JP2834380B2 - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に使用
される磁気記録媒体に関する。
される磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金を非磁性の媒体基板上にＣｒ下地
層を介して成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用いられ
ている。従来、前記媒体基板として、Ａｌ合金基板上に
剛性確保のために１０〜２０μｍの非晶質ＮｉＰ層がメ
ッキにより形成されたものが使用されている。その表面
には、通常、媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減
し、耐久性を向上させるためにテキスチャーと呼ばれる
円周方向の凹凸がラッピングテープや遊離砥粒により機
械的に形成される。このテキスチャーは、耐久性の向上
のみならず、Ｃｏ合金結晶軸を円周方向にそろえる作用
をも有し、保磁力の向上にも寄与する。
って、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金を非磁性の媒体基板上にＣｒ下地
層を介して成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用いられ
ている。従来、前記媒体基板として、Ａｌ合金基板上に
剛性確保のために１０〜２０μｍの非晶質ＮｉＰ層がメ
ッキにより形成されたものが使用されている。その表面
には、通常、媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減
し、耐久性を向上させるためにテキスチャーと呼ばれる
円周方向の凹凸がラッピングテープや遊離砥粒により機
械的に形成される。このテキスチャーは、耐久性の向上
のみならず、Ｃｏ合金結晶軸を円周方向にそろえる作用
をも有し、保磁力の向上にも寄与する。
【０００３】ところが、前記Ａｌ合金基板は軟材質で塑
性変形し易いため、基板としての平坦性に劣り、磁気ヘ
ッドのグライドハイトを低くすることが困難である。こ
のため、硬度が高く、平坦度の優れたガラス基板も用い
られている。ガラス基板を用いることにより、ヘッド浮
上量を０．０５μｍ以下にすることができ、記録密度を
向上させることができる。
性変形し易いため、基板としての平坦性に劣り、磁気ヘ
ッドのグライドハイトを低くすることが困難である。こ
のため、硬度が高く、平坦度の優れたガラス基板も用い
られている。ガラス基板を用いることにより、ヘッド浮
上量を０．０５μｍ以下にすることができ、記録密度を
向上させることができる。
【０００４】しかし、ガラス基板に直接Ｃｒ下地層を成
膜し、引き続きＣｏ合金層および保護層を積層成膜した
場合、従来のＮｉＰ層・Ａｌ合金基板にこれらの各層を
成膜した場合に比べて、保磁力が３００〜６００Ｏe 程
度低くなる。これは、ガラス基板を用いた場合、ＮｉＰ
層による下地Ｃｒ層の結晶配向性の向上作用が期待でき
ないからであると考えられる。
膜し、引き続きＣｏ合金層および保護層を積層成膜した
場合、従来のＮｉＰ層・Ａｌ合金基板にこれらの各層を
成膜した場合に比べて、保磁力が３００〜６００Ｏe 程
度低くなる。これは、ガラス基板を用いた場合、ＮｉＰ
層による下地Ｃｒ層の結晶配向性の向上作用が期待でき
ないからであると考えられる。
【０００５】そこで、最近、ガラス基板にＮｉＰ層をス
パッタリングやメッキにより形成し、これにテキスチャ
ーを施したものが媒体基板として用いられるようになっ
た。この場合、ガラス基板の平坦性がアルミ合金基板よ
りも優れるため、アルミ合金基板を用いるよりも、磁気
ヘッドのグライドハイトを低くすることができ、記録密
度は向上する。
パッタリングやメッキにより形成し、これにテキスチャ
ーを施したものが媒体基板として用いられるようになっ
た。この場合、ガラス基板の平坦性がアルミ合金基板よ
りも優れるため、アルミ合金基板を用いるよりも、磁気
ヘッドのグライドハイトを低くすることができ、記録密
度は向上する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＮｉＰ
層を形成したガラス基板を媒体基板として用いても、Ｃ
ｏ合金層の保磁力は期待される程の向上が見られない。
ＮｉＰ層・アルミ合金基板にＣｒ下地層やＣｏ合金層等
を成膜する場合、結晶配向性を向上させるために、Ｎｉ
Ｐ層の表面を赤外線ヒータ（ＩＲヒータ) 等により２０
０〜３００℃に加熱するが、ＮｉＰ層・ガラス基板を用
いると、ガラスはアルミ合金に比べて赤外線の吸収係数
が小さく、かつ熱伝導率が小さいため、ＮｉＰ層の温度
が上昇し、アモルファスであったものが結晶化する。こ
うなると、アモルファスＮｉＰ層の持つ結晶配向性能が
劣化し、Ｃｒ下地層ひいてはＣｏ合金層の結晶が乱れ、
保磁力が低下するようになる。また、結晶化したＮｉＰ
は磁性を持つため、Ｒ／Ｗ特性を劣化させるようにな
る。尚、ＮｉＰ層の結晶化を防止して加熱するには、加
熱温度を下げなければよいが、それに伴ない保磁力も低
下することになり、保磁力を向上させることはできな
い。
層を形成したガラス基板を媒体基板として用いても、Ｃ
ｏ合金層の保磁力は期待される程の向上が見られない。
ＮｉＰ層・アルミ合金基板にＣｒ下地層やＣｏ合金層等
を成膜する場合、結晶配向性を向上させるために、Ｎｉ
Ｐ層の表面を赤外線ヒータ（ＩＲヒータ) 等により２０
０〜３００℃に加熱するが、ＮｉＰ層・ガラス基板を用
いると、ガラスはアルミ合金に比べて赤外線の吸収係数
が小さく、かつ熱伝導率が小さいため、ＮｉＰ層の温度
が上昇し、アモルファスであったものが結晶化する。こ
うなると、アモルファスＮｉＰ層の持つ結晶配向性能が
劣化し、Ｃｒ下地層ひいてはＣｏ合金層の結晶が乱れ、
保磁力が低下するようになる。また、結晶化したＮｉＰ
は磁性を持つため、Ｒ／Ｗ特性を劣化させるようにな
る。尚、ＮｉＰ層の結晶化を防止して加熱するには、加
熱温度を下げなければよいが、それに伴ない保磁力も低
下することになり、保磁力を向上させることはできな
い。
【０００７】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、良好な平坦性を有し、かつ高保磁力を兼備する金属
薄膜型磁気記録媒体を提供することを目的とする。
で、良好な平坦性を有し、かつ高保磁力を兼備する金属
薄膜型磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】非磁性の媒体基板の上に
Ｃｒ下地層、磁気記録層および保護層が同順序で積層成
膜された磁気記録媒体において、前記媒体基板は非金属
基板の上にＮｉＰＸ層が同順序で積層成膜されており、
Ｘとして周期表の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素の内か
ら一種以上を選択し、その含有量を総計で２０ａｔ％以
下とした。この際、非金属基板とＮｉＰＸ層との間に熱
伝導性に優れた蓄熱用非磁性層を積層成膜するとよい。
Ｃｒ下地層、磁気記録層および保護層が同順序で積層成
膜された磁気記録媒体において、前記媒体基板は非金属
基板の上にＮｉＰＸ層が同順序で積層成膜されており、
Ｘとして周期表の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素の内か
ら一種以上を選択し、その含有量を総計で２０ａｔ％以
下とした。この際、非金属基板とＮｉＰＸ層との間に熱
伝導性に優れた蓄熱用非磁性層を積層成膜するとよい。
【０００９】この蓄熱用非磁性層は、周期表の４Ａ，５
Ａ，６Ａに属する元素の内から一種又は２種以上の合金
によって形成されており、前記蓄熱用非磁性層の層厚さ
は３００〜１５００Åであることが好ましい。
Ａ，６Ａに属する元素の内から一種又は２種以上の合金
によって形成されており、前記蓄熱用非磁性層の層厚さ
は３００〜１５００Åであることが好ましい。
【００１０】
【作用】従来のＮｉＰ層の代わりに成膜されるＮｉＰＸ
層のＸとして周期表の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素す
なわち高融点金属であるＶ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの内から一種以上が選択されるので、Ｎ
ｉＰＸはＮｉＰに比べて結晶化温度を上昇させることが
できる。これにより、Ｃｒ下地層等の成膜時の基板温度
をＮｉＰ層を形成した場合に比べて高温にすることがで
き、ひいては保磁力を向上させることができる。
層のＸとして周期表の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素す
なわち高融点金属であるＶ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの内から一種以上が選択されるので、Ｎ
ｉＰＸはＮｉＰに比べて結晶化温度を上昇させることが
できる。これにより、Ｃｒ下地層等の成膜時の基板温度
をＮｉＰ層を形成した場合に比べて高温にすることがで
き、ひいては保磁力を向上させることができる。
【００１１】また、詳細な理由は未だ解明されていない
が、ＮｉＰＸ層を形成することにより、この層の上に形
成されるＣｒ下地層のＣｒの結晶配向（この場合（１０
０）面配向）、特に円周方向の結晶配向がＮｉＰ層の場
合よりも向上する。このため、Ｃｒ下地層の上に形成さ
れる磁気記録層の磁気特性（角形比および異方性）が向
上する。従って、Ｂｒ・δを一定にした場合、ＮｉＰ層
の場合よりヘッドによる再生出力が向上する。
が、ＮｉＰＸ層を形成することにより、この層の上に形
成されるＣｒ下地層のＣｒの結晶配向（この場合（１０
０）面配向）、特に円周方向の結晶配向がＮｉＰ層の場
合よりも向上する。このため、Ｃｒ下地層の上に形成さ
れる磁気記録層の磁気特性（角形比および異方性）が向
上する。従って、Ｂｒ・δを一定にした場合、ＮｉＰ層
の場合よりヘッドによる再生出力が向上する。
【００１２】この場合、Ｘの含有量は総計で２０ａｔ％
以下に止めておくのがよい。２０ａｔ％を越えると、結
晶化温度が逆に下がる傾向になる。さらに、非金属基板
の上に熱伝導性に優れた蓄熱用非磁性層を形成し、その
上にＮｉＰＸ層を形成することにより、基板の加熱に際
し、ＮｉＰＸ層のみならず蓄熱用非磁性層も加熱される
ため、ＮｉＰＸ層の温度上昇を抑制することができ、Ｎ
ｉＰＸ層の結晶化ひいては磁気記録層の保磁力の低下を
より一層防止することができる。また、ＮｉＰＸ層のみ
に比べて蓄熱用非磁性層を有するため、保有熱量が大き
くなり、Ｃｒ下地層や磁気記録層の成膜時においても温
度低下が生じにくく、保磁力の向上に資することができ
る。
以下に止めておくのがよい。２０ａｔ％を越えると、結
晶化温度が逆に下がる傾向になる。さらに、非金属基板
の上に熱伝導性に優れた蓄熱用非磁性層を形成し、その
上にＮｉＰＸ層を形成することにより、基板の加熱に際
し、ＮｉＰＸ層のみならず蓄熱用非磁性層も加熱される
ため、ＮｉＰＸ層の温度上昇を抑制することができ、Ｎ
ｉＰＸ層の結晶化ひいては磁気記録層の保磁力の低下を
より一層防止することができる。また、ＮｉＰＸ層のみ
に比べて蓄熱用非磁性層を有するため、保有熱量が大き
くなり、Ｃｒ下地層や磁気記録層の成膜時においても温
度低下が生じにくく、保磁力の向上に資することができ
る。
【００１３】
【実施例】図１は実施例に係る磁気記録媒体の部分断面
図を示しており、非金属基板としてのガラス基板１の上
に蓄熱用非磁性層２、ＮｉＰＸ層３、Ｃｒ下地層５、磁
気記録層６および非磁性の保護層７がこの順序で形成さ
れており、ガラス基板１、蓄熱用非磁性層２およびＮｉ
ＰＸ層３とによって媒体基板４を構成している。尚、本
実施例では、非金属基板としてガラス基板を用いたが、
これに限らずカーボン基板、セラミック基板等を使用す
ることができる。これらの基板もガラス基板と同様、硬
質であり、表面を平坦、平滑に加工することができる。
図を示しており、非金属基板としてのガラス基板１の上
に蓄熱用非磁性層２、ＮｉＰＸ層３、Ｃｒ下地層５、磁
気記録層６および非磁性の保護層７がこの順序で形成さ
れており、ガラス基板１、蓄熱用非磁性層２およびＮｉ
ＰＸ層３とによって媒体基板４を構成している。尚、本
実施例では、非金属基板としてガラス基板を用いたが、
これに限らずカーボン基板、セラミック基板等を使用す
ることができる。これらの基板もガラス基板と同様、硬
質であり、表面を平坦、平滑に加工することができる。
【００１４】前記ガラス基板１は表面が平滑に研磨加工
されており、その上に成膜された蓄熱用非磁性層２は、
熱伝導性および蓄熱性に優れた金属材質、例えば周期表
４Ａ，５Ａ，６ＡのＣｒ, Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａの内から選択された１種または２種
以上の合金によって形成されている。該蓄熱用非磁性層
２の厚さは、３００〜１５００Å程度が好ましい。３０
０Å未満では、保有熱量が少なく、媒体基板４の上に積
層するＣｒ下地層５や磁気記録層６の成膜中、ＮｉＰＸ
層３の温度を２５０℃程度以上に維持することが困難と
なる。一方、１５００Åを越えると層表面に大きな凹凸
が形成されるようになる。蓄熱用非磁性層２を形成する
ことにより、基板の加熱に際し、ＮｉＰＸ層３の温度上
昇を抑制することができるという作用の他、ＮｉＰＸ層
３が該蓄熱用非磁性層２を介してガラス基板１に強固に
付着し、剥離し難くなるという作用も奏する。尚、本発
明においては、蓄熱用非磁性層２を形成することなく、
ガラス基板1 にＮｉＰＸ層３を直接形成してもよい。
されており、その上に成膜された蓄熱用非磁性層２は、
熱伝導性および蓄熱性に優れた金属材質、例えば周期表
４Ａ，５Ａ，６ＡのＣｒ, Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａの内から選択された１種または２種
以上の合金によって形成されている。該蓄熱用非磁性層
２の厚さは、３００〜１５００Å程度が好ましい。３０
０Å未満では、保有熱量が少なく、媒体基板４の上に積
層するＣｒ下地層５や磁気記録層６の成膜中、ＮｉＰＸ
層３の温度を２５０℃程度以上に維持することが困難と
なる。一方、１５００Åを越えると層表面に大きな凹凸
が形成されるようになる。蓄熱用非磁性層２を形成する
ことにより、基板の加熱に際し、ＮｉＰＸ層３の温度上
昇を抑制することができるという作用の他、ＮｉＰＸ層
３が該蓄熱用非磁性層２を介してガラス基板１に強固に
付着し、剥離し難くなるという作用も奏する。尚、本発
明においては、蓄熱用非磁性層２を形成することなく、
ガラス基板1 にＮｉＰＸ層３を直接形成してもよい。
【００１５】前記ＮｉＰＸ層３のＸとしては、既述の通
り、周期表の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素すなわち高
融点金属であるＶ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗの内から一種以上が選択され、その含有量は総計
で２０ａｔ％以下とされる。該ＮｉＰＸ層の上には、通
常、テキスチャーが施される。テキスチャーは、１００
Å程度の凹凸であるため、これによって蓄熱用非磁性層
２が露出しないように、ＮｉＰＸ層３の厚さは２５０Å
程度以上がよい。上限は特に限定されないが、ＮｉＰＸ
層３をスパッタリングによらず、メッキによって形成す
る場合は比較的厚くなる。この場合でも１０００Å程度
以下でよい。
り、周期表の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素すなわち高
融点金属であるＶ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗの内から一種以上が選択され、その含有量は総計
で２０ａｔ％以下とされる。該ＮｉＰＸ層の上には、通
常、テキスチャーが施される。テキスチャーは、１００
Å程度の凹凸であるため、これによって蓄熱用非磁性層
２が露出しないように、ＮｉＰＸ層３の厚さは２５０Å
程度以上がよい。上限は特に限定されないが、ＮｉＰＸ
層３をスパッタリングによらず、メッキによって形成す
る場合は比較的厚くなる。この場合でも１０００Å程度
以下でよい。
【００１６】前記Ｃｒ下地層５は、その上に形成される
磁気記録層６の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金（結
晶構造ｈｃｐ）のＣ軸（磁気異方性を示す結晶軸）を面
内配向させるために形成されるもので、通常５００〜２
０００Å程度の厚さに形成される。前記磁気記録層６
は、既述の通り、ＣｏＮｉＣｒ, ＣｏＣｒＴａ, ＣｏＣ
ｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金で形成さ
れる。尚、磁気記録層はＣｏ合金を単層に形成したもの
に限らず、Ｃｏ合金層とＣｒ層とを交互に複層形成した
もの（最上層はＣｏ合金層) でもよい。磁気記録層６の
層厚（Ｃｏ合金単層ならその層厚、複層ならＣｏ合金層
の合計厚) は通常６００〜８００Åとされる。再生出力
の確保とノイズ低減のためには、磁気記録媒体としてＢ
ｒ・δが４００〜５００Ｇ・μ程度のものが要求されて
いるからである。
磁気記録層６の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金（結
晶構造ｈｃｐ）のＣ軸（磁気異方性を示す結晶軸）を面
内配向させるために形成されるもので、通常５００〜２
０００Å程度の厚さに形成される。前記磁気記録層６
は、既述の通り、ＣｏＮｉＣｒ, ＣｏＣｒＴａ, ＣｏＣ
ｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金で形成さ
れる。尚、磁気記録層はＣｏ合金を単層に形成したもの
に限らず、Ｃｏ合金層とＣｒ層とを交互に複層形成した
もの（最上層はＣｏ合金層) でもよい。磁気記録層６の
層厚（Ｃｏ合金単層ならその層厚、複層ならＣｏ合金層
の合計厚) は通常６００〜８００Åとされる。再生出力
の確保とノイズ低減のためには、磁気記録媒体としてＢ
ｒ・δが４００〜５００Ｇ・μ程度のものが要求されて
いるからである。
【００１７】前記磁気記録層６の上にはカーボン等から
なる非磁性の保護層７が１５０〜４００Å程度形成され
ており、更にその上にフッ素化ポリエーテル等の潤滑剤
を１０〜５０Å程度塗布してもよい。尚、前記保護層７
や潤滑剤塗布層は必要に応じて形成すればよい。前記媒
体基板４は、通常、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層
２およびＮｉＰＸ層３をスパッタリングにより成膜する
ことによって得られるが、ＮｉＰＸ層３はメッキによっ
て形成してもよい。媒体基板４の上にＣｒ下地層５、磁
気記録層６を成膜するに際して、ＮｉＰＸ層３の表面を
赤外線ヒータ等によって加熱する。加熱温度はＮｉＰの
場合に比べて高くすることができるが、基板の平坦度を
保持する上で５００℃程度以下に止めておくのがよい。
尚、抵抗ヒータ等により媒体基板全体を加熱してもよ
い。基板を加熱後、前記Ｃｒ下地層５、磁気記録層６、
カーボン系保護層７を形成する手段としては、スパッタ
リングが一般的に行われるが、他の物理気相蒸着法を利
用することもできる。
なる非磁性の保護層７が１５０〜４００Å程度形成され
ており、更にその上にフッ素化ポリエーテル等の潤滑剤
を１０〜５０Å程度塗布してもよい。尚、前記保護層７
や潤滑剤塗布層は必要に応じて形成すればよい。前記媒
体基板４は、通常、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層
２およびＮｉＰＸ層３をスパッタリングにより成膜する
ことによって得られるが、ＮｉＰＸ層３はメッキによっ
て形成してもよい。媒体基板４の上にＣｒ下地層５、磁
気記録層６を成膜するに際して、ＮｉＰＸ層３の表面を
赤外線ヒータ等によって加熱する。加熱温度はＮｉＰの
場合に比べて高くすることができるが、基板の平坦度を
保持する上で５００℃程度以下に止めておくのがよい。
尚、抵抗ヒータ等により媒体基板全体を加熱してもよ
い。基板を加熱後、前記Ｃｒ下地層５、磁気記録層６、
カーボン系保護層７を形成する手段としては、スパッタ
リングが一般的に行われるが、他の物理気相蒸着法を利
用することもできる。
【００１８】次に具体的実施例を掲げる。 （１） ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、結晶
化ガラス製のガラス基板に直接、あるいはＣｒ層からな
る蓄熱用非磁性層２を１０００Å成膜し、その上にＮｉ
ＰＸ層３を形成して、媒体基板4 を複数個製作した。下
記表１に、蓄熱用非磁性層（蓄熱層）の有無、ＮｉＰＸ
層のＸの種類とその含有量を示す。 （２） 媒体基板４のＮｉＰＸ層の表面に、円周方向に
テキスチャリングを施した後、表面を洗浄した。尚、媒
体基板４の一部については、テキスチャリング処理を省
略した。表１に、テキスチャリングの有無を併せて示
す。 （３） 上記媒体基板４を用いて、（１）と同様のスパ
ッタ装置により、赤外線ヒータにより基板を加熱し、Ｃ
ｒ下地層5 を１２００Å、磁気記録層（Ｃｏ合金単層）
６を４００Å、カーボン保護層７を２００Å積層成膜し
た。Ｃｏ合金の組成はat％でＣｏ−１０％Ｃｒ−４％Ｔ
ａである。また、基板加熱温度は表１の通りであり、Ｃ
ｒ下地層５およびＣｏ合金層６を成膜するに際し、基板
側に負のバイアス電圧（−１００Ｖおよび−２００Ｖ）
を印加した。尚、同表中、試料No.１〜６は本発明実施
例、No. ７〜１１は比較例、No. １２は従来例である。
化ガラス製のガラス基板に直接、あるいはＣｒ層からな
る蓄熱用非磁性層２を１０００Å成膜し、その上にＮｉ
ＰＸ層３を形成して、媒体基板4 を複数個製作した。下
記表１に、蓄熱用非磁性層（蓄熱層）の有無、ＮｉＰＸ
層のＸの種類とその含有量を示す。 （２） 媒体基板４のＮｉＰＸ層の表面に、円周方向に
テキスチャリングを施した後、表面を洗浄した。尚、媒
体基板４の一部については、テキスチャリング処理を省
略した。表１に、テキスチャリングの有無を併せて示
す。 （３） 上記媒体基板４を用いて、（１）と同様のスパ
ッタ装置により、赤外線ヒータにより基板を加熱し、Ｃ
ｒ下地層5 を１２００Å、磁気記録層（Ｃｏ合金単層）
６を４００Å、カーボン保護層７を２００Å積層成膜し
た。Ｃｏ合金の組成はat％でＣｏ−１０％Ｃｒ−４％Ｔ
ａである。また、基板加熱温度は表１の通りであり、Ｃ
ｒ下地層５およびＣｏ合金層６を成膜するに際し、基板
側に負のバイアス電圧（−１００Ｖおよび−２００Ｖ）
を印加した。尚、同表中、試料No.１〜６は本発明実施
例、No. ７〜１１は比較例、No. １２は従来例である。
【００１９】
【表１】
【００２０】（４） 得られた資料を用いて保磁力等の
磁気特性を測定した。その結果を同表に併せて示す。同
表より、蓄熱用非磁性層を備えた実施例のNo. １〜６は
基板加熱温度を４４０℃まで上昇することができ、従来
例に対して保磁力等の磁気特性の向上が著しい。また、
蓄熱用非磁性層を備えた比較例のNo. ９〜１１と比較し
た場合、テキスチャーの有無、基板温度が同じ条件でも
（No. １と１０、No. ２と１１）、保磁力が１００〜２
００Ｏｅ程度以上向上していることが分かる。また、蓄
熱用非磁性層を備えていない比較例のNo. ７、８は蓄熱
用非磁性層を備えた実施例に比して保磁力は劣るもの
の、従来例に対して保磁力等の向上が認められる。
磁気特性を測定した。その結果を同表に併せて示す。同
表より、蓄熱用非磁性層を備えた実施例のNo. １〜６は
基板加熱温度を４４０℃まで上昇することができ、従来
例に対して保磁力等の磁気特性の向上が著しい。また、
蓄熱用非磁性層を備えた比較例のNo. ９〜１１と比較し
た場合、テキスチャーの有無、基板温度が同じ条件でも
（No. １と１０、No. ２と１１）、保磁力が１００〜２
００Ｏｅ程度以上向上していることが分かる。また、蓄
熱用非磁性層を備えていない比較例のNo. ７、８は蓄熱
用非磁性層を備えた実施例に比して保磁力は劣るもの
の、従来例に対して保磁力等の向上が認められる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の磁気記録媒
体は、その媒体基板がガラス基板、カーボン基板等の非
金属基板の上に熱伝導性に優れた周期表４Ａ，５Ａ，６
Ａに属する元素の１種又は２種以上からなり、その含有
量が２０ａｔ％以下の蓄熱用非磁性層を介して、周期表
の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素の内から選択された１
種以上の元素を所定量含有したＮｉＰＸ層が積層成膜さ
れているので、ＮｉＰＸ層の結晶化温度が従来のＮｉＰ
層に対して高くなり、このため基板加熱温度を上昇させ
ることができ、保磁力を向上させることができる。ま
た、ＮｉＰＸ層の上に形成される下地Ｃｒ層のＣｒの結
晶配向性も向上し、磁気記録層の磁気特性が向上する。
この際、本発明では特に前記蓄熱用非磁性層を設けてあ
るので、基板加熱時におけるＮｉＰＸ層の温度の上昇を
抑えると共に基板の温度低下を防止することができ、Ｃ
ｒ下地層や磁気記録層の結晶配向性をより一層向上させ
ることが可能となり、非金属基板の有する平坦性を備
え、かつ高保磁力を有する磁気記録媒体を提供すること
ができる。
体は、その媒体基板がガラス基板、カーボン基板等の非
金属基板の上に熱伝導性に優れた周期表４Ａ，５Ａ，６
Ａに属する元素の１種又は２種以上からなり、その含有
量が２０ａｔ％以下の蓄熱用非磁性層を介して、周期表
の４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素の内から選択された１
種以上の元素を所定量含有したＮｉＰＸ層が積層成膜さ
れているので、ＮｉＰＸ層の結晶化温度が従来のＮｉＰ
層に対して高くなり、このため基板加熱温度を上昇させ
ることができ、保磁力を向上させることができる。ま
た、ＮｉＰＸ層の上に形成される下地Ｃｒ層のＣｒの結
晶配向性も向上し、磁気記録層の磁気特性が向上する。
この際、本発明では特に前記蓄熱用非磁性層を設けてあ
るので、基板加熱時におけるＮｉＰＸ層の温度の上昇を
抑えると共に基板の温度低下を防止することができ、Ｃ
ｒ下地層や磁気記録層の結晶配向性をより一層向上させ
ることが可能となり、非金属基板の有する平坦性を備
え、かつ高保磁力を有する磁気記録媒体を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の要部断面図である。
１ ガラス基板 ２ 蓄熱用非磁性層 ３ ＮｉＰＸ層 ４ 媒体基板 ５ Ｃｒ下地層 ６ 磁気記録層 ７ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−260420（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−28013（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−197941（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66
Claims (2)
- 【請求項１】 非金属基板の上に、蓄熱用非磁性層を形
成し、その上にＮｉＰＸ層を形成してなる非磁性媒体基
板の上に、更に、Ｃｒ下地層、磁気記録層及び保護層を
同順序で積層成膜されており、前記ＮｉＰＸ層のＸが周
期表４Ａ，５Ａ，６Ａに属する元素に内の１種以上から
なり、その含有量が総計で２０ａｔ％以下であることを
特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記蓄熱用非磁性層は、周期表４Ａ，５
Ａ，６Ａに属する元素に内の１種又は２種以上の合金で
形成されており、前記蓄熱用非磁性層の層厚さは３００
〜１５００Åであることを特徴とする請求項１に記載し
た金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054155A JP2834380B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
| US08/208,958 US5480733A (en) | 1993-03-15 | 1994-03-11 | Metal thin film magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054155A JP2834380B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267050A JPH06267050A (ja) | 1994-09-22 |
| JP2834380B2 true JP2834380B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=12962664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054155A Expired - Fee Related JP2834380B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
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| WO1996027878A1 (fr) * | 1995-03-08 | 1996-09-12 | Migaku Takahashi | Support d'enregistrement magnetique et procede de fabrication |
| DE19607197B4 (de) * | 1996-02-26 | 2005-05-12 | Siemens Ag | Schichtaufbau mit einem hartmagnetischen Nd-Fe-B-Dünnfilm auf einem Substrat und Verfahren zur Herstellung des Schichtaufbaus |
| JP3371062B2 (ja) * | 1996-11-05 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 |
| US6221508B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-04-24 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media |
| US5968627A (en) * | 1998-01-15 | 1999-10-19 | Flextor, Inc. | Metal foil disk for high areal density recording in environments of high mechanical shock |
| JPH11328647A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH11339240A (ja) | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| JP3657196B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2005-06-08 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| WO2000074043A1 (fr) * | 1999-05-31 | 2000-12-07 | Migaku Takahashi | Base pour support d'enregistrement magnetique, support d'enregistrement magnetique, procede de production de cette base et enregistreur magnetique |
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| KR100876646B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2009-01-09 | 한국과학기술원 | 취성파괴 방지를 위한 무전해 ＮｉＸＰ로 표면처리된전자부품의 접합 방법 |
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| US8404369B2 (en) | 2010-08-03 | 2013-03-26 | WD Media, LLC | Electroless coated disks for high temperature applications and methods of making the same |
| US20150099143A1 (en) * | 2013-04-05 | 2015-04-09 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method for production of hard disk substrate and hard disk substrate |
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|---|---|---|---|---|
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| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
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| JPH02246017A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録媒体 |
| US5037515A (en) * | 1989-09-18 | 1991-08-06 | Hmt Technology Corporation | Method for making smooth-surfaced magnetic recording medium |
| US5084152A (en) * | 1990-10-02 | 1992-01-28 | Industrial Technology Research Institute | Method for preparing high density magnetic recording medium |
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-
1993
- 1993-03-15 JP JP5054155A patent/JP2834380B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-11 US US08/208,958 patent/US5480733A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5480733A (en) | 1996-01-02 |
| JPH06267050A (ja) | 1994-09-22 |
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