JPS63317922A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS63317922A JPS63317922A JP15327287A JP15327287A JPS63317922A JP S63317922 A JPS63317922 A JP S63317922A JP 15327287 A JP15327287 A JP 15327287A JP 15327287 A JP15327287 A JP 15327287A JP S63317922 A JPS63317922 A JP S63317922A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 136
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020641 Co Zr Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020520 Co—Zr Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- -1 Nb and Tα Chemical class 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録媒体に係わり、特に高密2.1度
磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体に関する。。
磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体に関する。。
超密度化が可能な新しい磁気記録方式として、゛垂直磁
気記録方式が知られている。この高密度記。
気記録方式が知られている。この高密度記。
録方式に用いられる磁気記録媒体としては、垂直1磁気
異方性膜と軟磁性膜からなる二層複合膜が不。
異方性膜と軟磁性膜からなる二層複合膜が不。
再入とされている〔例えば、日本応用磁気学会誌、。
第8巻、第1号、第17頁、昭和59年Vow、 8
、 A I 、。
、 A I 、。
pi7.1984 ) )。この従来技術による垂直磁
気記。
気記。
録媒体は、第6図に示すごとく、基板1上に軟磁IO性
膜2、および垂直磁気異方性膜3が積層されて。
膜2、および垂直磁気異方性膜3が積層されて。
いる。すなわち、基板1の両面には、軟磁性膜2・およ
びCo −Cr合金に代表される垂直磁気異方性膜・3
が、それぞれ順次積層されている。軟磁性膜2・とじて
は、現在、多結晶パーマロイ薄膜や非晶質15C+−Z
r−Mo 薄膜などが用いられているが、後者。
びCo −Cr合金に代表される垂直磁気異方性膜・3
が、それぞれ順次積層されている。軟磁性膜2・とじて
は、現在、多結晶パーマロイ薄膜や非晶質15C+−Z
r−Mo 薄膜などが用いられているが、後者。
の方が前者に比べてCo −Cr合金薄膜の垂直磁気。
異方性をより高めるとのことが特開昭57−20863
1 。
1 。
号公報に記載されている。一方、基板1としては、。
(1)高純度アルミニウム合金基体に、陽極酸化被膜2
゜層(厚さ数μm程度)を形成させたアルマイト基板。
゜層(厚さ数μm程度)を形成させたアルマイト基板。
(東北大学シンポジウム「垂直磁気記録j1982年。
3月、P177)、(2)アルミニウム合金基体に無電
解。
解。
または電解めっき法によって、非磁性Ni−P合金。
膜を形成しためっき基板(東北大学シンポジウム″□「
垂直磁気記録J 1982年3月9197 ) 、 (
31セラミ゛ックス基板、ガラス基板などがあるが、こ
れらの。
垂直磁気記録J 1982年3月9197 ) 、 (
31セラミ゛ックス基板、ガラス基板などがあるが、こ
れらの。
基板の中で、リジッド磁気ディスク用基板として゛は、
現在1面内薄膜磁気ディスクに多く用いられ。
現在1面内薄膜磁気ディスクに多く用いられ。
ているNi−P合金めっき基板が最適であるとされ10
ている。かかるめっき基板上に、Co−Cr合金の垂。
ている。かかるめっき基板上に、Co−Cr合金の垂。
直磁気異方性膜の単層を形成した垂直磁気記録媒・体は
、特開昭58−62823号公報に記載のごとく、・耐
久性の高い磁気記録媒体ではあるが、CoCr・合金の
単層膜であるために、十分な再生出力と高15い記録密
度が得られないという欠点があった。 。
、特開昭58−62823号公報に記載のごとく、・耐
久性の高い磁気記録媒体ではあるが、CoCr・合金の
単層膜であるために、十分な再生出力と高15い記録密
度が得られないという欠点があった。 。
上述したごとく、従来技術において、Co−Cr合。
金の単層膜や二層膜構造の垂直磁気記録媒体にお。
いては、めっき基板が、その上に形成される(? 0
2゜・ 3 ・ Cr合金膜や軟磁性膜の膜質に及ばず悪影響などに。
2゜・ 3 ・ Cr合金膜や軟磁性膜の膜質に及ばず悪影響などに。
ついては全く配慮がされていなかった。 。
本発明者らの研究によると、めっき基板上に非゛晶質C
o −Zr −Mo合金よりなる軟磁性膜を形成しJそ
の上にCo −Cr合金膜を形成させた二層膜構造の一
垂直磁気記録媒体について、その再生出力と磁気゛記録
密度を検討した結果、Co−Cr合金の単層膜と゛同程
度もしくはそれより若干上回る程度の再生出。
o −Zr −Mo合金よりなる軟磁性膜を形成しJそ
の上にCo −Cr合金膜を形成させた二層膜構造の一
垂直磁気記録媒体について、その再生出力と磁気゛記録
密度を検討した結果、Co−Cr合金の単層膜と゛同程
度もしくはそれより若干上回る程度の再生出。
力と記録密度しか得られず、大幅な特性改善をは。
かることは困難であることが分った。 卜・本
発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し。
発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し。
再生出力が太きく、シかも高い記録密度が得られ・る垂
直磁気記録媒体を提供することにある。
直磁気記録媒体を提供することにある。
上記本発明の目的は、めっき基板と軟磁性膜と15の間
に、体心立方結晶構造もしくは稠密六方結晶。
に、体心立方結晶構造もしくは稠密六方結晶。
構造を有する非磁性の金属材料からなる中間膜を。
設けた磁気記録媒体とすることにより、達成される。。
本発明の中間膜を構成する体心立方結晶構造を。
有する非磁性金属材料としては、Cr 、 Mo 、
F、 V 、−、。
F、 V 、−、。
゛ 4 。
Nb、Tαなどの金属またはそれらの金属を主成分と。
する合金を挙げることができ、また、稠密六方結。
島構造の非磁性の金属材料としては、 Ti、 Zr、
Zn、’CcLなどの金属またはそれらの金属を主成
分とする“合金を用いることができる。
Zn、’CcLなどの金属またはそれらの金属を主成
分とする“合金を用いることができる。
通常、薄膜を形成するに際して、基板との密着。
性を向上させるために、また結晶性の薄膜であれ゛ばそ
の結晶性を向上させるために、基板を加熱す。
の結晶性を向上させるために、基板を加熱す。
る。 1ON
i−P合金めっき膜は、非晶質の非磁性材料で・あるが
、加熱することにより結晶質に変化し、そ・の際析出す
るNiにより強磁性となる。その臨界温・度は、Pの含
有量によって異なるものの、約250 ・〜300℃程
度である。 15上述した体
心立方結晶構造もしくは稠密六方結。
i−P合金めっき膜は、非晶質の非磁性材料で・あるが
、加熱することにより結晶質に変化し、そ・の際析出す
るNiにより強磁性となる。その臨界温・度は、Pの含
有量によって異なるものの、約250 ・〜300℃程
度である。 15上述した体
心立方結晶構造もしくは稠密六方結。
島構造を有する非磁性金属材料からなる中間膜は。
(1)軟磁性膜を形成する際、めっき基板加熱時に生。
しるめっき基板表面の極微な結晶化により、磁化。
されためっき基板の表面層と軟磁性膜との空隙的、。
分離の抑制、(2)めっき基板内の吸蔵ガスの脱離を“
抑制し、軟磁性膜の膜質劣化を防止することかで。
抑制し、軟磁性膜の膜質劣化を防止することかで。
きるものと考えられる。これにより、磁気記録媒”体の
再生出力が太きくなり、高い記録密度を有す。
再生出力が太きくなり、高い記録密度を有す。
る二層膜構造の垂直磁気記録媒体が得られることになる
。
。
以下に本発明の一実施例を挙げ1図面を参照し。
ながらさらに詳細に説明する。
(実施例 1) ・・
(第1図は、本発明による垂直磁気記録媒体の断。
(第1図は、本発明による垂直磁気記録媒体の断。
面構造の一例を示す模式図である。図において、゛Ni
−P合金のめっき基板10両面上には、中間膜=4、軟
磁性膜2.垂直磁気異方性膜3が、それぞれ順次積層さ
れている。
−P合金のめっき基板10両面上には、中間膜=4、軟
磁性膜2.垂直磁気異方性膜3が、それぞれ順次積層さ
れている。
めっき基板1としては、外径130mm、内径4C1m
、。
、。
厚さ1.9簡のアルミニウム合金の基体上に、厚さ15
μmのNi−P合金めっき膜を設けたものを用いた。6
軟磁性膜2としては非晶質Co −Zr−Mo合金膜を
、。
μmのNi−P合金めっき膜を設けたものを用いた。6
軟磁性膜2としては非晶質Co −Zr−Mo合金膜を
、。
垂直磁気異方性膜3としてはCo −Cr合金膜を、さ
、1゜らにNi−P合金のめつき基板1と軟磁性膜2
との間の中間膜4として体心立方結晶構造を有するCr
。
、1゜らにNi−P合金のめつき基板1と軟磁性膜2
との間の中間膜4として体心立方結晶構造を有するCr
。
膜をそれぞれスパッタ法により形成させた。この。
時の成膜条件を第1表に示す。
第 1 表
中間膜として、 Cr膜を選んだ場合の、軟磁性膜・で
あるCo−Zr Mo合金膜の保磁力11c(Og)
とCr 。
あるCo−Zr Mo合金膜の保磁力11c(Og)
とCr 。
膜厚(μm)との関係を第2図に示す。図から明ら15
かなごと(、Cr膜の膜厚を003μm以上にすれば。
かなごと(、Cr膜の膜厚を003μm以上にすれば。
Co −Zr −MO合金よりなる軟磁性膜の保磁力を
士。
士。
分に小さくすることができる。このような傾向は。
中間膜をN6 、F、 V、 Nb 、 Ta膜に変え
てもほぼ同じ。
てもほぼ同じ。
傾向にあり、総じて0.03μm以上の厚さの中間膜と
、。
、。
7 ・
することにより、 Co−Zr−Mo合金膜の保磁力は
。
。
20a以下となった。
一方、中間膜の最大膜厚は、 Co Zr Mo合
金。
金。
膜の保磁力の値によって規制されることはないが。
中間膜の膜厚が厚くなることにより、その表面が一゛荒
れること、または内部応力が増大し中間膜にり゛ラック
が入ることを防止するため、最大0.3μm程。
れること、または内部応力が増大し中間膜にり゛ラック
が入ることを防止するため、最大0.3μm程。
度が適当である。
次に1本実施例において作製した垂直磁気記録゛媒体の
記録特性について、従来例と比較して説明l・)する。
記録特性について、従来例と比較して説明l・)する。
第3図は、横軸に記録密度(hpcz )を、縦軸・に
再生出力(相対値)を示し、図中αはNi−P合・金の
めっき基板とCo −Zr −Mo合金よりなる軟磁性
膜との間に中間膜としてCr膜を設けた本発明1の垂直
磁気記録媒体を示し1図中すは中間膜を設げない従来の
垂直磁気記録媒体の再生出力を示し。
再生出力(相対値)を示し、図中αはNi−P合・金の
めっき基板とCo −Zr −Mo合金よりなる軟磁性
膜との間に中間膜としてCr膜を設けた本発明1の垂直
磁気記録媒体を示し1図中すは中間膜を設げない従来の
垂直磁気記録媒体の再生出力を示し。
ている。これらは、垂直薄膜ヘッド(ヘッドギヤ。
ツブ0.2μm)を、0.2μmの浮動スペーシングで
浮。
浮。
上させ測定した結果である。 −4
゜・ 8 ・ 第3図より、中間膜としてCr膜を設けるとと。
゜・ 8 ・ 第3図より、中間膜としてCr膜を設けるとと。
により、記録密度D5゜が46 kFcIから58 k
FcIに゛再生出力(相対値)が1.0から1.10に
、それぞれ゛増加していることがわかる。この傾向は、
Cr膜を。
FcIに゛再生出力(相対値)が1.0から1.10に
、それぞれ゛増加していることがわかる。この傾向は、
Cr膜を。
Mo、 F、 V 、 NbまたはTa膜に変えてもほ
ぼ同様で一゛あった。また、 Cr 、 Mo 、 F
%V、 Hb、 Taなどの金。
ぼ同様で一゛あった。また、 Cr 、 Mo 、 F
%V、 Hb、 Taなどの金。
属を主成分とする体心立方結晶構造の合金におい。
ても本実施例と同様の効果を得ている。
以上の結果から、Crなどの体心立方結晶構造を。
有する非磁性金属材料からなる中間膜をNi−P合】0
金のめっき基板とCo −Zr−Mo合金よりなる非晶
。
金のめっき基板とCo −Zr−Mo合金よりなる非晶
。
賀歌磁性膜との間に設けることにより、Co−Zr−・
Mo合金よりなる軟磁性膜の保磁力Hcを減少させ・る
ことかでき、垂直磁気記録媒体の再生出力、記・録密度
を著しく向上できることが分かる。 1)なお1
本実施例において、成膜手法としてスバ。
Mo合金よりなる軟磁性膜の保磁力Hcを減少させ・る
ことかでき、垂直磁気記録媒体の再生出力、記・録密度
を著しく向上できることが分かる。 1)なお1
本実施例において、成膜手法としてスバ。
ツタ法を用いて、Crよりなる中間膜、Co −Zr
−Mo 。
−Mo 。
合金よりなる軟磁性膜、Co−Cr合金よりなる垂直。
磁気異方性膜を形成させる場合について説明した。
が、本発明の本質は、(1)磁化されためつき基板の、
表面層と軟磁性膜との空隙的分離の抑制、(2)めっ。
表面層と軟磁性膜との空隙的分離の抑制、(2)めっ。
き基板内の吸蔵ガスの脱離抑制にあるので、成膜“手法
としてスパッタ法に限定されるものではなく゛真空蒸着
法、イオンブレーティング法などのぺ一゛パデポジショ
ン法においても有効である。さらに軟磁性膜の一例とし
てCo −Zr −Mo合金膜を例に挙げ説明したが、
非晶質Co−Zr−MA合金膜、多結晶。
としてスパッタ法に限定されるものではなく゛真空蒸着
法、イオンブレーティング法などのぺ一゛パデポジショ
ン法においても有効である。さらに軟磁性膜の一例とし
てCo −Zr −Mo合金膜を例に挙げ説明したが、
非晶質Co−Zr−MA合金膜、多結晶。
パーマロイ膜などについても、本実施例とほぼ同。
様の効果が得られることを確認している。 。
(実施例 2 )
+゛中間膜として、稠密六方結晶構造を有するT!膜・
を用いた以外は、実施例1と同様にして垂直磁気・記録
媒体を作製した。
+゛中間膜として、稠密六方結晶構造を有するT!膜・
を用いた以外は、実施例1と同様にして垂直磁気・記録
媒体を作製した。
中間膜として、Ti膜を選んだ場合の軟磁性膜で・ある
Co −Zr −Mo合金膜の保磁力Hc(Og)とT
i膜1゜厚(μ、lL)との関係を第4図に示す。図か
ら明らか、などと< 、 Ti膜の膜厚を0,03μm
以上にすれば、 。
Co −Zr −Mo合金膜の保磁力Hc(Og)とT
i膜1゜厚(μ、lL)との関係を第4図に示す。図か
ら明らか、などと< 、 Ti膜の膜厚を0,03μm
以上にすれば、 。
Co−Zr−Mo合金よりなる軟磁性膜の保磁力を士。
分に小さくすることができる。このような傾向は。
中間膜をZr、ZnまたはCd膜に変えてもほぼ同じ−
1゜傾向にあり、総じて0.06μm以上の厚さの中間
膜と。
1゜傾向にあり、総じて0.06μm以上の厚さの中間
膜と。
することにより、(?6− Zr−Mo合金膜の保磁力
は゛20g以下となった。
は゛20g以下となった。
一方、中間膜の最大膜厚は、 Co−Zr 310合金
膜。
膜。
の保磁力の値によって規制されることはないが、−゛中
間膜の膜厚が厚くなることにより、その表面が。
間膜の膜厚が厚くなることにより、その表面が。
荒れること、またクラックの発生を防止すること、“さ
らには量産性の面を考慮すると最大0.6μm程度。
らには量産性の面を考慮すると最大0.6μm程度。
が適肖である。
次に、本実施例において作製した垂直磁気記録10媒体
の記録特性について、従来例と比較して説明・する。
の記録特性について、従来例と比較して説明・する。
第5図は、横軸に記録密度(kFcI )を、縦軸・に
再生出力(相対値)を示し、図中α′はNi−P合・金
めつき基板とCo −Zr−Mo合金よりなる軟磁性膜
15の間に中間膜としてTi膜を設けた本発明の垂直磁
。
再生出力(相対値)を示し、図中α′はNi−P合・金
めつき基板とCo −Zr−Mo合金よりなる軟磁性膜
15の間に中間膜としてTi膜を設けた本発明の垂直磁
。
気記録媒体を示し、図中b′は中間膜を設けない従。
来の垂直磁気記録媒体の再生出力を示している。。
これらは、垂直薄膜ヘッド(ヘッドギャップ0.2μm
)。
)。
を、0.2μmの浮動スペーシングで浮上させて測定。
、[,11。
した結果である。
第5図より、中間膜としてTi膜を設けることに。
より、記録密度D”JOが461PCIから601PC
Iに、゛再生出力(相対値)が1,0から1.13に、
それぞれ増。
Iに、゛再生出力(相対値)が1,0から1.13に、
それぞれ増。
加していることがわかる。この傾向は、 Ti膜をZr
。
。
ZnまたはCd膜に変えてもほぼ同様の結果が得ら゛れ
た。またTi、 Zr、 Zn、Cdなどの金属を主成
分。
た。またTi、 Zr、 Zn、Cdなどの金属を主成
分。
とする稠密六方結晶構造の合金においても本実施゛例と
同様の効果を得ている。
同様の効果を得ている。
以上の結果から、Tiなどの稠密六方結晶構造を1・・
有する非磁性金属材料からなる中間膜をめっき基・板と
Co −Zr −Mo合金よりなる非晶質軟磁性膜と・
の間に設けることにより、 Co −Zr−Mo合金よ
り ・なる軟磁性膜の保磁力Hcを減少させることがで
き。
有する非磁性金属材料からなる中間膜をめっき基・板と
Co −Zr −Mo合金よりなる非晶質軟磁性膜と・
の間に設けることにより、 Co −Zr−Mo合金よ
り ・なる軟磁性膜の保磁力Hcを減少させることがで
き。
垂直磁気記録媒体の再生出力、記録密度を著しくl)向
上できることが分かる。
上できることが分かる。
なお、本実施例において、スパッタ法を用いて。
Tiよりなる中間膜、Co −Zr −Mo合金よりな
る軟。
る軟。
磁性膜、Co−Cr合金よりなる垂直磁気異方性膜。
を形成させる場合について説明したが、本発明の。
、12・
本質は、(1)磁化されためっき基板の表面層と軟磁”
性膜との空隙的分離の抑制、(2)めっき基板内の吸。
性膜との空隙的分離の抑制、(2)めっき基板内の吸。
蔵ガスの脱離抑制にあるので、成膜方法としてス。
バッタ法に限定されるものではなく、真空蒸着法、゛イ
オンブレーティング法などのベーパデボジシIj5ン法
においても有効である。さらに、軟磁性膜の。
オンブレーティング法などのベーパデボジシIj5ン法
においても有効である。さらに、軟磁性膜の。
−例としてCo Zr−Mo合金膜を例に挙げ説明し
。
。
たが、非晶質Co −Zr −MA合金膜、多結晶パー
マ。
マ。
ロイ膜などについても、本実施例とほぼ同様の効゛果が
得られることを確認している。 10〔発
明の効果〕 以上詳細に説明したごとく1本発明の垂直磁気・記録媒
体によれば、めっき基板と軟磁性膜との間・にCr 、
Mo 、 F、 V、 Nb 、 Taなどの体心立
方結晶構・造を有する非磁性金属材料、もしくはTi、
Zr、 +5Zn、CeLなどの稠密六方結晶構造を
有する非磁性。
得られることを確認している。 10〔発
明の効果〕 以上詳細に説明したごとく1本発明の垂直磁気・記録媒
体によれば、めっき基板と軟磁性膜との間・にCr 、
Mo 、 F、 V、 Nb 、 Taなどの体心立
方結晶構・造を有する非磁性金属材料、もしくはTi、
Zr、 +5Zn、CeLなどの稠密六方結晶構造を
有する非磁性。
金属材料からなる中間膜を設けることにより、め。
つき基板の軟磁性膜に及ぼす悪影響を防止すると。
とができ、軟磁性膜の保磁力が小さくなり磁気時。
性が向上するので、磁気記録媒体としての記録時、。
性が著しく向上する。
第1図は本発明の実施例において作製した垂直゛磁気記
録媒体の断面構造を示す模式図、第2図は。 本発明の実施例1における軟磁性膜であるCo −’Z
r−Mo合金膜の保磁力と中間膜であるCr膜の膜。 厚との関係を示すグラフ、第3図は本発明の実施例1で
作製した垂直磁気記録媒体の再生出力と記。 録密度との関係を従来例と比較して示したグラフ、。 第4図は本発明の実施例2における軟磁性膜であ10る
Co −Zr −Mo合金膜の保磁力と中間膜であるT
i・膜の膜厚との関係を示すグラフ、第5図は本発明の
実施例2で作製した垂直磁気記録媒体の再生比・力と記
録密度との関係を従来例と比較して示した・グラフ、第
6図は従来の垂直磁気記録媒体の断面ビ。 構造を示す模式図である。 1・・・・・・・・・・・めっき基板 2・・・・・・・・・・・・軟磁性膜 3・・・・・・・・・・・・垂直磁気異方性膜蔦 1
図 44午間囁
録媒体の断面構造を示す模式図、第2図は。 本発明の実施例1における軟磁性膜であるCo −’Z
r−Mo合金膜の保磁力と中間膜であるCr膜の膜。 厚との関係を示すグラフ、第3図は本発明の実施例1で
作製した垂直磁気記録媒体の再生出力と記。 録密度との関係を従来例と比較して示したグラフ、。 第4図は本発明の実施例2における軟磁性膜であ10る
Co −Zr −Mo合金膜の保磁力と中間膜であるT
i・膜の膜厚との関係を示すグラフ、第5図は本発明の
実施例2で作製した垂直磁気記録媒体の再生比・力と記
録密度との関係を従来例と比較して示した・グラフ、第
6図は従来の垂直磁気記録媒体の断面ビ。 構造を示す模式図である。 1・・・・・・・・・・・めっき基板 2・・・・・・・・・・・・軟磁性膜 3・・・・・・・・・・・・垂直磁気異方性膜蔦 1
図 44午間囁
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非磁性基板上に、軟磁性膜および垂直磁気異方性膜
を順次積層して形成した二層膜構造の垂直磁気記録媒体
において、上記軟磁性膜と上記基板との間に、体心立方
結晶構造もしくは稠密六方結晶構造を有する非磁性金属
材料からなる中間膜を設けたことを特徴とする垂直磁気
記録媒体。 2、中間膜が、体心立方結晶構造を有するCr、Mo、
W、V、Nb、Taの金属、もしくはこれらの金属を主
成分とする合金のうちより選ばれる少なくとも1種の金
属もしくは合金よりなることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載の垂直磁気記録媒体。 3、中間膜が、稠密六方結晶構造を有するTi、Zr、
Zr、Cdの金属、もしくはこれらの金属を主成分とす
る合金のうちより選ばれる少なくとも1種の金属もしく
は合金よりなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の垂直磁気記録媒体。 4、中間膜の膜厚が0.03〜0.3μmの範囲である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項の
いずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。 5、軟磁性膜が、非晶質のCo−Zr−Mo合金膜また
は非晶質のCo−Zr−Nb合金膜もしくは多結晶のパ
ーマロイ膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項ないし第4項のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒
体。 6、非磁性基板が非晶質のNi−P合金めっき基板であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項
のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。 7、垂直磁気異方性膜がCo−Cr系合金薄膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし 第6項の
いずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15327287A JPS63317922A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15327287A JPS63317922A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63317922A true JPS63317922A (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=15558835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15327287A Pending JPS63317922A (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63317922A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04182353A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-29 | Kawasaki Steel Corp | Mn―Znフェライトの焼成方法 |
US6387483B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing process therefor |
US6541104B2 (en) | 1998-09-25 | 2003-04-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and a magnetic recording device |
SG99358A1 (en) * | 2000-02-23 | 2003-10-27 | Fuji Electric Co Ltd | Magnetic recording medium and method for producing same |
US6826825B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-12-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a magnetic recording medium |
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US7651794B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Adhesion layer for thin film magnetic recording medium |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1987
- 1987-06-22 JP JP15327287A patent/JPS63317922A/ja active Pending
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US7964297B2 (en) | 2005-04-28 | 2011-06-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Adhesion layer for thin film magnetic recording medium |
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