JP3052915B2 - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3052915B2 JP3052915B2 JP9300659A JP30065997A JP3052915B2 JP 3052915 B2 JP3052915 B2 JP 3052915B2 JP 9300659 A JP9300659 A JP 9300659A JP 30065997 A JP30065997 A JP 30065997A JP 3052915 B2 JP3052915 B2 JP 3052915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plane
- lattice
- perpendicular magnetic
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、垂直磁気記録媒
体及びその製造方法に関し、詳しくは、コンピュ−タ等
の記憶装置の１つであり、各種データを垂直磁気記録方
式で記憶する磁気ディスク等に用いて好適な垂直磁気記
録媒体及びその製造方法に関する。
体及びその製造方法に関し、詳しくは、コンピュ−タ等
の記憶装置の１つであり、各種データを垂直磁気記録方
式で記憶する磁気ディスク等に用いて好適な垂直磁気記
録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パ−ソナルコンピュ−タやワ−ク
ステ−ション等の処理の高速化や処理データの大規模化
ないしは装置の小型化に伴って、それらの記憶装置の１
つである磁気ディスクを大容量化・小型化する必要があ
り、磁気ディスクはさらなる高記録密度化が要求されて
いる。しかし、現在広く普及している、磁性層の水平方
向（膜面方向）に磁化してデータを記憶する水平磁気記
録方式で高記録密度化しようとすると、記録ビットの微
細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの問題や、記録ヘッドの
記録能力を超えかねない高保磁力化の問題が発生してし
まう。すなわち、高記録密度化を実現するためには、必
然的に記録ビットが小さくなるが、記録ビットがあまり
にも小さくなると、記録時に発生する熱エネルギの影響
が無視できなくなり、記録磁化が熱によって容易に動
き、記録磁化が消失してしまう場合がある。この記録磁
化が熱のために動き易くなる現象を記録磁化の熱揺らぎ
という。また、水平磁気記録方式で高記録密度化する場
合、記録媒体の高保磁力化は避けられないが、その保磁
力以上の磁場を発生させなければならない記録ヘッドの
記録能力に限界があるため、記録媒体の保磁力をあまり
高くできない。したがって、水平磁気記録方式での高記
録密度化には限界があるのである。
ステ−ション等の処理の高速化や処理データの大規模化
ないしは装置の小型化に伴って、それらの記憶装置の１
つである磁気ディスクを大容量化・小型化する必要があ
り、磁気ディスクはさらなる高記録密度化が要求されて
いる。しかし、現在広く普及している、磁性層の水平方
向（膜面方向）に磁化してデータを記憶する水平磁気記
録方式で高記録密度化しようとすると、記録ビットの微
細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの問題や、記録ヘッドの
記録能力を超えかねない高保磁力化の問題が発生してし
まう。すなわち、高記録密度化を実現するためには、必
然的に記録ビットが小さくなるが、記録ビットがあまり
にも小さくなると、記録時に発生する熱エネルギの影響
が無視できなくなり、記録磁化が熱によって容易に動
き、記録磁化が消失してしまう場合がある。この記録磁
化が熱のために動き易くなる現象を記録磁化の熱揺らぎ
という。また、水平磁気記録方式で高記録密度化する場
合、記録媒体の高保磁力化は避けられないが、その保磁
力以上の磁場を発生させなければならない記録ヘッドの
記録能力に限界があるため、記録媒体の保磁力をあまり
高くできない。したがって、水平磁気記録方式での高記
録密度化には限界があるのである。
【０００３】そこで、これらの問題を解決しつつ、磁気
ディスクの記録密度を大幅に向上できる記録方式とし
て、従来から、磁性層の垂直方向（膜厚方向）に磁化し
てデータを記憶する垂直磁気記録方式が検討されてい
る。この垂直磁気記録方式に用いられる垂直磁気記録媒
体の１つとして、例えば、「日本応用磁気学会誌、Vol.
８，No.１,１９８４，p.１７」に開示されているよう
に、高透磁率の軟磁性膜と高い垂直異方性を有する垂直
磁化膜とからなる２層膜構造の垂直磁気記録媒体があ
る。図４７は、上記文献に開示された従来の垂直磁気記
録媒体１の概略構造を示す要部断面図である。垂直磁気
記録媒体１は、ガラスやアルミニウム（Ａｌ）等の非磁
性材料からなる基板２上に、例えば、パーマロイ（ニッ
ケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）からなる合金）膜で構成さ
れた軟磁性膜（裏打ち層）３と、例えば、コバルト（Ｃ
ｏ）やクロム（Ｃｒ）を含んだ合金膜で構成された垂直
磁化膜４とが順に形成されて構成されている。しかしな
がら、上記垂直磁気記録媒体１においては、垂直磁化膜
４の結晶粒がＣ軸（垂直軸）を磁化容易軸として持つ度
合いを示す垂直配向性が悪いため、垂直磁化膜４自体の
垂直方向の保持力ＨC⊥が小さくなり、その結果、デー
タの記録特性や再生出力が低下する等、記録再生特性が
劣化してしまうという欠点があった。
ディスクの記録密度を大幅に向上できる記録方式とし
て、従来から、磁性層の垂直方向（膜厚方向）に磁化し
てデータを記憶する垂直磁気記録方式が検討されてい
る。この垂直磁気記録方式に用いられる垂直磁気記録媒
体の１つとして、例えば、「日本応用磁気学会誌、Vol.
８，No.１,１９８４，p.１７」に開示されているよう
に、高透磁率の軟磁性膜と高い垂直異方性を有する垂直
磁化膜とからなる２層膜構造の垂直磁気記録媒体があ
る。図４７は、上記文献に開示された従来の垂直磁気記
録媒体１の概略構造を示す要部断面図である。垂直磁気
記録媒体１は、ガラスやアルミニウム（Ａｌ）等の非磁
性材料からなる基板２上に、例えば、パーマロイ（ニッ
ケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）からなる合金）膜で構成さ
れた軟磁性膜（裏打ち層）３と、例えば、コバルト（Ｃ
ｏ）やクロム（Ｃｒ）を含んだ合金膜で構成された垂直
磁化膜４とが順に形成されて構成されている。しかしな
がら、上記垂直磁気記録媒体１においては、垂直磁化膜
４の結晶粒がＣ軸（垂直軸）を磁化容易軸として持つ度
合いを示す垂直配向性が悪いため、垂直磁化膜４自体の
垂直方向の保持力ＨC⊥が小さくなり、その結果、デー
タの記録特性や再生出力が低下する等、記録再生特性が
劣化してしまうという欠点があった。
【０００４】そこで、上記垂直磁化膜の垂直配向性を改
善するために、特開昭６１−３４７２２号公報には、ポ
リアミド系の耐熱性フィルム等の非磁性材料からなる基
板上に、パーマロイ膜で構成された軟磁性膜と、チタン
（Ｔｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、あるいはアモル
ファス等で構成された非磁性薄膜と、ＣｏＣｒ膜で構成
された垂直磁化膜とが順に形成された垂直磁気記録媒体
が開示されている。また、特開平６−１０３５５５号公
報には、Ａｌ等の非磁性基板上に、パーマロイ膜で構成
された軟磁性膜と、Ｃｏ、Ｃｒ及びタンタル（Ｔａ）か
らなり、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔａの各組成量を膜厚方向に変化
させたＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に
形成された垂直磁気記録媒体が開示されている。ＣｏＣ
ｒＴａ膜は、Ｂ−Ｈループの角張り性が良く、垂直方向
の保持力ＨC⊥が高く、結晶学的な垂直配向性を示す指
数が小さいことが知られている（「Masauki Sagoi eta
l., J.Appl. Phys. 67(10), 15 May 1990」参照）。し
かし、上記いずれの垂直磁気記録媒体も、軟磁性膜とし
てパーマロイ膜を用いている以上、垂直磁化膜の垂直配
向性はさほど改善されない。また、特開平６−１０３５
５５号公報に開示された垂直磁気記録媒体を例えばスパ
ッタ法により作製するには、ＣｏＣｒＴａ膜の膜厚方向
における各Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔａの組成に合わせた複数種類
のターゲットを用意する必要があり、材料費がその分増
加すると共に、複数種類のターゲットを適時切り替えて
スパッタすることができる専用のスパッタ装置が必要で
ある。
善するために、特開昭６１−３４７２２号公報には、ポ
リアミド系の耐熱性フィルム等の非磁性材料からなる基
板上に、パーマロイ膜で構成された軟磁性膜と、チタン
（Ｔｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、あるいはアモル
ファス等で構成された非磁性薄膜と、ＣｏＣｒ膜で構成
された垂直磁化膜とが順に形成された垂直磁気記録媒体
が開示されている。また、特開平６−１０３５５５号公
報には、Ａｌ等の非磁性基板上に、パーマロイ膜で構成
された軟磁性膜と、Ｃｏ、Ｃｒ及びタンタル（Ｔａ）か
らなり、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔａの各組成量を膜厚方向に変化
させたＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に
形成された垂直磁気記録媒体が開示されている。ＣｏＣ
ｒＴａ膜は、Ｂ−Ｈループの角張り性が良く、垂直方向
の保持力ＨC⊥が高く、結晶学的な垂直配向性を示す指
数が小さいことが知られている（「Masauki Sagoi eta
l., J.Appl. Phys. 67(10), 15 May 1990」参照）。し
かし、上記いずれの垂直磁気記録媒体も、軟磁性膜とし
てパーマロイ膜を用いている以上、垂直磁化膜の垂直配
向性はさほど改善されない。また、特開平６−１０３５
５５号公報に開示された垂直磁気記録媒体を例えばスパ
ッタ法により作製するには、ＣｏＣｒＴａ膜の膜厚方向
における各Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔａの組成に合わせた複数種類
のターゲットを用意する必要があり、材料費がその分増
加すると共に、複数種類のターゲットを適時切り替えて
スパッタすることができる専用のスパッタ装置が必要で
ある。
【０００５】これに対して、特開昭５７−３６４３５号
公報には、ガラス等で構成された基板上に、センダスト
（シリコン（Ｓｉ）、Ｆｅ及びＡｌからなる合金）膜で
構成された軟磁性膜と、ＣｏＣｒ膜で構成された垂直磁
化膜とが順に形成された垂直磁気記録媒体が開示されて
いる。この垂直磁気記録媒体においては、基板上に、体
心立方格子（body-centeredcubic lattice）を空間格子
とした結晶構造を有するセンダスト膜が結晶最密面であ
る格子面（１１０）面を配向面として形成され、その配
向面上に、六方最密充填（ｈｃｐ；hexagonal closest
packing）格子を空間格子とした結晶構造を有するＣｏ
Ｃｒ膜が格子面（００１）面（Ｃ面、垂直方向）を配向
面として形成されている。また、本出願人は、特願平０
９−０３０５２３号に開示されているように、ガラス基
板やＮｉＰ／Ａｌ合金基板上に、ＮｉＰ膜やＦｅ膜等で
構成された第１の軟磁性膜と、センダスト膜で構成され
た第２の軟磁性膜と、ＣｏＣｒＴａ膜やＣｏＣｒ膜で構
成された垂直磁化膜とが順に形成された垂直磁気記録媒
体を提案している。
公報には、ガラス等で構成された基板上に、センダスト
（シリコン（Ｓｉ）、Ｆｅ及びＡｌからなる合金）膜で
構成された軟磁性膜と、ＣｏＣｒ膜で構成された垂直磁
化膜とが順に形成された垂直磁気記録媒体が開示されて
いる。この垂直磁気記録媒体においては、基板上に、体
心立方格子（body-centeredcubic lattice）を空間格子
とした結晶構造を有するセンダスト膜が結晶最密面であ
る格子面（１１０）面を配向面として形成され、その配
向面上に、六方最密充填（ｈｃｐ；hexagonal closest
packing）格子を空間格子とした結晶構造を有するＣｏ
Ｃｒ膜が格子面（００１）面（Ｃ面、垂直方向）を配向
面として形成されている。また、本出願人は、特願平０
９−０３０５２３号に開示されているように、ガラス基
板やＮｉＰ／Ａｌ合金基板上に、ＮｉＰ膜やＦｅ膜等で
構成された第１の軟磁性膜と、センダスト膜で構成され
た第２の軟磁性膜と、ＣｏＣｒＴａ膜やＣｏＣｒ膜で構
成された垂直磁化膜とが順に形成された垂直磁気記録媒
体を提案している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記特開昭
５７−３６４３５号公報に開示された従来の垂直磁気記
録媒体においては、センダスト膜の格子面（１１０）面
とＣｏＣｒ膜の格子面（００１）面との格子整合性、す
なわち、センダスト膜とＣｏＣｒ膜の界面における相性
が良好でないため、垂直磁化膜が所望の比率となる完全
なＣｏＣｒ膜として成長するまでに必要な、結晶性の乱
れた成長初期層の膜厚が大きくなってしまうが、この成
長初期層は膜厚が厚いほど結晶粒の増大を促進するた
め、記録再生の際の媒体ノイズが大きくなるという欠点
があった。また、センダスト膜の格子面（１１０）面と
ＣｏＣｒ膜の格子面（００１）面との格子整合性が良好
でないことにより、ＣｏＣｒ膜の垂直配向性が悪いた
め、データを高密度で記録した場合、隣接する記録ビッ
トからの干渉が大きくなり、再生出力電圧が早く減衰し
てしまう、すなわち、再生出力電圧の記録密度に対する
特性が良好でないという問題があった。これに対して、
上記特願平０９−０３０５２３号に開示された従来の垂
直磁気記録媒体は、多層構造にしたりアニール処理する
必要があるため、その分製造工程及び製造時間が増え、
垂直磁気記録媒体の価格が上昇してしまうという欠点が
あった。
５７−３６４３５号公報に開示された従来の垂直磁気記
録媒体においては、センダスト膜の格子面（１１０）面
とＣｏＣｒ膜の格子面（００１）面との格子整合性、す
なわち、センダスト膜とＣｏＣｒ膜の界面における相性
が良好でないため、垂直磁化膜が所望の比率となる完全
なＣｏＣｒ膜として成長するまでに必要な、結晶性の乱
れた成長初期層の膜厚が大きくなってしまうが、この成
長初期層は膜厚が厚いほど結晶粒の増大を促進するた
め、記録再生の際の媒体ノイズが大きくなるという欠点
があった。また、センダスト膜の格子面（１１０）面と
ＣｏＣｒ膜の格子面（００１）面との格子整合性が良好
でないことにより、ＣｏＣｒ膜の垂直配向性が悪いた
め、データを高密度で記録した場合、隣接する記録ビッ
トからの干渉が大きくなり、再生出力電圧が早く減衰し
てしまう、すなわち、再生出力電圧の記録密度に対する
特性が良好でないという問題があった。これに対して、
上記特願平０９−０３０５２３号に開示された従来の垂
直磁気記録媒体は、多層構造にしたりアニール処理する
必要があるため、その分製造工程及び製造時間が増え、
垂直磁気記録媒体の価格が上昇してしまうという欠点が
あった。
【０００７】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、安価かつ簡単に作製できると共に、記録再生の
際の媒体ノイズを低減でき、しかも再生出力電圧の記録
密度に対する特性を向上させることができる垂直磁気記
録媒体及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
もので、安価かつ簡単に作製できると共に、記録再生の
際の媒体ノイズを低減でき、しかも再生出力電圧の記録
密度に対する特性を向上させることができる垂直磁気記
録媒体及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明に係る垂直磁気記録媒体は、基
板上に、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有
し、格子面（２００）面を配向面として形成された軟磁
性膜と、六方最密充填格子を空間格子とした結晶構造を
有する垂直磁化膜とが順に形成されてなることを特徴と
している。
に、請求項１記載の発明に係る垂直磁気記録媒体は、基
板上に、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有
し、格子面（２００）面を配向面として形成された軟磁
性膜と、六方最密充填格子を空間格子とした結晶構造を
有する垂直磁化膜とが順に形成されてなることを特徴と
している。
【０００９】また、請求項２記載の発明に係る垂直磁気
記録媒体は、基板上に、体心立方格子を空間格子とした
結晶構造を有し、格子面（２００）面を配向面として形
成された結晶配向性制御膜と、体心立方格子を空間格子
とした結晶構造を有し、格子面（２００）面を配向面と
して形成された軟磁性膜と、六方最密充填格子を空間格
子とした結晶構造を有する垂直磁化膜とが順に形成され
てなることを特徴としている。
記録媒体は、基板上に、体心立方格子を空間格子とした
結晶構造を有し、格子面（２００）面を配向面として形
成された結晶配向性制御膜と、体心立方格子を空間格子
とした結晶構造を有し、格子面（２００）面を配向面と
して形成された軟磁性膜と、六方最密充填格子を空間格
子とした結晶構造を有する垂直磁化膜とが順に形成され
てなることを特徴としている。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項２記載の垂
直磁気記録媒体に係り、前記軟磁性膜が、鉄、シリコ
ン、アルミニウム、チタン、ルテニウム、コバルト、窒
素の中から選択された、いずれか２つ以上の元素からな
る合金膜であることを特徴としている。
直磁気記録媒体に係り、前記軟磁性膜が、鉄、シリコ
ン、アルミニウム、チタン、ルテニウム、コバルト、窒
素の中から選択された、いずれか２つ以上の元素からな
る合金膜であることを特徴としている。
【００１１】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至３のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体に係り、上
記垂直磁化膜は、クロムの原子百分率が３０パーセント
以下のコバルト、クロム及びタンタルからなる合金膜、
又は、クロムの原子百分率が３０パーセント以下のコバ
ルト及びクロムからなる合金膜であることを特徴として
いる。
至３のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体に係り、上
記垂直磁化膜は、クロムの原子百分率が３０パーセント
以下のコバルト、クロム及びタンタルからなる合金膜、
又は、クロムの原子百分率が３０パーセント以下のコバ
ルト及びクロムからなる合金膜であることを特徴として
いる。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
いずれか１に記載の垂直磁気記録媒体に係り、前記軟磁
性膜が、鉄、シリコン、アルミニウム、チタン、ルテニ
ウム、コバルト、窒素の中から選択された、いずれか２
つ以上の元素からなる合金膜であることを特徴としてい
る。
いずれか１に記載の垂直磁気記録媒体に係り、前記軟磁
性膜が、鉄、シリコン、アルミニウム、チタン、ルテニ
ウム、コバルト、窒素の中から選択された、いずれか２
つ以上の元素からなる合金膜であることを特徴としてい
る。
【００１３】請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の
いずれか１に記載の垂直磁気記録媒体に係り、上記基板
は、ニッケル、リン及びアルミニウムからなる合金基
板、ガラス基板、カーボン基板、シリコン基板、又は、
サファイア基板であることを特徴としている。
いずれか１に記載の垂直磁気記録媒体に係り、上記基板
は、ニッケル、リン及びアルミニウムからなる合金基
板、ガラス基板、カーボン基板、シリコン基板、又は、
サファイア基板であることを特徴としている。
【００１４】
【００１５】また、請求項７記載の発明に係る垂直磁気
記録媒体の製造方法は、基板上に、体心立方格子を空間
格子とした結晶構造を有する軟磁性膜を格子面（２０
０）面を配向面として形成する第１の工程と、前記軟磁
性膜上に、六方最密充填格子を空間格子とした結晶構造
を有する垂直磁化膜を形成する第２の工程とからなるこ
とを特徴としている。
記録媒体の製造方法は、基板上に、体心立方格子を空間
格子とした結晶構造を有する軟磁性膜を格子面（２０
０）面を配向面として形成する第１の工程と、前記軟磁
性膜上に、六方最密充填格子を空間格子とした結晶構造
を有する垂直磁化膜を形成する第２の工程とからなるこ
とを特徴としている。
【００１６】また、請求項８記載の発明は、請求項７記
載の垂直磁気記録媒体の製造方法に係り、前記第１の工
程の前に、基板上に、体心立方格子を空間格子とした結
晶構造を有する結晶配向性制御膜を格子面（２００）面
を配向面として形成する第３の工程を行うことを特徴と
している。
載の垂直磁気記録媒体の製造方法に係り、前記第１の工
程の前に、基板上に、体心立方格子を空間格子とした結
晶構造を有する結晶配向性制御膜を格子面（２００）面
を配向面として形成する第３の工程を行うことを特徴と
している。
【００１７】また、請求項９記載の発明は、請求項８記
載の垂直磁気記録媒体の製造方法に係り、前記結晶配向
性制御膜が、バナジウム、クロム、ニオブ、モリブデン
の中から選択された、いずれか１つの元素からなる膜、
あるいは、いずれか２つ以上の元素からなる合金膜であ
ることを特徴としている。
載の垂直磁気記録媒体の製造方法に係り、前記結晶配向
性制御膜が、バナジウム、クロム、ニオブ、モリブデン
の中から選択された、いずれか１つの元素からなる膜、
あるいは、いずれか２つ以上の元素からなる合金膜であ
ることを特徴としている。
【００１８】また、請求項１０記載の発明は、請求項７
乃至９のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方
法に係り、前記垂直磁化膜が、クロムの原子百分率が３
０パーセント以下のコバルト、クロム及びタンタルから
なる合金膜、又は、クロムの原子百分率が３０パーセン
ト以下のコバルト及びクロムからなる合金膜であること
を特徴としている。
乃至９のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方
法に係り、前記垂直磁化膜が、クロムの原子百分率が３
０パーセント以下のコバルト、クロム及びタンタルから
なる合金膜、又は、クロムの原子百分率が３０パーセン
ト以下のコバルト及びクロムからなる合金膜であること
を特徴としている。
【００１９】また、請求項１１記載の発明は、請求項７
乃至１０のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体の製造
方法に係り、前記軟磁性膜が、鉄、シリコン、アルミニ
ウム、チタン、ルテニウム、コバルト、窒素の中から選
択された、いずれか２つ以上の元素からなる合金膜であ
ることを特徴としている。
乃至１０のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体の製造
方法に係り、前記軟磁性膜が、鉄、シリコン、アルミニ
ウム、チタン、ルテニウム、コバルト、窒素の中から選
択された、いずれか２つ以上の元素からなる合金膜であ
ることを特徴としている。
【００２０】また、請求項１２記載の発明は、請求項７
乃至１１のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体の製造
方法に係り、前記基板が、ニッケル、リン及びアルミニ
ウムからなる合金基板、ガラス基板、カーボン基板、シ
リコン基板、又は、サファイア基板であることを特徴と
している。
乃至１１のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体の製造
方法に係り、前記基板が、ニッケル、リン及びアルミニ
ウムからなる合金基板、ガラス基板、カーボン基板、シ
リコン基板、又は、サファイア基板であることを特徴と
している。
【００２１】
【作用】この発明の構成によれば、軟磁性膜を、単独で
又は結晶配向性制御膜と共に、垂直磁化膜の格子面（０
０１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配
向面として形成しているので、垂直磁化膜の垂直配向性
が改善されると共に、垂直磁化膜の成長初期層の膜厚を
薄くすることができる。また、この垂直磁気記録媒体
は、多くても３層構造である。さらに、この発明の構成
による製造方法によれば、アニール処理したり、垂直磁
化膜を構成する各元素の各組成量を膜厚方向に変化させ
る必要はない。したがって、垂直磁気記録媒体を安価か
つ簡単に作製できると共に、記録再生の際の媒体ノイズ
を低減でき、しかも再生出力電圧の記録密度に対する特
性を向上させることができる。
又は結晶配向性制御膜と共に、垂直磁化膜の格子面（０
０１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配
向面として形成しているので、垂直磁化膜の垂直配向性
が改善されると共に、垂直磁化膜の成長初期層の膜厚を
薄くすることができる。また、この垂直磁気記録媒体
は、多くても３層構造である。さらに、この発明の構成
による製造方法によれば、アニール処理したり、垂直磁
化膜を構成する各元素の各組成量を膜厚方向に変化させ
る必要はない。したがって、垂直磁気記録媒体を安価か
つ簡単に作製できると共に、記録再生の際の媒体ノイズ
を低減でき、しかも再生出力電圧の記録密度に対する特
性を向上させることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 Ａ．第１の実施例 図１はこの発明の第１の実施例である垂直磁気記録媒体
１１の概略構造を示す要部断面図である。垂直磁気記録
媒体１１は、直径２．５インチの円形のガラス基板１２
上に、センダスト膜で構成された軟磁性膜１３と、Ｃ
ｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の
組成を有し、六方最密充填格子を空間格子とした結晶構
造を有するＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜１４
とが順に形成されて構成されている。ここで、ａｔ％と
は、原子百分率（atomic percent）をいい、物質全体の
原子数を１００とした場合のある元素の原子数をいう。
今の場合、Ｃｏの原子数が７８、Ｃｒの原子数が１９、
Ｔａの原子数が３である。以下、この垂直磁気記録媒体
１１の製造方法について説明する。まず、ガラス基板１
２上にスパッタ法により６インチのＦｅＳｉＡｌタ−ゲ
ットを用いて、基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範
囲内の所定の温度に保持しつつ、センダスト膜で構成さ
れた軟磁性膜１３を５００nm成膜する。成膜条件は、初
期真空度５×１０-7mTorrにおいて、投入電力０．５k
w、アルゴン（Ａｒ）ガス圧４mTorr、成膜速度３nm/sec
とした。次に、軟磁性膜１３上に、Ｃｏ：７８ａｔ％，
Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏ
ＣｒＴａタ−ゲットを用いてスパッタ法によりＣｏＣｒ
Ｔａ膜で構成された垂直磁化膜１４を１００nmを成膜す
る。
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 Ａ．第１の実施例 図１はこの発明の第１の実施例である垂直磁気記録媒体
１１の概略構造を示す要部断面図である。垂直磁気記録
媒体１１は、直径２．５インチの円形のガラス基板１２
上に、センダスト膜で構成された軟磁性膜１３と、Ｃ
ｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の
組成を有し、六方最密充填格子を空間格子とした結晶構
造を有するＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜１４
とが順に形成されて構成されている。ここで、ａｔ％と
は、原子百分率（atomic percent）をいい、物質全体の
原子数を１００とした場合のある元素の原子数をいう。
今の場合、Ｃｏの原子数が７８、Ｃｒの原子数が１９、
Ｔａの原子数が３である。以下、この垂直磁気記録媒体
１１の製造方法について説明する。まず、ガラス基板１
２上にスパッタ法により６インチのＦｅＳｉＡｌタ−ゲ
ットを用いて、基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範
囲内の所定の温度に保持しつつ、センダスト膜で構成さ
れた軟磁性膜１３を５００nm成膜する。成膜条件は、初
期真空度５×１０-7mTorrにおいて、投入電力０．５k
w、アルゴン（Ａｒ）ガス圧４mTorr、成膜速度３nm/sec
とした。次に、軟磁性膜１３上に、Ｃｏ：７８ａｔ％，
Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏ
ＣｒＴａタ−ゲットを用いてスパッタ法によりＣｏＣｒ
Ｔａ膜で構成された垂直磁化膜１４を１００nmを成膜す
る。
【００２３】ここで、図２に、センダスト膜を成膜した
時の基板温度と、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏＣ
ｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す。センダスト膜の
結晶配向性はＸ線回折法を用いて測定しており、図２に
示す数値は、センダスト膜の格子面（１１０）面及び
（２００）面それぞれから反射されたＸ線の回折強度
（単位：カウント／秒、cps；counts per second）であ
る。このＸ線の回折強度が大きいということは、その格
子面の方向にセンダスト膜の結晶粒が配向していること
を意味する。また、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性もＸ線
回折法を用いて測定しており、単色のＸ線を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００２）面（Ｃ面、垂直方向）により
Ｘ線が反射された場合の回折強度がピークになる方向か
らＣｏＣｒＴａ膜の表面に入射させ、垂直磁気記録媒体
をブラック角の付近で回転させたときに得られる回折強
度のＸ線の反射角（２θ）に対する変化を測定する。こ
の回折強度のＸ線の反射角（２θ）に対する変化を表す
曲線をロッキングカーブといい、ある結晶軸の回りの結
晶配向性（今の場合、Ｃ軸の回りの結晶配向性、すなわ
ち、垂直配向性）の分散を表しており、図２に示す数値
は、このロッキングカ−ブにおいて回折強度が１／２に
低下する角度幅（半値幅）Δθ50（図２では簡単にＣｏ
ＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50と表示、以下この表現を用い
る。）である。したがって、このＣｏＣｒＴａ膜の半値
幅Δθ50の値が小さいほど、ＣｏＣｒＴａ膜の結晶粒は
Ｃ軸方向に配向しており、その配向性の分散が小さい、
すなわち、垂直配向性が良好であるということになる。
時の基板温度と、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏＣ
ｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す。センダスト膜の
結晶配向性はＸ線回折法を用いて測定しており、図２に
示す数値は、センダスト膜の格子面（１１０）面及び
（２００）面それぞれから反射されたＸ線の回折強度
（単位：カウント／秒、cps；counts per second）であ
る。このＸ線の回折強度が大きいということは、その格
子面の方向にセンダスト膜の結晶粒が配向していること
を意味する。また、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性もＸ線
回折法を用いて測定しており、単色のＸ線を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００２）面（Ｃ面、垂直方向）により
Ｘ線が反射された場合の回折強度がピークになる方向か
らＣｏＣｒＴａ膜の表面に入射させ、垂直磁気記録媒体
をブラック角の付近で回転させたときに得られる回折強
度のＸ線の反射角（２θ）に対する変化を測定する。こ
の回折強度のＸ線の反射角（２θ）に対する変化を表す
曲線をロッキングカーブといい、ある結晶軸の回りの結
晶配向性（今の場合、Ｃ軸の回りの結晶配向性、すなわ
ち、垂直配向性）の分散を表しており、図２に示す数値
は、このロッキングカ−ブにおいて回折強度が１／２に
低下する角度幅（半値幅）Δθ50（図２では簡単にＣｏ
ＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50と表示、以下この表現を用い
る。）である。したがって、このＣｏＣｒＴａ膜の半値
幅Δθ50の値が小さいほど、ＣｏＣｒＴａ膜の結晶粒は
Ｃ軸方向に配向しており、その配向性の分散が小さい、
すなわち、垂直配向性が良好であるということになる。
【００２４】図２から分かるように、センダスト膜を成
膜した時の基板温度を１００゜Ｃから変化させ、２００
゜Ｃ以上にすることによって、センダスト膜は格子面
（１１０）面から格子面（２００）面に配向性を変えて
いる。そして、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50は、セン
ダスト膜成膜時の基板温度が２００゜Ｃ以上、すなわ
ち、センダスト膜が格子面（２００）面を配向面として
形成されている場合では、センダスト膜成膜時の基板温
度が２００゜Ｃ未満、すなわち、センダスト膜が格子面
（１１０）面を配向面として形成されている場合に比べ
て、ほぼ半減している。これは、センダスト膜の格子面
（２００）面とＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
の格子整合性が良好であることを表している。つまり、
センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面
と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面とし
て形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50
がほぼ半減していることから、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善されていると考えられる。
膜した時の基板温度を１００゜Ｃから変化させ、２００
゜Ｃ以上にすることによって、センダスト膜は格子面
（１１０）面から格子面（２００）面に配向性を変えて
いる。そして、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50は、セン
ダスト膜成膜時の基板温度が２００゜Ｃ以上、すなわ
ち、センダスト膜が格子面（２００）面を配向面として
形成されている場合では、センダスト膜成膜時の基板温
度が２００゜Ｃ未満、すなわち、センダスト膜が格子面
（１１０）面を配向面として形成されている場合に比べ
て、ほぼ半減している。これは、センダスト膜の格子面
（２００）面とＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
の格子整合性が良好であることを表している。つまり、
センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面
と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面とし
て形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50
がほぼ半減していることから、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善されていると考えられる。
【００２５】ここで、図３〜図５に、上記製造方法で作
製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、記
録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体Ｓ
／Ｎの特性を示す。図３〜図５において、各曲線ａは、
成膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内の
所定の温度でセンダスト膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を
形成した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時の
基板温度を２００゜Ｃ未満の所定の温度でセンダスト膜
を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表す
曲線である。また、記録密度の単位は、kFRPI（kilo Fl
ux Reverse PerInch）であり、例えば、１kFRPIは垂直
磁気記録媒体の１インチ当たり１，０００回磁化反転の
あるデジタル信号の記録状態を意味している。これらの
記録再生特性は、記録用のリングヘッドと再生用の磁気
抵抗素子とが複合されたＩＤ／ＭＲ（Inductive / Magn
etoresistive）複合ヘッドを用いて測定し、記録トラッ
ク幅は４mm、再生トラック幅は３mm、記録ギャップ長は
０．４mm、再生ギャップ長は０．３２mmである。そし
て、記録電流の振幅を１０mA、センス電流を１２mA、周
速度を１２．７m/s、浮上量を４５nm、ノイズのバンド
帯域を４５MHzとした条件下で評価した。
製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、記
録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体Ｓ
／Ｎの特性を示す。図３〜図５において、各曲線ａは、
成膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内の
所定の温度でセンダスト膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を
形成した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時の
基板温度を２００゜Ｃ未満の所定の温度でセンダスト膜
を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表す
曲線である。また、記録密度の単位は、kFRPI（kilo Fl
ux Reverse PerInch）であり、例えば、１kFRPIは垂直
磁気記録媒体の１インチ当たり１，０００回磁化反転の
あるデジタル信号の記録状態を意味している。これらの
記録再生特性は、記録用のリングヘッドと再生用の磁気
抵抗素子とが複合されたＩＤ／ＭＲ（Inductive / Magn
etoresistive）複合ヘッドを用いて測定し、記録トラッ
ク幅は４mm、再生トラック幅は３mm、記録ギャップ長は
０．４mm、再生ギャップ長は０．３２mmである。そし
て、記録電流の振幅を１０mA、センス電流を１２mA、周
速度を１２．７m/s、浮上量を４５nm、ノイズのバンド
帯域を４５MHzとした条件下で評価した。
【００２６】図３によれば、センダスト膜成膜時の基板
温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることに
より（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に
比較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノ
イズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、セ
ンダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として
形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜
厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたもの
と考えられる。また、図４によれば、センダスト膜成膜
時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とす
ることにより（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図５によれば、
センダスト膜成膜時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００
゜Ｃの範囲内とすることにより（曲線ａ）、２００゜未
満にする場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度におい
て媒体Ｓ／Ｎが２〜６dB良好であり、高品質で高記録密
度を実現できることが分かる。すなわち、センダスト膜
を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子整合性
が良好な格子面（２００）面を配向面として形成するこ
とにより、高品質の高記録密度の実現が容易となる。
温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることに
より（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に
比較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノ
イズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、セ
ンダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として
形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜
厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたもの
と考えられる。また、図４によれば、センダスト膜成膜
時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とす
ることにより（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図５によれば、
センダスト膜成膜時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００
゜Ｃの範囲内とすることにより（曲線ａ）、２００゜未
満にする場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度におい
て媒体Ｓ／Ｎが２〜６dB良好であり、高品質で高記録密
度を実現できることが分かる。すなわち、センダスト膜
を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子整合性
が良好な格子面（２００）面を配向面として形成するこ
とにより、高品質の高記録密度の実現が容易となる。
【００２７】Ｂ．第２の実施例 次に、第２の実施例について説明する。この例の垂直磁
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅＳｉタ−ゲットを用いる他は上
記した第１の実施例と同様であり、直径２．５インチの
円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＳｉ膜で構
成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成されてい
る。
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅＳｉタ−ゲットを用いる他は上
記した第１の実施例と同様であり、直径２．５インチの
円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＳｉ膜で構
成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成されてい
る。
【００２８】図６に、ＦｅＳｉ膜を成膜した時の基板温
度と、ＦｅＳｉ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂
直配向性との関係を示す。測定方法及び図６に示す各数
値の意味は上記第１の実施例と同様である。図６から分
かるように、ＦｅＳｉ膜を成膜した時の基板温度を１０
０゜Ｃから変化させ、２００゜Ｃ以上にすることによっ
て、上記第１の実施例のセンダスト膜の場合と同様、上
記基板温度２００゜Ｃを境に、ＦｅＳｉ膜は格子面（１
１０）面から格子面（２００）面に配向性を変えてお
り、それに伴って、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、
上記第１の実施例の場合と同様、ほぼ半減している。す
なわち、上記基板温度を２００゜Ｃ以上とすることによ
り、ＦｅＳｉ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（０
０１）面との格子整合性が良好な格子面（２００）面に
変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されている
と考えられる。
度と、ＦｅＳｉ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂
直配向性との関係を示す。測定方法及び図６に示す各数
値の意味は上記第１の実施例と同様である。図６から分
かるように、ＦｅＳｉ膜を成膜した時の基板温度を１０
０゜Ｃから変化させ、２００゜Ｃ以上にすることによっ
て、上記第１の実施例のセンダスト膜の場合と同様、上
記基板温度２００゜Ｃを境に、ＦｅＳｉ膜は格子面（１
１０）面から格子面（２００）面に配向性を変えてお
り、それに伴って、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、
上記第１の実施例の場合と同様、ほぼ半減している。す
なわち、上記基板温度を２００゜Ｃ以上とすることによ
り、ＦｅＳｉ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（０
０１）面との格子整合性が良好な格子面（２００）面に
変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されている
と考えられる。
【００２９】次に、図７〜図９に、上記製造方法で作製
した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、記録
密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体Ｓ／
Ｎの特性を示す。図７〜図９において、各曲線ａは、成
膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内の所
定の温度でＦｅＳｉ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成
した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時の基板
温度を２００゜Ｃ未満の所定の温度でＦｅＳｉ膜を形成
後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表す曲線で
ある。これらの記録再生特性を測定するヘッドその他の
測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同様であ
る。図７によれば、ＦｅＳｉ膜成膜時の基板温度を、２
００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることにより（曲線
ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に比較して、
全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特性が
非常に優れていることが分かる。これは、ＦｅＳｉ膜
を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子整合性
が良好な格子面（２００）面を配向面として形成するこ
とにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜厚を薄くす
ることができ、低ノイズ化が実現できたものと考えられ
る。また、図８によれば、ＦｅＳｉ膜成膜時の基板温度
を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることにより
（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に比較
して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧の減衰が遅
く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保でき、高記
録密度の実現が容易となることが分かる。これは、Ｆｅ
Ｓｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子
整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として形成
することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善さ
れ、再生出力電圧の記録密度に対する特性が向上したも
のと考えられる。さらに、図９によれば、ＦｅＳｉ膜成
膜時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内と
することにより（曲線ａ）、２００゜未満にする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎ
が１〜２dB良好であり、高品質で高記録密度を実現でき
ることが分かる。すなわち、ＦｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面
（２００）面を配向面として形成することにより、高品
質の高記録密度の実現が容易となる。
した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、記録
密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体Ｓ／
Ｎの特性を示す。図７〜図９において、各曲線ａは、成
膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内の所
定の温度でＦｅＳｉ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成
した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時の基板
温度を２００゜Ｃ未満の所定の温度でＦｅＳｉ膜を形成
後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表す曲線で
ある。これらの記録再生特性を測定するヘッドその他の
測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同様であ
る。図７によれば、ＦｅＳｉ膜成膜時の基板温度を、２
００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることにより（曲線
ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に比較して、
全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特性が
非常に優れていることが分かる。これは、ＦｅＳｉ膜
を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子整合性
が良好な格子面（２００）面を配向面として形成するこ
とにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜厚を薄くす
ることができ、低ノイズ化が実現できたものと考えられ
る。また、図８によれば、ＦｅＳｉ膜成膜時の基板温度
を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることにより
（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に比較
して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧の減衰が遅
く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保でき、高記
録密度の実現が容易となることが分かる。これは、Ｆｅ
Ｓｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子
整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として形成
することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善さ
れ、再生出力電圧の記録密度に対する特性が向上したも
のと考えられる。さらに、図９によれば、ＦｅＳｉ膜成
膜時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内と
することにより（曲線ａ）、２００゜未満にする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎ
が１〜２dB良好であり、高品質で高記録密度を実現でき
ることが分かる。すなわち、ＦｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面
（２００）面を配向面として形成することにより、高品
質の高記録密度の実現が容易となる。
【００３０】Ｃ．第３の実施例 次に、第３の実施例について説明する。この例の垂直磁
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅＡｌタ−ゲットを用いる他は上
記した第１の実施例と同様であり、直径２．５インチの
円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＡｌ膜で構
成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成されてい
る。
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅＡｌタ−ゲットを用いる他は上
記した第１の実施例と同様であり、直径２．５インチの
円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＡｌ膜で構
成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成されてい
る。
【００３１】図１０に、ＦｅＡｌ膜を成膜した時の基板
温度と、ＦｅＡｌ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性との関係を示す。測定方法及び図１０に示す
各数値の意味は上記第１の実施例と同様である。図１０
から分かるように、ＦｅＡｌ膜を成膜した時の基板温度
を１００゜Ｃから変化させ、２００゜Ｃ以上にすること
によって、第１の実施例のセンダスト膜の場合と同様、
上記基板温度２００゜Ｃを境に、ＦｅＡｌ膜は格子面
（１１０）面から格子面（２００）面に配向性を変えて
おり、これに伴って、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ
50も、第１の実施例の場合と同様、ほぼ半減している。
すなわち、上記基板温度を２００゜Ｃ以上とすることに
より、ＦｅＡｌ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面との格子整合性が良好な格子面（２００）
面に変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されて
いると考えられる。
温度と、ＦｅＡｌ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性との関係を示す。測定方法及び図１０に示す
各数値の意味は上記第１の実施例と同様である。図１０
から分かるように、ＦｅＡｌ膜を成膜した時の基板温度
を１００゜Ｃから変化させ、２００゜Ｃ以上にすること
によって、第１の実施例のセンダスト膜の場合と同様、
上記基板温度２００゜Ｃを境に、ＦｅＡｌ膜は格子面
（１１０）面から格子面（２００）面に配向性を変えて
おり、これに伴って、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ
50も、第１の実施例の場合と同様、ほぼ半減している。
すなわち、上記基板温度を２００゜Ｃ以上とすることに
より、ＦｅＡｌ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面との格子整合性が良好な格子面（２００）
面に変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されて
いると考えられる。
【００３２】次に、図１１〜図１３に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図１１〜図１３において、各曲線
ａは、成膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範
囲内の所定の温度でＦｅＡｌ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ
膜を形成した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜
時の基板温度を２００゜Ｃ未満の所定の温度でＦｅＡｌ
膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表
す曲線である。これらの記録再生特性を測定するヘッド
その他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同
様である。図１１によれば、ＦｅＡｌ膜成膜時の基板温
度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることによ
り（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に比
較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイ
ズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、Ｆｅ
Ａｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子
整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として形成
することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜厚を
薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたものと考
えられる。また、図１２によれば、ＦｅＡｌ膜成膜時の
基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とするこ
とにより（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線
ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧の
減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保で
き、高記録密度の実現が容易となることが分かる。これ
は、ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性
が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性が向
上したものと考えられる。さらに、図１３によれば、Ｆ
ｅＡｌ膜成膜時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃ
の範囲内とすることにより（曲線ａ）、２００゜未満に
する場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒
体Ｓ／Ｎが２〜５dB良好であり、高品質で高記録密度を
実現できることが分かる。すなわち、ＦｅＡｌ膜を、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好
な格子面（２００）面を配向面として形成することによ
り、高品質の高記録密度の実現が容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図１１〜図１３において、各曲線
ａは、成膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範
囲内の所定の温度でＦｅＡｌ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ
膜を形成した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜
時の基板温度を２００゜Ｃ未満の所定の温度でＦｅＡｌ
膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表
す曲線である。これらの記録再生特性を測定するヘッド
その他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同
様である。図１１によれば、ＦｅＡｌ膜成膜時の基板温
度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とすることによ
り（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線ｂ）に比
較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイ
ズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、Ｆｅ
Ａｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子
整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として形成
することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜厚を
薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたものと考
えられる。また、図１２によれば、ＦｅＡｌ膜成膜時の
基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃの範囲内とするこ
とにより（曲線ａ）、２００゜未満にする場合（曲線
ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧の
減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保で
き、高記録密度の実現が容易となることが分かる。これ
は、ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性
が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性が向
上したものと考えられる。さらに、図１３によれば、Ｆ
ｅＡｌ膜成膜時の基板温度を、２００゜Ｃ〜３００゜Ｃ
の範囲内とすることにより（曲線ａ）、２００゜未満に
する場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒
体Ｓ／Ｎが２〜５dB良好であり、高品質で高記録密度を
実現できることが分かる。すなわち、ＦｅＡｌ膜を、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好
な格子面（２００）面を配向面として形成することによ
り、高品質の高記録密度の実現が容易となる。
【００３３】Ｄ．第４の実施例 次に、第４の実施例について説明する。この例の垂直磁
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法及び垂直磁化膜の組成は上記した第１
の実施例と同様であり、軟磁性膜の成膜条件も基板温度
を１００゜Ｃに設定すると共に、Ａｒガスのガス圧を１
０〜３０mTorrの範囲内の所定のガス圧に設定する他
は、上記した第１の実施例と同様であり、直径２．５イ
ンチの円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのセンダス
ト膜で構成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒ
Ｔａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成
されている。
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法及び垂直磁化膜の組成は上記した第１
の実施例と同様であり、軟磁性膜の成膜条件も基板温度
を１００゜Ｃに設定すると共に、Ａｒガスのガス圧を１
０〜３０mTorrの範囲内の所定のガス圧に設定する他
は、上記した第１の実施例と同様であり、直径２．５イ
ンチの円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのセンダス
ト膜で構成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒ
Ｔａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成
されている。
【００３４】図１４に、センダスト膜を成膜した時のＡ
ｒガスのガス圧と、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏ
ＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す。測定方法及び
図１４に示す各数値の意味は上記第１の実施例と同様で
ある。図１４から分かるように、センダスト膜を成膜し
た時のＡｒガスのガス圧を４０mTorrから変化させ、３
０mTorr以下にすることによって、上記ガス圧３０mTorr
を境に、センダスト膜は格子面（１１０）面から格子面
（２００）面に配向性を変えており、それに伴って、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場
合と同様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガス
のガス圧を３０mTorr以下とすることにより、センダス
ト膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
の格子整合性が良好な格子面（２００）面に変化し、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられ
る。
ｒガスのガス圧と、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏ
ＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す。測定方法及び
図１４に示す各数値の意味は上記第１の実施例と同様で
ある。図１４から分かるように、センダスト膜を成膜し
た時のＡｒガスのガス圧を４０mTorrから変化させ、３
０mTorr以下にすることによって、上記ガス圧３０mTorr
を境に、センダスト膜は格子面（１１０）面から格子面
（２００）面に配向性を変えており、それに伴って、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場
合と同様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガス
のガス圧を３０mTorr以下とすることにより、センダス
ト膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
の格子整合性が良好な格子面（２００）面に変化し、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられ
る。
【００３５】次に、図１５〜図１７に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図１５〜図１７において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてセ
ンダスト膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の
特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒガスのガス
圧を４０mTorrとしてセンダスト膜を形成後、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜を形成した場合の特性を表す曲線である。これら
の記録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び
評価条件は上記第１の実施例と同様である。図１５によ
れば、センダスト膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mT
orrとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体ノイズ
が小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分か
る。これは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が
実現できたものと考えられる。また、図１６によれば、
センダスト膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrと
することにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図１７によれ
ば、センダスト膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTor
rとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎ
が２〜３dB良好であり、高品質で高記録密度を実現でき
ることが分かる。すなわち、センダスト膜を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子
面（２００）面を配向面として形成することにより、高
品質の高記録密度の実現が容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図１５〜図１７において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてセ
ンダスト膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の
特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒガスのガス
圧を４０mTorrとしてセンダスト膜を形成後、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜を形成した場合の特性を表す曲線である。これら
の記録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び
評価条件は上記第１の実施例と同様である。図１５によ
れば、センダスト膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mT
orrとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体ノイズ
が小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分か
る。これは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が
実現できたものと考えられる。また、図１６によれば、
センダスト膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrと
することにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図１７によれ
ば、センダスト膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTor
rとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎ
が２〜３dB良好であり、高品質で高記録密度を実現でき
ることが分かる。すなわち、センダスト膜を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子
面（２００）面を配向面として形成することにより、高
品質の高記録密度の実現が容易となる。
【００３６】Ｅ．第５の実施例 次に、第５の実施例について説明する。この例の垂直磁
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅ、Ｓｉ、Ａｌ、ルテニウム（Ｒ
ｕ）及びＴｉからなるタ−ゲットを用いる他は上記した
第４の実施例と同様であり、直径２．５インチの円形の
ガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ
膜で構成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴ
ａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成さ
れている。
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅ、Ｓｉ、Ａｌ、ルテニウム（Ｒ
ｕ）及びＴｉからなるタ−ゲットを用いる他は上記した
第４の実施例と同様であり、直径２．５インチの円形の
ガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ
膜で構成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴ
ａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成さ
れている。
【００３７】図１８に、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を成膜
した時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜
の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係
を示している。測定方法及び図１８に示す各数値の意味
は、上記第１の実施例と同様である。同図から分かるよ
うに、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を成膜した時のＡｒガス
のガス圧を４０mTorrから変化させ、３０mTorr以下にす
ることによって、上記ガス圧３０mTorrを境に、ＦｅＳ
ｉＡｌＲｕＴｉ膜は格子面（１１０）面から格子面（２
００）面に配向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣ
ｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場合と
同様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガスのガ
ス圧を３０mTorr以下とすることにより、ＦｅＳｉＡｌ
ＲｕＴｉ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面との格子整合性が良好な格子面（２００）面に変
化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると
考えられる。
した時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜
の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係
を示している。測定方法及び図１８に示す各数値の意味
は、上記第１の実施例と同様である。同図から分かるよ
うに、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を成膜した時のＡｒガス
のガス圧を４０mTorrから変化させ、３０mTorr以下にす
ることによって、上記ガス圧３０mTorrを境に、ＦｅＳ
ｉＡｌＲｕＴｉ膜は格子面（１１０）面から格子面（２
００）面に配向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣ
ｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場合と
同様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガスのガ
ス圧を３０mTorr以下とすることにより、ＦｅＳｉＡｌ
ＲｕＴｉ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面との格子整合性が良好な格子面（２００）面に変
化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると
考えられる。
【００３８】次に、図１９〜図２１に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図１９〜図２１において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてＦ
ｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成
した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒ
ガスのガス圧を４０mTorrとしてＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ
膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表
す曲線である。これらの記録再生特性を測定するヘッド
その他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同
様である。図１９によれば、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜成
膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとすることにより
（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲線ｂ）に比較し
て、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることが分かる。これは、ＦｅＳｉ
ＡｌＲｕＴｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層
の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できた
ものと考えられる。また、図２０によれば、ＦｅＳｉＡ
ｌＲｕＴｉ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrと
することにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格
子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２０
０）面を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密度
に対する特性が向上したものと考えられる。さらに、図
２１によれば、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜成膜時のＡｒガ
スのガス圧を１０mTorrとすることにより（曲線ａ）、
４０mTorrとする場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密
度において媒体Ｓ／Ｎが１〜２dB良好であり、高品質で
高記録密度を実現できることが分かる。すなわち、Ｆｅ
ＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、高品質の高記録密度の実
現が容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図１９〜図２１において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてＦ
ｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成
した場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒ
ガスのガス圧を４０mTorrとしてＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ
膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特性を表
す曲線である。これらの記録再生特性を測定するヘッド
その他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同
様である。図１９によれば、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜成
膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとすることにより
（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲線ｂ）に比較し
て、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることが分かる。これは、ＦｅＳｉ
ＡｌＲｕＴｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層
の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できた
ものと考えられる。また、図２０によれば、ＦｅＳｉＡ
ｌＲｕＴｉ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrと
することにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格
子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２０
０）面を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密度
に対する特性が向上したものと考えられる。さらに、図
２１によれば、ＦｅＳｉＡｌＲｕＴｉ膜成膜時のＡｒガ
スのガス圧を１０mTorrとすることにより（曲線ａ）、
４０mTorrとする場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密
度において媒体Ｓ／Ｎが１〜２dB良好であり、高品質で
高記録密度を実現できることが分かる。すなわち、Ｆｅ
ＳｉＡｌＲｕＴｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、高品質の高記録密度の実
現が容易となる。
【００３９】Ｆ．第６の実施例 次に、第６の実施例について説明する。この例の垂直磁
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅ、Ｔａ及び窒素（Ｎ）からなる
タ−ゲットを用いる他は上記した第４の実施例と同様で
あり、直径２．５インチの円形のガラス基板上に、膜厚
５００nmのＦｅＴａＮ膜で構成された軟磁性膜と、膜厚
１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが
順に形成されて構成されている。
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅ、Ｔａ及び窒素（Ｎ）からなる
タ−ゲットを用いる他は上記した第４の実施例と同様で
あり、直径２．５インチの円形のガラス基板上に、膜厚
５００nmのＦｅＴａＮ膜で構成された軟磁性膜と、膜厚
１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが
順に形成されて構成されている。
【００４０】図２２に、ＦｅＴａＮ膜を成膜した時のＡ
ｒガスのガス圧と、ＦｅＴａＮ膜の結晶配向性及びＣｏ
ＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す。測定方法及び
図２２に示す各数値の意味は上記第１の実施例と同様で
ある。図２２から分かるように、ＦｅＴａＮ膜を成膜し
た時のＡｒガスのガス圧を４０mTorrから変化させ、３
０mTorr以下にすることによって、上記ガス圧３０mTorr
を境に、ＦｅＴａＮ膜は格子面（１１０）面から格子面
（２００）面に配向性を変えており、それに伴って、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場
合と同様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガス
のガス圧を３０mTorr以下とすることにより、ＦｅＴａ
Ｎ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
の格子整合性が良好な格子面（２００）面に変化し、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられ
る。
ｒガスのガス圧と、ＦｅＴａＮ膜の結晶配向性及びＣｏ
ＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す。測定方法及び
図２２に示す各数値の意味は上記第１の実施例と同様で
ある。図２２から分かるように、ＦｅＴａＮ膜を成膜し
た時のＡｒガスのガス圧を４０mTorrから変化させ、３
０mTorr以下にすることによって、上記ガス圧３０mTorr
を境に、ＦｅＴａＮ膜は格子面（１１０）面から格子面
（２００）面に配向性を変えており、それに伴って、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場
合と同様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガス
のガス圧を３０mTorr以下とすることにより、ＦｅＴａ
Ｎ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
の格子整合性が良好な格子面（２００）面に変化し、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられ
る。
【００４１】次に、図２３〜図２５に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図２３〜図２５において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてＦ
ｅＴａＮ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の
特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒガスのガス
圧を４０mTorrとしてＦｅＴａＮ膜を形成後、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜を形成した場合の特性を表す曲線である。これら
の記録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び
評価条件は上記第１の実施例と同様である。図２３によ
れば、ＦｅＴａＮ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mT
orrとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体ノイズ
が小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分か
る。これは、ＦｅＴａＮ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が
実現できたものと考えられる。また、図２４によれば、
ＦｅＴａＮ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrと
することにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、ＦｅＴａＮ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図２５によれ
ば、ＦｅＴａＮ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTor
rとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎ
が１〜４dB良好であり、高品質で高記録密度を実現でき
ることが分かる。すなわち、ＦｅＴａＮ膜を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子
面（２００）面を配向面として形成することにより、高
品質の高記録密度の実現が容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図２３〜図２５において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてＦ
ｅＴａＮ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の
特性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒガスのガス
圧を４０mTorrとしてＦｅＴａＮ膜を形成後、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜を形成した場合の特性を表す曲線である。これら
の記録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び
評価条件は上記第１の実施例と同様である。図２３によ
れば、ＦｅＴａＮ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mT
orrとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体ノイズ
が小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分か
る。これは、ＦｅＴａＮ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が
実現できたものと考えられる。また、図２４によれば、
ＦｅＴａＮ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrと
することにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、ＦｅＴａＮ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図２５によれ
ば、ＦｅＴａＮ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTor
rとすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎ
が１〜４dB良好であり、高品質で高記録密度を実現でき
ることが分かる。すなわち、ＦｅＴａＮ膜を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子
面（２００）面を配向面として形成することにより、高
品質の高記録密度の実現が容易となる。
【００４２】Ｇ．第７の実施例 次に、第７の実施例について説明する。この例の垂直磁
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅＣｏタ−ゲットを用いる他は上
記した第４の実施例と同様であり、直径２．５インチの
円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＣｏ膜で構
成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成されてい
る。
気記録媒体は、図１に示す構造と同様の概略構造を有
し、その製造方法、垂直磁化膜の組成及び軟磁性膜の成
膜条件も６インチのＦｅＣｏタ−ゲットを用いる他は上
記した第４の実施例と同様であり、直径２．５インチの
円形のガラス基板上に、膜厚５００nmのＦｅＣｏ膜で構
成された軟磁性膜と、膜厚１００nmのＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構成されてい
る。
【００４３】図２６に、ＦｅＣｏ膜を成膜した時のＡｒ
ガスのガス圧と、ＦｅＣｏ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性との関係を示す。測定方法及び図２
６に示す各数値の意味は上記第１の実施例と同様であ
る。図２６から分かるように、ＦｅＣｏ膜を成膜した時
のＡｒガスのガス圧を４０mTorrから変化させ、３０mTo
rr以下にすることによって、上記ガス圧３０mTorrを境
に、ＦｅＣｏ膜は格子面（１１０）面から格子面（２０
０）面に配向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場合と同
様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガスのガス
圧を３０mTorr以下とすることにより、ＦｅＣｏ膜の配
向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面との格子整
合性が良好な格子面（２００）面に変化し、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられる。
ガスのガス圧と、ＦｅＣｏ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性との関係を示す。測定方法及び図２
６に示す各数値の意味は上記第１の実施例と同様であ
る。図２６から分かるように、ＦｅＣｏ膜を成膜した時
のＡｒガスのガス圧を４０mTorrから変化させ、３０mTo
rr以下にすることによって、上記ガス圧３０mTorrを境
に、ＦｅＣｏ膜は格子面（１１０）面から格子面（２０
０）面に配向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の半値幅Δθ50も、上記第１の実施例の場合と同
様、ほぼ半減している。すなわち、上記Ａｒガスのガス
圧を３０mTorr以下とすることにより、ＦｅＣｏ膜の配
向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面との格子整
合性が良好な格子面（２００）面に変化し、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられる。
【００４４】次に、図２７〜図２９に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図２７〜図２９において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてＦ
ｅＣｏ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特
性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒガスのガス圧
を４０mTorrとしてＦｅＣｏ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ
膜を形成した場合の特性を表す曲線である。これらの記
録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び評価
条件は上記第１の実施例と同様である。図２７によれ
ば、ＦｅＣｏ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorr
とすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体ノイズ
が小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分か
る。これは、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が
実現できたものと考えられる。また、図２８によれば、
ＦｅＣｏ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとす
ることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲線
ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧の
減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保で
き、高記録密度の実現が容易となることが分かる。これ
は、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性
が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性が向
上したものと考えられる。さらに、図２９によれば、Ｆ
ｅＣｏ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとする
ことにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲線
ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが３〜
８dB良好であり、高品質で高記録密度を実現できること
が分かる。すなわち、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の
格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２０
０）面を配向面として形成することにより、高品質の高
記録密度の実現が容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図２７〜図２９において、各曲線
ａは、成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとしてＦ
ｅＣｏ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ膜を形成した場合の特
性を表す曲線、各曲線ｂは、成膜時のＡｒガスのガス圧
を４０mTorrとしてＦｅＣｏ膜を形成後、ＣｏＣｒＴａ
膜を形成した場合の特性を表す曲線である。これらの記
録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び評価
条件は上記第１の実施例と同様である。図２７によれ
ば、ＦｅＣｏ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorr
とすることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合
（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において媒体ノイズ
が小さく、ノイズ特性が非常に優れていることが分か
る。これは、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイズ化が
実現できたものと考えられる。また、図２８によれば、
ＦｅＣｏ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとす
ることにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲線
ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧の
減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保で
き、高記録密度の実現が容易となることが分かる。これ
は、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性
が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性が向
上したものと考えられる。さらに、図２９によれば、Ｆ
ｅＣｏ膜成膜時のＡｒガスのガス圧を１０mTorrとする
ことにより（曲線ａ）、４０mTorrとする場合（曲線
ｂ）に比較して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが３〜
８dB良好であり、高品質で高記録密度を実現できること
が分かる。すなわち、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の
格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２０
０）面を配向面として形成することにより、高品質の高
記録密度の実現が容易となる。
【００４５】Ｈ．第８の実施例 次に、第８の実施例について説明する。図３０はこの発
明の第８の実施例である垂直磁気記録媒体２１の概略構
造を示す要部断面図である。垂直磁気記録媒体２１は、
直径２．５インチの円形のガラス基板２２上に、体心立
方格子を空間格子とした結晶構造を有するバナジウム
（Ｖ）膜で構成された結晶配向性制御膜２３と、ＦｅＳ
ｉ膜で構成された軟磁性膜２４と、Ｃｏ：７８ａｔ％，
Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏ
ＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜２５とが順に形成さ
れて構成されている。以下、この垂直磁気記録媒体２１
の製造方法について説明する。まず、ガラス基板２２上
にスパッタ法により６インチのＶタ−ゲットを用いて、
基板温度を２００゜Ｃに保持しつつ、Ｖ膜で構成された
結晶配向性制御膜２３を２０nm成膜した後、スパッタ法
により６インチのＦｅＳｉタ−ゲットを用いて、基板温
度を１００゜Ｃに保持しつつ、ＦｅＳｉ膜で構成された
軟磁性膜２４を５００nm成膜する。成膜条件は、上記し
た第１の実施例と同様である。次に、軟磁性膜２４上
に、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａ
ｔ％の組成を有するＣｏＣｒＴａタ−ゲットを用いてス
パッタ法によりＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜
２５を１００nmを成膜する。
明の第８の実施例である垂直磁気記録媒体２１の概略構
造を示す要部断面図である。垂直磁気記録媒体２１は、
直径２．５インチの円形のガラス基板２２上に、体心立
方格子を空間格子とした結晶構造を有するバナジウム
（Ｖ）膜で構成された結晶配向性制御膜２３と、ＦｅＳ
ｉ膜で構成された軟磁性膜２４と、Ｃｏ：７８ａｔ％，
Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏ
ＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜２５とが順に形成さ
れて構成されている。以下、この垂直磁気記録媒体２１
の製造方法について説明する。まず、ガラス基板２２上
にスパッタ法により６インチのＶタ−ゲットを用いて、
基板温度を２００゜Ｃに保持しつつ、Ｖ膜で構成された
結晶配向性制御膜２３を２０nm成膜した後、スパッタ法
により６インチのＦｅＳｉタ−ゲットを用いて、基板温
度を１００゜Ｃに保持しつつ、ＦｅＳｉ膜で構成された
軟磁性膜２４を５００nm成膜する。成膜条件は、上記し
た第１の実施例と同様である。次に、軟磁性膜２４上
に、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａ
ｔ％の組成を有するＣｏＣｒＴａタ−ゲットを用いてス
パッタ法によりＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜
２５を１００nmを成膜する。
【００４６】図３１に、結晶配向性制御膜２３としてＶ
膜を設けた場合と設けなかった場合の、ＦｅＳｉ膜の結
晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性について示
す。測定方法及び図３１に示す各数値の意味は上記第１
の実施例と同様である。図３１から分かるように、Ｆｅ
Ｓｉ膜を形成する前にＶ膜を形成することによって、Ｆ
ｅＳｉ膜は、基板温度を１００゜Ｃに保持しつつ形成し
ても、格子面（１１０）面から格子面（２００）面に配
向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣｒＴａ膜の半
値幅Δθ50は、著しくて低下している。すなわち、上記
Ｖ膜を設けることにより、ＦｅＳｉ膜の配向面がＣｏＣ
ｒＴａ膜の格子面（００１）面との格子整合性が良好な
格子面（２００）面に変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善されていると考えられる。これは、Ｖ膜が格
子面（２００）面を配向面として形成され、その配向面
上に、ＦｅＳｉ膜がエピタキシャル成長するためと考え
られる。
膜を設けた場合と設けなかった場合の、ＦｅＳｉ膜の結
晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性について示
す。測定方法及び図３１に示す各数値の意味は上記第１
の実施例と同様である。図３１から分かるように、Ｆｅ
Ｓｉ膜を形成する前にＶ膜を形成することによって、Ｆ
ｅＳｉ膜は、基板温度を１００゜Ｃに保持しつつ形成し
ても、格子面（１１０）面から格子面（２００）面に配
向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣｒＴａ膜の半
値幅Δθ50は、著しくて低下している。すなわち、上記
Ｖ膜を設けることにより、ＦｅＳｉ膜の配向面がＣｏＣ
ｒＴａ膜の格子面（００１）面との格子整合性が良好な
格子面（２００）面に変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善されていると考えられる。これは、Ｖ膜が格
子面（２００）面を配向面として形成され、その配向面
上に、ＦｅＳｉ膜がエピタキシャル成長するためと考え
られる。
【００４７】次に、図３２〜図３４に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体Ｓ
／Ｎの特性を示す。これらの図において、各曲線ａは、
Ｖ膜を設けた場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、Ｖ膜
を設けなかった場合の特性を表す曲線である。これらの
記録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び評
価条件は上記第１の実施例と同様である。図３２によれ
ば、Ｖ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｖ膜を設けな
かった場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において
媒体ノイズが小さく、ノイズ特性が非常に優れているこ
とが分かる。これは、ＦｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の
格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２０
０）面を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイ
ズ化が実現できたものと考えられる。また、図３３によ
れば、Ｖ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｖ膜を設け
なかった場合（曲線ｂ）に比較して、記録密度の増大に
伴う再生出力電圧の減衰が遅く、高記録密度まで高い再
生出力電圧を確保でき、高記録密度の実現が容易となる
ことが分かる。これは、ＦｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜
の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２
００）面を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密
度に対する特性が向上したものと考えられる。さらに、
図３４によれば、Ｖ膜を設けることにより（曲線ａ）、
Ｖ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全記録
密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜６dB良好であり、高品質
で高記録密度を実現できることが分かる。すなわち、Ｆ
ｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格
子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として形
成することにより、高品質の高記録密度の実現が容易と
なる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体Ｓ
／Ｎの特性を示す。これらの図において、各曲線ａは、
Ｖ膜を設けた場合の特性を表す曲線、各曲線ｂは、Ｖ膜
を設けなかった場合の特性を表す曲線である。これらの
記録再生特性を測定するヘッドその他の測定条件及び評
価条件は上記第１の実施例と同様である。図３２によれ
ば、Ｖ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｖ膜を設けな
かった場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度において
媒体ノイズが小さく、ノイズ特性が非常に優れているこ
とが分かる。これは、ＦｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の
格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２０
０）面を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴ
ａ膜の成長初期層の膜厚を薄くすることができ、低ノイ
ズ化が実現できたものと考えられる。また、図３３によ
れば、Ｖ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｖ膜を設け
なかった場合（曲線ｂ）に比較して、記録密度の増大に
伴う再生出力電圧の減衰が遅く、高記録密度まで高い再
生出力電圧を確保でき、高記録密度の実現が容易となる
ことが分かる。これは、ＦｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜
の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２
００）面を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密
度に対する特性が向上したものと考えられる。さらに、
図３４によれば、Ｖ膜を設けることにより（曲線ａ）、
Ｖ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全記録
密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜６dB良好であり、高品質
で高記録密度を実現できることが分かる。すなわち、Ｆ
ｅＳｉ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と格
子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として形
成することにより、高品質の高記録密度の実現が容易と
なる。
【００４８】Ｉ．第９の実施例 次に、第９の実施例について説明する。この例の垂直磁
気記録媒体は、図３０に示す構造と同様の概略構造を有
しており、直径２．５インチの円形のガラス基板上に、
体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有し、Ｃｒ：
５０ａｔ％，ニオブ（Ｎｂ）：５０ａｔ％の組成を有す
るＣｒＮｂ膜で構成された結晶配向性制御膜と、ＦｅＣ
ｏ膜で構成された軟磁性膜と、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃ
ｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣ
ｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構
成されている。以下、この垂直磁気記録媒体の製造方法
について説明する。まず、ガラス基板上にスパッタ法に
よりＣｒ：５０ａｔ％，Ｎｂ：５０ａｔ％の組成を有す
る６インチのＣｒＮｂタ−ゲットを用いて、基板温度を
２００゜Ｃに保持しつつ、ＣｒＮｂ膜で構成された結晶
配向性制御膜を２０nm成膜した後、スパッタ法により６
インチのＦｅＣｏタ−ゲットを用いて、基板温度を１０
０゜Ｃに保持しつつ、ＦｅＣｏ膜で構成された軟磁性膜
を５００nm成膜する。成膜条件は、上記した第１の実施
例と同様である。次に、軟磁性膜上に、Ｃｏ：７８ａｔ
％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有する
ＣｏＣｒＴａタ−ゲットを用いてスパッタ法によりＣｏ
ＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜を１００nmを成膜す
る。
気記録媒体は、図３０に示す構造と同様の概略構造を有
しており、直径２．５インチの円形のガラス基板上に、
体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有し、Ｃｒ：
５０ａｔ％，ニオブ（Ｎｂ）：５０ａｔ％の組成を有す
るＣｒＮｂ膜で構成された結晶配向性制御膜と、ＦｅＣ
ｏ膜で構成された軟磁性膜と、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃ
ｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣ
ｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成されて構
成されている。以下、この垂直磁気記録媒体の製造方法
について説明する。まず、ガラス基板上にスパッタ法に
よりＣｒ：５０ａｔ％，Ｎｂ：５０ａｔ％の組成を有す
る６インチのＣｒＮｂタ−ゲットを用いて、基板温度を
２００゜Ｃに保持しつつ、ＣｒＮｂ膜で構成された結晶
配向性制御膜を２０nm成膜した後、スパッタ法により６
インチのＦｅＣｏタ−ゲットを用いて、基板温度を１０
０゜Ｃに保持しつつ、ＦｅＣｏ膜で構成された軟磁性膜
を５００nm成膜する。成膜条件は、上記した第１の実施
例と同様である。次に、軟磁性膜上に、Ｃｏ：７８ａｔ
％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有する
ＣｏＣｒＴａタ−ゲットを用いてスパッタ法によりＣｏ
ＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜を１００nmを成膜す
る。
【００４９】図３５に、結晶配向性制御膜としてＣｒＮ
ｂ膜を設けた場合と設けなかった場合のＦｅＣｏ膜の結
晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性についてそれ
ぞれ示す。測定方法及び図３５に示す各数値の意味は第
１の実施例と同様である。同図から分かるように、Ｆｅ
Ｃｏ膜を形成する前にＣｒＮｂ膜を形成することによっ
て、ＦｅＣｏ膜は、基板温度を１００゜Ｃに保持しつつ
形成しても、格子面（１１０）面から格子面（２００）
面に配向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣｒＴａ
膜の半値幅Δθ50は、著しくて低下している。すなわ
ち、上記ＣｒＮｂ膜を設けることにより、ＦｅＣｏ膜の
配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面との格子
整合性が良好な格子面（２００）面に変化し、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられる。こ
れは、ＣｒＮｂ膜が格子面（２００）面を配向面として
形成され、その配向面上に、ＦｅＣｏ膜がエピタキシャ
ル成長するためと考えられる。
ｂ膜を設けた場合と設けなかった場合のＦｅＣｏ膜の結
晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性についてそれ
ぞれ示す。測定方法及び図３５に示す各数値の意味は第
１の実施例と同様である。同図から分かるように、Ｆｅ
Ｃｏ膜を形成する前にＣｒＮｂ膜を形成することによっ
て、ＦｅＣｏ膜は、基板温度を１００゜Ｃに保持しつつ
形成しても、格子面（１１０）面から格子面（２００）
面に配向性を変えており、それに伴って、ＣｏＣｒＴａ
膜の半値幅Δθ50は、著しくて低下している。すなわ
ち、上記ＣｒＮｂ膜を設けることにより、ＦｅＣｏ膜の
配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面との格子
整合性が良好な格子面（２００）面に変化し、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性が改善されていると考えられる。こ
れは、ＣｒＮｂ膜が格子面（２００）面を配向面として
形成され、その配向面上に、ＦｅＣｏ膜がエピタキシャ
ル成長するためと考えられる。
【００５０】次に、図３６〜図３８に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図３６〜図３８において、各曲線
ａは、ＣｒＮｂ膜を設けた場合の特性を表す曲線、各曲
線ｂは、ＣｒＮｂ膜を設けなかった場合の特性を表す曲
線である。これらの記録再生特性を測定するヘッドその
他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同様で
ある。図３６によれば、ＣｒＮｂ膜を設けることにより
（曲線ａ）、ＣｒＮｂ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）
に比較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、
ノイズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、
ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として
形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜
厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたもの
と考えられる。また、図３７によれば、ＣｒＮｂ膜を設
けることにより（曲線ａ）、ＣｒＮｂ膜を設けなかった
場合（曲線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生
出力電圧の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電
圧を確保でき、高記録密度の実現が容易となることが分
かる。これは、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対す
る特性が向上したものと考えられる。さらに、図３８に
よれば、ＣｒＮｂ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｃ
ｒＮｂ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全
記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜４dB良好であり、高
品質で高記録密度を実現できることが分かる。すなわ
ち、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、高品質の高記録密度の実現が
容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図３６〜図３８において、各曲線
ａは、ＣｒＮｂ膜を設けた場合の特性を表す曲線、各曲
線ｂは、ＣｒＮｂ膜を設けなかった場合の特性を表す曲
線である。これらの記録再生特性を測定するヘッドその
他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同様で
ある。図３６によれば、ＣｒＮｂ膜を設けることにより
（曲線ａ）、ＣｒＮｂ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）
に比較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、
ノイズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、
ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として
形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜
厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたもの
と考えられる。また、図３７によれば、ＣｒＮｂ膜を設
けることにより（曲線ａ）、ＣｒＮｂ膜を設けなかった
場合（曲線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生
出力電圧の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電
圧を確保でき、高記録密度の実現が容易となることが分
かる。これは、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対す
る特性が向上したものと考えられる。さらに、図３８に
よれば、ＣｒＮｂ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｃ
ｒＮｂ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全
記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜４dB良好であり、高
品質で高記録密度を実現できることが分かる。すなわ
ち、ＦｅＣｏ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、高品質の高記録密度の実現が
容易となる。
【００５１】Ｊ．第１０の実施例 次に、第１０の実施例について説明する。この例の垂直
磁気記録媒体は、図３０に示す構造と同様の概略構造を
有しており、直径２．５インチの円形のガラス基板上
に、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有し、Ｃ
ｒ：８０ａｔ％，モリブデン（Ｍｏ）：２０ａｔ％の組
成を有するＣｒＭｏ膜で構成された結晶配向性制御膜
と、ＦｅＡｌ膜で構成された軟磁性膜と、Ｃｏ：７８ａ
ｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有す
るＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成
されて構成されている。以下、この垂直磁気記録媒体の
製造方法について説明する。まず、ガラス基板上にスパ
ッタ法によりＣｒ：８０ａｔ％，Ｍｏ：２０ａｔ％の組
成を有する６インチのＣｒＭｏタ−ゲットを用いて、基
板温度を２００゜Ｃに保持しつつ、ＣｒＭｏ膜で構成さ
れた結晶配向性制御膜を２０nm成膜した後、スパッタ法
により６インチのＦｅＡｌタ−ゲットを用いて、基板温
度を１００゜Ｃに保持しつつ、ＦｅＡｌ膜で構成された
軟磁性膜を５００nm成膜する。成膜条件は、上記した第
１の実施例と同様である。次に、軟磁性膜上に、Ｃｏ：
７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成
を有するＣｏＣｒＴａタ−ゲットを用いてスパッタ法に
よりＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜を１００nm
を成膜する。
磁気記録媒体は、図３０に示す構造と同様の概略構造を
有しており、直径２．５インチの円形のガラス基板上
に、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有し、Ｃ
ｒ：８０ａｔ％，モリブデン（Ｍｏ）：２０ａｔ％の組
成を有するＣｒＭｏ膜で構成された結晶配向性制御膜
と、ＦｅＡｌ膜で構成された軟磁性膜と、Ｃｏ：７８ａ
ｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有す
るＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜とが順に形成
されて構成されている。以下、この垂直磁気記録媒体の
製造方法について説明する。まず、ガラス基板上にスパ
ッタ法によりＣｒ：８０ａｔ％，Ｍｏ：２０ａｔ％の組
成を有する６インチのＣｒＭｏタ−ゲットを用いて、基
板温度を２００゜Ｃに保持しつつ、ＣｒＭｏ膜で構成さ
れた結晶配向性制御膜を２０nm成膜した後、スパッタ法
により６インチのＦｅＡｌタ−ゲットを用いて、基板温
度を１００゜Ｃに保持しつつ、ＦｅＡｌ膜で構成された
軟磁性膜を５００nm成膜する。成膜条件は、上記した第
１の実施例と同様である。次に、軟磁性膜上に、Ｃｏ：
７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成
を有するＣｏＣｒＴａタ−ゲットを用いてスパッタ法に
よりＣｏＣｒＴａ膜で構成された垂直磁化膜を１００nm
を成膜する。
【００５２】図３９に、結晶配向性制御膜としてＣｒＭ
ｏ膜を設けた場合と設けなかった場合の、ＦｅＡｌ膜の
結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性についてそ
れぞれ示す。測定方法及び図３９に示す各数値の意味は
上記第１の実施例と同様である。同図から分かるよう
に、ＦｅＡｌ膜を形成する前にＣｒＭｏ膜を形成するこ
とによって、ＦｅＡｌ膜は、基板温度を１００゜Ｃに保
持しつつ形成しても、格子面（１１０）面から格子面
（２００）面に配向性を変えており、それに伴って、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50は、著しくて低下してい
る。すなわち、上記ＣｒＭｏ膜を設けることにより、Ｆ
ｅＡｌ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面との格子整合性が良好な格子面（２００）面に変化
し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると考
えられる。これは、ＣｒＭｏ膜が格子面（２００）面を
配向面として形成され、その配向面上に、ＦｅＡｌ膜が
エピタキシャル成長するためと考えられる。
ｏ膜を設けた場合と設けなかった場合の、ＦｅＡｌ膜の
結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性についてそ
れぞれ示す。測定方法及び図３９に示す各数値の意味は
上記第１の実施例と同様である。同図から分かるよう
に、ＦｅＡｌ膜を形成する前にＣｒＭｏ膜を形成するこ
とによって、ＦｅＡｌ膜は、基板温度を１００゜Ｃに保
持しつつ形成しても、格子面（１１０）面から格子面
（２００）面に配向性を変えており、それに伴って、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50は、著しくて低下してい
る。すなわち、上記ＣｒＭｏ膜を設けることにより、Ｆ
ｅＡｌ膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面との格子整合性が良好な格子面（２００）面に変化
し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善されていると考
えられる。これは、ＣｒＭｏ膜が格子面（２００）面を
配向面として形成され、その配向面上に、ＦｅＡｌ膜が
エピタキシャル成長するためと考えられる。
【００５３】次に、図４０〜図４２に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図４０〜図４２において、各曲線
ａは、ＣｒＭｏ膜を設けた場合の特性を表す曲線、各曲
線ｂは、ＣｒＭｏ膜を設けなかった場合の特性を表す曲
線である。これらの記録再生特性を測定するヘッドその
他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同様で
ある。図４０によれば、ＣｒＭｏ膜を設けることにより
（曲線ａ）、ＣｒＭｏ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）
に比較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、
ノイズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、
ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として
形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜
厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたもの
と考えられる。また、図４１によれば、ＣｒＭｏ膜を設
けることにより（曲線ａ）、ＣｒＭｏ膜を設けなかった
場合（曲線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生
出力電圧の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電
圧を確保でき、高記録密度の実現が容易となることが分
かる。これは、ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対す
る特性が向上したものと考えられる。さらに、図４２に
よれば、ＣｒＭｏ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｃ
ｒＭｏ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全
記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜２dB良好であり、高
品質で高記録密度を実現できることが分かる。すなわ
ち、ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、高品質の高記録密度の実現が
容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図４０〜図４２において、各曲線
ａは、ＣｒＭｏ膜を設けた場合の特性を表す曲線、各曲
線ｂは、ＣｒＭｏ膜を設けなかった場合の特性を表す曲
線である。これらの記録再生特性を測定するヘッドその
他の測定条件及び評価条件は上記第１の実施例と同様で
ある。図４０によれば、ＣｒＭｏ膜を設けることにより
（曲線ａ）、ＣｒＭｏ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）
に比較して、全記録密度において媒体ノイズが小さく、
ノイズ特性が非常に優れていることが分かる。これは、
ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）面と
格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面として
形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜
厚を薄くすることができ、低ノイズ化が実現できたもの
と考えられる。また、図４１によれば、ＣｒＭｏ膜を設
けることにより（曲線ａ）、ＣｒＭｏ膜を設けなかった
場合（曲線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生
出力電圧の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電
圧を確保でき、高記録密度の実現が容易となることが分
かる。これは、ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対す
る特性が向上したものと考えられる。さらに、図４２に
よれば、ＣｒＭｏ膜を設けることにより（曲線ａ）、Ｃ
ｒＭｏ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全
記録密度において媒体Ｓ／Ｎが１〜２dB良好であり、高
品質で高記録密度を実現できることが分かる。すなわ
ち、ＦｅＡｌ膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００１）
面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向面と
して形成することにより、高品質の高記録密度の実現が
容易となる。
【００５４】Ｋ．第１１の実施例 次に、第１１の実施例について説明する。この例の垂直
磁気記録媒体は、図３０に示す構造と同様の概略構造を
有しており、直径２．５インチの円形のガラス基板上
に、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有し、Ｃ
ｒ：５０ａｔ％，Ｖ：２０ａｔ％，Ｎｂ：２０ａｔ％，
Ｍｏ：１０ａｔ％の組成を有するＣｒＶＮｂＭｏ膜で構
成された結晶配向性制御膜と、センダスト膜で構成され
た軟磁性膜と、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，
Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣｒＴａ膜で構成さ
れた垂直磁化膜とが順に形成されて構成されている。以
下、この垂直磁気記録媒体の製造方法について説明す
る。まず、ガラス基板上にスパッタ法によりＣｒ：５０
ａｔ％，Ｖ：２０ａｔ％，Ｎｂ：２０ａｔ％，Ｍｏ：１
０ａｔ％の組成を有する６インチのＣｒＶＮｂＭｏタ−
ゲットを用いて、基板温度を２００゜Ｃに保持しつつ、
ＣｒＶＮｂＭｏ膜で構成された結晶配向性制御膜を２０
nm成膜した後、スパッタ法により６インチのＦｅＳｉＡ
ｌタ−ゲットを用いて、基板温度を１００゜Ｃに保持し
つつ、センダスト膜で構成された軟磁性膜を５００nm成
膜する。成膜条件は、上記した第１の実施例と同様であ
る。次に、軟磁性膜上に、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１
９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣｒＴａ
タ−ゲットを用いてスパッタ法によりＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜を１００nmを成膜する。
磁気記録媒体は、図３０に示す構造と同様の概略構造を
有しており、直径２．５インチの円形のガラス基板上
に、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有し、Ｃ
ｒ：５０ａｔ％，Ｖ：２０ａｔ％，Ｎｂ：２０ａｔ％，
Ｍｏ：１０ａｔ％の組成を有するＣｒＶＮｂＭｏ膜で構
成された結晶配向性制御膜と、センダスト膜で構成され
た軟磁性膜と、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１９ａｔ％，
Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣｒＴａ膜で構成さ
れた垂直磁化膜とが順に形成されて構成されている。以
下、この垂直磁気記録媒体の製造方法について説明す
る。まず、ガラス基板上にスパッタ法によりＣｒ：５０
ａｔ％，Ｖ：２０ａｔ％，Ｎｂ：２０ａｔ％，Ｍｏ：１
０ａｔ％の組成を有する６インチのＣｒＶＮｂＭｏタ−
ゲットを用いて、基板温度を２００゜Ｃに保持しつつ、
ＣｒＶＮｂＭｏ膜で構成された結晶配向性制御膜を２０
nm成膜した後、スパッタ法により６インチのＦｅＳｉＡ
ｌタ−ゲットを用いて、基板温度を１００゜Ｃに保持し
つつ、センダスト膜で構成された軟磁性膜を５００nm成
膜する。成膜条件は、上記した第１の実施例と同様であ
る。次に、軟磁性膜上に、Ｃｏ：７８ａｔ％，Ｃｒ：１
９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣｒＴａ
タ−ゲットを用いてスパッタ法によりＣｏＣｒＴａ膜で
構成された垂直磁化膜を１００nmを成膜する。
【００５５】図４３に、結晶配向性制御膜としてＣｒＶ
ＮｂＭｏ膜を設けた場合と設けなかった場合の、センダ
スト膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性に
ついて示す。測定方法及び図４３に示す各数値の意味は
上記第１の実施例と同様である。図４３から分かるよう
に、センダスト膜を形成する前にＣｒＶＮｂＭｏ膜を形
成することによって、センダスト膜は、基板温度を１０
０゜Ｃに保持しつつ形成しても、格子面（１１０）面か
ら格子面（２００）面に配向性を変えており、それに伴
って、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50は、著しくて低下
している。すなわち、上記ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けるこ
とにより、センダスト膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格
子面（００１）面との格子整合性が良好な格子面（２０
０）面に変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善さ
れていると考えられる。これは、ＣｒＶＮｂＭｏ膜が格
子面（２００）面を配向面として形成され、その配向面
上に、センダスト膜がエピタキシャル成長するためと考
えられる。
ＮｂＭｏ膜を設けた場合と設けなかった場合の、センダ
スト膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性に
ついて示す。測定方法及び図４３に示す各数値の意味は
上記第１の実施例と同様である。図４３から分かるよう
に、センダスト膜を形成する前にＣｒＶＮｂＭｏ膜を形
成することによって、センダスト膜は、基板温度を１０
０゜Ｃに保持しつつ形成しても、格子面（１１０）面か
ら格子面（２００）面に配向性を変えており、それに伴
って、ＣｏＣｒＴａ膜の半値幅Δθ50は、著しくて低下
している。すなわち、上記ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けるこ
とにより、センダスト膜の配向面がＣｏＣｒＴａ膜の格
子面（００１）面との格子整合性が良好な格子面（２０
０）面に変化し、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性が改善さ
れていると考えられる。これは、ＣｒＶＮｂＭｏ膜が格
子面（２００）面を配向面として形成され、その配向面
上に、センダスト膜がエピタキシャル成長するためと考
えられる。
【００５６】次に、図４４〜図４６に、上記製造方法で
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図４４〜図４６において、各曲線
ａは、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けた場合の特性を表す曲
線、各曲線ｂは、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けなかった場合
の特性を表す曲線である。これらの記録再生特性を測定
するヘッドその他の測定条件及び評価条件は上記第１の
実施例と同様である。図４４によれば、ＣｒＶＮｂＭｏ
膜を設けることにより（曲線ａ）、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を
設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度に
おいて媒体ノイズが小さく、ノイズ特性が非常に優れて
いることが分かる。これは、センダスト膜を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子
面（２００）面を配向面として形成することにより、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜厚を薄くすることがで
き、低ノイズ化が実現できたものと考えられる。また、
図４５によれば、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けることにより
（曲線ａ）、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けなかった場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図４６によれ
ば、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けることにより（曲線ａ）、
ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較
して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜５dB良好で
あり、高品質で高記録密度を実現できることが分かる。
すなわち、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、高品質の高記録密
度の実現が容易となる。
作製した垂直磁気記録媒体の記録再生特性、すなわち、
記録密度に対する、媒体ノイズ、再生出力電圧及び媒体
Ｓ／Ｎの特性を示す。図４４〜図４６において、各曲線
ａは、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けた場合の特性を表す曲
線、各曲線ｂは、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けなかった場合
の特性を表す曲線である。これらの記録再生特性を測定
するヘッドその他の測定条件及び評価条件は上記第１の
実施例と同様である。図４４によれば、ＣｒＶＮｂＭｏ
膜を設けることにより（曲線ａ）、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を
設けなかった場合（曲線ｂ）に比較して、全記録密度に
おいて媒体ノイズが小さく、ノイズ特性が非常に優れて
いることが分かる。これは、センダスト膜を、ＣｏＣｒ
Ｔａ膜の格子面（００１）面と格子整合性が良好な格子
面（２００）面を配向面として形成することにより、Ｃ
ｏＣｒＴａ膜の成長初期層の膜厚を薄くすることがで
き、低ノイズ化が実現できたものと考えられる。また、
図４５によれば、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けることにより
（曲線ａ）、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けなかった場合（曲
線ｂ）に比較して、記録密度の増大に伴う再生出力電圧
の減衰が遅く、高記録密度まで高い再生出力電圧を確保
でき、高記録密度の実現が容易となることが分かる。こ
れは、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面（００
１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面を配向
面として形成することにより、ＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性が改善され、再生出力電圧の記録密度に対する特性
が向上したものと考えられる。さらに、図４６によれ
ば、ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けることにより（曲線ａ）、
ＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けなかった場合（曲線ｂ）に比較
して、全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜５dB良好で
あり、高品質で高記録密度を実現できることが分かる。
すなわち、センダスト膜を、ＣｏＣｒＴａ膜の格子面
（００１）面と格子整合性が良好な格子面（２００）面
を配向面として形成することにより、高品質の高記録密
度の実現が容易となる。
【００５７】以上、この発明の実施例を図面を参照して
詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られる
ものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計
の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述
の実施例においては、センダスト膜その他の軟磁性膜の
組成については何等示していないが、これらはいずれも
一般的な組成のものを用いれば良い。また、軟磁性膜
は、上記各実施例において示した合金膜に限定されず、
要するに、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有
し、格子面（２００）面を配向面として基板上に形成さ
れるものであれば良く、例えば、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｒ
ｕ、Ｔｉ、Ｎ、あるいはＣｏのいずれか２つ以上の元素
からなる合金膜であっても良い。また、上述の実施例に
おいては、垂直磁化膜は、全てＣｏ：７８ａｔ％，Ｃ
ｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣ
ｒＴａ膜で構成する例を示したが、これに限定されな
い。要するに、格子面（００１）面が軟磁性膜の（２０
０）面に配向されるものであれば、どのようなものでも
良い。例えば、ＣｏＣｒＴａ膜であれば、Ｃｒが３０ａ
ｔ％以下のもの、また、ＣｏＣｒ膜であれば、Ｃｒが３
３ａｔ％以下のものを用いれば良い。さらに、上述の実
施例においては、基板は、全てガラス基板で構成する例
を示したが、これに限定されない。例えば、ＮｉＰ／Ａ
ｌ合金基板、カーボン（Ｃ）基板、Ｓｉ基板、あるいは
サファイア基板でも良い。加えて、上述の実施例におい
ては、垂直磁化膜、軟磁性膜及び結晶配向性制御膜はい
ずれもＡｒガスを用いてスパッタ法により形成する例を
示したが、これに限定されず、クリプトン（Ｋｒ）ガス
を用いても良いし、蒸着法や化学蒸着（ＣＶＤ）法など
他の成膜方法でももちろん良い。
詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られる
ものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計
の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述
の実施例においては、センダスト膜その他の軟磁性膜の
組成については何等示していないが、これらはいずれも
一般的な組成のものを用いれば良い。また、軟磁性膜
は、上記各実施例において示した合金膜に限定されず、
要するに、体心立方格子を空間格子とした結晶構造を有
し、格子面（２００）面を配向面として基板上に形成さ
れるものであれば良く、例えば、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｒ
ｕ、Ｔｉ、Ｎ、あるいはＣｏのいずれか２つ以上の元素
からなる合金膜であっても良い。また、上述の実施例に
おいては、垂直磁化膜は、全てＣｏ：７８ａｔ％，Ｃ
ｒ：１９ａｔ％，Ｔａ：３ａｔ％の組成を有するＣｏＣ
ｒＴａ膜で構成する例を示したが、これに限定されな
い。要するに、格子面（００１）面が軟磁性膜の（２０
０）面に配向されるものであれば、どのようなものでも
良い。例えば、ＣｏＣｒＴａ膜であれば、Ｃｒが３０ａ
ｔ％以下のもの、また、ＣｏＣｒ膜であれば、Ｃｒが３
３ａｔ％以下のものを用いれば良い。さらに、上述の実
施例においては、基板は、全てガラス基板で構成する例
を示したが、これに限定されない。例えば、ＮｉＰ／Ａ
ｌ合金基板、カーボン（Ｃ）基板、Ｓｉ基板、あるいは
サファイア基板でも良い。加えて、上述の実施例におい
ては、垂直磁化膜、軟磁性膜及び結晶配向性制御膜はい
ずれもＡｒガスを用いてスパッタ法により形成する例を
示したが、これに限定されず、クリプトン（Ｋｒ）ガス
を用いても良いし、蒸着法や化学蒸着（ＣＶＤ）法など
他の成膜方法でももちろん良い。
【００５８】また、上述の第１〜第３の実施例において
は、軟磁性膜成膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜
Ｃの範囲内の所定の温度に設定する例を示したが、これ
に限定されず、要するに、基板温度は２００゜以上であ
って、軟磁性膜が形成できる温度であれば良い。さら
に、上述の第４〜第７の実施例においては、軟磁性膜成
膜時のＡｒガスのガス圧を１０〜３０mTorrの範囲内の
所定のガス圧に設定する例を示したが、これに限定され
ず、要するに、Ａｒガスのガス圧は３０mTorr以下であ
って、軟磁性膜が形成できるガス圧であれば良い。加え
て、上述の第８〜第１１の実施例においては、結晶配向
性制御膜として、Ｖ膜、ＣｒＮｂ膜、ＣｒＭｏ膜及びＣ
ｒＶＮｂＭｏ膜を用いる例を示したが、これに限定され
ない。例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏそれぞれの単独の膜、
Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏをそれぞれを２つ以上組み合わせ
た合金膜、あるいはＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか、
あるいはそれぞれを２つ以上組み合わせたものと、結晶
配向性制御膜として体心立方格子を空間格子とした結晶
構造を損なわない範囲で他の元素を含む合金系膜であれ
ば良い。また、上述の第１〜第３の実施例、第４〜第７
の実施例、及び第８〜第１１の第１１の実施例において
は、それぞれ個別に、軟磁性膜成膜時の基板温度やＡｒ
ガスのガス圧を設定した例について述べたが、これに限
定されず、それぞれの軟磁性膜の成膜条件を組み合わせ
ても良く、この場合には、より著しい効果が得られる。
は、軟磁性膜成膜時の基板温度を２００゜Ｃ〜３００゜
Ｃの範囲内の所定の温度に設定する例を示したが、これ
に限定されず、要するに、基板温度は２００゜以上であ
って、軟磁性膜が形成できる温度であれば良い。さら
に、上述の第４〜第７の実施例においては、軟磁性膜成
膜時のＡｒガスのガス圧を１０〜３０mTorrの範囲内の
所定のガス圧に設定する例を示したが、これに限定され
ず、要するに、Ａｒガスのガス圧は３０mTorr以下であ
って、軟磁性膜が形成できるガス圧であれば良い。加え
て、上述の第８〜第１１の実施例においては、結晶配向
性制御膜として、Ｖ膜、ＣｒＮｂ膜、ＣｒＭｏ膜及びＣ
ｒＶＮｂＭｏ膜を用いる例を示したが、これに限定され
ない。例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏそれぞれの単独の膜、
Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏをそれぞれを２つ以上組み合わせ
た合金膜、あるいはＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか、
あるいはそれぞれを２つ以上組み合わせたものと、結晶
配向性制御膜として体心立方格子を空間格子とした結晶
構造を損なわない範囲で他の元素を含む合金系膜であれ
ば良い。また、上述の第１〜第３の実施例、第４〜第７
の実施例、及び第８〜第１１の第１１の実施例において
は、それぞれ個別に、軟磁性膜成膜時の基板温度やＡｒ
ガスのガス圧を設定した例について述べたが、これに限
定されず、それぞれの軟磁性膜の成膜条件を組み合わせ
ても良く、この場合には、より著しい効果が得られる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の構成に
よれば、軟磁性膜を、単独で又は結晶配向性制御膜と共
に、垂直磁化膜の格子面（００１）面と格子整合性が良
好な格子面（２００）面を配向面として形成しているの
で、垂直磁化膜の垂直配向性が改善されると共に、垂直
磁化膜の成長初期層の膜厚を薄くすることができる。ま
た、この垂直磁気記録媒体は、多くても３層構造であ
る。さらに、この発明の構成による製造方法によれば、
アニール処理したり、垂直磁化膜を構成する各元素の各
組成量を膜厚方向に変化させる必要はない。したがっ
て、垂直磁気記録媒体を安価かつ簡単に作製できると共
に、記録再生の際の媒体ノイズを低減でき、しかも再生
出力電圧の記録密度に対する特性を向上させることがで
きる。
よれば、軟磁性膜を、単独で又は結晶配向性制御膜と共
に、垂直磁化膜の格子面（００１）面と格子整合性が良
好な格子面（２００）面を配向面として形成しているの
で、垂直磁化膜の垂直配向性が改善されると共に、垂直
磁化膜の成長初期層の膜厚を薄くすることができる。ま
た、この垂直磁気記録媒体は、多くても３層構造であ
る。さらに、この発明の構成による製造方法によれば、
アニール処理したり、垂直磁化膜を構成する各元素の各
組成量を膜厚方向に変化させる必要はない。したがっ
て、垂直磁気記録媒体を安価かつ簡単に作製できると共
に、記録再生の際の媒体ノイズを低減でき、しかも再生
出力電圧の記録密度に対する特性を向上させることがで
きる。
【図１】この発明の第１の実施例である垂直磁気記録媒
体の概略構造を示す要部断面図である。
体の概略構造を示す要部断面図である。
【図２】同実施例におけるセンダスト膜成膜時の基板温
度と、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性との関係を示す図である。
度と、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性との関係を示す図である。
【図３】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密度
に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図４】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密度
に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図５】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密度
に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図６】この発明の第２の実施例におけるＦｅＳｉ膜成
膜時の基板温度と、ＦｅＳｉ膜の結晶配向性及びＣｏＣ
ｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図である。
膜時の基板温度と、ＦｅＳｉ膜の結晶配向性及びＣｏＣ
ｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図である。
【図７】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密度
に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図８】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密度
に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図９】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密度
に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図１０】この発明の第３の実施例におけるＦｅＡｌ膜
成膜時の基板温度と、ＦｅＡｌ膜の結晶配向性及びＣｏ
ＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図である。
成膜時の基板温度と、ＦｅＡｌ膜の結晶配向性及びＣｏ
ＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図である。
【図１１】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図１２】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図１３】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図１４】この発明の第４の実施例におけるセンダスト
膜成膜時のＡｒガスのガス圧と、センダスト膜の結晶配
向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図
である。
膜成膜時のＡｒガスのガス圧と、センダスト膜の結晶配
向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図
である。
【図１５】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図１６】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図１７】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図１８】この発明の第５の実施例におけるＦｅＳｉＡ
ｌＲｕＴｉ膜成膜時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＳｉＡ
ｌＲｕＴｉ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性との関係を示す図である。
ｌＲｕＴｉ膜成膜時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＳｉＡ
ｌＲｕＴｉ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配
向性との関係を示す図である。
【図１９】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図２０】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図２１】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図２２】この発明の第６の実施例におけるＦｅＴａＮ
膜成膜時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＴａＮ膜の結晶配
向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図
である。
膜成膜時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＴａＮ膜の結晶配
向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す図
である。
【図２３】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図２４】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図２５】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図２６】この発明の第７の実施例におけるＦｅＣｏ膜
成膜時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＣｏ膜の結晶配向性
及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す関係図
である。
成膜時のＡｒガスのガス圧と、ＦｅＣｏ膜の結晶配向性
及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性との関係を示す関係図
である。
【図２７】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図２８】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図２９】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図３０】この発明の第８の実施例である垂直磁気記録
媒体の概略構造を示す要部断面図である。
媒体の概略構造を示す要部断面図である。
【図３１】同実施例において結晶配向性制御膜としてＶ
膜を設けた場合と、設けなかった場合の、ＦｅＳｉ膜の
結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図で
ある。
膜を設けた場合と、設けなかった場合の、ＦｅＳｉ膜の
結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂直配向性を示す図で
ある。
【図３２】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図３３】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図３４】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図３５】この発明の第９の実施例において結晶配向性
制御膜としてＣｒＮｂ膜を設けた場合と設けなかった場
合の、ＦｅＣｏ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂
直配向性を示す図である。
制御膜としてＣｒＮｂ膜を設けた場合と設けなかった場
合の、ＦｅＣｏ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の垂
直配向性を示す図である。
【図３６】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図３７】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図３８】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図３９】この発明の第１０の実施例において結晶配向
性制御膜としてＣｒＭｏ膜を設けた場合と設けなかった
場合の、ＦｅＡｌ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性を示す図である。
性制御膜としてＣｒＭｏ膜を設けた場合と設けなかった
場合の、ＦｅＡｌ膜の結晶配向性及びＣｏＣｒＴａ膜の
垂直配向性を示す図である。
【図４０】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図４１】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図４２】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図４３】この発明の第１１の実施例において結晶配向
性制御膜としてＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けた場合と設けな
かった場合の、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性を示す図である。
性制御膜としてＣｒＶＮｂＭｏ膜を設けた場合と設けな
かった場合の、センダスト膜の結晶配向性及びＣｏＣｒ
Ｔａ膜の垂直配向性を示す図である。
【図４４】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
度に対する媒体ノイズの特性を示す図である。
【図４５】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
度に対する再生出力電圧の特性を示す図である。
【図４６】同実施例における垂直磁気記録媒体の記録密
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
度に対する媒体Ｓ／Ｎの特性を示す図である。
【図４７】従来の垂直磁気記録媒体の概略構造を示す要
部断面図である。
部断面図である。
１，１１，２１ 垂直磁気記録媒体 ２，１２，２２ 基板 ３，１３，２４ 軟磁性膜 ４，１４，２５ 垂直磁化膜 ２３ 結晶配向性制御膜
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上に、体心立方格子を空間格子とし
た結晶構造を有し、格子面（２００）面を配向面として
形成された軟磁性膜と、六方最密充填格子を空間格子と
した結晶構造を有する垂直磁化膜とが順に形成されてな
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に、体心立方格子を空間格子とし
た結晶構造を有し、格子面（２００）面を配向面として
形成された結晶配向性制御膜と、体心立方格子を空間格
子とした結晶構造を有し、格子面（２００）面を配向面
として形成された軟磁性膜と、六方最密充填格子を空間
格子とした結晶構造を有する垂直磁化膜とが順に形成さ
れてなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記結晶配向性制御膜は、バナジウム、
クロム、ニオブ、モリブデンの中から選択された、いず
れか１つの元素からなる膜、あるいは、いずれか２つ以
上の元素からなる合金膜であることを特徴とする請求項
２記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記垂直磁化膜は、クロムの原子百分率
が３０パーセント以下のコバルト、クロム及びタンタル
からなる合金膜、又は、クロムの原子百分率が３０パー
セント以下のコバルト及びクロムからなる合金膜である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の
垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記軟磁性膜は、鉄、シリコン、アルミ
ニウム、チタン、ルテニウム、コバルト、窒素の中から
選択された、いずれか２つ以上の元素からなる合金膜で
あることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記
載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記基板は、ニッケル、リン及びアルミ
ニウムからなる合金基板、ガラス基板、カーボン基板、
シリコン基板、又は、サファイア基板であることを特徴
とする請求項１乃至５のいずれか１に記載の垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項７】 基板上に、体心立方格子を空間格子とし
た結晶構造を有する軟磁性膜を格子面（２００）面を配
向面として形成する第１の工程と、 前記軟磁性膜上に、六方最密充填格子を空間格子とした
結晶構造を有する垂直磁化膜を形成する第２の工程とか
らなることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１の工程の前に、基板上に、体心
立方格子を空間格子とした結晶構造を有する結晶配向性
制御膜を格子面（２００）面を配向面として形成する第
３の工程を行うことを特徴とする請求項７記載の垂直磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 前記結晶配向性制御膜は、バナジウム、
クロム、ニオブ、モリブデンの中から選択された、いず
れか１つの元素からなる膜、あるいは、いずれか２つ以
上の元素からなる合金膜であることを特徴とする請求項
８記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記垂直磁化膜は、クロムの原子百分
率が３０パーセント以下のコバルト、クロム及びタンタ
ルからなる合金膜、又は、クロムの原子百分率が３０パ
ーセント以下のコバルト及びクロムからなる合金膜であ
ることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１に記載
の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記軟磁性膜は、鉄、シリコン、アル
ミニウム、チタン、ルテニウム、コバルト、窒素の中か
ら選択された、いずれか２つ以上の元素からなる合金膜
であることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１
に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 前記基板は、ニッケル、リン及びアル
ミニウムからなる合金基板、ガラス基板、カーボン基
板、シリコン基板、又は、サファイア基板であることを
特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１に記載の垂直
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9300659A JP3052915B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9300659A JP3052915B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11134634A JPH11134634A (ja) | 1999-05-21 |
| JP3052915B2 true JP3052915B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=17887530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9300659A Expired - Fee Related JP3052915B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3052915B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4626840B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2003099912A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Ken Takahashi | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び製造装置、並びに磁気記録装置 |
| JP4582978B2 (ja) | 2001-12-07 | 2010-11-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4019703B2 (ja) | 2001-12-07 | 2007-12-12 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2003217107A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2003288713A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Ken Takahashi | 垂直磁気記録媒体とそれを備えた磁気記録装置及び垂直磁気記録媒体の製造方法並びに製造装置 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP9300659A patent/JP3052915B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11134634A (ja) | 1999-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3143611B2 (ja) | 磁気薄膜媒体用の超薄核形成層および該層の製造方法 | |
| JP4169663B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US7736769B2 (en) | Magnetic recording medium, method of producing the same, and magnetic storage apparatus | |
| US6403240B1 (en) | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same | |
| JP5397926B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 | |
| JP5061307B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| US20090311557A1 (en) | Perpendicular magnetic recording disk and method of manufacturing the same | |
| JP5105333B2 (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 | |
| US7871718B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus | |
| JP2009059431A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| US7824785B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus | |
| JP2007317304A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| US7462410B2 (en) | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus | |
| JP3052915B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US20100079911A1 (en) | Magnetic recording medium, process for producing same, and magnetic recording reproducing apparatus using the magnetic recording medium | |
| EP0809238B1 (en) | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same | |
| JP3588039B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JP3173490B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP3921052B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2010027110A (ja) | 垂直磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| JP3222141B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| JP2004310944A (ja) | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JP2007102833A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US20110116189A1 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing device | |
| JP2001283427A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100407 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407 Year of fee payment: 11 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120407 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140407 Year of fee payment: 14 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |