JPH09288818A

JPH09288818A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH09288818A
Application number: JP9995296A
Authority: JP
Inventors: Koji Ichikawa; 耕司市川; Takashi Sugiyama; 隆杉山; Masahiro Tobiyo; 飛世　　正博
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1996-04-22
Filing date: 1996-04-22
Publication date: 1997-11-04

Abstract

(57)【要約】【課題】近接した磁気ヘッドの低浮上を保証し、機械
的耐久性に優れた高保磁力な磁気記録媒体を提供するこ
と。【解決手段】非磁性基板上にCrまたはCr合金からなる
下地膜、CoCrPtを主成分とする磁性膜、含有量に濃度勾
配をもった窒素を含む保護膜が順次積層されたことを特
徴とする磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は非磁性基板上に磁性
膜等を形成した磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】コンピューター用磁気ディスク装置は、
近年その大容量化、小型化にともない、磁気記録媒体の
記録密度の向上が求められている。これに対して磁気ヘ
ッドの再生部に磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型
（ＭＲ）ヘッドが開発された。このヘッドは従来用いら
れている誘導型ヘッドよりも再生感度に優れているの
で、磁性媒体の記録密度が高くなるにしたがって信号磁
界が小さくなってもそれを検出することができる。しか
し信号の記録とその検出をより確実にするためヘッド浮
上高さ、すなわちヘッドと磁性媒体のスペーシングをよ
り小さくすることが必要とされている。さらに同じ目的
で磁気媒体表面保護膜をより薄くする事が行われてい
る。薄くても同等の機械的摩耗耐久性を維持するために
水素化カーボン等が広く研究され、実用化されている
(特開昭60-157725)。また高記録密度用磁性媒体として
はより高い保磁力を実現することが必要であり、CoCrPt
Taがこの目的に有効であることが知られている(公開特
許公報,平1-256017)。更に磁気記録装置を小型化するた
めに９５mmアルミニウム基板を用いた磁気ディスク装置
ではより薄いディスク基板が使用される傾向が強まって
きている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】記録密度を高めるため
にはＭＲヘッドの使用が不可欠であり、またそのために
最適に設計された磁気記録媒体が必要となる。ＭＲヘッ
ドの検出感度をより高めるためにはヘッドと磁気記録媒
体の磁性層との距離を近づけなければならない。これを
実現するためには磁気媒体表面保護膜の厚さをできる限
り薄くすることが必要である。しかしこの場合ヘッドと
磁気記録媒体の間に機械的耐久性の問題が発生する。こ
の機械的耐久性を損なわずに磁気媒体表面保護膜を薄く
する事が重要である。さらにＭＲヘッドには静電気によ
る検出素子の破壊が発生する事があり、磁気媒体表面保
護膜は導電性を有する事が望ましい。従来使用されてき
た水素化カーボン保護膜は本質的に非導電性であり望ま
しくない。窒素ガスを添加したカーボンは導電性である
が隣接する磁気媒体層に拡散して保磁力等の基本的な磁
気媒体の性能を低下させるため、改良が望まれている。
さらに基板表面の平均中心線粗さRaをできるだけ小さく
して低い浮上高さのヘッドが安定に高密度な信号を記録
再生出来る事が必要である。また、このような高密度磁
気記録媒体は記録減磁作用に抗する高い保磁力をもつ事
がことが必要である。従来改良が重ねられてきたＣｏＣ
ｒＴａ磁性合金では、達成可能な最高保磁力が限界に近
づきつつある。本発明の目的は磁気記録媒体の機械的お
よび静電気的耐久性を劣化させることなくヘッドと磁気
記録媒体のスペーシングを低減し、さらに高い保磁力を
実現してＭＲヘッドに適した磁気記録媒体を提供するこ
とにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の磁気記録媒体は、平滑な非磁性基板上に
適当な膜厚のＣｒ下地層を設けたうえ、CoCrPtTa合金磁
気媒体層をスパッタリング法にて作製する。この合金中
Ｃｒの濃度は７乃至１８％とする事が望ましい。７％よ
り少なくては再生信号に雑音が多く含まれてＳ／Ｎ比が
悪く、また１８％より多くては飽和磁化が低すぎて磁性
媒体層を厚くする必要がありオーバーライト特性を損な
うからである。残留磁束密度と厚さの績Ｂｒ×ｔは６０
乃至１５０Ｇａｕｓｓ×μｍ、保磁力は1900乃至3300Ｏ
ｅとする事が望ましい。Ｂｒ×ｔを６０乃至１５０Ｇａ
ｕｓｓ×μｍに制御する事によって十分な信号再生出力
を維持し、また必要な高保磁力を実現する事が可能にな
る。,保磁力が1900Ｏｅ以下では高密度記録において記
録減磁作用が強く分解能の低下や再生信号波形の半値幅
ＰＷ５０の劣化を招き、保磁力が3300Ｏｅ以上では高す
ぎてオーバーライト特性が損なわれる。非磁性基板の平
滑度は中心線平均粗さＲａで半径23mm以下の領域が２５
オングストローム以下、半径25mm以上の領域が１８オン
グストローム以下である事がましい。ＣＳＳ（コンタク
トスタートストップ）動作において特に低い摩擦を必要
とされる磁気記録媒体内周部を粗くし、高い信号品質と
低いヘッド浮上高さを必要とする中外周部を滑らかにす
る事が必要なためである。さらに磁気媒体層の上には含
有される窒素濃度が膜の厚み方向に対して勾配を持つよ
うな窒素添加カーボン保護膜を形成する。濃度勾配は磁
性媒体側が低能度で反対の磁気記録媒体表面側が高濃度
である事が望ましい。

【０００５】

【発明の実施の形態】磁気媒体層の表面に設ける保護膜
は炭素質であることが好ましい。ヘッドとの摩耗に耐え
る機械的強度を維持するために最低１０nmの厚みを必要
とする。保護膜の厚みが２０nmを超えるとヘッドと磁気
記録媒体との間隔が大きくなりすぎるため十分な記録再
生分解能がえられなくなる。また再生出力の低下が著し
く好ましくない。水素化カーボン保護膜は１０乃至２０
nmの範囲でも良好な機械強度を持つが電気的に絶縁体で
あるため発生する静電気がＭＲヘッドを破壊してしまう
恐れがある。窒素を添加したカーボン保護膜は水素化カ
ーボン保護膜と同等の機械強度をもちながら導電性がよ
いため、静電気に敏感なＭＲヘッドと組み合わせて使用
する目的にかなっている。しかしながら窒素ガスが磁気
媒体中に拡散して保磁力や磁化曲線上の角型比を低下さ
せたりすることがあるので、磁性媒体層との間にこの拡
散を防ぐバリヤー層を設けることが好ましい。ヘッドと
の潤滑性を良好に保つことをも併せて考えるとこのバリ
ヤー層には窒素を含まない純度の高いカーボンを用いる
ことが適切である。従って保護膜全体として窒素の含有
率が磁性媒体層側で低く磁気記録媒体表面側で濃いよう
な厚み方向に対する濃度勾配を持つような状態が望まし
い。磁性媒体層に従来広く使われてきたCoCrTa合金は達
成可能な保磁力の上限に近づきつつある。通常保磁力を
増すためにはスハ゜ッタ装置内でディスク基板加熱を行う事、
磁性媒体層スハ゜ッタ時基板に負電圧のバイアスを印加する
事、Ｃｒ下地層を厚くする事、スハ゜ッタ装置内の真空度を
高めて不純物の悪い影響を取り除く事、等の手法を組み
合わせて行われている。これらの手法の多くは基板に与
える熱的効果が強く、スハ゜ッタ装置内の基板温度は容易に
２００℃をこえ時には３００℃以上にも達する。このよ
うな場合には基板は内部応力の開放やＡｌ基板と表面Ｎ
ｉＰメッキ層の熱膨張係数差などのため変形や反りを発
生し磁気記録媒体の品質を著しく落とす。さらにＮｉＰ
メッキ層が結晶化して変形を起こすと同時に磁性を帯び
磁気記録媒体としての性能をほとんど破壊してしまう。
熱に強いガラス質の基板等も広く研究され一部で実用化
されているが、材料が高価であったり従来の製造方法を
大幅に変更しなければならなかったりするためにあまり
一般的ではない。本発明によればCoCrPtTa合金を磁性媒
体材料に使う事で基板に与える熱的効果を最小限におさ
え、かつ従来の製造方法を大幅に変える事無く大きな保
磁力を容易に得る事が可能となる。CoCrPtTa合金は高価
なPtを含有するため大きな残留磁束密度と厚さの績Ｂｒ
×ｔを必要とする磁気記録媒体の設計には向いていな
い。そのような磁気記録媒体は従来のインダクティブ型
薄膜ヘッドと組み合わせて用いられることが多い。小さ
なＢｒ×ｔの磁気記録媒体にたいしても十分な再生感度
を発揮するＭＲヘッドと組み合わせるような磁気記録装
置の設計においてCoCrPtTa合金は実用的に利用すること
が可能になる。一方Ｂｒ×ｔが60Ｇａｕｓｓ×μｍ以下
では再生出力が不足するために磁気記録媒体として使用
することができない。さらにＢｒ×ｔが６０Ｇａｕｓｓ
×μｍ以下ではひとつひとつの磁性粒子が小さすぎてじ
ゅうぶんな保磁力を得ることが困難になる。また従来の
CoCrTa合金で容易に達成できる保磁力1900Oe以下の磁気
記録媒体にCoCrPtTa合金を用いる必要はない。保磁力が
3300Oe以上ではヘッドが十分に書き込むことができずオ
ーバーライト特性をそこなう。磁気ドライブ装置全体を
小型化するためには厚み０．８mmの基板を使うことが必
要である。１．２７mm厚の基板では装置を駆動する負荷
が大きくなり出力の大きいモーターを使わなければなら
ない。このため磁気記録装置全体が大きくなってしま
う。０．６４mm厚の基板は薄すぎるために様々な衝撃に
耐えられる機械的強度が得られない。アルミニウム基板
の上にメッキするＮｉＰの厚みも基板表面の機械的強度
を得るため７μｍ以上必要である。これは最大１５μｍ
あれば十分で、それ以上は必要ない。基板表面のＲａは
ヘッドと磁気記録媒体表面がこすれ合う半径２３mm以下
の領域では摩擦を軽減するためにＲａをやや大きくする
必要がある。使用するＭＲヘッドの所定浮上高さによっ
てこのＲａ値の上限が決まるのであるが通常２５オング
ストロームあれば十分である。半径２５mm以上では通常
ヘッドと磁気記録媒体は擦れ合うことはない。むしろヘ
ッドと磁気記録媒体の衝突や接触が無いようにＲａはで
きる限り小さい方が良い。またこの領域には情報が高密
度に記録されるので、Ｒａが大きいと基板表面の凹凸の
ために小さな記録ビットが乱されてエラーを引き起こす
原因になってしまう。磁性媒体層の特性を制御するため
には下地のＣｒ膜が重要である。Ｃｒ膜が薄すぎては高
い保磁力が得られないので２nm以上必要である。Ｃｒ膜
が厚すぎるとスハ゜ッタのエネルギ−によって基板温度があ
がり、基板に変形や反りをもたらす。また結晶配向が変
わり磁性媒体層が膜面内に良好な特性を発揮できなくな
る事があり、最大６５nmとすることが望ましい。

【０００６】

【実施例】本発明を以下の実施例によって説明する。実
施例と比較例の結果を表１に示す。

【０００７】（実施例１）厚さ０．８mmの円板状アルミ
ニウム基板をＲａ１ｎｍ程度に鏡面研磨してテクスチャ
ー処理によって粗面化加工を行った。内周部半径２３mm
以内でのＲａは２４オングストローム、半径３０mmでの
Ｒａは１８オングストロームとした。この基板を洗浄
し、真空度１×１０−６Torr以下に排気したスハ゜ッタ装置
に取り付けた。基板を２８０℃に加熱してＣｒを約５０
nmスパッタした。スパッタ電力は０．８ｋｗ、時間は１
２秒間とした。Ｃｒスパッタ時基板バイアスは印加せず
アース電位に保った。ＣｒスパッタのＡｒガス圧は５mT
orrである。続いてＣｏＣｒＰｔＴａ合金２００オング
ストロームをスパッタした。使用した合金組成はＣｒ１
０原子％、Ｐｔ８原子％、Ｔａ２原子％である。ＣｏＣ
ｒＰｔＴａのスパッタ条件は電力１ｋｗ、時間５．２
秒、基板バイアス−３００Ｖ、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ
である。続いて同一スパッタ装置内でカーボン膜を作製
した。第一層の純カーボンは厚み約４０オングストロー
ムで、電力２ｋｗ、時間４秒、基板バイアス０Ｖ、Ａｒ
ガス圧４．５ｍＴｏｒｒである。さらにＡｒと窒素を混
合したガスを導入しカーボン膜の製作を続けた。スパッ
タ条件は電力２．５ｋｗ、時間5.5秒、基板バイアス０
Ｖ、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒである。カーボン膜全体の
厚みは約11nmである。できあがった磁気記録媒体の残留
磁束密度と厚さの績Ｂｒ×ｔは１４１Ｇａｕｓｓ×μ
ｍ、保磁力は２７６０Ｏｅであった。スパッタ後パーフ
ロロアルキルポリエーテルを３０オングストローム塗布
しヘッド浮上特性を調べたところ０．０３１μmの浮上
量でもヘッドが磁気記録媒体に衝突することはなかっ
た。この実施例による磁気記録媒体の断面の構成を図１
に示した。またこの磁気記録媒体をオージェ電子分光分
析装置にて、媒体表面から内部へと真空中でエッチング
しながら分析した。この時の深さ方向の元素分布を図２
に示した。磁気記録ドライブ装置に組み込んでのＣＳＳ
（回転・停止を繰り返す機械的摩耗耐久試験）では３０
ｋ回以上の繰り返し試験に合格した。

【０００８】（実施例２，３，４）窒素濃度勾配をもつ
カーボン膜全体の厚みを変えたことを除いては実施例１
と全く同様に磁気記録媒体を製作した。カーボン膜全体
の厚みを変えるために純Ａｒガスと窒素を含有する混合
ガス中のカーボンスパッタ時間をそれぞれ調節し、スパ
ッタ電力２．５ｋｗを一定とした。できあがったカーボ
ン膜全体の厚みは14オングストロームから20オングスト
ロームの範囲である。いずれのディスクにおいても実施
例１と同等の磁気記録特性とＣＳＳ摩耗性を得られた。

【０００９】（比較例１）カーボン膜内部の厚み方向窒
素濃度勾配がなく、均一な窒素濃度の保護膜を付与した
ことを除いては実施例3と全く同様に磁気記録媒体を製
作した。純カーボン膜をスパッタせずにカーボン膜全体
の厚みを17nmに揃えるため、Ａｒと窒素を混合したガス
を使っての窒素添加カーボン膜スパッタ時間は１１秒に
した。得られたＢｒ×ｔとＨｃはそれぞれ124Ｇａｕｓ
ｓ×μｍ、1750Ｏｅで純カーボン膜を窒素バリヤー層と
して使った実施例１より劣り、同時に磁気記録特性も十
分ではなかった。

【００１０】（比較例２）カーボン膜内部に窒素を全く
含有せず、均一な純カーボンの保護膜を付与したことを
除いては実施例１と全く同様に磁気記録媒体を製作し
た。カーボン膜全体の厚みを17nmに揃えるため、純Ａｒ
ガスを使ってのカーボン膜スパッタ時間は7.5秒にし
た。得られたＢｒ×ｔとＨｃはそれぞれ１４３Ｇａｕｓ
ｓ×μｍ、2740Ｏｅで実施例１と同等であった。この比
較例による磁気記録媒体をオージェ電子分光分析装置に
て、媒体表面から内部へと真空中でエッチングしながら
分析した。この時の深さ方向の元素分布を図３にあらわ
した。ＣＳＳ摩耗性試験では、５ｋ回のくり返しまでし
か耐えられず不十分であった。

【００１１】（比較例３）カーボン膜内部の厚み方向窒
素濃度勾配が実施例とは逆に、磁性媒体側で高くカーボ
ン保護膜表面側で低くなるような保護膜を付与したこと
を除いては実施例と全く同様に磁気記録媒体を製作し
た。磁性膜スパッタ後窒素添加カーボン膜を、続いて純
Ａｒガスを使ってカーボン膜を製作した。得られたＢｒ
×ｔとＨｃはそれぞれ127Ｇａｕｓｓ×μｍ、1810Ｏｅ
で純カーボン膜を窒素バリヤー層として使った実施例１
より劣るもので、同時に磁気記録特性も十分ではなかっ
た。またＣＳＳ摩耗性試験では、比較例２同様５ｋ回の
くり返しまでしか耐えられず不十分であった。

【００１２】（比較例４）カーボン膜内部の厚み方向窒
素濃度勾配は実施例と全く同様で、カーボン膜全体の厚
みを9.5nmとした磁気記録媒体を製作した。カーボン膜
全体の厚みを9.5nmにするためカーボン膜スパッタ時間
は4.9秒にした。得られたＢｒ×ｔとＨｃはそれぞれ139
Ｇａｕｓｓ×μｍ、2650Ｏｅで実施例と同等の磁気記録
特性を得たが、ＣＳＳ摩耗性試験では9ｋ回のくり返しま
でしか耐えられず不十分であった。

【００１３】（比較例５）カーボン膜内部の厚み方向窒
素濃度勾配は実施例と全く同様で、カーボン膜全体の厚
みを23nmとした磁気記録媒体を製作した。カーボン膜全
体の厚みを23nmにするためカーボン膜スパッタ時間は12
秒にした。得られたＢｒ×ｔとＨｃはそれぞれ146Ｇａ
ｕｓｓ×μｍ、2770Ｏｅで実施例と同等の磁気特性を得
たが、S/N比はやや不十分であった。ＣＳＳ摩耗性試験
では30ｋ回のくり返しまで耐え、十分であった。

【００１４】（実施例５，６，７，８）磁性合金中Ｃｒ
含有量を変えたこととＰｔ含有量を７原子％にしたこと
を除いては実施例３と全く同様に磁気記録媒体を製作し
た。混合したＣｒ量は９原子％から１８原子％の範囲で
ある。いずれのディスクにおいても十分な磁気特性、実
施例と同等の磁気記録特性およびＣＳＳ摩耗性を得られ
た。

【００１５】（比較例６，７）磁性合金中Ｃｒ含有量を
変えたことを除いては実施例３、５、６、７、８と全く
同様に磁気記録媒体を製作した。混合したＣｒ量はそれ
ぞれ６原子％と２１原子％である。Ｃｒ量６原子％にお
いては十分な保磁力が得られなかった。またＣｒ量２１
原子％においては磁性膜の磁気的密度が低く十分なＢｒ
×ｔが得られなかった。

【００１６】（実施例９，１０，１１，１２）磁性合金
中Ｐｔ含有量を変えたことを除いては実施例３と全く同
様に磁気記録媒体を製作した。混合したＰｔ量は８原子
％から２０原子％の範囲である。いずれのディスクにお
いても十分な磁気特性、実施例と同等の磁気記録特性お
よびＣＳＳ摩耗性を得られた。

【００１７】（比較例８，９）磁性合金中Ｐｔ含有量を
変えたことを除いては実施例９、１０、１１、１２と全
く同様に磁気記録媒体を製作した。混合したＰｔ量はそ
れぞれ４原子％と２４原子％である。Ｐｔ量４原子％に
おいては十分な保磁力が得られなかった。またＰｔ量２
４原子％においては実施例１２と同程度の磁気特性しか
得られなかった。

【００１８】（実施例１３，１４，１５）磁性合金中Ｔ
ａ含有量を変えたことを除いては実施例３と全く同様に
磁気記録媒体を製作した。混合したＴａ量は０原子％か
ら６原子％の範囲である。いずれのディスクにおいても
十分な磁気特性、実施例と同等の磁気記録特性およびＣ
ＳＳ摩耗性を得られた。

【表１】

【００１９】（比較例１０）磁性合金中Ｔａ含有量を変
えたことを除いては実施例１３、１４、１５と全く同様
に磁気記録媒体を製作した。混合したＴａ量は９原子％
である。この例においては十分な保磁力が得られなかっ
た。

【００２０】（比較例１１）テクスチャー加工によるデ
ィスク基板表面粗さを内周部で２７オングストローム，
非内周部で２１オングストロームにしたことを除いては
実施例３と全く同様に磁気記録媒体を製作した。十分な
磁気特性、およびＣＳＳ摩耗性を得たが、ヘッド浮上高
さが０．０４５μmで実施例より劣っていた。

【００２１】

【発明の効果】磁気記録媒体の保磁力を高め、ヘッドの
低浮上を保証しＣＳＳ耐摩耗性に優れ、かつノイズを低
減しS/N比を向上させた媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による磁気記録媒体の断面図

【図２】本発明の実施例による磁気記録媒体のカーボン
膜中窒素濃度勾配をあらわす図。

【図３】比較例。磁気記録媒体のカーボン膜中、各成分
濃度勾配をあらわす図。

【符号の説明】

１パーフロロアルキルポリエーテル、２窒素添加カ
ーボン膜、３純カーボン膜、４ＣｏＣｒＰｔＴａ合
金スパッタ膜、５Ｃｒスパッタ膜、６非磁性NiPめ
っき、７アルミニウム基板、８酸素、９窒素、１
０カーボン、１１コバルト、１２クロム、１３
白金、１４タンタル、１５ニッケル、１６燐。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に磁性膜を設けた磁気記録
媒体において、磁性膜の表面に窒素を含有し炭素を主成
分とする保護層を厚み１０乃至２０ｎｍで設けたことを
特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１に記載の磁気記録媒体において
上記窒素の保護膜中含有率が、保護膜の厚み方向にたい
して濃度勾配を持っていることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項３】請求項２に記載の磁気記録媒体において
上記窒素の濃度勾配が、磁気媒体層側で低く保護膜表面
側で高いことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】請求項３に記載の磁気記録媒体において
上記保護膜がスパッタリングにて設けられることを特徴
とする磁気記録媒体。
【請求項５】請求項４に記載の磁気記録媒体において
上記磁性膜の組成がCoCrPtTaであることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項６】請求項５に記載の磁気記録媒体において
上記CoCrPtTaの合金組成比率がＣｒ７乃至１８原子％Ｐ
ｔ６乃至２０原子％Ｔａ０乃至６．５原子％Ｃｏ残部で
あることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】請求項６に記載の磁気記録媒体において
上記CoCrPtTa合金磁性膜の厚みが９乃至３３ｎｍの範囲
であり、かつ残留磁束密度と厚さの績Ｂｒ×ｔが６０乃
至１５０Ｇａｕｓｓ×μｍであることを特徴とする磁気
記録媒体。
【請求項８】請求項７に記載の磁気記録媒体において
上記CoCrPtTa合金磁性膜をスパッタリング法にて製作す
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】請求項８に記載の磁気記録媒体において
上記磁性膜の保磁力が1900乃至3300Oeの範囲であること
を特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】請求項９に記載の磁気記録媒体におい
て厚さ0、8mm以下のアルミニウム基板上にNiPめっきを7
乃至15μｍ付与した非磁性基板を使用することを特徴と
する磁気記録媒体。
【請求項１１】請求項１０に記載の磁気記録媒体にお
いて円周方向を主としたパタ−ンを持つ粗面化処理を行
い、その表面粗さが半径23mm以下の領域でRa25オングス
トローム以下、半径25mm以上でRa18オングストローム以
下であるような非磁性基板を用いることを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項１２】請求項１１に記載の磁気記録媒体にお
いて磁性膜の磁気特性を制御するために磁性層と非磁性
基板の間に下地層をスパッタリングにて作製することを
特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１３】請求項１２に記載の磁気記録媒体にお
いてＣｒを下地層として用いることを特徴とする磁気記
録媒体。
【請求項１４】請求項１３に記載の磁気記録媒体にお
いてＣｒ下地層の厚みが２乃至６５nmの範囲であること
を特徴とする磁気記録媒体。