａ）はＡｌ基板の場合の磁性層膜厚比率〔ｄ１
２／（ｄ１２＋ｄ３）〕に対する保磁力Ｈｃの関係を示
すグラフで、図１１（ｂ）はＡｌ基板の場合の磁性層膜
厚比率〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ３）〕に対する保磁力角
形比Ｓ* の関係を示すグラフである。なお、ｄ１２＋ｄ
３＝５０ｎｍの関係内で変化させて製造した磁気記録媒
体について測定している。
【００５７】図１１（ａ）の保磁力Ｈｃに着目すると、
軟磁性層の膜厚ｄ３の増加（硬磁性層の膜厚ｄ１２の減
少）に伴って保磁力Ｈｃは減少する。他方、図１１
（ｂ）の保磁力角形比Ｓ* は軟磁性層の膜厚ｄ３の増加
（硬磁性層の膜厚ｄ１２の減少）に伴って増加する傾向
を示し、Ａｌ基板で最高値０．９９を取り、従来に比較
して大幅に改善されている。これは軟磁性層８ｃにより
磁性層８の全体的な交換結合力が増加しているためであ
る。
軟磁性層の膜厚ｄ３の増加（硬磁性層の膜厚ｄ１２の減
少）に伴って保磁力Ｈｃは減少する。他方、図１１
（ｂ）の保磁力角形比Ｓ* は軟磁性層の膜厚ｄ３の増加
（硬磁性層の膜厚ｄ１２の減少）に伴って増加する傾向
を示し、Ａｌ基板で最高値０．９９を取り、従来に比較
して大幅に改善されている。これは軟磁性層８ｃにより
磁性層８の全体的な交換結合力が増加しているためであ
る。
【００５８】ここで、高保磁力角形比（０．９９以上）
で保磁力Ｈｃも１４００Ｏｅ以上の値を取る磁性層膜厚
比率Ｄ＝〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ３）〕は、略０．７で
ある。かかる場合、ＣｏＺｒＮｂの軟磁性層の膜厚ｄ３
＝１５ｎｍで、硬磁性層の層厚ｄ１２＝３５ｎｍであ
る。図１２に、第１硬磁性層８ａのＣｏＣｒＴａの膜厚
ｄ１と第２硬磁性層８ｂのＣｏＣｒＰｔＴａの膜厚ｄ２
との磁性層膜厚比率Ｄ′＝〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ２）〕
を、ｄ１＋ｄ２＝３５ｎｍ（一定）の関係内で変化させ
て製造した磁気記録媒体の磁気特性を測定した結果を示
す。図１２（ａ）は保磁力Ｈｃの特性、図１２（ｂ）は
高保磁力角形比Ｓ* の特性である。
で保磁力Ｈｃも１４００Ｏｅ以上の値を取る磁性層膜厚
比率Ｄ＝〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ３）〕は、略０．７で
ある。かかる場合、ＣｏＺｒＮｂの軟磁性層の膜厚ｄ３
＝１５ｎｍで、硬磁性層の層厚ｄ１２＝３５ｎｍであ
る。図１２に、第１硬磁性層８ａのＣｏＣｒＴａの膜厚
ｄ１と第２硬磁性層８ｂのＣｏＣｒＰｔＴａの膜厚ｄ２
との磁性層膜厚比率Ｄ′＝〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ２）〕
を、ｄ１＋ｄ２＝３５ｎｍ（一定）の関係内で変化させ
て製造した磁気記録媒体の磁気特性を測定した結果を示
す。図１２（ａ）は保磁力Ｈｃの特性、図１２（ｂ）は
高保磁力角形比Ｓ* の特性である。
【００５９】図１２（ａ）の保磁力Ｈｃに着目すると、
膜厚比率Ｄ′＝〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ２）〕が０．７≦
Ｄ′＜１．０の場合、保磁力Ｈｃは約１４００Ｏｅ以上
となっている。ここで、硬磁性層がＣｏＣｒＴａ単層の
とき（ｄ２＝０、即ちＤ′＝０のとき）は、Ｈｃ＝約１
０００Ｏｅであり、硬磁性層がＣｏＣｒＰｔＴａ単層の
とき（ｄ１＝０、即ちＤ′＝１）は、Ｈｃ＝１４００Ｏ
ｅである。第１硬磁性層８ａの保磁力をＨｃ１、第２硬
磁性層８ｂの保磁力をＨｃ２とすれば、Ｈｃ１＜Ｈｃ２
の関係となっている。特に、Ｄ′≒０．９では、１８０
０Ｏｅ以上の値が得られる。他方、図１２（ｂ）から明
らかなように、硬磁性層が２層積層構造で保磁力角形比
Ｓ* はＤ′の如何に拘らず０．９６以上となっている。
これは軟磁性層８ｃにより磁性層８の全体的な交換結合
力が増加しているためである。
膜厚比率Ｄ′＝〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ２）〕が０．７≦
Ｄ′＜１．０の場合、保磁力Ｈｃは約１４００Ｏｅ以上
となっている。ここで、硬磁性層がＣｏＣｒＴａ単層の
とき（ｄ２＝０、即ちＤ′＝０のとき）は、Ｈｃ＝約１
０００Ｏｅであり、硬磁性層がＣｏＣｒＰｔＴａ単層の
とき（ｄ１＝０、即ちＤ′＝１）は、Ｈｃ＝１４００Ｏ
ｅである。第１硬磁性層８ａの保磁力をＨｃ１、第２硬
磁性層８ｂの保磁力をＨｃ２とすれば、Ｈｃ１＜Ｈｃ２
の関係となっている。特に、Ｄ′≒０．９では、１８０
０Ｏｅ以上の値が得られる。他方、図１２（ｂ）から明
らかなように、硬磁性層が２層積層構造で保磁力角形比
Ｓ* はＤ′の如何に拘らず０．９６以上となっている。
これは軟磁性層８ｃにより磁性層８の全体的な交換結合
力が増加しているためである。
【００６０】図１１（ａ）から明らかなように、硬磁性
層の単層構造では、軟磁性層の膜厚比率の増加に伴って
保磁力Ｈｃは減少するため、軟磁性層の膜厚比率の大き
な領域で安定した高保磁力を得ることが難しいが、硬磁
性層を２層積層構造とするこにより、図１２（ａ）に示
すように、０．７≦Ｄ′＜１．０の範囲では硬磁性層の
単層構造以上の保磁力を得ることができる。
層の単層構造では、軟磁性層の膜厚比率の増加に伴って
保磁力Ｈｃは減少するため、軟磁性層の膜厚比率の大き
な領域で安定した高保磁力を得ることが難しいが、硬磁
性層を２層積層構造とするこにより、図１２（ａ）に示
すように、０．７≦Ｄ′＜１．０の範囲では硬磁性層の
単層構造以上の保磁力を得ることができる。
【００６１】他方、図１３には各層のスパッタ成膜の時
間間隔が磁性層の特性に及ぼす影響について測定した結
果が示されている。図１３は非磁性下地層３であるＣｒ
と第１硬磁性層８ａであるＣｏＣｒＴａ磁性層とのスパ
ッタ時間間隔ｔ１の保磁力Ｈｃへの影響、第１硬磁性層
８ａであるＣｏＣｒＴａ磁性層と第２硬磁性層８ｂであ
るＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層とのスパッタ時間間隔ｔ２の
保磁力Ｈｃへの影響を示してある。スパッタ時間間隔ｔ
１，ｔ２は、その磁性層に対し先立って形成された非磁
性下地層３又は第１硬磁性層８ａの積層プロセス終了か
ら、その磁性層の積層プロセス開始までの時間である。
スパッタ時間間隔ｔ１を変化させて保磁力Ｈｃへの影響
を測定する場合は、スパッタ時間間隔ｔ２を２秒に固定
している。また、スパッタ時間間隔ｔ２を変化させて保
磁力Ｈｃへの影響を測定する場合は、スパッタ時間間隔
ｔ１を２秒に固定している。保磁力Ｈｃへのスパッタ時
間間隔の影響を明確にするため、図１３の縦軸には、保
磁力Ｈｃをスパッタ時間間隔ｔ１又はｔ２が２秒のとき
の値Ｈｃ（２）を単位で規格化した値、即ち保磁力比Ｈ
ｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）でスケールしている。なお、図１
３は、磁性層構造として高保磁力，高保磁力角形比，低
ノイズの実現可能な層構成となるように製造された磁気
記録媒体について測定した結果である。
間間隔が磁性層の特性に及ぼす影響について測定した結
果が示されている。図１３は非磁性下地層３であるＣｒ
と第１硬磁性層８ａであるＣｏＣｒＴａ磁性層とのスパ
ッタ時間間隔ｔ１の保磁力Ｈｃへの影響、第１硬磁性層
８ａであるＣｏＣｒＴａ磁性層と第２硬磁性層８ｂであ
るＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層とのスパッタ時間間隔ｔ２の
保磁力Ｈｃへの影響を示してある。スパッタ時間間隔ｔ
１，ｔ２は、その磁性層に対し先立って形成された非磁
性下地層３又は第１硬磁性層８ａの積層プロセス終了か
ら、その磁性層の積層プロセス開始までの時間である。
スパッタ時間間隔ｔ１を変化させて保磁力Ｈｃへの影響
を測定する場合は、スパッタ時間間隔ｔ２を２秒に固定
している。また、スパッタ時間間隔ｔ２を変化させて保
磁力Ｈｃへの影響を測定する場合は、スパッタ時間間隔
ｔ１を２秒に固定している。保磁力Ｈｃへのスパッタ時
間間隔の影響を明確にするため、図１３の縦軸には、保
磁力Ｈｃをスパッタ時間間隔ｔ１又はｔ２が２秒のとき
の値Ｈｃ（２）を単位で規格化した値、即ち保磁力比Ｈ
ｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）でスケールしている。なお、図１
３は、磁性層構造として高保磁力，高保磁力角形比，低
ノイズの実現可能な層構成となるように製造された磁気
記録媒体について測定した結果である。
【００６２】図１３から判るように、保磁力比Ｈｃ
（ｔ）／Ｈｃ（２）は、スパッタ時間間隔ｔ１，ｔ２が
増加するにつれて減少してしまう。特に、スパッタ時間
間隔ｔ１の影響については、１６秒〜１７秒を超えると
保磁力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）の減少は顕著である。
また、スパッタ時間間隔ｔ２の影響については、〜１０
秒を超えると保磁力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）の減少が
著しい。従って、保磁力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）はス
パッタ時間間隔ｔ１，ｔ２に依存するので、高保磁力を
得るには、磁気記録媒体の製法上、スパッタ時間間隔ｔ
１，ｔ２を規定の期間内に保つことが必要である。図１
１に示したように、高保磁力を維持するためには、保磁
力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）が０．９以上であることが
望ましく、この値は、スパッタ時間間隔ｔ１が１５秒以
内、スパッタ時間間隔ｔ２が１０秒以内であれば達成で
きる。
（ｔ）／Ｈｃ（２）は、スパッタ時間間隔ｔ１，ｔ２が
増加するにつれて減少してしまう。特に、スパッタ時間
間隔ｔ１の影響については、１６秒〜１７秒を超えると
保磁力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）の減少は顕著である。
また、スパッタ時間間隔ｔ２の影響については、〜１０
秒を超えると保磁力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）の減少が
著しい。従って、保磁力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）はス
パッタ時間間隔ｔ１，ｔ２に依存するので、高保磁力を
得るには、磁気記録媒体の製法上、スパッタ時間間隔ｔ
１，ｔ２を規定の期間内に保つことが必要である。図１
１に示したように、高保磁力を維持するためには、保磁
力比Ｈｃ（ｔ）／Ｈｃ（２）が０．９以上であることが
望ましく、この値は、スパッタ時間間隔ｔ１が１５秒以
内、スパッタ時間間隔ｔ２が１０秒以内であれば達成で
きる。
【００６３】また、硬磁性層と軟磁性層の交換結合を切
らずに成膜する必要があるため、上記第２硬磁性層８ｃ
をスパッタ成膜し終え、チャンバーを大気に開放せず真
空中で連続成膜することにより、酸化膜等が生成され
ず、静磁気相互作用が優性にならずに済み、交換相互作
用を優性化でき、高保磁力角形比Ｓ* を向上させること
ができる。
らずに成膜する必要があるため、上記第２硬磁性層８ｃ
をスパッタ成膜し終え、チャンバーを大気に開放せず真
空中で連続成膜することにより、酸化膜等が生成され
ず、静磁気相互作用が優性にならずに済み、交換相互作
用を優性化でき、高保磁力角形比Ｓ* を向上させること
ができる。
【００６４】上記第５実施例では第１硬磁性層としてＣ
ｏＣｒＴａを、第２硬磁性層としてＣｏＣｒＰｔＴａを
それぞれ用いて硬磁性層を２層積層構造としてあるが、
これに限らず、第１硬磁性層の保磁力Ｈｃ１と第２硬磁
性層の保磁力Ｈｃ２がＨｃ１＜Ｈｃ２の関係を満すよう
すれば、第２硬磁性層としては、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣ
ｒＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＴａ等を用いても同様の効果
が得られる。
ｏＣｒＴａを、第２硬磁性層としてＣｏＣｒＰｔＴａを
それぞれ用いて硬磁性層を２層積層構造としてあるが、
これに限らず、第１硬磁性層の保磁力Ｈｃ１と第２硬磁
性層の保磁力Ｈｃ２がＨｃ１＜Ｈｃ２の関係を満すよう
すれば、第２硬磁性層としては、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣ
ｒＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＴａ等を用いても同様の効果
が得られる。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、強磁性
合金薄膜磁性層を硬磁性層の単層とするのではなく、硬
磁性層と軟磁性層との硬軟の２層積層構造とした点に特
徴を有するものであるから、次の効果を奏する。
合金薄膜磁性層を硬磁性層の単層とするのではなく、硬
磁性層と軟磁性層との硬軟の２層積層構造とした点に特
徴を有するものであるから、次の効果を奏する。
【００６６】 軟磁性層の存在によって静磁気相互作
用よりも交換相互作用が優勢化し、角形比が向上するも
のである。このため、磁気記録媒体の高保磁力（Ｈｃ）
の下で保磁力角形比Ｓ* を向上させることができ、高い
線記録密度を有し、オーバーライト特性が良好で、ある
程度低ノイズを維持しつつ、良好な電磁変換特性の磁気
記録媒体が得られた。また高い角形比Ｓ* を容易に得る
ことができるため、磁気記録媒体の量産性も高くなっ
た。
用よりも交換相互作用が優勢化し、角形比が向上するも
のである。このため、磁気記録媒体の高保磁力（Ｈｃ）
の下で保磁力角形比Ｓ* を向上させることができ、高い
線記録密度を有し、オーバーライト特性が良好で、ある
程度低ノイズを維持しつつ、良好な電磁変換特性の磁気
記録媒体が得られた。また高い角形比Ｓ* を容易に得る
ことができるため、磁気記録媒体の量産性も高くなっ
た。
【００６７】 硬磁性層の膜厚をｄｈ、軟磁性層の膜
厚をｄｓとすると、特に、膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄ
ｓ）〕を０．７〜０．９の範囲にすると、かかる場合、
ガラス基板を用いるときでも、保磁力Ｈｃは１０００
（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比Ｓ*は０．８５以上が得
られる。
厚をｄｓとすると、特に、膜厚比〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄ
ｓ）〕を０．７〜０．９の範囲にすると、かかる場合、
ガラス基板を用いるときでも、保磁力Ｈｃは１０００
（Ｏｅ）以上で、保磁力角形比Ｓ*は０．８５以上が得
られる。
【００６８】 硬磁性層と軟磁性層の２層積層構造に
おいて、非磁性金属下地層をスパッタ形成後、１５秒以
内に上記硬磁性層のスパッタ成膜を開始して成膜し、チ
ャンバーを大気開放しないで引続き軟磁性層をスパッタ
成膜する方法にあっては、硬磁性層と軟磁性層を大気に
開放せずに真空中で連続成膜するため、酸化膜等が生成
されず、硬磁性層と軟磁性層の交換結合を切らずに済
み、角形比Ｓ* を向上させることができる。
おいて、非磁性金属下地層をスパッタ形成後、１５秒以
内に上記硬磁性層のスパッタ成膜を開始して成膜し、チ
ャンバーを大気開放しないで引続き軟磁性層をスパッタ
成膜する方法にあっては、硬磁性層と軟磁性層を大気に
開放せずに真空中で連続成膜するため、酸化膜等が生成
されず、硬磁性層と軟磁性層の交換結合を切らずに済
み、角形比Ｓ* を向上させることができる。
【００６９】 更に、本発明は、硬磁性層と軟磁性層
の２層積層構造において硬磁性層自体を２層積層構造と
していること特徴とする。軟磁性層を積層することによ
り磁性層全体の交換結合力が増加し、保磁力角形比Ｓ*
が向上することは勿論のこと、硬磁性層を２層積層構造
とすることにより高角形比を維持しつつ硬磁性層単層の
場合に比して高保磁力を実現できる。
の２層積層構造において硬磁性層自体を２層積層構造と
していること特徴とする。軟磁性層を積層することによ
り磁性層全体の交換結合力が増加し、保磁力角形比Ｓ*
が向上することは勿論のこと、硬磁性層を２層積層構造
とすることにより高角形比を維持しつつ硬磁性層単層の
場合に比して高保磁力を実現できる。
【００７０】 特に、第１硬磁性層の保磁力をＨｃ
１、第２硬磁性層の保磁力をＨｃ２とすると、第１硬磁
性層及び前記第２硬磁性層が、Ｈｃ１＜Ｈｃ２を満たす
Ｃｏ系強磁性層であって、第１硬磁性層の膜厚をｄ１、
第２硬磁性層の膜厚をｄ２とすると、膜厚比Ｄ′＝〔ｄ
２／（ｄ１＋ｄ２）〕が、０．７≦Ｄ′＜１．０の範囲
である場合には、更に一層の高保磁力の媒体を得ること
ができる。
１、第２硬磁性層の保磁力をＨｃ２とすると、第１硬磁
性層及び前記第２硬磁性層が、Ｈｃ１＜Ｈｃ２を満たす
Ｃｏ系強磁性層であって、第１硬磁性層の膜厚をｄ１、
第２硬磁性層の膜厚をｄ２とすると、膜厚比Ｄ′＝〔ｄ
２／（ｄ１＋ｄ２）〕が、０．７≦Ｄ′＜１．０の範囲
である場合には、更に一層の高保磁力の媒体を得ること
ができる。
【００７１】 このような３層積層構造の磁性層を備
えた磁気記録媒体の製造方法において、非磁性金属下地
層のスパッタ形成後、１５秒以内に前記第１硬磁性層の
スパッタ成膜を開始して成膜し、更に第１硬磁性層の形
成後、１０秒以内に第２硬磁性層のスパッタ成膜を開始
して成膜し、更に第２硬磁性層の形成後、チャンバーを
大気開放しないで引続き軟磁性層をスパッタ成膜する方
法にあっては、酸化膜等が生成されず、硬磁性層と軟磁
性層の交換結合を切らずに、高角形比の媒体を得ること
ができる。
えた磁気記録媒体の製造方法において、非磁性金属下地
層のスパッタ形成後、１５秒以内に前記第１硬磁性層の
スパッタ成膜を開始して成膜し、更に第１硬磁性層の形
成後、１０秒以内に第２硬磁性層のスパッタ成膜を開始
して成膜し、更に第２硬磁性層の形成後、チャンバーを
大気開放しないで引続き軟磁性層をスパッタ成膜する方
法にあっては、酸化膜等が生成されず、硬磁性層と軟磁
性層の交換結合を切らずに、高角形比の媒体を得ること
ができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の断面
構造を示す模式的断面図である。
構造を示す模式的断面図である。
【図２】（ａ）は第１実施例においてＡｌ基板の場合の
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフ
で、（ｂ）は第１実施例においてＡｌ基板の場合の硬磁
性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層
比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグラフ
である。
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフ
で、（ｂ）は第１実施例においてＡｌ基板の場合の硬磁
性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層
比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグラフ
である。
【図３】（ａ）は第１実施例においてガラス基板の場合
の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合
（磁性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラ
フで、（ｂ）は第１実施例においてガラス基板の場合の
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグ
ラフである。
の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合
（磁性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラ
フで、（ｂ）は第１実施例においてガラス基板の場合の
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグ
ラフである。
【図４】第１実施例においてＡｌ基板を用いた場合の保
磁力Ｈｃと外部磁場Ｈｅｘの比に対するδＭ解析結果を
示すグラフである。
磁力Ｈｃと外部磁場Ｈｅｘの比に対するδＭ解析結果を
示すグラフである。
【図５】本発明の第２実施例に係る磁気記録媒体の断面
構造を示す模式的断面図である。
構造を示す模式的断面図である。
【図６】（ａ）は第２実施例においてＡｌ基板の場合の
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフ
で、（ｂ）は第１実施例においてＡｌ基板の場合の硬磁
性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層
比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグラフ
である。
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラフ
で、（ｂ）は第１実施例においてＡｌ基板の場合の硬磁
性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁性層
比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグラフ
である。
【図７】（ａ）は第２実施例においてガラス基板の場合
の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合
（磁性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラ
フで、（ｂ）は第２実施例においてガラス基板の場合の
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグ
ラフである。
の硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合
（磁性層比率）に対する保磁力Ｈｃの依存性を示すグラ
フで、（ｂ）は第２実施例においてガラス基板の場合の
硬磁性層の膜厚ｄｈと軟磁性層の膜厚比ｄｓの割合（磁
性層比率）に対する保磁力角形比Ｓ* の依存性を示すグ
ラフである。
【図８】本発明の第３実施例に係る磁気記録媒体の断面
構造を示す模式的断面図である。
構造を示す模式的断面図である。
【図９】本発明の第４実施例に係る磁気記録媒体の断面
構造を示す模式的断面図である。
構造を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明の第５実施例に係る磁気記録媒体の断
面構造を示す模式的断面図である。
面構造を示す模式的断面図である。
【図１１】（ａ）は第５実施例において硬磁性層の膜厚
ｄ１２と軟磁性層ｄ３の膜厚比〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ
３）〕に対する保磁力Ｈｃの関係を示すグラフで、
（ｂ）はその厚比〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ３）〕に対す
る保磁力角形比Ｓ* の関係を示すグラフである。
ｄ１２と軟磁性層ｄ３の膜厚比〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ
３）〕に対する保磁力Ｈｃの関係を示すグラフで、
（ｂ）はその厚比〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ３）〕に対す
る保磁力角形比Ｓ* の関係を示すグラフである。
【図１２】（ａ）は第５実施例において第１硬磁性層Ｃ
ｏＣｒＴａの膜厚ｄ１と第２硬磁性層ＣｏＣｒＰｔＴａ
の膜厚ｄ２との磁性層膜厚比率〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ
２）〕に対する磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの特性を示す
グラフ、（ｂ）はその磁性層膜厚比率〔ｄ２／（ｄ１＋
ｄ２）〕に対する磁気記録媒体の高保磁力角形比Ｓ* の
特性を示すグラフである。
ｏＣｒＴａの膜厚ｄ１と第２硬磁性層ＣｏＣｒＰｔＴａ
の膜厚ｄ２との磁性層膜厚比率〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ
２）〕に対する磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの特性を示す
グラフ、（ｂ）はその磁性層膜厚比率〔ｄ２／（ｄ１＋
ｄ２）〕に対する磁気記録媒体の高保磁力角形比Ｓ* の
特性を示すグラフである。
【図１３】第５実施例において各層のスパッタ成膜の時
間間隔が磁性層の特性に及ぼす影響について測定した結
果を示すグラフである。
間間隔が磁性層の特性に及ぼす影響について測定した結
果を示すグラフである。
【図１４】従来一般の磁気記録媒体の断面構造を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
１…非磁性基板 ２…非磁性層 ３…非磁性下地層 ４，８…磁性層 ４ａ…硬磁性層 ４ｂ，８ｃ…軟磁性層 ６…保護層 ７…潤滑層 ８ａ…第１硬磁性層 ８ｂ…第２硬磁性層 １１…非磁性基体。
Claims (16)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、非磁性金属下地層，強
磁性合金薄膜磁性層及び保護層を順次積層してなる磁気
記録媒体において、前記強磁性合金薄膜磁性層は、硬磁
性層と軟磁性層とを積層してなる硬軟の２層積層構造で
あることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気記録媒体におい
て、前記硬磁性層は前記非磁性金属下地層の上に形成さ
れた第１層であり、前記軟磁性層は第１層としての前記
硬磁性層の上に形成された第２層であることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気記録媒体におい
て、前記軟磁性層は前記非磁性金属下地層の上に形成さ
れた第１層であり、前記硬磁性層は第１層としての前記
軟磁性層の上に形成された第２層であることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項２又は請求項３に記載の磁気記録
媒体において、前記軟磁性層はＣｏＺｒＮｂアモルファ
ス軟磁性層であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項２又は請求項３に記載の磁気記録
媒体において、前記軟磁性層はＮｉＦｅの微細な結晶か
ら成る軟磁性層であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項４又は請求項５に記載の磁気記録
媒体において、前記硬磁性層の膜厚をｄｈ、前記軟磁性
層の膜厚をｄｓとすると、 膜厚比ｄ＝〔ｄｈ／（ｄｈ＋ｄｓ）〕が、０．５≦ｄ＜
１．０の範囲であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項６に記載の磁気記録媒体におい
て、前記膜厚比ｄが、０．７≦ｄ≦０．９の範囲である
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に
記載の磁気記録媒体において、前記硬磁性層は、ＣｏＣ
ｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＴａ，ＣｏＮ
ｉＣｒから成る群から選ばれた合金材料から成ることを
特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項９】 請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方
法において、前記非磁性金属下地層をスパッタ形成後、
１５秒以内に前記硬磁性層のスパッタ成膜を開始して成
膜し、しかる後、チャンバーを大気開放しないで引続き
前記軟磁性層をスパッタ成膜することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項２に記載の磁気記録媒体におい
て、前記硬磁性層は第１硬磁性層とこの上に積層された
第２硬磁性層とから成る２層積層構造であることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の磁気記録媒体にお
いて、前記第１硬磁性層と第２硬磁性層の総膜厚をｄ１
２、前記軟磁性層の膜厚をｄ３とすると、 膜厚比Ｄ＝〔ｄ１２／（ｄ１２＋ｄ３）〕が、０．５≦
Ｄ＜１の範囲であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の磁気記録媒体にお
いて、前記膜厚比Ｄが、０．７≦Ｄ≦０．９の範囲であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の磁気記録媒体にお
いて、前記第１硬磁性層の保磁力をＨｃ１、前記第２硬
磁性層の保磁力をＨｃ２とすると、 前記第１硬磁性層及び前記第２硬磁性層が、Ｈｃ１＜Ｈ
ｃ２を満たすＣｏ系強磁性層であって、 前記第１硬磁性層の膜厚をｄ１、前記第２硬磁性層の膜
厚をｄ２とすると、 膜厚比Ｄ′＝〔ｄ２／（ｄ１＋ｄ２）〕が、０．７≦
Ｄ′＜１．０の範囲であることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の磁気記録媒体にお
いて、前記第１硬磁性層はＣｏＣｒＴａ強磁性層、前記
第２硬磁性層はＣｏＣｒＰｔＴａ強磁性層、前記軟磁性
層はＣｏＺｒＮｂアモルファス軟磁性層であることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載の磁気記録媒体にお
いて、前記第１硬磁性層はＣｏＣｒＴａ強磁性層、前記
第２硬磁性層はＣｏＣｒＰｔＴａ強磁性層、前記軟磁性
層はＮｉＦｅの微細な結晶から成る軟磁性層であること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１６】 請求項１０に記載の磁気記録媒体の製
造方法において、前記非磁性金属下地層のスパッタ形成
後、１５秒以内に前記第１硬磁性層のスパッタ成膜を開
始して成膜し、更に第１硬磁性層の形成後、１０秒以内
に前記第２硬磁性層のスパッタ成膜を開始して成膜し、
更に前記第２硬磁性層の形成後、チャンバーを大気開放
しないで引続き前記軟磁性層をスパッタ成膜することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315032A JPH0877544A (ja) | 1994-06-30 | 1994-12-19 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| DE19523753A DE19523753A1 (de) | 1994-06-30 | 1995-06-29 | Magnetaufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890794 | 1994-06-30 | ||
| JP6-148907 | 1994-06-30 | ||
| JP6315032A JPH0877544A (ja) | 1994-06-30 | 1994-12-19 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0877544A true JPH0877544A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=26478957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6315032A Pending JPH0877544A (ja) | 1994-06-30 | 1994-12-19 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0877544A (ja) |
| DE (1) | DE19523753A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986836A (en) * | 1997-05-26 | 1999-11-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording method and device |
| US6080476A (en) * | 1997-03-28 | 2000-06-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using such a magnetic recording medium |
| WO2003017258A1 (fr) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Support d'enregistrement magnetique, procede permettant de le produire et dispositif magnetique d'enregistrement/de reproduction |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| JP2014502592A (ja) * | 2010-12-27 | 2014-02-03 | エヌウイクスセーイエス | Ｉ−ｉｉｉ−ｖｉ２材料層とモリブデン基板間の改良された界面 |
| WO2014126143A1 (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-21 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅ系合金およびスパッタリングターゲット材 |
-
1994
- 1994-12-19 JP JP6315032A patent/JPH0877544A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-29 DE DE19523753A patent/DE19523753A1/de not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6080476A (en) * | 1997-03-28 | 2000-06-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using such a magnetic recording medium |
| US6403242B1 (en) | 1997-03-28 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using such a magnetic recording medium |
| US6605374B2 (en) * | 1997-03-28 | 2003-08-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording system using such a magnetic recording medium |
| US5986836A (en) * | 1997-05-26 | 1999-11-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording method and device |
| WO2003017258A1 (fr) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Showa Denko K.K. | Support d'enregistrement magnetique, procede permettant de le produire et dispositif magnetique d'enregistrement/de reproduction |
| US6723458B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| JP2014502592A (ja) * | 2010-12-27 | 2014-02-03 | エヌウイクスセーイエス | Ｉ−ｉｉｉ−ｖｉ２材料層とモリブデン基板間の改良された界面 |
| WO2014126143A1 (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-21 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅ系合金およびスパッタリングターゲット材 |
| CN105074041A (zh) * | 2013-02-18 | 2015-11-18 | 山阳特殊制钢株式会社 | 用于垂直磁性记录介质中的软磁性膜层的CoFe系合金和溅射靶材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19523753A1 (de) | 1996-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3143611B2 (ja) | 磁気薄膜媒体用の超薄核形成層および該層の製造方法 | |
| US6926977B2 (en) | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus | |
| US5879783A (en) | Low noise magnetic recording medium and method of manufacturing | |
| US7006328B2 (en) | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus | |
| JPH0620253A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| US20040230049A9 (en) | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and sputtering target | |
| JP4023408B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用基板、垂直磁気記録媒体及びそれらの製造方法 | |
| US6156422A (en) | High density magnetic recording medium with high Hr and low Mrt | |
| JPH0877544A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH11328646A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6858331B1 (en) | Magnetic thin film media with a bi-layer structure of CrTi/Nip | |
| JP3588039B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JP2515771B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3222141B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2001189006A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法ならびに磁気記録再生装置 | |
| JP4066845B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2001250223A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JP3434845B2 (ja) | 磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 | |
| JPH08329442A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP4578737B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JPH06187628A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2000123345A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
| JP3658586B2 (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 | |
| JP4138348B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0744851A (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |