JPH04221418A - 磁気記録体 - Google Patents
磁気記録体Info
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- JPH04221418A JPH04221418A JP40506890A JP40506890A JPH04221418A JP H04221418 A JPH04221418 A JP H04221418A JP 40506890 A JP40506890 A JP 40506890A JP 40506890 A JP40506890 A JP 40506890A JP H04221418 A JPH04221418 A JP H04221418A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録体に関し、更
に詳細には、高い記録密度を有する面内記録型の磁気記
録体に関するものである。
に詳細には、高い記録密度を有する面内記録型の磁気記
録体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記した種類の磁気記録体は、従来、非
磁性体上に、蒸着法やスパッタ法で、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗま
たはこれら主成分とする合金膜を結晶配向用下地層とし
て形成し、該下地層上にＣｏまたはＣｏ合金膜を連続的
に形成して、ＨＣＰ相のＣ軸がほぼ面内方向に配向して
なる磁性層を有するものとして形成され、高密度記録可
能なハードディスク媒体として多用されている。現在、
上記磁性層の組成としては、その特性が比較的良好なＣ
ｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＰ
ｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ等が用いられている。ところで、
従来の磁気記録体の保磁力の発生メカニズムは次の通り
である。すなわち、非磁性基体上にＣｒ等の下地層を形
成すると、そのＢＣＣ（１１０）面が基体面と平行にな
るように結晶配向し、かつ下地層厚さ方向に柱状粒子が
成長する。この下地層上に連続的にＣｏ合金磁性層を形
成すると、磁性層のＨＣＰ相（００２）のＣ軸の格子間
距離と下地層（１１０）面の格子間距離がほとんど等し
いため、Ｃｏ合金磁性層はＣ軸が基体面に平行になるよ
うにエピタキシャル成長する。このＣｏ合金磁性層のＨ
ＣＰのＣ軸は磁化容易軸なので、該Ｃｏ合金磁性層は、
面内磁化膜となる。また、Ｃｒ等の下地層は、比較的明
瞭な柱状粒子構造をとるので、このＣｒ膜上に成長した
Ｃｏ合金磁性膜も相互に隔離した粒子構造となる。更に
、Ｃｏ合金磁性膜にＣｒを含む媒体においては、磁性体
であるＣｏを、磁性膜中に含まれる非磁性Ｃｒがまわり
を取り囲むように偏析し、磁性層自体も相互に隔離した
粒子構造を形成する。なお、更に、Ｃｏ合金磁性膜中に
Ｐｔを含む媒体においては、磁性層のＣｏのＨＣＰ（０
０２）相とＣｏＰｔのＦＣＴ（１１１）相が共存した形
になり、磁壁が固着化されて高保磁力を示す。このよう
な結晶磁気異方性をもった単磁区粒子構造となる結果、
高保磁力が発生する。
磁性体上に、蒸着法やスパッタ法で、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗま
たはこれら主成分とする合金膜を結晶配向用下地層とし
て形成し、該下地層上にＣｏまたはＣｏ合金膜を連続的
に形成して、ＨＣＰ相のＣ軸がほぼ面内方向に配向して
なる磁性層を有するものとして形成され、高密度記録可
能なハードディスク媒体として多用されている。現在、
上記磁性層の組成としては、その特性が比較的良好なＣ
ｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＰ
ｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ等が用いられている。ところで、
従来の磁気記録体の保磁力の発生メカニズムは次の通り
である。すなわち、非磁性基体上にＣｒ等の下地層を形
成すると、そのＢＣＣ（１１０）面が基体面と平行にな
るように結晶配向し、かつ下地層厚さ方向に柱状粒子が
成長する。この下地層上に連続的にＣｏ合金磁性層を形
成すると、磁性層のＨＣＰ相（００２）のＣ軸の格子間
距離と下地層（１１０）面の格子間距離がほとんど等し
いため、Ｃｏ合金磁性層はＣ軸が基体面に平行になるよ
うにエピタキシャル成長する。このＣｏ合金磁性層のＨ
ＣＰのＣ軸は磁化容易軸なので、該Ｃｏ合金磁性層は、
面内磁化膜となる。また、Ｃｒ等の下地層は、比較的明
瞭な柱状粒子構造をとるので、このＣｒ膜上に成長した
Ｃｏ合金磁性膜も相互に隔離した粒子構造となる。更に
、Ｃｏ合金磁性膜にＣｒを含む媒体においては、磁性体
であるＣｏを、磁性膜中に含まれる非磁性Ｃｒがまわり
を取り囲むように偏析し、磁性層自体も相互に隔離した
粒子構造を形成する。なお、更に、Ｃｏ合金磁性膜中に
Ｐｔを含む媒体においては、磁性層のＣｏのＨＣＰ（０
０２）相とＣｏＰｔのＦＣＴ（１１１）相が共存した形
になり、磁壁が固着化されて高保磁力を示す。このよう
な結晶磁気異方性をもった単磁区粒子構造となる結果、
高保磁力が発生する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気記
録体を作成する際の諸条件を最適化しても、現在のとこ
ろ実用できる磁気記録体の保磁力は、ＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａで１９００Ｏｅ程度、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮ
ｉＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａで２４００Ｏｅ程度であり、
更なる高保磁力化が望まれていた。そこで、本発明は、
より高い保磁力が得られる磁気記録体を提供することを
目的とするものである。
録体を作成する際の諸条件を最適化しても、現在のとこ
ろ実用できる磁気記録体の保磁力は、ＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａで１９００Ｏｅ程度、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮ
ｉＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａで２４００Ｏｅ程度であり、
更なる高保磁力化が望まれていた。そこで、本発明は、
より高い保磁力が得られる磁気記録体を提供することを
目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性体上に
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗやこれらの合金の薄膜からなる結晶配
向用下地層と、この結晶配向用下地層上にＣｏ合金の薄
膜からなるＣｏ合金層とが連続して形成されて、ＨＣＰ
相のＣ軸がほぼ面内方向に配向してなる磁性層を備えた
磁気記録体において、上記Ｃｏ合金層の成分に、少なく
ともＰｔとＢを含んでいることを特徴とするものである
。上記Ｃｏ合金層の組成として、３〜３０ａｔ％のＰｔ
と、０．５〜１５ａｔ％のＢを包含していることが望ま
しい。また、上記Ｃｏ合金層に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａを少
なくとも１種含有していることが望ましい。
、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗやこれらの合金の薄膜からなる結晶配
向用下地層と、この結晶配向用下地層上にＣｏ合金の薄
膜からなるＣｏ合金層とが連続して形成されて、ＨＣＰ
相のＣ軸がほぼ面内方向に配向してなる磁性層を備えた
磁気記録体において、上記Ｃｏ合金層の成分に、少なく
ともＰｔとＢを含んでいることを特徴とするものである
。上記Ｃｏ合金層の組成として、３〜３０ａｔ％のＰｔ
と、０．５〜１５ａｔ％のＢを包含していることが望ま
しい。また、上記Ｃｏ合金層に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａを少
なくとも１種含有していることが望ましい。
【０００５】
【作用】今回、発明者らは、ＣｏＰｔ合金磁性相にＢを
添加すると、その保磁力が増大し、極めて高い保磁力が
発現されることを見出した。この保磁力の増大は、Ｐｔ
が添加されているＣｏ合金磁性層にのみ認められ、Ｐｔ
を包含していないＣｏ合金磁性層では、Ｂを添加しても
保磁力の増大は認められなかった。また、Ｘ線解析の結
果、Ｂを添加した場合は、ＣｏＰｔのＦＣＴ相の形成が
促進されており、このＦＣＴ相の混入により保磁力が増
大しているものと考えられる。また、従来このタイプの
磁性層において、保磁力を増大させる効果を有すること
が知られていたＣｒ、Ｎｉ、Ｔａの元素について検討し
た結果、本発明のＣｏ−Ｐｔ−Ｂ系においても従来通り
保磁力の増大に有効であることが分かった。Ｃｒ、Ｎｉ
、Ｔａの元素の作用については、従来と同様と考えられ
る。なお、従来から、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗやこれらの合金か
らなる結晶配向用下地膜を設けないＣｏ−Ｐｔ−Ｂ系の
垂直磁化膜は知られている。この垂直磁化膜の場合には
、ＣｏにＰｔとＢを添加すると、垂直方向の保磁力が増
大する。しかし、面内方向の保磁力については、知られ
ていなかった。また、発明者らは、結晶配向用下地膜が
ない場合について面内保磁力を測定した結果、Ｂを添加
すると、保磁力が低下してしまうことが明らかになった
。したがって、本発明においては、結晶配向用下地層は
必要不可欠のものである。
添加すると、その保磁力が増大し、極めて高い保磁力が
発現されることを見出した。この保磁力の増大は、Ｐｔ
が添加されているＣｏ合金磁性層にのみ認められ、Ｐｔ
を包含していないＣｏ合金磁性層では、Ｂを添加しても
保磁力の増大は認められなかった。また、Ｘ線解析の結
果、Ｂを添加した場合は、ＣｏＰｔのＦＣＴ相の形成が
促進されており、このＦＣＴ相の混入により保磁力が増
大しているものと考えられる。また、従来このタイプの
磁性層において、保磁力を増大させる効果を有すること
が知られていたＣｒ、Ｎｉ、Ｔａの元素について検討し
た結果、本発明のＣｏ−Ｐｔ−Ｂ系においても従来通り
保磁力の増大に有効であることが分かった。Ｃｒ、Ｎｉ
、Ｔａの元素の作用については、従来と同様と考えられ
る。なお、従来から、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗやこれらの合金か
らなる結晶配向用下地膜を設けないＣｏ−Ｐｔ−Ｂ系の
垂直磁化膜は知られている。この垂直磁化膜の場合には
、ＣｏにＰｔとＢを添加すると、垂直方向の保磁力が増
大する。しかし、面内方向の保磁力については、知られ
ていなかった。また、発明者らは、結晶配向用下地膜が
ない場合について面内保磁力を測定した結果、Ｂを添加
すると、保磁力が低下してしまうことが明らかになった
。したがって、本発明においては、結晶配向用下地層は
必要不可欠のものである。
【０００６】
【実施例】以下、添付図面を参照しつつ、本発明の好ま
しい実施例による磁気記録体について詳細に説明する。
しい実施例による磁気記録体について詳細に説明する。
【０００７】まず、磁性膜として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐ
ｔ、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−２
０ａｔ％Ｎｉ−６ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−
２ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｐｔに、それぞれＢをその添
加量Ｘを変えて、その各種組成割合のＣｏ−２０ａｔ％
Ｐｔ−Ｘａｔ％Ｂ、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％
Ｐｔ−Ｘａｔ％Ｂ、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−６ａｔ％Ｐ
ｔ−Ｘａｔ％Ｂ、Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ
−１０ａｔ％Ｐｔ−Ｘａｔ％Ｂ磁性膜を、非磁性基体上
に形成したＣｒ結晶配向用下地層上に連続してスパッタ
法により形成し、得られた磁気記録体の面内保磁力すな
わち磁気記録体の膜面に平行方向の保磁力および磁性層
の飽和磁化を測定した。それらの結果を、それぞれ図１
および図２のグラフに示す。なお、Ｃｒ結晶配向用下地
層の厚さを１５００Å、磁性層の厚さを５００Åと一定
にした。これは、上記のようなＣｒ結晶配向用下地層と
Ｃｏ合金磁性層を有する磁気記録体においては、下地層
厚が厚いほど、また磁性層厚が薄いほど保磁力が高くな
るので、条件を一定にするためである。
ｔ、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−２
０ａｔ％Ｎｉ−６ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−
２ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％Ｐｔに、それぞれＢをその添
加量Ｘを変えて、その各種組成割合のＣｏ−２０ａｔ％
Ｐｔ−Ｘａｔ％Ｂ、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％
Ｐｔ−Ｘａｔ％Ｂ、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−６ａｔ％Ｐ
ｔ−Ｘａｔ％Ｂ、Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ
−１０ａｔ％Ｐｔ−Ｘａｔ％Ｂ磁性膜を、非磁性基体上
に形成したＣｒ結晶配向用下地層上に連続してスパッタ
法により形成し、得られた磁気記録体の面内保磁力すな
わち磁気記録体の膜面に平行方向の保磁力および磁性層
の飽和磁化を測定した。それらの結果を、それぞれ図１
および図２のグラフに示す。なお、Ｃｒ結晶配向用下地
層の厚さを１５００Å、磁性層の厚さを５００Åと一定
にした。これは、上記のようなＣｒ結晶配向用下地層と
Ｃｏ合金磁性層を有する磁気記録体においては、下地層
厚が厚いほど、また磁性層厚が薄いほど保磁力が高くな
るので、条件を一定にするためである。
【０００８】図１のグラフから分かるように、磁性膜の
組成により保磁力の絶対値と最大値をとるＸ量は異なる
が、０．５ａｔ％から１５ａｔ％のＢを添加すると、無
添加のものに比べて保磁力が３００〜６００Ｏｅ増加し
た。また、図２のグラフから分かるように、Ｂ添加量を
増しても、飽和磁化は緩やかにしか減少せず、磁気特性
はほとんど劣化しなかった。
組成により保磁力の絶対値と最大値をとるＸ量は異なる
が、０．５ａｔ％から１５ａｔ％のＢを添加すると、無
添加のものに比べて保磁力が３００〜６００Ｏｅ増加し
た。また、図２のグラフから分かるように、Ｂ添加量を
増しても、飽和磁化は緩やかにしか減少せず、磁気特性
はほとんど劣化しなかった。
【０００９】また、比較のため、Ｃｒ下地層を形成しな
いで、非磁性基体上に磁性層を直接形成した場合の磁性
層へのＢ添加量と面内保磁力の関係を測定した。その結
果を図３のグラフに示した。この図から分かるように、
下地層を形成しない場合には、Ｂを添加しても、面内保
磁力は増加しない。
いで、非磁性基体上に磁性層を直接形成した場合の磁性
層へのＢ添加量と面内保磁力の関係を測定した。その結
果を図３のグラフに示した。この図から分かるように、
下地層を形成しない場合には、Ｂを添加しても、面内保
磁力は増加しない。
【００１０】更に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金磁性層
において、Ｃｒの量を１８ａｔ％、Ｂの量を３ａｔ％と
一定にし、Ｐｔ量を変化させたときの保磁力を測定した
。その結果を図４のグラフに示した。下地層と磁性層の
厚さは、上記実験の場合と同様である。この図４のグラ
フから分かるように、高保磁力が得られるＰｔ組成は、
３〜３０ａｔ％である。この結果は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ系以外の合金系の磁性層についても同様な結果が得
られた。
において、Ｃｒの量を１８ａｔ％、Ｂの量を３ａｔ％と
一定にし、Ｐｔ量を変化させたときの保磁力を測定した
。その結果を図４のグラフに示した。下地層と磁性層の
厚さは、上記実験の場合と同様である。この図４のグラ
フから分かるように、高保磁力が得られるＰｔ組成は、
３〜３０ａｔ％である。この結果は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ系以外の合金系の磁性層についても同様な結果が得
られた。
【００１１】また、比較のために、Ｐｔが添加されてい
ないＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ膜へＢをその
添加量を変化させて添加して形成した磁性層の保磁力を
測定した。その結果を図５に示した。この図のグラフが
ら分かるように、Ｐｔが添加されていないＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ膜へＢを添加すると、添加量が増大するとともに、
保磁力が低下する。
ないＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ膜へＢをその
添加量を変化させて添加して形成した磁性層の保磁力を
測定した。その結果を図５に示した。この図のグラフが
ら分かるように、Ｐｔが添加されていないＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ膜へＢを添加すると、添加量が増大するとともに、
保磁力が低下する。
【００１２】以上総合すると、本発明に係るＢ添加の効
果は、Ｃｒ下地層を有する磁気記録体にのみ有効であり
、また、Ｐｔ組成が３〜３０ａｔ％の場合にＢ添加が有
効であり、Ｂの添加量としては、０．５〜１５ａｔ％が
有効である。更にまた、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａの単独あるい
は複数の元素を添加した場合には、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系磁
性層より、更に高い保磁力が得られる。
果は、Ｃｒ下地層を有する磁気記録体にのみ有効であり
、また、Ｐｔ組成が３〜３０ａｔ％の場合にＢ添加が有
効であり、Ｂの添加量としては、０．５〜１５ａｔ％が
有効である。更にまた、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａの単独あるい
は複数の元素を添加した場合には、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系磁
性層より、更に高い保磁力が得られる。
【００１３】なお、上記実施例においては、磁性層組成
として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ
−１２ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−６ａｔ％Ｐ
ｔ、Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％
Ｐｔに、それぞれＢを添加したものについて説明したが
、本発明における磁性層組成は、これに限られるもので
なく、Ｐｔを３ａｔ％以上３０ａｔ％以下含有するＣｏ
基合金であるならどのようなものであってもよい。また
、下地層としてＣｒ層を用いたが、その上に連続して形
成される磁性層のＣ軸の結晶配向をほぼ膜面方向に制御
するＣｒ、Ｍｏ、Ｗやこれらの合金およびこれらの合金
を主成分とする合金を用いてもよい。
として、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ
−１２ａｔ％Ｐｔ、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−６ａｔ％Ｐ
ｔ、Ｃｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ−１０ａｔ％
Ｐｔに、それぞれＢを添加したものについて説明したが
、本発明における磁性層組成は、これに限られるもので
なく、Ｐｔを３ａｔ％以上３０ａｔ％以下含有するＣｏ
基合金であるならどのようなものであってもよい。また
、下地層としてＣｒ層を用いたが、その上に連続して形
成される磁性層のＣ軸の結晶配向をほぼ膜面方向に制御
するＣｒ、Ｍｏ、Ｗやこれらの合金およびこれらの合金
を主成分とする合金を用いてもよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、非磁性基体上に結晶配
向用下地層を形成し、その上に連続して形成されるＰｔ
を含むＣｏ基合金層にＢを添加することにより、得られ
る磁気記録体の面内保磁力を増大させることができ、高
い記録密度を有する面内記録型の磁気記録体を得ること
ができる。
向用下地層を形成し、その上に連続して形成されるＰｔ
を含むＣｏ基合金層にＢを添加することにより、得られ
る磁気記録体の面内保磁力を増大させることができ、高
い記録密度を有する面内記録型の磁気記録体を得ること
ができる。
【図１】非磁性基体上にＣｒ下地層を形成し、かつその
上に連続して形成される各組成の磁性層において、該磁
性層へのＢ元素の添加量と、得られた磁気記録体の面内
保磁力の関係を示したグラフ図である。
上に連続して形成される各組成の磁性層において、該磁
性層へのＢ元素の添加量と、得られた磁気記録体の面内
保磁力の関係を示したグラフ図である。
【図２】上記のようにして組成された各組成の磁性層に
おいて、該磁性層へのＢ元素の添加量と、得られた磁気
記録体の飽和磁化の関係を示したグラフ図である。
おいて、該磁性層へのＢ元素の添加量と、得られた磁気
記録体の飽和磁化の関係を示したグラフ図である。
【図３】非磁性基体上に直接形成された各組成の磁性層
において、該磁性層へのＢ元素の添加量と、得られた磁
気記録体の面内保磁力の関係を示したグラフ図である。
において、該磁性層へのＢ元素の添加量と、得られた磁
気記録体の面内保磁力の関係を示したグラフ図である。
【図４】非磁性基体上にＣｒ下地層を形成し、かつその
上に連続して形成されるＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ
％Ｂ組成の磁性層において、該磁性層へのＰｔの添加量
と、得られた磁気記録体の面内保磁力の関係を示したグ
ラフ図である。
上に連続して形成されるＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ
％Ｂ組成の磁性層において、該磁性層へのＰｔの添加量
と、得られた磁気記録体の面内保磁力の関係を示したグ
ラフ図である。
【図５】非磁性基体上にＣｒ下地層を形成し、かつその
上に連続して形成されるＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ
％Ｔａ組成の磁性層において、該磁性層へのＢ元素の添
加量と、得られた磁気記録体の面内保磁力の関係を示し
たグラフ図である。
上に連続して形成されるＣｏ−１２ａｔ％Ｃｒ−２ａｔ
％Ｔａ組成の磁性層において、該磁性層へのＢ元素の添
加量と、得られた磁気記録体の面内保磁力の関係を示し
たグラフ図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性体上に、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗやこれ
らの合金の薄膜からなる結晶配向用下地層と、この結晶
配向用下地層上にＣｏ合金の薄膜からなるＣｏ合金層と
が連続して形成されて、ＨＣＰ相のＣ軸がほぼ面内方向
に配向してなる磁性層を備えた磁気記録体において、前
記Ｃｏ合金層の成分に、少なくともＰｔとＢを含んでい
ることを特徴とする磁気記録体。 - 【請求項２】 前記Ｃｏ合金層の組成として、３〜３
０ａｔ％のＰｔと、０．５〜１５ａｔ％のＢを包含して
いることを特徴とする請求項第１項記載の磁気記録体。 - 【請求項３】 前記Ｃｏ合金層に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ
を少なくとも１種含有していることを特徴とする請求項
第１項または第２項記載の磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40506890A JP3273374B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 磁気記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40506890A JP3273374B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221418A true JPH04221418A (ja) | 1992-08-11 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523173A (en) * | 1994-12-27 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium with a CoPtCrB alloy thin film with a 1120 crystallographic orientation deposited on an underlayer with 100 orientation |
| US5560786A (en) * | 1994-08-31 | 1996-10-01 | Korea Institute Of Science And Technology | Magnetic thin film material for magnetic recording |
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| SG86421A1 (en) * | 1999-07-16 | 2002-02-19 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing device |
| US6703148B2 (en) | 1998-11-20 | 2004-03-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic disk apparatus using the same |
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-
1990
- 1990-12-21 JP JP40506890A patent/JP3273374B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5560786A (en) * | 1994-08-31 | 1996-10-01 | Korea Institute Of Science And Technology | Magnetic thin film material for magnetic recording |
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| US5945190A (en) * | 1997-02-17 | 1999-08-31 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
| US6703148B2 (en) | 1998-11-20 | 2004-03-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic disk apparatus using the same |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3273374B2 (ja) | 2002-04-08 |
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