JP2721624B2 - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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- JP2721624B2 JP2721624B2 JP25308492A JP25308492A JP2721624B2 JP 2721624 B2 JP2721624 B2 JP 2721624B2 JP 25308492 A JP25308492 A JP 25308492A JP 25308492 A JP25308492 A JP 25308492A JP 2721624 B2 JP2721624 B2 JP 2721624B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハードディスクとして
使用される面内記録用金属薄膜型磁気記録媒体に関す
る。
使用される面内記録用金属薄膜型磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、磁気記録方式を面内磁化方式とした金属薄膜型磁
気記録媒体が用いられるようになっている。この方式に
よる磁気記録媒体は、ＣｏＮｉＣｒやＣｏＣｒＴａなど
の強磁性金属の薄膜である磁性層を、これに面内異方性
を導入するための下地層を介して非磁性基板上に成膜し
たものであり、通常、前記磁性層の上には更に保護層が
成膜される。
って、磁気記録方式を面内磁化方式とした金属薄膜型磁
気記録媒体が用いられるようになっている。この方式に
よる磁気記録媒体は、ＣｏＮｉＣｒやＣｏＣｒＴａなど
の強磁性金属の薄膜である磁性層を、これに面内異方性
を導入するための下地層を介して非磁性基板上に成膜し
たものであり、通常、前記磁性層の上には更に保護層が
成膜される。
【０００３】前記下地層は通常Ｃｒで形成されており、
該Ｃｒ層の上に前記磁性層がエピタキシャル成長する。
前記の各層は、通常、スパッタリング法により成膜さ
れ、磁性層の保磁力を向上させるため、特開平２−１５
４３２３号公報に開示されているように、磁性層のスパ
ッタリング成膜時に、基板に負のバイアス電圧を印加す
ることも行われている。
該Ｃｒ層の上に前記磁性層がエピタキシャル成長する。
前記の各層は、通常、スパッタリング法により成膜さ
れ、磁性層の保磁力を向上させるため、特開平２−１５
４３２３号公報に開示されているように、磁性層のスパ
ッタリング成膜時に、基板に負のバイアス電圧を印加す
ることも行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記磁気記録媒体は、
高密度の記録が可能であるが、次世代の磁気記録媒体と
しては、記録密度のより一層の向上が要求されている。
記録密度の向上のためには、保磁力の向上のみならず、
オーバーライト（Ｏ／Ｗ）等の電気的特性の向上をも図
ることが必要である。
高密度の記録が可能であるが、次世代の磁気記録媒体と
しては、記録密度のより一層の向上が要求されている。
記録密度の向上のためには、保磁力の向上のみならず、
オーバーライト（Ｏ／Ｗ）等の電気的特性の向上をも図
ることが必要である。
【０００５】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、高い保磁力と優れた電気的特性を有する金属薄膜型
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
で、高い保磁力と優れた電気的特性を有する金属薄膜型
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板の上に強磁性金属からなる磁性層が下地
層を介して積層形成された金属薄膜型磁気記録媒体にお
いて、前記下地層は化学組成が原子％で、 Ｃｒ100-X ＢX 、 Ｘ：１〜１０ からなるＣｒＢ合金で形成されている。
は、非磁性基板の上に強磁性金属からなる磁性層が下地
層を介して積層形成された金属薄膜型磁気記録媒体にお
いて、前記下地層は化学組成が原子％で、 Ｃｒ100-X ＢX 、 Ｘ：１〜１０ からなるＣｒＢ合金で形成されている。
【０００７】
【作用】従来のＣｒのみからなる下地層では、保磁力の
向上に限界があった。本発明では、Ｃｒに特定範囲のＢ
を含有させることにより、保磁力を高めると共に、電気
的特性、特にＯ／Ｗ特性を向上させることができ、ひい
ては高記録密度化を図ることができる。この際、下地層
を形成するＣｒ100-X ＢX 合金において、Ｘが１未満又
は１０を越えると、前記向上作用が過少となる。また、
基板に負のバイアス電圧を印加した状態で下地層をスパ
ッタリングにより形成することにより、上記向上作用が
顕著に発現する。
向上に限界があった。本発明では、Ｃｒに特定範囲のＢ
を含有させることにより、保磁力を高めると共に、電気
的特性、特にＯ／Ｗ特性を向上させることができ、ひい
ては高記録密度化を図ることができる。この際、下地層
を形成するＣｒ100-X ＢX 合金において、Ｘが１未満又
は１０を越えると、前記向上作用が過少となる。また、
基板に負のバイアス電圧を印加した状態で下地層をスパ
ッタリングにより形成することにより、上記向上作用が
顕著に発現する。
【０００８】Ｂの含有により保磁力等が向上する理由
は、明確には解明されていないが、下地層を形成する結
晶の格子定数が変化し、磁性層のエピタキシャル成長が
より容易になり、下地層と磁性層との結晶のミスマッチ
ングが減少するためと考えられる。
は、明確には解明されていないが、下地層を形成する結
晶の格子定数が変化し、磁性層のエピタキシャル成長が
より容易になり、下地層と磁性層との結晶のミスマッチ
ングが減少するためと考えられる。
【０００９】
【実施例】図１は実施例に係る磁気記録媒体の要部断面
図を示しており、非磁性の基板1の上に、所定の組成の
ＣｒＢ合金からなる下地層2 が成膜されており、その上
に一軸結晶磁気異方性を有する強磁性Ｃｏ合金からなる
磁性層3 が成膜され、更にその上に保護層4 が積層成膜
されている。
図を示しており、非磁性の基板1の上に、所定の組成の
ＣｒＢ合金からなる下地層2 が成膜されており、その上
に一軸結晶磁気異方性を有する強磁性Ｃｏ合金からなる
磁性層3 が成膜され、更にその上に保護層4 が積層成膜
されている。
【００１０】前記基板1 としては、Ａ１合金製基板1 の
上に10〜20μm 程度の非晶質Ｎｉ−Ｐメッキ層が形成さ
れたものが通常使用されるが、かかる構成に限らず、ガ
ラス基板やセラミックス基板等の非磁性材でも使用可能
である。尚、基板の上面には、通常、磁気ヘッドとの接
触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャーと呼ばれる凹
凸加工が施される。
上に10〜20μm 程度の非晶質Ｎｉ−Ｐメッキ層が形成さ
れたものが通常使用されるが、かかる構成に限らず、ガ
ラス基板やセラミックス基板等の非磁性材でも使用可能
である。尚、基板の上面には、通常、磁気ヘッドとの接
触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャーと呼ばれる凹
凸加工が施される。
【００１１】基板1 の上に形成される下地層2 は、その
上に形成される一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金
（結晶構造ｈｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶
軸）を面内配向させるために形成されるもので、Ｃｒ
100-X ＢX 、Ｘ：１〜１０（原子％）からなるＣｒＢ合
金を、通常、500 〜2000Å程度の厚さに形成される。該
下地層を成膜する際には、基板に負のバイアス電圧（−
50〜−400 Ｖ程度）を印加するのがよい。前記面内配向
作用を顕著に発現させることができるからである。
上に形成される一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金
（結晶構造ｈｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶
軸）を面内配向させるために形成されるもので、Ｃｒ
100-X ＢX 、Ｘ：１〜１０（原子％）からなるＣｒＢ合
金を、通常、500 〜2000Å程度の厚さに形成される。該
下地層を成膜する際には、基板に負のバイアス電圧（−
50〜−400 Ｖ程度）を印加するのがよい。前記面内配向
作用を顕著に発現させることができるからである。
【００１２】前記磁性層3 は、既述の通り、一軸結晶磁
気異方性を有する強磁性金属、例えばＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａ等のＣｏ合金により成膜される。成膜に際し
ては、下地層2 と同様、基板に負のバイアス電圧（−50
〜−400 Ｖ程度）を印加してもよい。また、磁性層はＣ
ｏ合金を図例のように単層として形成したものに限ら
ず、Ｃｏ合金層とＣｒ層（もしくは、前記ＣｒＢ合金
層）とを交互に積層形成し、最上層をＣｏ合金層とした
ものでもよい。磁性層の層厚（Ｃｏ合金単層ならその層
厚、複層ならＣｏ合金層の合計厚）は通常400 〜800 Å
程度とされる。再生出力の確保とノイズ低減のために、
磁気記録媒体として残留磁束密度Ｂｒと膜厚δとの積Ｂ
ｒδが300 〜500 Ｇ・μ程度のものが要求されているか
らである。
気異方性を有する強磁性金属、例えばＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａ等のＣｏ合金により成膜される。成膜に際し
ては、下地層2 と同様、基板に負のバイアス電圧（−50
〜−400 Ｖ程度）を印加してもよい。また、磁性層はＣ
ｏ合金を図例のように単層として形成したものに限ら
ず、Ｃｏ合金層とＣｒ層（もしくは、前記ＣｒＢ合金
層）とを交互に積層形成し、最上層をＣｏ合金層とした
ものでもよい。磁性層の層厚（Ｃｏ合金単層ならその層
厚、複層ならＣｏ合金層の合計厚）は通常400 〜800 Å
程度とされる。再生出力の確保とノイズ低減のために、
磁気記録媒体として残留磁束密度Ｂｒと膜厚δとの積Ｂ
ｒδが300 〜500 Ｇ・μ程度のものが要求されているか
らである。
【００１３】前記磁性層3 の上にはＷＣ、ＳｉＣ等の炭
化物やダイヤモンド状炭素、アモルファス状炭素等によ
り保護層4 が150 〜400 Å程度形成されている。更に、
必要に応じて、その上に潤滑層としてフッ素化ポリエー
テル等の潤滑剤が20〜50Å程度塗布してもよい。前記下
地層2 、磁性層3 、保護層4 は、磁気記録媒体を工業的
に生産する場合、所期層を成膜するためのターゲット材
を備えたスパッタリング装置内で、基板を順次移動させ
て積層成膜すればよい。スパッタリング条件は、通常、
Ａｒガス圧1 〜40×10-3Ｔｏｒｒ、基板温度200 〜300
℃程度とされる。
化物やダイヤモンド状炭素、アモルファス状炭素等によ
り保護層4 が150 〜400 Å程度形成されている。更に、
必要に応じて、その上に潤滑層としてフッ素化ポリエー
テル等の潤滑剤が20〜50Å程度塗布してもよい。前記下
地層2 、磁性層3 、保護層4 は、磁気記録媒体を工業的
に生産する場合、所期層を成膜するためのターゲット材
を備えたスパッタリング装置内で、基板を順次移動させ
て積層成膜すればよい。スパッタリング条件は、通常、
Ａｒガス圧1 〜40×10-3Ｔｏｒｒ、基板温度200 〜300
℃程度とされる。
【００１４】次に具体的実施例を掲げる。 実施例Ａ (1) Ａｌ板にＮｉ−Ｐメッキ層を形成した基板の上に
下記表１に記載した組成の下地層を1400Å、Co86Cr12Ta
2 合金単層からなる磁性層を600 Å、更にその上に炭素
保護層を250 Å成膜した。成膜装置としては、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置を用い、成膜条件はＡｒガス圧1
×10-2Torr、基板温度240 ℃とした。
下記表１に記載した組成の下地層を1400Å、Co86Cr12Ta
2 合金単層からなる磁性層を600 Å、更にその上に炭素
保護層を250 Å成膜した。成膜装置としては、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置を用い、成膜条件はＡｒガス圧1
×10-2Torr、基板温度240 ℃とした。
【００１５】また、下地層、磁性層の成膜時、同表に併
記したバイアス電圧を基板に対して印加した。
記したバイアス電圧を基板に対して印加した。
【００１６】
【表１】
【００１７】(2) 得られた磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ
を測定した結果を表１に併せて示す。 (3) 評 価 表１より、下地層を本発明範囲のCrＢ合金で成膜したも
のは、従来のCrで成膜したものに対して、保磁力が20〜
100 Oe程度向上したことが認められる。 実施例Ｂ (1) 電気的特性を調べるため、同一の残留磁束、保磁
力レベルになる様にスパッ タ条件を調整して磁気記録
媒体を製作した。但し、層構成は実施例Ａと同様で あ
る。尚、バイアス電圧印加による電気的特性の変動の可
能性を考慮し、実施 例Ｂではバイアス電圧を印加せず
に下地層を成膜し、特性を比較した。
を測定した結果を表１に併せて示す。 (3) 評 価 表１より、下地層を本発明範囲のCrＢ合金で成膜したも
のは、従来のCrで成膜したものに対して、保磁力が20〜
100 Oe程度向上したことが認められる。 実施例Ｂ (1) 電気的特性を調べるため、同一の残留磁束、保磁
力レベルになる様にスパッ タ条件を調整して磁気記録
媒体を製作した。但し、層構成は実施例Ａと同様で あ
る。尚、バイアス電圧印加による電気的特性の変動の可
能性を考慮し、実施 例Ｂではバイアス電圧を印加せず
に下地層を成膜し、特性を比較した。
【００１８】
【表２】
【００１９】(2) 得られた磁気記録媒体のＨＦの平均
読み出し電圧（HF-TAA) 、分解能(Res.)、Ｏ／Ｗ特性、
パルス幅（半値幅、ＰＷ50）を測定した。使用したヘッ
ドは薄膜ヘッドであり、測定条件はディスク回転数3600
rpm 、HF 5.0MHz 、LF 1.25MHzである。測定結果を表2
に併せて示す。 (3) 評 価 表２より、実施例は全ての電気的特性が従来例より向上
しており、特にＯ／Ｗ特性については大幅な向上が認め
られた。
読み出し電圧（HF-TAA) 、分解能(Res.)、Ｏ／Ｗ特性、
パルス幅（半値幅、ＰＷ50）を測定した。使用したヘッ
ドは薄膜ヘッドであり、測定条件はディスク回転数3600
rpm 、HF 5.0MHz 、LF 1.25MHzである。測定結果を表2
に併せて示す。 (3) 評 価 表２より、実施例は全ての電気的特性が従来例より向上
しており、特にＯ／Ｗ特性については大幅な向上が認め
られた。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の金属薄膜型
磁気記録媒体は、下地層を特定組成のＣｒＢ合金で形成
したので、磁性層の面内配向性を向上させることがで
き、保磁力の向上のみならず、電気的特性特にＯ／Ｗ特
性を著しく向上させることができ、両特性の向上が相ま
って記録密度の一層の向上を図ることができる。
磁気記録媒体は、下地層を特定組成のＣｒＢ合金で形成
したので、磁性層の面内配向性を向上させることがで
き、保磁力の向上のみならず、電気的特性特にＯ／Ｗ特
性を著しく向上させることができ、両特性の向上が相ま
って記録密度の一層の向上を図ることができる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の要部断面図である。
1 基板 2 下地層 3 磁性層 4 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板の上に強磁性金属からなる磁
性層が下地層を介して積層形成された金属薄膜型磁気記
録媒体において、 前記下地層は化学組成が原子％で、 Ｃｒ100-X ＢX 、 Ｘ：１〜１０ からなるＣｒＢ合金で形成されていることを特徴とする
金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項２】 下地層は負のバイアス電圧が印加された
状態でスパッタリングにより形成された請求項１に記載
した金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25308492A JP2721624B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25308492A JP2721624B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104113A JPH06104113A (ja) | 1994-04-15 |
| JP2721624B2 true JP2721624B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=17246271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25308492A Expired - Fee Related JP2721624B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2721624B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW390998B (en) | 1996-05-20 | 2000-05-21 | Hitachi Ltd | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| JP2003196822A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP25308492A patent/JP2721624B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104113A (ja) | 1994-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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