JPS62257617A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS62257617A JPS62257617A JP62046946A JP4694687A JPS62257617A JP S62257617 A JPS62257617 A JP S62257617A JP 62046946 A JP62046946 A JP 62046946A JP 4694687 A JP4694687 A JP 4694687A JP S62257617 A JPS62257617 A JP S62257617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten
- underlayer
- magnetic
- thin film
- cobalt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 50
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 45
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical class [Pt][Co][Pt] AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910002070 thin film alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCOASTWZYJGKEK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[W] Chemical compound [Co].[Ni].[W] YCOASTWZYJGKEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Pt] Chemical compound [Cr].[Co].[Pt] DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73913—Composites or coated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12597—Noncrystalline silica or noncrystalline plural-oxide component [e.g., glass, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12625—Free carbon containing component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/12743—Next to refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12875—Platinum group metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12937—Co- or Ni-base component next to Fe-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12944—Ni-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
この発明は薄膜合金磁気記録媒体に係り、特にコバルト
およびプラチナを含む合金が磁性層を形成している、水
平磁気記録用の薄膜合金ディスクに関するものである。
およびプラチナを含む合金が磁性層を形成している、水
平磁気記録用の薄膜合金ディスクに関するものである。
Ｂ、従来技術
プラチナ濃度がさまざまな比率のコバルトとプラチナの
合金が、水平記録用の薄膜磁気記録ディスクにおける磁
性材料として使用されている。このようなディスクにお
いては、コバルト・プラチナ（ＣｏＰｔ）合金の六方詰
込構造（ＨＣＰ）の結晶構造が基体上、または中間アン
ダレイヤ上に形成されるので、ＣｏＰｔ薄膜のＣ軸、す
なわち［００２］軸が薄膜の面にあるが、あるいは薄膜
の面内に成分を有しているかのいずれかとなる。
合金が、水平記録用の薄膜磁気記録ディスクにおける磁
性材料として使用されている。このようなディスクにお
いては、コバルト・プラチナ（ＣｏＰｔ）合金の六方詰
込構造（ＨＣＰ）の結晶構造が基体上、または中間アン
ダレイヤ上に形成されるので、ＣｏＰｔ薄膜のＣ軸、す
なわち［００２］軸が薄膜の面にあるが、あるいは薄膜
の面内に成分を有しているかのいずれかとなる。
ＣｏＰｔ薄膜の飽和保磁力（Ｈｃ）はプラチナの配合に
よって決定されるものであり、最大Ｈｅがプラチナ約２
０原子パーセント（ａｔ、％）のところで生じる。Ｊ−
Ａ・アボーフ他（Ｊ、 Ａ。
よって決定されるものであり、最大Ｈｅがプラチナ約２
０原子パーセント（ａｔ、％）のところで生じる。Ｊ−
Ａ・アボーフ他（Ｊ、 Ａ。
Ａｂｏａｆ、 ａｔ ａｌ） ｒＣｏ −Ｐ を薄膜の
磁気特性および構造（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ａｎｄ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆＣｏ−Ｐ
ｔ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ） Ｊ 、 Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ磁
気学会報、ＭＡＧ−１９，１５１４（１９８３年）およ
びＭ・キタダ他（Ｍ、 Ｋｉｔａｄａ ｅｔ ａｌ）
ｒスパッタＣｏ−Ｐｔ１膜の磁気特性（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆＳｐｕｔｔｅｒｅｄ
Ｃｏ−Ｐｔ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓ） Ｊ 、日本応
用物理学会報、５４ （１２） 、１９８３年１２月、
ｐｐ。
磁気特性および構造（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ａｎｄ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆＣｏ−Ｐ
ｔ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍ） Ｊ 、 Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ磁
気学会報、ＭＡＧ−１９，１５１４（１９８３年）およ
びＭ・キタダ他（Ｍ、 Ｋｉｔａｄａ ｅｔ ａｌ）
ｒスパッタＣｏ−Ｐｔ１膜の磁気特性（Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆＳｐｕｔｔｅｒｅｄ
Ｃｏ−Ｐｔ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓ） Ｊ 、日本応
用物理学会報、５４ （１２） 、１９８３年１２月、
ｐｐ。
７０８９−７０９４を参照されたい。コバルト・プラチ
ナ薄膜の飽和保磁力その他の特性が、オファ−他（Ｏｐ
ｆｅｒ ｅｔ ａｌ）の「薄膜メモリ・ディスクの開発
（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｍｅｍｏｒｙ ＤｉｓｃＤｅｖ
ｅｌｏｐｍｅｎｔ） Ｊ 、ヒユーレット・パラカード
・ジャーナル（Ｈｅｗｌｅｔｔｅ−Ｐａｃｋａｒｄ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ） 、 １９８５年１１月、ｐｐ、４−１
０という記事で報告されている。
ナ薄膜の飽和保磁力その他の特性が、オファ−他（Ｏｐ
ｆｅｒ ｅｔ ａｌ）の「薄膜メモリ・ディスクの開発
（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｍｅｍｏｒｙ ＤｉｓｃＤｅｖ
ｅｌｏｐｍｅｎｔ） Ｊ 、ヒユーレット・パラカード
・ジャーナル（Ｈｅｗｌｅｔｔｅ−Ｐａｃｋａｒｄ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ） 、 １９８５年１１月、ｐｐ、４−１
０という記事で報告されている。
磁性層の耐食性を改善するためクロムが添加されたコバ
ルト・プラチナ・クロム（ＣｏＰｔＣｒ）磁性層を有す
る薄膜ディスクが、１９８４年５月２２日公開の特願昭
５７−１９８５６８号に記載されている。ＣｏＰｔＣｒ
磁性層が適当な基体上に形成されたニッケル・リン（Ｎ
ｉｐ）薄膜上に水堆積される。
ルト・プラチナ・クロム（ＣｏＰｔＣｒ）磁性層を有す
る薄膜ディスクが、１９８４年５月２２日公開の特願昭
５７−１９８５６８号に記載されている。ＣｏＰｔＣｒ
磁性層が適当な基体上に形成されたニッケル・リン（Ｎ
ｉｐ）薄膜上に水堆積される。
ある種の型式のディスクにおけるＣｏＰｔ磁気薄膜の飽
和保磁力を改善するために、クロム（Ｃｒ）のアンダレ
イヤが基体とＣｏＰｔ磁性層の間に形成されることがし
ばしばあるａ Ｃｏ Ｐ を薄膜ディスクにクロムのア
ンダレイヤを使うことは、上述のオファ−他の文献、お
よび１９８５年６月１９日に公開され、ヒユーレット・
パラカード社に譲渡されたヨーロッパ特許出願第１４５
１５７号に記載されている。
和保磁力を改善するために、クロム（Ｃｒ）のアンダレ
イヤが基体とＣｏＰｔ磁性層の間に形成されることがし
ばしばあるａ Ｃｏ Ｐ を薄膜ディスクにクロムのア
ンダレイヤを使うことは、上述のオファ−他の文献、お
よび１９８５年６月１９日に公開され、ヒユーレット・
パラカード社に譲渡されたヨーロッパ特許出願第１４５
１５７号に記載されている。
水平記録用のある種の型式の薄膜ディスクにおける強化
層としてタングステン（Ｗ）を使うことは、ダビン他（
Ｄｕｂｉｎ、 ｅｔ ａｌ）の「選択された腐食環境に
おけるコバルト・ベースの薄謀記録材料の劣化（Ｄｅｇ
ｒａｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｂａｌｔ−ｂａｓｅｄ
Ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ ｉｎ ５ｅｌｅｃｔｅｄＣｏｒｒｏｓｉｖｅ
Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ） Ｊ 、日本応用物理学会
報、５３ （３）、１９８２年３月、ｐｐ・２５７９−
２５８１という記事で示唆されている。ダビン他の記事
には、厚さ１０００人のタングステン・アンダレイヤを
使って、コバルト・ニッケル・タングステン（ＣｏＮｉ
Ｗ）およびコバルト・ニッケル（ＣｏＮｉ）の磁気層に
おけるエピタキシアル結晶成長を促進することが記載さ
れている。
層としてタングステン（Ｗ）を使うことは、ダビン他（
Ｄｕｂｉｎ、 ｅｔ ａｌ）の「選択された腐食環境に
おけるコバルト・ベースの薄謀記録材料の劣化（Ｄｅｇ
ｒａｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｂａｌｔ−ｂａｓｅｄ
Ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍａｔｅｒ
ｉａｌｓ ｉｎ ５ｅｌｅｃｔｅｄＣｏｒｒｏｓｉｖｅ
Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ） Ｊ 、日本応用物理学会
報、５３ （３）、１９８２年３月、ｐｐ・２５７９−
２５８１という記事で示唆されている。ダビン他の記事
には、厚さ１０００人のタングステン・アンダレイヤを
使って、コバルト・ニッケル・タングステン（ＣｏＮｉ
Ｗ）およびコバルト・ニッケル（ＣｏＮｉ）の磁気層に
おけるエピタキシアル結晶成長を促進することが記載さ
れている。
１９８４年１２月１９日付で公開された特開昭５９−２
２７１０７号には、磁気記録媒体が記載されており、こ
の媒体において磁性薄膜はコバルト、プラチナおよびタ
ングステンを含んでおり。
２７１０７号には、磁気記録媒体が記載されており、こ
の媒体において磁性薄膜はコバルト、プラチナおよびタ
ングステンを含んでおり。
プラチナはＣｏＰｔＷ合金の４ないし１５ａｔ。
％、タングステンは０．５ないし８ａｔ、％である。こ
の日本の文献はコバルト・プラチナ合金にタングステン
を添加することによって、飽和保磁力が大幅に改善され
ることを示している。
の日本の文献はコバルト・プラチナ合金にタングステン
を添加することによって、飽和保磁力が大幅に改善され
ることを示している。
この出願と同じ譲受人に譲渡された、この出願と同時に
出願された米国特許顆第７９１９６３号には、垂直記録
のため後で堆積される磁気薄膜に対する核生成層を形成
するための、コバルト・タングステン（Ｃｏ、Ｗ）など
の金属間化合物の特別に堆積される層が記載されている
。
出願された米国特許顆第７９１９６３号には、垂直記録
のため後で堆積される磁気薄膜に対する核生成層を形成
するための、コバルト・タングステン（Ｃｏ、Ｗ）など
の金属間化合物の特別に堆積される層が記載されている
。
１９８５年５月８日付けで公開され、この出願と同じ譲
受人に譲渡されたヨーロッパ特許願第１４０５１３号は
、ＷＣｏ合金の非磁性層上に形成されたＣ ｏ Ｐ ｔ
の磁性層を含む、水平磁気記録用構造としてのアンダレ
イヤと磁性層のさまざまな組合せを示唆している。
受人に譲渡されたヨーロッパ特許願第１４０５１３号は
、ＷＣｏ合金の非磁性層上に形成されたＣ ｏ Ｐ ｔ
の磁性層を含む、水平磁気記録用構造としてのアンダレ
イヤと磁性層のさまざまな組合せを示唆している。
Ｃ１発明が解決しようとする問題点
この発明は、飽和保磁力が改善された水平記録用磁気記
録媒体を提供することを口約とする。
録媒体を提供することを口約とする。
Ｄ４問題点を解決するための手段
この発明は、水平記録用の磁気記録媒体の飽和保磁力を
改善するために、タングステン、モリブデン、ニオブお
よびバナジウムから成る群から選択された元素から成る
非磁性アンダレイヤを、コバルト及びプラチナを含む合
金（例えばＣｏＰｊまたはＣｏＰｔＣｒ）から成る磁性
層と基体との間に形成する。タングステンのアンダレイ
ヤと磁気層とはタングステンと磁気層の間の境界面に金
属間化合物Ｃｏ、Ｗを形成するように堆積される。
改善するために、タングステン、モリブデン、ニオブお
よびバナジウムから成る群から選択された元素から成る
非磁性アンダレイヤを、コバルト及びプラチナを含む合
金（例えばＣｏＰｊまたはＣｏＰｔＣｒ）から成る磁性
層と基体との間に形成する。タングステンのアンダレイ
ヤと磁気層とはタングステンと磁気層の間の境界面に金
属間化合物Ｃｏ、Ｗを形成するように堆積される。
タングステンのアンダレイヤを使い、かつ界面領域に金
属間化合物を形成するような態様で、アンダレイヤと磁
気層を堆積することによって、ＣｏＰｔまたはＣｏＰｔ
Ｃｒのディスクの飽和保磁力を改善したり、あるいは同
じ飽和保磁力を少ないプラチナで達成することができる
。
属間化合物を形成するような態様で、アンダレイヤと磁
気層を堆積することによって、ＣｏＰｔまたはＣｏＰｔ
Ｃｒのディスクの飽和保磁力を改善したり、あるいは同
じ飽和保磁力を少ないプラチナで達成することができる
。
Ｅ、実施例
第１図は、この発明による水平記録用磁気記録媒体の一
実施例を示し、基体２の上には、タングステン、モリブ
デン、ニオブおよびバナジウムから成る群から選択され
た元素から成る非磁性層４が形成され、非磁性層４の上
には、コバルトおよびプラチナを含む合金から成る磁性
層６が形成される。
実施例を示し、基体２の上には、タングステン、モリブ
デン、ニオブおよびバナジウムから成る群から選択され
た元素から成る非磁性層４が形成され、非磁性層４の上
には、コバルトおよびプラチナを含む合金から成る磁性
層６が形成される。
この発明にしたがって作製されたＣｏＰｔディスクの改
善された飽和保磁力を従来例との比較において明確にす
るため、基体とＣｏＰｔ磁性層の間にクロムのアンダレ
イヤを有するＣｏＰｔディスクを先ず製造した。厚さ１
０００人のクロム・アンダレイヤをＤＣマグネトロン・
スパッタリングによって、シリコン基体上に３．２Ｘ１
０−３トール（Ｔｏｒｒ）のアルゴン圧力および１２８
℃の基体温度で堆積する。その後、プラチナが２゜ａｔ
、％の、厚さ４００人のコバルト・プラチナ合金（Ｃ０
８゜Ｐｔ２゜）をクロム・アンダレイヤ上に、スパッタ
リング室の真空状態を損なわずにスパッタリングによっ
て堆積する。第２図の曲線Ａはこの薄膜のＭ−Ｈヒステ
リシス・ループであり、１３２０エルステツド（Ｏｅ）
の飽和保磁力と０゜８８７の方形塵Ｓを示すものである
６曲線Ｂはタングステン・アンダレイヤ上に堆積された
同様な厚さのコバルト・プラチナ薄膜のＭ−Ｈループで
ある。この発明の実施例によれば、厚さ１００゜入のタ
ングステン・アンダレイヤがＤＣマグネトロン・スパッ
タリングによって、３８℃の温度に保持されたシリコン
基体上に堆積される。その後、スパッタリング室の真空
状態を損わずに、厚さ４２５人のＣｏ、。Ｐｔ２゜薄膜
をタングステン・アンダレイヤ上にスパッタリングによ
って堆積する。
善された飽和保磁力を従来例との比較において明確にす
るため、基体とＣｏＰｔ磁性層の間にクロムのアンダレ
イヤを有するＣｏＰｔディスクを先ず製造した。厚さ１
０００人のクロム・アンダレイヤをＤＣマグネトロン・
スパッタリングによって、シリコン基体上に３．２Ｘ１
０−３トール（Ｔｏｒｒ）のアルゴン圧力および１２８
℃の基体温度で堆積する。その後、プラチナが２゜ａｔ
、％の、厚さ４００人のコバルト・プラチナ合金（Ｃ０
８゜Ｐｔ２゜）をクロム・アンダレイヤ上に、スパッタ
リング室の真空状態を損なわずにスパッタリングによっ
て堆積する。第２図の曲線Ａはこの薄膜のＭ−Ｈヒステ
リシス・ループであり、１３２０エルステツド（Ｏｅ）
の飽和保磁力と０゜８８７の方形塵Ｓを示すものである
６曲線Ｂはタングステン・アンダレイヤ上に堆積された
同様な厚さのコバルト・プラチナ薄膜のＭ−Ｈループで
ある。この発明の実施例によれば、厚さ１００゜入のタ
ングステン・アンダレイヤがＤＣマグネトロン・スパッ
タリングによって、３８℃の温度に保持されたシリコン
基体上に堆積される。その後、スパッタリング室の真空
状態を損わずに、厚さ４２５人のＣｏ、。Ｐｔ２゜薄膜
をタングステン・アンダレイヤ上にスパッタリングによ
って堆積する。
この薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ループ（第２図の曲線
Ｂ）は、２１４５０ｅの飽和保磁力と、０゜８６４とい
う方形塵Ｓを示すものである。データが第２図に示され
ている２つのディスクには、同じＣＯ，、Ｐｔ２゜スパ
ッタリング・ターゲットが使用された。
Ｂ）は、２１４５０ｅの飽和保磁力と、０゜８６４とい
う方形塵Ｓを示すものである。データが第２図に示され
ている２つのディスクには、同じＣＯ，、Ｐｔ２゜スパ
ッタリング・ターゲットが使用された。
さまざまな厚さのコバルト・プラチナ薄膜をさまざまな
基体堆積温度においてタングステン・アンダレイヤ上に
形成し、これらの薄膜の磁気特性をクロム・アンダレイ
ヤ上に形成されたコバルト・プラチナ薄膜と比較した。
基体堆積温度においてタングステン・アンダレイヤ上に
形成し、これらの薄膜の磁気特性をクロム・アンダレイ
ヤ上に形成されたコバルト・プラチナ薄膜と比較した。
第３図の曲ｍＡは、実験用サンプルのＣｏ、。Ｐｔ２゜
の厚さが約２４０ないし６４０人の範囲であり、かつ基
体温度を約３０℃と４０”Ｃとの間に維持しながら、厚
さ１０００人のタングステン・アンダレイヤ上にスパッ
タリングによって堆積されたときの飽和保磁力を示すも
のである。このような薄膜の飽和保磁力の値は、第３図
の曲線Ｃで示すように、シリコン基体温度を約１２８℃
に維持しながら、厚さ１０００人のクロム・アンダレイ
ヤ上に堆積したＣＯ，。
の厚さが約２４０ないし６４０人の範囲であり、かつ基
体温度を約３０℃と４０”Ｃとの間に維持しながら、厚
さ１０００人のタングステン・アンダレイヤ上にスパッ
タリングによって堆積されたときの飽和保磁力を示すも
のである。このような薄膜の飽和保磁力の値は、第３図
の曲線Ｃで示すように、シリコン基体温度を約１２８℃
に維持しながら、厚さ１０００人のクロム・アンダレイ
ヤ上に堆積したＣＯ，。
ｐｔｚ、薄膜の飽和保磁力よりもかなり大きなものであ
る。（第２図の曲＠Ａに対応するディスクの飽和保磁力
が第３図の曲ＸＣの対応するディスクのものよりも大幅
に小さいのは、後者が組成に若干の違いのある可能性の
ある異なるＣ ｏ ＠（Ｉ Ｐ ｔｚ。
る。（第２図の曲＠Ａに対応するディスクの飽和保磁力
が第３図の曲ＸＣの対応するディスクのものよりも大幅
に小さいのは、後者が組成に若干の違いのある可能性の
ある異なるＣ ｏ ＠（Ｉ Ｐ ｔｚ。
スパッタリング・ターゲットを用いて製造されたからで
ある）。
ある）。
シリコン基体の温度が約３０ないし４０℃から１２８℃
に上げられ、同じ厚さの範囲のＣ０８０Ｐｔ２！ｌを厚
さ１０００人タングステン・アンダレイヤ上に堆積した
場合（第３図の曲線Ｂ参照）、結果として得られる飽和
保磁力は相当程度減少するが、依然としてクロム・・ア
ンダレイヤ上に形成されたＣｏＰｔサンプル（第３図の
曲線Ｃ参照）に対するものよりもかなり高いものである
。
に上げられ、同じ厚さの範囲のＣ０８０Ｐｔ２！ｌを厚
さ１０００人タングステン・アンダレイヤ上に堆積した
場合（第３図の曲線Ｂ参照）、結果として得られる飽和
保磁力は相当程度減少するが、依然としてクロム・・ア
ンダレイヤ上に形成されたＣｏＰｔサンプル（第３図の
曲線Ｃ参照）に対するものよりもかなり高いものである
。
第３図の曲線ＡおよびＢで表したＣｏ、。Ｐｔ２゜薄膜
の飽和保磁力の相違を理解するために、タングラステン
・アンダレイヤ上に堆積したｃｏ、。
の飽和保磁力の相違を理解するために、タングラステン
・アンダレイヤ上に堆積したｃｏ、。
Ｐｔ２Ｉ、薄膜を有するシリコン・ディスクに対して、
Ｘ線回折分析を行なった。第４図に示されたＸ線回析曲
線は３８℃のシリコン基体に堆積された厚さ１０００人
のタングステン・アンダレイヤと、Ｈさ６２５人のＣｏ
、。Ｐｔ２゜磁性層を有するシリコン・ディスクに対す
るものである。第４図はＨｃｐのＧｏ、。Ｐｔ２゜磁気
薄膜の（００２）面に対応する４２．６２＠に等しい２
θにおけるピーク強度、および体心立方（ＢＣＣ）タン
グステン・アンダレイヤの（００１）面に対応する３９
゜７°に等しい２θにおけるピーク強度を示している。
Ｘ線回折分析を行なった。第４図に示されたＸ線回析曲
線は３８℃のシリコン基体に堆積された厚さ１０００人
のタングステン・アンダレイヤと、Ｈさ６２５人のＣｏ
、。Ｐｔ２゜磁性層を有するシリコン・ディスクに対す
るものである。第４図はＨｃｐのＧｏ、。Ｐｔ２゜磁気
薄膜の（００２）面に対応する４２．６２＠に等しい２
θにおけるピーク強度、および体心立方（ＢＣＣ）タン
グステン・アンダレイヤの（００１）面に対応する３９
゜７°に等しい２θにおけるピーク強度を示している。
さらに、３５．２５’に等しい２θにおけるピーク強度
は、ＨＣＰのＣｏ、Ｗ金属間化合物の（１１０）面に対
応している。第４図のこのピークは、コバルトとタング
ステンの金属間化合物相がＧｏ、。ｐｔ、ｏとＷの層の
間の境界面領域に存在していることを確認するものであ
る。ＨＣＰのＣｏ、Ｗに対する（１１０）の反射は、Ｃ
ｏ、ＷのＣ軸の［００２］成分が薄膜の面内にあること
を意味する。ＨＣＰのＣｏ、Ｗに対する（１１０）の反
射は、１２８℃で堆積されたタングステン・アンダレイ
ヤ上のＣｏ、。Ｐｔ２゜薄膜（すなわち、データが第３
図の曲線Ｂで表されているディスク）のＸ線回折分析で
は検出されない、それ故、第４図に示した結果は、タン
グステン・アンダレイヤ上にＣＯｌ、Ｐｔ、。を比較的
低温で堆積することによって、ＣｏとＷの間の境界面反
応が生じ、これは界面に配向性の高い六方Ｃｏ、Ｗ相を
もたらす。
は、ＨＣＰのＣｏ、Ｗ金属間化合物の（１１０）面に対
応している。第４図のこのピークは、コバルトとタング
ステンの金属間化合物相がＧｏ、。ｐｔ、ｏとＷの層の
間の境界面領域に存在していることを確認するものであ
る。ＨＣＰのＣｏ、Ｗに対する（１１０）の反射は、Ｃ
ｏ、ＷのＣ軸の［００２］成分が薄膜の面内にあること
を意味する。ＨＣＰのＣｏ、Ｗに対する（１１０）の反
射は、１２８℃で堆積されたタングステン・アンダレイ
ヤ上のＣｏ、。Ｐｔ２゜薄膜（すなわち、データが第３
図の曲線Ｂで表されているディスク）のＸ線回折分析で
は検出されない、それ故、第４図に示した結果は、タン
グステン・アンダレイヤ上にＣＯｌ、Ｐｔ、。を比較的
低温で堆積することによって、ＣｏとＷの間の境界面反
応が生じ、これは界面に配向性の高い六方Ｃｏ、Ｗ相を
もたらす。
この境界面は薄膜の面におけるＣ Ｏａａ Ｐ ｔ ｔ
ｏのＣ軸の配向性を高める。
ｏのＣ軸の配向性を高める。
シリコン基体上の厚さ１０００人のＷのアンダレイヤ上
に堆積された厚さ６２５人のＣＣＯ＊ａＰ ｔＸｏ）
ｓａｃ ｒｚ。の磁性層を有する薄膜ディスクも、すぐ
れた磁気特性を示す。このディスクは２８°Ｃの基体温
度において別個のＣｏ、。ｐｔ工。およびＣｒのターゲ
ットを使った、ＤＣマグネトロン・スパッタリングによ
って形成される。ディスクはＨｃ＝９７００ｅ、飽和保
磁力方形度Ｓ＊＝Ｑ。
に堆積された厚さ６２５人のＣＣＯ＊ａＰ ｔＸｏ）
ｓａｃ ｒｚ。の磁性層を有する薄膜ディスクも、すぐ
れた磁気特性を示す。このディスクは２８°Ｃの基体温
度において別個のＣｏ、。ｐｔ工。およびＣｒのターゲ
ットを使った、ＤＣマグネトロン・スパッタリングによ
って形成される。ディスクはＨｃ＝９７００ｅ、飽和保
磁力方形度Ｓ＊＝Ｑ。
８９、および残留磁気−厚さ積Ｍｒ−ｔ＝＝１．６８ｘ
ｌＯ−３ｅｍｕ／ｃｍ”である、このディスクのＸ線回
折分析は第５図に示されており、Ｇｏ、Ｗ境界面領域の
（１１０）面に対応する２θ＝３５．１６”において強
いピークを表し、これによってＷのアンダレイヤと（Ｃ
ｏ、。ｐｔ工。）、。Ｃｒ２．の磁性層との間にＧｏ、
Ｗの境界面が形成されていることが確認される。
ｌＯ−３ｅｍｕ／ｃｍ”である、このディスクのＸ線回
折分析は第５図に示されており、Ｇｏ、Ｗ境界面領域の
（１１０）面に対応する２θ＝３５．１６”において強
いピークを表し、これによってＷのアンダレイヤと（Ｃ
ｏ、。ｐｔ工。）、。Ｃｒ２．の磁性層との間にＧｏ、
Ｗの境界面が形成されていることが確認される。
この明細書において使用した場合、「金属間化合物」と
いう語は合金という形態での単純な混合物ではなく、成
分が一定の化学量論的な割合で存在しているので、ｆｆ
ｌ成を本質的に化学式で表すことができる化学組成を指
すものとする。コバルトとタングステンなどの２つの元
素の金属間二元化合物は中間相であって、コバルト原子
２個とタングステン原子１個という離散的化学量論比で
のみ存在するものである。Ｃｏ、Ｗの金属間化合物は「
二元合金の成分（Ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｂ
ｉｎａｒｙＡｌｌｏｙＳ） Ｊマグロ−・ヒル（ＭｃＧ
ｒａｗ ）ｆｉｌｌ）、 １９５８年、Ｐ、５１９など
におけるコバルトおよびタングステンに関する公表され
ている状態図に示されている。
いう語は合金という形態での単純な混合物ではなく、成
分が一定の化学量論的な割合で存在しているので、ｆｆ
ｌ成を本質的に化学式で表すことができる化学組成を指
すものとする。コバルトとタングステンなどの２つの元
素の金属間二元化合物は中間相であって、コバルト原子
２個とタングステン原子１個という離散的化学量論比で
のみ存在するものである。Ｃｏ、Ｗの金属間化合物は「
二元合金の成分（Ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｂ
ｉｎａｒｙＡｌｌｏｙＳ） Ｊマグロ−・ヒル（ＭｃＧ
ｒａｗ ）ｆｉｌｌ）、 １９５８年、Ｐ、５１９など
におけるコバルトおよびタングステンに関する公表され
ている状態図に示されている。
この明ｍ書で説明したすべての実験例において。
基体は半導体グレードの単結晶シリコンであった。
シリコン基体を使った場合、アンダレイヤは磁性層のＣ
軸の配向がフィルムの面内にあるようにする必要がある
。この発明のタングステン・アンダレイヤはこの目的に
役立つものである。しかしながら、基体がアルミニウム
合金ディスク上に形成されたニッケル・リン（ＮｉＰ）
薄膜などの他の材料である場合には、アンダレイヤは絶
対に必要だというものではないが、磁気層の面内Ｃ軸配
向を改善するのに有益なものである。この発明のタング
ステン・アンダレイヤは磁気層の面内Ｃ軸配向を強め、
これによって基板がアルミニウム合金ディスク上に形成
されたＮｉＰ薄膜である場合に、薄膜ディスクの磁気特
性を改善するものである。
軸の配向がフィルムの面内にあるようにする必要がある
。この発明のタングステン・アンダレイヤはこの目的に
役立つものである。しかしながら、基体がアルミニウム
合金ディスク上に形成されたニッケル・リン（ＮｉＰ）
薄膜などの他の材料である場合には、アンダレイヤは絶
対に必要だというものではないが、磁気層の面内Ｃ軸配
向を改善するのに有益なものである。この発明のタング
ステン・アンダレイヤは磁気層の面内Ｃ軸配向を強め、
これによって基板がアルミニウム合金ディスク上に形成
されたＮｉＰ薄膜である場合に、薄膜ディスクの磁気特
性を改善するものである。
この明細書で説明した実験例はアンダレイヤとしてタン
グステンを使用したものに限定されているが、ニオブ（
Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）およびバナジウム（Ｖ）な
どの他の耐熱金属もＣ。
グステンを使用したものに限定されているが、ニオブ（
Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）およびバナジウム（Ｖ）な
どの他の耐熱金属もＣ。
ｐｔおよびＣｏ Ｐ ｔ Ｃｒの薄膜の配向を強める。
これは、このような金属がコバルトとＨＣＰの金属間化
合物を形成することが知られているからである。これら
の化合物はそれぞれ、Ｃｏ２Ｎｂ、Ｃｏ 、 Ｍ ｏお
よびＣｏ、Ｖである。
合物を形成することが知られているからである。これら
の化合物はそれぞれ、Ｃｏ２Ｎｂ、Ｃｏ 、 Ｍ ｏお
よびＣｏ、Ｖである。
上記の説明は水平記録媒体において基体上に磁気層およ
びアンダレイヤを形成することだけに関連するものであ
って、媒体および媒体製造工程の公知の態様に関連する
ものではない。たとえば、薄膜合金ディスクの製造にお
いて、磁性層上にスバッタされ、本質的に非晶質のカー
ボン・フィルムなどの保Ｉｆｆを与えたり、場合によっ
ては、保護層と磁気層の間にチタンのスパッタされた薄
膜などの接着層を与えることは周知である。
びアンダレイヤを形成することだけに関連するものであ
って、媒体および媒体製造工程の公知の態様に関連する
ものではない。たとえば、薄膜合金ディスクの製造にお
いて、磁性層上にスバッタされ、本質的に非晶質のカー
ボン・フィルムなどの保Ｉｆｆを与えたり、場合によっ
ては、保護層と磁気層の間にチタンのスパッタされた薄
膜などの接着層を与えることは周知である。
Ｆ０発明の効果
この発明によれば、水平記録用磁気記録媒体の飽和保磁
力を改善することができる。
力を改善することができる。
第１図は、この発明による水平記録用磁気記録媒体の一
実施例を示す断面図である。 第２図は、タングステンのアンダレイヤ上に形成された
ＣｏＰｔ薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ループを、クロム
のアンダレイヤ上に形成されたＣｏＰｔ薄膜のそれと比
較して示すグラフである。 第３図は、さまざまな基体堆積温度においてタングステ
ンとクロムのアンダレイヤに堆積されたさまざまな厚さ
のＣｏＰｔ薄膜の飽和保磁力を示すグラフである。 第４図は、タングステンとＣｏＰｔ層との間の境界面領
域にＣｏ、Ｗという金属間化合物が形成される、タング
ステンのアンダレイヤ上に堆積されたＣ ｏ Ｐ を薄
膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。 第５図は、タングステンとＣｏＰｔＣｒ層との間の境界
面領域にＣｏ、Ｗという金属間化合物が形成される、タ
ングステンのアンダレイヤ上に堆積されたＣｏＰｔＣｒ
薄膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。 ２・・・・基体、４・・・・非磁性層、６・・・・磁性
層。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生（外１名） ａ性雇 孤扼記祿憔体の断面図 第１図
実施例を示す断面図である。 第２図は、タングステンのアンダレイヤ上に形成された
ＣｏＰｔ薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ループを、クロム
のアンダレイヤ上に形成されたＣｏＰｔ薄膜のそれと比
較して示すグラフである。 第３図は、さまざまな基体堆積温度においてタングステ
ンとクロムのアンダレイヤに堆積されたさまざまな厚さ
のＣｏＰｔ薄膜の飽和保磁力を示すグラフである。 第４図は、タングステンとＣｏＰｔ層との間の境界面領
域にＣｏ、Ｗという金属間化合物が形成される、タング
ステンのアンダレイヤ上に堆積されたＣ ｏ Ｐ を薄
膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。 第５図は、タングステンとＣｏＰｔＣｒ層との間の境界
面領域にＣｏ、Ｗという金属間化合物が形成される、タ
ングステンのアンダレイヤ上に堆積されたＣｏＰｔＣｒ
薄膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。 ２・・・・基体、４・・・・非磁性層、６・・・・磁性
層。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生（外１名） ａ性雇 孤扼記祿憔体の断面図 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体と、 タングステン、モリブデン、ニオブおよびバナジウムか
ら成る群から選択された元素から前記基体上に形成され
た非磁性層と、 コバルトおよびプラチナを含む合金から成り、前記非磁
性層上に形成された磁性層と を具備する水平記録用磁気前記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/857,019 US4654276A (en) | 1986-04-29 | 1986-04-29 | Magnetic recording medium with an underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
| US857019 | 2010-08-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257617A true JPS62257617A (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0557646B2 JPH0557646B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=25324986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046946A Granted JPS62257617A (ja) | 1986-04-29 | 1987-03-03 | 磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4654276A (ja) |
| EP (1) | EP0243604B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62257617A (ja) |
| CA (1) | CA1269894A (ja) |
| DE (1) | DE3781712T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511761B1 (en) | 1999-12-24 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic storage apparatus |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2522246B2 (ja) * | 1986-05-06 | 1996-08-07 | ブラザー工業株式会社 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
| US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
| US4778582A (en) * | 1987-06-02 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat |
| EP0302706B1 (en) * | 1987-08-06 | 1994-07-27 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | In-plane magnetic disc |
| US5063120A (en) * | 1988-02-25 | 1991-11-05 | International Business Machines Corporation | Thin film magentic media |
| US4929514A (en) * | 1988-03-22 | 1990-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin film media for high density longitudinal magnetic recording |
| US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
| US4995923A (en) * | 1988-10-17 | 1991-02-26 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Thin film of amorphous alloy |
| US4902583A (en) * | 1989-03-06 | 1990-02-20 | Brucker Charles F | Thick deposited cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof |
| US5106703A (en) * | 1989-11-27 | 1992-04-21 | Carcia Peter F | Platinum/cobalt multilayer film for magneto-optical recording |
| US5112699A (en) * | 1990-03-12 | 1992-05-12 | International Business Machines Corporation | Metal-metal epitaxy on substrates and method of making |
| JPH07118417B2 (ja) * | 1990-12-21 | 1995-12-18 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録媒体 |
| US5149409A (en) * | 1991-01-11 | 1992-09-22 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating thin film metal alloy magnetic recording disks to selectively variable coercivities |
| US5466524A (en) * | 1992-05-07 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Barium hexaferrite-silicon nitride-carbon magnetic recording medium |
| DE69318345T2 (de) * | 1992-06-26 | 1998-11-19 | Eastman Kodak Co | Kobalt-Platin magnetischer Film und Herstellungsverfahren |
| US5693198A (en) * | 1992-06-30 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | Method of producing a magnetic recording medium |
| US5580667A (en) * | 1992-06-30 | 1996-12-03 | Hmt Technology Corporation | Multilayered medium with gradient isolation layer |
| US5581417A (en) * | 1992-12-11 | 1996-12-03 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for anhysteretically recording from master drum to slave web |
| US5567523A (en) * | 1994-10-19 | 1996-10-22 | Kobe Steel Research Laboratories, Usa, Applied Electronics Center | Magnetic recording medium comprising a carbon substrate, a silicon or aluminum nitride sub layer, and a barium hexaferrite magnetic layer |
| JPH08147665A (ja) | 1994-11-11 | 1996-06-07 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置 |
| US5750270A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-12 | Conner Peripherals, Inc. | Multi-layer magnetic recording media |
| JPH08227515A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 面内記録用磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH08329442A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5778302A (en) * | 1995-09-14 | 1998-07-07 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of making Cr-Me sputter targets and targets produced thereby |
| US6143388A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-07 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with onset layer |
| US7314675B1 (en) | 2003-01-30 | 2008-01-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic media with high Ms magnetic layer |
| US7298588B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-11-20 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media using directly textured glass |
| US20060234089A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Imation Corp. | Multi-layered sputtered thin metal film recording medium comprising a tungsten seed layer and a chromium-titanium-tungsten intermediate layer |
| US7670694B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Media for recording devices |
| US20090274932A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Imation Corp. | Sputtered metal film recording medium including texture promotion layer |
| CN104080840B (zh) | 2012-01-18 | 2016-08-31 | 芮宝生医股份有限公司 | 磁性微粒复合物的制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246945A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-28 | 株式会社 梅彦 | 白華防止セメント |
| JPS62128019A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS62223813A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3321328A (en) * | 1962-11-15 | 1967-05-23 | Ibm | Coating of aluminum substrates with a magnetic material |
| JPS57205821A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-17 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| US4438066A (en) * | 1981-06-30 | 1984-03-20 | International Business Machines Corporation | Zero to low magnetostriction, high coercivity, polycrystalline, Co-Pt magnetic recording media |
| JPS59198568A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
| JPS59227107A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録用媒体 |
| EP0140513A1 (en) * | 1983-08-24 | 1985-05-08 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording structures |
| US4610911A (en) * | 1983-11-03 | 1986-09-09 | Hewlett-Packard Company | Thin film magnetic recording media |
| EP0241155B1 (en) * | 1986-03-31 | 1990-03-28 | Unisys Corporation | Depositing vanadium underlayer for magnetic films |
-
1986
- 1986-04-29 US US06/857,019 patent/US4654276A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-24 EP EP87102620A patent/EP0243604B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-24 DE DE8787102620T patent/DE3781712T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-03-03 JP JP62046946A patent/JPS62257617A/ja active Granted
- 1987-03-13 CA CA000532014A patent/CA1269894A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246945A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-28 | 株式会社 梅彦 | 白華防止セメント |
| JPS62128019A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS62223813A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511761B1 (en) | 1999-12-24 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic storage apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3781712T2 (de) | 1993-04-01 |
| EP0243604A2 (en) | 1987-11-04 |
| EP0243604A3 (en) | 1989-08-23 |
| DE3781712D1 (de) | 1992-10-22 |
| US4654276A (en) | 1987-03-31 |
| CA1269894A (en) | 1990-06-05 |
| EP0243604B1 (en) | 1992-09-16 |
| JPH0557646B2 (ja) | 1993-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62257617A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US4677032A (en) | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure | |
| US4652499A (en) | Magnetic recording medium with a chromium alloy underlayer and a cobalt-based magnetic layer | |
| EP0243860B1 (en) | A multilayered vertical magnetic recording medium | |
| US4632883A (en) | Vertical recording medium with improved perpendicular magnetic anisotropy due to influence of beta-tantalum underlayer | |
| US6620531B1 (en) | Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution | |
| US4657824A (en) | Vertical magnetic recording medium with an intermetallic compound nucleating layer | |
| US7105240B2 (en) | Perpendicular media with improved corrosion performance | |
| US5759682A (en) | Thin film magnetic recording medium | |
| US5316631A (en) | Method for fabricating a magnetic recording medium | |
| US5154983A (en) | Magnetic alloy | |
| JPH07118417B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3052915B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0775062B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0817032A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS61113122A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH0582653B2 (ja) | ||
| JPH07141638A (ja) | 磁気記録体 | |
| JP2559984B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0322647B2 (ja) | ||
| JPH0323969B2 (ja) | ||
| JPS63124213A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH05135946A (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0323971B2 (ja) | ||
| JPH05182169A (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 |