JPH0793738A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0793738A JPH0793738A JP23621493A JP23621493A JPH0793738A JP H0793738 A JPH0793738 A JP H0793738A JP 23621493 A JP23621493 A JP 23621493A JP 23621493 A JP23621493 A JP 23621493A JP H0793738 A JPH0793738 A JP H0793738A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- substrate
- alloy
- layer
- circumferential direction
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周方向にテキスチャーを施したＮｉＰメッキ
被覆アルミニウム合金基板を用いた磁気記録媒体の高密
度記録領域でのノイズを低減する。 【構成】 ほぼ周方向にテキスチャーを施したＮｉＰめ
っき被覆アルミニウム合金基板上にＣｕ，Ａｌ，Ｇｅ又
はＡｇの不連続な下地膜層を設け、該下地膜層の上にバ
イアス電圧を印加しながらＣｒ合金中間膜層及びＣｏ合
金磁性層を順次設ける。 【効果】 予めテキスチャーを施した基板表面に特定の
金属よりなる不連続な層を設け、更にＣｒ合金中間膜
層、Ｃｏ合金磁性層を順次積層することにより、周方向
の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁気膜となると
ともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込ん
だ場合のノイズの急激な増加が防止される。バイアス成
膜により高保磁力化が図れる。成膜後の表面でもテキス
チャー形状が保持され、耐久性が保たれる。
被覆アルミニウム合金基板を用いた磁気記録媒体の高密
度記録領域でのノイズを低減する。 【構成】 ほぼ周方向にテキスチャーを施したＮｉＰめ
っき被覆アルミニウム合金基板上にＣｕ，Ａｌ，Ｇｅ又
はＡｇの不連続な下地膜層を設け、該下地膜層の上にバ
イアス電圧を印加しながらＣｒ合金中間膜層及びＣｏ合
金磁性層を順次設ける。 【効果】 予めテキスチャーを施した基板表面に特定の
金属よりなる不連続な層を設け、更にＣｒ合金中間膜
層、Ｃｏ合金磁性層を順次積層することにより、周方向
の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁気膜となると
ともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込ん
だ場合のノイズの急激な増加が防止される。バイアス成
膜により高保磁力化が図れる。成膜後の表面でもテキス
チャー形状が保持され、耐久性が保たれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘッドとの
間において情報の記録及び再生を行うための磁気記録媒
体に関するものであり、特に周方向にテキスチャーを施
したＮｉＰメッキ被覆アルミニウム合金基板を用いた磁
気記録媒体であって、高密度記録領域でのノイズを低減
した磁気記録媒体に関する。
間において情報の記録及び再生を行うための磁気記録媒
体に関するものであり、特に周方向にテキスチャーを施
したＮｉＰメッキ被覆アルミニウム合金基板を用いた磁
気記録媒体であって、高密度記録領域でのノイズを低減
した磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的に使用されているハードデ
ィスクドライブ用の磁気記録媒体は、ＮｉＰめっきを被
覆したアルミニウム合金基板上に、Ｃｒ合金層、Ｃｏ合
金磁性層、保護膜層を、順次スパッタリング成膜法によ
り積層した構造となっている。なお、ＮｉＰめっき被覆
アルミニウム合金基板表面は、予めスパッタリング成膜
の前にラッピングテープ又は遊離砥粒によりテキスチャ
ー加工が施され、概ねディスク基板の周方向にテキスチ
ャー溝が形成される。このテキスチャー溝形状は、磁気
記録媒体とヘッドとの間で生じる摩擦摩耗等の耐久性の
向上に重要な役割を果している。このように周方向にテ
キスチャー加工を施した基板を用いた磁気ディスクの磁
気特性は、一般に、周方向に強い磁気異方性を示し、デ
ィスク径方向に比べ保持力や角形比が大きくなり、記録
再生において高い出力や優れた周波数特性が得られるこ
とが知られている。
ィスクドライブ用の磁気記録媒体は、ＮｉＰめっきを被
覆したアルミニウム合金基板上に、Ｃｒ合金層、Ｃｏ合
金磁性層、保護膜層を、順次スパッタリング成膜法によ
り積層した構造となっている。なお、ＮｉＰめっき被覆
アルミニウム合金基板表面は、予めスパッタリング成膜
の前にラッピングテープ又は遊離砥粒によりテキスチャ
ー加工が施され、概ねディスク基板の周方向にテキスチ
ャー溝が形成される。このテキスチャー溝形状は、磁気
記録媒体とヘッドとの間で生じる摩擦摩耗等の耐久性の
向上に重要な役割を果している。このように周方向にテ
キスチャー加工を施した基板を用いた磁気ディスクの磁
気特性は、一般に、周方向に強い磁気異方性を示し、デ
ィスク径方向に比べ保持力や角形比が大きくなり、記録
再生において高い出力や優れた周波数特性が得られるこ
とが知られている。
【０００３】近年、磁気記録媒体の高密度化傾向は益々
高まると共に、書き込み周波数の高周波数化が進み、記
録ビット当たりの長さが短くなっている。現行のハード
ディスク装置では、再生信号の品質を確保する観点か
ら、低周波数での書き込み時の出力の大きさが約７０％
程度に低下するような高周波数が書き込み周波数として
記録に用いられている。その一方で、記録再生分離型ヘ
ッド（誘導型ヘッドと磁気抵抗型ヘッドの複合ヘッド）
と新しい記録信号処理（ＰＲＭＬ：Ｐａｒｔｉａｌ ｒ
ｅｓｐｏｎｓｅ ｍａｘｉｍｕｍ ｌｉｋｅｌｉｈｏｏ
ｄ）を用いることにより、低周波数での書き込み時の出
力に比べ５０％（Ｄ５０と称する）以下になる様な高周
波数での書き込み領域でも実用的に記録再生可能となっ
ている。
高まると共に、書き込み周波数の高周波数化が進み、記
録ビット当たりの長さが短くなっている。現行のハード
ディスク装置では、再生信号の品質を確保する観点か
ら、低周波数での書き込み時の出力の大きさが約７０％
程度に低下するような高周波数が書き込み周波数として
記録に用いられている。その一方で、記録再生分離型ヘ
ッド（誘導型ヘッドと磁気抵抗型ヘッドの複合ヘッド）
と新しい記録信号処理（ＰＲＭＬ：Ｐａｒｔｉａｌ ｒ
ｅｓｐｏｎｓｅ ｍａｘｉｍｕｍ ｌｉｋｅｌｉｈｏｏ
ｄ）を用いることにより、低周波数での書き込み時の出
力に比べ５０％（Ｄ５０と称する）以下になる様な高周
波数での書き込み領域でも実用的に記録再生可能となっ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、周方向
にテキスチャーを基板に施すことによって耐久性を改善
すると共に、テキスチャー方向に沿って周方向に磁気異
方性を持たせた従来の磁気記録媒体では、Ｄ５０以下の
高周波数書き込み領域から急激にノイズが増加する傾向
がある。この急激なノイズの増加を抑えるためには、テ
キスチャーの無い平滑基板を用いればよいことが判って
いるが、この場合には、保磁力と耐久性に問題が生じ
る。平滑基板の耐久性を向上させるために、平滑基板、
例えばガラス基板の表面をエッチングする方法や、粒状
形状のテキスチャーを形成する方法（特開平５−２０６
５９号公報，特開平５−２０６８０号公報，特開平５−
２０６８１号公報）が示されているが、十分満足し得る
効果は得られていない。
にテキスチャーを基板に施すことによって耐久性を改善
すると共に、テキスチャー方向に沿って周方向に磁気異
方性を持たせた従来の磁気記録媒体では、Ｄ５０以下の
高周波数書き込み領域から急激にノイズが増加する傾向
がある。この急激なノイズの増加を抑えるためには、テ
キスチャーの無い平滑基板を用いればよいことが判って
いるが、この場合には、保磁力と耐久性に問題が生じ
る。平滑基板の耐久性を向上させるために、平滑基板、
例えばガラス基板の表面をエッチングする方法や、粒状
形状のテキスチャーを形成する方法（特開平５−２０６
５９号公報，特開平５−２０６８０号公報，特開平５−
２０６８１号公報）が示されているが、十分満足し得る
効果は得られていない。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、周方
向にテキスチャーを施したＮｉＰメッキ被覆アルミニウ
ム合金基板を用いた磁気記録媒体であって、高密度記録
領域でのノイズを低減した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
向にテキスチャーを施したＮｉＰメッキ被覆アルミニウ
ム合金基板を用いた磁気記録媒体であって、高密度記録
領域でのノイズを低減した磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、ほぼ周方向にテキスチャーを施したＮｉＰめっき被
覆アルミニウム合金基板上に、Ｃｕ，Ａｌ，Ｇｅ及びＡ
ｇからなる群から選ばれる金属よりなる不連続な下地膜
層を設け、該下地膜層の上にバイアス電圧を印加しなが
らＣｒ合金中間膜層及びＣｏ合金磁性層を順次設けてな
ることを特徴とする。
は、ほぼ周方向にテキスチャーを施したＮｉＰめっき被
覆アルミニウム合金基板上に、Ｃｕ，Ａｌ，Ｇｅ及びＡ
ｇからなる群から選ばれる金属よりなる不連続な下地膜
層を設け、該下地膜層の上にバイアス電圧を印加しなが
らＣｒ合金中間膜層及びＣｏ合金磁性層を順次設けてな
ることを特徴とする。
【０００７】なお、本発明において、不連続な下地膜層
とは、次のようなものである。即ち、スパッタ法等によ
り金属の蒸着層を形成する際に、初期の段階で基板上に
金属原子が付着堆積して核ができ、更にスパッタを継続
することによりこの核が成長してクラスターと称される
散点状ないし多島状の不連続な堆積層が形成される。こ
のような不連続な堆積層は、スパッタ温度、スパッタ時
間等を適宜調節することにより形成できる。本発明にお
いては、下地膜層としてこのような散点状ないし多島状
の不連続な層を形成する。この不連続の程度は、基板の
表面の５０〜９０％とりわけ６０〜８５％程度を下地膜
層で覆う程度とするのが好ましい。
とは、次のようなものである。即ち、スパッタ法等によ
り金属の蒸着層を形成する際に、初期の段階で基板上に
金属原子が付着堆積して核ができ、更にスパッタを継続
することによりこの核が成長してクラスターと称される
散点状ないし多島状の不連続な堆積層が形成される。こ
のような不連続な堆積層は、スパッタ温度、スパッタ時
間等を適宜調節することにより形成できる。本発明にお
いては、下地膜層としてこのような散点状ないし多島状
の不連続な層を形成する。この不連続の程度は、基板の
表面の５０〜９０％とりわけ６０〜８５％程度を下地膜
層で覆う程度とするのが好ましい。
【０００８】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。
る。
【０００９】本発明者らはテキスチャーを施した基板を
用いた場合の、高周波領域でのノイズを低減するべく鋭
意検討した結果、予めテキスチャーを施した基板表面に
特定の金属よりなる不連続な層を設け、更にＣｒ合金中
間膜層、Ｃｏ合金磁性層を順次積層することにより、周
方向の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層とな
るとともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き
込んだ場合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記
録媒体が得られ、更に、バイアス成膜により高保磁力化
が図れ、なおかつ、テキスチャー基板のテキスチャー形
状が成膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記
録媒体が得られることを見出し本発明を完成させた。
用いた場合の、高周波領域でのノイズを低減するべく鋭
意検討した結果、予めテキスチャーを施した基板表面に
特定の金属よりなる不連続な層を設け、更にＣｒ合金中
間膜層、Ｃｏ合金磁性層を順次積層することにより、周
方向の磁気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層とな
るとともに、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き
込んだ場合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記
録媒体が得られ、更に、バイアス成膜により高保磁力化
が図れ、なおかつ、テキスチャー基板のテキスチャー形
状が成膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記
録媒体が得られることを見出し本発明を完成させた。
【００１０】本発明で使用する基板は、ＮｉＰめっきを
施したアルミニウム合金基板上に、ほぼ周方向にテキス
チャーを施したものである。ＮｉＰメッキ被膜は公知の
無電解めっき法により、アルミニウム合金基板上に２０
μｍ前後の膜厚に成膜して形成することができる。その
後、基板表面を機械研磨により、Ｒａ（中心線平均粗
さ）で好ましくは２０〜３０Åに仕上げた後、ラッピン
グテープや遊離砥粒によるテキスチャー加工を施し、Ｒ
ａで好ましくは３０〜１３０Å、より好ましくは４０〜
１００Åのテキスチャー溝を、同心円状、又は、周方向
に好ましくは１０〜５０°、より好ましくは１５〜３０
°の角度で交差するクロスパターンとなるように形成す
る。
施したアルミニウム合金基板上に、ほぼ周方向にテキス
チャーを施したものである。ＮｉＰメッキ被膜は公知の
無電解めっき法により、アルミニウム合金基板上に２０
μｍ前後の膜厚に成膜して形成することができる。その
後、基板表面を機械研磨により、Ｒａ（中心線平均粗
さ）で好ましくは２０〜３０Åに仕上げた後、ラッピン
グテープや遊離砥粒によるテキスチャー加工を施し、Ｒ
ａで好ましくは３０〜１３０Å、より好ましくは４０〜
１００Åのテキスチャー溝を、同心円状、又は、周方向
に好ましくは１０〜５０°、より好ましくは１５〜３０
°の角度で交差するクロスパターンとなるように形成す
る。
【００１１】本発明においては、このようにして作製し
た基板上に、まず、不連続な下地膜層を形成する材料と
して、Ｃｕ，Ａｌ，Ｇｅ及びＡｇよりなる群から選ばれ
た金属を用い、不連続な下地膜層を成膜速度から鑑定し
た値で１０〜５００Å、好ましくは１０〜２００Åの厚
さに成膜する。成膜は、通常のスパッタ法で行うことが
でき、例えば、直流式スパッタ装置や交流スパッタ装置
を使用して成膜することができる。成膜に際しては、ま
ず、基板を予め２×１０-3Ｐａ以下に排気した真空装置
内で１００〜２８０℃、更に好ましくは１５０〜２５０
℃の範囲で加熱する。これにより前述の散点状ないし多
島状の不連続な膜を得ることができる。この加熱温度が
２８０℃を超えると、ＮｉＰが磁化して記録再生特性に
悪影響を及ぼし、１００℃未満では基板に到達した金属
原子が基板温度が低いと移動しづらく、核を中心とした
集合体（粒）が出来づらい。
た基板上に、まず、不連続な下地膜層を形成する材料と
して、Ｃｕ，Ａｌ，Ｇｅ及びＡｇよりなる群から選ばれ
た金属を用い、不連続な下地膜層を成膜速度から鑑定し
た値で１０〜５００Å、好ましくは１０〜２００Åの厚
さに成膜する。成膜は、通常のスパッタ法で行うことが
でき、例えば、直流式スパッタ装置や交流スパッタ装置
を使用して成膜することができる。成膜に際しては、ま
ず、基板を予め２×１０-3Ｐａ以下に排気した真空装置
内で１００〜２８０℃、更に好ましくは１５０〜２５０
℃の範囲で加熱する。これにより前述の散点状ないし多
島状の不連続な膜を得ることができる。この加熱温度が
２８０℃を超えると、ＮｉＰが磁化して記録再生特性に
悪影響を及ぼし、１００℃未満では基板に到達した金属
原子が基板温度が低いと移動しづらく、核を中心とした
集合体（粒）が出来づらい。
【００１２】この基板加熱の後、スパッタ用ガスとして
アルゴンガスを２×１０-1〜５×１０-1Ｐａ導入し、好
ましくは基板にバイアス電圧を印加しながら下地膜層を
成膜する。バイアス電圧の印加には、直接基板側に負の
電圧を印加しても、公知（特公平５−２６２５０号公
報）の方法に従ってターゲット近傍に設けた中間電極を
基板に対し正の電位に印加してバイアス効果を得ても良
い。なお、基板に負のバイアス電圧を印加する場合、そ
の電圧は−２０〜−３００Ｖが好ましく、また中間電極
を用いる場合は＋５０Ｖ〜＋５００Ｖとするのが好まし
い。
アルゴンガスを２×１０-1〜５×１０-1Ｐａ導入し、好
ましくは基板にバイアス電圧を印加しながら下地膜層を
成膜する。バイアス電圧の印加には、直接基板側に負の
電圧を印加しても、公知（特公平５−２６２５０号公
報）の方法に従ってターゲット近傍に設けた中間電極を
基板に対し正の電位に印加してバイアス効果を得ても良
い。なお、基板に負のバイアス電圧を印加する場合、そ
の電圧は−２０〜−３００Ｖが好ましく、また中間電極
を用いる場合は＋５０Ｖ〜＋５００Ｖとするのが好まし
い。
【００１３】このようにして、不連続な下地膜層を形成
した後は、この下地膜層の上にＣｒ合金中間膜層を上記
と同様の方法で成膜する。このＣｒ合金中間膜層として
は、Ｃｒが好適であり、通常の場合、厚さ５００〜３０
００Å程度に成膜される。
した後は、この下地膜層の上にＣｒ合金中間膜層を上記
と同様の方法で成膜する。このＣｒ合金中間膜層として
は、Ｃｒが好適であり、通常の場合、厚さ５００〜３０
００Å程度に成膜される。
【００１４】次に、このＣｒ合金中間膜層の上にＣｏ合
金磁性層を、Ｃｒ合金中間膜層の成膜に連続して上記と
同様の方法で成膜する。ここで、磁性層のＣｏ合金とし
ては、ＣｏＮｉＣｒ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔ
系合金等が挙げられ、これらは更にＮｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，
Ｔａ，Ｂ等の元素を含んでいても良い。特に、Ｃｒを含
有する合金の場合は、バイアス成膜により、強磁性のＣ
ｏ濃縮相が非磁性のＣｒ濃縮相で仕切られた偏析構造が
生じ、保磁力の増加とノイズの低減の効果が高く望まし
い。Ｃｏ合金磁性層としては、例えば、Ｃｏ−３０原子
％Ｎｉ−７．５原子％Ｃｒ，Ｃｏ−１２原子％Ｃｒ−２
原子％Ｔａ，Ｃｏ−１２原子％Ｎｉ−１０原子％Ｐｔな
どよりなるものが一般的であり、通常の場合２００〜１
０００Å程度の厚さに成膜される。
金磁性層を、Ｃｒ合金中間膜層の成膜に連続して上記と
同様の方法で成膜する。ここで、磁性層のＣｏ合金とし
ては、ＣｏＮｉＣｒ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔ
系合金等が挙げられ、これらは更にＮｉ，Ｃｒ，Ｐｔ，
Ｔａ，Ｂ等の元素を含んでいても良い。特に、Ｃｒを含
有する合金の場合は、バイアス成膜により、強磁性のＣ
ｏ濃縮相が非磁性のＣｒ濃縮相で仕切られた偏析構造が
生じ、保磁力の増加とノイズの低減の効果が高く望まし
い。Ｃｏ合金磁性層としては、例えば、Ｃｏ−３０原子
％Ｎｉ−７．５原子％Ｃｒ，Ｃｏ−１２原子％Ｃｒ−２
原子％Ｔａ，Ｃｏ−１２原子％Ｎｉ−１０原子％Ｐｔな
どよりなるものが一般的であり、通常の場合２００〜１
０００Å程度の厚さに成膜される。
【００１５】本発明において、下地膜層、Ｃｒ合金中間
膜層及びＣｏ合金磁性層の成膜は、それぞれ成膜条件を
適宜選定したり、また、下地膜層成膜後、一旦大気中に
取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、
Ｃｒ合金中間膜層、Ｃｏ合金磁性層を成膜することもで
きるが、本発明の磁気記録媒体は、下地膜層成膜後、一
旦大気に取り出すことなく、引き続きＣｒ合金中間膜
層、Ｃｏ合金磁性層を連続スパッタ成膜することにより
製造可能であり、この場合には、磁気特性及び耐久性を
良好に保ちながら、インライン装置による大量生産を図
り、製品のコストダウンが可能である。
膜層及びＣｏ合金磁性層の成膜は、それぞれ成膜条件を
適宜選定したり、また、下地膜層成膜後、一旦大気中に
取り出し、再び成膜装置に挿入し、排気、基板加熱後、
Ｃｒ合金中間膜層、Ｃｏ合金磁性層を成膜することもで
きるが、本発明の磁気記録媒体は、下地膜層成膜後、一
旦大気に取り出すことなく、引き続きＣｒ合金中間膜
層、Ｃｏ合金磁性層を連続スパッタ成膜することにより
製造可能であり、この場合には、磁気特性及び耐久性を
良好に保ちながら、インライン装置による大量生産を図
り、製品のコストダウンが可能である。
【００１６】なお、上記Ｃｏ合金磁性層の成膜後は、通
常の場合、引き続きインライン装置でアモルファスカー
ボン保護膜や水素化カーボン保護膜を１００〜３００Å
程度の膜厚で成膜し、その後、フッ素系液体潤滑剤など
を１０〜５０Å程度の厚さに塗布するのが一般的であ
る。
常の場合、引き続きインライン装置でアモルファスカー
ボン保護膜や水素化カーボン保護膜を１００〜３００Å
程度の膜厚で成膜し、その後、フッ素系液体潤滑剤など
を１０〜５０Å程度の厚さに塗布するのが一般的であ
る。
【００１７】
【作用】予めテキスチャーを施した基板表面に特定の金
属よりなる不連続な層を設け、更にＣｒ合金中間膜層、
Ｃｏ合金磁性層を順次積層することにより、周方向の磁
気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層となるととも
に、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込んだ場
合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記録媒体が
得られる。また、バイアス成膜により高保磁力化が図れ
る。しかも、テキスチャー基板のテキスチャー形状は成
膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
属よりなる不連続な層を設け、更にＣｒ合金中間膜層、
Ｃｏ合金磁性層を順次積層することにより、周方向の磁
気異方性がなくなり、磁気等方性の磁性層となるととも
に、保磁力の低下が抑えられ、高周波数で書き込んだ場
合のノイズの急激な増加が無い低ノイズ磁気記録媒体が
得られる。また、バイアス成膜により高保磁力化が図れ
る。しかも、テキスチャー基板のテキスチャー形状は成
膜後の表面でも保持され、耐久性に優れた磁気記録媒体
が得られる。
【００１８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、以下の実施例により何ら限定されるものでない。
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、以下の実施例により何ら限定されるものでない。
【００１９】実施例１ 予め３μｍ径のアルミナ砥粒付きのラッピングテープで
Ｒａが１００Åのテキスチャー加工を周方向に施した
後、１μｍ径のダイヤの遊離砥粒により周方向に３０°
の角度でＲａが６０Åからなるテキスチャーパターンを
施したＮｉＰメッキ被覆アルミニウム合金基板を用い、
交流マグネトロンスパッタ装置によりこの基板上に、下
地膜層、中間膜層、磁性層をアルゴン雰囲気下、次の条
件で連続スパッタ成膜した。
Ｒａが１００Åのテキスチャー加工を周方向に施した
後、１μｍ径のダイヤの遊離砥粒により周方向に３０°
の角度でＲａが６０Åからなるテキスチャーパターンを
施したＮｉＰメッキ被覆アルミニウム合金基板を用い、
交流マグネトロンスパッタ装置によりこの基板上に、下
地膜層、中間膜層、磁性層をアルゴン雰囲気下、次の条
件で連続スパッタ成膜した。
【００２０】到達真空度：４×１０-4Ｐａ アルゴン分圧：３．５×１０-1Ｐａ 基板加熱温度：基板ホルダーで約２７０℃ 下地膜層用Ｃｕターゲット：純度９９．９％以上 中間膜層用Ｃｒターゲット：純度９９．９％以上 磁性層用Ｃｏターゲット：59.5原子%Co-30原子%Ni-7.5
原子%Cr-3 原子%B 下地膜層膜厚：１００Å 中間膜層膜厚：７００Å 磁性層膜厚：５００Å 基板側バイアス電圧：−１００Ｖ（ただしＣｕ下地層成
膜時は０Ｖ） 表１に、成膜後の表面粗さを触針式粗さ計（商品名：タ
リステップ触針：０．２×０．２ μｍ）で測定した結
果を示す。
原子%Cr-3 原子%B 下地膜層膜厚：１００Å 中間膜層膜厚：７００Å 磁性層膜厚：５００Å 基板側バイアス電圧：−１００Ｖ（ただしＣｕ下地層成
膜時は０Ｖ） 表１に、成膜後の表面粗さを触針式粗さ計（商品名：タ
リステップ触針：０．２×０．２ μｍ）で測定した結
果を示す。
【００２１】また、表２に、試料振動型磁力計（ＶＳＭ
（最大印加磁界：５０ｋＯｅ））で磁気特性を測定した
結果を示す。
（最大印加磁界：５０ｋＯｅ））で磁気特性を測定した
結果を示す。
【００２２】更に、図１に、ディスクに信号を書き込ん
だ時の周波数に対する媒体ノイズを示す。なお、この測
定に使用した磁気ヘッドは薄膜ヘッドで、ディスクとの
スペーシングは５００Åである。媒体ノイズの測定は、
スペクトルアナライザーを用い、予め機器のノイズを０
ＭＨｚから３０ＭＨｚの帯域で測定しておき、ディスク
を回転させ、書き込んだ信号を再生したときの全ノイズ
から機器のノイズを差し引きして求めた。
だ時の周波数に対する媒体ノイズを示す。なお、この測
定に使用した磁気ヘッドは薄膜ヘッドで、ディスクとの
スペーシングは５００Åである。媒体ノイズの測定は、
スペクトルアナライザーを用い、予め機器のノイズを０
ＭＨｚから３０ＭＨｚの帯域で測定しておき、ディスク
を回転させ、書き込んだ信号を再生したときの全ノイズ
から機器のノイズを差し引きして求めた。
【００２３】比較例１ Ｃｕ下地膜層を設けなかったこと以外は実施例１と同様
に成膜を行ない、同様に、成膜後の表面粗さ、磁気特性
及び媒体ノイズを測定し、結果を各々表１，表２及び図
１に示した。
に成膜を行ない、同様に、成膜後の表面粗さ、磁気特性
及び媒体ノイズを測定し、結果を各々表１，表２及び図
１に示した。
【００２４】比較例２ 各層の成膜時のバイアス電圧を０Ｖとしたこと以外は実
施例１と同様に成膜を行ない、同様に磁気特性及び媒体
ノイズを測定し、結果を表２に示した。
施例１と同様に成膜を行ない、同様に磁気特性及び媒体
ノイズを測定し、結果を表２に示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】表１より、Ｃｕの下地膜層を設けた実施例
１でも、径方向の粗さは周方向の粗さより大きく、テキ
スチャー形状が保存されていることが分かる。
１でも、径方向の粗さは周方向の粗さより大きく、テキ
スチャー形状が保存されていることが分かる。
【００２８】また、表２より明らかなように、Ｃｕ下地
膜層のないディスクは強い異方性を示し、テキスチャー
方向に保磁力が大きく、径方向の保磁力が小さい。しか
し、Ｃｕ下地膜層を設けた実施例１では、異方性が失わ
れ、高保磁力を有する等方膜となり、かつ、テキスチャ
ーが保存されることによって、耐久性及び磁気特性の良
好な磁気記録媒体が得られる。一方、比較例２に示すよ
うに、Ｃｕ下地膜層を有していても、成膜時に基板バイ
アス電圧を印加しないと、磁性層内での組成編析が生じ
ず保磁力が低い。
膜層のないディスクは強い異方性を示し、テキスチャー
方向に保磁力が大きく、径方向の保磁力が小さい。しか
し、Ｃｕ下地膜層を設けた実施例１では、異方性が失わ
れ、高保磁力を有する等方膜となり、かつ、テキスチャ
ーが保存されることによって、耐久性及び磁気特性の良
好な磁気記録媒体が得られる。一方、比較例２に示すよ
うに、Ｃｕ下地膜層を有していても、成膜時に基板バイ
アス電圧を印加しないと、磁性層内での組成編析が生じ
ず保磁力が低い。
【００２９】更に、図１より比較例１に示すテキスチャ
ー基板を用いたディスクは、高周波領域で媒体ノイズが
急激に増加するのに対し、Ｃｕ下地膜層を設け、更に基
板バイアス電圧を印加して成膜した実施例１のディスク
では、高周波領域でも媒体ノイズの急激な増加は認めら
れず、高密度記録に適していることがわかる。
ー基板を用いたディスクは、高周波領域で媒体ノイズが
急激に増加するのに対し、Ｃｕ下地膜層を設け、更に基
板バイアス電圧を印加して成膜した実施例１のディスク
では、高周波領域でも媒体ノイズの急激な増加は認めら
れず、高密度記録に適していることがわかる。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒
体によれば、テキスチャー基板を用い、これに不連続な
下地膜層を設けた上で基板バイアス成膜することによ
り、耐久性に必要なテキスチャー形状を保ちつつ、磁気
記録媒体が等方膜化し、高周波領域でも媒体雑音を低く
押えることができ、しかも、高保磁力の磁気記録媒体が
提供される。
体によれば、テキスチャー基板を用い、これに不連続な
下地膜層を設けた上で基板バイアス成膜することによ
り、耐久性に必要なテキスチャー形状を保ちつつ、磁気
記録媒体が等方膜化し、高周波領域でも媒体雑音を低く
押えることができ、しかも、高保磁力の磁気記録媒体が
提供される。
【図１】実施例１及び比較例１で製造したディスクの書
き込み周波数に対する媒体ノイズの測定結果を示すグラ
フである。
き込み周波数に対する媒体ノイズの測定結果を示すグラ
フである。
Claims (1)
- 【請求項１】 ほぼ周方向にテキスチャーを施したＮｉ
Ｐめっき被覆アルミニウム合金基板上に、Ｃｕ，Ａｌ，
Ｇｅ及びＡｇからなる群から選ばれる金属よりなる不連
続な下地膜層を設け、該下地膜層の上にバイアス電圧を
印加しながらＣｒ合金中間膜層及びＣｏ合金磁性層を順
次設けてなることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23621493A JPH0793738A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23621493A JPH0793738A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793738A true JPH0793738A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16997474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23621493A Pending JPH0793738A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793738A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
| US6804822B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using same |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP23621493A patent/JPH0793738A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740383B2 (en) | 1998-05-27 | 2004-05-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium possessing a ratio of Hc(perpendicular) to Hc(horizontal) that is not more than 0.22 and magnetic recording disk device |
| US6804822B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using same |
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