JPH05182169A - 磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents
磁気ディスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05182169A JPH05182169A JP34478391A JP34478391A JPH05182169A JP H05182169 A JPH05182169 A JP H05182169A JP 34478391 A JP34478391 A JP 34478391A JP 34478391 A JP34478391 A JP 34478391A JP H05182169 A JPH05182169 A JP H05182169A
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- Japan
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- magnetic disk
- layer
- magnetic
- chamber
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記憶容量の大容量化を達成するのに十分な静
磁気特性を備えた磁気ディスク及びその製造方法を提供
する。 【構成】 非磁性基板上に、実質的にＣｒから成る第一
層とＣｏを主成分とする磁気記録媒体である第二層とが
積層されて成り、この第一層を形成する結晶の＜１００
＞面が上記基板に対して実質的に平行に配向されている
ことを特徴とする磁気ディスク。かかる磁気ディスクの
上記第一層の成膜は、基板と成膜装置のチャンバーとの
間に、基板の電位が成膜装置のチャンバーの電位に対し
１００乃至３００Ｖの負となるように電位差を与えて行
う。
磁気特性を備えた磁気ディスク及びその製造方法を提供
する。 【構成】 非磁性基板上に、実質的にＣｒから成る第一
層とＣｏを主成分とする磁気記録媒体である第二層とが
積層されて成り、この第一層を形成する結晶の＜１００
＞面が上記基板に対して実質的に平行に配向されている
ことを特徴とする磁気ディスク。かかる磁気ディスクの
上記第一層の成膜は、基板と成膜装置のチャンバーとの
間に、基板の電位が成膜装置のチャンバーの電位に対し
１００乃至３００Ｖの負となるように電位差を与えて行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスクに関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理システムにおけるファイ
ルメモリとして、磁気ディスクが広く用いられており、
磁気ディスクの記憶容量の大容量化が求められている。
記憶容量の大容量化を図るためには、記録再生特性を良
好に維持した状態で記録密度を向上させることが必要で
あり、そのためには磁気記録媒体の保磁力を大きくする
ことが必要となる。そこで、金属磁性材料の成分や成膜
方法の改善等が研究されており、例えばＣｏを主成分と
する金属磁性材料が、磁気記録媒体の保磁力向上に対し
て有効であることが明らかになっている。
ルメモリとして、磁気ディスクが広く用いられており、
磁気ディスクの記憶容量の大容量化が求められている。
記憶容量の大容量化を図るためには、記録再生特性を良
好に維持した状態で記録密度を向上させることが必要で
あり、そのためには磁気記録媒体の保磁力を大きくする
ことが必要となる。そこで、金属磁性材料の成分や成膜
方法の改善等が研究されており、例えばＣｏを主成分と
する金属磁性材料が、磁気記録媒体の保磁力向上に対し
て有効であることが明らかになっている。
【０００３】又、磁気ディスクは、Ａｌ板等の非磁性基
板上に、第一層として例えばＣｒを主成分とする非磁性
の下地層を成膜し、その後、第二層としてＣｏを主成分
とする磁気記録媒体を成膜するようになっている。ここ
で、第一層の非磁性のＣｒの膜厚は３００〜６０００
Å、第二層の磁気記録媒体層の膜厚は２５０〜５００Å
となっている。
板上に、第一層として例えばＣｒを主成分とする非磁性
の下地層を成膜し、その後、第二層としてＣｏを主成分
とする磁気記録媒体を成膜するようになっている。ここ
で、第一層の非磁性のＣｒの膜厚は３００〜６０００
Å、第二層の磁気記録媒体層の膜厚は２５０〜５００Å
となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな磁気ディスクにあっては、磁気記録媒体層の結晶配
向性が悪く、六方晶のｃ軸の方向が基板面に対して特定
の方向を向いていない。このため、磁気ディスクの保磁
力は１２００Ｏｅ程度，ＳＮ比は２８〜３２ｄＢ程度と
なり、その静磁気特性は十分なものではない。従って、
記憶容量の大容量化に十分な記録再生特性と記録密度を
得ることができないという問題がある。
うな磁気ディスクにあっては、磁気記録媒体層の結晶配
向性が悪く、六方晶のｃ軸の方向が基板面に対して特定
の方向を向いていない。このため、磁気ディスクの保磁
力は１２００Ｏｅ程度，ＳＮ比は２８〜３２ｄＢ程度と
なり、その静磁気特性は十分なものではない。従って、
記憶容量の大容量化に十分な記録再生特性と記録密度を
得ることができないという問題がある。
【０００５】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、記憶容量の大容
量化を達成するのに十分な静磁気特性を備えた磁気ディ
スク及びその製造方法を提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、記憶容量の大容
量化を達成するのに十分な静磁気特性を備えた磁気ディ
スク及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明による磁
気ディスクは、非磁性基板上に、実質的にＣｒから成る
第一層とＣｏを主成分とする磁気記録媒体である第二層
とが積層されて成り、この第一層を形成する結晶の＜１
００＞面が上記基板に対して実質的に平行に配向されて
いることを特徴としている。又、該磁気ディスクを製造
するための、本発明の製造方法は、実質的にＣｒから成
る上記第一層の成膜は、上記基板と成膜装置のチャンバ
ーとの間に、上記基板の電位が成膜装置のチャンバーの
電位に対し１００乃至３００Ｖの負となるように電位差
を与えて行うことを特徴としている。
気ディスクは、非磁性基板上に、実質的にＣｒから成る
第一層とＣｏを主成分とする磁気記録媒体である第二層
とが積層されて成り、この第一層を形成する結晶の＜１
００＞面が上記基板に対して実質的に平行に配向されて
いることを特徴としている。又、該磁気ディスクを製造
するための、本発明の製造方法は、実質的にＣｒから成
る上記第一層の成膜は、上記基板と成膜装置のチャンバ
ーとの間に、上記基板の電位が成膜装置のチャンバーの
電位に対し１００乃至３００Ｖの負となるように電位差
を与えて行うことを特徴としている。
【０００７】本発明によれば、従来の磁気ディスクと比
較して保磁力等の静磁気特性を向上させることが出来
る。従って、これに伴いＳＮ比が向上し、記憶容量の大
容量化を達成することが可能となる。
較して保磁力等の静磁気特性を向上させることが出来
る。従って、これに伴いＳＮ比が向上し、記憶容量の大
容量化を達成することが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
する。本発明の磁気ディスクにおいては、先ず、非磁性
基板として、Ａｌ，Ｎｉ−Ｐ下地が施されたＡｌ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，耐熱性プラスチック又はガラス等を用いること
ができる。次にこの非磁性基板を真空チャンバー内に配
置せしめ、この基板上に、第一層として実質的にＣｒか
ら成る非磁性の下地層をスパッタリング法により成膜す
る。この際、基板とチャンバーとの間に、基板の電位が
チャンバーの電位に対し１００乃至３００Ｖの負となる
ように電位差を与えて成膜を行っている。これにより、
下地層を形成する結晶の＜１００＞面を、安定して実質
的に基板と平行に配向させることができる。尚、この下
地層はＣｒ単味でもよいが、Ｃｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｗ，Ｔａや酸素等の元素が１０重量％
程度以下、Ｃｒに含有されていてもよい。
する。本発明の磁気ディスクにおいては、先ず、非磁性
基板として、Ａｌ，Ｎｉ−Ｐ下地が施されたＡｌ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，耐熱性プラスチック又はガラス等を用いること
ができる。次にこの非磁性基板を真空チャンバー内に配
置せしめ、この基板上に、第一層として実質的にＣｒか
ら成る非磁性の下地層をスパッタリング法により成膜す
る。この際、基板とチャンバーとの間に、基板の電位が
チャンバーの電位に対し１００乃至３００Ｖの負となる
ように電位差を与えて成膜を行っている。これにより、
下地層を形成する結晶の＜１００＞面を、安定して実質
的に基板と平行に配向させることができる。尚、この下
地層はＣｒ単味でもよいが、Ｃｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｍｏ，Ｚｎ，Ｗ，Ｔａや酸素等の元素が１０重量％
程度以下、Ｃｒに含有されていてもよい。
【０００９】そして、この第一層上に、第二層としてＣ
ｏ系，Ｃｏ−Ｎｉ系又はＣｏ−Ｃｒ系から成る磁気記録
媒体層を、スパッタリング法，真空蒸着法又はイオンプ
レーティング法等によって積層する。この磁気記録媒体
層にＮｉ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｍｏ，
Ｚｎ，Ｗ，Ｔａ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｐｔや酸素等の元素が２０重量％以
下含有されていてもよい。
ｏ系，Ｃｏ−Ｎｉ系又はＣｏ−Ｃｒ系から成る磁気記録
媒体層を、スパッタリング法，真空蒸着法又はイオンプ
レーティング法等によって積層する。この磁気記録媒体
層にＮｉ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｍｏ，
Ｚｎ，Ｗ，Ｔａ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｐｔや酸素等の元素が２０重量％以
下含有されていてもよい。
【００１０】本発明は上述のように構成されているか
ら、従来の磁気ディスクと比較して保磁力等の静磁気特
性を著しく向上させることができ、そのためＳＮ比が向
上し、記録再生特性を良好に維持しつつ記録密度を向上
せしめることができる。よって、磁気ディスクの記憶容
量を大容量化することが可能となる。
ら、従来の磁気ディスクと比較して保磁力等の静磁気特
性を著しく向上させることができ、そのためＳＮ比が向
上し、記録再生特性を良好に維持しつつ記録密度を向上
せしめることができる。よって、磁気ディスクの記憶容
量を大容量化することが可能となる。
【００１１】次に、本発明の具体的な実施例について述
べる。まず、直径１３０mm，厚さ１．９２mmのＡｌ−Ｍ
ｇ合金（ＪＩＳ−Ａ５０２４）基板を用い、この基板上
に厚さ１８μm のＮｉ─Ｐ下地を無電解メッキ法によっ
て形成することにより、非磁性のディスク基板を作成す
る。次にこのようにして得られた基板に、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング法によって下地層と磁気記録媒体層
とを順次成膜する。即ち、ディスク基板を真空チャンバ
ーに入れ、円形のターゲットと基板とを同軸で対向せし
めた静止状態で、到達真空度が１×１０ -7Ｔｏｒｒにな
るまで真空度を上げた後、基板温度を２９０℃迄上昇せ
しめる。その後、Ａｒガスを導入しＡｒガス圧力を５ｍ
Ｔｏｒｒとして、下地層と磁気記録媒体層とを連続して
スパッタ成膜することによって積層する。尚、下地層の
成膜時、基板の電位は真空チャンバーの電位に対して２
００Ｖ下げて成膜した。このときの試料を実施例とす
る。一方、基板の電位を真空チャンバーの電位と同電位
にして、従来技術と同様な方法で成膜したものを比較例
とする。
べる。まず、直径１３０mm，厚さ１．９２mmのＡｌ−Ｍ
ｇ合金（ＪＩＳ−Ａ５０２４）基板を用い、この基板上
に厚さ１８μm のＮｉ─Ｐ下地を無電解メッキ法によっ
て形成することにより、非磁性のディスク基板を作成す
る。次にこのようにして得られた基板に、ＤＣマグネト
ロンスパッタリング法によって下地層と磁気記録媒体層
とを順次成膜する。即ち、ディスク基板を真空チャンバ
ーに入れ、円形のターゲットと基板とを同軸で対向せし
めた静止状態で、到達真空度が１×１０ -7Ｔｏｒｒにな
るまで真空度を上げた後、基板温度を２９０℃迄上昇せ
しめる。その後、Ａｒガスを導入しＡｒガス圧力を５ｍ
Ｔｏｒｒとして、下地層と磁気記録媒体層とを連続して
スパッタ成膜することによって積層する。尚、下地層の
成膜時、基板の電位は真空チャンバーの電位に対して２
００Ｖ下げて成膜した。このときの試料を実施例とす
る。一方、基板の電位を真空チャンバーの電位と同電位
にして、従来技術と同様な方法で成膜したものを比較例
とする。
【００１２】このようにして得られた磁気ディスクに関
し、下地層はＣｒ膜とし、その膜厚は３００Åであっ
た。また、磁気記録媒体層は、Ｃｏ：９０原子％，Ｃ
ｒ：８原子％，Ｔａ：２原子％から成る組成のＣｏ−Ｃ
ｒ系合金を５００Åの膜厚として形成した。更に、直流
電力は３ｋＷであった。
し、下地層はＣｒ膜とし、その膜厚は３００Åであっ
た。また、磁気記録媒体層は、Ｃｏ：９０原子％，Ｃ
ｒ：８原子％，Ｔａ：２原子％から成る組成のＣｏ−Ｃ
ｒ系合金を５００Åの膜厚として形成した。更に、直流
電力は３ｋＷであった。
【００１３】かかる磁気ディスクについて、磁気測定を
行い、実施例と比較例における夫々の測定結果を表１に
示す。
行い、実施例と比較例における夫々の測定結果を表１に
示す。
【表１】 表１において、保磁力は実施例が１３２０Ｏｅであるの
に対し比較例は１０５０Ｏｅであり、ＳＮ比は実施例が
３６ｄＢ，比較例が２９ｄＢである等、実施例の方が比
較例より静磁気特性に関して非常に優れていることが理
解できる。
に対し比較例は１０５０Ｏｅであり、ＳＮ比は実施例が
３６ｄＢ，比較例が２９ｄＢである等、実施例の方が比
較例より静磁気特性に関して非常に優れていることが理
解できる。
【００１４】又、上記実施例と比較例において、下地層
のみをガラス基板上に成膜したものについて、室温の下
でＸ線回折測定を行った結果を図１及び図２のＸ線回折
チャートに示す。図２に示す比較例のＸ線回折チャート
では、結晶の＜１１０＞面が基板表面と実質的に平行に
配向しているために、＜１００＞面の回折線は全く観測
されていない。一方、図１に示す実施例のＸ線回折チャ
ートでは、比較例と同じ膜厚であるにもかかわらず、＜
１１０＞面の回折線は弱まり、＜１００＞面の回折線が
明確に観察できる。このことから、実施例のものはＣｒ
の＜１００＞面が基板表面と実質的に平行に配向してい
ることが理解できる。
のみをガラス基板上に成膜したものについて、室温の下
でＸ線回折測定を行った結果を図１及び図２のＸ線回折
チャートに示す。図２に示す比較例のＸ線回折チャート
では、結晶の＜１１０＞面が基板表面と実質的に平行に
配向しているために、＜１００＞面の回折線は全く観測
されていない。一方、図１に示す実施例のＸ線回折チャ
ートでは、比較例と同じ膜厚であるにもかかわらず、＜
１１０＞面の回折線は弱まり、＜１００＞面の回折線が
明確に観察できる。このことから、実施例のものはＣｒ
の＜１００＞面が基板表面と実質的に平行に配向してい
ることが理解できる。
【００１５】尚、下地層であるＣｒを成膜する際に基板
とチャンバーとの間に印加する電圧の大きさは、チャン
バーに対する基板の電位が１００Ｖより小さい負の電位
となる電位差を与えた場合は、Ｃｒから成る下地層を上
記の如く配向させる効果が得られず、又、３００Ｖより
大きい負の電位差を与えた場合は、膜中に打ち込まれる
Ａｒ粒子の数が増えるために膜の密度が低下し、基板と
の密着強度が下がる。従って、基板の電位がチャンバー
に対し１００乃至３００Ｖの負の電位となる電位差を与
えて成膜すれば、結晶の＜１００＞面を安定して配向せ
しめることができ、これにより所望の静磁気特性を有す
る磁気ディスクを得ることできる。
とチャンバーとの間に印加する電圧の大きさは、チャン
バーに対する基板の電位が１００Ｖより小さい負の電位
となる電位差を与えた場合は、Ｃｒから成る下地層を上
記の如く配向させる効果が得られず、又、３００Ｖより
大きい負の電位差を与えた場合は、膜中に打ち込まれる
Ａｒ粒子の数が増えるために膜の密度が低下し、基板と
の密着強度が下がる。従って、基板の電位がチャンバー
に対し１００乃至３００Ｖの負の電位となる電位差を与
えて成膜すれば、結晶の＜１００＞面を安定して配向せ
しめることができ、これにより所望の静磁気特性を有す
る磁気ディスクを得ることできる。
【００１６】
【発明の効果】上記実施例において成膜された磁気記録
媒体層が、下地層の上にエピタキシャル成長し、結晶の
ｃ軸が基板と平行に配向することを確認した。また、比
較例において成膜された磁気記録媒体層は、ｃ軸の配向
性に劣ることを確認した。従って、本発明に係る磁気デ
ィスクによれば、保磁力等の静磁気特性を向上させるこ
とができ、これによりＳＮ比が向上し、記録再生特性を
良好に維持して記録密度を向上させることができる。そ
のため、磁気ディスクの記憶容量を大容量化することが
可能となる。
媒体層が、下地層の上にエピタキシャル成長し、結晶の
ｃ軸が基板と平行に配向することを確認した。また、比
較例において成膜された磁気記録媒体層は、ｃ軸の配向
性に劣ることを確認した。従って、本発明に係る磁気デ
ィスクによれば、保磁力等の静磁気特性を向上させるこ
とができ、これによりＳＮ比が向上し、記録再生特性を
良好に維持して記録密度を向上させることができる。そ
のため、磁気ディスクの記憶容量を大容量化することが
可能となる。
【図１】本発明の実施例による磁気ディスクについての
Ｘ線回折チャートである。
Ｘ線回折チャートである。
【図２】従来の磁気ディスクに関する比較例についての
Ｘ線回折チャートである。
Ｘ線回折チャートである。
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板上に、実質的にＣｒから成る
第一層とＣｏを主成分とする磁気記録媒体である第二層
とが積層されて成る磁気ディスクにおいて、該第一層を
形成する結晶の＜１００＞面が上記基板に対して実質的
に平行に配向されていることを特徴とする磁気ディス
ク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気ディスクを製造す
るにあたり、実質的にＣｒから成る第一層の成膜は、上
記基板と成膜装置のチャンバーとの間に、上記基板の電
位が成膜装置のチャンバーの電位に対し１００乃至３０
０Ｖの負となるように電位差を与えて行うことを特徴と
する磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34478391A JPH05182169A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34478391A JPH05182169A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182169A true JPH05182169A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18371953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34478391A Pending JPH05182169A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9127365B2 (en) | 2008-02-16 | 2015-09-08 | HGST Netherlands B.V. | Generation of multilayer structures in a single sputtering module of a multi-station magnetic recording media fabrication tool |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP34478391A patent/JPH05182169A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9127365B2 (en) | 2008-02-16 | 2015-09-08 | HGST Netherlands B.V. | Generation of multilayer structures in a single sputtering module of a multi-station magnetic recording media fabrication tool |
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