DE69202258T2 - Magnetoresistives Element. - Google Patents
Magnetoresistives Element.Info
- Publication number
- DE69202258T2 DE69202258T2 DE69202258T DE69202258T DE69202258T2 DE 69202258 T2 DE69202258 T2 DE 69202258T2 DE 69202258 T DE69202258 T DE 69202258T DE 69202258 T DE69202258 T DE 69202258T DE 69202258 T2 DE69202258 T2 DE 69202258T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film layer
- magnetic
- magnetoresistive element
- magnetic film
- satisfies
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 5
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/923—Physical dimension
- Y10S428/924—Composite
- Y10S428/926—Thickness of individual layer specified
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12944—Ni-base component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein magnetoresistives Element für dünne Filmköpfe oder Magnetfeldsensoren.
- Es wurden bekanntermaßen Entwicklungen eines Magnetowiderstandssensors (nachfolgend als MR-Sensor bezeichnet) und eines Magnetowiderstandskopfes (nachfolgend als MR-Kopf bezeichnet) durchgeführt, in welchen magnetoresistive Elemente verwendet werden, wobei das Permalloy von Ni&sub0;, &sub8;Fe&sub0;,&sub2; vor allem als ein darauf aufgebrachtes, magnetisches Material verwendet wurde. Im Falle dieses Materials ist jedoch das MR (magnetischer Widerstand bzw. Magnetoresistenz) -Verhältnis (nachfolgend als ΔR/R bezeichnet) ungefähr 2,5 % und es ist daher ein Material mit einem höheren ΔR/R erforderlich, um ein magnetoresistives Element mit höherer Empfindlichkeit zu erhalten. Vor kurzem wurde entdeckt, daß ein sehr großer Magnetowiderstandseffekt durch einen Film mit einem künstlichen Supergitter induziert wird, welcher aus einem dünnen Film hergestellt ist, welcher Fe und Cr enthält (siehe Physical Review Letter, Vol. 61, S. 2472, 1988). Im Fall dieses Materials kann jedoch ein großes ΔR/R nicht erhalten werden, wenn nicht ein intensives Magnetfeld von 10 kOe oder mehr an dieses angelegt wird, wobei dies in einem Problem bei der Durchführbarkeit resultiert, 10e = 79,577 A/m.
- Die EP-A-0 406 060 lehrt, ein magnetoresistives Element zur Verfügung zu stellen, welches eine erste magnetische Filmschicht, eine zweite magnetische Fiimschicht und eine nichtmagnetische Metallfilm-Schicht umfaßt, welche zwischen den ersten und zweiten magnetischen Filmschichten angeordnet ist. Die Dicke der ersten und zweiten magnetischen Schichten soll zwischen 9 und 90 Å liegen, wobei die nicht-magnetische Schicht eine Dicke von weniger als 30 Å aufweist. Als ein Material für die nicht-magnetische Schicht werden Mangan, Chrom, Vanadium und Titan erwähnt.
- "Origin of Interfacial Energy in Coupled Films of Permalloy and Cobalt" lehrt die Verwendung von Ag als ein Material für den nicht-magnetischen Metallfilm. Die Dicke der nichtmagnetischen Metallfilm-Schicht wird als zwischen 500 und 600 Å liegend erwähnt, um die Koerzitivkraft der weichmagnetischen Filmschicht der magnetischen Filmschichten auf einem Minimum zu halten.
- Die EP-A-0 304 280 beschreibt eine Vorrichtung zur Detektion von Magnetismus, umfassend Legierungen, welche ein Zusammensetzungsverhältnis von Ni-Fe von 83:17 und von Ni-Co von 76:24 aufweisen (wobei in beiden Fällen die Einheit Gew.-% ist). Der dünne Film des entsprechenden Elementes weist eine Dicke von 500 bis 1000 Å bis zu höchstens ungefähr 2000 Å auf.
- Es ist das Ziel der Erfindung, ein magnetoresistives Element zu erhalten, welches einen großen Wechsel des magnetischen Widerstandes in einem niedrigen Magnetfeld für praktische Verwendung zeigt.
- Gemäß der Erfindung wird das obige Ziel durch ein magnetoresistives Element gemäß Anspruch 1 erreicht. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beansprucht.
- Mit anderen Worten ist ein magnetoresistives Element, welches das Ziel der Erfindung erfüllt, ein Körper mit einer mehrschichtigen Struktur, in welcher eine erste magnetische Filmschicht, welche aus Ni-reichem Ni-Co-Fe hergestellt ist und eine Dicke von 10 bis 100 Å aufweist, und eine zweite magnetische Filmschicht, welche aus einem Co-reichen Co-Ni- Fe hergestellt ist und eine Dicke von 10 bis 100 Å aufweist, welche in ihrer Koerzitivkraft voneinander verschieden sind, vollständig mit einer nicht-magnetischen Metallfilm-Schicht mit einer Dicke von 10 bis 100 Å, welche dazwischenliegend angeordnet ist, laminiert sind. Das magnetoresistive Element gemäß der Erfindung umfaßt auch einen Körper mit einer mehrschichtigen Struktur, worin die oben genannten drei Schichten eine Basiseinheit sind und eine Mehrzahl derartiger Einheiten vollständig miteinander mit nicht-magnetischen Metallfilm-Schichten, welche eine Dicke von 10 bis 100 Å aufweisen und dazwischenliegend angeordnet sind, laminiert sind.
- Als Metall zur Ausbildung der nicht-magnetischen Metallfilm- Schicht werden Cu, Ag, Au, Pt, Ru oder Re vorgeschlagen. Mit dem magnetoresistiven Element kann ein großer Wechsel des magnetischen Widerstandes bei Raumtemperatur und in einem schwachen Magnetfeld erzeugt werden, wobei dies mit keinem der bekannten, magnetoresistiven Elemente erreicht wurde.
- Das Material für den ersten magnetischen Film ist nicht auf das oben genannte ternäre System beschränkt. Ein binäres System von Ni-Fe oder Ni-Co kann verwendet werden.
- Die Fig. 1 und 2 zeigen das Funktionsprinzip eines magnetoresistiven Elementes gemäß der vorliegenden Erfindung; und Fig. 3 ist ein Diagramm, welches einen Zusammenhang zwischen einem angelegten Magnetfeld und einem MR-Verhältnis im Fall des magnetoresistiven Elementes gemäß der Erfindung unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 illustriert.
- Eine erste magnetische Filmschicht eines magnetoresistiven Elementes gemäß der vorliegenden Erfindung ist aus einem magnetischen Material gebildet, dessen primäre Komponente von einer Zusammensetzung gebildet ist, welche durch die nachfolgenden Ausdrücke 1, 2 oder 3 bezeichnet ist. Dies ist ein weichmagnetisches Material mit einem großen ΔR/R, einer geringen Magnetostriktion und einer geringen Koerzitivkraft.
- (NiACo1-A)BFe1-B .... (1)
- worin A und B Verhältnisse der atomaren Zusammensetzung bezeichnen, welche 0,6 ≤ A ≤ 1,0 bzw. 0,7 ≤ B ≤ 1,0 erfüllen.
- NiAFe1-A .... (2)
- worin A ein Verhältnis der atomaren Zusammensetzung bezeichnet, welches 0,7 ≤ A ≤ 0,9 erfüllt.
- NiACo1-A .... (3)
- worin A ein Verhältnis der atomaren Zusammensetzung bezeichnet, welches 0,6 ≤ A ≤ 0,9 erfüllt.
- Das Material für die erste magnetische Filmschicht wird nicht auf die Zusammensetzungen beschränkt sein, welche durch die Ausdrücke 1, 2 oder 3 bezeichnet sind. Um die Eigenschaften, wie etwa den Weichmagnetismus, den Verschleißwiderstand oder den Korrosionswiderstand, zu verbessern, kann es Nb, Mo, Cr, W, Ru, etc. als ein sekundäres Element beinhalten und es kann weiters zufällige Unreinheiten beinhalten.
- Eine zweite magnetische Filmschicht des magnetoresistiven Elementes gemäß der Erfindung wird von einem magnetischen Material gebildet, dessen primäre Komponente eine durch den nachfolgenden Ausdruck 4 bezeichnete Verbindung ist. Dies ist ein semi-hartmagnetisches Material mit einer geringen Magnetostriktion und einer relativ großen Koerzitiv-kraft.
- (CoCNi1-C)DFe1-D .... (4)
- worin C und D Verhältnisse der atomaren Zusammensetzung bezeichnen, welche 0,4 ≤ C ≤ 1,0 bzw. 0,8 ≤ D ≤ 1,0 erfüllen.
- Das Material für die zweite magnetische Filmschicht wird nicht auf die durch den Ausdruck 4 bezeichnete Zusammensetzung beschränkt sein. Um die Eigenschaften, wie etwa den Korrosionswiderstand, zu verbessern, kann es Nb, Mo, Cr, W, Ru, etc. als ein sekundäres Element beinhalten und es kann weiters zufällige Unreinheiten beinhalten.
- Die erste magnetische Filmschicht 1 und die zweite magnetische Filmschicht 3 haben unterschiedliche Koerzitivkräfte und sie sind durch eine nicht-magnetische Metallfilm-Schicht 2 getrennt. Wie dies in Fig. 1 gezeigt ist, werden daher, wenn ein schwaches magnetisches Feld an sie angelegt wird, die Spins der ersten weichmagnetischen Filmschicht 1 zuerst in diese Richtung gedreht, während die Spins der zweiten a semi-hartmagnetischen Filmschicht 3 nicht umgekehrt werden. Daher ist in diesem Stadium die Spin-Ausrichtung der ersten magnetischen Filmschicht 1 und jene der zweiten magnetischen Filmschicht 3 antiparallel und die Spin-Streuung der Leitungselektronen sehr groß, wodurch sich eine sehr große Magnetoresistenz ergibt, wie dies in Fig. 3 gezeigt ist. Darüberhinaus werden, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist, wenn das angelegte Magnetfeld erhöht wird, auch die Spins der zweiten magnetischen Filmschicht 3 umgekehrt und die Spin- Ausrichtung der ersten magnetischen Filmschicht 1 und jene der zweiten magnetischen Filmschicht 3 wird parallel. Daher wird die Spin-Streuung der Leitungselektronen geringer, wodurch die Magnetoresistenz abnimmt, wie dies in Fig. 3 gezeigt ist. Auf diese Weise kann ein großes ΔR/R erhalten werden. Wenn die nicht-magnetische Metallfilm-Schicht 2 nicht existiert, werden jedoch die erste magnetische Filmschicht 1 und die zweite magnetische Filmschicht 3 magnetisch gekoppelt. Da die in Fig. 1 gezeigte Bedingung nicht realisiert wird, kann ein großer Magnetoresistenzeffekt dann nicht erhalten werden. Weiters sollten vorzugsweise die erste magnetische Filmschicht 1 und die zweite magnetische Filmschicht 3 geringe Magnetostriktion aufweisen. Dies deshalb, da eine große Magnetostriktion die Erzeugung von Geräuschen induziert, wenn ein derartiges magnetoresistives Element für einen MR-Kopf oder dgl. verwendet wird.
- Die Ni-reiche Ni-Co-Fe-Legierung des Ausdruckes 1 weist eine geringe Magnetostriktion auf und zeigt Weichmagnetismus, wenn die Verhältnisse der Zusammensetzung 0,6 ≤ A ≤ 1,0, 0,7 ≤ B ≤ 1,0 erfüllen. Typische Beispiele sind Ni&sub0;, &sub8;Co&sub0;, &sub1;Fe&sub0;,&sub1;, Ni&sub0;, &sub8;Fe&sub0;,&sub2; und dgl.. Es können auch Nb, Mo, Cr, W, Ru und dgl. zu der Zusammensetzung des Ausdruckes 1 hinzugefügt werden, um den Weichmagnetismus, den Verschleißwiderstand und den Korrosionswiderstand weiter zu verbessern. Andererseits weist die Co-reiche Co-Ni-Fe-Legierung des Ansdruckes 4 eine relativ geringe Magnetostriktion auf und zeigt Semi- Hartmagnetismus, wenn die Verhältnisse der Zusammensetzung 0,4 ≤ C ≤ 1,0, 0,8 ≤ D ≤ 1,0 erfüllen. Wenn die Zusammensetzung auf diese Weise gewählt wird, können zwei Arten von magnetischen Filmen, welche unterschiedliche Koerzitivkräfte aufweisen, erhalten werden. Diese magnetischen Filmschichten weisen Nachteile auf, wie etwa einen fall der Magnetisierung bei Raumtemperatur aufgrund eines Rückganges der Curie- Temperatur, wenn sie eine Dicke von weniger als 10 Å aufweisen. Darüberhinaus ist es zumindest notwendig, jede magnetische Filmschicht nicht mehr als 100 Å dick auszubilden, um dadurch den Laminisierungeffekt wie in der vorliegenden Erfindung auszunützen, da die Gesamtdicke eines magnetoresistiven Elementes für eine praktische Anwendung einige 100 Ångström (Å) beträgt. Daher sollte vorzugsweise die Dicke dieser magnetischen Filmschichten von 10 bis 100 Å betragen.
- Der nicht-magnetische Metallfilm, welcher zwischen diesen ersten und zweiten magnetischen Filmen angeordnet ist, muß aus einem Material hergestellt sein, welches eine geringe Reaktion an den übergangsschichten mit den Ni-Co-Fe-Magnetfilmen bewirkt und welches nicht magnetisch ist. Cu, Ag, Au, Pt oder dgl. sind geeignet. Es sind auch Ru, Re oder dgl. geeignet, wenn dem Verschleißwiderstand große Beachtung geschenkt wird. Die optimale Dicke dieser nicht-magnetischen Metallfilm-Schicht ist ungefähr 50 Å. Wenn sie weniger als 10 Å beträgt, werden die zwei Arten der magnetischen Filmschicht magnetisch gekoppelt und es wird schwierig sein, den Zustand zu realisieren, in welchem die magnetischen Filmschichten 1 und 3 mit unterschiedlichen Koerzitivkräften eine Konfiguration mit antiparallelen Spins aufweisen, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist. Wenn sie 100 Å übersteigt, so bewirkt auch der Widerstand der nicht-magnetischen Metallfilm-Schicht, welche einen derartigen Magnetoresistenzeffekt nicht zeigt, daß die Änderung der Magnetoresistenz des gesamten magnetoresistiven Elementes abnimmt. Daher sollte vorzugsweise die Dicke der nicht-magnetischen Metallfilm- Schicht 10 bis 100 Å sein. Nachfolgend werden die Effekte der vorliegenden Erfindung auf der Basis eines konkreten Beispieles erläutert.
- Magnetoresistive Elemente der folgenden Strukturen (Proben Nr. 1 bis 3) wurden auf Glassubstraten mit Hilfe einer Ultrahochvakuum-Abscheidevorrichtung ausgebildet.
- 1: [Ni-Fe(30)/Cu(50)/Co-Ni(30)/Cu(50)]
- 2: [Ni-Fe(30)/Au(50)/Co-Ni(30)/An(50)]
- 3: [Ni-Fe(30)/Ag(50)/Co-Ni-Fe(30)/Ag(50)]
- (Jeder Schrägstrich "/" zeigt an, daß ein vor dem Schrägstrich beschriebener Film und ein nach dem Schrägstrich beschriebener Film übereinander angeordnet sind. Die Anzahl in jedem Paar Klammern () zeigt die Dicke (Å) jedes Filmes an.)
- Ni&sub0;, &sub8;Fe&sub0;,&sub2;, Co&sub0;, &sub6;&sub5;Ni&sub0;,&sub3;&sub5; und Co&sub0;, &sub8;Ni&sub0;, &sub1;Fe0,1 wurden als Verdampfungsquellen von Ni-Fe, Co-Ni bzw. Co-Ni-Fe verwendet und Filme wurden unter Verwendung einer Elektronenstrahl kanone abgeschieden. Darüberhinaus wurde die Dicke jedes Filmes durch einen Quartz-Oszillator-Monitor und eine Blende kontrolliert.
- In gleicher Weise wurden Ni&sub0;, &sub8;Co&sub0;,&sub2;, Ni&sub0;, &sub7;Co&sub0;, &sub2;Fe&sub0;,&sub1; und Co&sub0;, &sub6;&sub5;Ni&sub0;,&sub3;&sub5; als Verdampfungsquellen verwendet und die folgenden Beispiele Nr. 4 bis 6 wurden ausgebildet.
- 4: [Ni-Co(30)/Pt(50)/Co-Ni (30)/Pt(50)]
- 5: [Ni-Co-Fe(30)/Cu(50)/Co-Ni(30)/Cu(50)]
- 6: [Ni-Co-Fe(30)/Ru(50)/Co-Ni(30)/Ru(50)]
- Eigenschaften der derart erhaltenen, magnetoresistiven Elemente sind in Tabelle 1 gezeigt. TABELLE 1 No. Änderungsrate der Magnetoresistenz ΔR/R (%) Koerzitivkraft HC (Oe)
- Die Ablagerung jedes Filmes wurde in einem Magnetfeld durchgeführt und sein Magnetoresistenzeffekt wurde gemessen, wenn das Magnetfeld in einer Richtung der Achse der Hartmagnetisierung angelegt wurde. Eine Koerzitivkraft jedes der in Tabelle 1 gezeigten Filme ist ein Wert in einer Richtung der Achse der leichten Magnetisierung des Filmes. Wie oben gezeigt, weisen die magnetoresistiven Elemente gemäß der Erfindung praktische Eigenschaften, wie etwa ein großes ΔR/R bei Raumtemperatur und ein relativ geringes Hc auf.
- Wie dies oben beschrieben wurde, ermöglicht die vorliegende Erfindung ein magnetoresistives Element, welches einen großen Magnetoresistenzeffekt bei Raumtemperatur und in einem angelegten Magnetfeld für praktische Anwendung zeigt. Das magnetoresistive Element, dessen Magnetostriktion gering ist, ist geeignet, wenn es an einem hochempfindlichen MR- Kopf oder dgl. angewandt wird.
Claims (6)
1. Magnetoresistives Element umfassend eine erste
magnetische Filmschicht (1) mit einer Dicke von 10 bis 100 Å,
eine zweite magnetische Filmschicht (3) mit einer Dicke von
10 bis 100 Å, deren Koerzitivkraft von jener der ersten
Filmschicht (1) verschieden ist, und eine nicht-magnetische
Metallfilm-Schicht (2) mit einer Dicke von 10 bis 100 Å,
welche zwischen den ersten und zweiten Filmschichten (1, 3)
angeordnet ist, wobei die ersten und zweiten magnetischen
Filmschichten (1, 3) und die nicht-magnetische Metallfilm-
Schicht (2) vollständig miteinander laminiert sind, worin
die nicht-magnetische Metallfilm-Schicht (2) von Cu, Ag, Au,
Pt, Ru oder Re gebildet ist.
2. Magnetoresistives Element nach Anspruch 1, worin die drei
Filmschichten (1, 2, 3) eine Basiseinheit sind und eine
Mehrzahl von derartigen Einheiten vollständig miteinander
mit dazwischen angeordneten, nicht-magnetischen Metallfilm-
Schichten (2) mit einer Dicke von 16 bis 100 Å laminiert
sind.
3. Magnetoresistives Element nach Anspruch 1 oder 2, worin
die erste magnetische Filmschicht (1) aus einem Material
gebildet ist, dessen wesentliche Komponente von einer
Verbindung gebildet ist, welche den Ansdruck (NiACo1-A)BFe1-B
erfüllt (A und B bezeichnen Verhältnisse der atomaren
Zusammensetzung, welche 0,6 ≤ A ≤ 1,0 bzw. 0,7 ≤ B ≤ 1,0
erfüllen), und
die zweite magnetische Filmschicht (3) aus einem Material
gebildet ist, dessen wesentliche Komponente von einer
Verbindung gebildet ist, welche den Ausdruck (CoCNi1-C)DFe1-D
erfüllt (C und D bezeichnen Verhältnisse der atomaren
Zusammensetzung, welche 0,4 ≤ C ≤ 1,0 bzw. 0,8 ≤ D ≤ 1,0
erfüllen).
4. Magnetoresistives Element nach Anspruch 1 oder 2, worin
die erste magnetische Filmschicht (1) aus einem Material
gebildet ist, dessen wesentliche Komponente von einer
Verbindung gebildet ist, welche den Ausdruck NiAFe1-A erfüllt
(A bezeichnet ein Verhältnis der atomaren Zusammensetzung,
welche 0,7 ≤ A ≤ 0,9 erfüllt), und
die zweite magnetische Filmschicht (3) aus einem Material
gebildet ist, dessen wesentliche Komponente von einer
Verbindung gebildet ist, welche den Ausdruck (CoCNi1-C)DFe1-D
erfüllt (C und D bezeichnen Verhältnisse der atomaren
Zusammensetzung, welche 0,4 ≤ C ≤ 1,0 bzw. 0,8 ≤ D ≤ 1,0
erfüllen).
5. Magnetoresistives Element nach Anspruch 1 oder 2, worin
die erste magnetische Filmschicht (1) aus einem Material
gebildet ist, dessen wesentliche Komponente von einer
Verbindung gebildet ist, welche den Ausdruck NiACo1-A erfüllt (A
bezeichnet ein Verhältnis der atomaren Zusammensetzung,
welches 0,6 ≤ A ≤ 0,9 erfüllt), und
die zweite magnetische Filmschicht (3) aus einem Material
gebildet ist, dessen wesentliche Komponente von einer
Verbindung gebildet ist, welche den Ausdruck (CoCNi1-C)DFe1-D
erfüllt (C und D bezeichnen Verhältnisse der atomaren
Zusammensetzung, welche 0,4 ≤ C ≤ 1,0 bzw. 0,8 ≤ D ≤ 1,0
erfüllen).
6. Magnetoresistives Element nach einem der vorangehenden
Ansprüche, worin die nicht-magnetische Metallfilm-Schicht
(2) von Cu gebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3013620A JP2690623B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69202258D1 DE69202258D1 (de) | 1995-06-08 |
DE69202258T2 true DE69202258T2 (de) | 1996-01-04 |
DE69202258T3 DE69202258T3 (de) | 1999-12-02 |
Family
ID=11838278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69202258T Expired - Lifetime DE69202258T3 (de) | 1991-02-04 | 1992-02-03 | Magnetoresistives Element. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5243316A (de) |
EP (1) | EP0498344B2 (de) |
JP (1) | JP2690623B2 (de) |
DE (1) | DE69202258T3 (de) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3088478B2 (ja) * | 1990-05-21 | 2000-09-18 | 財団法人生産開発科学研究所 | 磁気抵抗効果素子 |
EP0506433B2 (de) * | 1991-03-29 | 2007-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetowiderstandseffekt-Element |
JPH05183212A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-07-23 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子 |
JP3207477B2 (ja) * | 1991-12-24 | 2001-09-10 | 財団法人生産開発科学研究所 | 磁気抵抗効果素子 |
JP2848083B2 (ja) * | 1992-03-02 | 1999-01-20 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
JP2812042B2 (ja) * | 1992-03-13 | 1998-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗センサー |
JP3285937B2 (ja) * | 1992-06-23 | 2002-05-27 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜および磁気抵抗変化素子ならびにそれらの製造方法 |
JPH06220609A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-08-09 | Sony Corp | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びにそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP3381957B2 (ja) * | 1992-08-03 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気センサ |
US5500633A (en) * | 1992-08-03 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
JP3411626B2 (ja) * | 1992-08-27 | 2003-06-03 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子ならびにそれらの製造方法 |
US5287238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve magnetoresistive sensor |
JPH08503336A (ja) * | 1992-11-16 | 1996-04-09 | ノンボラタイル エレクトロニクス,インコーポレイテッド | 合金層を有する磁気抵抗性構造 |
US5617071A (en) * | 1992-11-16 | 1997-04-01 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate alloy layer having magnetic concentrator and shielding permeable masses |
US5569544A (en) * | 1992-11-16 | 1996-10-29 | Nonvolatile Electronics, Incorporated | Magnetoresistive structure comprising ferromagnetic thin films and intermediate layers of less than 30 angstroms formed of alloys having immiscible components |
DE4401476A1 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-28 | Fuji Electric Co Ltd | Magneto-resistives Element, magnetisches Induktionselement und solche enthaltender Dünnschicht-Magnetkopf |
US5422571A (en) * | 1993-02-08 | 1995-06-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer |
US5657190A (en) * | 1993-03-02 | 1997-08-12 | Tdk Corporation | Apparatus for detecting a magnetic field using a giant magnetoresistance effect multilayer |
US5585198A (en) * | 1993-10-20 | 1996-12-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetorsistance effect element |
US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
JP2551321B2 (ja) * | 1993-04-21 | 1996-11-06 | 日本電気株式会社 | 集積化磁気抵抗効果センサ |
JP2629583B2 (ja) * | 1993-05-13 | 1997-07-09 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
US5475304A (en) * | 1993-10-01 | 1995-12-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Magnetoresistive linear displacement sensor, angular displacement sensor, and variable resistor using a moving domain wall |
JPH08504303A (ja) * | 1993-10-06 | 1996-05-07 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェン ノートシャップ | 磁気抵抗デバイス及び斯種のデバイスを用いる磁気ヘッド |
US6256222B1 (en) | 1994-05-02 | 2001-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device, and magnetoresistaance effect type head, memory device, and amplifying device using the same |
US5841611A (en) * | 1994-05-02 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect type head, memory device, and amplifying device using the same |
EP0685746A3 (de) * | 1994-05-30 | 1996-12-04 | Sony Corp | Maqnetowiderstandeffektanordnung mit verbessertem thermischem Widerstand. |
US5874886A (en) * | 1994-07-06 | 1999-02-23 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device |
WO1996007926A1 (en) * | 1994-08-28 | 1996-03-14 | Philips Electronics N.V. | Magnetic field detector device |
JP3574186B2 (ja) * | 1994-09-09 | 2004-10-06 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
US5818323A (en) * | 1994-09-09 | 1998-10-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive device |
JPH08130337A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
US6088204A (en) * | 1994-12-01 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive magnetic recording head with permalloy sensor layer deposited with substrate heating |
JPH08180328A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
US5695864A (en) * | 1995-09-28 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Electronic device using magnetic components |
JP3471520B2 (ja) * | 1996-04-30 | 2003-12-02 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法及び磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造装置 |
US6166539A (en) * | 1996-10-30 | 2000-12-26 | Regents Of The University Of Minnesota | Magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
US5747997A (en) * | 1996-06-05 | 1998-05-05 | Regents Of The University Of Minnesota | Spin-valve magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
US5666248A (en) * | 1996-09-13 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Magnetizations of pinned and free layers of a spin valve sensor set by sense current fields |
DE19706106A1 (de) | 1997-02-17 | 1998-08-27 | Siemens Ag | Ventileinrichtung eines Verbrennungsmotors |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1252739B (de) * | 1964-03-17 | 1967-10-26 | Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München | Speicherelement mit gestapelten magnetischen Schichten |
DE3855322T2 (de) * | 1987-08-21 | 1996-10-10 | Nippon Denso Co | Anordnung zur Detektion von Magnetismus |
JPH0223681A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
FR2648942B1 (fr) * | 1989-06-27 | 1995-08-11 | Thomson Csf | Capteur a effet magnetoresistif |
JP2957236B2 (ja) * | 1990-06-18 | 1999-10-04 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3013620A patent/JP2690623B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-01-22 US US07/824,005 patent/US5243316A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-03 EP EP92101727A patent/EP0498344B2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-03 DE DE69202258T patent/DE69202258T3/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69202258T3 (de) | 1999-12-02 |
EP0498344B1 (de) | 1995-05-03 |
JPH04247607A (ja) | 1992-09-03 |
JP2690623B2 (ja) | 1997-12-10 |
US5243316A (en) | 1993-09-07 |
EP0498344A1 (de) | 1992-08-12 |
DE69202258D1 (de) | 1995-06-08 |
EP0498344B2 (de) | 1999-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69202258T2 (de) | Magnetoresistives Element. | |
DE69533636T2 (de) | Magnetowiderstandseffektvorrichtung und hiermit versehener Magnetkopf, Speicher- und Verstärkungsanordnung | |
DE69132804T2 (de) | Magnetwiderstandseffekt-element | |
DE69108224T2 (de) | Magnetische Mehrschicht und Element mit Magnetowiderstandseffekt. | |
DE3780347T2 (de) | Aufzeichnungstraeger mit mehreren schichten fuer vertikale magnetische aufzeichnung. | |
DE69219750T2 (de) | Magnetoresistiver Fühler für schwache Magnetfelder | |
DE69019242T2 (de) | Magnetwiderstandseffektwandler. | |
DE19848776B4 (de) | Austauschkopplungsschicht, diese Austauschkopplungsschicht verwendendes Element vom Magnetowiderstandseffekt-Typ und das Element vom Magnetowiderstandseffekt-Typ verwendender Dünnschicht-Magnetkopf | |
DE69106334T2 (de) | Mehrsicht Film mit magnetoresistiven Effekt und magnetoresitives Element. | |
DE19820462C2 (de) | Magnetowiderstandseffektkopf | |
DE19848110B4 (de) | Magnetowiderstandselement | |
DE69522304T2 (de) | Film mit Austauschkopplung und magnetoresistives Element | |
DE69209468T2 (de) | Magnetowiderstandseffekt-Element | |
DE4408274C2 (de) | Magnetoresistenzeffekt-Element | |
DE69200169T3 (de) | Magnetresistive Materialien. | |
DE2827429A1 (de) | Magnetische duennfilmstruktur mit ferro- und antiferromagnetischem austausch- vorspannungsfilm | |
DE19936378B4 (de) | Magnetowiderstands-Dünnschichtelement vom Spin-Valve-Typ | |
DE69219936T2 (de) | Magnetowiderstandseffekt-Element | |
DE3434225A1 (de) | Magnetisches aufzeichnungsmedium | |
DE3882786T2 (de) | Magnetoresistiver Sensor mit antiferromagnetischem Film von gemischter Phase. | |
DE69207856T2 (de) | Magnetowiderstandseffekt-Element | |
DE3440386C2 (de) | ||
DE69619166T2 (de) | Magnetoresistiver Wandler mit "Spin-Valve" Struktur und Herstellungsverfahren | |
DE3610432C2 (de) | ||
DE69428007T2 (de) | Magnetoresistive Elemente und Herstellungsverfahren dafür |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: JAPAN ENERGY CORP., TOKIO/TOKYO, JP Owner name: NEC CORP., TOKYO, JP Owner name: PANASONIC CORP., KADOMA, OSAKA, JP Owner name: SEISAN KAIHATSU KAGAKU KENKYUSHO, KYOTO, JP Owner name: TDK CORP., TOKYO, JP |