JP3434845B2 - 磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置Info
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- JP3434845B2 JP3434845B2 JP03063393A JP3063393A JP3434845B2 JP 3434845 B2 JP3434845 B2 JP 3434845B2 JP 03063393 A JP03063393 A JP 03063393A JP 3063393 A JP3063393 A JP 3063393A JP 3434845 B2 JP3434845 B2 JP 3434845B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気記録媒体及びこ
れを用いた磁気記憶装置に関し、特に低ノイズかつ高記
録密度特性に優れた薄膜磁気記録媒体、該磁気記録媒体
の製造方法及び磁気記憶装置に関する。
れを用いた磁気記憶装置に関し、特に低ノイズかつ高記
録密度特性に優れた薄膜磁気記録媒体、該磁気記録媒体
の製造方法及び磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度な記録が可能な媒体の材料とし
て、純Ｃｒ膜上にＣｏ合金膜が形成されたものや、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐｔ系薄膜などが提案されており、一部実用化
されている。Ｃｏ合金磁性膜としては例えばアイトリプ
ルイ−・トランザクション・オン・マグネティックス
（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍａｇｎ．）第２３巻（１
９８７年）１２２ペ−ジに記載されているようにＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ系薄膜が用いられている。
て、純Ｃｒ膜上にＣｏ合金膜が形成されたものや、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐｔ系薄膜などが提案されており、一部実用化
されている。Ｃｏ合金磁性膜としては例えばアイトリプ
ルイ−・トランザクション・オン・マグネティックス
（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ． Ｍａｇｎ．）第２３巻（１
９８７年）１２２ペ−ジに記載されているようにＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ系薄膜が用いられている。
【０００３】また、磁性層が多層構造の薄膜媒体を用い
て再生出力を更に向上させ、高記録密度化を達成しよう
とする動きもある（特開平１−１７３３１３号公報、特
開平１−２１７７２３号公報）。磁性層と非磁性層を積
層することにより、Ｎｉを含有したＣｏ基合金、Ｃｏ−
Ｐｔ合金等では出力向上が確かに期待できる。
て再生出力を更に向上させ、高記録密度化を達成しよう
とする動きもある（特開平１−１７３３１３号公報、特
開平１−２１７７２３号公報）。磁性層と非磁性層を積
層することにより、Ｎｉを含有したＣｏ基合金、Ｃｏ−
Ｐｔ合金等では出力向上が確かに期待できる。
【０００４】しかしながら、特開平３−２８３０１６号
公報に記載のように、これらの媒体では記録時の隣接ビ
ット間の遷移領域に由来すると考えられるノイズやビッ
トシフトが従来の塗布型媒体に比べ大きく、より一層の
高記録密度化を達成するためにはノイズおよびビットシ
フト等の特性を向上させる必要があった。このような背
景から、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性薄膜とＣｒ系薄膜非磁
性層を交互に繰り返してなる磁気記録媒体が提案されて
いる。
公報に記載のように、これらの媒体では記録時の隣接ビ
ット間の遷移領域に由来すると考えられるノイズやビッ
トシフトが従来の塗布型媒体に比べ大きく、より一層の
高記録密度化を達成するためにはノイズおよびビットシ
フト等の特性を向上させる必要があった。このような背
景から、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性薄膜とＣｒ系薄膜非磁
性層を交互に繰り返してなる磁気記録媒体が提案されて
いる。
【０００５】このほか、磁性層の材料としてＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ合金を用いた場合には、アイトリプルイ−・トラ
ンザクション・オン・マグネティックス（ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓ． Ｍａｇｎ．）第２６巻（１９９０年）２７
０６ペ−ジに記載のように、交互に繰り返してなる磁性
薄膜の厚さを一定にした場合には、非磁性中間層の数を
増加させることにより、ノイズが減少することも明らか
にされている。
−Ｐｔ合金を用いた場合には、アイトリプルイ−・トラ
ンザクション・オン・マグネティックス（ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓ． Ｍａｇｎ．）第２６巻（１９９０年）２７
０６ペ−ジに記載のように、交互に繰り返してなる磁性
薄膜の厚さを一定にした場合には、非磁性中間層の数を
増加させることにより、ノイズが減少することも明らか
にされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術による媒体では、非磁性の金属中間層を形成する必要
が生じるため、非磁性下地層と磁性層を形成後、少なく
とも一層のＣｒ系薄膜非磁性中間層と磁性層を形成しな
ければならない。従って、非磁性中間層の形成によりヘ
ッド磁極先端部から下部磁性層までの距離が増加し、同
時に媒体形成プロセスが長時間になるという欠点があっ
た。また、複数の非磁性中間層を形成するためには薄膜
形成用のスパッタチャンバ−が多くなり、コストが高く
なるという欠点もあった。
術による媒体では、非磁性の金属中間層を形成する必要
が生じるため、非磁性下地層と磁性層を形成後、少なく
とも一層のＣｒ系薄膜非磁性中間層と磁性層を形成しな
ければならない。従って、非磁性中間層の形成によりヘ
ッド磁極先端部から下部磁性層までの距離が増加し、同
時に媒体形成プロセスが長時間になるという欠点があっ
た。また、複数の非磁性中間層を形成するためには薄膜
形成用のスパッタチャンバ−が多くなり、コストが高く
なるという欠点もあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の煩雑で
長いプロセスあるいは設備投資を軽減し、同時にヘッド
磁極先端部から下部磁性層までの距離を増加させること
なく、高出力で低ノイズの媒体を提供することを目的と
する。すなわち、基板上に非磁性下地層を形成後、磁性
層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金膜を形成し、その表面を
優位的に酸化後、更にＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性層を形成す
ることで、従来の非磁性金属中間層プロセスを除くこと
により達成される。さらにＣｏを主成分とする薄膜合金
磁性層内で酸素濃度の低い領域間に酸素濃度が高い領域
を膜厚方向に少なくとも一領域含ませることにより、本
発明が解決しようとする課題は達成される。該磁性層内
で酸素濃度の低い領域間に酸素濃度の高い領域を膜厚方
向に複数領域含ませることによっても達成される。ま
た、前記の「酸素濃度の高い領域」が膜面内で不均一な
分布であっても達成される。
長いプロセスあるいは設備投資を軽減し、同時にヘッド
磁極先端部から下部磁性層までの距離を増加させること
なく、高出力で低ノイズの媒体を提供することを目的と
する。すなわち、基板上に非磁性下地層を形成後、磁性
層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金膜を形成し、その表面を
優位的に酸化後、更にＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ磁性層を形成す
ることで、従来の非磁性金属中間層プロセスを除くこと
により達成される。さらにＣｏを主成分とする薄膜合金
磁性層内で酸素濃度の低い領域間に酸素濃度が高い領域
を膜厚方向に少なくとも一領域含ませることにより、本
発明が解決しようとする課題は達成される。該磁性層内
で酸素濃度の低い領域間に酸素濃度の高い領域を膜厚方
向に複数領域含ませることによっても達成される。ま
た、前記の「酸素濃度の高い領域」が膜面内で不均一な
分布であっても達成される。
【０００８】前記非磁性下地層としては、Ｎｉ−Ｐ薄
膜、Ｃｒ、あるいはＣｒを主成分とする薄膜からなる下
地膜を用いることが好ましい。
膜、Ｃｒ、あるいはＣｒを主成分とする薄膜からなる下
地膜を用いることが好ましい。
【０００９】また、前記磁性層にＣｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｔｉ、Ｓｉの中から選ばれる少なくとも一つの元素
を含んでいることが好ましい。
ｆ、Ｔｉ、Ｓｉの中から選ばれる少なくとも一つの元素
を含んでいることが好ましい。
【００１０】前記磁性層の残留磁化Ｂｒ［Ｇ］と膜厚ｔ
［μｍ］の積の値が１００Ｇ・μｍ以上４００Ｇ・μｍ
以下の値を有する媒体を磁気記録装置に用いた場合、従
来から記録／再生に用いているインダクティブヘッドに
対して、Ｓ／Ｎ比が向上した磁気記憶装置を得ることが
できる。また、磁気抵抗効果を用いた読み出し用磁気ヘ
ッドと書き込み用インダクティブヘッドを組み合わせて
なる記録／再生分離型磁気ヘッドと本発明が適用された
磁気記録媒体との組合せに対しては、１５０Ｇ・μｍ以
上２８０Ｇ・μｍ以下の値を有する媒体を磁気記録装置
に用いた場合、さらにＳ／Ｎ比が向上した磁気記憶装置
を得ることができる。
［μｍ］の積の値が１００Ｇ・μｍ以上４００Ｇ・μｍ
以下の値を有する媒体を磁気記録装置に用いた場合、従
来から記録／再生に用いているインダクティブヘッドに
対して、Ｓ／Ｎ比が向上した磁気記憶装置を得ることが
できる。また、磁気抵抗効果を用いた読み出し用磁気ヘ
ッドと書き込み用インダクティブヘッドを組み合わせて
なる記録／再生分離型磁気ヘッドと本発明が適用された
磁気記録媒体との組合せに対しては、１５０Ｇ・μｍ以
上２８０Ｇ・μｍ以下の値を有する媒体を磁気記録装置
に用いた場合、さらにＳ／Ｎ比が向上した磁気記憶装置
を得ることができる。
【００１１】
【作用】本発明者は磁性層間に酸素濃度が高い領域を少
なくとも一領域含ませた磁気記録媒体において、記録再
生時の媒体ノイズを減少できることを見出した。これ
は、磁気的相互作用を低減できるためであると考えられ
る。したがって、基板上に、非磁性下地層、Ｃｏを主成
分とする薄膜磁性層が順次形成され、該磁性層内の酸素
濃度の低い領域間で酸素濃度が高い領域を膜厚方向で一
領域含ませる構造は、低ノイズ化に非常に有効であると
考えた。さらに磁性層の酸素濃度の低い領域間に酸素濃
度が高い領域を膜厚方向に複数領域含ませた構造におい
ても、膜厚方向に磁気的相互作用が低減され、記録再生
時の媒体ノイズは一層低減されることも見出した。この
効果も主として酸素濃度の高い領域を形成することによ
り強磁性層内の磁気的相互作用を低減できるためと考え
られる。前記の酸素濃度の高い領域が膜面内で不均一な
分布であっても、磁性膜の厚さ方向に磁気的相互作用が
低減し、媒体ノイズが低減しているものと考えられる。
なくとも一領域含ませた磁気記録媒体において、記録再
生時の媒体ノイズを減少できることを見出した。これ
は、磁気的相互作用を低減できるためであると考えられ
る。したがって、基板上に、非磁性下地層、Ｃｏを主成
分とする薄膜磁性層が順次形成され、該磁性層内の酸素
濃度の低い領域間で酸素濃度が高い領域を膜厚方向で一
領域含ませる構造は、低ノイズ化に非常に有効であると
考えた。さらに磁性層の酸素濃度の低い領域間に酸素濃
度が高い領域を膜厚方向に複数領域含ませた構造におい
ても、膜厚方向に磁気的相互作用が低減され、記録再生
時の媒体ノイズは一層低減されることも見出した。この
効果も主として酸素濃度の高い領域を形成することによ
り強磁性層内の磁気的相互作用を低減できるためと考え
られる。前記の酸素濃度の高い領域が膜面内で不均一な
分布であっても、磁性膜の厚さ方向に磁気的相互作用が
低減し、媒体ノイズが低減しているものと考えられる。
【００１２】前記磁性層はＣｒ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔ
ｉ、Ｓｉの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含む
必要がある。この理由は、これらの元素を含んだ前記磁
性層表面が、これらの元素を添加しない場合に比べ、容
易に酸化被膜を形成しやすくなるためである。これらの
添加元素の割合が１７原子％を越えた場合には媒体の保
磁力の垂直成分が面内成分を上回り、好ましくない。
ｉ、Ｓｉの中から選ばれる少なくとも一つの元素を含む
必要がある。この理由は、これらの元素を含んだ前記磁
性層表面が、これらの元素を添加しない場合に比べ、容
易に酸化被膜を形成しやすくなるためである。これらの
添加元素の割合が１７原子％を越えた場合には媒体の保
磁力の垂直成分が面内成分を上回り、好ましくない。
【００１３】前記非磁性下地層としてＣｒ系薄膜からな
る下地層を用いる理由は、この上に連続して形成する面
内磁化膜の磁化容易軸を面内方向に高配向させるためで
ある。 磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドを用いて再生
を行なう際に、本発明による媒体は前記磁性層の残留磁
化Ｂｒ［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００Ｇ・μ
ｍ以上４００Ｇ・μｍ以下、より好ましくは１５０Ｇ・
μｍ以上２８０Ｇ・μｍ以下である必要がある。この理
由は高いＳ／Ｎを得るためである。残留磁化Ｂｒと膜厚
ｔの積の値が４００Ｇ・μｍ以上とした場合には、Ｓ／
Ｎが低下する。一方、膜厚ｔと残留磁化Ｂｒの積の値が
１００Ｇ・μｍ以下の場合には、出力が低下してしま
う。
る下地層を用いる理由は、この上に連続して形成する面
内磁化膜の磁化容易軸を面内方向に高配向させるためで
ある。 磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドを用いて再生
を行なう際に、本発明による媒体は前記磁性層の残留磁
化Ｂｒ［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００Ｇ・μ
ｍ以上４００Ｇ・μｍ以下、より好ましくは１５０Ｇ・
μｍ以上２８０Ｇ・μｍ以下である必要がある。この理
由は高いＳ／Ｎを得るためである。残留磁化Ｂｒと膜厚
ｔの積の値が４００Ｇ・μｍ以上とした場合には、Ｓ／
Ｎが低下する。一方、膜厚ｔと残留磁化Ｂｒの積の値が
１００Ｇ・μｍ以下の場合には、出力が低下してしま
う。
【００１４】インダクティブヘッドを用いて再生を行な
う際に、本発明による媒体は前記磁性層の残留磁化Ｂｒ
［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００Ｇ・μｍ以上
４００Ｇ・μｍ以下、より好ましくは３００Ｇ・μｍ以
上４００Ｇ・μｍ以下である必要がある。前記磁性層の
残留磁化Ｂｒ［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００
Ｇ・μｍ以上であるのは膜厚ｔと残留磁化Ｂｒの積の値
が１００Ｇ・μｍ以下の場合には、出力が低下してしま
うことによる。
う際に、本発明による媒体は前記磁性層の残留磁化Ｂｒ
［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００Ｇ・μｍ以上
４００Ｇ・μｍ以下、より好ましくは３００Ｇ・μｍ以
上４００Ｇ・μｍ以下である必要がある。前記磁性層の
残留磁化Ｂｒ［Ｇ］と膜厚ｔ［μｍ］の積の値が１００
Ｇ・μｍ以上であるのは膜厚ｔと残留磁化Ｂｒの積の値
が１００Ｇ・μｍ以下の場合には、出力が低下してしま
うことによる。
【００１５】
【実施例】本発明を以下の実施例により説明する。
〔実施例１〕図１は、本実施例に置ける磁気記録媒体を
示す断面図である。図１において、１１は強化ガラス、
プラスチック、Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミニュウム合金
等の基板、１２、３２はＮｉ−Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃ
ｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｗなどの金属下地層、１
３、３３はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｈｆ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ等の下
部磁性層、１４、３４は１３、３３に比べ優位的に酸素
濃度が高い領域、１５、３５は１３、３３と同様な上部
磁性層、１６、３６はＣ、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ｃｏ
３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｗ−Ｃ、Ｚｒ−Ｗ−
Ｃ、Ｗ−Ｍｏ−Ｃ−Ｎｉ等からなる保護層である。な
お、本発明が達成できる円板の直径は、例えば１０．
８、１０．５、９．５、６．５、５．２５、３．５、
２．５、１．８、１．３、１．０インチ等の円板であ
り、特に円板の外径等の形状は限定されない。前記の各
層は、たとえば以下に示す例のように形成される。
示す断面図である。図１において、１１は強化ガラス、
プラスチック、Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミニュウム合金
等の基板、１２、３２はＮｉ−Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃ
ｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｗなどの金属下地層、１
３、３３はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ、
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｈｆ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔｉ等の下
部磁性層、１４、３４は１３、３３に比べ優位的に酸素
濃度が高い領域、１５、３５は１３、３３と同様な上部
磁性層、１６、３６はＣ、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｓｉ−Ｃ、Ｃｏ
３Ｏ４、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｗ−Ｃ、Ｚｒ−Ｗ−
Ｃ、Ｗ−Ｍｏ−Ｃ−Ｎｉ等からなる保護層である。な
お、本発明が達成できる円板の直径は、例えば１０．
８、１０．５、９．５、６．５、５．２５、３．５、
２．５、１．８、１．３、１．０インチ等の円板であ
り、特に円板の外径等の形状は限定されない。前記の各
層は、たとえば以下に示す例のように形成される。
【００１６】直径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．
９ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミニウム合金ディ
スク基板１１の両面に厚さ２０μｍのＮｉ−１２ｗｔ．
％Ｐメッキを施した後、このメッキ面にほぼ同心円状の
微細な溝を形成する。このために中心線平均面粗さは１
０ｎｍであり、Ｎｉ−１２ｗｔ．％Ｐメッキ膜厚を１５
μｍとなるように研磨した。この種の表面加工を一般に
テクスチャ−加工と称しているが、テクスチャ−の溝方
向は、円周方向だけではなく、偏心した加工であって
も、ヘッドの粘着を回避できる構造であればこの基板上
に薄膜記録媒体を形成しても電磁変換特性上何ら問題は
ない。
９ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミニウム合金ディ
スク基板１１の両面に厚さ２０μｍのＮｉ−１２ｗｔ．
％Ｐメッキを施した後、このメッキ面にほぼ同心円状の
微細な溝を形成する。このために中心線平均面粗さは１
０ｎｍであり、Ｎｉ−１２ｗｔ．％Ｐメッキ膜厚を１５
μｍとなるように研磨した。この種の表面加工を一般に
テクスチャ−加工と称しているが、テクスチャ−の溝方
向は、円周方向だけではなく、偏心した加工であって
も、ヘッドの粘着を回避できる構造であればこの基板上
に薄膜記録媒体を形成しても電磁変換特性上何ら問題は
ない。
【００１７】これらの基板を洗浄乾燥後、ＤＣマグネト
ロンカソ−ド用いた枚葉式成膜装置を用いて、下地層１
２、３２となるＮｉ−Ｐを厚さで５０ｎｍスパッタし、
さらに下部磁性層１３、３３となるＣｏ−１５ａｔ．％
Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ膜を１２ｎｍ形成し、酸素ガスを
導入し、この磁性層表面に一旦酸化被膜１４、３４を形
成した。その後上部磁性層を形成するチャンバ−内部へ
円板を移動し、同チャンバ−内で酸素ガスを含まないＡ
ｒガス或いは酸素濃度を制御したＡｒガスを導入し、上
部磁性層１５、３５として、１３、３３と同一組成のＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を１２ｎｍ形成した。さらに保護層１
６、３６としてＣ膜を形成した。このＣ保護膜上には、
パ−フルオロアルキルポリエ−テル等の潤滑剤を付着さ
せた。
ロンカソ−ド用いた枚葉式成膜装置を用いて、下地層１
２、３２となるＮｉ−Ｐを厚さで５０ｎｍスパッタし、
さらに下部磁性層１３、３３となるＣｏ−１５ａｔ．％
Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ膜を１２ｎｍ形成し、酸素ガスを
導入し、この磁性層表面に一旦酸化被膜１４、３４を形
成した。その後上部磁性層を形成するチャンバ−内部へ
円板を移動し、同チャンバ−内で酸素ガスを含まないＡ
ｒガス或いは酸素濃度を制御したＡｒガスを導入し、上
部磁性層１５、３５として、１３、３３と同一組成のＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を１２ｎｍ形成した。さらに保護層１
６、３６としてＣ膜を形成した。このＣ保護膜上には、
パ−フルオロアルキルポリエ−テル等の潤滑剤を付着さ
せた。
【００１８】この円板の断面薄片を作製し、透過電子顕
微鏡で観察した結果、図２に示すように中間層１４、３
４は必ずしも連続膜ではなく、島状の部分、或いは分離
した部分もあり、部分的に下部磁性層１３、３３と上部
磁性層１５、３５が接して結晶成長している部分があっ
た。したがって、図１、図２において、中間領域１４、
３４が、あたかも明確に分離された境界を有する層状体
のように表現がなされているが、実際の本願発明におい
ては明確に分離されていない状態をも含まれる。
微鏡で観察した結果、図２に示すように中間層１４、３
４は必ずしも連続膜ではなく、島状の部分、或いは分離
した部分もあり、部分的に下部磁性層１３、３３と上部
磁性層１５、３５が接して結晶成長している部分があっ
た。したがって、図１、図２において、中間領域１４、
３４が、あたかも明確に分離された境界を有する層状体
のように表現がなされているが、実際の本願発明におい
ては明確に分離されていない状態をも含まれる。
【００１９】〔比較例１〕〔実施例１〕で、１４、３４
を挟んで磁性層を形成する際に、残留磁化Ｂｒと磁性層
の膜厚の積（Ｂｒ・ｔｍａｇ）の値は磁性膜を単層で形
成した場合に比べ、約４％減少した。約４％減少させた
（Ｂｒ・ｔｍａｇ）と同じ大きさを有し、磁性膜を単層
で形成したＣ／（Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％
Ｐｔ）／Ｃｒ媒体を再形成し、〔実施例１〕と特性の比
較を行った。
を挟んで磁性層を形成する際に、残留磁化Ｂｒと磁性層
の膜厚の積（Ｂｒ・ｔｍａｇ）の値は磁性膜を単層で形
成した場合に比べ、約４％減少した。約４％減少させた
（Ｂｒ・ｔｍａｇ）と同じ大きさを有し、磁性膜を単層
で形成したＣ／（Ｃｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％
Ｐｔ）／Ｃｒ媒体を再形成し、〔実施例１〕と特性の比
較を行った。
【００２０】ここで本発明が適用される磁気記録装置に
ついて図４及び図５を用いて説明する。図４は、本発明
によって得られる磁気記録媒体である磁気ディスクに、
情報の記録／再生を行う磁気記録装置、即ち磁気ディス
ク装置の概略図である。磁気ディスク１０１はスピンド
ル１０４に複数枚固定されており、スピンドル１０４が
駆動することによって磁気ディスク装置１００の内部に
略密閉された状態で高速回転をし、磁気ヘッド１０２に
よって磁気情報の書き込み／読み出しが行われる。磁気
ヘッド１０２はロータリーアクチュエータ１０３によっ
て、磁気ディスク１０１の記録可能領域に位置決めを行
う。図５は、本発明が適用された磁気ディスクと磁気ヘ
ッドとの関係を表す概略図である。図５に示した磁気ヘ
ッド３は、記録用ヘッド２００と、再生用ヘッド３００
とを有する磁気ヘッドである。記録用ヘッド２００は、
従来、記録及び再生の両方の目的に使用されてきたイン
ダクティブ型薄膜磁気ヘッドと概ね等しいものである。
上部磁気コア２０１と下部磁気コア２０４と磁気ギャッ
プ２０６、及び磁気記録媒体の磁性層とで磁気回路を構
成し、導電コイル２０３に流れる電流により磁気ディス
ク２０７へ記録／再生を行うことができる。本実施例に
おいては記録専用に用いた。再生用ヘッド３００は、磁
気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドである。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドである再生用ヘッド３００
は、磁界の変化によって変化する磁気抵抗効果素子３０
３の抵抗変化を再生出力として検出する。上部シールド
膜３０１及び下部シールド膜３０４は、非磁性絶縁膜３
０２を介して磁気抵抗効果素子３０３への余分な磁界を
遮断する。本実施例における磁気ヘッド１０２の再生用
ヘッド３００及び記録用ヘッド２００は、非磁性絶縁層
２０５を介してヘッドスライダ基板３０５上に順次積層
されて形成する。
ついて図４及び図５を用いて説明する。図４は、本発明
によって得られる磁気記録媒体である磁気ディスクに、
情報の記録／再生を行う磁気記録装置、即ち磁気ディス
ク装置の概略図である。磁気ディスク１０１はスピンド
ル１０４に複数枚固定されており、スピンドル１０４が
駆動することによって磁気ディスク装置１００の内部に
略密閉された状態で高速回転をし、磁気ヘッド１０２に
よって磁気情報の書き込み／読み出しが行われる。磁気
ヘッド１０２はロータリーアクチュエータ１０３によっ
て、磁気ディスク１０１の記録可能領域に位置決めを行
う。図５は、本発明が適用された磁気ディスクと磁気ヘ
ッドとの関係を表す概略図である。図５に示した磁気ヘ
ッド３は、記録用ヘッド２００と、再生用ヘッド３００
とを有する磁気ヘッドである。記録用ヘッド２００は、
従来、記録及び再生の両方の目的に使用されてきたイン
ダクティブ型薄膜磁気ヘッドと概ね等しいものである。
上部磁気コア２０１と下部磁気コア２０４と磁気ギャッ
プ２０６、及び磁気記録媒体の磁性層とで磁気回路を構
成し、導電コイル２０３に流れる電流により磁気ディス
ク２０７へ記録／再生を行うことができる。本実施例に
おいては記録専用に用いた。再生用ヘッド３００は、磁
気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドである。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドである再生用ヘッド３００
は、磁界の変化によって変化する磁気抵抗効果素子３０
３の抵抗変化を再生出力として検出する。上部シールド
膜３０１及び下部シールド膜３０４は、非磁性絶縁膜３
０２を介して磁気抵抗効果素子３０３への余分な磁界を
遮断する。本実施例における磁気ヘッド１０２の再生用
ヘッド３００及び記録用ヘッド２００は、非磁性絶縁層
２０５を介してヘッドスライダ基板３０５上に順次積層
されて形成する。
【００２１】そこで〔実施例１〕、〔比較例１〕におい
て形成した磁気記録媒体を、上記の如き磁気ディスク装
置に適用し、磁気抵抗効果を利用したヘッドにより電磁
変換特性を評価した。その結果、〔比較例１〕で形成し
た媒体の孤立波再生出力の大きさは、〔実施例１〕で形
成した孤立波再生出力の大きさと同等であった。一方、
〔比較例１〕で形成した媒体において同じ記録密度で信
号を記録した場合、ディスクノイズは、〔実施例１〕で
形成したディスクノイズに比べ３０％大きかった。
て形成した磁気記録媒体を、上記の如き磁気ディスク装
置に適用し、磁気抵抗効果を利用したヘッドにより電磁
変換特性を評価した。その結果、〔比較例１〕で形成し
た媒体の孤立波再生出力の大きさは、〔実施例１〕で形
成した孤立波再生出力の大きさと同等であった。一方、
〔比較例１〕で形成した媒体において同じ記録密度で信
号を記録した場合、ディスクノイズは、〔実施例１〕で
形成したディスクノイズに比べ３０％大きかった。
【００２２】〔実施例２〕直径１３０ｍｍ、内径４０ｍ
ｍ、厚さ１．２７ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミ
ニウム合金ディスク基板１１の両面に厚さ２０μｍのＮ
ｉ−１２ｗｔ．％Ｐメッキを施した後、〔実施例１〕と
同様なテクスチャ−加工を施した。
ｍ、厚さ１．２７ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミ
ニウム合金ディスク基板１１の両面に厚さ２０μｍのＮ
ｉ−１２ｗｔ．％Ｐメッキを施した後、〔実施例１〕と
同様なテクスチャ−加工を施した。
【００２３】この基板を洗浄乾燥後、枚葉式成膜装置で
下地層１２、３２としてＣｒを厚さ５０ｎｍで形成し、
さらに下部磁性層１３、３３としてＣｏ−１１ａｔ．％
Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成し、酸素ガスを
導入し、この磁性層表面に一旦酸化被膜１４、３４を形
成した。この後、さらに上部磁性層１５、３５として１
３、３３と同一組成のＣｏ−１１ａｔ．％Ｃｒ−４ａ
ｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成し、保護層１６、３６とし
てＣ膜を形成した。Ｃ保護層の膜厚は３０ｎｍとした。
このＣ保護膜上にフェニキシアミン等の潤滑剤を付着さ
せた。
下地層１２、３２としてＣｒを厚さ５０ｎｍで形成し、
さらに下部磁性層１３、３３としてＣｏ−１１ａｔ．％
Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成し、酸素ガスを
導入し、この磁性層表面に一旦酸化被膜１４、３４を形
成した。この後、さらに上部磁性層１５、３５として１
３、３３と同一組成のＣｏ−１１ａｔ．％Ｃｒ−４ａ
ｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形成し、保護層１６、３６とし
てＣ膜を形成した。Ｃ保護層の膜厚は３０ｎｍとした。
このＣ保護膜上にフェニキシアミン等の潤滑剤を付着さ
せた。
【００２４】〔比較例２〕〔実施例２〕に記載の磁気記
録媒体を形成する際に、下部磁性層１３、３３としてＣ
ｏ−１１ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形
成後、表面を酸化させることなく、直ちに非磁性Ｃｒ中
間層を厚みで０．５、１、２、４、８ｎｍ形成した。さ
らに連続して上部磁性層１５、３５として１３、３３と
同一組成のＣｏ−１１ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜
を１３ｎｍ形成し、保護層１６、３６としてＣ膜を形成
した。Ｃ保護層の膜厚は〔実施例２〕と同様に３０ｎｍ
とした。このＣ保護膜上にフェニキシアミン等の潤滑剤
を付着させた。これらの積層膜について、振動式磁力計
により測定した残留磁化と保磁力の値は、表１に示すよ
うに〔実施例２〕に記載した積層膜に比べて、残留磁
化、保磁力ともに非磁性Ｃｒ中間層の厚さの増加と共に
減少した。
録媒体を形成する際に、下部磁性層１３、３３としてＣ
ｏ−１１ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜を１３ｎｍ形
成後、表面を酸化させることなく、直ちに非磁性Ｃｒ中
間層を厚みで０．５、１、２、４、８ｎｍ形成した。さ
らに連続して上部磁性層１５、３５として１３、３３と
同一組成のＣｏ−１１ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ膜
を１３ｎｍ形成し、保護層１６、３６としてＣ膜を形成
した。Ｃ保護層の膜厚は〔実施例２〕と同様に３０ｎｍ
とした。このＣ保護膜上にフェニキシアミン等の潤滑剤
を付着させた。これらの積層膜について、振動式磁力計
により測定した残留磁化と保磁力の値は、表１に示すよ
うに〔実施例２〕に記載した積層膜に比べて、残留磁
化、保磁力ともに非磁性Ｃｒ中間層の厚さの増加と共に
減少した。
【００２５】
【表１】
【００２６】〔実施例３〕直径３．５インチで厚みが
０．８ｍｍのガラス円板１１上に〔実施例１〕と同様に
して（Ｃｒ−Ｔｉ）合金下地層１２、３２を形成した。
磁性層１３、３３を形成する際にＣｏ−１５ａｔ．％Ｃ
ｒ−８ａｔ．％Ｐｔ合金を、磁性層１５、３５を形成す
る際にＣｏ−１０．５ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ合
金を用いた他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を
形成した。
０．８ｍｍのガラス円板１１上に〔実施例１〕と同様に
して（Ｃｒ−Ｔｉ）合金下地層１２、３２を形成した。
磁性層１３、３３を形成する際にＣｏ−１５ａｔ．％Ｃ
ｒ−８ａｔ．％Ｐｔ合金を、磁性層１５、３５を形成す
る際にＣｏ−１０．５ａｔ．％Ｃｒ−４ａｔ．％Ｔａ合
金を用いた他は、実施例１と同様にして磁気記録媒体を
形成した。
【００２７】〔比較例３〕〔実施例３〕に記載の磁性層
として１３、３３を形成後、直ちに磁性層１５、３５を
形成した他は、〔実施例３〕と同様にして磁気記録媒体
を形成した。
として１３、３３を形成後、直ちに磁性層１５、３５を
形成した他は、〔実施例３〕と同様にして磁気記録媒体
を形成した。
【００２８】これらの円板から８ｍｍ角の試料を切り出
し、振動式磁力計を用いてディスクの周方向にδＭの測
定を行なった。δＭの測定は２４℃で２０Ｏｅ刻みに３
０００Ｏｅまで印加して行なった。その結果、〔実施例
３〕で形成した円板ではδＭのピ−クの高さが０．７で
あったのに対し、〔比較例３〕に記載した媒体で測定し
たδＭのピ−クの高さは１．２であった。これらの結果
から、ジャ−ナル・オブ・アプライド・フィジックス、
第６９巻、４７３３−４７３５ペ−ジに記載されている
ように、〔実施例３〕で形成した円板の磁性層間に働く
磁気的な相互作用は〔比較例３〕に示した媒体に比べ低
減されていることが明らかになった。
し、振動式磁力計を用いてディスクの周方向にδＭの測
定を行なった。δＭの測定は２４℃で２０Ｏｅ刻みに３
０００Ｏｅまで印加して行なった。その結果、〔実施例
３〕で形成した円板ではδＭのピ−クの高さが０．７で
あったのに対し、〔比較例３〕に記載した媒体で測定し
たδＭのピ−クの高さは１．２であった。これらの結果
から、ジャ−ナル・オブ・アプライド・フィジックス、
第６９巻、４７３３−４７３５ペ−ジに記載されている
ように、〔実施例３〕で形成した円板の磁性層間に働く
磁気的な相互作用は〔比較例３〕に示した媒体に比べ低
減されていることが明らかになった。
【００２９】〔実施例４〕図３に示すように、インライ
ンスパッタ装置を用いて、グラッシ−カ−ボン基板１１
上にＤＣマグネトロンスパッタ法で、厚さ５０ｎｍのＣ
ｒ下地膜１２、３２、下部磁性膜１３、３３として厚さ
９ｎｍのＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％Ｔａ膜を
連続して形成後、２分間放電ガス雰囲気に放置して酸素
濃度の高い領域１４、３４を形成する。その後、さらに
下部磁性層１３、３３と同じ厚さの磁性層２５、２４と
してＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％Ｔａ膜、２分
間放電ガス雰囲気に放置して酸素濃度の高い領域１４、
３４を形成後、さらに下部磁性層１３、３３と同じ厚さ
の上部磁性層１５、３５としてＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ
−２ａｔ．％Ｔａ膜、保護膜１６、３６としてＣ膜を形
成した。
ンスパッタ装置を用いて、グラッシ−カ−ボン基板１１
上にＤＣマグネトロンスパッタ法で、厚さ５０ｎｍのＣ
ｒ下地膜１２、３２、下部磁性膜１３、３３として厚さ
９ｎｍのＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％Ｔａ膜を
連続して形成後、２分間放電ガス雰囲気に放置して酸素
濃度の高い領域１４、３４を形成する。その後、さらに
下部磁性層１３、３３と同じ厚さの磁性層２５、２４と
してＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％Ｔａ膜、２分
間放電ガス雰囲気に放置して酸素濃度の高い領域１４、
３４を形成後、さらに下部磁性層１３、３３と同じ厚さ
の上部磁性層１５、３５としてＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ
−２ａｔ．％Ｔａ膜、保護膜１６、３６としてＣ膜を形
成した。
【００３０】〔実施例５〕〔実施例１〕に記載の媒体に
用いた磁性層の膜厚と残留磁化の積の値が３６０Ｇ・μ
ｍの値をとるように媒体の膜厚を変更したほかは、〔実
施例１〕と同様にしてインダクティブヘッドを用いて電
磁変換特性を評価した。図４に示した磁気ディスク装置
と同様の装置で、磁気ヘッド１０２における再生用ヘッ
ドがインダクティブ型の磁気ヘッドを用いた。その結
果、磁性層を単層膜として形成した場合に比べ、本実施
例に記載の媒体は孤立波再生出力は変化しないが、同じ
記録密度で信号を記録した場合、ディスクノイズは約２
５％低減した。
用いた磁性層の膜厚と残留磁化の積の値が３６０Ｇ・μ
ｍの値をとるように媒体の膜厚を変更したほかは、〔実
施例１〕と同様にしてインダクティブヘッドを用いて電
磁変換特性を評価した。図４に示した磁気ディスク装置
と同様の装置で、磁気ヘッド１０２における再生用ヘッ
ドがインダクティブ型の磁気ヘッドを用いた。その結
果、磁性層を単層膜として形成した場合に比べ、本実施
例に記載の媒体は孤立波再生出力は変化しないが、同じ
記録密度で信号を記録した場合、ディスクノイズは約２
５％低減した。
【００３１】この磁気記録媒体を、図５に示した如く、
磁気抵抗効果型磁気ヘッドとインダクティブ型磁気ヘッ
ドを組み合わせた磁気ヘッドを用いることにより、７０
ｋＦＣＩ以上の高密度磁気記録が実現できた。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドとインダクティブ型磁気ヘッ
ドを組み合わせた磁気ヘッドを用いることにより、７０
ｋＦＣＩ以上の高密度磁気記録が実現できた。
【００３２】以上、本発明における実施例の磁気記録媒
体を用いることによって、従来の多層膜を有する磁気記
録媒体に比べて、高記録密度の磁気記録装置を得ること
ができる。
体を用いることによって、従来の多層膜を有する磁気記
録媒体に比べて、高記録密度の磁気記録装置を得ること
ができる。
【００３３】
【発明の効果】残留磁化を減少させることなく高記録密
度におけるディスクノイズを低減可能な磁気記録媒体を
得ることができる。また、本発明の磁気記録媒体を用い
て、Ｓ／Ｎが良好な大容量磁気記憶装置を提供すること
ができる。
度におけるディスクノイズを低減可能な磁気記録媒体を
得ることができる。また、本発明の磁気記録媒体を用い
て、Ｓ／Ｎが良好な大容量磁気記憶装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図
【図２】本発明の他の実施例の磁気記録媒体の断面図
【図３】本発明の他の実施例の磁気記録媒体の断面図
【図４】本発明が適用された磁気記録媒体を用いる磁気
記憶装置の概略図
記憶装置の概略図
【図５】本発明が適用された磁気記録媒体と磁気ヘッド
との関係を表す概略図
との関係を表す概略図
１１：基板、１２、３２：金属下地層、１３、３３：下
部磁性層、１４、２４、３４、４４：１３、３３に比べ
優位的に酸素濃度が高い領域、１５、３５：上部磁性
層、１６、３６：保護層、２５、４５：磁性層、１０
０：磁気記憶装置、１０１：磁気ディスク、１０２：磁
気ヘッド、１０３：ロータリーアクチュエータ、１０
４：スピンドル、２００：記録用ヘッド、２０１：上部
磁気コア、２０２：非磁性絶縁層、２０３：導体コイ
ル、２０４：下部磁気コア、２０５：非磁性絶縁層、２
０６：磁気ギャップ、２０７：磁気記録媒体、３００：
再生用ヘッド、３０１：上部シールド膜、３０２：非磁
性絶縁膜、３０３：磁気抵抗効果素子、３０４：下部シ
ールド膜、３０５：ヘッドスライダ基板、
部磁性層、１４、２４、３４、４４：１３、３３に比べ
優位的に酸素濃度が高い領域、１５、３５：上部磁性
層、１６、３６：保護層、２５、４５：磁性層、１０
０：磁気記憶装置、１０１：磁気ディスク、１０２：磁
気ヘッド、１０３：ロータリーアクチュエータ、１０
４：スピンドル、２００：記録用ヘッド、２０１：上部
磁気コア、２０２：非磁性絶縁層、２０３：導体コイ
ル、２０４：下部磁気コア、２０５：非磁性絶縁層、２
０６：磁気ギャップ、２０７：磁気記録媒体、３００：
再生用ヘッド、３０１：上部シールド膜、３０２：非磁
性絶縁膜、３０３：磁気抵抗効果素子、３０４：下部シ
ールド膜、３０５：ヘッドスライダ基板、
フロントページの続き
(72)発明者 米川 隆生
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 阿部 勝男
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 高垣 篤補
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 遠藤 直人
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(72)発明者 菅沼 庸雄
神奈川県小田原市国府津2880番地 株式
会社 日立製作所 ストレージシステム
事業部内
(56)参考文献 特開 昭63−146219（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−289911（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−53322（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−16013（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−21921（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−368611（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/66
G11B 5/85
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に非磁性下地層を介して複数層の
磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、 前記基板と前記磁性層との間に少なくともＣｒを主成分
とし且つＴｉ，Ｓｉ，Ｗの内の何れか一つの元素を含有
する薄膜から成る非磁性下地層を形成し、 前記複数層の磁性層の各磁性層間に、磁性層の酸化物を
形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 基板と複数層の磁性層との間に非磁性下
地層を形成した磁気記録媒体において、 前記非磁性下地層は、Ｎｉ−Ｐ薄膜，Ｃｒ，あるいはＣ
ｒを主成分とする薄膜であり、 前記複数層の磁性層の各磁性層間に、磁性層の酸化層が
形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に非磁性下地層を介して複数層の
磁性層を形成した磁気記録媒体において、 前記複数層の各磁性層間に、複数層の磁性層に比べ酸素
濃度の高い中間領域を有し、 該中間領域は、島状の部分あるいは分離した部分を有
し、部分的に前記複数の磁性層が接して結晶成長してい
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 基板上に非磁性下地層を介して複数層の
磁性層を形成した磁気記録媒体において、 前記非磁性下地層は、Ｃｒを主成分とし且つＴｉ，Ｓ
ｉ，Ｗの内の何れか一つの元素を含有する薄膜から成る
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 基板上に非磁性下地層を介して複数層の
磁性層を形成した磁気記録媒体において、 前記非磁性下地層がＣｒを主成分とし且つＴｉ，Ｓｉ，
Ｗの内の何れか一つの元素を含有する薄膜から成り、 前記複数層の磁性層の各磁性層間に、磁性層の酸化層が
形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】 基板上に、非磁性下地層を介して複数層
の磁性層を形成した磁気記録媒体において、 前記非磁性下地層がＭｏまたはＷ薄膜から成り、 前記複数層の磁性層の各磁性層間に、磁性層の酸化層が
形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記複数層の磁性層がＣｒ，Ｔａ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｓｉの内の何れか一つの元素を含有し
ていることを特徴とする請求項５又は６に記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項８】 前記基板が、強化ガラス，プラスチッ
ク，Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミニウム合金の内の何れか
一つからなることを特徴とする請求項２から７の内の何
れか一つに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 請求項２から８に記載の磁気記録媒体を
少なくとも１枚以上と、磁気抵抗効果を用いた読み出し
用磁気ヘッドと、書き込み用のインダクティブヘッド
と、を組み合わせてなることを特徴とする磁気記憶装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03063393A JP3434845B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 |
| US08/193,376 US5587235A (en) | 1993-02-19 | 1994-02-08 | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03063393A JP3434845B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243455A JPH06243455A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3434845B2 true JP3434845B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=12309253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03063393A Expired - Fee Related JP3434845B2 (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3434845B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3625865B2 (ja) | 1994-09-08 | 2005-03-02 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP03063393A patent/JP3434845B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06243455A (ja) | 1994-09-02 |
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