JP3803180B2 - 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気ディスク装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体に関し、さらに詳しく述べると、磁性記録膜の膜厚を薄くすることによって、より高密度の記録を可能とすることができ、また、磁性記録膜を薄膜化したにもかかわらず、熱的に安定でありかつ十分に高い保磁力を奏することができる、特に面内磁化記録方式に基づく磁気記録媒体に関する。本発明はまた、このような磁気記録媒体の製造方法、そしてそれを使用した、情報の記録及び再生を行うための磁気ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
情報処理技術の発達に伴い、コンピュータの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対して高密度化の要求が高まっている。具体的には、かかる磁気ディスク装置の再生ヘッド部において、従来の巻線型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、MR(magnetoresistive)ヘッドを使用することが提案されている。MRヘッドは、磁性体の電気抵抗が外部磁界により変化する磁気抵抗効果を記録媒体上の信号の再生に応用したもので、従来のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに較べて数倍も大きな再生出力幅が得られること、イングクタンスが小さいこと、大きなS/N比が期待できること、などを特徴としている。また、このMRヘッドとともに、異方性磁気抵抗効果を利用したAMR(anisotropic magnetoresistive)ヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したGMR(giant magnetoresistive)ヘッド、そしてその実用タイプであるスピンバルブGMRヘッドの使用も提案されている。
【0003】
さらに、高密度記録の要求を満たすために、磁気ディスク装置において用いられるべき磁気記録媒体においても、上記したMRヘッド、AMRヘッドあるいはGMRヘッド(スピンバルブヘッドを含む)に対応可能な特性の向上が求められている。磁気記録媒体では、特に、tBr(磁気記録膜の膜厚tと残留磁化密度Brの積)が低く、低ノイズであり、そして保磁力Hcが高いことが求められている。このような要求を満足させるため、例えば特開平1−256017号公報では、非磁性基板上にクロム層(膜厚100nm)を形成して下地膜となし、このクロム層の上にCoCrTa系の低ノイズ、CoCrPt系の高保磁力を兼ね具えたCoCrTaPt系の四元合金よりなる磁性層(膜厚60nm)を形成したことを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。また、米国特許第5,004,652号明細書(特開平4−228105号公報)では、非磁性基板上にクロム層(膜厚=約30〜300nm)及びCoCrPtTaの四元系合金よりなる磁性層(膜厚=約20〜100nm)を順次スパッタにより形成したことを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。さらに、特開平5−72016号公報では、基板上に磁性金属薄膜をスパッタリングによって成膜する磁気記録媒体の製造法が開示されている。
【0004】
また、特開平6−76279号公報には、NiP表面被覆を有するアルミニウム合金を含む基板と、NiP被覆上に形成されたNiOの被膜と、NiO被膜上に形成された下層と、下層を覆って形成されたコバルトを主体とする合金を含む磁性層とを備える、薄膜金属合金磁気記録ディスクが開示されている。この磁気記録ディスクでは、NiP被覆を酸化してNiO被膜を形成したので、NiP被覆の平滑性をそのまま保存し、ディスク表面を平滑にできる、NiP被覆の表面を研磨する工程において最後に残ってしまう掻き傷をなくすことができる、NiO被膜の上に後でスパッタ付着される磁性層が高い飽和保磁力を有することができ、そのためディスクを接触記録式ディスクファイルで使用できる、というような効果がある。
【0005】
上記した公開された特許公報及びその他の特許公報では、特に磁性記録膜の組成の改良を通じて磁気記録媒体の記録密度及び保磁力を同時に高めることがなされているけれども、今本発明において同時に達成しようとしている熱安定性の向上という課題については、未だ解決されるに至っていない。すなわち、磁気記録媒体の磁性記録膜を薄膜化することによって、分解能が向上し、より高密度の記録が可能となるが、その薄膜化が限界を越えると、今まで向上していた保磁力が反対に低下し、また、熱的に不安定になり、磁気記録媒体として使用することができなくなってしまう。特に磁気記録媒体における熱不安定性の問題は、室温においても発生する問題であるので、完全に解消することが望まれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第1の目的は、上記したような従来の技術の問題点を解決して、磁性記録膜を薄膜化したにもかかわらず、高い再生出力に結びつく高い保磁力を維持することができ、しかも熱的に安定な、高密度記録に適した磁気記録媒体を提供することにある。
【0007】
本発明の第2の目的は、そのような優れた磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、本発明による磁気記録媒体を使用した磁気ディスク装置を提供することにある。
本発明のその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、その1つの面において、非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料からなりかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次設けてなることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【0009】
本発明は、そのもう1つの面において、非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料からなりかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次スパッタ法により成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【0010】
また、本発明は、そのもう1つの面において、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体が本発明による磁気記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク装置を提供する。
【0011】
本発明による磁気記録媒体についての詳細な説明は次の項に譲るとして、ここで、本発明の媒体で得られる優れた特性が本発明に特徴的な第1及び第2の下地膜の層構成に依存するということを、図1の結晶格子のモデル図を参照して説明する。
参照する磁気記録媒体は、NiPメッキのアルミニウムディスク上にCrを主成分とする非磁性下地膜(第1の下地膜)を形成し、また、この第1の下地膜と、Coを主成分とする合金からなる磁性記録膜との間に、ネール温度が252℃の反強磁性材料、NiOからなる下地膜(第2の下地膜)を介在させたものであり、また、図1は、ここで第1及び第2の下地膜として用いられているCr及びNiOの結晶格子のモデル図である。NiOはその(100)面の格子の一辺(間隔a=0.419nm)がCrの(100)面の格子(間隔a=0.288nm)の対角線の長さ=0.407nmとほぼ一致するため、Crを第1の下地膜及びNiOを第2の下地膜とするような層構成を採用した場合、Cr(100)上にNiOがエピタキシャル成長可能である。そのため、従来Crを主成分とする下地膜により行われていたのと同様に、第2の下地膜としてNiOを導入しても、その上にさらに成膜されるCo合金磁性記録膜のc軸が面内になるように、結晶配向性を制御することが可能である。さらに、反強磁性材料であるNiOからなる下地膜と強磁性体である磁性記録膜との交換相互作用に由来して、磁性膜の磁化が安定になり、熱エネルギーによる磁気緩和(これが大きいと、長時間の安定性がなくなる)を制御することも可能である。
【0012】
ところで、先に従来の技術として参照した特開平6−76279号公報にも、NiO層とCr層を組み合わせて使用する例が開示されているけれども、記載のような層構成では、上記したような本発明の作用効果を期待することができない。特に、この公報に記載の磁気記録ディスクでは、NiP層の平滑性をそのまま保存してディスク表面を平滑化すること、NiP表面を研磨する工程において残ってしまう掻き傷をなくすことができる、などの効果を得るために、アルミニウム合金を含む基板上のNiP層の直ぐ上にNiO層があることが前提であり、また、これに対処するため、NiPの表面酸化によりNiO層を形成している(しなければならない)のである。また、この公報に記載のディスクでは、磁性層の直ぐ下に反強磁性層(NiO層)が存在することができないので、Co合金磁性層と反強磁性層(NiO層)との間の交換相互作用に由来するところの、磁性層の熱による磁気緩和の制御を達成することができない。すなわち、交換相互作用が働くためには、上記した2層が、接触した状態あるいはそれに準ずる状態にあることが必要なのである。さらに、本発明及びこの公報において下地膜として用いられているCr層は、その上の磁性層の配向性を制御し、その磁気特性(保磁力や角型比)を良好なものとするために一般的に用いられているものであるけれども、本発明におけるように、熱による磁気緩和を制御するために磁性層の直ぐ下に反強磁性層を配置したのでは、Cr層による配向性の制御に対して妨げとなり得る。ところが、本発明では、先にもモデル図で説明したように、反強磁性材料のなかから、結晶格子間隔がCrにほぼ一致するNiOを選択して使用することにより、Cr層による配向性の制御をそのまま保持することが可能になる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明による磁気記録媒体は、上記したように、非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料からなりかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次設けてなるものであって、その典型的な構成は、図2に断面で示す通りである。すなわち、本発明の磁気記録媒体は、図示されるように、非磁性支持体1と、この支持体の上に順次形成された、下地膜2及びその主成分がコバルトである磁性材料からなる磁性記録膜3とを含むようにして構成することができる。下地膜2は、2層構造を採用していて、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜2−1及びネール温度が少なくとも60℃である反強磁性材料からなる第2の下地膜2−2からなる。なお、図中、磁性記録膜3の上方には、本発明において必要に応じて存在させることのできる保護膜4が形成されている。
【0014】
本発明の磁気記録媒体において、その基体として用いられる非磁性支持体は、この技術分野において常用のいろいろな支持体材料から構成することができる。適当な支持体材料は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、NiPメッキのアルミニウム(アルミニウム合金を含む)ディスク、ガラス又は強化ガラスディスク、表面酸化膜(例えばシリコン酸化膜)を有するシリコンディスク、SiCディスク、カーボンディスク、プラスチックディスク、セラミックディスクなどを包含する。これらの支持体は、この技術分野において通常行われているように、テクスチャー処理が施されていてもよく、あるいは施されていなくてもよい。かかる支持体の大きさ及び厚さは、所望とする媒体の種類や使用する磁気ディスク装置などのファクタに応じて広く変更することができ、また、以下のものに限定されないというものの、通常、大きさが約150〜16,000mm2 及び厚さが約5〜10mmである。
【0015】
非磁性支持体上の下地膜は、上記したように、2層構造である。第1の下地膜は、その主成分がクロムである非磁性材料から構成される。この第1の下地膜は、特に、クロムを主成分として含有するものであって、従たる成分としてのモリブデンが添加されているものが好ましい。この第1の下地膜において、Crに対してMoを添加することによって、その下地膜の格子間間隔を広げることができるなどの効果を得ることができる。Moの添加量は、広く変更することができるというものの、通常、Cr/Mo合金下地膜の全量を基準にして約0〜30重量%である。この下地膜は、好ましくは、例えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件により形成することができる。適当な成膜条件として、例えば、約100〜300℃の成膜温度、約1〜10mTorrのArガス圧力、そして約−70〜−400Vのバイアス電圧を挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。第1の下地膜の膜厚は、その組成や特性、組み合わせて使用される第2の下地膜の詳細など、いろいろなファクタに応じて広く変更することができるというものの、好ましくは、10〜50nmの範囲である。
【0016】
第2の下地膜は、直ぐ下の第1の下地膜や直ぐ上の磁性記録膜との関連や、その他の要件に鑑みて、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料から構成されかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である。使用する反強磁性材料は、少なくとも60℃のネール温度を有することが望ましく、もしもそのネール温度が60℃を下回る場合、磁気記録媒体として使用される環境(温度)において熱的な安定性を保証できないというような不都合が発生するであろう。この第2の下地膜の形成に適当な反強磁性材料は、特に限定されるわけではないけれども、とりわけNiOが好ましい。この下地膜は、好ましくは、例えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件により形成することができる。適当な成膜条件として、例えば、約100〜300℃の成膜温度、約1〜10mTorrのArガス圧力、そして約−70〜−400Vのバイアス電圧を挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。第2の下地膜の膜厚は、その組成や特性、組み合わせて使用される第1の下地膜の詳細など、いろいろなファクタに応じて広く変更することができるというものの、好ましくは、10〜100nmの範囲である。
【0017】
非磁性支持体上に上記第1及び第2の下地膜を介して形成される磁性記録膜は、上記したように、その主成分がコバルトである磁性材料から構成されるものである。磁性記録膜の形成に適当なCo系磁性材料は、以下に列挙するものに限定されるものではないけれども、例えば、CoPt合金、CoNi合金、CoCr合金などのCo系二元合金、CoCrPtなどのCo系三元合金、CoCrPt三元合金に対してTa及び(又は)Nbを添加した四元又は五元合金などである。本発明の実施において磁性材料としてCo系合金の1組成例を示すと、次の通りである。
【0018】
コバルト 56〜78at%、
クロム 14〜22at%、
白金 4〜20at%及び
タンタル及び(又は)ニオブ 0.5〜4at%。
かかる磁性記録膜は、好ましくは、スパッタ法により、特定の成膜条件下で有利に形成することができる。スパッタ法としては、上記した下地膜の成膜と同様、例えばマグネトロンスパッタ法などを使用することができる。適当な成膜条件として、例えば、約100〜350℃の成膜温度、約1〜10mTorrのArガス圧力、そして約−70〜−400Vのバイアス電圧を挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。
【0019】
本発明の磁気記録媒体において、その磁性記録層の膜厚は、その形成に使用するCo系合金の組成や所望とする特性などのファクタに応じて広く変更することができるというものの、通常、それをtBr(記録膜の膜厚tと残留磁化密度Brの積)で表した時、80G・μm以下であることが好ましい。磁性記録層のtBrが80G・μmより高い領域では、磁性層は熱的にほぼ安定であり、反強磁性層による熱安定化の効果は小さい。また、膜厚tが大きい場合、高密度の記録に対応できない。
【0020】
磁性記録膜は、通常、単一の膜から構成することができ、しかし、必要に応じて、2層もしくはそれ以上の互いに分断された記録膜からなる多層構造膜であってもよい。すなわち、磁性記録膜は、必要に応じて、多層構造の形をとることができ、その際、それぞれの記録膜は、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して分断可能である。適当な非磁性中間膜としては、例えば、CrMo層などを挙げることができる。
【0021】
本発明の磁気記録媒体では、特にS/N比及び記録密度を同時に高めるため、CoCrPt三元系合金に対してTa及び(又は)Nbを添加し、さらに、ノイズの低減のため、層構成や成膜プロセスを最適化することが好ましい。
また、本発明者らの知見によれば、本発明の実施において、選ばれた支持体ごとに、それに最適な成膜条件を選択することができる。例えば、非磁性支持体がNiPメッキのアルミニウムディスクである場合、磁性記録膜を、スパッタ法で、220〜320℃の成膜温度でコバルト、クロム、白金、タンタル及び(又は)ニオブから有利に形成することができる。
【0022】
さらに、本発明の磁気記録媒体は、必要に応じて、その最上層として、そして、通常、上記した磁性記録膜の上方に、この技術分野において屡々採用されているように、保護膜をさらに有していてもよい。適当な保護膜としては、例えば、カーボンの単独もしくばその化合物からなる層、例えばC層、WC層、SiC層、B4 C層、水素含有C層などを挙げることができるできる。特に、本発明の実施に当たっては、カーボンからなる保護膜を有利に使用することができる。このような保護膜は、常法に従って、例えば、スパッタ法、蒸着法などによって形成することができる。かかる保護膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変更することができるというものの、好ましくは、約5〜10nmである。
【0023】
本発明の磁気記録媒体は、上記したような必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分野において常用の追加の層を有していたり、さもなければ、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよい。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン樹脂系の潤滑層が形成されていたり、さもなければ、同様な処理が施されていてもよい。
【0024】
さらにまた、本発明は、そのもう1つの面において、上記しかつ以下に詳細に説明する本発明の磁気記録媒体を使用した磁気ディスク装置にある。本発明の磁気ディスク装置において、その構造は特に限定されないというものの、本発明の磁気記録媒体が面内磁化記録方式に基づくものであることを考慮して、基本的に、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えている装置を包含するように構成することが好ましい。特に、再生ヘッド部は、以下に説明するように、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、MRヘッドを備えていることが好ましい。
【0025】
本発明の磁気ディスク装置において、好ましくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層されてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したAMRヘッド又は巨大磁気抵抗効果を利用したGMRヘッド(スピンバルブGMRヘッド等を含む)を包含する。再生ヘッド部の導体層は、いろいろな構成を有することができるけれども、好ましくは、
1.導体層の膜厚に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部分を比較的に薄く形成し、その他の部分を厚く形成したもの、
2.導体層の膜厚及び幅員に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部分のそれを比較的に薄くかつ細く形成し、その他の部分を厚くかつ幅広に形成したもの、
を包含する。導体層の膜厚及び必要に応じて幅員を上記のように調整することは、いろいろな手法に従って行うことができるものの、特に、導体層の多層化によって膜厚の増加を図ることによりこれを達成することが推奨される。
【0026】
特に上記したような構成の磁気ディスク装置を使用すると、従来の複合型の磁気ヘッド(情報の読み出しのための磁気抵抗効果型の再生ヘッド部と情報の記録のための誘導型の記録ヘッド部とを複合的に組み合わせた磁気ヘッド)に比較して、記録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくするとともに導体層の抵抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれば、精確にかつ高感度で情報を読み出すことができる。
【0027】
本発明の磁気ディスク装置は、好ましくは、その記録ヘッド部及び再生ヘッド部を図3及び図4に示すような積層構造とすることができる。図3は、本発明の磁気ディスク装置のヘッド原理図で、また、図4は、図3の線分B−Bにそった断面図である。
図3及び図4において、参照番号11は磁気記録媒体への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部、12は情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部である。記録ヘッド部11は、NiFe等からなる下部磁極(上部シールド層)13と、一定間隔をもって下部磁極13と対向したNiFe等からなる上部磁極14と、これら磁極13,14を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体に情報の記録を行わせるコイル15等から構成される。
【0028】
再生ヘッド部12は、好ましくはAMRヘッドやGMRヘッド等でもって構成されるものであり、その磁気抵抗効果素子部12A上には、磁気抵抗効果素子部12Aにセンス電流を供給するための一対の導体層16が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられている。ここで、導体層16の膜厚は、磁気抵抗効果素子部12Aの近傍部分16Aが薄く形成され、他の部分16Bは厚く形成されている。
【0029】
図3及び図4の構成では、導体層16の膜厚が、磁気抵抗効果素子部12Aの近傍部分16Aで薄くなっているため、下部磁極(上部シールド層)13等の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれがあっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出すことができ、オフトラック量が小さいにもかかわらず読み出しの誤差が生じるという事態を避けることができる。
【0030】
一方、導体層16の膜厚が、磁気抵抗効果素子部12Aの近傍以外の部分16Bでは厚く形成されているため、導体層16の抵抗を全体として小さくすることもでき、その結果、磁気抵抗素子部12Aの抵抗変化を高感度で検出することが可能になり、S/N比が向上する。又、導体層16での発熱も避けることができ、発熱に起因したノイズの発生も防げる。
【0031】
【実施例】
以下、本発明をその典型的な実施例に関して詳細に説明する。しかし、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではないことを理解されたい。なお、下記の実施例では、下地膜、磁性記録膜及び保護膜の形成のため、図5に構成を示すようなDCマグネトロンスパッタ装置を使用した。スパッタ装置10は、図示されるように、アルゴンガスをスパッタ室に導入するためのアルゴン供給口5、排気口6、ディスク基板1を支承するためのサセプタ7、ターゲット8、そしてマグネット9を装備している。装置のスパッタ室には、1〜10Torr程度の真空を適用可能である。
例1
磁気記録媒体の製造
良く洗浄されたシリコンディスク基板に、DCマグネトロンスパッタ装置により、CrMo10(at%)からなる第1の下地膜、NiOからなる第2の下地膜、Co74Cr17Pt5Ta4(at%)からなる磁性記録膜を順次積層した。この場合、第1の下地膜の成膜前にスパッタ室内を3×10-7Torr以下に排気し、基板温度を280℃に上昇させ、アルゴンガスを導入してスパッタ室内を5mTorrに保持した。第1の下地膜は、CrMoをターゲットとして使用して、−200Vのバイアス電圧の印加下に膜厚25nmで成膜した。次いで、アルゴン圧の調節によりスパッタ室内を25mTorrとした後、形成されたCrMo下地膜の上にNiOターゲットから第2の下地膜を膜厚50nmで成膜した。第2の下地膜の成膜時に印加したバイアス電圧は、同じく−200Vであった。次いで、スパッタ室内を再び5mTorrに戻した後、上記組成のターゲットからそれに対応するCoCrPtTa膜をtBr=80G・μm(膜厚30nmに相当)になるように成膜した。このようにして製造された磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、1800Oeという顕著にすぐれた数値が求められた。
【0032】
下記の第1表は、本例に従うところの、CrMo10(25nm)/NiO(50nm)下地膜を有する磁気記録媒体と、対照としての、CrMo10(25nm)のみの下地膜を有する磁気記録媒体の特性を比較したものである。ここで、磁気粘性定数Sは、小さいほど熱による緩和が小さく、NiO下地を入れない場合、S=0.20、NiO下地をいれるとS=0.09となり、熱緩和が抑えられている。また、磁性膜の残留磁化が熱により初期状態より10%減少するまでの時間T10を比べても、NiO下地をいれた媒体は、安定であることが確認できる。
【0033】
例2
磁気ディスク装置
図6は磁気ヘッド付きスライダを用いた本発明による磁気ディスク装置の好ましい一例を示した平面図(カバーを除いた状態)、そして図7は図6における線分A−Aにそった断面図である。
【0034】
これらの図において、50はベースプレート51上に設けられたスピンドルモータ52によって回転駆動される磁気記録媒体としての複数枚(本例では3枚)の磁気ディスクである。
53はベースプレート51上に回転可能に設けられたアクチュエータである。このアクチュエータ53の一方の回転端部には、磁気ディスク50の記録面方向に延出する複数のヘッドアーム54が形成されている。このヘッドアーム54の回転端部には、スプリングアーム55が取り付けられ、さらに、このスプリングアーム55のフレクシャー部に磁気ヘッド付きスライダ40が絶縁膜(図示せず)を介して傾動可能に取り付けられている。一方、アクチュエータ53の他方の回転端部には、コイル57が設けられている。
【0035】
ベースプレート51上には、マグネット及びヨークで構成された磁気回路58が設けられ、この磁気回路58の磁気ギャップ内に、上記コイル57が配置されている。そして、磁気回路58とコイル57とでムービングコイル型のリニアモータ(VCM:ボイスコイルモータ)が構成されている。そして、これらベースプレート51の上部はカバー59で覆われている。
【0036】
次に、上記構成の磁気ディスク装置の作動を説明する。磁気ディスク50が停止している時には、スライダ40は磁気ディスク50の退避ゾーンに接触し停止している。
次に、磁気ディスク50がスピンドルモータ52によって、高速で回転駆動されると、この磁気ディスク50の回転による発生する空気流によって、スライダ40は微小間隔をもってディスク面から浮上する。この状態でコイル57に電流を流すと、コイル57には推力が発生し、アクチュエータ53が回転する。これにより、ヘッド(スライダ40)を磁気ディスク50の所望のトラック上に移動させ、データのリード/ライトを行なうことができる。
【0037】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、従来の磁気記録媒体に比較して、磁性記録膜の膜厚をより薄くした場合においても、高保磁力で熱的に安定な磁気記録媒体を得ることができ、また、従来の装置に比較して高密度な磁気ディスク装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による磁気記録媒体において第1及び第2の下地膜として用いられるCr及びNiOの結晶格子を示したモデル図である。
【図2】本発明による磁気記録媒体の好ましい1例を示した断面図である。
【図3】本発明による磁気ディスク装置のヘッドの原理を示す断面図である。
【図4】図3の磁気ディスク装置のヘッドの線分B−Bにそった断面図である。
【図5】本発明による磁気記録媒体の形成に用いられたDCマグネトロンスパッタ装置の構成を示す略示図である。
【図6】磁気ヘッド付きスライダを用いた本発明による磁気ディスク装置の平面図である。
【図7】図6に示した磁気ディスク装置の線分A−Aにそった断面図である。
【符号の説明】
1…非磁性支持体
2…非磁性下地膜
2−1…第1の下地膜
2−2…第2の下地膜
3…磁性記録膜
4…保護膜
5…アルゴン供給口
6…排気口
7…サセプタ
8…ターゲット
9…マグネット
10…DCマグネトロンスパッタ装置
11…記録ヘッド部
12…再生ヘッド部
13…下部磁極
14…上部磁極
15…コイル
16…導体層
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体に関し、さらに詳しく述べると、磁性記録膜の膜厚を薄くすることによって、より高密度の記録を可能とすることができ、また、磁性記録膜を薄膜化したにもかかわらず、熱的に安定でありかつ十分に高い保磁力を奏することができる、特に面内磁化記録方式に基づく磁気記録媒体に関する。本発明はまた、このような磁気記録媒体の製造方法、そしてそれを使用した、情報の記録及び再生を行うための磁気ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
情報処理技術の発達に伴い、コンピュータの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対して高密度化の要求が高まっている。具体的には、かかる磁気ディスク装置の再生ヘッド部において、従来の巻線型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、MR(magnetoresistive)ヘッドを使用することが提案されている。MRヘッドは、磁性体の電気抵抗が外部磁界により変化する磁気抵抗効果を記録媒体上の信号の再生に応用したもので、従来のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに較べて数倍も大きな再生出力幅が得られること、イングクタンスが小さいこと、大きなS/N比が期待できること、などを特徴としている。また、このMRヘッドとともに、異方性磁気抵抗効果を利用したAMR(anisotropic magnetoresistive)ヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したGMR(giant magnetoresistive)ヘッド、そしてその実用タイプであるスピンバルブGMRヘッドの使用も提案されている。
【0003】
さらに、高密度記録の要求を満たすために、磁気ディスク装置において用いられるべき磁気記録媒体においても、上記したMRヘッド、AMRヘッドあるいはGMRヘッド(スピンバルブヘッドを含む)に対応可能な特性の向上が求められている。磁気記録媒体では、特に、tBr(磁気記録膜の膜厚tと残留磁化密度Brの積)が低く、低ノイズであり、そして保磁力Hcが高いことが求められている。このような要求を満足させるため、例えば特開平1−256017号公報では、非磁性基板上にクロム層(膜厚100nm)を形成して下地膜となし、このクロム層の上にCoCrTa系の低ノイズ、CoCrPt系の高保磁力を兼ね具えたCoCrTaPt系の四元合金よりなる磁性層(膜厚60nm)を形成したことを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。また、米国特許第5,004,652号明細書(特開平4−228105号公報)では、非磁性基板上にクロム層(膜厚=約30〜300nm)及びCoCrPtTaの四元系合金よりなる磁性層(膜厚=約20〜100nm)を順次スパッタにより形成したことを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。さらに、特開平5−72016号公報では、基板上に磁性金属薄膜をスパッタリングによって成膜する磁気記録媒体の製造法が開示されている。
【0004】
また、特開平6−76279号公報には、NiP表面被覆を有するアルミニウム合金を含む基板と、NiP被覆上に形成されたNiOの被膜と、NiO被膜上に形成された下層と、下層を覆って形成されたコバルトを主体とする合金を含む磁性層とを備える、薄膜金属合金磁気記録ディスクが開示されている。この磁気記録ディスクでは、NiP被覆を酸化してNiO被膜を形成したので、NiP被覆の平滑性をそのまま保存し、ディスク表面を平滑にできる、NiP被覆の表面を研磨する工程において最後に残ってしまう掻き傷をなくすことができる、NiO被膜の上に後でスパッタ付着される磁性層が高い飽和保磁力を有することができ、そのためディスクを接触記録式ディスクファイルで使用できる、というような効果がある。
【0005】
上記した公開された特許公報及びその他の特許公報では、特に磁性記録膜の組成の改良を通じて磁気記録媒体の記録密度及び保磁力を同時に高めることがなされているけれども、今本発明において同時に達成しようとしている熱安定性の向上という課題については、未だ解決されるに至っていない。すなわち、磁気記録媒体の磁性記録膜を薄膜化することによって、分解能が向上し、より高密度の記録が可能となるが、その薄膜化が限界を越えると、今まで向上していた保磁力が反対に低下し、また、熱的に不安定になり、磁気記録媒体として使用することができなくなってしまう。特に磁気記録媒体における熱不安定性の問題は、室温においても発生する問題であるので、完全に解消することが望まれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第1の目的は、上記したような従来の技術の問題点を解決して、磁性記録膜を薄膜化したにもかかわらず、高い再生出力に結びつく高い保磁力を維持することができ、しかも熱的に安定な、高密度記録に適した磁気記録媒体を提供することにある。
【0007】
本発明の第2の目的は、そのような優れた磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、本発明による磁気記録媒体を使用した磁気ディスク装置を提供することにある。
本発明のその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、その1つの面において、非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料からなりかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次設けてなることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【0009】
本発明は、そのもう1つの面において、非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料からなりかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次スパッタ法により成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【0010】
また、本発明は、そのもう1つの面において、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体が本発明による磁気記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク装置を提供する。
【0011】
本発明による磁気記録媒体についての詳細な説明は次の項に譲るとして、ここで、本発明の媒体で得られる優れた特性が本発明に特徴的な第1及び第2の下地膜の層構成に依存するということを、図1の結晶格子のモデル図を参照して説明する。
参照する磁気記録媒体は、NiPメッキのアルミニウムディスク上にCrを主成分とする非磁性下地膜(第1の下地膜)を形成し、また、この第1の下地膜と、Coを主成分とする合金からなる磁性記録膜との間に、ネール温度が252℃の反強磁性材料、NiOからなる下地膜(第2の下地膜)を介在させたものであり、また、図1は、ここで第1及び第2の下地膜として用いられているCr及びNiOの結晶格子のモデル図である。NiOはその(100)面の格子の一辺(間隔a=0.419nm)がCrの(100)面の格子(間隔a=0.288nm)の対角線の長さ=0.407nmとほぼ一致するため、Crを第1の下地膜及びNiOを第2の下地膜とするような層構成を採用した場合、Cr(100)上にNiOがエピタキシャル成長可能である。そのため、従来Crを主成分とする下地膜により行われていたのと同様に、第2の下地膜としてNiOを導入しても、その上にさらに成膜されるCo合金磁性記録膜のc軸が面内になるように、結晶配向性を制御することが可能である。さらに、反強磁性材料であるNiOからなる下地膜と強磁性体である磁性記録膜との交換相互作用に由来して、磁性膜の磁化が安定になり、熱エネルギーによる磁気緩和(これが大きいと、長時間の安定性がなくなる)を制御することも可能である。
【0012】
ところで、先に従来の技術として参照した特開平6−76279号公報にも、NiO層とCr層を組み合わせて使用する例が開示されているけれども、記載のような層構成では、上記したような本発明の作用効果を期待することができない。特に、この公報に記載の磁気記録ディスクでは、NiP層の平滑性をそのまま保存してディスク表面を平滑化すること、NiP表面を研磨する工程において残ってしまう掻き傷をなくすことができる、などの効果を得るために、アルミニウム合金を含む基板上のNiP層の直ぐ上にNiO層があることが前提であり、また、これに対処するため、NiPの表面酸化によりNiO層を形成している(しなければならない)のである。また、この公報に記載のディスクでは、磁性層の直ぐ下に反強磁性層(NiO層)が存在することができないので、Co合金磁性層と反強磁性層(NiO層)との間の交換相互作用に由来するところの、磁性層の熱による磁気緩和の制御を達成することができない。すなわち、交換相互作用が働くためには、上記した2層が、接触した状態あるいはそれに準ずる状態にあることが必要なのである。さらに、本発明及びこの公報において下地膜として用いられているCr層は、その上の磁性層の配向性を制御し、その磁気特性(保磁力や角型比)を良好なものとするために一般的に用いられているものであるけれども、本発明におけるように、熱による磁気緩和を制御するために磁性層の直ぐ下に反強磁性層を配置したのでは、Cr層による配向性の制御に対して妨げとなり得る。ところが、本発明では、先にもモデル図で説明したように、反強磁性材料のなかから、結晶格子間隔がCrにほぼ一致するNiOを選択して使用することにより、Cr層による配向性の制御をそのまま保持することが可能になる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明による磁気記録媒体は、上記したように、非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料からなりかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次設けてなるものであって、その典型的な構成は、図2に断面で示す通りである。すなわち、本発明の磁気記録媒体は、図示されるように、非磁性支持体1と、この支持体の上に順次形成された、下地膜2及びその主成分がコバルトである磁性材料からなる磁性記録膜3とを含むようにして構成することができる。下地膜2は、2層構造を採用していて、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜2−1及びネール温度が少なくとも60℃である反強磁性材料からなる第2の下地膜2−2からなる。なお、図中、磁性記録膜3の上方には、本発明において必要に応じて存在させることのできる保護膜4が形成されている。
【0014】
本発明の磁気記録媒体において、その基体として用いられる非磁性支持体は、この技術分野において常用のいろいろな支持体材料から構成することができる。適当な支持体材料は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、NiPメッキのアルミニウム(アルミニウム合金を含む)ディスク、ガラス又は強化ガラスディスク、表面酸化膜(例えばシリコン酸化膜)を有するシリコンディスク、SiCディスク、カーボンディスク、プラスチックディスク、セラミックディスクなどを包含する。これらの支持体は、この技術分野において通常行われているように、テクスチャー処理が施されていてもよく、あるいは施されていなくてもよい。かかる支持体の大きさ及び厚さは、所望とする媒体の種類や使用する磁気ディスク装置などのファクタに応じて広く変更することができ、また、以下のものに限定されないというものの、通常、大きさが約150〜16,000mm2 及び厚さが約5〜10mmである。
【0015】
非磁性支持体上の下地膜は、上記したように、2層構造である。第1の下地膜は、その主成分がクロムである非磁性材料から構成される。この第1の下地膜は、特に、クロムを主成分として含有するものであって、従たる成分としてのモリブデンが添加されているものが好ましい。この第1の下地膜において、Crに対してMoを添加することによって、その下地膜の格子間間隔を広げることができるなどの効果を得ることができる。Moの添加量は、広く変更することができるというものの、通常、Cr/Mo合金下地膜の全量を基準にして約0〜30重量%である。この下地膜は、好ましくは、例えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件により形成することができる。適当な成膜条件として、例えば、約100〜300℃の成膜温度、約1〜10mTorrのArガス圧力、そして約−70〜−400Vのバイアス電圧を挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。第1の下地膜の膜厚は、その組成や特性、組み合わせて使用される第2の下地膜の詳細など、いろいろなファクタに応じて広く変更することができるというものの、好ましくは、10〜50nmの範囲である。
【0016】
第2の下地膜は、直ぐ下の第1の下地膜や直ぐ上の磁性記録膜との関連や、その他の要件に鑑みて、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料から構成されかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である。使用する反強磁性材料は、少なくとも60℃のネール温度を有することが望ましく、もしもそのネール温度が60℃を下回る場合、磁気記録媒体として使用される環境(温度)において熱的な安定性を保証できないというような不都合が発生するであろう。この第2の下地膜の形成に適当な反強磁性材料は、特に限定されるわけではないけれども、とりわけNiOが好ましい。この下地膜は、好ましくは、例えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件により形成することができる。適当な成膜条件として、例えば、約100〜300℃の成膜温度、約1〜10mTorrのArガス圧力、そして約−70〜−400Vのバイアス電圧を挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。第2の下地膜の膜厚は、その組成や特性、組み合わせて使用される第1の下地膜の詳細など、いろいろなファクタに応じて広く変更することができるというものの、好ましくは、10〜100nmの範囲である。
【0017】
非磁性支持体上に上記第1及び第2の下地膜を介して形成される磁性記録膜は、上記したように、その主成分がコバルトである磁性材料から構成されるものである。磁性記録膜の形成に適当なCo系磁性材料は、以下に列挙するものに限定されるものではないけれども、例えば、CoPt合金、CoNi合金、CoCr合金などのCo系二元合金、CoCrPtなどのCo系三元合金、CoCrPt三元合金に対してTa及び(又は)Nbを添加した四元又は五元合金などである。本発明の実施において磁性材料としてCo系合金の1組成例を示すと、次の通りである。
【0018】
コバルト 56〜78at%、
クロム 14〜22at%、
白金 4〜20at%及び
タンタル及び(又は)ニオブ 0.5〜4at%。
かかる磁性記録膜は、好ましくは、スパッタ法により、特定の成膜条件下で有利に形成することができる。スパッタ法としては、上記した下地膜の成膜と同様、例えばマグネトロンスパッタ法などを使用することができる。適当な成膜条件として、例えば、約100〜350℃の成膜温度、約1〜10mTorrのArガス圧力、そして約−70〜−400Vのバイアス電圧を挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。
【0019】
本発明の磁気記録媒体において、その磁性記録層の膜厚は、その形成に使用するCo系合金の組成や所望とする特性などのファクタに応じて広く変更することができるというものの、通常、それをtBr(記録膜の膜厚tと残留磁化密度Brの積)で表した時、80G・μm以下であることが好ましい。磁性記録層のtBrが80G・μmより高い領域では、磁性層は熱的にほぼ安定であり、反強磁性層による熱安定化の効果は小さい。また、膜厚tが大きい場合、高密度の記録に対応できない。
【0020】
磁性記録膜は、通常、単一の膜から構成することができ、しかし、必要に応じて、2層もしくはそれ以上の互いに分断された記録膜からなる多層構造膜であってもよい。すなわち、磁性記録膜は、必要に応じて、多層構造の形をとることができ、その際、それぞれの記録膜は、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜を介して分断可能である。適当な非磁性中間膜としては、例えば、CrMo層などを挙げることができる。
【0021】
本発明の磁気記録媒体では、特にS/N比及び記録密度を同時に高めるため、CoCrPt三元系合金に対してTa及び(又は)Nbを添加し、さらに、ノイズの低減のため、層構成や成膜プロセスを最適化することが好ましい。
また、本発明者らの知見によれば、本発明の実施において、選ばれた支持体ごとに、それに最適な成膜条件を選択することができる。例えば、非磁性支持体がNiPメッキのアルミニウムディスクである場合、磁性記録膜を、スパッタ法で、220〜320℃の成膜温度でコバルト、クロム、白金、タンタル及び(又は)ニオブから有利に形成することができる。
【0022】
さらに、本発明の磁気記録媒体は、必要に応じて、その最上層として、そして、通常、上記した磁性記録膜の上方に、この技術分野において屡々採用されているように、保護膜をさらに有していてもよい。適当な保護膜としては、例えば、カーボンの単独もしくばその化合物からなる層、例えばC層、WC層、SiC層、B4 C層、水素含有C層などを挙げることができるできる。特に、本発明の実施に当たっては、カーボンからなる保護膜を有利に使用することができる。このような保護膜は、常法に従って、例えば、スパッタ法、蒸着法などによって形成することができる。かかる保護膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変更することができるというものの、好ましくは、約5〜10nmである。
【0023】
本発明の磁気記録媒体は、上記したような必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分野において常用の追加の層を有していたり、さもなければ、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよい。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン樹脂系の潤滑層が形成されていたり、さもなければ、同様な処理が施されていてもよい。
【0024】
さらにまた、本発明は、そのもう1つの面において、上記しかつ以下に詳細に説明する本発明の磁気記録媒体を使用した磁気ディスク装置にある。本発明の磁気ディスク装置において、その構造は特に限定されないというものの、本発明の磁気記録媒体が面内磁化記録方式に基づくものであることを考慮して、基本的に、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えている装置を包含するように構成することが好ましい。特に、再生ヘッド部は、以下に説明するように、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、MRヘッドを備えていることが好ましい。
【0025】
本発明の磁気ディスク装置において、好ましくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層されてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したAMRヘッド又は巨大磁気抵抗効果を利用したGMRヘッド(スピンバルブGMRヘッド等を含む)を包含する。再生ヘッド部の導体層は、いろいろな構成を有することができるけれども、好ましくは、
1.導体層の膜厚に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部分を比較的に薄く形成し、その他の部分を厚く形成したもの、
2.導体層の膜厚及び幅員に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部分のそれを比較的に薄くかつ細く形成し、その他の部分を厚くかつ幅広に形成したもの、
を包含する。導体層の膜厚及び必要に応じて幅員を上記のように調整することは、いろいろな手法に従って行うことができるものの、特に、導体層の多層化によって膜厚の増加を図ることによりこれを達成することが推奨される。
【0026】
特に上記したような構成の磁気ディスク装置を使用すると、従来の複合型の磁気ヘッド(情報の読み出しのための磁気抵抗効果型の再生ヘッド部と情報の記録のための誘導型の記録ヘッド部とを複合的に組み合わせた磁気ヘッド)に比較して、記録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくするとともに導体層の抵抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれば、精確にかつ高感度で情報を読み出すことができる。
【0027】
本発明の磁気ディスク装置は、好ましくは、その記録ヘッド部及び再生ヘッド部を図3及び図4に示すような積層構造とすることができる。図3は、本発明の磁気ディスク装置のヘッド原理図で、また、図4は、図3の線分B−Bにそった断面図である。
図3及び図4において、参照番号11は磁気記録媒体への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部、12は情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部である。記録ヘッド部11は、NiFe等からなる下部磁極(上部シールド層)13と、一定間隔をもって下部磁極13と対向したNiFe等からなる上部磁極14と、これら磁極13,14を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体に情報の記録を行わせるコイル15等から構成される。
【0028】
再生ヘッド部12は、好ましくはAMRヘッドやGMRヘッド等でもって構成されるものであり、その磁気抵抗効果素子部12A上には、磁気抵抗効果素子部12Aにセンス電流を供給するための一対の導体層16が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられている。ここで、導体層16の膜厚は、磁気抵抗効果素子部12Aの近傍部分16Aが薄く形成され、他の部分16Bは厚く形成されている。
【0029】
図3及び図4の構成では、導体層16の膜厚が、磁気抵抗効果素子部12Aの近傍部分16Aで薄くなっているため、下部磁極(上部シールド層)13等の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれがあっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出すことができ、オフトラック量が小さいにもかかわらず読み出しの誤差が生じるという事態を避けることができる。
【0030】
一方、導体層16の膜厚が、磁気抵抗効果素子部12Aの近傍以外の部分16Bでは厚く形成されているため、導体層16の抵抗を全体として小さくすることもでき、その結果、磁気抵抗素子部12Aの抵抗変化を高感度で検出することが可能になり、S/N比が向上する。又、導体層16での発熱も避けることができ、発熱に起因したノイズの発生も防げる。
【0031】
【実施例】
以下、本発明をその典型的な実施例に関して詳細に説明する。しかし、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではないことを理解されたい。なお、下記の実施例では、下地膜、磁性記録膜及び保護膜の形成のため、図5に構成を示すようなDCマグネトロンスパッタ装置を使用した。スパッタ装置10は、図示されるように、アルゴンガスをスパッタ室に導入するためのアルゴン供給口5、排気口6、ディスク基板1を支承するためのサセプタ7、ターゲット8、そしてマグネット9を装備している。装置のスパッタ室には、1〜10Torr程度の真空を適用可能である。
例1
磁気記録媒体の製造
良く洗浄されたシリコンディスク基板に、DCマグネトロンスパッタ装置により、CrMo10(at%)からなる第1の下地膜、NiOからなる第2の下地膜、Co74Cr17Pt5Ta4(at%)からなる磁性記録膜を順次積層した。この場合、第1の下地膜の成膜前にスパッタ室内を3×10-7Torr以下に排気し、基板温度を280℃に上昇させ、アルゴンガスを導入してスパッタ室内を5mTorrに保持した。第1の下地膜は、CrMoをターゲットとして使用して、−200Vのバイアス電圧の印加下に膜厚25nmで成膜した。次いで、アルゴン圧の調節によりスパッタ室内を25mTorrとした後、形成されたCrMo下地膜の上にNiOターゲットから第2の下地膜を膜厚50nmで成膜した。第2の下地膜の成膜時に印加したバイアス電圧は、同じく−200Vであった。次いで、スパッタ室内を再び5mTorrに戻した後、上記組成のターゲットからそれに対応するCoCrPtTa膜をtBr=80G・μm(膜厚30nmに相当)になるように成膜した。このようにして製造された磁気記録媒体の保磁力を測定したところ、1800Oeという顕著にすぐれた数値が求められた。
【0032】
下記の第1表は、本例に従うところの、CrMo10(25nm)/NiO(50nm)下地膜を有する磁気記録媒体と、対照としての、CrMo10(25nm)のみの下地膜を有する磁気記録媒体の特性を比較したものである。ここで、磁気粘性定数Sは、小さいほど熱による緩和が小さく、NiO下地を入れない場合、S=0.20、NiO下地をいれるとS=0.09となり、熱緩和が抑えられている。また、磁性膜の残留磁化が熱により初期状態より10%減少するまでの時間T10を比べても、NiO下地をいれた媒体は、安定であることが確認できる。
【0033】
例2
磁気ディスク装置
図6は磁気ヘッド付きスライダを用いた本発明による磁気ディスク装置の好ましい一例を示した平面図(カバーを除いた状態)、そして図7は図6における線分A−Aにそった断面図である。
【0034】
これらの図において、50はベースプレート51上に設けられたスピンドルモータ52によって回転駆動される磁気記録媒体としての複数枚(本例では3枚)の磁気ディスクである。
53はベースプレート51上に回転可能に設けられたアクチュエータである。このアクチュエータ53の一方の回転端部には、磁気ディスク50の記録面方向に延出する複数のヘッドアーム54が形成されている。このヘッドアーム54の回転端部には、スプリングアーム55が取り付けられ、さらに、このスプリングアーム55のフレクシャー部に磁気ヘッド付きスライダ40が絶縁膜(図示せず)を介して傾動可能に取り付けられている。一方、アクチュエータ53の他方の回転端部には、コイル57が設けられている。
【0035】
ベースプレート51上には、マグネット及びヨークで構成された磁気回路58が設けられ、この磁気回路58の磁気ギャップ内に、上記コイル57が配置されている。そして、磁気回路58とコイル57とでムービングコイル型のリニアモータ(VCM:ボイスコイルモータ)が構成されている。そして、これらベースプレート51の上部はカバー59で覆われている。
【0036】
次に、上記構成の磁気ディスク装置の作動を説明する。磁気ディスク50が停止している時には、スライダ40は磁気ディスク50の退避ゾーンに接触し停止している。
次に、磁気ディスク50がスピンドルモータ52によって、高速で回転駆動されると、この磁気ディスク50の回転による発生する空気流によって、スライダ40は微小間隔をもってディスク面から浮上する。この状態でコイル57に電流を流すと、コイル57には推力が発生し、アクチュエータ53が回転する。これにより、ヘッド(スライダ40)を磁気ディスク50の所望のトラック上に移動させ、データのリード/ライトを行なうことができる。
【0037】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、従来の磁気記録媒体に比較して、磁性記録膜の膜厚をより薄くした場合においても、高保磁力で熱的に安定な磁気記録媒体を得ることができ、また、従来の装置に比較して高密度な磁気ディスク装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による磁気記録媒体において第1及び第2の下地膜として用いられるCr及びNiOの結晶格子を示したモデル図である。
【図2】本発明による磁気記録媒体の好ましい1例を示した断面図である。
【図3】本発明による磁気ディスク装置のヘッドの原理を示す断面図である。
【図4】図3の磁気ディスク装置のヘッドの線分B−Bにそった断面図である。
【図5】本発明による磁気記録媒体の形成に用いられたDCマグネトロンスパッタ装置の構成を示す略示図である。
【図6】磁気ヘッド付きスライダを用いた本発明による磁気ディスク装置の平面図である。
【図7】図6に示した磁気ディスク装置の線分A−Aにそった断面図である。
【符号の説明】
1…非磁性支持体
2…非磁性下地膜
2−1…第1の下地膜
2−2…第2の下地膜
3…磁性記録膜
4…保護膜
5…アルゴン供給口
6…排気口
7…サセプタ
8…ターゲット
9…マグネット
10…DCマグネトロンスパッタ装置
11…記録ヘッド部
12…再生ヘッド部
13…下部磁極
14…上部磁極
15…コイル
16…導体層
Claims (10)
- 非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である体心立方構造の反強磁性材料からなりかつ、該材料の結晶格子を前記第1の下地膜の体心立方構造の結晶格子と比較した場合に、前者の(100)面の格子の一辺が後者の(100)面の格子の対角線の長さとほぼ一致し、したがって前記第1の下地膜上にエピタキシャル成長することが可能である第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次設けてなることを特徴とする磁気記録媒体。
- 前記第2の下地膜がNiOからなることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記第1の下地膜の膜厚が10〜50nmでありかつ前記第2の下地膜の膜厚が10〜100nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気記録媒体。
- 前記記録膜の膜厚が、それをtBr(記録膜の膜厚tと残留磁化密度Brの積)で表した時、80G・μm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- カーボンからなる保護膜をさらに有していることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 面内磁化記録方式に基づくことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性支持体上に、その主成分がクロムである非磁性材料からなる第1の下地膜、ネール温度が少なくとも60℃である反強磁性材料からなる第2の下地膜、そしてその主成分がコバルトである磁性材料からなる記録膜を順次スパッタ法により成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 前記非磁性支持体としてNiPメッキのアルミニウムディスクを使用し、そして前記記録膜を、スパッタ法で、220〜320℃の成膜温度で成膜することを特徴とする請求項7に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体が請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク装置。
- 前記磁気抵抗効果型ヘッドがAMRヘッド又はGMRヘッドであることを特徴とする請求項9に記載の磁気ディスク装置。
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