JPS62128019A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62128019A JPS62128019A JP26778385A JP26778385A JPS62128019A JP S62128019 A JPS62128019 A JP S62128019A JP 26778385 A JP26778385 A JP 26778385A JP 26778385 A JP26778385 A JP 26778385A JP S62128019 A JPS62128019 A JP S62128019A
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- Japan
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- magnetic
- film
- recording medium
- coercive force
- magnetic recording
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空蒸着やスパフタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性膜として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜の磁気
記録媒体に関するものである。
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性膜として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜の磁気
記録媒体に関するものである。
本発明は、基体上に強磁性金属薄膜を磁性層として形成
した磁気記録媒体において、上記磁性層である強磁性金
属薄膜をＰｄ＋ Ｇｅ、 Ｍｏ、 Ｓｔ＋ Ｚｎ＋ Ｎ
ｂ＋Ｔｉ＋ Ａｌのうちの少なくとも１種よりなる下
地膜とＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜層の２層構造とし、保磁力の
向上を図ろうとするものである。
した磁気記録媒体において、上記磁性層である強磁性金
属薄膜をＰｄ＋ Ｇｅ、 Ｍｏ、 Ｓｔ＋ Ｚｎ＋ Ｎ
ｂ＋Ｔｉ＋ Ａｌのうちの少なくとも１種よりなる下
地膜とＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜層の２層構造とし、保磁力の
向上を図ろうとするものである。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ
−Ｆｅ２０３１ Ｃｏを含有する７−Ｆｅ２Ｏ３＋ Ｆ
ｅ５０＋ ＩＣｏを含有するＦｅ３Ｏ４＋ ｒ−Ｆｅ２
０ｇとＦｅ３Ｏ４とのベルトライド化合物、 Ｃｏを含
有するベルトライド化合物、 ＣｒＯ２等の酸化物強磁
性粉末あるいはＦｅ、 Ｃｏ。
−Ｆｅ２０３１ Ｃｏを含有する７−Ｆｅ２Ｏ３＋ Ｆ
ｅ５０＋ ＩＣｏを含有するＦｅ３Ｏ４＋ ｒ−Ｆｅ２
０ｇとＦｅ３Ｏ４とのベルトライド化合物、 Ｃｏを含
有するベルトライド化合物、 ＣｒＯ２等の酸化物強磁
性粉末あるいはＦｅ、 Ｃｏ。
Ｎｉ等を主成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を
塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂
、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ
た磁性塗料を塗布・乾燥することにより作製される塗布
型の磁気記録媒体が広く使用されている。
塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂
、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ
た磁性塗料を塗布・乾燥することにより作製される塗布
型の磁気記録媒体が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパンタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパンタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。
ところで、この種の磁気記録媒体において、強磁性金属
材料としては、結晶磁気異方性により高保磁力が得られ
角形性に優れたＣＯが最適であると考えられ、これにｐ
ｔを添加してより一層の保磁力の増大や耐蝕性の改善を
図ったＣｏ−Ｐｔ合金膜を磁性層とする磁気記録媒体の
開発が進められている（特開昭５８−２００５１３号）
。
材料としては、結晶磁気異方性により高保磁力が得られ
角形性に優れたＣＯが最適であると考えられ、これにｐ
ｔを添加してより一層の保磁力の増大や耐蝕性の改善を
図ったＣｏ−Ｐｔ合金膜を磁性層とする磁気記録媒体の
開発が進められている（特開昭５８−２００５１３号）
。
ところで、上述のＣｏ−Ｐｔ合金膜は、優れた磁気特性
と耐蝕性とを兼ね備えているものの、その成分として貴
金属であるｐｔを含有するために、その入手が困難で大
量生産が難しく、また製造コストも増大するという欠点
がある。
と耐蝕性とを兼ね備えているものの、その成分として貴
金属であるｐｔを含有するために、その入手が困難で大
量生産が難しく、また製造コストも増大するという欠点
がある。
上記欠点を解消するためには、ｐｔの含有量を減少させ
ればよいが、この場合には磁気特性、特に保磁力が低下
してしまい、意味がなくなる。
ればよいが、この場合には磁気特性、特に保磁力が低下
してしまい、意味がなくなる。
本発明は、上述の点に鑑み、ｐｔの含有量を減少させて
も磁気特性が劣化せず、面内等方的な異方性と高保磁力
、高角形比を合わせもち、高密度記録に対処することが
可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
も磁気特性が劣化せず、面内等方的な異方性と高保磁力
、高角形比を合わせもち、高密度記録に対処することが
可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明は、ｐｔを減少させても磁気特性が劣化しないよ
うな工夫をあらゆる角度から検討した結果、Ｐｄ、 Ｇ
ｅ、 Ｍｏ、 Ｓｉ、 Ｚｎ、 Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ａ
ｌのうちの少なくとも１種からなる薄膜を下地膜として
、その上にＣｏ−Ｐｔ膜を成膜することが非常に有効で
あることを見出し本発明を完成するに至ったものであっ
て、基体上にＰｄ、 Ｇｅ、 Ｍｏ＋ Ｓｉｔ Ｚｎ、
Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ａ１のうちの少なくとも１種から
なる下地膜およびＣｏ−Ｐｔよりなる磁性薄膜を順次形
成したことを特徴とするものである。
うな工夫をあらゆる角度から検討した結果、Ｐｄ、 Ｇ
ｅ、 Ｍｏ、 Ｓｉ、 Ｚｎ、 Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ａ
ｌのうちの少なくとも１種からなる薄膜を下地膜として
、その上にＣｏ−Ｐｔ膜を成膜することが非常に有効で
あることを見出し本発明を完成するに至ったものであっ
て、基体上にＰｄ、 Ｇｅ、 Ｍｏ＋ Ｓｉｔ Ｚｎ、
Ｎｂ、 Ｔｉ、 Ａ１のうちの少なくとも１種から
なる下地膜およびＣｏ−Ｐｔよりなる磁性薄膜を順次形
成したことを特徴とするものである。
Ｐｄ、 Ｇｅ、 Ｍｏ、 Ｓｉ、 Ｚｎ、 Ｎｂ、 Ｔ
ｉ＋ ＡＩのうちの少なくとも１種を下地膜として形
成すると、この下地膜の影響でＣｏのＣ軸が面内に配向
しやすくなり、Ｃｏ−ＰＬ合金薄膜の保持力が非常に大
きなものとなる。したがって、同じ保磁力を得ようとす
る場合には、ｐｔ含有量が少なくて済む。
ｉ＋ ＡＩのうちの少なくとも１種を下地膜として形
成すると、この下地膜の影響でＣｏのＣ軸が面内に配向
しやすくなり、Ｃｏ−ＰＬ合金薄膜の保持力が非常に大
きなものとなる。したがって、同じ保磁力を得ようとす
る場合には、ｐｔ含有量が少なくて済む。
以下、本発明を実験結果に基づいて説明する。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。
この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
また、上記磁性層である強磁性金属薄膜や非磁性の下地
膜は、真空蒸着法やイオンブレーティング法、スパッタ
リング法等の真空薄膜形成技術により連続膜として形成
される。
膜は、真空蒸着法やイオンブレーティング法、スパッタ
リング法等の真空薄膜形成技術により連続膜として形成
される。
上記真空蒸着法は、１０−’〜１Ｏ−８Ｔｏｒｒの真空
下で金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱
等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強磁性
金属材料や下地材料）を沈着するというものである。
下で金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱
等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強磁性
金属材料や下地材料）を沈着するというものである。
上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１Ｏ−３７ｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記金属材料を蒸発させるというものである。
、１０−４〜１Ｏ−３７ｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記金属材料を蒸発させるというものである。
上記スパッタリング法は、１Ｏ−３〜１０” Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ック法等がある。
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ック法等がある。
本実施例においては、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜は電子ビーム
加熱による二源同時蒸着法およびスパッタ法により形成
し、下地膜のＰｄ＋ Ｇｅ、 Ｍｏ、 Ｓｔ＋ Ｚｎ、
Ｎｂ。
加熱による二源同時蒸着法およびスパッタ法により形成
し、下地膜のＰｄ＋ Ｇｅ、 Ｍｏ、 Ｓｔ＋ Ｚｎ、
Ｎｂ。
ｒｌ、 Ａｆも真空蒸着法およびスパッタ法により形
成した。なお、上記いずれの場合にも、真空蒸着の真空
度は６ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒとし、スパッタ法のＡ
ｒ分圧は５ Ｘ １０”Ｔｏｒｒとした。
成した。なお、上記いずれの場合にも、真空蒸着の真空
度は６ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒとし、スパッタ法のＡ
ｒ分圧は５ Ｘ １０”Ｔｏｒｒとした。
上述の方法に従い、第１図に示すように、基体（１）上
にＳｉ下地膜（２）を設け、さらにこのＳｉ下地膜（２
）上に膜厚８００人のＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜（３１（ＰＬ
含有量１０原子％）を形成した。上記Ｓｉ下地膜（２）
の膜厚を変え、この膜厚と得られる磁気記録媒体の保磁
力の関係を調べた。結果を第２図に示す。なお、この第
２図において、曲線ａは真空蒸着法によった場合を、曲
線すはスパッタ法によった場合をそれぞれ示す。
にＳｉ下地膜（２）を設け、さらにこのＳｉ下地膜（２
）上に膜厚８００人のＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜（３１（ＰＬ
含有量１０原子％）を形成した。上記Ｓｉ下地膜（２）
の膜厚を変え、この膜厚と得られる磁気記録媒体の保磁
力の関係を調べた。結果を第２図に示す。なお、この第
２図において、曲線ａは真空蒸着法によった場合を、曲
線すはスパッタ法によった場合をそれぞれ示す。
この第２図より、真空蒸着法においても、スパッタ法に
おいてもＳｉ下地膜（２）の効果による保磁力の増大が
認められ、Ｓｉ下地膜（２）の膜厚が５００人〜１００
０人において、保磁力はＳｉ下地膜（２）がないときに
比べて約１．５倍〜 １．８倍にも達することがわかっ
た。
おいてもＳｉ下地膜（２）の効果による保磁力の増大が
認められ、Ｓｉ下地膜（２）の膜厚が５００人〜１００
０人において、保磁力はＳｉ下地膜（２）がないときに
比べて約１．５倍〜 １．８倍にも達することがわかっ
た。
したがって、このような効果により、例えば保磁力２０
００エルステツドを得るには、従来Ｃｏ−Ｐｔ膜におけ
るｐｔの含有量が２０原子％必要であったのに対して、
本発明によれば、Ｓｉ下地膜（２）を形成しＣｏ−Ｐｔ
膜のｐｔ含有量を１０原子％とすればよい考えられる。
００エルステツドを得るには、従来Ｃｏ−Ｐｔ膜におけ
るｐｔの含有量が２０原子％必要であったのに対して、
本発明によれば、Ｓｉ下地膜（２）を形成しＣｏ−Ｐｔ
膜のｐｔ含有量を１０原子％とすればよい考えられる。
したがって製造の大幅なコストダウンを図ることができ
る。
る。
保磁力を増大させる下地膜の材料としてはＳｉの他に、
Ｐｄ＋ Ｇｅ＋ Ｍｏ、 Ｚｎ、 Ｎｂ、 Ｔｉｔ
＾１等があり、上述と同様にしてこれらの各下地膜を用
いたときの磁気記録媒体の保磁力の結果を次の表に示す
。
Ｐｄ＋ Ｇｅ＋ Ｍｏ、 Ｚｎ、 Ｎｂ、 Ｔｉｔ
＾１等があり、上述と同様にしてこれらの各下地膜を用
いたときの磁気記録媒体の保磁力の結果を次の表に示す
。
表
この表よりＰｄ、 Ｇｅ＋ Ｍｏ＋ Ｚｎ、 Ｎｂ、
Ｔｉｔ Ａｆを夫々下地膜としてこの上にＣｏ−Ｐｔ
磁性薄膜を形成した場合にも、下地膜のない場合に比べ
て磁気記録媒体の保磁力が大きくなることが認められる
。
Ｔｉｔ Ａｆを夫々下地膜としてこの上にＣｏ−Ｐｔ
磁性薄膜を形成した場合にも、下地膜のない場合に比べ
て磁気記録媒体の保磁力が大きくなることが認められる
。
このように、下地膜として上記材料を少くとも一種類用
いれば保磁力を増大させる効果を有することが認められ
る。
いれば保磁力を増大させる効果を有することが認められ
る。
又、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜としては、膜中の金属原子の７
５原子％以上がＣｏとｐｔであれば、下地膜の効果は変
ることがない。
５原子％以上がＣｏとｐｔであれば、下地膜の効果は変
ることがない。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
Ｐｄ＋ Ｇｅ、 Ｍｏ＋ Ｓｉ、 Ｚｎ＋ Ｎｂ＋ Ｔ
ｔ＋ Ａｌｌのうちの少なくとも１種よりなる下地膜
を形成した後、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜を磁性層として形成
しているので、保磁力を大幅に向上することができ、例
えば同じ保磁力の磁気記録媒体を作製しようとする場合
にｐｔの含有量を低減することができる。したがって、
磁気特性に優れるばかりでなく、製造コストが低く大量
生産可能な磁気記録媒体とすることができる。
Ｐｄ＋ Ｇｅ、 Ｍｏ＋ Ｓｉ、 Ｚｎ＋ Ｎｂ＋ Ｔ
ｔ＋ Ａｌｌのうちの少なくとも１種よりなる下地膜
を形成した後、Ｃｏ−Ｐｔ磁性薄膜を磁性層として形成
しているので、保磁力を大幅に向上することができ、例
えば同じ保磁力の磁気記録媒体を作製しようとする場合
にｐｔの含有量を低減することができる。したがって、
磁気特性に優れるばかりでなく、製造コストが低く大量
生産可能な磁気記録媒体とすることができる。
また、このときＣｏ−Ｐｔ磁性薄膜の特性である高磁束
密度、高角形比等の磁気特性を損なう虞れもない。
密度、高角形比等の磁気特性を損なう虞れもない。
第１図は本発明を適用した磁気記録媒体の構成を示す要
部拡大断面図である。 第２図はＳｉ下地膜の膜厚と保磁力の関係を示す特性図
である。 （１）は基体、（２）はＳｉ下地膜、（３）はＣｏ−Ｐ
ｔ磁性薄膜である。 第１図 Ｓｉ下下膜膜膜厚 第２図
部拡大断面図である。 第２図はＳｉ下地膜の膜厚と保磁力の関係を示す特性図
である。 （１）は基体、（２）はＳｉ下地膜、（３）はＣｏ−Ｐ
ｔ磁性薄膜である。 第１図 Ｓｉ下下膜膜膜厚 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に下地膜及びＣｏ−Ｐｔよりなる磁性薄膜を順次
形成した磁気記録媒体において、 前記下地膜はＰｄ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｉ、Ａｌのうちの少なくとも１種よりなることを特徴と
する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26778385A JPS62128019A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26778385A JPS62128019A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128019A true JPS62128019A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17449520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26778385A Pending JPS62128019A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128019A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62257616A (ja) * | 1986-04-29 | 1987-11-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS62257617A (ja) * | 1986-04-29 | 1987-11-10 | インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション | 磁気記録媒体 |
| US5068152A (en) * | 1987-11-26 | 1991-11-26 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5082749A (en) * | 1990-03-15 | 1992-01-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP26778385A patent/JPS62128019A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62257616A (ja) * | 1986-04-29 | 1987-11-10 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS62257617A (ja) * | 1986-04-29 | 1987-11-10 | インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション | 磁気記録媒体 |
| JPH05766B2 (ja) * | 1986-04-29 | 1993-01-06 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPH0557646B2 (ja) * | 1986-04-29 | 1993-08-24 | Ibm | |
| US5068152A (en) * | 1987-11-26 | 1991-11-26 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5082749A (en) * | 1990-03-15 | 1992-01-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording |
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