DE3781712T2 - Magnetischer aufzeichnungstraeger. - Google Patents
Magnetischer aufzeichnungstraeger.Info
- Publication number
- DE3781712T2 DE3781712T2 DE8787102620T DE3781712T DE3781712T2 DE 3781712 T2 DE3781712 T2 DE 3781712T2 DE 8787102620 T DE8787102620 T DE 8787102620T DE 3781712 T DE3781712 T DE 3781712T DE 3781712 T2 DE3781712 T2 DE 3781712T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic
- layer
- tungsten
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 35
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 33
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 15
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Pt][Co][Pt] AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 9
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCOASTWZYJGKEK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[W] Chemical compound [Co].[Ni].[W] YCOASTWZYJGKEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Pt] Chemical compound [Cr].[Co].[Pt] DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73913—Composites or coated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12597—Noncrystalline silica or noncrystalline plural-oxide component [e.g., glass, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12625—Free carbon containing component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/12743—Next to refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12875—Platinum group metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12937—Co- or Ni-base component next to Fe-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12944—Ni-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein magnetisches Aufzeichnungsmedium.
- Verschiedene Legierungen aus Kobalt und Platin wurden als Magnetmaterial in magnetischen Dünnfilm-Aufzeichnungsplatten zur horizontalen Aufzeichnung benutzt. In diesen Platten wird die hexagonale, dichtgepackte (HCP) kristalline Struktur der Kobalt-Platin-Legierung (CoPt) auf dem Träger oder auf einer darunterliegenden Zwischenunterlage ausgebildet, so daß die C-Achse, d.i. die [002] Achse, des CoPt-Films entweder in der Ebene des Films liegt oder eine Komponente in der Ebene des Films aufweist.
- Die Koerzitivität (Hc) der CoPt-Filme hängt ab von der Zusammensetzung der Legierung, wobei sich die maximale Hc bei etwa 20 Atomprozent (at.%) Platin einstellt. Siehe J. A. Aboaf et al., "Magnetic Properties and Structure of Co-Pt Thin Films", IEEE Trans on Magnetics, MAG-19, 1514 (1983), und M. Kitada et al., "Magnetic Properties of Sputtered Co-Pt Thin Films", J. Appl. Phys. 54 (12), Dezember 1983, Seiten 7089-7094. Über die Koerzitivität und weitere Eigenschaften der Kobalt-Platin-Filine wurde berichtet von Opfer et al. in einem Artikel mit dem Titel "Thin-Film Memory Disc Development," Hewlett-Packard Journal, November 1985, Seiten 4-10.
- Ein Dünnfilmplatte mit einer magnetischen Kobalt-Platin-Chrom (CoPtCr) Schicht, bei der Cr zur Verbesserung der Korrosionsfestigkeit der Magnetschicht hinzugefügt wurde, ist in der veröffentlichten japanischen Patentanmeldung 198568 beschrieben. Die magnetische CoPtCr-Schicht wird auf einen Nickelphosphorfilm (NiP) aufgebracht, der auf einem geeigneten Träger ausgebildet ist.
- Zwecks Verbesserung der Koerzitivität des CoPt-Magnetfilms bei bestimmten Plattentypen wird häufig eine Chrom (Cr) Unterlage zwischen dem Träger und der CoPt-Magnetschicht ausgebildet. Die Verwendung einer Chrom-Unterlage in einer CoPt-Dünnschicht-Platte wird im obigen Artikel von Opfer et al. sowie in der EP-A-145157 beschrieben.
- Der Einsatz von Wolfram (W) als Verstärkungsschicht bei bestimmten Typen von Dünnfilmplatten für horizontale Aufnahme wurde in einem Artikel von Dubin et al. in "Degradation of Co-based Thin-film Recording Materials in Selected Corrosive Environments," J. Appl. Phys. 53(3), März 1982, Seiten 2579- 2581 beschrieben. Der Artikel von Dubin et al. gibt an, daß eine 100 nm dicke Unterlage aus Wolfram benutzt wird, um ein epitaxiales Kristallwachstum in Magnetschichten aus Kobalt- Nickel-Wolfram (CoNiW) und Kobalt-Nickel (CoNi) zu fördern.
- In der japanischen ungeprüften veröffentlichten Patentanmeldung 59-227107 ist ein magnetisches Aufzeichnungsmedium beschrieben, in dem der Magnetfilm Kobalt, Platin und Wolfram enthält, wobei Platin mit 4 bis 15 at.% und Wolfram mit 0.5 bis 8 at.% der Coptw-Legierung enthalten ist. Diese japanische Unterlage zeigt, daß durch Zugeben von Wolfram zur Kobalt-Platin-Legierung eine stark verbesserte Koerzitivität erhalten wird.
- EP-A-140513 schlägt verschiedene Kombinationen von Unterlagen und Magnetschichten als Strukturen für eine horizontale Magnetaufzeichnung vor, einschließlich einer CoPt-Magnetschicht, die auf einer nichtmagnetischen Schicht einer WCo- Legierung ausgebildet ist.
- Gemäß einem Aspekt sieht die Erfindung ein magnetisches Aufzeichnungsmedium enthaltend eine Schicht aus magnetischer Kobalt-Platin-Legierung vor, die auf einer nichtmagnetischen Unterlage auf einem Träger ausgebildet ist, gekennzeichnet durch eine Zwischenschicht aus einer intermetallischen Ver-SA 985 045 bindung zwischen der magnetischen Legierungsschicht und der Unterlage, wobei die Unterlage aus Wolfram, Molybdän, Niob oder Vanadium besteht und die intermetallische Verbindung eine Verbindung aus Kobalt und dem Metall der Unterlage ist.
- Gemäß einem anderen Aspekt sieht die Erfindung ein Verfahren zur Ausbildung eines magnetischen Aufzeichnungsmediums vor, das die Schritte zur Aufstäubung (Sputter) einer nicht- metallischen Unterlage auf einem geeigneten Träger und Aufstäuben einer Schicht aus einer magnetischen Kobalt-Platinlegierung auf der Unterlage umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus Wolfram, Molybdän, Niob oder Vanadium besteht; und der Träger beim Aufbringen der magnetischen Legierung innerhalb eines solchen Temperaturbereichs gehalten wird, daß sich eine intermetallische Verbindung bestehend aus Kobalt und dem Metall der Unterlage an der Grenzschicht zwischen der Unterlage und der Magnetlegierungsschicht ausbildet.
- Durch den Einsatz einer Wolframunterlage und Aufbringen der Unterlage und der Magnetschichten so, daß sich eine intermetallische Verbindung zwischen Kobalt und der Unterlage im Grenzschichtbereich ausbildet, läßt sich die Koerzitivität der CoPt- bzw. CoPtCr-Schicht vergrößern, oder alternativ die gleiche Koerzitivität mit weniger Platin erreichen.
- Jetzt soll anhand der begleitenden Zeichnungen beispielmäßig beschrieben werden, wie sich die Erfindung durchführen läßt. In diesen Zeichnungen sind:
- Fig. 1 die Darstellung von M-H-Hysteresesch1eifen eines CoPt- Films, der auf einer Unterlage aus Wolfram ausgebildet ist, und eines CoPt-Films, der auf einer Chromunterlage ausgebildet ist;
- Fig. 2 ist die grafische Darstellung der Koerzitivität von CoPt-Filmen unterschiedlicher Dicke, die auf Wolfram- bzw. Chromunterlagen bei unterschiedlichen Trägerbeschichtungstemperaturen aufgebracht wurden;
- Fig. 3 ist eine Röntgenstrahl-Diffraktionskurve für einen CoPt-Film, der auf einer Wolframunterlage aufgebracht wurde, wobei der Grenzschichtbereich zwischen der Wolfram- und der CoPt-Schicht eine intermetallische Verbindung aus Co&sub3;W ist; und
- Fig. 4 ist eine Röntgenstrahl-Diffraktionskurve für einen CoPtCr-Film, der auf einer Wolframunterlage aufgebracht wurde, wobei der Grenzschichtbereich zwischen der Wolfram- und der CoPtCr-Schicht eine intermetallische Verbindung aus Co&sub3;W ist.
- Zwecks Illustration der verbesserten Koerzitivität einer CoPt-Platte als Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wurde zunächst eine CoPt-Platte mit einer Chromunterlage zwischen dem Träger und der CoPt-Magnetschicht hergestellt. Eine Chromunterlage von 100 nm Dicke wurde durch DC Magnetron-Aufstäuben auf einen Siliziumträger unter 0,43 Pa (3,2 x 10&supmin;³ Torr) Argondruck und einer Trägertemperatur von 128ºC aufgebracht. Anschließend wurde ein 40 nm dicker Kobalt-Platin-Legierungsfilm mit 20 at.% Platin (Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;) auf eine Chromunterlage aufgestäubt ohne Unterbrechen des Vakuums in der Aufstäubungskammer. Kurve A in Fig 1 zeigt eine M-H-Hystereseschleife für diesen Film, der eine Koerzitivität Hc gleich 105 kA.m&supmin;¹ (1320 Oerstedt (Oe)) und eine Rechtwinkligkeit S von 0,887 aufweist. Kurve B ist eine M-H-Schleife für einen Kobalt-Platin-Film ähnlicher Dicke, der auf eine Wolframunterlage aufgebracht ist. Eine 100 nm dicke Wolframunterlage wurde in einem DC Magnetron auf einen Siliziumträger aufgestäubt, wobei der Träger auf 38ºC gehalten wurde. Danach wurde ohne Unterbrechung des Vakuums in der Aufstäubungskammer ein 42,5 nm dicker Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Film auf die Wolframunterlage aufgestäubt. Die sich ergebende M-H- Hystereseschleife (Kurve B in Fig. 1) für diesen Film weist eine Koerzitivität von 171 kA.m&supmin;¹ (2145 Oe) und eine Rechtwinkligkeit S von 0,864 auf. Für die zwei Platten, deren Daten in Fig. 1 angegeben sind, wurde das gleiche Co&sub8;&sub0;Pt²&sup0;- Aufstäubetarget verwendet.
- Kobalt-Platin-Filme unterschiedlicher Dicken wurden auf Wolframunterlagen bei unterschiedlichen Trägeraufstäubungstemperaturen ausgebildet und die magnetischen Eigenschaften dieser Filme wurden mit den auf Chromunterlagen ausgebildeten Kobalt-Platin-Filmen verglichen. Wie Kurve A in Fig. 2 zeigt, wiesen die unterschiedlichen Versuchsmuster Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Dicken zwischen etwa 24 und 64 nm auf und wurden auf 100 nm dicke Wolframunterlagen aufgestäubt, während die Siliziumträgertemperaturen auf etwa 30 bis 40ºC gehalten wurden. Die Koerzitivitätswerte für diese Filme waren im wesentlichen größer als die Koerzitivität von Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Filmen, die auf 100 nm dicke Chromunterlagen aufgestäubt wurden, während der Siliziumträgertemperatur auf etwa 128ºC gehalten wurde, wie in Kurve C in Fig. 2 gezeigt wird. (Die Koerzitivität der Si/100 nm, Cr/40 nm, Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Platte aus Fig. 1 ist signifikant geringer als die entsprechende Kurve C in Fig. 2, weil diese letztere mit einem unterschiedlichen Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Aufstäubungstarget gemacht wurde, das eine leichte Veränderung der Zusammensetzung aufgewiesen haben könnte).
- Wenn die Temperatur des Siliziumträgers von etwa 30 bis 40ºC auf 128ºC erhöht wurde und Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Filme des gleichen Dickenbereichs auf die 100 nm dicken Wolframunterlagen aufgebracht wurden, verringerten sich die entstehenden Koerzitivitäten beträchtlich, sind aber noch immer wesentlich höher als bei den CoPt-Proben, die auf Chromunterlagen ausgebildet sind. (Sehe Kurve B in Fig. 2).
- Um den Unterschied der Koerzitivität der Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Filme, die in den Kurven A und B in Fig 2 dargestellt sind, zu verstehen, wurde eine Röntgenstrahl-Diffraktionsanalyse auf den Siliziumplatten mit den auf einer Wolframunterlage aufgebrachten Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Filmen durchgeführt. Die Röntgenstrahl- Diffraktionskurve in Fig. 3 gilt für eine Siliziumplatte mit einer 100 nm dicken W-Unterlage und einer 62,5 nm dicken magnetischen Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Schicht, die bei einer Siliziumträgertemperatur von 38ºC aufgebracht wurde. Fig. 3 zeigt eine Spitzenintensität bei 2Θ gleich 42,62 Grad, was der (002) Ebene des HCP Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Magnetfilms entspricht, und eine Spitzenintensität bei 2Θ gleich 39,7 Grad, was der (110)- Ebene der körperzentrierten kubischen (BCC) Wolframunterlage entspricht. Zusätzlich entspricht eine Spitzenintensität bei 2Θ gleich 35,25 Grad der (110)-Ebene der HCP Co&sub3;W intermetallischen Verbindung. Diese Spitze in Fig. 3 bestätigt, daß eine Intermetallverbindungsphase zwischen Kobalt und Wolfram in der Grenzschichtregion zwischen den Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;- und W-Schichten vorhanden ist. Die (110) Reflexion für das HCP Co&sub3;W impliziert, daß eine Komponente der C-Achse [002] des Co&sub3;W in der Ebene des Films liegt. Die (110) Reflexion für Co&sub3;W wurde in einer Röntgenstrahl-Diffraktionsanalyse von Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;-Filmen auf Wolfram-Unterlagen, die bei 128ºC aufgebracht wurden (d.i. diejenigen Platten, deren Daten durch die Kurve B in Fig 2 gezeigt werden) nicht gefunden wurde. Somit deuten die in Fig. 3 gezeigten Ergebnisse an, daß die Ablagerung von Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0; auf Wolfram-Unterlage bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen eine Grenzschichtreaktion zwischen Co und W verursachen, was zu einer hoch-orientierten hexagonalen Co&sub3;W-Phase an der Grenzschicht führt. Diese Grenzschicht erhöht die C-Achsen-Ausrichtung des Co&sub8;&sub0;Pt&sub2;&sub0;- Films in der Filmebene.
- Eine Dünnfilmplatte mit einer 62,5 nm dicken (Co&sub9;&sub0;Pt&sub1;&sub0;)&sub8;&sub0;Cr&sub2;&sub0;- Magnetschicht auf einer 100 nm dicken W- Unterlage auf einem Siliziumträger zeigte ebenfalls ausgezeichnete magnetische Eigenschaften. Die Platte war mit einem DC-Magnetron Aufstäubungsgerät unter Verwendung gesonderter Co&sub9;&sub0;Pt&sub1;&sub0;- und Cr-Targets bei einer Trägertemperatur von 20ºC hergestellt worden. Die Platte wies Hc = 77,2 kA.m&supmin;¹ (970 Oe) Koerzitivität mit Rechtwinkligkeit S* = 0,89 und einem Remanenzdickenprodukt Mr t = 1,68 x 10&supmin;² A (1,68 x 10&supmin;³ emu/cm²) auf. Die Röntgenstrahl-Diffraktionsanalyse dieser Platte ist in Fig. 4 gezeigt und zeigt eine starke Spitzenintensität bei 2Θ = 35,16ºC, was der (110)-Ebene der Co&sub3;W Grenzschichtregion entspricht, und bestätigt somit die Ausbildung der Co&sub3;W-Grenzschicht zwischen der W-Unterlage und der (Co&sub9;&sub0;Pt&sub1;&sub0;)&sub8;&sub0;Cr&sub2;&sub0;-Magnetschicht.
- Wie hier verwendet, bezieht sich der Ausdruck "intermetallische Verbindung" auf solche chemische Verbindungen, die mehr sind als ein einfaches Gemisch in der Form einer Legierung, sondern in denen die Bestandteile in einem festen stöchiometrischen Verhältnis vorkommen, so daß die Verbindung mit einer chemischen Formel dargestellt werden kann. Eine intermetallische, binäre Verbindung von zwei Elementen, wie z.B. Kobalt und Wolfram, ist eine intermetallische Phase, die nur in dem diskreten stöchiometrischen Verhältnis von drei Kobaltatomen zu einem Wolframatom vorkommt. Die intermetallische Verbindung Co&sub3;W ist auf den veröffentlichten Phasendiagrammen für Kobalt und Wolfram, wie z.B. in Constitution of Binary Alloys, McGraw Hill, 1958, Seite 519 angegeben.
- Bei allen hier beschriebenen Versuchsbeispielen war der Träger Einkristallsilizium vom Halbleitertyp. Wenn ein Siliziumträger benutzt wird, ist eine Unterlage erforderlich, damit sich die C-Achsenrichtung der Magnetschicht in der Filmebene ausrichtet. Die Wolframunterlage bei Aufzeichnungsmedien als Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erfüllt diesen Zweck. Wenn der Träger ein anderes Material ist, wie z.B. Nickel-Phosphor-(NiP)-Film, der auf einer Platte aus Aluminiumlegierung ausgebildet wird, ist möglicherweise eine Unterlage nicht unbedingt erforderlich, sondern nur günstig zur Verbesserung der C-Achsenausrichtung in der Filmebene der Magnetschicht. Die Wolframunterlage verstärkt die C-Achsenausrichtung in der Ebene der Magnetschicht und verbessert somit die magnetischen Eigenschaften der Dünnfilmplatten, wenn der Träger eine NiP-Schicht auf einer Platte aus Aluminiumlegierung ist.
- Die hier beschriebenen Versuche beschränkten sich auf die Anwendung von Wolfram als Unterlage, jedoch würden auch noch andere schwerschmelzbare Metalle wie Niob (Nb), Molybdän (Mo) und Vanadium (V) die Orientierung des CoPt- und CoPtCr-Films verstärken, weil diese Metalle bekanntlich HCP-intermetallische Verbindungen mit Kobalt eingehen. Diese Verbindungen sind Co&sub2;Nb, Co&sub3;Mo und Co&sub3;V.
- Die obige Beschreibung bezieht sich ausschließlich auf die Bildung der Magnetschicht und der Unterlage auf dem Träger und keineswegs auf die wohlbekannten Aspekte der Medien und Medienherstellungsverfahren. Zum Beispiel ist es bekannt, daß bei der Herstellung von Dünnfilm-Metallegierungsplatten ein Schutzüberzug vorgesehen wird, wie z.B. ein aufgestäubter, im wesentlichen amorpher Kohlenstoffilm über der Magnetschicht, und in bestimmten Fällen auch eine Adhäsionsschicht vorgesehen wird, wie z.B. ein aufgestäubter Titanfilm zwischen dem Überzug und der Magnetschicht.
Claims (10)
1. Magnetisches Aufzeichnungsmedium, bestehend aus einer
Schicht aus einer magnetischen Kobalt-Platin Legierung, die
auf einer nichtmagnetischen Unterlage, bestehend aus Wolfram,
Molybdän, Niob oder Vanadium, auf einem Substrat ausgebildet
ist, gekennzeichnet durch:
eine Grenzschicht aus einer intermetallischen Verbindung
zwischen der Schicht aus einer magnetischen Legierung und der
Unterlage, wobei die intermetallische Verbindung eine
Verbindung aus Kobalt und dem Metall der Unterlage ist.
2. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei
welchem die Unterlage aus Wolfram und die Grenzschicht aus
einer intermetallischen Verbindung aus Co&sub3;W besteht.
3. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2,
bei welcher die magnetische Legierung auch Chrom enthält.
4. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorgehenden
Ansprüche, bei welchem das Substrat aus Silizium besteht.
5. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1
bis 3, bei welchem das Substrat aus einer Alumiumlegierung
besteht, auf der unterhalb der Unterlage ein Nickel-Phosphor-
Film ausgebildet ist.
6. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach einem der vorgehenden
Ansprüche, das weiters einen über der Schicht aus einer
magnetischen Legierung ausgebildeten, schützenden Überzug
enthält.
7. Verfahren zur Herstellung eines magnetischen
Aufzeichnungsmediums, welches die Schritte des Ablagerns einer
aus Wolfram, Molybdän, Niob oder Vanadium bestehenden,
nichtmagnetischen Unterlage auf einem geeigneten Substrat
durch Sputtern sowie das Ablagern einer Schicht aus einer
magnetischen Kobalt-Platin-Legierung auf der Unterlage durch
Sputtern enthält, dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat während des Ablagerns der magnetischen Legierung
in einem solchen Temperaturbereich gehalten wird, daß an der
Grenzschicht der Unterlage mit der Schicht aus einer
magnetischen Legierung eine aus Kobalt und dem Metall der
Unterlage bestehende intermetallische Verbindung abgelagert
wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei welchem die Unterlage durch
Ablagern von Wolfram gebildet wird und die Grenzschicht aus
der Verbindung Co&sub3;W besteht.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei welchem ferner ein
schützender Überzug über der Schicht aus einer magnetischen
Legierung ausgebildet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei welchem
die durch Sputtern abgelegte magnetische Legierung auch Chrom
enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/857,019 US4654276A (en) | 1986-04-29 | 1986-04-29 | Magnetic recording medium with an underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3781712D1 DE3781712D1 (de) | 1992-10-22 |
DE3781712T2 true DE3781712T2 (de) | 1993-04-01 |
Family
ID=25324986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8787102620T Expired - Fee Related DE3781712T2 (de) | 1986-04-29 | 1987-02-24 | Magnetischer aufzeichnungstraeger. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4654276A (de) |
EP (1) | EP0243604B1 (de) |
JP (1) | JPS62257617A (de) |
CA (1) | CA1269894A (de) |
DE (1) | DE3781712T2 (de) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2522246B2 (ja) * | 1986-05-06 | 1996-08-07 | ブラザー工業株式会社 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
US4778582A (en) * | 1987-06-02 | 1988-10-18 | International Business Machines Corporation | Process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat |
EP0302706B1 (de) * | 1987-08-06 | 1994-07-27 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Magnetplatte für waagerechte Aufnahme |
US5063120A (en) * | 1988-02-25 | 1991-11-05 | International Business Machines Corporation | Thin film magentic media |
US4929514A (en) * | 1988-03-22 | 1990-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin film media for high density longitudinal magnetic recording |
US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
EP0364631A1 (de) * | 1988-10-17 | 1990-04-25 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Aus einer amorphen Metallegierung bestehender dünner Film |
US4902583A (en) * | 1989-03-06 | 1990-02-20 | Brucker Charles F | Thick deposited cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof |
US5106703A (en) * | 1989-11-27 | 1992-04-21 | Carcia Peter F | Platinum/cobalt multilayer film for magneto-optical recording |
US5112699A (en) * | 1990-03-12 | 1992-05-12 | International Business Machines Corporation | Metal-metal epitaxy on substrates and method of making |
JPH07118417B2 (ja) * | 1990-12-21 | 1995-12-18 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録媒体 |
US5149409A (en) * | 1991-01-11 | 1992-09-22 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating thin film metal alloy magnetic recording disks to selectively variable coercivities |
US5466524A (en) * | 1992-05-07 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Barium hexaferrite-silicon nitride-carbon magnetic recording medium |
EP0576376B1 (de) * | 1992-06-26 | 1998-05-06 | Eastman Kodak Company | Kobalt-Platin magnetischer Film und Herstellungsverfahren |
US5693198A (en) * | 1992-06-30 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | Method of producing a magnetic recording medium |
US5580667A (en) * | 1992-06-30 | 1996-12-03 | Hmt Technology Corporation | Multilayered medium with gradient isolation layer |
US5581417A (en) * | 1992-12-11 | 1996-12-03 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for anhysteretically recording from master drum to slave web |
US5567523A (en) * | 1994-10-19 | 1996-10-22 | Kobe Steel Research Laboratories, Usa, Applied Electronics Center | Magnetic recording medium comprising a carbon substrate, a silicon or aluminum nitride sub layer, and a barium hexaferrite magnetic layer |
JPH08147665A (ja) | 1994-11-11 | 1996-06-07 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置 |
US5750270A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-12 | Conner Peripherals, Inc. | Multi-layer magnetic recording media |
JPH08227515A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 面内記録用磁気記録媒体及びその製造方法 |
JPH08329442A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US5778302A (en) * | 1995-09-14 | 1998-07-07 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of making Cr-Me sputter targets and targets produced thereby |
US6143388A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-07 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with onset layer |
JP2001184626A (ja) | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
US7314675B1 (en) | 2003-01-30 | 2008-01-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic media with high Ms magnetic layer |
US7298588B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-11-20 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media using directly textured glass |
US20060234089A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-10-19 | Imation Corp. | Multi-layered sputtered thin metal film recording medium comprising a tungsten seed layer and a chromium-titanium-tungsten intermediate layer |
US7670694B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Media for recording devices |
US20090274932A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Imation Corp. | Sputtered metal film recording medium including texture promotion layer |
WO2013106948A1 (zh) | 2012-01-18 | 2013-07-25 | 芮宝生医股份有限公司 | 磁性微粒复合物的制作方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3321328A (en) * | 1962-11-15 | 1967-05-23 | Ibm | Coating of aluminum substrates with a magnetic material |
JPS57205821A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-17 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
US4438066A (en) * | 1981-06-30 | 1984-03-20 | International Business Machines Corporation | Zero to low magnetostriction, high coercivity, polycrystalline, Co-Pt magnetic recording media |
JPS59198568A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
JPS59227107A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録用媒体 |
EP0140513A1 (de) * | 1983-08-24 | 1985-05-08 | International Business Machines Corporation | Magnetische Dünnfilmaufzeichnungsstruktur |
US4610911A (en) * | 1983-11-03 | 1986-09-09 | Hewlett-Packard Company | Thin film magnetic recording media |
JPS6246945A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-28 | 株式会社 梅彦 | 白華防止セメント |
JPS62128019A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
JPS62223813A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
DE3762052D1 (de) * | 1986-03-31 | 1990-05-03 | Unisys Corp | Abscheidung einer vanadin-unterlage fuer magnetische filme. |
-
1986
- 1986-04-29 US US06/857,019 patent/US4654276A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-24 EP EP87102620A patent/EP0243604B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-24 DE DE8787102620T patent/DE3781712T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-03-03 JP JP62046946A patent/JPS62257617A/ja active Granted
- 1987-03-13 CA CA000532014A patent/CA1269894A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0243604A2 (de) | 1987-11-04 |
DE3781712D1 (de) | 1992-10-22 |
JPS62257617A (ja) | 1987-11-10 |
EP0243604B1 (de) | 1992-09-16 |
EP0243604A3 (en) | 1989-08-23 |
US4654276A (en) | 1987-03-31 |
JPH0557646B2 (de) | 1993-08-24 |
CA1269894A (en) | 1990-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3781712T2 (de) | Magnetischer aufzeichnungstraeger. | |
DE3780347T2 (de) | Aufzeichnungstraeger mit mehreren schichten fuer vertikale magnetische aufzeichnung. | |
DE3888990T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen scheibenförmigen Aufzeichnungsträgers und resultierender Aufzeichnungsträger. | |
DE3538852C2 (de) | ||
DE3850833T2 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger. | |
DE69202258T2 (de) | Magnetoresistives Element. | |
DE69530151T2 (de) | Magnetlegierung und seiner Herstellungsverfahren | |
DE60126953T2 (de) | Magnetische aufzeichnungsmittel mit antiferromagnetischer kupplung | |
US4920013A (en) | Magnetic Multilayer structure | |
DE69104456T2 (de) | Magnetische Legierung, bestehend aus Kobalt, Nickel, Platin und Chrom. | |
DE19855454A1 (de) | Ultradünne Keimbildungsschicht für magnetische Dünnfilmmedien und das Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69729705T2 (de) | Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Herstellungsverfahren für dasselbe und magnetischer Speicher | |
DE3905625A1 (de) | Magnetoresistiver magnetkopf und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3443601A1 (de) | Magnetaufzeichnungsmedium | |
DE4325329C2 (de) | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3501819A1 (de) | Magnetaufzeichnungsmedium | |
DE68915590T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von magnetischem Aufzeichnungsmaterial. | |
EP0220597B1 (de) | Dünnfilmträger für vertikale magnetische Aufzeichnung mit Substrat, Zwischenschicht und magnetisierbarer Schicht | |
DE3528701A1 (de) | Lichtaufzeichnungsmaterial | |
DE69128056T2 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger, sein Herstellungsverfahren und ein magnetisches Aufzeichnungsgerät | |
DE3788579T2 (de) | Ferromagnetischer dünner Film und ihn verwendender Magnetkopf. | |
US5316631A (en) | Method for fabricating a magnetic recording medium | |
DE3850824T2 (de) | Magnetplatte für waagerechte Aufnahme. | |
DE69425833T2 (de) | Sputter-targets aus magneto-optischer legierung | |
DE19711733A1 (de) | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |