JP2677108B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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Description
の非磁性鏡面基板からなる磁気記録媒体に係り、特に非
磁性鏡面基板を用いた媒体に固有なモジュレーションノ
イズを低減した磁気記録媒体を提供するものである。
予備層11を設け、この予備層11上に下地層12及び
磁性層13を順次積層して、特性を向上させた磁気記録
媒体として、特開昭61−188732号公報記載の磁
気記録媒体や特開昭61−222021号公報記載の磁
気記録媒体がある。前者は、予備層11として、アルマ
イト膜からなる非磁性硬化層を設けたものであり、磁気
特性(結晶配向性)を改良して、機械的信頼性を向上さ
せたものである。また、後者は、予備層11としてZr
O2 (酸化ジルコニウム),In2 O3 ,SnO2 を成
膜して、保磁力や残留磁束密度などを向上させたもので
ある。
より高密度な磁気記録媒体の開発が盛んである。高密度
化するには、ヘッドを安定的に低浮上でき、かつ、高S
/N(信号とノイズとの比)を有する記録媒体が必要で
ある。そこで、媒体表面に突起や異物がない鏡面状の基
板(テクスチャー処理がない表面粗さの小さい基板)、
例えばガラス基板などの非磁性鏡面基板からなる磁気記
録媒体が有望視され使用されつつある。しかし、このガ
ラス基板などの非磁性鏡面基板を用いた場合にはノイ
ズ、特にモジュレーションノイズが上昇する傾向があ
り、S/Nの劣化を引き起こし、高密度記録の妨げとな
っていた。例えば、同一のスパッタ条件で従来のような
テクスチャー処理した基板を用いた媒体と鏡面処理した
基板を用いた媒体とでは、鏡面処理した基板を用いた媒
体の方が−7dB程度、S/Nが劣化してしまう。そこ
で、本発明はガラス基板などの非磁性鏡面基板を用いた
磁気記録媒体を改良して、非磁性鏡面基板に固有なモジ
ュレーションノイズを低減させ、高S/Nな磁気記録媒
体を提供するものである。
の構成を有する磁気記録媒体を提供する。非磁性鏡面基
板上に、少なくとも、プリコート層、下地層、磁性層を
順次積層してなる磁気記録媒体であって、前記プリコー
ト層は、V(バナジウム),Mo(モリブデン)のいず
れかを用いた層であり、前記下地層は、Cr(クロ
ム),Crの面間隔に近い立方晶系のいずれかを用いた
層であり、前記磁性層は、Co(コバルト)合金層であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。
とともに詳細に説明する。図1は本発明になる磁気記録
媒体の断面図である。 <実施例1>非磁性鏡面基板1として3.5インチのガ
ラス基板を用いた。非磁性鏡面基板1をDCマグネトロ
ンスパッタ装置内で200℃に加熱する。装置内の到達
真空度は3×10-7Torrである。この非磁性鏡面基板1
上にAr(アルゴン)ガス圧2×10-3Torrでプリコー
ト層2としてV(バナジウム)を30〜16000オン
グストローム成膜した(図2のプロット参照)。この
後、Arガス圧0.45×10-3Torrで下地層3として
Cr下地層を500オングストローム、磁性層4として
CoCr10.5Ta5.5 Pt2.0 (コバルト・クロム・タ
ンタル・白金)層を500オングストローム成膜した。
電磁変換特性を測定するためにはArガス圧10mTo
rrでC(カーボン層5)を300オングストローム成膜
し、その後、潤滑層6を20オングストローム塗布して
ディスク(磁気記録媒体)とした。
ート層2としてVの代わりにMo(モリブデン)とする
以外は実施例1と同様にして媒体を得る。なお、プリコ
ート層2の厚さは60オングストロームである。
ート層2としてVの代わりにTi(チタン)とする以外
は実施例1と同様にして媒体を得る。なお、プリコート
層2の厚さは60オングストロームである。
ート層2としてVの代わりにNiP(ニッケル・リン)
とする以外は実施例1と同様にして媒体を得る。なお、
プリコート層2の厚さは60オングストロームである。
ート層2としてVの代わりにC(カーボン)とする以外
は実施例1と同様にして媒体を得る。なお、プリコート
層2の厚さは60オングストロームである。
ート層2としてVの代わりにAl(アルミニウム)とす
る以外は実施例1と同様にして媒体を得る。なお、プリ
コート層2の厚さは60オングストロームである。
ート層2の成膜をせずに下地層3としてCrを、磁性層
4としてCoCr10.5Ta5.5 Pt2.0 をそれぞれ成膜
する。他の条件は実施例1と同様である。
7.6m/s,浮上量0.05μm、トラック幅8μm
,ギャップ長0.3μm の薄膜ヘッドを用いて電磁変
換特性の測定を行った。S/Nの測定は記録周波数5MH
z である。
のS/Nを、プリコート層がない場合と比較して示した
ものである。
合のV(バナジウム)プリコート層がある媒体のノイズ
レベルとプリコート層の厚さとの関係を示すものであ
る。同図から明らかなように、30〜14000オング
ストローム厚のプリコート層を形成することににより、
S/Nの良い媒体が得られる。
プリコート層がある場合のノイズスペクトラムを示し、
図3(B)にV(バナジウム)プリコート層がない場合
のノイズスペクトラムを示す。これを見てもわかるよう
にVプリコート層のあるものは機器ノイズに対するモジ
ュレーションノイズの増加が小で、ノイズレベルが大幅
に低下している。これらのモジュレーションノイズの低
減は、プリコ−ト層を形成することで面内に磁気配向し
ていた成分に膜厚方向(面内に対して垂直方向)に磁気
配向する成分が加わり、面内の磁気異方性の強度を弱め
その結果ノイズレベルが低下したものと考えられる。
アモルファスカ−ボンを用い、プリコ−ト層2としてM
o(モリブデン)を用いた。なお、プリコート層2の厚
さは60オングストロームである。他の条件は実施例1
と同様である。
ト層2としてMo(モリブデン)を形成しない以外は上
記実施例7の条件と同様である。
7.6m/s,浮上量0.15μm,トラック幅8μ
m,ギャップ長0.3μmの薄膜ヘッドを用いて電磁変
換特性の測定を行った。S/Nの測定は記録周波数6.67
MHz である。その結果、比較例2の媒体ノイズレベルを
0dBとすると、実施例7の媒体では+2.35dBの
S/Nが得られた。
ス基板上に、基板加熱温度200℃,スパッタガス圧5
mTorrで前処理層としてZrを60オングストロー
ム成膜する。続いて、5mTorrでプリコート層2と
してVを60オングストローム成膜し、これを基板とす
る。さらに、基板加熱温度200℃,スパッタガス圧0.
45mTorrで下地層3としてCrを500オングスト
ローム、続いて磁性層4としてCoCr10 5Ta5.5 P
t2.0 を500オングストローム成膜する。電磁変換特
性を測定するためには実施例1と同じようにカ−ボン膜
5の成膜と、潤滑膜6の塗布を行う。
ス基板上に前処理層としてZrを60オングストローム
形成し、プリコート層としてVを形成せず、下地層3と
してCr、磁性層4としてCoCrTaPtを形成す
る。他の条件は実施例8に同じである。以上のようにし
て得られた媒体を、記録周波数を6.67MHzとして
実施例1と同じ条件でS/Nを測定した。
ると、実施例8の媒体では+6.0dBの高いS/Nが
得られ、実施例9の媒体では+0.4dBのS/Nが得
られた。このように、プリコ−ト層2は下地層3の下に
形成すれば、非磁性鏡面基板1に直接形成しても、ある
いは非磁性鏡面基板1に前処理層を形成した上でも良
く、また、実質的にプリコート層が2層(複数層)とな
っても良い。
ム)、Mo(モリブデン)、Ti(チタン)、NiP
(ニッケル・リン)、C(カーボン)、Zr(ジルコニ
ウム)、Al(アルミニウム)以外でも、磁性層4の面
内異方性成分を弱めるように作用するものであれば良
い。下地層3はCrに限定されず、Crの面間隔に近い
V(バナジウム)、W(タングステン)のようなbcc
構造(立方晶系)を持つものであれば良い。磁性層4も
CoCrTaPtに限定されずCoNi、CoNiC
r、CoCrTa、CoNiPtCr等Coのhcp造
(六方晶系)を維持している合金ならば良い。
記録媒体は、面内に磁気配向していた成分に膜厚方向
(面内に対して垂直方向)に磁気配向する成分が加わる
から、面内の磁気異方性の強度が弱められることにな
り、この結果、非磁性鏡面基板を用いた媒体に固有なモ
ジュレーションノイズを低減することができるので、高
S/Nな磁気記録媒体を得ることができるという効果が
ある。
面図である。
ルとプリコート層の厚さとの関係を示す図である。
気記録媒体のノイズスペクトラムを示す図、(B)はプ
リコート層がない従来の磁気記録媒体のノイズスペクト
ラムを示す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】非磁性鏡面基板上に、少なくとも、プリコ
ート層、下地層、磁性層を順次積層してなる磁気記録媒
体であって、 前記プリコート層は、V(バナジウム),Mo(モリブ
デン)のいずれかを用いた層であり、 前記下地層は、Cr(クロム),Crの面間隔に近い立
方晶系のいずれかを用いた層であり、 前記磁性層は、Co(コバルト)合金層であることを特
徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4078471A JP2677108B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-02-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3-125397 | 1991-04-26 | ||
JP12539791 | 1991-04-26 | ||
JP4078471A JP2677108B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-02-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0581638A JPH0581638A (ja) | 1993-04-02 |
JP2677108B2 true JP2677108B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=26419534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4078471A Expired - Lifetime JP2677108B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-02-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2677108B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190108A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-07-05 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2561655B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1996-12-11 | 株式会社日立製作所 | 面内磁気記録媒体 |
JPS63217520A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
JPS6479919A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-24 | Hitachi Maxell | Magnetic disk and its production |
JPH0291810A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記録坦体 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4078471A patent/JP2677108B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0581638A (ja) | 1993-04-02 |
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