JPH10228620A

JPH10228620A - 垂直磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10228620A
Application number: JP3052397A
Authority: JP
Inventors: Shinzo Tsuboi; 眞三坪井; Hirotaka Norihashi; 宏高法橋
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-02-14
Filing date: 1997-02-14
Publication date: 1998-08-25

Abstract

(57)【要約】【課題】記録再生時のノイズ特性及びエンベロープ特
性、並びに高記録密度での記録再生特性を向上させる。【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体１０は、１〜
１００Ｏｅの保磁力を有する第一の軟磁性膜１２と、セ
ンダスト膜からなる第二の軟磁性膜１４と、垂直磁化膜
１６とがこの順に基板１８上に形成されたものである。
基板１８と第二の軟磁性膜１４との間に、保磁力が１〜
１００Ｏｅ程度の軟磁性膜１２を挟むことにより、軟磁
性膜１４の磁区が動きづらくなるので、ノイズ特性が向
上する。また、軟磁性膜１４の上下に酸化膜２０，２２
を形成することにより、ＦｅＳｉＡｌの組成変動又は組
成分布を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープや磁気
ディスク等として用いられる垂直磁気記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータやワーク
ステーションの進歩に伴うハードディスクドライブの大
容量化及び小型化により、磁気ディスクは更なる高面密
度化が望まれている。しかし、現在広く普及している長
手記録方式で高密度化を実現しようとすると、記録ビッ
トの微細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの問題や、記録ヘ
ッドの記録能力を超えかねない高保磁力化の問題が発生
する。そこで、これらの問題を解決しつつ面記録密度を
大幅に向上できる手段として、垂直記録方式が検討され
ている。これを実現する垂直磁気記録媒体の一つとし
て、高透磁率の軟磁性膜と高い垂直異方性の垂直磁化膜
とからなる垂直２層媒体がある。

【０００３】図２１は、このような垂直磁気記録媒体の
従来例を示す概略断面図である。

【０００４】この垂直磁気記録媒体５０は、軟磁性膜
（裏打ち層）５２及び垂直磁化膜５４がこの順に基板５
６上に形成されたものである。例えば、軟磁性膜５２と
してはＮｉＦｅ膜、垂直磁化膜５４としてはＣｏＣｒ系
合金膜が用いられる（日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．
８，Ｎｏ１，１９８４，ｐ１７）。

【０００５】しかし、ＮｉＦｅからなる軟磁性膜５２と
ＣｏＣｒからなる垂直磁化膜５４とを形成したときに、
垂直磁化膜５４の結晶配向度の低下が発生する。そこ
で、これを防ぐために、軟磁性膜５２としてセンダスト
膜（ＦｅＳｉＡｌ合金）を用いたものが報告されている
（特開昭５７−３６４３５号公報）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなセンダスト膜を用いた場合は、新たに以下の問題が
生ずる。

【０００７】第１の問題は、記録再生の際のノイズ特性
が悪い点である。その理由は、センダスト軟磁性膜の磁
区ができやすく、かつ、その磁区が動きやすいためであ
る。

【０００８】第２の問題は、記録再生の際のエンベロー
プ特性が悪い点である。その理由は、センダスト膜の組
成変動又は組成分布が大きいため、円周方向での磁気特
性のバラツキが非常に大きくなるためである。

【０００９】第３の問題は、高記録密度での記録再生特
性が悪い点である。その理由は、センダスト膜の軟磁気
特性は十分とはいえない上に、センダスト膜上に成膜し
た垂直磁化膜は配向性が悪いためである。

【００１０】

【発明の目的】本発明の目的は、記録再生時のノイズ特
性及びエンベロープ特性、並びに高記録密度での記録再
生特性を向上させた、垂直磁気記録媒体を提供すること
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の垂直磁気
記録媒体は、１〜１００Ｏｅの保磁力を有する第一の軟
磁性膜と、センダスト膜（ＦｅＳｉＡｌ膜）からなる第
二の軟磁性膜と、垂直磁化膜とがこの順に基板上に形成
されたものである。この第一の軟磁性膜により、第二の
軟磁性膜の磁区が動きにくくなる。

【００１２】請求項２記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項１記載の垂直磁気記録媒体において、前記基板がＡｌ
（アルミニウム）合金基板であり、前記第一の軟磁性膜
が前記Ａｌ合金基板上に形成されたＮｉＰ（ニッケル・
リン）膜であるものである。以下、これを「ＮｉＰ／Ａ
ｌ合金基板」と示す。このＮｉＰ／Ａｌ合金基板を加熱
処理し帯磁させることにより、ＮｉＰ膜に１〜１００Ｏ
ｅの保磁力を付与できる。

【００１３】請求項３記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項１又は２記載の垂直磁気記録媒体において、前記第一
の軟磁性膜と前記第二の軟磁性膜との間にＣｒ（クロ
ム）膜が介挿されたものである。このＣｒ膜により、第
一の軟磁性膜と第二の軟磁性膜との付着力が増す。

【００１４】請求項４記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項１，２又は３記載の垂直磁気記録媒体において、前記
第二の軟磁性膜の上下にそれぞれ酸化膜が介挿されたも
のである。この酸化膜により、第二の軟磁性膜の組成変
動又は組成分布が抑制される。

【００１５】請求項５記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項１，２，３又は４記載の垂直磁気記録媒体において、
前記垂直磁化膜の直下にＣｏ_1-xＣｒ_x膜（０．２５≦
ｘ≦０．６０）からなる垂直下地膜が介挿されたもので
ある。この垂直下地膜により、垂直磁化膜の垂直配向性
が向上する。

【００１６】請求項６記載の垂直磁気記録媒体は、請求
項１，２，３又は４記載の垂直磁気記録媒体において、
前記垂直磁化膜の直下に８５ａｔ％以上のＣｏＣｒを含
む垂直下地膜が介挿されたものである。この垂直下地膜
により、垂直磁化膜の垂直配向性が向上する。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る垂直磁気記
録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。

【００１８】本実施形態に係る垂直磁気記録媒体１０
は、１〜１００Ｏｅの保磁力を有する第一の軟磁性膜１
２と、センダスト膜からなる第二の軟磁性膜１４と、垂
直磁化膜１６とがこの順に基板１８上に形成されたもの
である。基板１８と第二の軟磁性膜１４との間に、保磁
力が１〜１００Ｏｅ程度の軟磁性膜１２を挟むことによ
り、軟磁性膜１４の磁区が動きづらくなるので、ノイズ
特性が向上する。

【００１９】また、軟磁性膜１４の上下に酸化膜２０，
２２を形成することにより、ＦｅＳｉＡｌの組成変動又
は組成分布を抑制することができる。

【００２０】更に、垂直磁化膜１６の直下に、高Ｃｒ濃
度のＣｏ_1-xＣｒ_x膜（０．２５≦ｘ≦０．６０）から
なる垂直下地膜２４を形成することにより、垂直磁化膜
１６の垂直配向性を著しく向上させることができる。

【００２１】以下に、本発明の実施例を示す。以下、垂
直磁気記録媒体を単に「媒体」、本発明に係る垂直磁気
記録媒体を「本発明媒体」、従来の垂直磁気記録媒体を
「従来媒体」と呼ぶことにする。

【００２２】

【実施例１】２．５インチのガラス基板上に保磁力２０
ＯｅのＮｉＰ軟磁性膜をメッキ法により５μｍ作製し
た。次に、スパッタ法により、６インチφのＦｅ₈₃Ｓｉ
_11.6Ａｌ_5.4（ａｔ％）ターゲットを用いて、センダス
ト膜を０．１〜５．０μｍ成膜した。成膜条件は、初期
真空度５×１０^-7ｍＴｏｒｒにおいて、投入電力０．５
ｋＷ、アルゴンガス圧４ｍＴｏｒｒ、成膜速度３ｎｍ／
ｓｅｃとした。続いて、この媒体を４００℃で１時間ア
ニールした。

【００２３】アニール後のセンダスト膜の保磁力のセン
ダスト膜厚依存性を図２に示す。比較のために、２．５
インチのガラス基板上にセンダスト膜を直接形成し、ア
ニールした従来媒体についても合わせて示す。これよ
り、センダスト膜の下層にあるＮｉＰ軟磁性膜の影響に
より、本発明媒体は従来媒体よりも軟磁気特性が優れて
いることがわかる。

【００２４】また、保磁力２０ＯｅのＮｉＰとセンダス
ト膜厚５μｍとを成膜した上に、Ｃｏ₈₀Ｃｒ₁₇Ｔａ
₃（ａｔ％）垂直磁化膜をスパッタ法により１００ｎｍ
成膜した。成膜条件は、初期真空度５×１０^-7ｍＴｏｒ
ｒにおいて、投入電力０．５ｋＷ、アルゴンガス圧４ｍ
Ｔｏｒｒ、成膜速度３ｎｍ／ｓｅｃとした。このように
して作製した本発明媒体を媒体Ａとする。比較のため
に、基板上にセンダスト膜を直接成膜し、媒体Ａと同様
にして垂直磁化膜を作製した従来媒体を媒体Ｂとする。

【００２５】媒体Ａ及び媒体ＢをＩＤ／ＭＲ複合ヘッド
で記録再生の実験を行った。ここで、記録トラック幅は
４μｍ、再生トラック幅は３μｍ、記録ギャップ長は
０．４μｍ、再生ギャップ長は０．３２μｍである。評
価は、記録電流１０ｍＡｏｐ、センス電流１２ｍＡ、周
速度１２．７ｍ／ｓ、浮上量４５ｎｍ、ノイズのバンド
帯域４５ＭＨｚの条件下で行った。

【００２６】図３に媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。従来媒体Ｂに比べて、本発明媒体Ａの媒体ノイズが
小さく、ノイズ特性が非常に優れていることがわかる。
つまり、保磁力２０ＯｅのＮｉＰ軟磁性層の存在によ
り、センダスト膜の磁区の不安定性が抑制され、低ノイ
ズ化された。

【００２７】図４に再生出力信号の記録密度依存性を示
す。本発明媒体Ａと従来媒体Ｂは同等の特性を示す。

【００２８】図５に媒体Ｓ／Ｎの記録密度依存性を示
す。これより、本発明媒体は、従来媒体に比較して全記
録密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜３ｄＢ良好であり、高
密度対応の磁気ディスク媒体として優れていることがわ
かる。したがって、本発明媒体を用いることにより、高
記録密度の実現が容易となる。

【００２９】なお、図２に示したセンダスト膜厚０．１
〜３μｍの媒体についても、上記のセンダスト膜厚５μ
ｍの場合と同様の結果が得られた。つまり、本発明媒体
によれば、従来媒体に比べての媒体ノイズが小さく、媒
体Ｓ／Ｎが優れているので、高密度記録の実現が容易と
なった。

【００３０】

【実施例２】２．５インチのガラス基板上に、保磁力１
００ＯｅのＮｉＰ軟磁性膜をメッキ法により２μｍ作製
した。続いて、実施例１と同様にして、センダスト膜２
μｍを成膜及びアニールした後、Ｃｏ₈₀Ｃｒ₂₀（ａｔ
％）垂直磁化膜を５０ｎｍ成膜した。なお、ＮｉＰ膜の
膜厚、センダスト膜の膜厚、垂直磁化膜の組成及び膜厚
以外は、全て実施例１と同じである。このようにして得
られた本発明媒体Ｃ及び従来媒体Ｄのセンダスト膜の保
磁力を測定すると、どちらも２Ｏｅであった。本発明媒
体Ｃ及び従来媒体Ｄを実施例１と同様にして、記録再生
の評価を行った。

【００３１】図６に媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。本発明媒体Ｃは、従来媒体Ｄに比べて、媒体ノイズ
が小さく、ノイズ特性が非常に優れていることがわか
る。つまり、保磁力１００ＯｅのＮｉＰ軟磁性層の存在
により、センダスト膜の磁区の不安定性が抑制され、低
ノイズ化されたことがわかる。

【００３２】なお、両媒体の出力の記録密度依存性は、
実施例１と同様に全く差がなかった。このことから、保
磁力１００ＯｅのＮｉＰ軟磁性膜を有する本発明媒体
は、再生出力を維持したままで媒体ノイズを抑制できる
働きを持ち、高密度対応の磁気ディスクとして非常に優
れていることがわかった。

【００３３】

【実施例３】３．５インチのＮｉＰ／Ａｌ合金基板を３
５０℃でアニールして帯磁させたところ、保磁力は４０
Ｏｅとなった。この基板上に、実施例２と全く同様にし
てセンダスト膜及び垂直磁化膜を成膜した。このように
して得られた本発明媒体を媒体Ｅとする。比較例とし
て、３．５インチのＮｉＰ／Ａｌ合金基板上に、媒体Ｅ
を作製したのと同じ条件で、センダスト膜、垂直磁化膜
を順次成膜した。このようにして得られた従来媒体を媒
体Ｆとする。

【００３４】媒体Ｅ及び媒体Ｆを実施例１と同様にし
て、記録再生特性を評価した。図７に媒体ノイズの記録
密度依存性を示す。記録密度１００ｋＦＲＰＩ以上で従
来の媒体Ｆの媒体ノイズが急激に大きくなる。これに対
し、本発明の媒体Ｅの媒体ノイズは、媒体Ｆに比べて低
減されていることがわかる。

【００３５】本実施例ではＮｉＰ／Ａｌ合金基板を３５
０℃でアニールして保磁力４０Ｏｅの軟磁性膜として利
用したが、２５０〜５００℃の間でアニール温度を変化
させても同様の結果が得られた。

【００３６】

【実施例４】２．５インチのガラス基板上に、保磁力５
ＯｅのＦｅ軟磁性膜をスパッタ法により１μｍ作製し
た。このＦｅ軟磁性膜上に、Ｃｒ膜を０．１μｍ成膜し
た後、センダスト膜０．５μｍを実施例１と同様に作製
した。このようにして作製した本発明媒体を媒体Ｇとし
た。比較用としてＣｒ膜を付けずに、ガラス基板上に直
接センダスト膜０．・５μｍを成膜した後、同様にして
従来媒体Ｈを作製した。

【００３７】本発明媒体Ｇ及び従来媒体Ｈの付着力を測
定した。その結果、媒体Ｇの付着力は１１０ＭＰａであ
り、媒体Ｈの付着力は４０ＭＰａであった。つまり、Ｃ
ｒ密着層により、付着力が極めて向上していることがわ
かる。したがって、本発明媒体のセンダスト膜と軟磁性
膜（この場合、Ｆｅ膜）との間に、Ｃｒ密着層を設ける
構造により、垂直磁気記録媒体の機械的耐久性が大きく
向上した。

【００３８】また、これらの媒体を実施例１と同様にし
て、記録再生特性を測定した結果を図８に示す。本発明
媒体Ｇの媒体ノイズは、全記録密度において、従来媒体
Ｈに比べて小さくなっていることがわかる。したがっ
て、本発明媒体は機械的耐久性が上がるとともに優れた
記録再生特性を示した。

【００３９】

【実施例５】３．５インチのＮｉＰ／Ａｌ合金基板上
に、保磁力７０ＯｅのＦｅＣｏ軟磁性膜をスパッタ法に
より１μｍ作製した。このＮｉ軟磁性膜上に、Ｃｒ膜を
０．２μｍ成膜した後、センダスト膜１μｍを実施例１
と同様に作製した。このようにして作製した本発明媒体
を媒体Ｉとした。また、比較用として、Ｃｒ膜をつけず
に、ＮｉＰ／Ａｌ合金基板上に直接センダスト膜１μｍ
を成膜した後、同様にして従来媒体Ｊを作製した。

【００４０】本発明媒体Ｉ及び従来媒体Ｊの付着力を測
定した。その結果、媒体Ｉの付着力は１０５ＭＰａであ
り、媒体Ｊの付着力は２５ＭＰａであった。つまり、Ｃ
ｒ密着層により、付着力が大きく向上していることがわ
かる。したがって、本発明のセンダスト膜と軟磁性膜
（この場合、ＦｅＣｏ膜）の間に、Ｃｒ密着層をもうけ
る構造により、媒体の機械的耐久性が大きく向上するこ
とが明らかになった。

【００４１】また、これらの媒体を実施例１と同様にし
て、記録再生特性を測定した結果を図９に示す。本発明
媒体Ｉの媒体ノイズは、全記録密度において、従来媒体
Ｊに比べて小さくなっていることがわかる。したがっ
て、本発明媒体は、機械的耐久性が上がるとともに優れ
た記録再生特性を示す。

【００４２】本実施例では１μｍのＦｅＣｏ軟磁性膜を
用いた結果を示したが、Ｃｒ密着層を用いれば、ＮｉＰ
軟磁性膜等やアニールしたＮｉＰ基板でも同様に、密着
力が向上するとともに記録再生特性が向上する。

【００４３】

【実施例６】３．５インチのＮｉＰ／Ａｌ合金基板上
に、保磁力１ＯｅのＦｅＳｉ軟磁性膜をスパッタ法によ
り０．５μｍ作製した。このＦｅＳｉ軟磁性膜上に、Ｃ
ｒ膜を０．１μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃膜を０．２μｍ、センダ
スト膜を０．５μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃膜を０．２μｍを順次
成膜して作製した本発明媒体を媒体Ｋとした。比較用と
して、同じ条件で基板上に直接センダスト膜を０．５μ
ｍ成膜した従来媒体を媒体Ｌとした。なお、媒体Ｋ及び
媒体Ｌはセンダスト膜の軟磁気特性を出すために、４０
０℃で１時間アニールした。さらに、同様にして３００
℃、１時間アニールして本発明媒体Ｍ及び従来媒体Ｎを
作製した。

【００４４】得られた媒体のセンダスト膜の組成分析を
行った結果を図１０及び図１１に示す。本発明媒体の媒
体Ｋ及び媒体Ｍはターゲット組成からのずれが小さいの
に対し、従来媒体の媒体Ｌ及び媒体Ｎはターゲット組成
からのずれが非常に大きい。これは、酸化膜（この場合
Ａｌ₂Ｏ₃膜）がないと、アニール中に原子の移動が活
発になり、基板側へ又は基板側から移動することによ
り、組成が変わっていくためと考えられる。本発明媒体
では、センダスト膜の上下に安定な酸化膜があるので、
組成変動がほとんど起こらない。したがって、センダス
ト膜の上下に酸化膜を成膜した後、垂直磁化膜を積層し
た本発明媒体は安定した記録再生特性を示す。

【００４５】

【実施例７】３．５インチのガラス基板上に、保磁力１
０ＯｅのＦｅＣｏ軟磁性膜をスパッタ法により２μｍ作
製した。このＦｅＣｏ軟磁性膜上に、Ｃｒ膜を０．２μ
ｍ、ＳｉＯ₂膜を０．１μｍ、センダスト膜を１μｍ、
ＳｉＯ₂膜を０．１μｍを順次成膜して作製した本発明
媒体を媒体Ｏとした。比較用として、同じ条件で基板上
に直接センダスト膜を１μｍ成膜した従来媒体を媒体Ｐ
とした。なお、媒体Ｏ及び媒体Ｐはセンダスト膜の軟磁
気特性を出すために、４００℃で１時間アニールした。

【００４６】得られた媒体のセンダスト膜の組成分析の
分布を測定した。図１２は本発明媒体Ｏの円周方向、図
１３は従来媒体Ｐの円周方向、図１４は本発明媒体Ｏの
半径方向、図１５は従来媒体Ｐの半径方向における組成
分布を示す。円周方向は９０度おきに４点、半径方向に
４点測定した結果である。本発明媒体の媒体Ｏは組成分
布が小さいのに対し、従来媒体Ｐは組成分布が非常に大
きい。これは酸化膜（この場合ＳｉＯ₂膜）がないと、
アニール中に原子の移動が活発になり、基板側に又は基
板側から原子が移動するためと考えられる。（センダス
ト膜上に垂直磁化膜がある場合は垂直磁化膜の方向にも
移動する。）また、その移動もランダムであるため部分
的な組成変動が大きい。これに対して、センダスト膜の
上下に安定な酸化膜がある本発明媒体では組成変動がほ
とんど起こらない。したがって、センダスト膜の上下に
酸化膜を成膜した後、垂直磁化膜を積層した本発明媒体
は安定した記録再生特性を示す。

【００４７】本実施例ではＣｒ密着層がある場合の結果
を示したが、Ｃｒ密着層がなくても同様の効果が得られ
る。

【００４８】

【実施例８】２．５インチのガラス基板上に、保磁力１
５ＯｅのＦｅＣｏ軟磁性膜をスパッタ法により０．５μ
ｍ作製した。このＦｅＣｏ軟磁性膜上に、Ａｌ₂Ｏ₃膜
を０．２μｍ、センダスト膜を０．５μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃
膜を０．２μｍを順次成膜して作製した本発明媒体を媒
体Ｑとした。比較用として、同じ条件で基板上に直接セ
ンダスト膜を０．５μｍ成膜した従来媒体を媒体Ｒとし
た。なお、媒体Ｑ及び媒体Ｒは４５０℃で１５時間アニ
ールした後、実施例１と同様にして垂直磁化膜を１００
ｎｍ成膜した。

【００４９】これらの媒体を実施例１と同様にして、記
録再生特性の評価を行った。図１６に、媒体Ｑ及び媒体
Ｒのエンベロープ特性を示す。従来媒体Ｒのエンベロー
プ特性が悪いのに対し、本発明媒体Ｑはエンベロープ特
性が非常によいことがわかる。従来媒体Ｒはセンダスト
膜の組成変動及び組成分布が大きいため、エンベロープ
特性が悪いのに対し、本発明媒体Ｑは酸化膜（この場合
はＡｌ₂Ｏ₃膜）の存在により、センダスト膜の組成変
動及び組成分布が抑制されるため、エンベロープ特性が
大きく向上した。

【００５０】

【実施例９】２．５インチのガラス基板上に、保磁力３
ＯｅのＦｅＣｏ軟磁性膜をスパッタ法により０．５μｍ
作製した。このＦｅＣｏ軟磁性膜上に、Ａｌ₂Ｏ₃膜を
１μｍ、センダスト膜を０．１μｍ、Ａｌ₂Ｏ₃膜を１
μｍを順次成膜して作製した本発明媒体を媒体Ｓとし
た。比較用として、同じ条件で基板上に直接センダスト
膜を１μｍ成膜した従来媒体を媒体Ｔとした。なお、媒
体Ｓ及び媒体Ｔは軟磁気特性を向上させるために、３５
０℃で１時間アニールした。同様にして、４５０℃１時
間のアニールをすることにより、本発明媒体Ｕ及び従来
媒体Ｖを作製した。

【００５１】これらの媒体の円周方向の磁気特性の変化
をディスク半径２５ｍｍ位置で、円周方向に１度ずつ変
化させながら測定した。図１７に、本発明媒体Ｓ及び従
来媒体Ｔについて円周方向の保磁力の変化を示す。図１
８に、本発明媒体Ｕ及び従来媒体Ｖについて円周方向の
保磁力の変化を示す。

【００５２】従来媒体Ｔ及び媒体Ｖは組成変動及び組成
分布が大きいため、円周方向の保磁力の変化が非常に激
しいのに対し、本発明媒体Ｓ及び媒体Ｕは組成変動及び
組成分布が抑制されるために、円周方向の保磁力の変化
が非常に小さくなっている。つまり、磁気特性のばらつ
きの少ないセンダスト膜を用いて本発明媒体を作製する
ことにより、再生出力や媒体ノイズなどの特性ばらつき
を低減することができる。

【００５３】

【実施例１０】３．５インチのＮｉＰ／Ａｌ合金基板を
ランプ加熱することにより、ＮｉＰを保磁力３５Ｏｅに
帯磁させた。この基板上にＳｉＯ₂膜２μｍ、センダス
ト膜０．５μｍ、ＳｉＯ₂膜２μｍ、Ｃｏ₆₅Ｃｒ₃₅（ａ
ｔ％）５０ｎｍ、Ｃｏ₇₆Ｃｒ₁₉Ｔａ₅（ａｔ％）１００
ｎｍを順次成膜した。このようにして作製した本発明媒
体を媒体Ｗとした。比較のために、３．５インチのＮｉ
Ｐ／Ａｌ合金基板上にセンダスト膜を０．５μｍ、Ｃｏ
₇₆Ｃｒ₁₉Ｔａ₅（ａｔ％）１００ｎｍを順次成膜した。
このようにして作製した従来媒体を媒体Ｘとした。

【００５４】これらの媒体の結晶配向性を調べるため
に、Ｘ線回折を用いて、ｈｃｐ（００２）ピークのロッ
キングカーブの半値幅（△θ₅₀）を求めた。その結果、
従来媒体Ｘは７度であるのに対し、本発明媒体は２度で
あり、結晶配向性が優れていることがわかった。

【００５５】従来媒体では、センダスト膜に接している
Ｃｏ₇₆Ｃｒ₁₉Ｔａ₅膜が完全な垂直磁化膜でなく、膜形
成の初期段階における１０ｎｍから２０ｎｍ程度の初期
層が存在する。一方、本発明媒体では、Ｃｏ₆₅Ｃｒ₃₅膜
の結晶構造とＣｏ₇₆Ｃｒ₁₉Ｔａ₅膜の結晶構造が非常に
近いために、垂直磁化膜が膜形成の初期段階から垂直異
方性の強い結晶配向性に優れた構造が形成される。

【００５６】これらの媒体を実施例１と同様にして記録
再生特性の評価を行った。図１９にこれらの媒体の媒体
Ｓ／Ｎの記録密度依存性を示す。本発明媒体Ｗは、全記
録密度において、従来媒体Ｘに比べて媒体Ｓ／Ｎが優れ
ている。この傾向は記録密度が高くなるとより強くな
る。

【００５７】４００ＫＦＲＰＩという高い記録密度にお
いても、従来媒体Ｘに比べて本発明媒体Ｗは約８ｄＢ特
性がよい。したがって、本発明媒体を用いることによ
り、高密度記録を実現することが容易となることがわか
った。

【００５８】

【実施例１１】３．５インチのガラス基板上に、８０Ｏ
ｅのＮｉＰ軟磁性膜をスパッタ法により５μｍ作製し
た。このＮｉＰ軟磁性膜上に、Ｃｒ膜０．１μｍ、Ａｌ
₂Ｏ₃膜０．２μｍ、センダスト膜０．５μｍ、Ａｌ₂
Ｏ₃膜０．２μｍ、Ｃｏ_1-xＣｒ_x５０ｎｍ、Ｃｏ₈₂Ｃ
ｒ₁₅Ｔａ₃（ａｔ％）１００ｎｍを順次成膜した。ここ
で、Ｘを０．２、０．２５、０．４、０．５、０．６、
０．７と変化させた。このようにして作製した本発明媒
体を媒体Ｙ１〜Ｙ６とした。比較のために、３．５イン
チのガラス基板上にセンダスト膜を０．５μｍ、Ｃｏ₈₂
Ｃｒ₁₅Ｔａ₃（ａｔ％）１００ｎｍを順次成膜した。こ
のようにして作製した従来媒体を媒体Ｚとした。

【００５９】これらの媒体の結晶配向性を調べるため
に、実施例１０と同様にしてｈｃｐ（００２）ピークの
ロッキングカーブの半値幅（△θ₅₀）を求めた。その結
果を図２０に示す。図２０には、これらの媒体を実施例
１と同様にして記録再生特性の評価を行い、得られた記
録密度２５０ｋＦＲＰＩでの媒体Ｓ／Ｎの結果も合わせ
て示した。

【００６０】従来媒体Ｚは△θ₅₀が８度であるのに対
し、Ｃｒ含量の少ない本発明媒体Ｙ１（ｘ＝０．２）で
は８度あり、改善効果が見られない。本発明媒体Ｙ２
（ｘ＝０．２５）から媒体Ｙ５（ｘ＝０．６）では、従
来媒体よりも小さな２から５度となり、配向性が向上し
ていることがわかった。しかし、Ｃｒ含量の多い本発明
媒体Ｙ６（ｘ＝０．７）では、通常のＣｒ下地面内記録
媒体と同じようにＣｏＣｒＴａ膜が面内にねやすくなる
ため、配向度が急激に悪くなる。これらの結晶配向性が
反映された結果、記録密度２５０ｋＦＰＩの媒体Ｓ／Ｎ
についても本発明媒体Ｙ２（ｘ＝０．２５）から媒体Ｙ
５（ｘ＝０．６）の方が従来媒体よりも３から５ｄＢ改
善することがわかった。したがって、本発明媒体を用い
ることにより、高密度記録を実現することが容易となる
ことがわかった。

【００６１】

【発明の効果】請求項１乃至６記載の垂直磁気記録媒体
によれば、１〜１００Ｏｅの保磁力を有する第一の軟磁
性膜と、センダスト膜からなる第二の軟磁性膜と、垂直
磁化膜とがこの順に基板上に形成されたものとしたの
で、第二の軟磁性膜の磁区の不安定性を第一の軟磁性膜
によって改善できる。したがって、高記録密度における
ノイズ特性を向上できる。

【００６２】請求項２記載の垂直磁気記録媒体によれ
ば、基板がＡｌ合金基板であり、第一の軟磁性膜がＡｌ
合金基板上に形成されたＮｉＰ膜であることにより、加
熱処理し帯磁させる方法で、ＮｉＰ膜に１〜１００Ｏｅ
の保磁力を簡単に付与できる。

【００６３】請求項３記載の垂直磁気記録媒体によれ
ば、第一の軟磁性膜と第二の軟磁性膜との間にＣｒ膜が
介挿されたものとしたので、第一の軟磁性膜と第二の軟
磁性膜との付着力をＣｒ膜によって増大できる。したが
って、機械的耐久性を向上できる。

【００６４】請求項４記載の垂直磁気記録媒体によれ
ば、第二の軟磁性膜の上下にそれぞれ酸化膜が介挿され
たものとしたので、第二の軟磁性膜の組成変動又は組成
分布を酸化膜により抑制できる。したがって、高記録密
度におけるノイズ特性をより向上できるとともに、エン
ベロープ特性を向上できる。

【００６５】請求項５又は６記載の垂直磁気記録媒体に
よれば、垂直磁化膜の直下にＣｏＣｒを含む垂直下地膜
が介挿されていることにより、垂直磁化膜の垂直配向性
が向上するので、高記録密度におけるノイズ特性をより
向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の一実施形態を
示す概略断面図である。

【図２】本発明の実施例１における、センダスト膜の保
磁力のセンダスト膜厚依存性を示す図表である。

【図３】本発明の実施例１における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。

【図４】本発明の実施例１における、再生出力信号の記
録密度依存性を示すグラフである。

【図５】本発明の実施例１における、媒体Ｓ／Ｎの記録
密度依存性を示すグラフである。

【図６】本発明の実施例２における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。

【図７】本発明の実施例３における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。

【図８】本発明の実施例４における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。

【図９】本発明の実施例５における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。

【図１０】本発明の実施例６における、センダスト膜の
組成分布を示す図表である。

【図１１】本発明の実施例６における、センダスト膜の
組成分布を示す図表である。

【図１２】本発明の実施例７における、センダスト膜の
円周方向の組成分布を示す図表である。

【図１３】本発明の実施例７における、センダスト膜の
円周方向の組成分布を示す図表である。

【図１４】本発明の実施例７における、センダスト膜の
半径方向の組成分布を示す図表である。

【図１５】本発明の実施例７における、センダスト膜の
半径方向の組成分布を示す図表である。

【図１６】本発明の実施例８における、エンベロープ特
性を示すグラフである。

【図１７】本発明の実施例９における、保磁力の円周方
向での変化を示すグラフである。

【図１８】本発明の実施例９における、保磁力の円周方
向での変化を示すグラフである。

【図１９】本発明の実施例１０における、媒体Ｓ／Ｎの
記録密度依存性を示すグラフである。

【図２０】本発明の実施例１１における、結晶配向性を
示す図表である。

【図２１】従来の垂直磁気記録媒体を示す概略断面図で
ある。

【符号の説明】

１０垂直磁気記録媒体１２第一の軟磁性膜１４第二の軟磁性膜１６垂直磁化膜１８基板２０，２２酸化膜２４垂直下地膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１〜１００Ｏｅの保磁力を有する第一の
軟磁性膜と、センダスト膜からなる第二の軟磁性膜と、
垂直磁化膜とがこの順に基板上に形成された、垂直磁気
記録媒体。
【請求項２】前記基板がＡｌ合金基板であり、前記第
一の軟磁性膜が前記Ａｌ合金基板上に形成されたＮｉＰ
膜である、請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】前記第一の軟磁性膜と前記第二の軟磁性
膜との間にＣｒ膜が介挿された、請求項１又は２記載の
垂直磁気記録媒体。
【請求項４】前記第二の軟磁性膜の上下にそれぞれ酸
化膜が介挿された、請求項１，２又は３記載の垂直磁気
記録媒体。
【請求項５】前記垂直磁化膜の直下にＣｏ_1-xＣｒ_x
膜（０．２５≦ｘ≦０．６０）からなる垂直下地膜が介
挿された、請求項１，２，３又は４記載の垂直磁気記録
媒体。
【請求項６】前記垂直磁化膜の直下に８５ａｔ％以上
のＣｏＣｒを含む垂直下地膜が介挿された、請求項５記
載の垂直磁気記録媒体。