JP3625865B2 - 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、強磁性金属薄膜磁気記録媒体に係り、特に、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体および大容量の磁気記録再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気記録媒体の記録密度の向上、高出力化、低ノイズ化には塗布型媒体では磁性粉、薄膜媒体では結晶粒子の微細化が不可欠である。たとえば、従来より検討されてきた鉄粉を用いた媒体では、微細化が進み、現在では長軸長約200nm、軸径約30nmの微細粉を用いたHi−8(8mm高密度磁気テープ)などの高性能テープが実用化されつつある。ところで、磁性媒体の磁性粉あるいは結晶粒子が微細でも、磁性粉がクラスター状の塊になっていたり、結晶粒子間の相互作用が強い場合には、複数の粒子が一団となって磁化反転して記録されるようになる。このように、複数の粒子が一団となって磁化反転し、磁化反転単位が大きくなると、再生時のノイズが増す。このため、高密度化の大きな障害になる。
【0003】
磁化反転単位の大きさは磁気粘性と関連がある。すなわち、磁気粘性の揺らぎ場が大きいほど磁化反転単位は小さいと考えられている。磁気粘性の揺らぎ場の意味については、Journal of Physics F: Metal Physics 14巻L155〜L159頁(1984年発行)に記載されている。さらに、詳細な測定条件については、Journal of Magnetism and Magnetic Materials 127巻233〜240頁(1993年発行)に記載されている。以下に、磁気粘性の揺らぎ場の測定原理を説明する。
【0004】
磁性材料に新たな磁場を印加すると、磁化I(t)は磁場印加時間の対数 ln tに対して、
I(t)=const.+S・lnt (1)
の関係で変化する場合が多い。ここで、I(t)は単位体積あたりの磁気モーメントであり、tは新たな磁場を印加した後の経過時間である。粘性係数Sは磁場を正方向にシフトして印加したときには正、負にシフトしたときには負の値をもつ。Sは非可逆磁化率χirr と揺らぎ場Hf との積で表せることが知られている。すなわち、
S=χirr・Hf (2)
が成立する。したがって、実験からS及びχirr を求めれば、揺らぎ場が求まる。揺らぎ場は熱揺らぎの影響の大小を示す量であり、揺らぎ場が大きいことは熱揺らぎの影響を受けやすく、磁化反転単位の大きさが小さいことを意味する。
【0005】
磁界強度が保磁力ないしは残留磁化保磁力に等しいところでの揺らぎ場は、保磁力Hcないしは残留磁化保磁力Hrの磁場印加時間依存性からも求めることができる。保磁力ないしは残留磁化保磁力は、磁場印加時間tとともに、
Hc(又はHr)=−A・lnt+const. (3)
の関係で印加時間とともに低下する場合が多い。本明細書に記載した試料では、すべて式(3)の関係が成立した。式(3)にしたがって保磁力ないしは残留磁化保磁力が磁場印加時間tとともに変化する場合、Aは磁場強度が保磁力ないしは残留磁化保磁力に等しいところでの揺らぎ場Hf とほとんど同じ値を示すことが知られている。この方法は、簡便かつ再現性がよい。そこで、本発明ではAの値を磁気粘性の揺らぎ場とした。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来法に従って、無電解メッキのNi−Pで被覆したAl−Mg合金からなる鏡面研磨した円板上にCr下地層を形成し、ついでCoCrTa磁性層、さらにカーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。Cr下地層、磁性層、保護膜はともにArガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、基板温度は300℃、Ar圧力は2.0ミリTorrとした。Cr下地層の厚さは50nm、磁性層は25nm、保護膜は10nmである。CoCrTa磁性層の組成は原子%で表し、Co:80%、Cr:16%、Ta:4%である。この組成を以下本明細書ではCoCr16Ta4 のように表す。この媒体の保磁力Hcは1645エールステッド、残留磁化保磁力Hrは1655エールステッドであった。また、保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場は13.5エールステッド、残留磁化保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場は13.2エールステッドであった。このように、保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場と残留磁化保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場とはほとんど同じ値を示す。以下本明細書ではこれらを単に揺らぎ場と呼ぶ。なお、揺らぎ場の測定時間は0〜30分とした。
【0007】
上記媒体に、ギャップ長が0.4μm、巻線数が24ターンのパーマロイヘッドを用いて磁気情報を記録し、パーマロイ磁気抵抗ヘッドを用いて再生して電磁変換特性を調べた。この際、記録および再生時の浮上高さは80nmとした。測定の結果、線記録密度150kFCI(kilo Flux Change per Inch)でのノイズは22μVrmsであった。
【0008】
この媒体を用いると300メガビット/平方インチの記録密度を有する磁気ディスク装置を作製することができたが、1ギガビット/平方インチの記録密度を有する磁気ディスク装置を作製することはできなかった。
本発明の目的は、再生時のノイズを低減し、高密度記録に適する磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
図1は、本発明による磁気記録媒体の拡大断面図である。図1で、1はNi−Pを被着したアルミニウム、Ni−Pを被着したアルミニウム−マグネシウム合金、ガラス、カーボン等の非磁性基板である。2は磁性膜の結晶方向および結晶粒子サイズを制御するための非磁性下地層で、Cr,Cr−Mo,Cr−W,Cr−Ti,Cr−Vなどの金属層からなる。3はCo−Cr−Ta,Co−Cr−Pt,Co−O,Co−Ni,Co−Cr,Co−Mo,Co−Ta,Co−Ni−Cr,Co−Ni−O等のコバルトを主成分とする強磁性薄膜である。4は保護潤滑層で、炭素膜、酸化膜、プラズマ重合膜、脂肪酸、パーフルオロカルボン酸、パーフルオロポリエーテル等を単独ないしは複合体として用いることができる。磁性層3には、残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場が15エールステッド以上であり、保磁力が2000エールステッド以上である強磁性薄膜を用い、磁性層の厚さは5nm以上、30nm以下とするのが望ましい。残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場は20エールステッド以上であることがより望ましい。強磁性薄膜はCr,Ta,Pt,Ni,Mo,V,Ti,Zr,Hf,Si,W,Oからなる群のすくなくとも一種を含むコバルト基磁性合金薄膜、例えばCo−Cr−Ta,Co−Cr−Pt,Co−O,Co−Ni,Co−Cr,Co−Mo,Co−Ta,Co−Ni−Cr,Co−Ni−O等のコバルトを含有する薄膜であることが望ましい。
【0010】
本発明における揺らぎ場の具体的測定方法は、以下の通りである。
揺らぎ場Aを求めるため、磁気ディスクから切り出した7mm角の試料片に−10000エールステッドの磁場を印加して直流消磁したのち、保磁力ないしは残留磁化保磁力よりもわずかに低い正の磁場を印加し、磁化ないしは残留磁化がゼロになるまでの時間tを求める。この操作を直流消磁後に印加する正の磁場を少しずつ低くして繰り返す。こうして求めた保磁力ないしは残留磁化保磁力の磁場印加時間依存性から式(3)にしたがって揺らぎ場Aの値が求まる。保磁力の磁場印加時間依存性から求めた揺らぎ場は、残留磁化保磁力の磁場印加時間依存性から求めた揺らぎ場とほとんど同じ値を示す。測定が容易であることから、本発明においては残留磁化保磁力の磁場印加時間依存性から揺らぎ場Aを求めた。測定はDMS(Degital Measurement Systems)社製の振動型磁束計を用いて行った。この際、測定温度は25℃、直流消磁後の磁場印加時間は0から30分とした。
上記の例では、磁気ディスクを対象としているが、磁気テープなどの磁気記録媒体でも本発明は有効である。
【0011】
【作用】
残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場が、15エールステッド以上であり、保磁力が2000エールステッド以上である強磁性薄膜を用い、磁性層の厚さを5nm以上、30nm以下とすることにより、磁化反転の際のクラスタサイズを小さくできるので、ノイズレベルが低く、S/Nを高くすることができる。
磁極の一部に金属磁性膜を用いた磁気ヘッドと組み合わせることにより、急峻に記録できる媒体の性能を引き出せるので大容量の記録再生装置を提供することができる。
【0012】
【実施例】
以下に、本発明の内容を実施例によって詳細に説明する。
〔参考例1〕
無電解メッキのNi−Pで被覆したAl−Mg合金からなる鏡面研磨した円板上にCr合金下地層を形成し、ついでCoCrTa磁性層、さらにカーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。
【0013】
Cr合金下地層、磁性層、保護膜はともにArガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ar圧力は2.0ミリTorrとした。Cr合金下地層にはCr−V、Cr−W、Cr−Ti、Cr−Si、Cr−Moを用い、下地組成の異なる試料を合計20箇用意した。Cr合金層の厚さは50nm、磁性層は25nm、保護膜は10nmである。CoCrTa磁性層の組成はCoCr16Ta4 とした。Cr合金下地層およびカーボン保護膜形成時の基板温度は300℃とし、磁性層形成時の基板温度は250−300℃とした。
【0014】
こうして得られた媒体の保磁力Hcは1500〜2400エールステッドの範囲に分布した。また、揺らぎ場は11.3〜16.5エールステッドの範囲に分布した。
上記媒体に、ギャップ長が0.4μm、巻線数が24ターンのパーマロイヘッドを用いて磁気情報を記録し、パーマロイMRヘッドで再生して電磁変換特性を調べた。この際、記録および再生時の浮上高さは80nmとした。測定した結果、線記録密度150kFCIでのノイズは18〜25μVrmsであった。測定結果を表1にまとめて示す。
【0015】
【表1】
【0016】
また、図2に揺らぎ場と保磁力およびノイズの相関を示した。図2から明らかなように、揺らぎ場が大きな値を示す媒体のノイズは低い値を持つ。揺らぎ場が15エールステッド以上の媒体では従来以上の高いS/Nを示した。このため、記録密度を従来以上に高めることが可能である。揺らぎ場が15.0エールステッド以上の媒体を用いると、1ギガビット/平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた。
【0017】
〔参考例2〕
参考例1と同様、無電解めっきでNi−P被覆したAl−Mg合金からなる鏡面研磨した円板上にCr下地層を形成し、ついでCoCrPt磁性層、さらにカーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。
Cr下地層、磁性層、保護膜はともにArガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ar圧力は2.0ミリTorrとし、CoCrPt磁性層のCr含量を変え、CoCr15Pt8 からCoCr23Pt8 の組成を持つ試料を合計20箇用意した。Cr下地層の厚さは50nm、磁性層は25nm、保護膜は10nmとした。Cr下地層、磁性層およびカーボン保護膜形成時の基板温度は300℃とした。こうして得られた媒体の保磁力Hcは1800〜2800エールステッドの範囲に分布した。揺らぎ場は12.0〜20.5エールステッドの範囲に分布した。
【0018】
参考例1と同様にして、電磁変換特性を測定した結果、線記録密度150kFCIでのノイズは17.9〜30μVrmsの範囲に分布した。測定結果を表2にまとめて示す。
【0019】
【表2】
【0020】
また、図3に揺らぎ場と保磁力およびノイズの相関を示した。図3から明らかなように、参考例1と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイズが低い値を持つ。揺らぎ場が15エールステッド以上の媒体では従来以上の高いS/Nを示した。揺らぎ場が15エールステッド以上の媒体では、1ギガビット/平方インチ記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた。また、揺らぎ場が20.5エールステッド、保磁力が2750エールステッドの媒体では、1.5ギガビット/平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた。しかし、本参考例に示したどの媒体を用いても2ギガビット/平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することはできなかった。
【0021】
〔実施例1〕
鏡面研磨したガラス円板上にCr下地層を形成し、ついでCoCrPt磁性層、さらにカーボン保護膜を形成して磁気ディスクを作製した。
Cr下地層、磁性層、保護膜はともにArガスを用いたスパッタリングで形成した。この際、Ar圧力は2.0ミリTorr、CoCrPt磁性層の組成はCoCr19Pt8 とした。Cr下地層の厚さを3〜50nmまで、磁性層の膜厚を3〜30nmまで変え、保護膜を10nmとした合計30箇の試料を用意した。Cr下地層、磁性層およびカーボン保護膜形成時の基板温度は300℃とした。
【0022】
こうして得られた媒体の保磁力Hcは1200〜2900エールステッドの範囲に分布した。揺らぎ場は11.2〜68.3エールステッドの範囲に分布した。
参考例1と同様にして、電磁変換特性を測定した結果、線記録密度150kFCIでのノイズは8〜31μVrmsの広い範囲に分布した。測定結果を表3にまとめて示す。
【0023】
【表3】
【0024】
また、図4に揺らぎ場と保磁力およびノイズの相関を示した。図4から明らかなように、参考例1および2と同様、揺らぎ場が大きな値を示す媒体はノイズが低い値を持つ。磁性膜の膜厚が10〜27nmであり、揺らぎ場が15エールステッド以上、保磁力が2000エールステッド以上の媒体では1ギガビット/平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた。また、磁性膜の膜厚が10〜25nmであり、揺らぎ場が20エールステッド以上、保磁力が2000エールステッド以上の媒体では1.5ギガビット/平方インチ相当の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた。さらに、磁性膜の膜厚が10〜22nmであり、揺らぎ場が30エールステッド以上、保磁力が2000エールステッド以上の媒体を用いて、2ギガビット/平方インチの記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができた。本実施例においては、揺らぎ場が60エールステッドを超えると、保磁力が2000エールステッド以上の媒体が得られなくなり、2000エールステッド未満の媒体では出力が低く、ノイズが低くても、1ギガビット/平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができなかった。しかし、揺らぎ場が60エールステッドを超えても、2000あるいは3000エールステッド以上の保磁力を持つ媒体を作製できれば、2ギガあるいはそれ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することが可能と考えられる。ただし、揺らぎ場が保磁力の20分の1を超えると、熱揺らぎの影響が大きすぎ、実用上使用不可能になる。なお、磁性膜の膜厚が5nm未満の媒体では、ノイズは低下したが、十分な出力を得ることができず、1ギガビット/平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスクを作製することができなかった。さらに、30nmを超える場合には、膜厚が厚いことによる記録減磁が大きく、1ギガビット/平方インチ以上の記録密度を持つ磁気ディスク装置を作製することができなかった。
【0025】
〔実施例2〕
本発明による媒体を使用して作製した磁気ディスク装置の断面構造を図5に示す。図5において、5は本発明による磁気記録媒体、6は磁気記録媒体駆動部、7は磁気ヘッド、8は磁気ヘッド駆動部、9は記録再生信号処理系を示す。前記参考例1、2、実施例1の磁気記録媒体を用いることにより、記録密度を1ギガビット/平方インチ以上にすることができた。
【0026】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、残留磁化保磁力ないしは保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場が、15エールステッド以上であり、その保磁力が2000エールステッド以上である強磁性薄膜を用いると、媒体のS/Nを著しく向上させることができ、高密度記録が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例の磁気記録媒体の断面図。
【図2】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す特性図。
【図3】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す特性図。
【図4】揺らぎ場と保磁力およびノイズとの関係を示す特性図。
【図5】磁気ディスク装置の断面構造図。
【符号の説明】
1…非磁性基板、2…非磁性下地層、3…強磁性薄膜、4…保護潤滑層、5…磁気記録媒体、6…磁気記録媒体駆動部、7…磁気ヘッド、8…磁気ヘッド駆動部、9…記録再生信号処理系
Claims (3)
- 基板上に形成された下地層と、該下地層の上に形成されたCoとCrとPtとを含む磁性膜と、該磁性膜の上に形成された保護膜とを有し、該磁性膜は、膜厚が10nm以上、22nm以下であり、かつ保磁力が2000エールステッド以上であり、残留磁化保磁力又は保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場が30エールステッド以上であることを特徴とする磁気ディスク媒体。
- 請求項1に記載の磁気ディスク媒体を用いたことを特徴とする磁気ディスク装置。
- 強磁性薄膜を磁極の一部とする磁気ヘッドと、
基板上に形成された下地層と、該下地層の上に形成されたCoとCrとPtとを含む磁性膜と、該磁性膜の上に形成された保護膜とを有し、該磁性膜は、膜厚が10nm以上、22nm以下であり、かつ保磁力が2000エールステッド以上であり、残留磁化保磁力又は保磁力と等しい磁界強度での25℃における磁気粘性の揺らぎ場が30エールステッド以上である磁気ディスク媒体とを備え、
2ギガビット/平方インチ以上の記録密度で情報を記録、再生することを特徴とする磁気ディスク装置。
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