JPH1079113A - 面内磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置 - Google Patents

面内磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置

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JPH1079113A
JPH1079113A JP8233910A JP23391096A JPH1079113A JP H1079113 A JPH1079113 A JP H1079113A JP 8233910 A JP8233910 A JP 8233910A JP 23391096 A JP23391096 A JP 23391096A JP H1079113 A JPH1079113 A JP H1079113A
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Kiwamu Tanahashi
究 棚橋
Yuzuru Hosoe
譲 細江
Ichiro Tamai
一郎 玉井
Tetsuya Kanbe
哲也 神邊
Tomoo Yamamoto
朋生 山本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 媒体ノイズが低く、かつ、熱揺らぎの影響を
受けにくい面内磁気記録媒体とこれを用いた1平方イン
チあたり３ギガビット以上の記録密度で高い信頼性を有
する磁気記憶装置とを提供する。 【解決手段】 多層下地層が少なくとも三層以上で構成
されており、前記多層下地層の中に六方最密構造のhcp
層が体心立方構造のbcc層で挟まれた層構成が含まれ、
前記hcp層がCoとCrを主成分とし、該Crの濃度が30〜40a
t%であることを特徴とする面内磁気記録媒体、およびこ
れを記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部から
なる磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを前記面内磁気記録媒
体に対して相対運動する手段と、記録再生信号処理手段
を有する磁気記憶装置において、前記磁気ヘッドの再生
部が磁気抵抗効果型センサで構成されることを特徴とす
る磁気記憶装置。 【効果】 本発明によれば、１平方インチあたり３ギガ
ビット以上の記録密度で、高い装置S/N、低いビットエ
ラーレートが得られ、平均故障間隔を30万時間以上にす
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記憶装置及び面
内磁気記録媒体に係り、特に、媒体ノイズが低く、熱揺
らぎの影響を受けにくい面内磁気記録媒体とこれを用い
た１平方インチあたり３ギガビット以上の記録密度を有
する磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの高性能化が進み、画像デ
ータ等扱われる情報量は増加の一途をたどっている。そ
れにともない、外部記憶装置である磁気ディスク装置は
大容量化が求められており、現在のところ１平方インチ
あたり数百メガバイトの記録密度を実現している。こう
した高密度磁気ディスク装置の磁気ヘッドには、記録部
と再生部を分離し、記録部には電磁誘導型磁気ヘッド
を、再生部には磁気抵抗効果型ヘッドを用いた複合型ヘ
ッドが採用され始めた。磁気抵抗効果型ヘッドは、従来
の電磁誘導型ヘッドに比べ再生感度が高いため、記録ビ
ットが微小化し漏洩磁束が減少した場合でも、充分な再
生出力を得ることができる。また、さらに再生感度を高
めたスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果型ヘッドの開発
も進みつつある。
【０００３】現在実用化されている面内磁気記録媒体
は、CoNiCr、CoCrTa、CoCrPt等のCo合金磁性層と、磁性
層の結晶配向性を制御するCr下地層から成る。Co合金磁
性層はｃ軸を磁化容易軸とする六方最密(hcp)構造をと
るため、面内磁気記録媒体として用いるには、ｃ軸を面
内に向けさせるのが望ましい。そこで、基板上にまず体
心立方(bcc)構造をとるCr下地層を形成し、その上にCo
合金磁性層をエピタキシャル成長させ、ｃ軸を面内に向
けさせる手法が用いられている。また、磁性層としてCo
CrPt合金を用いた場合は、CrにTiやVを添加して格子間
隔を増加させ、磁性層との格子整合性を高め、ｃ軸をよ
り面内に向けさせる手法（特開昭63-197018号、特開平1
-666号）が提案されている。
【０００４】再生ヘッドに磁気抵抗効果型ヘッドを用い
た場合、面内磁気記録媒体の信号のみならず、ノイズも
高感度に再生してしまうため、面内磁気記録媒体には従
来以上の低ノイズ化が求められている。媒体ノイズは主
に記録ビット間に生ずる磁化の乱れた領域（磁化遷移領
域）に起因しており、この領域を狭くすることが媒体ノ
イズの低減につながる。これには、磁性粒子を微細化
し、かつ粒子間の相互作用を弱め、磁化反転サイズを小
さくすることが有効であることが知られている。前述し
たように、磁性層と下地層の間にはエピタキシャル関係
が成り立っているため、下地粒子を微細化することによ
り磁性粒子を微細化することができる。下地粒子を微細
化する方法としては、下地層の膜厚を薄くする方法や、
添加元素を加える方法などが検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法では、望みの結晶配向を保ち、かつ結晶性の優れ
た膜を作製することは難しく、また磁性層との良好なエ
ピタキシャル関係が得られにくい等の問題がある。更
に、磁性粒子の過度な微細化により磁化が熱的に不安定
となり、記録された信号が時間とともに減衰することが
問題となりつつある。高密度記録に望ましい媒体の微細
構造としては、粒子を微細化するとともに、粒子サイズ
の分散を小さくし、熱揺らぎの影響を受けやすい過度に
微細な粒子の生成を抑えることが重要になってきてい
る。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものである。より具体的には、1平方インチあた
り３ギガビット以上の記録密度で高い信頼性を有する磁
気記憶装置と、それを実現するための、媒体ノイズが低
く、かつ、熱揺らぎの影響を受けにくい面内磁気記録媒
体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、基板上に
実質的に六方最密構造を有する層が実質的に体心立方構
造を有する層で挟まれた層構成を含む少なくとも三層以
上の多層下地層を介して磁性層を形成することにより達
成される。
【０００８】本発明の面内磁気記録媒体は、図１に示す
ように基板１１上に多層下地層１２、磁性層１３、保護
層１４をスパッタリングにより順次形成する。多層下地
層は図２に示すように少なくとも三層以上で構成されて
おり、前記多層下地層の中に六方最密(hcp)構造のhcp層
２２が体心立方(bcc)構造のbcc層２１、bcc層２３で挟
まれた層構成が含まれる。
【０００９】本発明者らは、bcc層２１を(100)配向さ
せ、その上に(11. 0)配向したhcp層２２、さらに(100)
配向したbcc層２３をエピタキシャル成長させた多層下
地層を用いることにより、磁性層の粒子サイズが微細化
できることを実験的に明らかにした。これは、 J.Appl.
Phys.,vol.73,5566(1993)等に報告があるように(100)配
向した一個のbcc粒子上に(11. 0)配向したhcp粒子が複
数個ｃ軸を互いに直交するように成長するいわゆるバイ
クリスタル構造を持つことに起因する。つまり、bcc層
２１とhcp層２２の界面で粒子の微細 化が起こり、更に
bcc層２３と磁性層１３の界面で粒子の微細化が再度起
こる。また、図３に示すように多層下地層としてbcc層
２３の上にさらにhcp層３１を形成し、その上に磁性層
１３を形成した場合でも、bcc層２３とhcp下地層３１の
界面で粒子の微細化が起こる。膜作製プロセスにもよる
が、一般的にbcc粒子のサイズが大きいほどバイクリス
タル構造を取り易いと考えられる。このため大きな粒子
は分割され微細な粒子となるが、元から微細な粒子は過
度に微細な粒子にはなりにくく、粒子サイズの分散を小
さくすることができる。また、hcp下地層３１は磁性層
と同じ結晶構造を持つため、磁性層の初期成長部分の結
晶性を向上させる効果がある。これにより、磁性膜の薄
膜化にともなう磁気特性の劣化を小さくすることができ
る。
【００１０】多層下地層の材料としては、磁性層の格子
定数に合わせてbcc層はCrおよびCr-Ti, Cr-V, Cr-Mo, C
r-Ta等のCr合金等から、hcp層はCo-Cr, Co-Cr-Ta, Co-C
r-Pt, Co-Cr-Pt-Ta等のCoCr合金等から選択するのが好
ましい。多層下地層の各層の膜厚は、粒子サイズの増大
を防ぐために50nm以下とするのが好ましい。多層下地層
の中のhcp層は、非磁性であることが望ましいが、弱い
磁化を持つ場合でもhcp層の膜厚を薄くすることによ
り、磁性層の磁気特性に及ぼす影響を抑えることができ
る。具体的には、図４に示すようにhcp層の膜厚t1と残
留磁束密度Br1との積（Br1×t1)を、磁性層の膜厚t2と
残留磁束密度Br2との積(Br2×t2)の20％以下とすること
により保磁力の低下を防ぐことができる。多層下地層の
中のhcp層のCr濃度は、hcp層の磁化を弱め、かつ良好な
結晶性を得るために、30％以上40at％以下にすることが
好ましい。一方、磁性層は、粒子微細化にともなう熱揺
らぎの影響を抑えるために、結晶磁気異方性の大きな材
料を用いる必要がある。具体的には、磁性層の主成分が
CoとCrとPtから成り、該Pt濃度が10at%以上にするのが
好ましい。基板としては、表面平滑性に優れたものを使
用する必要があり、具体的にはNiPが表面に形成されたA
l-Mg基板、ガラス基板、SiO2基板、SiC基板、カーボン
基板等を用いることができる。
【００１１】上記の面内磁気記録媒体と、これを記録方
向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘ
ッドと、該磁気ヘッドを前記面内磁気記録媒体に対して
相対運動する手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と該
磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信
号処理手段を有する磁気記憶装置において、前記磁気ヘ
ッドの再生部を磁気抵抗効果型センサで構成することに
より、200kFCI以上の高い線記録密度において十分な再
生強度を得ることができる。更に、前記磁気ヘッドを、
互いの磁化方向が外部磁界によって相対的に変化するこ
とによって大きな抵抗変化を生ずる複数の導電性磁性層
と、該導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層を
含む磁気抵抗センサによって構成することにより、再生
強度をさらに高めることができ、1平方インチあたり３
ギガビット以上の記録密度を持った信頼性の高い磁気記
憶装置を実現することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下実施例により本発明をさらに
詳細に説明する。
【００１３】実施例１：外径65mm、内径20mm、厚さ0.4m
mの表面にNiPが形成されたAl-Mg基板の上に、多層下地
層として10nmのCr層、10nmのCoCr合金層、10nmのCrTi合
金層を、磁性層として15nmのCoCrPt合金層を、保護層と
してカーボン層をDCマグネトロンスパッタリング法によ
り連続的に形成した。成膜条件は、アルゴンガスの分圧
は5mTorr、投入電力は1kW、基板温度は300℃とした。
【００１４】本実施例の結晶配向性をX線回折法により
評価した。その結果を図５に示す。(100)配向したbcc C
r層の上に、(11.0)配向したhcp CoCr合金層、(100)配向
したbcc CrTi合金層、(11.0)配向したhcp CoCrPt磁性層
が順にエピタキシャル成長していることが分かる。
【００１５】下地層であるCoCr合金層のCr濃度を25at%
から45at%の範囲で変化させたところ、Crの濃度が25at%
では約150emu/ccの弱い磁化を持つことが分かった。一
般的にCoCr合金がバルクの場合、Cr濃度が約25at%で非
磁性となるが、成膜温度を300℃程度まで上げ、CoCr合
金薄膜とすると磁化を持つようになる。これは、Cr濃度
が低い相（強磁性）とCr濃度が高い相（非磁性）に分離
するためと考えられる。一方、Cr濃度を45at%以上とす
るとCoCr合金層の結晶構造がhcp単相にはならず、上下
の層とのエピタキシャル関係が成立しなくなることが分
かった。以上の検討より、磁性層の磁気特性に影響を及
ぼす下地層の磁化を抑え、かつ良好なエピタキシャル成
長を実現するためには、CoCr合金層のCr濃度を30at%以
上40at%以下とする必要があることが明らかとなった。
【００１６】記録再生特性を評価した結果、Cr濃度が30
at%以上、40at%以下の時に、特に良好な特性が得られ
た。CoCr合金層のCr濃度が35at%の面内磁気記録媒体
で、260kFCIの線記録密度で磁気抵抗効果型ヘッドを用
いて記録再生したところ媒体S/Nは1.8であった。 CoCr
合金層のCrの濃度が30at%未満、もしくは40at%より大き
い面内磁気記録媒体では、残留磁束密度Brとの積(Br×
t)が大きくなるため、もしくは磁性層の結晶配向性が低
下するため、媒体S/Nは1.3以下と低い値となった。
【００１７】実施例２：外径65mm、内径20mm、厚さ0.4m
mの表面にNiPが形成されたAl-Mg基板の上に、多層下地
層として10nmのCr層、10nmのCoCr合金層、10nmのCrTi合
金層、10nmのCoCr合金層を、磁性層として15nmのCoCrPt
合金層を、保護層としてカーボン層をDCマグネトロンス
パッタリング法により連続的に形成した。成膜条件は実
施例１と同様である。
【００１８】図６に磁性層膜厚と、記録時における媒体
に対する磁気ヘッドの相対的な走向方向に磁界を印加し
て測定した保磁力Hcの関係を示す。実施例１の面内磁気
記録媒体の結果も併せて示す。実施例２の面内磁気記録
媒体では、実施例１の面内磁気記録媒体に比べ保磁力の
低下が小さいことが分かる。これは、多層下地層の最上
層が磁性層と同じhcp構造を持つため、磁性層の初期成
長部分の結晶性が向上したことによると考えられる。こ
のように、磁性層の薄膜化に対し、多層下地層の最上層
をhcp構造にすることが有効であることが明らかとなっ
た。また、磁性層のPt濃度が高い場合は、CoCr合金層に
PtやTa等を添加し、磁性層と下地層との格子整合性を高
めることにより、同様な結果が得られることが分かっ
た。
【００１９】実施例３：本発明の一実施例の平面模式図
および縦断面模式図を図７(a)および図７(b)に示す。こ
の装置は、面内磁気記録媒体７１と、これを回転駆動す
る駆動部７２と、磁気ヘッド７３およびその駆動手段７
４と、上記磁気ヘッドの記録再生信号処理手段７５を有
してなる周知の構成を持つ磁気記憶装置である。この磁
気記憶装置に用いた磁気ヘッドの構造の模式図を図８に
示す。この磁気ヘッドは、磁気ヘッドスライダ基体８７
の上に形成された記録用の電磁誘導型磁気ヘッドと再生
用の磁気抵抗効果型ヘッドを組み合わせた録再分離型ヘ
ッドである。記録用磁気ヘッドは、一対の記録磁極８
１、８２とそれに鎖交するコイル８３からなる誘導型薄
膜磁気ヘッドであり、記録磁極間のギャップ層厚は0.3
μmとした。また、磁極８２はともに厚さ1μmの磁気シ
ールド層８６と対で、再生用の磁気ヘッドの磁気シール
ドも兼ねており、このシールド層間距離は0.25μmであ
る。再生用磁気ヘッドは、磁気抵抗効果センサ８４と、
電極となる導体層８５からなる磁気抵抗効果型ヘッドで
ある。図９に磁気抵抗センサの縦断面構造を示す。磁気
抵抗センサの信号検出領域９１は、酸化Alのギャップ層
９２上に横バイアス層９３、分離層９４、磁気抵抗強磁
性層９５が順次形成された部分から構成される。磁気抵
抗強磁性層９５には、20nmのNiFe合金を用いた。横バイ
アス層９３には25nmのNiFeNbを用いたが、NiFeRh等の比
較的電気抵抗が高く、軟磁性特性の良好な強磁性合金で
あればよい。横バイアス層９３は磁気抵抗強磁性層９５
を流れるセンス電流で誘起された磁界によって、この電
流と垂直な膜面内方向（横方向）に磁化され、磁気抵抗
強磁性層９５に横方向のバイアス磁界を印加する。これ
により、媒体からの漏洩磁界に対して線形な再生出力が
得られる磁気センサとなる。磁気抵抗磁性層９５からの
センス電流の分流を防ぐ分離層９４には、比較的電気抵
抗が高いTaを用い、膜厚は5nmとした。信号検出領域９
１の両端にはテーパー形状に加工されたテーパー部９６
がある。テーパー部９６は、磁気抵抗磁性層９５を単磁
区化するための永久磁石層９７と、その上に形成された
信号を取り出すための一対の電極９８から構成される。
永久磁石９７は保磁力が高く、磁化方向が容易に変化し
ないことが重要であり、CoCr、CoCrPt合金等が用いられ
る。面内磁気記録媒体７１は、実施例１で述べた保磁力
Hcが3.2kOe、残留磁束密度・磁性層膜厚積(Br×t)が70G
μｍの媒体を用いた。本実施の形態の磁気記憶装置を用
い、ヘッド浮上量30nm、線記録密度260kFCI、トラック
密度13kTPIの条件で記録再生特性を評価したところ1.8
の装置S/Nが得られた。また、磁気ヘッドへの入力信号
を8-9符号変調処理を施すことにより、１平方インチあ
たり３ギガビットの記録密度で記録再生することができ
た。しかも、内周から外周までのヘッドシーク試験5万
回後のビットエラー数は10ビット/面以下であり、平均
故障間隔で30万時間が達成できた。
【００２０】実施例４：実施例３と同様な構成を持つ磁
気記憶装置において、磁気抵抗センサ８５に、図１０に
示すようなスピンバルブ型を用いると、より大きな出力
が得られるため好ましい。磁気センサの信号検出領域１
０１は、酸化Alのギャップ層１０２上に5nmのTaバッフ
ァ層１０３、7nmの第一の磁性層１０４、1.5nmのCu中間
層１０５、3nmの第二の磁性層１０６、10nmのFe-20at%M
n反強磁性合金層１０７が順次形成された構造である。
第一の磁性層１０４にはNi-20at%Fe合金を用い、第二の
磁性層１０６にはCoを用いた。反強磁性合金層１０７か
らの交換磁界により、第二の磁性層１０６の磁化は一方
向に固定されている。これに対し、第二の磁性層１０６
と非磁性の中間層１０５を介して接する第一の磁性層１
０４の磁化の方向は、面内磁気記録媒体からの漏洩磁界
により変化する。このような二つの磁性層の磁化の相対
的な方向の変化に伴い、三層の膜全体の抵抗に変化が生
じる。この現象はスピンバルブ効果と呼ばれている。本
実施例では、磁気抵抗効果センサにこの効果を利用した
スピンバルブ型磁気ヘッドを用いた。なお、永久磁石層
１０９と電極１１０からなるテーパー部１０８は、図９
に示した磁気抵抗効果センサと同様である。面内磁気記
録媒体７１は、実施例２に述べたHcが3.2kOe、残留磁束
密度・磁性層膜厚積(Br×t)が60Gμmの媒体を用いた。
本実施の形態の磁気記憶装置を用い、ヘッド浮上量30n
m、線記録密度260kFCI、トラック密度13kTPIの条件で記
録再生特性を評価したところ2.0の装置S/Nが得られた。
また、磁気ヘッドへの入力信号を8-9符号変調処理を施
すことにより、10℃から50℃の温度範囲において、１平
方インチあたり3ギガビットの記録密度で記録再生する
ことができた。しかも、内周から外周までのヘッドシー
ク試験5万回後のビットエラー数は10ビット/面以下であ
り、平均故障間隔で30万時間が達成できた。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、磁性粒子を微細化し、
かつ分散を小さくできるので媒体S/Nを高くできる。そ
の結果、高感度の磁気抵抗効果型ヘッドを用いることに
より、１平方インチあたり3ギガビット以上の記録密度
で高い装置S/Nと低いエラーレートが得られ、30万時間
以上の平均故障間隔を有する小型で大容量の磁気記憶装
置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の面内磁気記録媒体の層構成
を示す図。
【図２】本発明の一実施例の多層下地層の層構成を示す
図。
【図３】本発明の一実施例の多層下地層の層構成を示す
図。
【図４】(Br1×t1)/(Br2×t2)と規格化保磁力の関係を
示す図。
【図５】実施例１の面内磁気記録媒体のＸ線回折スペク
トル。
【図６】磁性層膜厚と保磁力の関係を示す図。
【図７】(a)および(b)は、それぞれ本発明の一実施例の
磁気記憶装置の平面模式図およびそのA-A縦断面図。
【図８】本発明の磁気記憶装置における磁気ヘッドの断
面構造を示す立体模式図。
【図９】本発明の磁気記憶装置における磁気ヘッドの磁
気抵抗センサ部の縦断面構造の模式図。
【図１０】本発明の磁気記憶装置における磁気ヘッドの
スピンバルブ型磁気抵抗センサ部の縦断面構造の模式
図。
【符号の説明】
１１・・・基板、１２・・・多層下地層、１３・・・磁
性層、１４・・・保護層、２１・・・bcc層、２２・・
・hcp層、２３・・・bcc層、３１・・・hcp層、７１・
・・面内磁気記録媒体、７２・・・面内磁気記録媒体駆
動部、７３・・・磁気ヘッド、７４・・・磁気ヘッド駆
動部、７５・・・記録再生信号処理系、８１・・・記録
磁極、８２・・・磁極兼磁気シールド層、８３・・・コ
イル、８４・・・磁気抵抗効果素子、８５・・・導体
層、８６・・・磁気シールド層、８７・・・スライダ基
体、９１・・・磁気センサの信号検出領域、９２・・・
ギャップ層、９３・・・横バイアス層、９４・・・分離
層、９５・・・磁気抵抗強磁性層、９６・・・テーパー
部、９７・・・永久磁石層、９８・・・電極、１０１・
・・磁気センサの信号検出領域、１０２・・・ギャップ
層、１０３・・・バッファ層、１０４・・・第一の磁性
層、１０５・・・中間層、１０６・・・第二の磁性層、
１０７・・・反強磁性合金層、１０８・・・テーパー
部、１０９・・・永久磁石層、１１０・・・電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神邊 哲也 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 山本 朋生 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に多層下地層を介して形成された磁
    性層を有する磁気記録媒体において、前記多層下地層が
    少なくとも三層以上で構成されており、前記多層下地層
    の中に実質的に六方最密構造を有する層が実質的に体心
    立方構造を有する層で挟まれた層構成を含むことを特徴
    とする面内磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】前記多層下地層の中の前記磁性層と接する
    層が実質的に六方最密構造を有することを特徴とする請
    求項１記載の面内磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】前記多層下地層の中の実質的に六方最密構
    造を有する層の膜厚t1と残留磁束密度Br1との積が、前
    記磁性層の膜厚t2と残留磁束密度Br2との積の20％以下
    であることを特徴とする請求項１または２記載の面内磁
    気記録媒体。
  4. 【請求項４】前記多層下地層の中の実質的に六方最密構
    造を有する層がCoとCrを主成分とし、該Crの濃度が30at
    ％以上40at％以下であることを特徴とする請求項１から
    ３までのいずれかに記載の面内磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】面内磁気記録媒体と、これを記録方向に駆
    動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッド
    と、該磁気ヘッドを前記面内磁気記録媒体に対して相対
    運動する手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と該磁気
    ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処
    理手段とを有する磁気記憶装置において、前記磁気ヘッ
    ドの再生部が磁気抵抗効果型センサで構成され、該セン
    サが、互いの磁化方向が外部磁界によって相対的に変化
    することによって大きな抵抗変化を生ずる複数の導電性
    磁性層と、該導電性磁性層の間に配置された導電性非磁
    性層を含む磁気抵抗センサによって構成されており、か
    つ前記面内磁気記録媒体が、基板上に多層下地層を介し
    て形成された磁性層を有する磁気記録媒体の、前記多層
    下地層が少なくとも三層以上で構成されており、前記多
    層下地層の中に実質的に六方最密構造を有する層が実質
    的に体心立方構造を有する層で挟まれた層構成を含む面
    内磁気記録媒体で構成されることを特徴とする磁気記憶
    装置。
  6. 【請求項６】前記多層下地層の中の前記磁性層と接する
    層が実質的に六方最密構造を有することを特徴とする請
    求項５記載の磁気記憶装置。
  7. 【請求項７】前記多層下地層の中の実質的に六方最密構
    造を有する層の膜厚t1と残留磁束密度Br1との積が、前
    記磁性層の膜厚t2と残留磁束密度Br2との積の20％以下
    であることを特徴とする請求項５または６記載の磁気記
    憶装置。
  8. 【請求項８】前記多層下地層の中の実質的に六方最密構
    造を有する層がCoとCrを主成分とし、該Crの濃度が30at
    ％以上40at％以下であることを特徴とする請求項５から
    ７までのいずれかに記載の磁気記憶装置。
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