JP2000099934A - 磁気記録媒体および磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体および磁気記録装置Info
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いHcを有し、かつ、優れた熱安定性を有
する磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 磁気記録媒体を、非磁性支持体11上
に、Crを主成分とする非磁性材料からなるシード層1
2と、NiFe系軟磁性材料からなるキーパー層13
と、Crを主成分とする非磁性材料からなる中間層14
と、Coを主成分とする磁性材料からなる記録層15と
が順次積層された構成とする。
する磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 磁気記録媒体を、非磁性支持体11上
に、Crを主成分とする非磁性材料からなるシード層1
2と、NiFe系軟磁性材料からなるキーパー層13
と、Crを主成分とする非磁性材料からなる中間層14
と、Coを主成分とする磁性材料からなる記録層15と
が順次積層された構成とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度記録に適し
た磁気記録媒体および磁気記録装置に関する。
た磁気記録媒体および磁気記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の情報処理技術の発達に伴い、コン
ピュータが処理できる情報の種類、量が増大したため、
大きな記憶容量を持つ磁気記録装置、換言すれば、高密
度記録が行える磁気記録装置の研究、開発が盛んに行わ
れている。
ピュータが処理できる情報の種類、量が増大したため、
大きな記憶容量を持つ磁気記録装置、換言すれば、高密
度記録が行える磁気記録装置の研究、開発が盛んに行わ
れている。
【0003】高密度記録が行える磁気記録装置を得るた
めの研究、開発は、磁気ヘッド側と磁気記録媒体側から
進められており、例えば、磁気ヘッドに関しては、従来
のインダクティブヘッドに代わる高密度記録に適した磁
気ヘッドとして、GMRヘッドの一種であるスピンバル
ブヘッドなどが開発されている。一方、磁気記録媒体に
関しては、従来の、非磁性支持体上にCr下地膜、Co
合金磁性層、保護膜を積層した構成の磁気記録媒体を改
良したものとして、例えば、以下に記すような構成の媒
体が提案されている。
めの研究、開発は、磁気ヘッド側と磁気記録媒体側から
進められており、例えば、磁気ヘッドに関しては、従来
のインダクティブヘッドに代わる高密度記録に適した磁
気ヘッドとして、GMRヘッドの一種であるスピンバル
ブヘッドなどが開発されている。一方、磁気記録媒体に
関しては、従来の、非磁性支持体上にCr下地膜、Co
合金磁性層、保護膜を積層した構成の磁気記録媒体を改
良したものとして、例えば、以下に記すような構成の媒
体が提案されている。
【0004】特開平6−243456号公報には、図6
に示したように、Al基板21上に、NiFe下地層2
2、Cr下地層23、CoCrTa磁性層24、保護膜
25を積層した構成の磁気記録媒体が開示されている。
また、特開平7−169037号公報には、図7に示し
たように、NiP−Al基板31上に、Cr下地層3
2、Co基合金磁性層33、NiFe層34、保護膜3
5を積層した構成の磁気記録媒体が開示されている。
に示したように、Al基板21上に、NiFe下地層2
2、Cr下地層23、CoCrTa磁性層24、保護膜
25を積層した構成の磁気記録媒体が開示されている。
また、特開平7−169037号公報には、図7に示し
たように、NiP−Al基板31上に、Cr下地層3
2、Co基合金磁性層33、NiFe層34、保護膜3
5を積層した構成の磁気記録媒体が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】高密度記録を可能とす
るためには、磁気記録媒体の高S/N化を図る必要があ
り、そのためには、記録層を構成するグレインのサイズ
を縮小する必要がある。しかしながら、グレインサイズ
を縮小すると、記録情報の熱に対する安定性が劣化して
しまう(記録情報が失われやすくなってしまう)という
問題があった。
るためには、磁気記録媒体の高S/N化を図る必要があ
り、そのためには、記録層を構成するグレインのサイズ
を縮小する必要がある。しかしながら、グレインサイズ
を縮小すると、記録情報の熱に対する安定性が劣化して
しまう(記録情報が失われやすくなってしまう)という
問題があった。
【0006】一方、図6に示したような、記録層(Co
CrTa磁性層24)下に軟磁性材料層(NiFe下地
層22)を設けた構成を用いれば、記録層の遷移領域か
らの漏洩磁束が軟磁性材料層(キーパー層と呼ばれてい
る)で短絡される結果、遷移領域の反磁界が大きく低減
するので、記録情報の熱安定性を向上させることができ
る。すなわち、この構成を用いれば、高S/N化のため
に記録層のグレインサイズの縮小により生じた熱安定性
の劣化を、補償することができる。
CrTa磁性層24)下に軟磁性材料層(NiFe下地
層22)を設けた構成を用いれば、記録層の遷移領域か
らの漏洩磁束が軟磁性材料層(キーパー層と呼ばれてい
る)で短絡される結果、遷移領域の反磁界が大きく低減
するので、記録情報の熱安定性を向上させることができ
る。すなわち、この構成を用いれば、高S/N化のため
に記録層のグレインサイズの縮小により生じた熱安定性
の劣化を、補償することができる。
【0007】しかしながら、この構成を採用した場合、
記録層のHcが低下してしまい、その影響により高S/
N化が阻害されるという問題があった。
記録層のHcが低下してしまい、その影響により高S/
N化が阻害されるという問題があった。
【0008】本発明は、上記に鑑みてなされたものであ
って、高いHcを有し、かつ、優れた熱安定性を有する
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
って、高いHcを有し、かつ、優れた熱安定性を有する
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、鋭意、研究を行った結果、発明者らは、いわゆる、
キーパー層と非磁性支持体との間に、Crを主成分とす
る非磁性材料からなるシード層を設けることにより、高
いHcを有し、かつ、優れた熱安定性を有する磁気記録
媒体が得られることを見出した。
に、鋭意、研究を行った結果、発明者らは、いわゆる、
キーパー層と非磁性支持体との間に、Crを主成分とす
る非磁性材料からなるシード層を設けることにより、高
いHcを有し、かつ、優れた熱安定性を有する磁気記録
媒体が得られることを見出した。
【0010】すなわち、請求項1にかかる磁気記録媒体
は、非磁性支持体上に、Crを主成分とする非磁性材料
からなるシード層と、NiFe系軟磁性材料からなるキ
ーパー層と、Crを主成分とする非磁性材料からなる中
間層と、Coを主成分とする磁性材料からなる記録層と
が順次積層された構成を有することを特徴とする。
は、非磁性支持体上に、Crを主成分とする非磁性材料
からなるシード層と、NiFe系軟磁性材料からなるキ
ーパー層と、Crを主成分とする非磁性材料からなる中
間層と、Coを主成分とする磁性材料からなる記録層と
が順次積層された構成を有することを特徴とする。
【0011】また、請求項2にかかる磁気記録媒体は、
前記シード層をなす非磁性材料が、Mo、W、V、N
b、Ta、Ti、Zr、Znからなるグループから選択
された1種類または2種類以上の元素を含むことを特徴
とする。
前記シード層をなす非磁性材料が、Mo、W、V、N
b、Ta、Ti、Zr、Znからなるグループから選択
された1種類または2種類以上の元素を含むことを特徴
とする。
【0012】また、請求項3にかかる磁気記録媒体は、
前記シード層の膜厚が、50nm以下であることを特徴
とする。
前記シード層の膜厚が、50nm以下であることを特徴
とする。
【0013】また、請求項4にかかる磁気記録媒体は、
前記記録層の残留磁束密度と膜厚とを乗じた値が、12
0Gμm以下であることを特徴とする。
前記記録層の残留磁束密度と膜厚とを乗じた値が、12
0Gμm以下であることを特徴とする。
【0014】また、請求項5にかかる磁気記録媒体は、
前記記録層の残留磁束密度と膜厚とを乗じた値が、前記
キーパー層の飽和磁束密度と膜厚とを乗じた値を1/2
倍した値より大きく、3倍した値より小さいことを特徴
とする。
前記記録層の残留磁束密度と膜厚とを乗じた値が、前記
キーパー層の飽和磁束密度と膜厚とを乗じた値を1/2
倍した値より大きく、3倍した値より小さいことを特徴
とする。
【0015】また、請求項6にかかる磁気記録媒体は、
前記中間層を成す非磁性材料が、Mo、W、V、Nb、
Ta、Ti、Zr、Znからなるグループから選択され
た1種類または2種類以上の元素を含むことを特徴とす
る。
前記中間層を成す非磁性材料が、Mo、W、V、Nb、
Ta、Ti、Zr、Znからなるグループから選択され
た1種類または2種類以上の元素を含むことを特徴とす
る。
【0016】また、請求項7にかかる磁気記録媒体は、
前記中間層の膜厚が、5〜100nmであることを特徴
とする。
前記中間層の膜厚が、5〜100nmであることを特徴
とする。
【0017】また、請求項8にかかる磁気記録媒体は、
前記記録層の上に、さらに、カーボン系保護膜を備える
ことを特徴とする。
前記記録層の上に、さらに、カーボン系保護膜を備える
ことを特徴とする。
【0018】また、請求項9にかかる磁気記録装置は、
上記請求項1〜8のいずれか一つに記載の磁気記録媒体
と、磁気抵抗効果型ヘッドと、を備えることを特徴とす
る。
上記請求項1〜8のいずれか一つに記載の磁気記録媒体
と、磁気抵抗効果型ヘッドと、を備えることを特徴とす
る。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる磁気記録媒
体および磁気記録装置の実施の形態を、図面を参照して
詳細に説明する。
体および磁気記録装置の実施の形態を、図面を参照して
詳細に説明する。
【0020】図1に示したように、本発明の磁気記録媒
体は、非磁性支持体11上に、Crを主成分とする非磁
性材料からなるシード層12と、NiFe系軟磁性材料
からなるキーパー層13と、Crを主成分とする非磁性
材料からなる中間層14と、Coを主成分とする磁性材
料からなる記録層15とが順次積層された構成を有す
る。
体は、非磁性支持体11上に、Crを主成分とする非磁
性材料からなるシード層12と、NiFe系軟磁性材料
からなるキーパー層13と、Crを主成分とする非磁性
材料からなる中間層14と、Coを主成分とする磁性材
料からなる記録層15とが順次積層された構成を有す
る。
【0021】非磁性支持体11としては、たとえば、N
iPメッキされたAl基板が使用され、各層は、たとえ
ば、スパッタリング法により形成される。
iPメッキされたAl基板が使用され、各層は、たとえ
ば、スパッタリング法により形成される。
【0022】シード層12を構成するためのCr基非磁
性材料としては、Crそのもの、あるいは、Crに、M
o、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Znからなるグ
ループから選択された1種類または2種類以上の元素を
添加したものが用いられる。中間層14を構成するため
のCr基非磁性材料としても、同様に、Crそのもの、
あるいは、Crに、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、
Zr、Znからなるグループから選択された1種類また
は2種類以上の元素を添加したものが用いられる。
性材料としては、Crそのもの、あるいは、Crに、M
o、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Znからなるグ
ループから選択された1種類または2種類以上の元素を
添加したものが用いられる。中間層14を構成するため
のCr基非磁性材料としても、同様に、Crそのもの、
あるいは、Crに、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、
Zr、Znからなるグループから選択された1種類また
は2種類以上の元素を添加したものが用いられる。
【0023】なお、上記グループ内の元素のうち、M
o、W、V、Nb、Taは、Crと同じbcc構造を有
し、格子間隔がCrよりも広い元素となっている。この
ため、これらを含ませることにより、容易に、Cr基非
磁性材料の格子間隔を広げることができる。従って、比
較的に広い格子間隔を有するCo基磁性材料(例えば、
Ptを添加したCoCrTa等)を用いて記録層15を
形成する際には、これらの元素のなかの、1種類または
2種類以上の元素を含むCr基非磁性材料を用いて、シ
ード層12と中間層14の双方、または、いずれか一方
を形成しておくことが望ましい。
o、W、V、Nb、Taは、Crと同じbcc構造を有
し、格子間隔がCrよりも広い元素となっている。この
ため、これらを含ませることにより、容易に、Cr基非
磁性材料の格子間隔を広げることができる。従って、比
較的に広い格子間隔を有するCo基磁性材料(例えば、
Ptを添加したCoCrTa等)を用いて記録層15を
形成する際には、これらの元素のなかの、1種類または
2種類以上の元素を含むCr基非磁性材料を用いて、シ
ード層12と中間層14の双方、または、いずれか一方
を形成しておくことが望ましい。
【0024】すなわち、使用するCo基磁性材料の(0
02)面間隔に、その(110)面間隔を一致させるこ
とができる量、Mo等を添加した材料を用いて、シード
層12、中間層14を形成することによって、記録層1
5までの各層がヘテロエピタキシャル成長するようにし
ておくことが望ましい。
02)面間隔に、その(110)面間隔を一致させるこ
とができる量、Mo等を添加した材料を用いて、シード
層12、中間層14を形成することによって、記録層1
5までの各層がヘテロエピタキシャル成長するようにし
ておくことが望ましい。
【0025】また、Ti、Zr、Znは、数%添加する
と組織を微細化することができる元素であるので、これ
らの元素を含むCr基非磁性材料によって、シード層1
2と中間層14の双方、または、いずれか一方を形成し
ておくと、磁気記録の最小単位であるグレインサイズを
微細化することができ、結果的に、媒体ノイズを低減す
ることができる。なお、Ti、Zr、Znは、hcp構
造を有する元素であるため、Crに対する固溶限が小さ
いのであるが、スパッタ法等の薄膜形成技術によれば、
これらの元素を数%Crに強制固溶させることができ
る。
と組織を微細化することができる元素であるので、これ
らの元素を含むCr基非磁性材料によって、シード層1
2と中間層14の双方、または、いずれか一方を形成し
ておくと、磁気記録の最小単位であるグレインサイズを
微細化することができ、結果的に、媒体ノイズを低減す
ることができる。なお、Ti、Zr、Znは、hcp構
造を有する元素であるため、Crに対する固溶限が小さ
いのであるが、スパッタ法等の薄膜形成技術によれば、
これらの元素を数%Crに強制固溶させることができ
る。
【0026】シード層12の膜厚は、シード層12が層
として存在し得る膜厚以上であれば良い。ただし、膜厚
が厚くなると、結晶粒成長の結果として、媒体ノイズが
増大する。このため、シード層12の膜厚は、結晶粒成
長がさほど進まない膜厚、たとえば、50nm以下とし
ておくことが望ましい。
として存在し得る膜厚以上であれば良い。ただし、膜厚
が厚くなると、結晶粒成長の結果として、媒体ノイズが
増大する。このため、シード層12の膜厚は、結晶粒成
長がさほど進まない膜厚、たとえば、50nm以下とし
ておくことが望ましい。
【0027】記録層15を構成するためのCo基磁性材
料としては、高いHcを有する材料、たとえば、CoC
r、CoCrTaや、それらにPtを添加した材料を用
いる。そして、記録層15を形成する際には、残留磁束
密度Brと膜厚tの乗算結果“Brt−hard”が1
20Gμm以下となるようにしておくことが望ましい。
何故ならば、本発明の磁気記録媒体は、高密度記録を目
指したものであるので、磁気抵抗効果型素子(いわゆ
る、MR素子やGMR素子)を利用したヘッドである磁
気抵抗効果型ヘッドと組み合わせて使用されることにな
るが、記録層からの漏洩磁束強度が過度に大きい場合、
磁気抵抗効果型ヘッドの出力が飽和してしまい、出力の
非対称性が大きくなってしまう。
料としては、高いHcを有する材料、たとえば、CoC
r、CoCrTaや、それらにPtを添加した材料を用
いる。そして、記録層15を形成する際には、残留磁束
密度Brと膜厚tの乗算結果“Brt−hard”が1
20Gμm以下となるようにしておくことが望ましい。
何故ならば、本発明の磁気記録媒体は、高密度記録を目
指したものであるので、磁気抵抗効果型素子(いわゆ
る、MR素子やGMR素子)を利用したヘッドである磁
気抵抗効果型ヘッドと組み合わせて使用されることにな
るが、記録層からの漏洩磁束強度が過度に大きい場合、
磁気抵抗効果型ヘッドの出力が飽和してしまい、出力の
非対称性が大きくなってしまう。
【0028】従って、漏洩磁束強度の指標である、残留
磁束密度Brと膜厚tの乗算結果“Brt−hard”
が120Gμm以下となるように、記録層15を形成し
ておくことが望ましい。また、膜厚tが大きくなると分
解能の劣化をきたすという観点からも、“Brt−ha
rd”が120Gμm以下となるようにすることが望ま
れる。
磁束密度Brと膜厚tの乗算結果“Brt−hard”
が120Gμm以下となるように、記録層15を形成し
ておくことが望ましい。また、膜厚tが大きくなると分
解能の劣化をきたすという観点からも、“Brt−ha
rd”が120Gμm以下となるようにすることが望ま
れる。
【0029】また、キーパー層13による媒体記録情報
の熱安定化は、遷移領域における記録層からの漏洩磁束
をキーパー層13で短絡することで、遷移領域の反磁界
を大きく低減させることによって達成されている。そし
て、漏洩磁束を効率よくキーパー層13に導くために
は、キーパー層の飽和磁束密度Bsと膜厚tの乗算結果
“Bst−keeper”を、上記したBrt−har
dよりも大きくした方が良いのであるが、過度に大きく
すると、再生出力の低下を招いてしまう。また、過度に
小さくすると、記録情報の熱安定性が得られなくなる。
従って、0.5×Bst−keeper<Brt−ha
rd<3×Bst−keeperが成立するように、キ
ーパー層13を形成することが望ましい。
の熱安定化は、遷移領域における記録層からの漏洩磁束
をキーパー層13で短絡することで、遷移領域の反磁界
を大きく低減させることによって達成されている。そし
て、漏洩磁束を効率よくキーパー層13に導くために
は、キーパー層の飽和磁束密度Bsと膜厚tの乗算結果
“Bst−keeper”を、上記したBrt−har
dよりも大きくした方が良いのであるが、過度に大きく
すると、再生出力の低下を招いてしまう。また、過度に
小さくすると、記録情報の熱安定性が得られなくなる。
従って、0.5×Bst−keeper<Brt−ha
rd<3×Bst−keeperが成立するように、キ
ーパー層13を形成することが望ましい。
【0030】なお、一般に、中間層14の膜厚を5nm
以下とすると実用的なHcが得られず、100nm以上
とすると結晶粒の成長により媒体ノイズが増加するの
で、中間層14の膜厚は、5〜100nmであることが
望ましい。また、本発明の磁気記録媒体を製造する際に
は、CSSや、ヘッドと媒体の偶発的な接触に対する耐
久性を向上させるために、記録層15の上に、さらに、
カーボン系保護膜を設けておくことが望ましい。
以下とすると実用的なHcが得られず、100nm以上
とすると結晶粒の成長により媒体ノイズが増加するの
で、中間層14の膜厚は、5〜100nmであることが
望ましい。また、本発明の磁気記録媒体を製造する際に
は、CSSや、ヘッドと媒体の偶発的な接触に対する耐
久性を向上させるために、記録層15の上に、さらに、
カーボン系保護膜を設けておくことが望ましい。
【0031】つぎに、本発明による磁気記録媒体の特性
について説明する。特性評価を行った磁気記録媒体は、
図2に示したように、非磁性支持体11上に、シード層
12、キーパー層13、中間層14、記録層15、保護
膜16を積層したものである。より具体的には、特性評
価を行った磁気記録媒体は、非磁性支持体11として、
テクスチャ処理済みのNiP/Alディスク基板を備
え、シード層12として、DCマグネトロンスパッタ法
により形成されたCr90W10(数値はat%)膜を備えて
いる。そして、キーパー層13、中間層14、記録層1
5、保護膜16として、それぞれ、DCマグネトロンス
パッタ法を用いて形成された、NiFeNb軟磁性膜、
Cr90W10膜、Co68Cr20Pt10Ta2 膜、カーボン
膜を備えている。
について説明する。特性評価を行った磁気記録媒体は、
図2に示したように、非磁性支持体11上に、シード層
12、キーパー層13、中間層14、記録層15、保護
膜16を積層したものである。より具体的には、特性評
価を行った磁気記録媒体は、非磁性支持体11として、
テクスチャ処理済みのNiP/Alディスク基板を備
え、シード層12として、DCマグネトロンスパッタ法
により形成されたCr90W10(数値はat%)膜を備えて
いる。そして、キーパー層13、中間層14、記録層1
5、保護膜16として、それぞれ、DCマグネトロンス
パッタ法を用いて形成された、NiFeNb軟磁性膜、
Cr90W10膜、Co68Cr20Pt10Ta2 膜、カーボン
膜を備えている。
【0032】各層のDCマグネトロンスパッタ法による
形成は、スパッタガスとしてArを用い、ガス圧を5m
Torr、印加バイアスを−200V、基板温度を28
0℃として行っている。そして、各層形成時のスパッタ
時間を変えることにより、図示した構成を有し、各層の
膜厚が異なる多数の磁気記録媒体を製造した。また、シ
ード層12として、Cr90W10膜ではなく、Cr膜を形
成した磁気記録媒体をも製造した。
形成は、スパッタガスとしてArを用い、ガス圧を5m
Torr、印加バイアスを−200V、基板温度を28
0℃として行っている。そして、各層形成時のスパッタ
時間を変えることにより、図示した構成を有し、各層の
膜厚が異なる多数の磁気記録媒体を製造した。また、シ
ード層12として、Cr90W10膜ではなく、Cr膜を形
成した磁気記録媒体をも製造した。
【0033】以下、製造した各磁気記録媒体の特性の評
価結果について説明する。図3に、シード層を設けて形
成した磁気記録媒体と、シード層を設けずに形成した磁
気記録媒体の保磁力(Hc)のキーパー層膜厚依存性を
示す。なお、図中、実線で示してある結果が、シード層
を設けて形成した磁気記録媒体に関する測定結果であ
る。
価結果について説明する。図3に、シード層を設けて形
成した磁気記録媒体と、シード層を設けずに形成した磁
気記録媒体の保磁力(Hc)のキーパー層膜厚依存性を
示す。なお、図中、実線で示してある結果が、シード層
を設けて形成した磁気記録媒体に関する測定結果であ
る。
【0034】より具体的には、Cr90W10中間層、Co
68Cr20Pt10Ta2 記録層、Cr 90W10シード層の膜
厚を、それぞれ、25、23、10nmに固定し、Ni
FeNbキーパー層の膜厚を、0〜12の範囲で変化さ
せた磁気記録媒体についてのカー測定結果である。そし
て、点線で示してある結果が、シード層を設けずに形成
した同様の構成を有する磁気記録媒体についてのカー測
定結果である。
68Cr20Pt10Ta2 記録層、Cr 90W10シード層の膜
厚を、それぞれ、25、23、10nmに固定し、Ni
FeNbキーパー層の膜厚を、0〜12の範囲で変化さ
せた磁気記録媒体についてのカー測定結果である。そし
て、点線で示してある結果が、シード層を設けずに形成
した同様の構成を有する磁気記録媒体についてのカー測
定結果である。
【0035】図示したように、シード層を設けていない
媒体(点線)では、キーパー層の存在により、Hcが低
下してしまっている。これに対して、CrWシード層が
設けてある媒体(実線)では、キーパー層が存在してい
ても、キーパー層を設けていない場合と同じHc(〜3
200Oe)を示している。すなわち、シード層を設け
ることによりHcを増大させることができる。
媒体(点線)では、キーパー層の存在により、Hcが低
下してしまっている。これに対して、CrWシード層が
設けてある媒体(実線)では、キーパー層が存在してい
ても、キーパー層を設けていない場合と同じHc(〜3
200Oe)を示している。すなわち、シード層を設け
ることによりHcを増大させることができる。
【0036】このシード層によるHc増大効果は、その
膜厚に依らず、また、シード層がCr90W10からなるも
のでなくとも得られる効果となっている。そのことを裏
付ける実験結果の一例として、図4に、シード層材料と
してCr90W10を用いたときと、Crを用いたときにお
けるHcのシード層膜厚依存性を示す。
膜厚に依らず、また、シード層がCr90W10からなるも
のでなくとも得られる効果となっている。そのことを裏
付ける実験結果の一例として、図4に、シード層材料と
してCr90W10を用いたときと、Crを用いたときにお
けるHcのシード層膜厚依存性を示す。
【0037】なお、図には、Cr90W10中間層、Co68
Cr20Pt10Ta2 記録層、NiFeNbキーパー層の
膜厚を、それぞれ、25、23、12nmに固定し、C
rWシード層或いはCrシード層の膜厚を変化させた磁
気記録媒体についてのカー測定結果のうち、Crシード
層膜厚が1〜25nmの範囲にある測定結果を示してあ
る。
Cr20Pt10Ta2 記録層、NiFeNbキーパー層の
膜厚を、それぞれ、25、23、12nmに固定し、C
rWシード層或いはCrシード層の膜厚を変化させた磁
気記録媒体についてのカー測定結果のうち、Crシード
層膜厚が1〜25nmの範囲にある測定結果を示してあ
る。
【0038】図から明らかなように、いずれの材料から
なるシード層によっても、その膜厚に依らず、シード層
を設けない場合(シード層膜厚0nmのHc参照)に比
して、高いHcを有する媒体を得ることができている。
なお、Cr90W10からなるシード層を採用した場合に、
より高いHcを有する媒体を得ることができているの
は、記録層が、Co68Cr20Pt10Ta2 というPtの
添加によりc軸長が延びた材料から構成されているた
め、記録層材料との間の格子定数のマッチングが、Cr
90W10の方が良くなっているからである。
なるシード層によっても、その膜厚に依らず、シード層
を設けない場合(シード層膜厚0nmのHc参照)に比
して、高いHcを有する媒体を得ることができている。
なお、Cr90W10からなるシード層を採用した場合に、
より高いHcを有する媒体を得ることができているの
は、記録層が、Co68Cr20Pt10Ta2 というPtの
添加によりc軸長が延びた材料から構成されているた
め、記録層材料との間の格子定数のマッチングが、Cr
90W10の方が良くなっているからである。
【0039】このように、シード層を設けた実施例の磁
気記録媒体は、高いHcを有するキーパー媒体となって
いるので、通常のキーパー媒体に比して、高いS/Nを
示すことになる。実際、図4にHcのシード層膜厚依存
性を示したCrWシード層を用いた磁気記録媒体は、図
5に示したように、シード層を設けていないキーパー媒
体よりも、高いS/Nを示すことが確認されている。
気記録媒体は、高いHcを有するキーパー媒体となって
いるので、通常のキーパー媒体に比して、高いS/Nを
示すことになる。実際、図4にHcのシード層膜厚依存
性を示したCrWシード層を用いた磁気記録媒体は、図
5に示したように、シード層を設けていないキーパー媒
体よりも、高いS/Nを示すことが確認されている。
【0040】なお、この図において、Siso /Nmは、
スピンバルブヘッドを備えた磁気記録装置に、各磁気記
録媒体を組み込むことによって測定した孤立波媒体S/
Nであり、S/Nmは、記録密度180kFCIにおけ
る媒体S/Nである。S/Ntは、記録密度180kF
CIにおけるトータルS/Nであり、シード層膜厚が0
nmのときの各S/Nが、通常の(シード層を設けてい
ない)キーパー媒体のS/Nである。
スピンバルブヘッドを備えた磁気記録装置に、各磁気記
録媒体を組み込むことによって測定した孤立波媒体S/
Nであり、S/Nmは、記録密度180kFCIにおけ
る媒体S/Nである。S/Ntは、記録密度180kF
CIにおけるトータルS/Nであり、シード層膜厚が0
nmのときの各S/Nが、通常の(シード層を設けてい
ない)キーパー媒体のS/Nである。
【0041】また、この図からは、シード層膜厚がおよ
そ18nmを越えると、シード層膜厚の増大に伴い、S
/Nが低下する傾向が現れることも分かる(なお、図示
は省略してあるが、シード層膜厚が50nmまでは、通
常のキーパー媒体よりも高いS/Nを示す媒体を得るこ
とが出来ている)。
そ18nmを越えると、シード層膜厚の増大に伴い、S
/Nが低下する傾向が現れることも分かる(なお、図示
は省略してあるが、シード層膜厚が50nmまでは、通
常のキーパー媒体よりも高いS/Nを示す媒体を得るこ
とが出来ている)。
【0042】これは、シード層の結晶粒が成長し、その
結果として、ノイズが増大していることによる。このた
め、シード層膜厚は、1〜50nmとしておくことが好
ましく、特に高いS/Nが得られている10〜25nm
としておくことが望ましい。
結果として、ノイズが増大していることによる。このた
め、シード層膜厚は、1〜50nmとしておくことが好
ましく、特に高いS/Nが得られている10〜25nm
としておくことが望ましい。
【0043】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、高密度記録に適した磁気記録媒体、高密度記録
が可能な磁気記憶装置を実現することができる。
よれば、高密度記録に適した磁気記録媒体、高密度記録
が可能な磁気記憶装置を実現することができる。
【図1】本発明の実施の形態にかかる磁気記録媒体の説
明図である。
明図である。
【図2】本発明の一実施例による磁気記録媒体の構成図
である。
である。
【図3】シード層を設けて形成した磁気記録媒体と、シ
ード層を設けずに形成した磁気記録媒体の保磁力のキー
パー層膜厚依存性を示したグラフである。
ード層を設けずに形成した磁気記録媒体の保磁力のキー
パー層膜厚依存性を示したグラフである。
【図4】キーパー層を有する磁気記録媒体の保持力のシ
ード層膜厚依存性を示したグラフである。
ード層膜厚依存性を示したグラフである。
【図5】キーパー層を有する磁気記録媒体のS/Nのシ
ード層膜厚依存性を示したグラフである。
ード層膜厚依存性を示したグラフである。
【図6】特開平6−243456号公報記載の磁気記録
媒体の構成図である。
媒体の構成図である。
【図7】特開平7−169037号公報記載の磁気記録
媒体の構成図である。
媒体の構成図である。
11 非磁性支持体 12 シード層 13 キーパー層 14 中間層 15 記録層 16 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 巌 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番 1号 富士通株式会社内 Fターム(参考) 5D006 AA02 BB02 BB07 CA01 CA03 CA05 CA06 DA03 FA09
Claims (9)
- 【請求項1】 非磁性支持体上に、Crを主成分とする
非磁性材料からなるシード層と、NiFe系軟磁性材料
からなるキーパー層と、Crを主成分とする非磁性材料
からなる中間層と、Coを主成分とする磁性材料からな
る記録層とが順次積層された構成を有することを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記シード層をなす非磁性材料は、M
o、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Znからなるグ
ループから選択された1種類または2種類以上の元素を
含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 前記シード層の膜厚が、50nm以下で
あることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項4】 前記記録層の残留磁束密度と膜厚とを乗
じた値が、120Gμm以下であることを特徴とする請
求項1〜3のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項5】 前記記録層の残留磁束密度と膜厚とを乗
じた値が、前記キーパー層の飽和磁束密度と膜厚とを乗
じた値を1/2倍した値より大きく、3倍した値より小
さいことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項6】 前記中間層を成す非磁性材料は、Mo、
W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Znからなるグルー
プから選択された1種類または2種類以上の元素を含む
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項7】 前記中間層の膜厚が、5〜100nmで
あることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項8】 前記記録層の上に、さらに、カーボン系
保護膜を備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれ
か一つに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれか一つに記載の磁
気記録媒体と、磁気抵抗効果型ヘッドと、を備えること
を特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10272247A JP2000099934A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
US09/801,955 US6541104B2 (en) | 1998-09-25 | 2001-03-08 | Magnetic recording medium and a magnetic recording device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10272247A JP2000099934A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000099934A true JP2000099934A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17511193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10272247A Withdrawn JP2000099934A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6541104B2 (ja) |
JP (1) | JP2000099934A (ja) |
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EP1271482A2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Fujitsu Limited | Thermally stable low noise magnetic recording media |
US6881504B2 (en) | 2000-09-28 | 2005-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
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JP4707265B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-06-22 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
US6724587B2 (en) * | 2001-06-11 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Low temperature yoke type tunnel valve sensor |
JP2003123220A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体、その製造方法、および、磁気記録装置 |
US7149045B1 (en) * | 2002-11-07 | 2006-12-12 | Maxtor Corporation | Longitudinal media with soft underlayer and perpendicular write head |
JP4113879B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2008-07-09 | Tdk株式会社 | 垂直磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置 |
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US7687157B2 (en) * | 2005-02-04 | 2010-03-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular recording media having an exchange-spring structure |
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JPS5755531A (en) | 1980-09-18 | 1982-04-02 | Toshiba Corp | Vertical magnetic recording medium |
JPS63317922A (ja) | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
JPH05314453A (ja) | 1992-05-15 | 1993-11-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH06243456A (ja) | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 面内磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
US5576085A (en) | 1993-11-01 | 1996-11-19 | Hmt Technology Corporation | Thin-film recording medium with soft magnetic layer |
JPH08115516A (ja) | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
JPH1079113A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置 |
US6248416B1 (en) * | 1997-11-10 | 2001-06-19 | Carnegie Mellon University | Highly oriented magnetic thin films, recording media, transducers, devices made therefrom and methods of making |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP10272247A patent/JP2000099934A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-08 US US09/801,955 patent/US6541104B2/en not_active Expired - Fee Related
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US6881504B2 (en) | 2000-09-28 | 2005-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
EP1271482A2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Fujitsu Limited | Thermally stable low noise magnetic recording media |
EP1271482A3 (en) * | 2001-06-29 | 2003-07-09 | Fujitsu Limited | Thermally stable low noise magnetic recording media |
US6830807B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-12-14 | Fujitsu Limited | Thermally stable low noise magnetic recording media |
US7273666B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-09-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording medium driving apparatus |
US7368187B2 (en) | 2001-06-29 | 2008-05-06 | Fujitsu Limited | Thermally stable low noise magnetic recording media |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6541104B2 (en) | 2003-04-01 |
US20010009727A1 (en) | 2001-07-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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