JP2001134927A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2001134927A JP2001134927A JP31842799A JP31842799A JP2001134927A JP 2001134927 A JP2001134927 A JP 2001134927A JP 31842799 A JP31842799 A JP 31842799A JP 31842799 A JP31842799 A JP 31842799A JP 2001134927 A JP2001134927 A JP 2001134927A
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- tantalum oxide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】３０００〜３５００［Ｏｅ］程度の高い保磁力
を得る。 【解決手段】磁気記録媒体８によれば、サファイア基板
９上に酸化タンタル層１０、シード層３、下地層４、磁
性層５および非磁性保護層６とを順次積層し、さらに酸
化タンタル層１０は原子組成比率がTa1-X ＯX にて０＜
Ｘ＜０．７の範囲に規定している。
を得る。 【解決手段】磁気記録媒体８によれば、サファイア基板
９上に酸化タンタル層１０、シード層３、下地層４、磁
性層５および非磁性保護層６とを順次積層し、さらに酸
化タンタル層１０は原子組成比率がTa1-X ＯX にて０＜
Ｘ＜０．７の範囲に規定している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高い保磁力を有する
磁気記録媒体に関するものである。
磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発展に伴い、その外部記憶装置に用いられる磁気ディス
クなどの磁気記録媒体に対し、高密度記録化の要求がま
すます高まっている。
発展に伴い、その外部記憶装置に用いられる磁気ディス
クなどの磁気記録媒体に対し、高密度記録化の要求がま
すます高まっている。
【０００３】この高密度化に適した磁性材として一軸結
晶磁気異方性を有するＣｏ合金が知られている。
晶磁気異方性を有するＣｏ合金が知られている。
【０００４】特開平7-73441 号には上記磁性材を用いた
磁気記録媒体が提案されている。この磁気記録媒体１を
図４にて説明する。
磁気記録媒体が提案されている。この磁気記録媒体１を
図４にて説明する。
【０００５】非磁性の基板２の上にシード層３、結晶質
のＣｒもしくはＣｒと同様の下地層４、一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金から成る磁性層５およびＣ，Ｓｉ
Ｏ等からなる非磁性保護層６とを順次積層している。通
常、非磁性保護層６の上に潤滑膜７を被覆している。
のＣｒもしくはＣｒと同様の下地層４、一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金から成る磁性層５およびＣ，Ｓｉ
Ｏ等からなる非磁性保護層６とを順次積層している。通
常、非磁性保護層６の上に潤滑膜７を被覆している。
【０００６】上記基板２はＡｌ合金・ＮｉＰメッキ基
板、チタン等の耐食性を有する基板、ガラス、結晶化ガ
ラス、セラミックス、カーボン、ポリマーなどの非金属
材からなる基板である。
板、チタン等の耐食性を有する基板、ガラス、結晶化ガ
ラス、セラミックス、カーボン、ポリマーなどの非金属
材からなる基板である。
【０００７】シード層３は酸素を含有したアモルファス
状の非磁性金属、表面側の金属原子に酸素が結合したア
モルファス状の非磁性金属、あるいは酸素が含有・結合
されていないアモルファス状のＣｒ合金により形成され
ている。
状の非磁性金属、表面側の金属原子に酸素が結合したア
モルファス状の非磁性金属、あるいは酸素が含有・結合
されていないアモルファス状のＣｒ合金により形成され
ている。
【０００８】このＣｒ合金としてＣｒＴａ，ＣｒＴａＮ
ｂ，ＣｒＴａＮなどが良好であるとして例示されてい
る。
ｂ，ＣｒＴａＮなどが良好であるとして例示されてい
る。
【０００９】上記構成の磁気記録媒体１においては、シ
ード層３をアモルファス状にしたことに起因して、その
上の下地層４や磁性層５の結晶が微細化され、これによ
って、保磁力が向上する。さらにシード層３に酸素を含
有させることでも保磁力を向上させる。
ード層３をアモルファス状にしたことに起因して、その
上の下地層４や磁性層５の結晶が微細化され、これによ
って、保磁力が向上する。さらにシード層３に酸素を含
有させることでも保磁力を向上させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者が上記構成の磁気記録媒体１を作製し、その保磁力を
繰り返し測定したところ、最大で２２００［Ｏｅ］程度
であり、そのような保磁力であれば、１ギガバイト（Ｇ
ｂｉｔ）／ｉｎｃｈ2 程度の記録密度しか達成できなか
った。なお、１エルステッド［Ｏｅ］は７９アンペア／
メートル（Ａ／ｍ）に相当する。
者が上記構成の磁気記録媒体１を作製し、その保磁力を
繰り返し測定したところ、最大で２２００［Ｏｅ］程度
であり、そのような保磁力であれば、１ギガバイト（Ｇ
ｂｉｔ）／ｉｎｃｈ2 程度の記録密度しか達成できなか
った。なお、１エルステッド［Ｏｅ］は７９アンペア／
メートル（Ａ／ｍ）に相当する。
【００１１】そのために、さらに高い保磁力、すなわち
３０００〜３５００［Ｏｅ］程度が望まれ、これによっ
て１０ギガバイト（Ｇｂｉｔ）／インチ（ｉｎｃｈ）2
という高記録密度の達成が可能となる。
３０００〜３５００［Ｏｅ］程度が望まれ、これによっ
て１０ギガバイト（Ｇｂｉｔ）／インチ（ｉｎｃｈ）2
という高記録密度の達成が可能となる。
【００１２】したがって、本発明の目的は著しく高い保
磁力を有する磁気記録媒体を提供することにある。
磁力を有する磁気記録媒体を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、サファイア基板上に原子組成比率がTa1-X ＯX にて
０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定した酸化タンタル層を形成
し、この酸化タンタル層の上にシード層、下地層および
磁性層とを順次積層したことを特徴とする。
は、サファイア基板上に原子組成比率がTa1-X ＯX にて
０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定した酸化タンタル層を形成
し、この酸化タンタル層の上にシード層、下地層および
磁性層とを順次積層したことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体の膜
構成を図１に示す。なお、図４に示す磁気記録媒体１と
同一個所には同一符号を付す。
構成を図１に示す。なお、図４に示す磁気記録媒体１と
同一個所には同一符号を付す。
【００１５】同図に示す磁気記録媒体８によれば、サフ
ァイア基板９の上に酸化タンタル層１０、シード層３、
下地層４、一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金から成
る磁性層５およびＣ，ＳｉＯ等からなる非磁性保護層６
とを順次積層している。これら各層はスパッタリング法
により成膜形成する。さらに通常、非磁性保護層６の上
にフッ素化ポリエーテル等の液体でもって塗布した潤滑
膜７を被覆している。
ァイア基板９の上に酸化タンタル層１０、シード層３、
下地層４、一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金から成
る磁性層５およびＣ，ＳｉＯ等からなる非磁性保護層６
とを順次積層している。これら各層はスパッタリング法
により成膜形成する。さらに通常、非磁性保護層６の上
にフッ素化ポリエーテル等の液体でもって塗布した潤滑
膜７を被覆している。
【００１６】シード層３はその上に積層した下地層４の
結晶配向面の配向を制御したり、磁性層５の結晶を微細
化するのに寄与している。このシード層３はＮｉＡｌ，
ＣｒＴａ，ＣｒＴａＮｂ，ＣｒＴａＮ，ＡｌＣｏ，Ａｌ
Ｆｅ，ＣｏＦｅ，ＧａＮｉなどにより形成する。
結晶配向面の配向を制御したり、磁性層５の結晶を微細
化するのに寄与している。このシード層３はＮｉＡｌ，
ＣｒＴａ，ＣｒＴａＮｂ，ＣｒＴａＮ，ＡｌＣｏ，Ａｌ
Ｆｅ，ＣｏＦｅ，ＧａＮｉなどにより形成する。
【００１７】下地層４はＣｒ金属に対しＶ，Ｍｏ，Ｔ
ｉ，Ｗ等の金属を添加し、合金化したものを膜状にした
ものである。
ｉ，Ｗ等の金属を添加し、合金化したものを膜状にした
ものである。
【００１８】この下地層４は磁性層５の結晶配向面の配
向を制御したり、磁性層５の結晶を微細化するのに寄与
している。
向を制御したり、磁性層５の結晶を微細化するのに寄与
している。
【００１９】磁性層５は一軸結晶磁気異方性を有するＣ
ｏ合金からなり、たとえばＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔ等がある。
ｏ合金からなり、たとえばＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＣｒＰｔ等がある。
【００２０】本発明者はサファイア基板９の上に原子組
成比率がTa1-X ＯX にて０＜Ｘ＜０．７に、好適には
０．１＜Ｘ＜０．５の範囲に規定した酸化タンタル層１
０を形成したことで、磁気記録媒体８の保磁力を著しく
高めることができることを知見した。
成比率がTa1-X ＯX にて０＜Ｘ＜０．７に、好適には
０．１＜Ｘ＜０．５の範囲に規定した酸化タンタル層１
０を形成したことで、磁気記録媒体８の保磁力を著しく
高めることができることを知見した。
【００２１】この酸化タンタル層１０をＸ線回折装置で
もって分析したところ、その層がアモルファス状態と結
晶状態とが混在したものであり、本発明者はいまだ推論
の域を脱し得ないが、その混在状態と結晶配向面が保磁
力の向上に及ぼしていると考える。
もって分析したところ、その層がアモルファス状態と結
晶状態とが混在したものであり、本発明者はいまだ推論
の域を脱し得ないが、その混在状態と結晶配向面が保磁
力の向上に及ぼしていると考える。
【００２２】このような酸化タンタル層１０の膜厚を１
００Å〜１２００Å（１０ｎｍ〜１２０ｎｍ）、好適に
は１００Å〜１０００Å（１０ｎｍ〜１００ｎｍ）にす
るとよく、この範囲内であれば、もっとも優位に保磁力
を高めることができる。
００Å〜１２００Å（１０ｎｍ〜１２０ｎｍ）、好適に
は１００Å〜１０００Å（１０ｎｍ〜１００ｎｍ）にす
るとよく、この範囲内であれば、もっとも優位に保磁力
を高めることができる。
【００２３】かくして上記構成の磁気記録媒体８におい
ては、原子組成比率がTa1-X ＯX にて０＜Ｘ＜０．７に
規定した酸化タンタル層１０を設けることで、保磁力が
向上した。また、サファイア基板９を使用することで、
強固な支持体となり、さらに板厚を小さくすることがで
きる。しかも、従来、使用していたガラス基板と比べて
も保磁力をさらに高めることができる。
ては、原子組成比率がTa1-X ＯX にて０＜Ｘ＜０．７に
規定した酸化タンタル層１０を設けることで、保磁力が
向上した。また、サファイア基板９を使用することで、
強固な支持体となり、さらに板厚を小さくすることがで
きる。しかも、従来、使用していたガラス基板と比べて
も保磁力をさらに高めることができる。
【００２４】
【実施例】つぎに本発明の磁気記録媒体８の保磁力を測
定し、その結果を図３と図４にて示す。
定し、その結果を図３と図４にて示す。
【００２５】（例１）本発明の磁気記録媒体８はサファ
イア基板９のＲ面上に原子組成比率を幾とおりにも変
え、さらに厚みが６０ｎｍである酸化タンタル層１０、
Ｎｉ50Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、Ｃｒ
からなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃｒ17Ｐｔ10
Ｔａ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次成膜し
た。ただし、測定用であることで、非磁性保護層６と潤
滑膜７を被覆していない。
イア基板９のＲ面上に原子組成比率を幾とおりにも変
え、さらに厚みが６０ｎｍである酸化タンタル層１０、
Ｎｉ50Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、Ｃｒ
からなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃｒ17Ｐｔ10
Ｔａ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次成膜し
た。ただし、測定用であることで、非磁性保護層６と潤
滑膜７を被覆していない。
【００２６】そして、酸化タンタル層１０の組成比率で
あるＸ値を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したとこ
ろ、図２に示すとおりの結果が得られた。
あるＸ値を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したとこ
ろ、図２に示すとおりの結果が得られた。
【００２７】また、サファイア基板に代えてガラス基板
を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜形
成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ値
を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図２
に示すとおりの結果が得られた。
を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜形
成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ値
を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図２
に示すとおりの結果が得られた。
【００２８】保磁力は振動試料型磁力計(VSM) により測
定した。すなわち、１ｃｍ角に切り出した被測定用サン
プルを用いて、その面内方向に印加磁場がかかるように
方向を設定し、そして、最大印加磁場１３ｋＯｅにて測
定した。
定した。すなわち、１ｃｍ角に切り出した被測定用サン
プルを用いて、その面内方向に印加磁場がかかるように
方向を設定し、そして、最大印加磁場１３ｋＯｅにて測
定した。
【００２９】同図から明らかなとおり、本発明の磁気記
録媒体においては、Ta1-X ＯX にて０＜Ｘ＜０．７に、
好適には０．１＜Ｘ＜０．５の範囲に規定したことで、
もっとも保磁力が大きくなり、３５００［Ｏｅ］にまで
達成できた。
録媒体においては、Ta1-X ＯX にて０＜Ｘ＜０．７に、
好適には０．１＜Ｘ＜０．５の範囲に規定したことで、
もっとも保磁力が大きくなり、３５００［Ｏｅ］にまで
達成できた。
【００３０】然るに、ガラス基板を使用した比較例では
酸化タンタル層１０を形成しても、まったく効果がなか
った。
酸化タンタル層１０を形成しても、まったく効果がなか
った。
【００３１】（例２）本発明の磁気記録媒体８はサファ
イア基板９のＲ面上に原子組成比率Ｘを０．２に規定し
た酸化タンタル層１０において、その厚みを幾とおりに
も変えた各種酸化タンタル層１０を作成し、それぞれの
上にＮｉ50Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、
Ｃｒからなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃｒ17Ｐ
ｔ10Ｔａ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次成膜
した。同様に非磁性保護層６と潤滑膜７を被覆していな
い。
イア基板９のＲ面上に原子組成比率Ｘを０．２に規定し
た酸化タンタル層１０において、その厚みを幾とおりに
も変えた各種酸化タンタル層１０を作成し、それぞれの
上にＮｉ50Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、
Ｃｒからなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃｒ17Ｐ
ｔ10Ｔａ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次成膜
した。同様に非磁性保護層６と潤滑膜７を被覆していな
い。
【００３２】そして、酸化タンタル層１０の層厚を幾と
おりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３に示す
とおりの結果が得られた。
おりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３に示す
とおりの結果が得られた。
【００３３】また、サファイア基板に代えてガラス基板
を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜形
成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ値
を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３
に示すとおりの結果が得られた。
を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜形
成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ値
を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３
に示すとおりの結果が得られた。
【００３４】同図から明らかなとおり、本発明の磁気記
録媒体においては、酸化タンタル層１０の層厚を１００
Å〜１２００Å（１０ｎｍ〜１２０ｎｍ）に、好適には
１００Å〜１０００Å（１０ｎｍ〜１００ｎｍ）にする
と、もっとも保磁力が大きくなり、３５００［Ｏｅ］に
まで達成できた。これに対し、ガラス基板を用いた比較
例においては、酸化タンタル層１０の層厚をさまざまに
変えても、ほとんど保持力に変動がないことがわかる。
録媒体においては、酸化タンタル層１０の層厚を１００
Å〜１２００Å（１０ｎｍ〜１２０ｎｍ）に、好適には
１００Å〜１０００Å（１０ｎｍ〜１００ｎｍ）にする
と、もっとも保磁力が大きくなり、３５００［Ｏｅ］に
まで達成できた。これに対し、ガラス基板を用いた比較
例においては、酸化タンタル層１０の層厚をさまざまに
変えても、ほとんど保持力に変動がないことがわかる。
【００３５】ちなみに、サファイア基板上に酸化タンタ
ル層１０を形成しないものについては、保磁力は２６６
５［Ｏｅ］にまで小さくなっているが、さらに２０ｎｍ
の厚みの酸化タンタル層１０を形成すると３２３０［Ｏ
ｅ］にまで増大し、６０ｎｍの厚みの酸化タンタル層１
０を形成すると３４９０［Ｏｅ］にまで増大したが、１
００ｎｍの厚みの酸化タンタル層１０を形成すると６０
ｎｍ程度の厚みでの保磁力の程度である。
ル層１０を形成しないものについては、保磁力は２６６
５［Ｏｅ］にまで小さくなっているが、さらに２０ｎｍ
の厚みの酸化タンタル層１０を形成すると３２３０［Ｏ
ｅ］にまで増大し、６０ｎｍの厚みの酸化タンタル層１
０を形成すると３４９０［Ｏｅ］にまで増大したが、１
００ｎｍの厚みの酸化タンタル層１０を形成すると６０
ｎｍ程度の厚みでの保磁力の程度である。
【００３６】（例３）本発明の磁気記録媒体８はサファ
イア基板９のＲ面上に原子組成比率を幾とおりにも変
え、さらに厚み６０ｎｍの酸化タンタル層１０、Ｃｏ50
Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、Ｃｒ95Ｖ5
からなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃｒ17Ｐｔ10
Ｂ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次成膜した。
ただし、測定用であることで、非磁性保護層６と潤滑膜
７を被覆していない。
イア基板９のＲ面上に原子組成比率を幾とおりにも変
え、さらに厚み６０ｎｍの酸化タンタル層１０、Ｃｏ50
Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、Ｃｒ95Ｖ5
からなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃｒ17Ｐｔ10
Ｂ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次成膜した。
ただし、測定用であることで、非磁性保護層６と潤滑膜
７を被覆していない。
【００３７】そして、酸化タンタル層１０の組成比率で
あるＸ値を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したとこ
ろ、図２に示す結果と同様な結果が得られた。
あるＸ値を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したとこ
ろ、図２に示す結果と同様な結果が得られた。
【００３８】また、サファイア基板板に代えてガラス基
板を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜
形成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ
値を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図
２に示す結果と同様になった。
板を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜
形成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ
値を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図
２に示す結果と同様になった。
【００３９】かくして本発明においては、Ta1-X ＯX に
て０＜Ｘ＜０．７に、好適には０．１＜Ｘ＜０．５の範
囲に規定したことで、もっとも保磁力が大きくなり、３
５００［Ｏｅ］にまで達成できた。しかし、ガラス基板
を使用した比較例では酸化タンタル層１０を形成して
も、まったく効果がなかった。
て０＜Ｘ＜０．７に、好適には０．１＜Ｘ＜０．５の範
囲に規定したことで、もっとも保磁力が大きくなり、３
５００［Ｏｅ］にまで達成できた。しかし、ガラス基板
を使用した比較例では酸化タンタル層１０を形成して
も、まったく効果がなかった。
【００４０】（例４）本発明の磁気記録媒体８はサファ
イア基板９のＲ面上に原子組成比率Ｘを０．２に規定し
た酸化タンタル層１０において、その厚みを幾とおりに
も変えた各種酸化タンタル層１０を作成し、それぞれの
上にＣｏ50Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、
Ｃｒ95Ｖ5 からなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃ
ｒ17Ｐｔ10Ｂ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次
成膜した。同様に非磁性保護層６と潤滑膜７を被覆して
いない。
イア基板９のＲ面上に原子組成比率Ｘを０．２に規定し
た酸化タンタル層１０において、その厚みを幾とおりに
も変えた各種酸化タンタル層１０を作成し、それぞれの
上にＣｏ50Ａｌ50からなる厚み３０ｎｍのシード層３、
Ｃｒ95Ｖ5 からなる厚み３０ｎｍの下地層４、Ｃｏ68Ｃ
ｒ17Ｐｔ10Ｂ5 からなる厚み３０ｎｍの磁性層５を順次
成膜した。同様に非磁性保護層６と潤滑膜７を被覆して
いない。
【００４１】そして、酸化タンタル層１０の層厚を幾と
おりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３に示す
結果とほぼ同じ結果が得られた。
おりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３に示す
結果とほぼ同じ結果が得られた。
【００４２】また、サファイア基板に代えてガラス基板
を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜形
成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ値
を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３
に示す結果とほぼ同じ結果が得られた。
を用いて、その上に上述のとおり同じ層構成にて成膜形
成し、同様に酸化タンタル層１０の組成比率であるＸ値
を幾とおりにも変えて、保磁力を測定したところ、図３
に示す結果とほぼ同じ結果が得られた。
【００４３】同図から明らかなとおり、本発明の磁気記
録媒体においては、酸化タンタル層１０の層厚を１００
Å〜１２００Å（１０ｎｍ〜１２０ｎｍ）にすると、も
っとも保磁力が大きくなり、３５００［Ｏｅ］にまで達
成できた。これに対し、ガラス基板を用いた比較例にお
いては、酸化タンタル層１０の層厚をさまざまに変えて
も、ほとんど保持力に変動がないことがわかる。
録媒体においては、酸化タンタル層１０の層厚を１００
Å〜１２００Å（１０ｎｍ〜１２０ｎｍ）にすると、も
っとも保磁力が大きくなり、３５００［Ｏｅ］にまで達
成できた。これに対し、ガラス基板を用いた比較例にお
いては、酸化タンタル層１０の層厚をさまざまに変えて
も、ほとんど保持力に変動がないことがわかる。
【００４４】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の磁気記録媒体に
よれば、サファイア基板上に原子組成比率がTa1-X ＯX
にて０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定した酸化タンタル層を
形成し、さらに酸化タンタル層の上にシード層、下地層
および磁性層とを順次積層したことで、高い保磁力、す
なわち３０００〜３５００［Ｏｅ］程度が得られ、これ
によって１０ギガバイト（Ｇｂｉｔ）／ｉｎｃｈ2 とい
う高記録密度の達成が可能となった。
よれば、サファイア基板上に原子組成比率がTa1-X ＯX
にて０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定した酸化タンタル層を
形成し、さらに酸化タンタル層の上にシード層、下地層
および磁性層とを順次積層したことで、高い保磁力、す
なわち３０００〜３５００［Ｏｅ］程度が得られ、これ
によって１０ギガバイト（Ｇｂｉｔ）／ｉｎｃｈ2 とい
う高記録密度の達成が可能となった。
【図１】本発明の磁気記録媒体の膜構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】酸化タンタル層の組成比率を変えたことによる
保磁力の測定値を示す線図である。
保磁力の測定値を示す線図である。
【図３】酸化タンタル層の厚みを変えたことによる保磁
力の測定値を示す線図である。
力の測定値を示す線図である。
【図４】従来の磁気記録媒体の膜構成を示す断面図であ
る。
る。
１、８ 磁気記録媒体 ２ 基板 ３ シード層 ４ 下地層 ５ 磁性層 ６ 非磁性保護層 ７ 潤滑膜 ９ サファイア基板 １０ 酸化タンタル層
Claims (1)
- 【請求項１】サファイア基板上に原子組成比率がTa1-X
ＯX にて０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定した酸化タンタル
層を形成し、該酸化タンタル層上に少なくともシード
層、下地層および磁性層とを順次積層した磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31842799A JP2001134927A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31842799A JP2001134927A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001134927A true JP2001134927A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=18099039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31842799A Pending JP2001134927A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001134927A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
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| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
1999
- 1999-11-09 JP JP31842799A patent/JP2001134927A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US10386889B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Cover glass for an electronic device |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9461357B2 (en) | 2014-02-12 | 2016-10-04 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
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