JPH0557646B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
この発明は薄膜合金磁気記録媒体に係り、特に
コバルトおよびプラチナを含む合金が磁性層を形
成している、水平磁気記録用の薄膜合金デイスク
に関するものである。
コバルトおよびプラチナを含む合金が磁性層を形
成している、水平磁気記録用の薄膜合金デイスク
に関するものである。
Ｂ 従来技術
プラチナ濃度がさまざまの比率のコバルトとプ
ラチナの合金が、水平記録用の薄膜磁気記録デイ
スクにおける磁性材料として使用されている。こ
のようなデイスクにおいては、コバルト・プラチ
ナ（CoPt）合金の六方詰込構造（HCP）の結晶
構造が基体上、または中間アンダレイヤ上に形成
されるので、CoPt薄膜のＣ軸、すなわち［002］
軸が薄膜の面にあるか、あるいは薄膜の面内に成
分を有しているかのいずれかとなる。
ラチナの合金が、水平記録用の薄膜磁気記録デイ
スクにおける磁性材料として使用されている。こ
のようなデイスクにおいては、コバルト・プラチ
ナ（CoPt）合金の六方詰込構造（HCP）の結晶
構造が基体上、または中間アンダレイヤ上に形成
されるので、CoPt薄膜のＣ軸、すなわち［002］
軸が薄膜の面にあるか、あるいは薄膜の面内に成
分を有しているかのいずれかとなる。
CoPt薄膜の飽和保磁力（Hc）はプラチナの配
合によつて決定されるものであり、最大Hcがプ
ラチナ約20原子パーセント（at.％）のところで
生じる。Ｊ・Ａ・アボーフ他（J.A.Aboaf、et
al）「Co−Pt薄膜の磁気特性および構造
（Magnetic Properties and Structure of Co−
Pt Thin Film）」、IEEE磁気学会報、MAG−
19、1514（1983年）およびＭ・キタダ他（M.
Kitada et al）「スパツタCo−Pt薄膜の磁気特性
（Magnetic Properties of Sputtered Co−Pt
Thin Films）」、日本応用物理学会報、54(12)、
1983年12月、pp.7089−7094を参照されたい。コ
バルト・プラチナ薄膜の飽和保磁力その他の特性
が、オフアー他（Opfer et al）の「薄膜メモ
リ・デイスクの開発（Thin−Film Memory
Disc Development）」、ヒユーレツト・パツカー
ド・ジヤーナル（Hewlette−Packard
Journal）、1985年11月、pp.4−10という記事で報
告されている。
合によつて決定されるものであり、最大Hcがプ
ラチナ約20原子パーセント（at.％）のところで
生じる。Ｊ・Ａ・アボーフ他（J.A.Aboaf、et
al）「Co−Pt薄膜の磁気特性および構造
（Magnetic Properties and Structure of Co−
Pt Thin Film）」、IEEE磁気学会報、MAG−
19、1514（1983年）およびＭ・キタダ他（M.
Kitada et al）「スパツタCo−Pt薄膜の磁気特性
（Magnetic Properties of Sputtered Co−Pt
Thin Films）」、日本応用物理学会報、54(12)、
1983年12月、pp.7089−7094を参照されたい。コ
バルト・プラチナ薄膜の飽和保磁力その他の特性
が、オフアー他（Opfer et al）の「薄膜メモ
リ・デイスクの開発（Thin−Film Memory
Disc Development）」、ヒユーレツト・パツカー
ド・ジヤーナル（Hewlette−Packard
Journal）、1985年11月、pp.4−10という記事で報
告されている。
磁性層の耐食性を改善するためクロムが添加さ
れたコバルト・プラチナ・クロム（CoPtCr）磁
性層を有する薄膜デイスクが、1984年５月22日公
開の特願昭57−198568号に記載されている。
CoPtCr磁性層が適当な基体上に形成されたニツ
ケル・リン（Nip）薄膜上に堆積される。
れたコバルト・プラチナ・クロム（CoPtCr）磁
性層を有する薄膜デイスクが、1984年５月22日公
開の特願昭57−198568号に記載されている。
CoPtCr磁性層が適当な基体上に形成されたニツ
ケル・リン（Nip）薄膜上に堆積される。
ある種の型式のデイスクにおけるCoPt磁気薄
膜の飽和保磁力を改善するために、クロム（Cr）
のアンダレイヤが基体とCoPt磁性層の間に形成
されることがしばしばある。CoPt薄膜デイスク
にクロムのアンダレイヤを使うことは、上述のオ
フアー他の文献、および1985年６月19日に公開さ
れ、ヒユーレツト・パツカード社に譲渡されたヨ
ーロツパ特許出願第145157号に記載されている。
膜の飽和保磁力を改善するために、クロム（Cr）
のアンダレイヤが基体とCoPt磁性層の間に形成
されることがしばしばある。CoPt薄膜デイスク
にクロムのアンダレイヤを使うことは、上述のオ
フアー他の文献、および1985年６月19日に公開さ
れ、ヒユーレツト・パツカード社に譲渡されたヨ
ーロツパ特許出願第145157号に記載されている。
水平記録用のある種の型式の薄膜デイスクにお
ける強化層としてタングステン(W)を使うことは、
ダビン他（Dubin、et al）の「選択された腐食
環境におけるコバルト・ベースの薄膜記録材料の
劣化（Degradation of Cobalt−based Thin−
film Recording Materials in Selected
Corrosive Environment）」、日本応用物理学会
報、53(3)、1982年３月、pp.2579−2581という記
事で示唆されている。ダビン他の記事には、厚さ
1000Åのタングステン・アンダレイヤを使つて、
コバルト・ニツケル・タングステン（CoNiW）
およびコバルト・ニツケル（CoNi）の磁気層に
おけるエピタキシアル結晶成長を促進することが
記載されている。
ける強化層としてタングステン(W)を使うことは、
ダビン他（Dubin、et al）の「選択された腐食
環境におけるコバルト・ベースの薄膜記録材料の
劣化（Degradation of Cobalt−based Thin−
film Recording Materials in Selected
Corrosive Environment）」、日本応用物理学会
報、53(3)、1982年３月、pp.2579−2581という記
事で示唆されている。ダビン他の記事には、厚さ
1000Åのタングステン・アンダレイヤを使つて、
コバルト・ニツケル・タングステン（CoNiW）
およびコバルト・ニツケル（CoNi）の磁気層に
おけるエピタキシアル結晶成長を促進することが
記載されている。
1984年12月19日付で公開された特開昭59−
227107号には、磁気記録媒体が記載されており、
この媒体において磁性薄膜はコバルト、プラチナ
およびタングステンを含んでおり、プラチナは
CoPtW合金の４ないし15at.％、タングステンは
0.5ないし8at.％である。この日本の文献はコバル
ト・プラチナ合金にタングステンを添加すること
によつて、飽和保磁力が大幅に改善されることを
示している。
227107号には、磁気記録媒体が記載されており、
この媒体において磁性薄膜はコバルト、プラチナ
およびタングステンを含んでおり、プラチナは
CoPtW合金の４ないし15at.％、タングステンは
0.5ないし8at.％である。この日本の文献はコバル
ト・プラチナ合金にタングステンを添加すること
によつて、飽和保磁力が大幅に改善されることを
示している。
この出願と同じ譲渡人に譲渡された、この出願
と同時に出願された米国特許第791963号には、垂
直記録のため後で堆積される磁気薄膜に対する核
生成層を形成するための、コバルト・タングステ
ン（Co3W）などの金属間化合物の特別に堆積さ
れる層が記載されている。
と同時に出願された米国特許第791963号には、垂
直記録のため後で堆積される磁気薄膜に対する核
生成層を形成するための、コバルト・タングステ
ン（Co3W）などの金属間化合物の特別に堆積さ
れる層が記載されている。
1985年５月８日付けで公開され、この出願と同
じ譲受人に譲渡されたヨーロツパ特許第140513号
は、WCo合金の非磁性層上に形成されたCoPtの
磁性層を含む、水平磁気記録用構造としてのアン
ダレイヤと磁性層のさまざまな組合せを示唆して
いる。
じ譲受人に譲渡されたヨーロツパ特許第140513号
は、WCo合金の非磁性層上に形成されたCoPtの
磁性層を含む、水平磁気記録用構造としてのアン
ダレイヤと磁性層のさまざまな組合せを示唆して
いる。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
この発明は、飽和保磁力が改善された水平記録
用磁気記録媒体を提供することを目的とする。
用磁気記録媒体を提供することを目的とする。
Ｄ 問題点を解決するための手段
この発明は、水平記録用の磁気記録媒体の飽和
保磁力を改善するために、タングステン、モリブ
デンおよびバナジウムから成る群から選択された
元素から成る非磁性アンダレイヤを、コバルト及
びプラチナを含む合金（例えばCoPtまたは
CoPtCr）から成る磁性層を基体との間に形成す
る。タングステン等のアンダレイヤと磁気層とは
タングステン等と磁気層の間の境界面に金属間化
合物Co3W等を形成するように堆積される。
保磁力を改善するために、タングステン、モリブ
デンおよびバナジウムから成る群から選択された
元素から成る非磁性アンダレイヤを、コバルト及
びプラチナを含む合金（例えばCoPtまたは
CoPtCr）から成る磁性層を基体との間に形成す
る。タングステン等のアンダレイヤと磁気層とは
タングステン等と磁気層の間の境界面に金属間化
合物Co3W等を形成するように堆積される。
タングステンのアンダレイヤを使い、かつ界面
領域に金属間化合物等を形成するような態様で、
アンダレイヤと磁気層を堆積することによつて、
CoPtまたはCoPtCrのデイスクの飽和保持力を改
善したり、あるいは同じ飽和保磁力を少ないプラ
チナで達成することができる。
領域に金属間化合物等を形成するような態様で、
アンダレイヤと磁気層を堆積することによつて、
CoPtまたはCoPtCrのデイスクの飽和保持力を改
善したり、あるいは同じ飽和保磁力を少ないプラ
チナで達成することができる。
Ｅ 実施例
第１図は、この発明による水平記録用磁気記録
媒体の一実施例を示し、基体２の上には、タング
ステン、モリブデンおよびバナジウムから成る群
から選択された元素から成る非磁性層４が形成さ
れ、非磁性層４の上には、コバルトおよびプラチ
ナを含む合金から成る磁性層６が形成される。
媒体の一実施例を示し、基体２の上には、タング
ステン、モリブデンおよびバナジウムから成る群
から選択された元素から成る非磁性層４が形成さ
れ、非磁性層４の上には、コバルトおよびプラチ
ナを含む合金から成る磁性層６が形成される。
この発明にしたがつて作製されたCoPtデイス
クの改善された飽和保磁力を従来例との比較にお
いて明確にするため、基体とCoPt磁性層の間に
クロムのアンダレイヤを有するCoPtデイスクを
先ず製造した。厚さ1000Åのクロム・アンダレイ
ヤをDCマグネトロン・スパツタリングによつて、
シリコン基体上に3.2×10-3トール（Torr）のア
ルゴン圧力および128℃の基体温度で堆積する。
その後、プラチナが20at.％の、厚さ400Åのコバ
ルト・プラチナ合金（Co80Pt20）をクロム・アン
ダレイヤ上に、スパツタリング室の真空状態を損
なわずにスパツタリングによつて堆積する。第２
図の曲線Ａはこの薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ル
ープであり、1320エルステツド（Oe）の飽和保
磁力と0.887の方形度Ｓを示すものである。曲線
Ｂはタングステン・アンダレイヤ上に堆積された
同様な厚さのコバルト・プラチナ薄膜のＭ−Ｈル
ープである。この発明の実施例によれば、厚さ
1000Åのタングステン・アンダレイヤがDCマグ
ネトロン・スパツタリングによつて、38℃の温度
に保持されたシリコン基体上に堆積される。その
後、スパツタリング室の真空状態を損わずに、厚
さ425ÅのCo80Pt20薄膜をタングステン・アンダ
レイヤ上にスパツタリングによつて何度で堆積す
る。この薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ループ（第
２図の曲線Ｂ）は、2145Oeの飽和保持力と、
0.864という方形度Ｓを示すものである。データ
が第２図に示されている２つのデイスクには、同
じCo80Pt20スパツタリング・ターゲツトが使用さ
れた。
クの改善された飽和保磁力を従来例との比較にお
いて明確にするため、基体とCoPt磁性層の間に
クロムのアンダレイヤを有するCoPtデイスクを
先ず製造した。厚さ1000Åのクロム・アンダレイ
ヤをDCマグネトロン・スパツタリングによつて、
シリコン基体上に3.2×10-3トール（Torr）のア
ルゴン圧力および128℃の基体温度で堆積する。
その後、プラチナが20at.％の、厚さ400Åのコバ
ルト・プラチナ合金（Co80Pt20）をクロム・アン
ダレイヤ上に、スパツタリング室の真空状態を損
なわずにスパツタリングによつて堆積する。第２
図の曲線Ａはこの薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ル
ープであり、1320エルステツド（Oe）の飽和保
磁力と0.887の方形度Ｓを示すものである。曲線
Ｂはタングステン・アンダレイヤ上に堆積された
同様な厚さのコバルト・プラチナ薄膜のＭ−Ｈル
ープである。この発明の実施例によれば、厚さ
1000Åのタングステン・アンダレイヤがDCマグ
ネトロン・スパツタリングによつて、38℃の温度
に保持されたシリコン基体上に堆積される。その
後、スパツタリング室の真空状態を損わずに、厚
さ425ÅのCo80Pt20薄膜をタングステン・アンダ
レイヤ上にスパツタリングによつて何度で堆積す
る。この薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ループ（第
２図の曲線Ｂ）は、2145Oeの飽和保持力と、
0.864という方形度Ｓを示すものである。データ
が第２図に示されている２つのデイスクには、同
じCo80Pt20スパツタリング・ターゲツトが使用さ
れた。
さまざまな厚さのコバルト・プラチナ薄膜をさ
まざまな基体堆積温度においてタングステン・ア
ンダレイヤ上に形成し、これらの薄膜の磁気特性
をクロム・アンダレイヤ上に形成されたコバル
ト・プラチナ薄膜と比較した。第３図の曲線Ａ
は、実験用サンプルのCo80Pt20の厚さが約240な
いし640Åの範囲であり、かつ基体温度を約30℃
と40℃との間に維持しながら、厚さ1000Åのタン
グステン・アンダレイヤ上にスパツタリングによ
つて堆積されたときの飽和保磁力を示すものであ
る。このような薄膜の飽和保磁力の値は、第３図
の曲線Ｃで示すように、シリコン基体温度を約
128℃に維持しながら、厚さ1000Åのクロム・ア
ンダレイヤ上に堆積したCo80Pt20薄膜の飽和保磁
力よりもかなり大きなものである。（第２図の曲
線Ａに対応するデイスクの飽和保持力が第３図の
曲線Ｃの対応するデイスクのものよりも大幅に小
さいのは、後者が組成に若干違いのある可能性の
ある異なるCo80Pt20スパツタリング・ターゲツト
を用いて製造されたからである）。
まざまな基体堆積温度においてタングステン・ア
ンダレイヤ上に形成し、これらの薄膜の磁気特性
をクロム・アンダレイヤ上に形成されたコバル
ト・プラチナ薄膜と比較した。第３図の曲線Ａ
は、実験用サンプルのCo80Pt20の厚さが約240な
いし640Åの範囲であり、かつ基体温度を約30℃
と40℃との間に維持しながら、厚さ1000Åのタン
グステン・アンダレイヤ上にスパツタリングによ
つて堆積されたときの飽和保磁力を示すものであ
る。このような薄膜の飽和保磁力の値は、第３図
の曲線Ｃで示すように、シリコン基体温度を約
128℃に維持しながら、厚さ1000Åのクロム・ア
ンダレイヤ上に堆積したCo80Pt20薄膜の飽和保磁
力よりもかなり大きなものである。（第２図の曲
線Ａに対応するデイスクの飽和保持力が第３図の
曲線Ｃの対応するデイスクのものよりも大幅に小
さいのは、後者が組成に若干違いのある可能性の
ある異なるCo80Pt20スパツタリング・ターゲツト
を用いて製造されたからである）。
シリコン基体の温度が約30ないし40℃から128
℃に上げられ、同じ厚さの範囲のCo80Pt20を厚さ
1000Åタングステン・アンダレイヤ上に堆積した
場合（第３図の曲線Ｂ参照）、結果として得られ
る飽和保磁力は相当程度減少するのが、依然とし
てクロム・アンダレイヤ上に形成されたCoPtサ
ンプル（第３図の曲線Ｃ参照）に対するものより
もかなり高いものである。
℃に上げられ、同じ厚さの範囲のCo80Pt20を厚さ
1000Åタングステン・アンダレイヤ上に堆積した
場合（第３図の曲線Ｂ参照）、結果として得られ
る飽和保磁力は相当程度減少するのが、依然とし
てクロム・アンダレイヤ上に形成されたCoPtサ
ンプル（第３図の曲線Ｃ参照）に対するものより
もかなり高いものである。
第３図の曲線ＡおよびＢで表したCo80Pt20薄膜
の飽和保磁力の相違を理解するために、タングラ
ステン・アンダレイヤ上に堆積したCo80Pt20薄膜
を有するシリコン・デイスクに対して、Ｘ線回折
分析を行なつた。第４図に示されたＸ線回折曲線
は38℃のシリコン基体に堆積された厚さ1000Åの
タングステン・アンダレイヤと、厚さ625Åの
Co80Pt20磁性層を有するシリコン・デイスクに対
するものである。第４図はHCPのCo80Pt20磁気
薄膜の（002）面に対応する42.62°に等しい2θに
おけるピーク強度、および体心立方（BCC）タ
ングステン・アンダレイヤの（110）面に対応す
る39.7°に等しい2θにおけるピーク強度を示して
いる。さらに、35.25°に等しい2θにおけるピーク
強度は、HCPのCo3W金属間化合物の（110）面
に対応している。第４図のこのピークは、コバル
トとタングステンの金属間化合物相がCo80Pt20と
Ｗの層の間の境界面領域に存在していることを確
認するものである。HCPのCo3Wに対する（110）
の反射は、Co3WのＣ軸の［002］成分が薄膜の
面内にあることを意味する。HCPのCo3Wに対す
る（110）の反射は128℃で堆積されたタングステ
ン・アンダレイヤ上のCo80Pt20薄膜（すなわち、
データが第３図の曲線Ｂで表されているデイス
ク）のＸ線回折分析では検出されない。それ故、
第４図に示した結果は、タングステン・アンダレ
イヤ上にCo80Pt20を比較的低温で堆積することに
よつて、CoとＷの間の境界面反応が生じ、これ
は界面に配向性の高い六方Co3W相をもたらす。
この境界面は薄膜の面におけるCo80Pt20のＣ軸の
配向性を高める。
の飽和保磁力の相違を理解するために、タングラ
ステン・アンダレイヤ上に堆積したCo80Pt20薄膜
を有するシリコン・デイスクに対して、Ｘ線回折
分析を行なつた。第４図に示されたＸ線回折曲線
は38℃のシリコン基体に堆積された厚さ1000Åの
タングステン・アンダレイヤと、厚さ625Åの
Co80Pt20磁性層を有するシリコン・デイスクに対
するものである。第４図はHCPのCo80Pt20磁気
薄膜の（002）面に対応する42.62°に等しい2θに
おけるピーク強度、および体心立方（BCC）タ
ングステン・アンダレイヤの（110）面に対応す
る39.7°に等しい2θにおけるピーク強度を示して
いる。さらに、35.25°に等しい2θにおけるピーク
強度は、HCPのCo3W金属間化合物の（110）面
に対応している。第４図のこのピークは、コバル
トとタングステンの金属間化合物相がCo80Pt20と
Ｗの層の間の境界面領域に存在していることを確
認するものである。HCPのCo3Wに対する（110）
の反射は、Co3WのＣ軸の［002］成分が薄膜の
面内にあることを意味する。HCPのCo3Wに対す
る（110）の反射は128℃で堆積されたタングステ
ン・アンダレイヤ上のCo80Pt20薄膜（すなわち、
データが第３図の曲線Ｂで表されているデイス
ク）のＸ線回折分析では検出されない。それ故、
第４図に示した結果は、タングステン・アンダレ
イヤ上にCo80Pt20を比較的低温で堆積することに
よつて、CoとＷの間の境界面反応が生じ、これ
は界面に配向性の高い六方Co3W相をもたらす。
この境界面は薄膜の面におけるCo80Pt20のＣ軸の
配向性を高める。
シリコン基体上の厚さ1000ÅのＷのアンダレイ
ヤ上に堆積された厚さ625Åの（Co90Pt10）80Cr20
の磁性層を有する薄膜デイスクも、すぐれた磁気
特性を示す。このデイスクは28℃の基体温度にお
いて別個のCo90Pt10およびCrのターゲツトを使つ
た、DCマグネトロン・スパツタリングによつて
形成される。デイスクはHc＝970Oe、飽和保磁
力方形度Ｓ＊＝0.89、および残留磁気−厚さ積
Mr・ｔ＝1.68×10-3emu／cm2である。このデイ
スクのＸ線回折分析は第５図に示されており、
Co3W境界面領域の（110）面に対応する2θ＝
35.16°において強いピークを表し、これによつて
Ｗのアンダレイヤと（Co90Pt10）80Cr20の磁性層と
の間にCo3Wの境界面が形成されていることが確
認される。
ヤ上に堆積された厚さ625Åの（Co90Pt10）80Cr20
の磁性層を有する薄膜デイスクも、すぐれた磁気
特性を示す。このデイスクは28℃の基体温度にお
いて別個のCo90Pt10およびCrのターゲツトを使つ
た、DCマグネトロン・スパツタリングによつて
形成される。デイスクはHc＝970Oe、飽和保磁
力方形度Ｓ＊＝0.89、および残留磁気−厚さ積
Mr・ｔ＝1.68×10-3emu／cm2である。このデイ
スクのＸ線回折分析は第５図に示されており、
Co3W境界面領域の（110）面に対応する2θ＝
35.16°において強いピークを表し、これによつて
Ｗのアンダレイヤと（Co90Pt10）80Cr20の磁性層と
の間にCo3Wの境界面が形成されていることが確
認される。
この明細書において使用した場合、「金属間化
合物」という語は合金という形態での単純な混合
物ではなく、成分が一定の化学量論的な割合で存
在しているので、組成を本質的に化学式で表すこ
とができる化学組成を指すものとする。コバルト
とタングステンなどの２つの元素の金属間二元化
合物は中間相であつて、コバルト原子３個とタン
グステン原子１個という離散的化学量論比でのみ
存在するものである。Co3Wの金属間化合物は
「二元合金の成分（Constitution of Binary
Alloys）」マグロー・ヒル（McGraw Hill）、
1958年、p.519などにおけるコバルトおよびタン
グステンに関する公表されている状態図に示され
ている。
合物」という語は合金という形態での単純な混合
物ではなく、成分が一定の化学量論的な割合で存
在しているので、組成を本質的に化学式で表すこ
とができる化学組成を指すものとする。コバルト
とタングステンなどの２つの元素の金属間二元化
合物は中間相であつて、コバルト原子３個とタン
グステン原子１個という離散的化学量論比でのみ
存在するものである。Co3Wの金属間化合物は
「二元合金の成分（Constitution of Binary
Alloys）」マグロー・ヒル（McGraw Hill）、
1958年、p.519などにおけるコバルトおよびタン
グステンに関する公表されている状態図に示され
ている。
この明細書で説明したすべての実験例におい
て、基体は半導体グレードの単結晶シリコンであ
つた。シリコン基体を使つた場合、アンダレイヤ
は磁性相のＣ軸の配向がフイルムの面内にあるよ
うにする必要がある。この発明のタングステン・
アンダレイヤはこの目的に役立つものである。し
かしながら、基体がアルミニウム合金デイスク上
に形成されたニツケル・リン（NiP）薄膜などの
他の材料である場合には、アンダレイヤは絶対に
必要だというものではないが、磁気層の面内Ｃ軸
配向を改善するのに有益なものである。この発明
のタングステン・アンダレイヤは磁気層の面内Ｃ
軸配向を強め、これによつて基板がアルミニウム
合金デイスク上に形成されたNiP薄膜である場合
に、薄膜テイスクの磁気特性を改善するものであ
る。
て、基体は半導体グレードの単結晶シリコンであ
つた。シリコン基体を使つた場合、アンダレイヤ
は磁性相のＣ軸の配向がフイルムの面内にあるよ
うにする必要がある。この発明のタングステン・
アンダレイヤはこの目的に役立つものである。し
かしながら、基体がアルミニウム合金デイスク上
に形成されたニツケル・リン（NiP）薄膜などの
他の材料である場合には、アンダレイヤは絶対に
必要だというものではないが、磁気層の面内Ｃ軸
配向を改善するのに有益なものである。この発明
のタングステン・アンダレイヤは磁気層の面内Ｃ
軸配向を強め、これによつて基板がアルミニウム
合金デイスク上に形成されたNiP薄膜である場合
に、薄膜テイスクの磁気特性を改善するものであ
る。
この明細書で説明した実験例はアンダレイヤと
してタングステンを使用したものに限定されてい
るが、ニオブ（Nb）、モリブデン（Mo）および
バナジウム（Ｖ）などの他の耐熱金属もCoPtお
よびCoPtCrの薄膜の配向を強める。これは、こ
のような金属がコバルトとHCPの金属間化合物
を形成することが知られているからである。これ
らの化合物はそれぞれ、Co2Nb、Co3Moおよび
Co3Vである。
してタングステンを使用したものに限定されてい
るが、ニオブ（Nb）、モリブデン（Mo）および
バナジウム（Ｖ）などの他の耐熱金属もCoPtお
よびCoPtCrの薄膜の配向を強める。これは、こ
のような金属がコバルトとHCPの金属間化合物
を形成することが知られているからである。これ
らの化合物はそれぞれ、Co2Nb、Co3Moおよび
Co3Vである。
上記の説明は水平記録媒体において基体上に磁
気層およびアンダレイヤを形成することだけに関
連するものであつて、媒体および媒体製造工程の
公知の態様に関連するものではない。たとえば、
薄膜合金デイスクの製造において、磁性層上にス
パツタされ、本質的に非晶質のカーボン・フイル
ムなどの保護層を与えたり、場合によつては、保
護層と磁気層の間にチタンのスパツタされた薄膜
などの接着層を与えることは周知である。
気層およびアンダレイヤを形成することだけに関
連するものであつて、媒体および媒体製造工程の
公知の態様に関連するものではない。たとえば、
薄膜合金デイスクの製造において、磁性層上にス
パツタされ、本質的に非晶質のカーボン・フイル
ムなどの保護層を与えたり、場合によつては、保
護層と磁気層の間にチタンのスパツタされた薄膜
などの接着層を与えることは周知である。
Ｆ 発明の効果
この発明によれば、水平記録用磁気記録媒体の
飽和保磁力を改善することができる。
飽和保磁力を改善することができる。
第１図は、この発明による水平記録用磁気記録
媒体の一実施例を示す断面図である。第２図は、
タングステンのアンダレイヤ上に形成された
CoPt薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ループを、ク
ロムのアンダレイヤ上に形成されたCoPt薄膜の
それと比較して示すグラフである。第３図は、さ
まざまな基体堆積温度においてタングステンとク
ロムのアンダレイヤに堆積されたさまざまな厚さ
のCoPt薄膜の飽和保磁力を示すグラフである。
第４図は、タングステンとCoPt層との間の境界
面領域にCo3Wという金属間化合物が形成され
る、タングステンのアンダレイヤ上に堆積された
CoPt薄膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。
第５図は、タングステンとCoPtCr層との間の境
界面領域にCo3Wという金属間化合物が形成され
る、タングステンのアンダレイヤ上に堆積された
CoPtCr薄膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。 ２……基体、４……非磁性層、６……磁性層。
媒体の一実施例を示す断面図である。第２図は、
タングステンのアンダレイヤ上に形成された
CoPt薄膜のＭ−Ｈヒステリシス・ループを、ク
ロムのアンダレイヤ上に形成されたCoPt薄膜の
それと比較して示すグラフである。第３図は、さ
まざまな基体堆積温度においてタングステンとク
ロムのアンダレイヤに堆積されたさまざまな厚さ
のCoPt薄膜の飽和保磁力を示すグラフである。
第４図は、タングステンとCoPt層との間の境界
面領域にCo3Wという金属間化合物が形成され
る、タングステンのアンダレイヤ上に堆積された
CoPt薄膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。
第５図は、タングステンとCoPtCr層との間の境
界面領域にCo3Wという金属間化合物が形成され
る、タングステンのアンダレイヤ上に堆積された
CoPtCr薄膜のＸ線回折曲線を示すグラフである。 ２……基体、４……非磁性層、６……磁性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体と、 タングステンによつて前記基体上に形成された
非磁性層と、 コバルトおよびプラチナを含む合金からなり、
前記非磁性層上に形成された磁性層と、 前記非磁性層と前記磁性層との界面に形成され
た、上記非磁性層と前記磁性層中のコバルトとの
金属間化合物の層と、 を具備する水平記録用磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/857,019 US4654276A (en) | 1986-04-29 | 1986-04-29 | Magnetic recording medium with an underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
| US857019 | 2010-08-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257617A JPS62257617A (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0557646B2 true JPH0557646B2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=25324986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046946A Granted JPS62257617A (ja) | 1986-04-29 | 1987-03-03 | 磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4654276A (ja) |
| EP (1) | EP0243604B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62257617A (ja) |
| CA (1) | CA1269894A (ja) |
| DE (1) | DE3781712T2 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2522246B2 (ja) * | 1986-05-06 | 1996-08-07 | ブラザー工業株式会社 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
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